DE19843470B4 - Integrierter Speicher mit Selbstreparaturfunktion - Google Patents
Integrierter Speicher mit Selbstreparaturfunktion Download PDFInfo
- Publication number
- DE19843470B4 DE19843470B4 DE19843470A DE19843470A DE19843470B4 DE 19843470 B4 DE19843470 B4 DE 19843470B4 DE 19843470 A DE19843470 A DE 19843470A DE 19843470 A DE19843470 A DE 19843470A DE 19843470 B4 DE19843470 B4 DE 19843470B4
- Authority
- DE
- Germany
- Prior art keywords
- self
- integrated memory
- repair function
- repair
- function
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C29/00—Checking stores for correct operation ; Subsequent repair; Testing stores during standby or offline operation
- G11C29/70—Masking faults in memories by using spares or by reconfiguring
- G11C29/78—Masking faults in memories by using spares or by reconfiguring using programmable devices
- G11C29/835—Masking faults in memories by using spares or by reconfiguring using programmable devices with roll call arrangements for redundant substitutions
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE19843470A DE19843470B4 (de) | 1998-09-22 | 1998-09-22 | Integrierter Speicher mit Selbstreparaturfunktion |
US09/401,388 US6178124B1 (en) | 1998-09-22 | 1999-09-22 | Integrated memory having a self-repair function |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE19843470A DE19843470B4 (de) | 1998-09-22 | 1998-09-22 | Integrierter Speicher mit Selbstreparaturfunktion |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE19843470A1 DE19843470A1 (de) | 2000-03-23 |
DE19843470B4 true DE19843470B4 (de) | 2005-03-10 |
Family
ID=7881862
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE19843470A Expired - Fee Related DE19843470B4 (de) | 1998-09-22 | 1998-09-22 | Integrierter Speicher mit Selbstreparaturfunktion |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US6178124B1 (de) |
DE (1) | DE19843470B4 (de) |
Families Citing this family (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE19836578C2 (de) * | 1998-08-12 | 2000-08-17 | Siemens Ag | Integrierter Speicher mit Interblockredundanz |
DE19921868C2 (de) | 1999-05-11 | 2001-03-15 | Siemens Ag | Schaltungsanordnung zur Kontrolle von Zuständen einer Speichereinrichtung |
US6725403B1 (en) * | 1999-11-02 | 2004-04-20 | Infineon Technologies Richmond, Lp | Efficient redundancy calculation system and method for various types of memory devices |
US6505313B1 (en) * | 1999-12-17 | 2003-01-07 | Lsi Logic Corporation | Multi-condition BISR test mode for memories with redundancy |
DE10005618A1 (de) * | 2000-02-09 | 2001-08-30 | Infineon Technologies Ag | Integrierter Halbleiterspeicher mit redundanter Einheit von Speicherzellen |
DE10063688A1 (de) * | 2000-12-20 | 2002-07-18 | Infineon Technologies Ag | Schaltungsanordnung zur Ansteuerung einer programmierbaren Verbindung |
DE10110469A1 (de) | 2001-03-05 | 2002-09-26 | Infineon Technologies Ag | Integrierter Speicher und Verfahren zum Testen und Reparieren desselben |
JP2004063023A (ja) * | 2002-07-30 | 2004-02-26 | Renesas Technology Corp | 半導体記憶装置 |
US7719872B2 (en) * | 2005-12-28 | 2010-05-18 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Write-once nonvolatile memory with redundancy capability |
WO2011089835A1 (en) * | 2010-01-20 | 2011-07-28 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor memory device |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5313424A (en) * | 1992-03-17 | 1994-05-17 | International Business Machines Corporation | Module level electronic redundancy |
US5428625A (en) * | 1990-06-13 | 1995-06-27 | U.S. Philips Corporation | Method of controlling a self-test in a data processing system and data processing system suitable for this method |
DE19625626A1 (de) * | 1996-06-26 | 1998-01-02 | Siemens Ag | Verfahren zum Betreiben einer Datenspeichereinrichtung, insbesondere einer fehlerhafte Speicherbereiche aufweisenden Datenspeichereinrichtung |
Family Cites Families (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP0797145B1 (de) * | 1996-03-22 | 2002-06-12 | STMicroelectronics S.r.l. | Sektoriziertes elektrisch löschbares und programmierbares nichtflüchtiges Speichergerät mit Redundanz |
KR100250755B1 (ko) * | 1996-12-28 | 2000-05-01 | 김영환 | 플래쉬 메모리 장치 |
-
1998
- 1998-09-22 DE DE19843470A patent/DE19843470B4/de not_active Expired - Fee Related
-
1999
- 1999-09-22 US US09/401,388 patent/US6178124B1/en not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5428625A (en) * | 1990-06-13 | 1995-06-27 | U.S. Philips Corporation | Method of controlling a self-test in a data processing system and data processing system suitable for this method |
US5313424A (en) * | 1992-03-17 | 1994-05-17 | International Business Machines Corporation | Module level electronic redundancy |
DE19625626A1 (de) * | 1996-06-26 | 1998-01-02 | Siemens Ag | Verfahren zum Betreiben einer Datenspeichereinrichtung, insbesondere einer fehlerhafte Speicherbereiche aufweisenden Datenspeichereinrichtung |
Non-Patent Citations (2)
Title |
---|
IEEE Standard Test Access Port and Boundary-Scan Architecture (IEEE Std 1149.1-1990). ISBN: 1-55937-350-4. 1993 * |
TANABE, Akira, TAKESHIMA, Toshio, KOIKE Hiroki [u.a.]: A 30-ns 64-Mb DRAM with Built-in Self-Test and Self-Repair Function. In: IEEE j. solid-state circuits, Nov. 1992, Vol.27, No.11, S.1525-1531 * |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
DE19843470A1 (de) | 2000-03-23 |
US6178124B1 (en) | 2001-01-23 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
DE69810096D1 (de) | Nichtflüchtiger speicher | |
DE69923244D1 (de) | Magnetoresistiven Speicheranordnungen | |
DE19880311T1 (de) | Nichtflüchtige Speicherstruktur | |
DE69936028D1 (de) | Nichtflüchtiger Halbleiterspeicher | |
DE69930129D1 (de) | Mram speicher mit mehreren speicherbanken | |
DE69937259D1 (de) | Nichtflüchtiges Speicherregister | |
DE69932059D1 (de) | Trilineare texturfiltering mit optimiertem speicherzugriff | |
DE59813239D1 (de) | Speicherarchitektur mit Mehrebenenhierarchie | |
DE69830089D1 (de) | Mehrpegelspeicher | |
DE69723182D1 (de) | Ferroelektrischer speicher | |
DE60000400T2 (de) | Speicher mit eingeblendeter Logikschaltung | |
DE59903868D1 (de) | Magnetoresistiver speicher mit erhöhter störsicherheit | |
DE69817955D1 (de) | Assoziativspeicher | |
DE69829092D1 (de) | Festwertspeicher | |
DE69909280D1 (de) | Halbleiterspeicher | |
DE59913423D1 (de) | Speicherzellenanordnung | |
DE60037699D1 (de) | Konfigurierbarer inhaltsadressierbarer Speicher | |
DE59905214D1 (de) | Ferroelektrische speicheranordnung | |
DE69828021D1 (de) | Halbleiterspeicheranordnung mit mehreren Banken | |
DE59913627D1 (de) | Integrierter Speicher | |
DE19843470B4 (de) | Integrierter Speicher mit Selbstreparaturfunktion | |
DE60038133D1 (de) | Nicht-flüchtiger Speicher | |
DE69811059D1 (de) | Optischer speicher | |
DE69812038D1 (de) | Nichtflüchtiger MOS-Speicher | |
DE69906348D1 (de) | Speicher mit vektorzugriff |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
OP8 | Request for examination as to paragraph 44 patent law | ||
8127 | New person/name/address of the applicant |
Owner name: INFINEON TECHNOLOGIES AG, 81669 MUENCHEN, DE |
|
8364 | No opposition during term of opposition | ||
8339 | Ceased/non-payment of the annual fee |