JP5913524B2 - 半導体装置 - Google Patents
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Description
る。
ティングゲートに電荷を高電圧で注入する必要があり、データの書き込み及び消去のため
に昇圧回路を必要としている。フラッシュメモリは昇圧回路を使ってわざわざ高電圧を発
生させるため、消費電力が高いという問題点を有している。
ない不良メモリセルが含まれる。不良メモリセルがあるとデータを正確に記憶させること
ができないので、その対策として製造段階で不良メモリセルをレーザーで切断する方策な
どがとられている。レーザーカットは製造プロセスの変更を要しないという長所がある。
しかし、その処理を行うには検査工程が伴うため、特別な装置が必要であり、作業が繁雑
になるといった問題がある。
セルアレイを備えておく方式がある(例えば、特許文献1参照)。この方式に従えば、主
メモリセルアレイにおける不良メモリセルのアドレス情報を冗長情報格納メモリセルアレ
イに記憶させておき、その記憶情報に基づいて、不良メモリセルが選択された場合には、
その不良メモリセルの代わりに冗長メモリセルが読み出される。
、主メモリセルアレイと同じメモリセルで構成されるので、メモリ装置が本来備えるべき
記憶容量を削減することになってしまう。
納メモリセルアレイが構成されるということは、主メモリセルと同じ確率で不良メモリセ
ルが発生することを意味している。そのため、冗長情報格納メモリセルアレイについても
、不良メモリセルの有無を検査する工程が必要となっている。
いて記憶させなくても、不良メモリセルを非選択とすることが可能な半導体記憶装置を提
供することを課題とする。
御機能を設け、メモリセルアレイの欠陥を救済する半導体記憶装置である。すなわちこの
半導体記憶装置は、データを記憶させるために設けられた主メモリセルアレイの一部を使
って不良メモリセルのアドレス情報を記憶させるのではなく、メモリコントローラの中に
不良メモリセルのアドレス情報を記憶させる不揮発性のメモリを設けることで、かかる問
題点を解決するものである。
ドレス情報を取得するために、わざわざメモリセルアレイまでアクセスしないで済み、処
理速度の向上に寄与することになる。
ランジスタで構成する。例えばシリコン半導体を用いた絶縁ゲート型電界効果トランジス
タで駆動回路を構成する。
構成することで、不揮発性メモリとすることができる。また、当該メモリセルアレイを、
ダイナミックRAM(Random Access Memory)、スタティクRAM
又は強誘電体メモリの回路構成とした場合にも、同様に適用することができる。
り当てられた冗長メモリ領域に分割される。冗長メモリ領域のメモリセルは、メモリ領域
に不良メモリセルが含まれる場合に、その不良メモリセルが選択されないように代替する
ものである。この半導体記憶装置の冗長機能はメモリコントローラによって発揮される。
メモリコントローラは、不良メモリセルの所在を記憶するメモリを有しており、不良メモ
リセルが指定された場合は、その不良メモリセルではなく、冗長メモリ領域のメモリセル
を選択するよう動作する。
で構成することもできるが、駆動回路(ロジック回路)と同じ駆動電圧で不揮発性メモリ
を動作させることができる点で以下のような構成を備えることが好ましい。
ャパシタで構成することができる。すなわち、第1トランジスタのゲート電極と第2トラ
ンジスタのドレイン電極を電気的に接続し、該ドレイン電極及び該ゲート電極とキャパシ
タを電気的に接続する回路構成とする。この場合、第2トランジスタをオフ電流の低いト
ランジスタで構成することで、キャパシタに充電した電荷を長時間保持させることが可能
となり、実質的に不揮発性メモリとして使用することができる。
2トランジスタのオフ電流を、チャネル幅1μm当たりの換算で100aA/μm以下、
好ましくは1aA/μm以下、より好ましくは100zA/μm以下(1zA(ゼプトア
ンペア)は1×10−21A)、さらに10zA/μm以下とする。このようにすること
で、第2トランジスタのリークによってキャパシタが消失する電荷はほとんど無いものと
して扱うことができる。上述のようにキャパシタは、第2トランジスタのゲート電極とも
電気的に接続されているが、第2トランジスタは絶縁ゲート型のMOSトランジスタであ
るので、ゲートリーク(ゲート絶縁膜のリーク)がほとんど無視できるレベルである限り
、キャパシタの電荷保持特性に何ら影響を与えることはない。
に設けることで、それぞれを異なるメモリ素子、メモリ回路で構成することができる。
スタを用いないことで、高電圧を使ってデータを書き込む動作が不要となり、しかもダイ
ナミックRAMで必要なリフレッシュ動作を必要とせずに、データの保持が可能となる。
にメモリセルが配列され、主メモリ領域と冗長メモリ領域とを有するメモリセルアレイと
、ワード線及びビット線の信号を制御する駆動回路と、駆動回路の動作を制御するメモリ
コントローラとを備えている。メモリコントローラは、主メモリ領域の中の不良メモリセ
ルのアドレス情報を記憶するメモリ部と、不良メモリセルのある行の代わりに冗長メモリ
領域の行を読み出すために冗長メモリ領域のアドレス情報を記憶する冗長アドレス記憶部
とを有している。
のドレイン電極とが電気的に接続され、該ドレイン電極及び該ゲート電極とキャパシタが
電気的に接続されているメモリセルによって構成されたものを適用することができる。ま
た、第1トランジスタのゲート電極と第2トランジスタのドレイン電極とが電気的に接続
され、該ドレイン電極及び該ゲート電極とキャパシタが電気的に接続されているメモリセ
ルを半導体記憶装置の主メモリとして用いることもできる。
様となる。それにより、第2トランジスタのチャネル幅1μm当たりのオフ電流は、10
0aA/μm以下、好ましくは1aA/μm以下、より好ましくは100zA/μm以下
、さらに10zA/μm以下とすることができる。
別するために便宜的に付与しているものであり、数的に限定するものではなく、特に限定
されない限り配置及び段階の順序を限定するものでもない。
と言及されたときには、その他の構成要素に直接的に形成されている場合もあるが、中間
に他の構成要素が存在する場合もあると理解されなければならない。
文脈上で明白に相違して意味していない限り、複数の表現を含む。「含む」または「有す
る」などの用語は、明細書中に記載された特徴、数字、ステップ、動作、構成要素、部分
品、またはこれらを組み合わせたものが存在することを指定しようとするものであり、1
つまたはそれ以上の他の特徴、数字、ステップ、動作、構成要素、部分品、またはこれら
を組み合わせたものなどの存在または付加の可能性をあらかじめ排除しないものであると
理解されなければならない。
いられる全ての用語は、本発明が属する技術分野において通常の知識を有する者にとって
一般的に理解され得るものと同じ意味を有している。一般的に用いられる辞書に定義され
ているものと同じ用語は、関連技術の文脈上で有する意味と一致する意味を有するものと
解釈されなければならず、本出願で明白に定義しない限り、理想的あるいは過度に形式的
な意味として解釈されない。
を施した半導体記憶装置のように、不良メモリセルに関する情報をメモリセルアレイまで
アクセスする必要がなく、処理動作を高速化することができる。さらに、メモリセルアレ
イの外側に、不良メモリセルに関する情報を記憶させる領域を設けることで、不良メモリ
セルに関する情報をメモリセルアレイの記憶容量を割いて記憶させなくても、不良メモリ
セルを非選択とすることが可能な半導体記憶装置を提供することができる。
発明は以下の説明に限定されず、その発明の趣旨及びその範囲から逸脱することなくその
形態及び詳細をさまざまに変更し得ることは当業者であれば容易に理解される。したがっ
て、本明細書で開示される発明は以下に示す実施の形態の記載内容に限定して解釈される
ものではない。
なる図面間で共通して用いる場合がある。なお、図面において示す構成要素、すなわち層
や領域等の厚さ、幅、相対的な位置関係等は、実施の形態において説明する上で明確性の
ために誇張して示される場合がある。
う。しかし、電圧及び電位の値は、回路図などにおいていずれもボルト(V)で表される
ことがあるため、区別が困難である。そこで、本明細書では、特に指定する場合を除き、
ある一点の電位と基準となる電位(基準電位ともいう)との電位差を、該一点の電圧とし
て用いる場合がある。
本発明の一実施形態に係る半導体記憶装置におけるメモリ回路の構成を図1に示す。図
1はNOR型の不揮発性メモリによって半導体記憶装置を構成する場合を例示する。なお
、図1で示すものと同様な構成は、NAND型の不揮発性メモリによって半導体記憶装置
を構成する場合にも適用可能である。
X方向書き込みデコーダー108、Y方向読み出しデコーダー110、Y方向読み出し回
路112、Y方向書き込みデコーダー116、Y方向書き込み回路114、メモリコント
ローラ118を有している。メモリセルアレイ100は主メモリ領域102と冗長メモリ
領域104とに分けられている。
しを行うため、主メモリ領域102及び冗長メモリ領域104は行単位で書き込み及び読
み出しが行われるようになっている。
、合計1024ビットのマトリクスであるものとして説明する。もちろん、メモリセルア
レイ100のビット数はこれに限定されず、任意のビット数とすることができる。
図2はメモリコントローラ118のブロック図を示す。メモリコントローラ118は、
Yアドレスラッチ120、Xアドレスラッチ122、冗長アドレス記憶部124、セレク
タ130、読み出し回路136、アドレスデコーダー132、メモリセルアレイ138、
書き込み回路134を含んで構成されている。冗長アドレス記憶部124は、冗長Xアド
レス126、冗長Xアドレス128を記憶している。
の期間保持することのできる不揮発性メモリで構成されている。不揮発性メモリを含むメ
モリセルアレイ138にメモリセルアレイ100に含まれる不良メモリセルのアドレス情
報を記憶させておく。そして、メモリコントローラ118は、主メモリ領域102に含ま
れる不良メモリセルの代わりに冗長メモリ領域104のメモリセルを読み出すように、冗
長メモリ領域104のメモリセルのアドレス情報を冗長アドレス記憶部124に記憶させ
る。
分の記憶容量を有するように構成される。具体的には、メモリセルアレイ138は主メモ
リ領域102と同じ行数を有するように構成される。
8の行に、不良メモリセルの存在を示すデータを記憶させておく。メモリコントローラ1
18は、不良メモリセルが存在する行が呼び出されたとき、その行を選択せずに冗長メモ
リ領域104のアドレスを選択するように設定を行う。
良が許容される。もちろん、冗長メモリ領域104の行数を増やせばその分、主メモリ領
域102において許容できる行数は増加する。メモリセルアレイ138に記憶させるデー
タは、例えば、主メモリ領域102の各行に対して、不良メモリセルを含まない行にはデ
ータ「00」を記憶させ、不良メモリセルを含む行にはデータ「01」、「10」を記憶
させるようにしておく。
リセルアレイ100の不良メモリセルを救済する。
00の主メモリ領域102、冗長メモリ領域104に不良が含まれないかを検査する。こ
の検査はメモリセルアレイ100の行毎に行われる。具体的には、この検査において、メ
モリセルアレイ100の各行について不良メモリセルが1つ以上含まれるかどうかの判断
を行う。
主メモリ領域102の各行を検査し、不良メモリセルを含む行が2行以下の場合は、メモ
リコントローラ118の動作によって救済が可能となる。
ドレスを冗長Xアドレス126に、冗長メモリ領域104の2行目のアドレスを冗長Xア
ドレス128に記憶させておく。この記憶は後で変更することが無いため、記憶の方法は
マスクROMの様なもので良いし、固定論理パターンでもよい。
、「10」のいずれかが書き込み回路134によって書き込まれる。
メモリセルアレイ138の5行目には「01」、10行目には「10」が記憶される。そ
れ以外の行には「00」が記憶される。
メモリセルアレイ138は不揮発性メモリセルで構成されているので、検査工程が終了
しても、記録されたデータはメモリコントローラ118の中に保持されたままである。こ
のような状況で、半導体記憶装置が実際に使用される時の動作は以下のようになる。
れ、そのアドレス(Xアドレス、Yアドレス)がXアドレスラッチ122、Yアドレスラ
ッチ120に一時的に記憶される。それと同時に、Xアドレスはアドレスデコーダー13
2に入力され、メモリセルアレイ138から読み出し回路136によって、指定したアド
レス、つまり、アドレスデコーダー132に入力されたXアドレスに相当するデータを読
み出し回路136によって読み出される。
はXアドレスラッチ122のデータをそのまま出力する。メモリセルアレイ138より読
み出されたデータが「01」であればセレクタ130は冗長Xアドレス126のアドレス
データを選択する。また、メモリセルアレイ138より読み出されたデータが「10」で
あればセレクタ130は冗長Xアドレス128のアドレスデータを選択する。
行目のアドレスが出力され、10行目のアドレスが入力された場合には冗長メモリ領域1
04の2行目のアドレスが出力され、その他の行のアドレスが入力された場合には、その
ままのアドレスが出力される。
をメモリセルアレイ100に記憶させることができる。本実施の形態で示す半導体記憶装
置は、メモリセルアレイ100に不良メモリセルのアドレス情報を記憶させる必要がない
ので、メモリセルアレイ100が本来備えている記憶容量を減らさないですむという利点
がある。
上記の説明はメモリセルアレイ100でNOR型の不揮発性メモリを構成する場合につ
いての説明であるが、同じ原理を使ってNAND型の不揮発性メモリを構成するメモリセ
ルに適用することもできる。
る半導体記憶装置の構成を示す。NAND型の不揮発性メモリをメモリセルアレイ100
で構成する場合は、列ごとにデータの書き込み及び読み出しが行われるため、X方向に冗
長メモリ領域104が設けられるが、それ以外の構成及び動作は上記のNOR型の半導体
記憶装置と同様である。
メモリセルアレイ100は、不揮発性メモリだけでなく、ダイナミックRAM、スタテ
ィックRAM、強誘電体メモリを構成することができ、いずれも同様に動作させて、メモ
リの冗長化を図ることができる。いずれにしても、メモリセルがマトリクス状に配列され
、主メモリ領域の行アドレス(または列アドレス)を指定して、指定された行アドレス(
または列アドレス)に不良メモリセルが存在する場合に、冗長メモリ領域の行アドレス(
または列アドレス)に置き換えられる構成のメモリセルアレイであれば、図2を参照して
説明するようなメモリコントローラ118を適用することができる。
メモリセルアレイ100は、シリコン半導体を使ったトランジスタで構成する他に、シ
リコン半導体よりも禁制帯幅の広い半導体を使ったトランジスタを用いて構成することが
できる。禁制帯幅の広い半導体を用いることでトランジスタのオフ電流を下げることがで
き、新しい構成のメモリを実現することができる。シリコン半導体よりも禁制帯幅の広い
半導体としては、炭化珪素(SiC)や窒化ガリウム(GaN)などが知られているが、
これらの半導体を使ったデバイスはプロセス温度がシリコン半導体に比べて高いので生産
性に難がある。
V以上、好ましくは3eV以上であり、スパッタリング法や印刷法などの方法で容易に作
製することができ、しかもプロセス温度が低いという利点がある。
コン半導体よりも広い化合物半導体で作製される電界効果トランジスタを組み合わせたメ
モリの基本セルの一例を示す。ここでは、禁制帯幅がシリコン半導体よりも広い酸化物半
導体で作製される電界効果トランジスタを第2トランジスタ144、シリコン半導体によ
り作製されるトランジスタを第1トランジスタ142として説明する。
ンジスタ142のゲート電極が電気的に接続されている。そして、第2トランジスタ14
4のドレイン電極及び第1トランジスタ142のゲート電極はキャパシタ146の一方の
電極とも電気的に接続されている。
例えば金属酸化物等でなる酸化物半導体を含む場合、第2トランジスタのオフ電流を極め
て小さくすることができる。このため、第2トランジスタ144をオフ状態とすることで
、キャパシタ146の電荷の漏出を防止することができる。それにより、第1トランジス
タ142のゲートの電位を長時間保持することができる。
利点を生かすことにより、図4に示す回路を不揮発性メモリとして動作させることができ
る。
タ146が所定の電位になるまで充電する。その後、第2トランジスタ144をオフにし
ても、第2トランジスタ144のオフ電流が極めて低ければキャパシタ146の電位はほ
とんど変動しない。キャパシタ146は第1トランジスタ142のゲート電極とも接続さ
れているが、ゲート電極は半導体と絶縁分離されているので、この部分のリーク電流もほ
とんど無視できる。これにより、図4で示すメモリ回路はデータが書き込まれた状態とな
り、その状態は第2トランジスタ144がオンとならない限り、長期間保持することが可
能となる。
2の導通の有無を判定する。読み出し電圧は、キャパシタ146に所定の書き込み電圧が
充電されている場合の第1トランジスタ142の見かけ上のしきい値電圧と、キャパシタ
146が充電されていない場合(書き込まれていない場合)の第1トランジスタ142の
しきい値電圧との中間の電位である。
ゲート電極に「H」レベル電位が与えられている場合の見かけのしきい値Vth_Hは、
第1トランジスタ142のゲート電極に「L」レベル電位が与えられている場合の見かけ
のしきい値Vth_Lより低くなる。したがって、読み出し電圧をVth_HとVth_
Lの中間の電位V0とすることにより、第1トランジスタ142のオン・オフ状態(端子
a−b間の導通、非導通)を判定することができ、メモリ回路に記憶させたデータを読み
出すことができる。
、第2トランジスタ144をオン状態として、端子eから所定の電位をキャパシタ146
に印加するのみである。その後、第2トランジスタ144をオフ状態とすれば、上記と同
様に所定の書き込み電圧がキャパシタ146に保持される。
された電荷を、十数ボルトの高電圧をトランジスタに印加して引き抜く消去動作が必要と
なるが、図4で示すメモリ回路ではこのような消去動作は不要である。すなわち、キャパ
シタ146に充電された電荷をわざわざ引き抜くような消去動作をしなくても、容易にデ
ータの書き換えを行うことができる。このような特性により、図4で示すメモリ回路では
、2段階(1ビット)の情報を書き込む場合、5V以下、好ましくは3V以下で動作が可
能であり、高速かつ低電圧で、データの書き込み、読み出し、書き換えを行うことができ
る。
第2トランジスタ144のドレイン電極が電気的に接続された構造は、第2トランジスタ
144がオフ状態のときには、電気的に周囲と絶縁分離されるので、フローティングゲー
ト構造と見ることもできる。
44が、2.5eV以上、好ましくは3eV以上の広い禁制帯幅を持つ酸化物半導体で形
成されることにより、第2トランジスタ144のオフ電流がシリコン半導体で形成される
トランジスタの10万分の1以下であることにより実現される。具体的には、酸化物半導
体を用いたトランジスタでは、後述するようにチャネル幅1μm当たりのオフ電流を、室
温で100zA/μm(1×10−19A/μm)以下、例えば10zA(1×10−2
0A)とすることができるからである。例えば、第2トランジスタ144のオフ電流が1
0zA以下であり、キャパシタ146の容量が10fFである場合には、104秒以上の
データ保持が可能である。このような極めて低いオフ電流の値は、通常のシリコン半導体
では実現できない値である。
を有する不揮発性メモリは、高電圧を印加してフローティングゲートに電荷を注入するた
め、トンネル絶縁膜が劣化してしまい、そのために書き換え可能回数に上限がある。これ
に対し、上記のフローティングゲート構造と見なせる構造は、オフ電流が極めて低い第2
トランジスタ144のオン・オフにより電荷の出し入れを容易に行うことができるので、
原理的に劣化がない。
ンジスタを用いることが好ましい。例えば、読み出し用トランジスタとしてスイッチング
速度が1ナノ秒以下のトランジスタを用いるのが好ましい。
シタで構成されるので、単位メモリセル当たりの面積を小さくすることができる。例えば
、1メモリセルあたり6つのトランジスタを必要とするスタティクRAMと比較して、十
分に小さくすることが可能である。
図5は、図4で示すメモリ回路の基本セルをメモリセルとして用いたメモリ回路の一例
を示す。図5は基本セル140を用いてNOR型のメモリ回路を構成した例である。図5
は2×2のメモリセルアレイを示しているが、メモリセルの数はこれに限定されない。メ
モリセルはX方向書き込みデコーダー108、X方向読み出しデコーダー106、Y方向
書き込み回路114、Y方向読み出し回路112によって制御される。
146により構成されている。第2トランジスタ144のドレイン電極は第1トランジス
タ142のゲート電極に電気的に接続され、このドレイン電極及びゲート電極とキャパシ
タ146の一方の電極が電気的に接続されている。
た電荷の有無により書き込み状態、非書き込み状態を判別している。データを書き込む場
合は、X方向書き込みデコーダー108により第2トランジスタ144をオンにして、Y
方向書き込み回路114から書き込み信号を送り、キャパシタ146を充電する。データ
を読み出す場合は、X方向読み出しデコーダー106から読み出し電圧(ゲート電圧)を
第1トランジスタ142に印加して、Y方向読み出し回路112により第1トランジスタ
142の導通を判断する。
しまえばダイナミックRAMと同様になる。しかし、第2トランジスタ144のオフリー
クが極めて小さい場合には、図5で示すメモリを実質的に不揮発性メモリとして機能させ
ることが可能となる。すなわち、基本セル140を用いてNOR型のメモリセルアレイを
構成することで、トランジスタにフローティングゲートを設けずに不揮発性のNOR型メ
モリを実現することができる。
の書き込み及び読み出しの動作は図5のメモリ回路の場合と同様である。NAND型のメ
モリ回路の場合、列ごとにデータの書き込み及び読み出しが行われる点がNOR型のメモ
リ回路と異なっている。この場合も、第2トランジスタ144のオフ電流が小さい。
す。図7は2×2ビットでメモリセルアレイが構成されている場合を例示する。図7に示
すメモリ回路は、キャパシタ146に接続されるワード線W1、W2、第2トランジスタ
144のゲート電極に接続される信号線S1、S2、第2トランジスタ144及び第1ト
ランジスタ142に接続されるビット線BL1、BL2、第1トランジスタ142のソー
ス電極側に接続されるソース線SL1によりマトリクスが構成されている。ソース線SL
1は、隣り合うメモリセルの第1トランジスタ142のソース電極が同じソース線SL1
に接続され、配線の本数を減らすように構成されている。
、S2はX方向読み出しデコーダー106によって制御され、ビット線BL1、BL2は
Y方向読み出し回路112及びY方向書き込み回路114によって制御される。Y方向読
み出し回路112とY方向書き込み回路114が同時にビット線BL1、BL2に信号を
送受信する場合はなく、スイッチSW11、SW12、SW21、SW22によって接続
が制御される。
ルM11に「1」を、メモリセルM21に「0」を書き込む場合には、信号線S1に選択
信号V1を与え、メモリセルM11とM21の第2トランジスタ144をオンにする。こ
のとき信号線S2は0Vの電位を与え、メモリセルM12、M22の第2トランジスタ1
44がオフ状態となるようにする。
を与える(V2は第1トランジスタ142のしきい値電圧より高い電圧とする)。また、
スイッチSW22をオンにしてビット線BL2には「0」の書き込み電圧である0Vを与
える。その結果、メモリセルM11のキャパシタ146はV2に充電され、メモリセルM
21のキャパシタ146は0Vとなる。
SW12、SW22をオフとしてビット線BL1、BL2の電位を変化させる前に、信号
線S1の電位を0Vとしてキャパシタ146の電位変動がないようにする。
タ”1”の場合にはVw1となる。ここで、メモリセルのしきい値とは、第1トランジス
タ142のソース電極とドレイン電極の間の抵抗状態を変化させるために、ワード線W1
、W2に接続される端子に入力する電圧をいうものとする。なお、ここでは、Vw0>0
>Vw1とする。
与える。電位VLはしきい値Vw1より低い電位とする。ワード線W1を電位0Vとする
と、「0」が書き込まれているメモリセルM21の第1トランジスタ142はオフ状態と
なり、「1」が書き込まれているメモリセルM11の第1トランジスタ142はオン状態
となる。ワード線W2を電位VLとすると、メモリセルM12、M22の第1トランジス
タ142はいずれもオフ状態となり、データは読み出されない。
BL1、BL2を有効化する。ソース線SL1の電位は0Vとする。その結果、メモリセ
ルM11は、第1トランジスタ142がオン状態であるため低抵抗状態となり、メモリセ
ルM21は、第1トランジスタ142がオフ状態であるため高抵抗状態となる。ビット線
BL1と、ビット線BL2に接続されるY方向読み出し回路112は、ビット線−ソース
線間の抵抗状態の違いから、データを読み出すことができる。
の電位変動はほとんどなく、書き込まれたデータを長時間保持させることができる。この
ことは、ダイナミックRAMに必要なリフレッシュ動作を不要とするか、あるいはリフレ
ッシュ動作の頻度を極めて低くすることが可能となる。それにより、メモリ回路の動作に
必要な消費電力を少なくすることができる。また、半導体記憶装置の電源を切った場合で
も、長期にわたって記憶内容を保持することが可能となる。
込み、書き換え動作を高速化することができる。また、読み出し動作についても、第1ト
ランジスタ142を動作速度の速いシリコン半導体を用いたトランジスタとすることによ
り、読み出し速度を高速化することができる。
次いで、メモリコントローラ118に適用できるメモリの構成について説明する。不良
メモリセルのアドレスを記憶するメモリセルアレイ138は、データを保持しておく必要
性から不揮発性メモリで構成する。不揮発性メモリとしては、フローティングゲートを備
えたトランジスタで構成されるメモリを適用することができる。具体的にはNOR型、N
AND型の不揮発性メモリである。このような不揮発性メモリはシリコン半導体によるM
OSFETで実現されるので、メモリコントローラの回路の中に作り込むことができる。
路を適用することもできる。これらのメモリ回路は書き込みトランジスタのオフ電流が小
さいことにより、第1トランジスタ142のゲート電極に電圧を印加するキャパシタに電
荷を蓄積することができるので、実質的に不揮発性メモリとして動作させることができる
。これらのメモリ回路は、フローティングゲート型のトランジスタで構成される不揮発性
メモリのように、書き込み及び消去に高電圧を必要としないので、消費電力を小さくする
ことができる。また、ダイナミックRAMのように、キャパシタの電荷を保持するために
短い間隔でリフレッシュ動作をする必要がない。このように、低電圧駆動及び低消費電力
化を図る観点から図5〜図7に示すような不揮発性メモリ回路を適用することは好ましい
。
本実施の形態における半導体記憶装置は、メモリコントローラに冗長機能を発揮させる
ためのメモリを設けたことを特徴の一つとしているが、メモリセルアレイ100とメモリ
セルアレイ138の組み合わせは任意なものとすることができる。
モリコントローラ118のメモリセルアレイ138もシリコン半導体を用いたトランジス
タで構成することが可能である。この場合には、既存の生産ラインを使って製造すること
ができる。
リコントローラ118のメモリセルアレイ138をシリコン半導体よりも禁制帯幅の広い
半導体を用いたトランジスタで構成することが可能である。そうすると、メモリコントロ
ーラ118において、トンネル電流を流してのデータの書き込み及び消去がないので、処
理速度を高めることができる。また、メモリコントローラ118に昇圧回路を設ける必要
がなく、電源線の引き回しを簡略化することができる。
トランジスタで構成し、メモリコントローラ118のメモリセルアレイ138も同様に、
シリコン半導体よりも禁制帯幅の広い半導体を用いたトランジスタで構成することができ
る。この場合、半導体記憶装置の駆動電圧を単一化することができる。すなわち論理回路
の駆動電圧とメモリ回路の動作に必要な電圧が同じであり、昇圧回路を省略することがで
きる。
本発明の一実施形態に係る半導体記憶装置を、シリコン半導体で形成されるトランジス
タと、シリコン半導体よりも禁制帯幅の広い半導体で形成されるトランジスタとを組み合
わせて構成する一例を図8に示す。本例では、シリコン半導体よりも禁制帯幅の広い半導
体材料として酸化物半導体を用いる場合を示す。
A2切断線及びB1−B2切断線に対応する断面図を図8(B)に示す。以下の説明では
この両図を参照して説明する。
コン半導体で形成される第1トランジスタ142及びキャパシタ146が電気的に接続さ
れた構造を示し、等価回路で示せば図4で示す基本セルと同じ接続構造となっている。な
お、上記トランジスタは、いずれもnチャネル型トランジスタであるものとして説明する
が、pチャネル型トランジスタに置き換えることも可能である。
ンジスタである。第1トランジスタ142のゲート電極158は、ゲート絶縁層156に
よって半導体基板150から絶縁されるように設けられている。ゲート電極158の側面
側にはサイドウオール絶縁層160が設けられている。半導体基板150には、ゲート電
極158を挟む領域にソース領域及びドレイン領域を形成する不純物領域152が設けら
れている。不純物領域152の表層部には、ソース領域及びドレイン領域の低抵抗化のた
めにシリサイド層154が設けられていても良い。また、不純物領域152に接するよう
に素子分離絶縁層151が設けられている。
縁層162は窒化シリコンで形成され、絶縁層164は酸化シリコンで形成される。これ
らの絶縁層は、ゲート電極158の頂部が露出するように、上面部が平坦化されている。
導電性材料で形成されるコンタクトプラグ166、168は、絶縁層162または絶縁層
162及び絶縁層164を貫通し、不純物領域152(若しくはシリサイド層154)と
コンタクトするように設けられている。そして、このコンタクトプラグ166、168と
それぞれ接するように配線170、172が、絶縁層162、絶縁層164上に設けられ
ている。なお、第1トランジスタ142は、半導体基板150が単結晶シリコンである場
合の他、SOI(Silicon on Insulator)基板に同様な構造が作り
込まれていても良い。
ジスタ144のドレイン電極174は、第1トランジスタ142のゲート電極158が第
2トランジスタ144に向かって延在した領域で、これに接するように設けられている。
このようなゲート電極158とドレイン電極174とが直接接する構造により、構造が簡
略化されるばかりでなく、コンタクトプラグを絶縁層に埋設する工程が不要となる。
られている。第2トランジスタ144において、ドレイン電極174、ソース電極176
の端部は、酸化物半導体層178の被覆性を確保するためにテーパー形状であることが好
ましい。ここで、テーパー角は、例えば、30°以上60°以下とする。なお、テーパー
角とは、テーパー形状を有する層(例えば、ソース電極176またはドレイン電極174
)を、その断面(基板の表面と直交する面)に垂直な方向から観察した際に、当該層の側
面と底面がなす傾斜角を示す。
化物半導体層178はその間の領域で、絶縁層164と接している。この構造において、
絶縁層164は化学的に安定な酸化シリコンで形成されているので、酸化物半導体層17
8は酸化物を含む絶縁層164との接触によって界面の安定性が保たれる。
ドレイン電極174とソース電極176を重畳するようにゲート電極182が設けられて
いる。
は、十分な酸素が供給されることにより、高純度化されているものであることが望ましい
。具体的には、例えば、酸化物半導体層178の水素濃度は5×1019atoms/c
m3以下、望ましくは5×1018atoms/cm3以下、より望ましくは5×101
7atoms/cm3以下とする。なお、上述の酸化物半導体層178中の水素濃度は、
二次イオン質量分析法(SIMS:Secondary Ion Mass Spect
roscopy)で測定したものである。このように、水素濃度が十分に低減されて高純
度化され、十分な酸素の供給により酸素欠乏に起因するエネルギーギャップ中の欠陥準位
が低減された酸化物半導体層178では、キャリア密度が1×1012/cm3未満、望
ましくは、1×1011/cm3未満、より望ましくは1.45×1010/cm3未満
となる。例えば、室温でのオフ電流(ここでは、単位チャネル幅(1μm)あたりの値)
は100zA/μm以下、望ましくは10zA/μm以下となる。このように、i型化(
真性化)または実質的にi型化された酸化物半導体を用いることで、極めて優れたオフ電
流特性の第2トランジスタ144を得ることができる。
0、および電極184の積層構造を有している。このキャパシタ146の構造は、誘電率
の高い酸化物半導体層178とゲート絶縁層180の積層を誘電体として用いることによ
り、誘電体層の膜厚増加による容量減少を防ぐと共に、キャパシタ146の電極間の短絡
を防止することができる。
186が設けられており、パッシベーション層186上には層間絶縁層188が設けられ
ている。
直接接触させることで第1トランジスタ142と第2トランジスタ144を近接して設け
ることができるので、集積密度を高めることができる。
、第1トランジスタ142は半導体基板150(例えば、シリコンウエハー)に作製され
る絶縁ゲート型電界効果トランジスタ、例えば図8で説明したようなトランジスタであれ
ばよい。トランジスタにスイッチング動作をさせるものであれば、第1トランジスタ14
2のゲート電極、ソース電極及びドレイン電極の微細な構造は公知の様々な構造を適用す
ることができる。
されるように、窒化シリコンを含む絶縁層162及び酸化シリコンを含む絶縁層164が
形成される。そして、ゲート電極158の頂部が露出するように平坦化加工が行われる。
平坦化加工は、化学機械研磨(Chemical Mechanical Polish
ing)により行うことができる。さらに、絶縁層162及び/又は絶縁層164に、不
純物領域152(若しくはシリサイド層154)に達する貫通口を設け、コンタクトプラ
グ166、168を形成する。
ドレイン電極174と離間して設けられるソース電極176を絶縁層162又は絶縁層1
62及び絶縁層164上に形成する。ドレイン電極174及びソース電極176は、チタ
ン、モリブデン、タングステン、タンタルなどの金属、または当該金属の窒化物で形成す
る。ドレイン電極174及びソース電極176の端部はテーパー状に加工されていること
が好ましい。
166、168と接触する配線170、172も形成する。
酸化物半導体層178を形成する。酸化物半導体層178はスパッタリング法、蒸着法な
どで形成する。その他にも、印刷法や塗布法などの湿式法によって酸化物半導体層178
を形成しても良い。酸化物半導体層178は第2トランジスタ、キャパシタを形成するの
に必要な大きさに部分的に形成されていれば良いが、半導体基板150の素子形成面の全
面に形成されていても良い。
O系や、三元系金属酸化物であるIn−Ga−Zn−O系酸化物半導体、In−Sn−Z
n−O系酸化物半導体、In−Al−Zn−O系酸化物半導体、Sn−Ga−Zn−O系
酸化物半導体、Al−Ga−Zn−O系酸化物半導体、Sn−Al−Zn−O系酸化物半
導体や、二元系金属酸化物であるIn−Zn−O系酸化物半導体、Sn−Zn−O系酸化
物半導体、Al−Zn−O系酸化物半導体、Zn−Mg−O系酸化物半導体、Sn−Mg
−O系酸化物半導体、In−Mg−O系酸化物半導体や、In−O系酸化物半導体、Sn
−O系酸化物半導体、Zn−O系酸化物半導体などの酸化物半導体を用いることができる
。
で、Mは、ガリウム(Ga)、アルミニウム(Al)、鉄(Fe)、ニッケル(Ni)、
マンガン(Mn)、コバルト(Co)などから選ばれた一の金属元素または複数の金属元
素を示す。例えば、Mとしては、Ga、GaおよびAl、GaおよびFe、GaおよびN
i、GaおよびMn、GaおよびCoなどを適用することができる。MにGaを用いた、
InGaO3(ZnO)m(m>0)で表記される酸化物半導体は、上記したIn−Ga
−Zn−O系酸化物半導体材料の代表例である。なお、上述の組成は結晶構造から導き出
されるものであり、あくまでも一例に過ぎないことを付記する。
理を行うことが好ましい。酸化物半導体中に含まれる水素の一部はドナーとして振る舞う
ことが指摘されており、その他にも残留するOH基、水分などがあるとトランジスタの信
頼性上好ましくないからである。
酸化シリコンで形成することが好ましく、その他に酸化ハフニウム膜又は酸化シリコン膜
と酸化ハフニウム膜の積層構造で形成することもできる。酸化物半導体層178に水素が
含まれないようにするために、ゲート絶縁層180の形成は水素が極力含まれない雰囲気
下で行われることが好ましい。そのような環境を実現可能な成膜法として、スパッタリン
グ法又は蒸着法を採用することが好ましい。
の熱処理を行うのが望ましい。第2の熱処理を行うことで、トランジスタの電気的特性の
ばらつきを軽減することができる。また、ゲート絶縁層180が酸素を含む場合、酸化物
半導体層178に酸素を供給し、該酸化物半導体層178の酸素欠損を補填して、i型(
真性)またはi型に限りなく近い酸化物半導体層を形成することもできる。
8と重畳する領域にゲート電極182を形成し、ドレイン電極174と重畳する領域に電
極184を形成する。ゲート電極182および電極184は、ゲート絶縁層180上に導
電層を形成した後に、当該導電層を選択的にエッチングすることによって形成することが
できる。
8を形成する。なお、上記層間絶縁層188は、その表面が平坦になるように形成するこ
とが望ましい。表面が平坦になるように層間絶縁層188を形成することで、半導体装置
を微細化した場合などにおいても、層間絶縁層188上に、電極や配線などを好適に形成
することができるためである。なお、層間絶縁層188の平坦化は、CMP(化学機械研
磨)などの方法を用いて行うことができる。
の水素濃度が、5×1019atoms/cm3以下、望ましくは5×1018atom
s/cm3以下、より望ましくは5×1017atoms/cm3以下となる。また、酸
化物半導体層178のキャリア密度は、一般的なシリコンウェハにおけるキャリア密度(
1×1014/cm3程度)と比較して、十分に小さい値(例えば、1×1012/cm
3未満、より好ましくは、1.45×1010/cm3未満)をとる。そして、これによ
り、オフ電流が十分に小さくなる。例えば、第2トランジスタ144の室温でのオフ電流
(ここでは、単位チャネル幅(1μm)あたりの値)は100zA/μm以下、望ましく
は10zA/μm以下となる。
ランジスタ144のオフ電流を十分に低減することができる。そして、このような第2ト
ランジスタ144を用いることで、図4に示すメモリの基本セルは、極めて長期にわたり
記憶内容を保持することが可能となる。
上記で説明したように、高純度化を図った酸化物半導体で形成されたトランジスタのオ
フ電流を評価した結果の一例を図10に示す。
ンジスタのチャネル幅は1mである。ドレイン電圧VDが+1Vまたは+10Vの場合、
ゲート電圧VGが−5Vから−20Vの範囲では、トランジスタのオフ電流は、1×10
−12A未満が観測されている。このオフ電流値を単位チャネル幅当たりに換算したトラ
ンジスタのオフ電流密度は1aA/μm(1×10−18A/μm)未満となる。
フ電流もさらに下げることができることを示唆している。そして、上記したような方法で
オフ電流が低減されたトランジスタを用いて図4で示すようなメモリの基本セルを構成す
れば、キャパシタ146に充電した電荷を長期間保持することが可能であり、実質的に不
揮発性メモリセルとして動作可能である。
図11(A)は、半導体記憶装置を用いたコンピュータの一例を示す。コンピュータは
、筐体200、筐体202、表示部204、キーボード206などによって構成されてい
る。コンピュータには記憶媒体としてフラッシュメモリを用いたものはSSD(Soli
d State Drive)と呼ばれる記憶媒体を備えているが、本実施の形態で説明
する半導体記憶装置によってSSDを実現することができる。
低電圧で動作可能であり、書き込み及び読み出し速度が速いばかりでなく、上記で説明し
たように上書き保存が可能であるので、ハードディスクドライブのように使い勝手が良い
というメリットがある。また、メモリの冗長機能が備えられているので、書き換えや書き
込みのときにトラブルが発生する頻度を下げることができる。
つが重なって、横方向にスライドする構成を有している。筐体210は、表示パネル21
2、スピーカー214、マイクロフォン216、ポインティングデバイス218、カメラ
用レンズ220、外部接続端子222などが備えられている。また、筐体208は、携帯
電話機の充電を行う太陽電池セル224、外部メモリスロット226などを備えられてい
る。また、アンテナは、筐体210に内蔵されている。携帯電話機には、相手先名やその
電話番号などを記録しておく電話帳機能を有する。
を実現することができる。従来のフラッシュメモリでも同様な機能を実現することができ
るが、本実施の形態で示す半導体記憶装置を用いれば、低電圧で動作可能であり、消費電
力を低減することができる。また、メモリの冗長機能が備えられているので、書き換えや
書き込みのときにトラブルが発生する頻度を下げることができる。さらに、本実施の形態
で示す半導体記憶装置は、メール機能や写真撮影機能を実現する場合にも用いることがで
きる。
2つの筐体で構成されている。筐体228および筐体230には、それぞれ電子ペーパー
の表示部232および表示部234が設けられている。筐体228と筐体230は、連結
部236により接続されている。そして、連結部236がある場合、電子書籍を紙媒体の
書籍のように開閉することができる。また、筐体228は、電源238、操作キー240
、スピーカー242などを備えている。
けられている。そのため、情報の書き込みおよび読み出しが高速で、長期間の記憶保持が
可能で、且つ消費電力が十分に低減された電子書籍が実現される。
102 主メモリ領域
104 冗長メモリ領域
106 X方向読み出しデコーダー
108 X方向書き込みデコーダー
110 Y方向読み出しデコーダー
112 Y方向読み出し回路
114 Y方向書き込み回路
116 Y方向書き込みデコーダー
118 メモリコントローラ
120 Yアドレスラッチ
122 Xアドレスラッチ
124 冗長アドレス記憶部
126 冗長Xアドレス
128 冗長Xアドレス
130 セレクタ
132 アドレスデコーダー
134 書き込み回路
136 読み出し回路
138 メモリセルアレイ
140 基本セル
142 第1トランジスタ
144 第2トランジスタ
146 キャパシタ
150 半導体基板
151 素子分離絶縁層
152 不純物領域
154 シリサイド層
156 ゲート絶縁層
158 ゲート電極
160 サイドウオール絶縁層
162 絶縁層
164 絶縁層
166 コンタクトプラグ
168 コンタクトプラグ
170 配線
172 配線
174 ドレイン電極
176 ソース電極
178 酸化物半導体層
180 ゲート絶縁層
182 ゲート電極
184 電極
186 パッシベーション層
188 層間絶縁層
200 筐体
202 筐体
204 表示部
206 キーボード
208 筐体
210 筐体
212 表示パネル
214 スピーカー
216 マイクロフォン
218 ポインティングデバイス
220 カメラ用レンズ
222 外部接続端子
224 太陽電池セル
226 外部メモリスロット
228 筐体
230 筐体
232 表示部
234 表示部
236 連結部
238 電源
240 操作キー
242 スピーカー
Claims (2)
- 第1のメモリセルアレイと、
コントローラと、を有し、
前記コントローラは、第2のメモリセルアレイを有し、
前記第1のメモリセルアレイは、第1の領域と、第2の領域と、を有し、
前記第2のメモリセルアレイは、前記第1の領域の不良メモリセルのアドレス情報を記憶する機能を有し、
前記第2のメモリセルアレイは、第1のトランジスタと、第2のトランジスタと、を有し、
前記第1のトランジスタのゲートは、前記第2のトランジスタのソース又はドレインの一方と電気的に接続され、
前記第1のトランジスタのソース又はドレインの一方は、第1の配線と電気的に接続され、
前記第1のトランジスタのソース又はドレインの他方は、第2の配線と電気的に接続され、
前記第2のトランジスタのソース又はドレインの一方は、キャパシタの一方の電極と電気的に接続され、
前記キャパシタの他方の電極は、第3の配線と電気的に接続され、
前記第2のトランジスタのゲートは、第4の配線と電気的に接続され、
前記第2のトランジスタのソース又はドレインの他方は、第5の配線と電気的に接続され、
前記第1のトランジスタのチャネル形成領域は、シリコン半導体を有し、
前記第2のトランジスタのチャネル形成領域は、酸化物半導体を有し、
前記酸化物半導体は、Inと、Mと、Znと、を有し、
前記Mは、Ga、Al、Fe、Ni、Mn、又はCoから選ばれた一つの元素を示し、
前記酸化物半導体の水素濃度は、5×10 19 atoms/cm 3 以下であることを特徴とする半導体装置。 - 第1のメモリセルアレイと、
コントローラと、を有し、
前記コントローラは、第2のメモリセルアレイを有し、
前記第1のメモリセルアレイは、第1の領域と、第2の領域と、を有し、
前記第2のメモリセルアレイは、前記第1の領域の不良メモリセルのアドレス情報を記憶する機能を有し、
前記第2のメモリセルアレイは、第1のトランジスタと、第2のトランジスタと、を有し、
前記第1のトランジスタのゲートは、前記第2のトランジスタのソース又はドレインの一方と電気的に接続され、
前記第1のトランジスタのソース又はドレインの一方は、第1の配線と電気的に接続され、
前記第1のトランジスタのソース又はドレインの他方は、第2の配線と電気的に接続され、
前記第2のトランジスタのソース又はドレインの一方は、キャパシタの一方の電極と電気的に接続され、
前記キャパシタの他方の電極は、第3の配線と電気的に接続され、
前記第2のトランジスタのゲートは、第4の配線と電気的に接続され、
前記第2のトランジスタのソース又はドレインの他方は、第5の配線と電気的に接続され、
前記第1のトランジスタのチャネル形成領域は、シリコン半導体を有し、
前記第2のトランジスタのチャネル形成領域は、酸化物半導体を有し、
前記酸化物半導体は、Inと、Mと、Znと、を有し、
前記Mは、Ga、Al、Fe、Ni、Mn、又はCoから選ばれた一つの元素を示し、
前記酸化物半導体は、真性化されたものであることを特徴とする半導体装置。
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