JP5895016B2 - 弾性波装置 - Google Patents
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Description
図1(a)は本発明の実施の形態1における弾性波装置21の断面模式図である。弾性波装置21は、圧電基板22と、圧電基板22の上面22U上に配置されたインタデジタルトランスデューサ(IDT)電極23と、圧電基板22の上面22U上に配置された配線電極24と、圧電基板22の上面22U上に配置された側壁25と、側壁25の上面25U上に設けられた天板電極27と、側壁25と天板電極27とを覆う絶縁体28と、絶縁体28の上面28U上に配置された樹脂層33と、樹脂層33の上面33U上に設けられたインダクタ電極29と、樹脂層33の上面33Uとインダクタ電極29とを覆う絶縁体30と、絶縁体30の上面30U上に配置された端子電極31と、絶縁体28、30と樹脂層33を貫通する接続電極32とを備える。配線電極24はIDT電極23に接続されている。側壁25はIDT電極23の周囲を囲む。天板電極27はIDT電極23上の空間26を覆う。接続電極32は配線電極24とインダクタ電極29と端子電極31とを電気的に接続する。樹脂層33は絶縁体28とインダクタ電極29との間に設けられている。樹脂層33は絶縁体28よりもフィラーの密度が小さい。
図3(a)は本発明の実施の形態2における弾性波装置111の断面模式図である。弾性波装置111は、圧電基板112と、圧電基板112の上面112U上に配置された複数のインタデジタルトランスデューサ(IDT)電極113と、圧電基板112の上面112U上に配置された配線電極114と、圧電基板112の上面112U上に配置された側壁115と、側壁115の上面115U上に設けられた接着層117と、接着層117の上面117U上に設けられた天板電極118と、圧電基板112の上面112U上に設けられた絶縁体119と、絶縁体119の上面119U上に配置されたインダクタ電極120と、絶縁体119の上面119U上に設けられた絶縁体121と、絶縁体121の上面121U上に配置された端子電極122と、絶縁体119を貫通する接続電極123と、絶縁体121を貫通する接続電極124と、絶縁体119を貫通する接続電極125とを備える。配線電極114はIDT電極113に接続されている。側壁115はIDT電極113の周囲を囲む。接着層117はIDT電極113の上に形成された励振空間116を覆う。天板電極118は金属製である。絶縁体119は側壁115と接着層117と天板電極118とを覆う。絶縁体121は絶縁体119とインダクタ電極120とを覆う。接続電極123は配線電極114とインダクタ電極120とを電気的に接続する。接続電極124はインダクタ電極120と端子電極122とを電気的に接続する。接続電極125はインダクタ電極120と天板電極118とを電気的に接続する。側壁115と接着層117と絶縁体119、121とは、励振空間116を封止する絶縁体126を構成する。
図4は本発明の実施の形態3における弾性波装置191の回路図である。図5は弾性波装置191の断面模式図である。図4と図5等の実施の形態3における図面において、図3(a)に示す実施の形態2における弾性波装置111と同じ構成部品は同じ参照番号を付す。
22 圧電基板
23 IDT電極
24 配線電極
25 側壁
26 空間
27 天板電極
28 絶縁体(第1の絶縁体)
28C 樹脂(第1の樹脂)
28D フィラー(第1のフィラー)
29 インダクタ電極
30 絶縁体(第2の絶縁体)
30C 樹脂(第2の樹脂)
30D フィラー(第2のフィラー)
31 端子電極
32 接続電極
33 樹脂層(第1の樹脂層)
34 樹脂層(第2の樹脂層)
111,191 弾性波装置
112 圧電基板
113 IDT電極(第1のIDT電極、第2のIDT電極)
114,114A,114B,114C,114D,114E 配線電極
116 励振空間
118 天板電極
119 絶縁体(第1の絶縁体)
120,120A,120B インダクタ電極
121 絶縁体(第2の絶縁体)
122,122A,122B,122C,122D,122E 端子電極(第1の端子電極、第2の端子電極)
123,123A,123B 接続電極(第1の接続電極)
124,124A,124B 接続電極(第2の接続電極)
125,125B 接続電極(第3の接続電極)
126 絶縁体
127,127A,127B 端部(第1の端部)
128,128A,128B 端部(第2の端部)
129 送信フィルタ
130 受信フィルタ
134 並列腕共振器
170 蓋体
171 封止体
Claims (16)
- 圧電基板と、
前記圧電基板の上面上に設けられたインタデジタルトランスデューサ(IDT)電極と、
前記圧電基板の前記上面上に設けられ、前記IDT電極に接続された配線電極と、
前記圧電基板の前記上面上に設けられて、前記IDT電極と前記配線電極を封止する第1の樹脂層と、
前記第1の樹脂層の中に設けられたインダクタ電極と、
前記第1の樹脂層の中にかつ前記インダクタ電極の表面に接して設けられた第2の樹脂層と、
前記第1の樹脂層の上に設けられた端子電極と、
前記配線電極と前記インダクタ電極、または前記端子電極と前記インダクタ電極とを電気的に接続する接続電極と、
を備え、
前記第1の樹脂層は第1の樹脂と第1のフィラーとを含有し、
前記第2の樹脂層の第2のフィラーの密度は前記第1の樹脂層の前記第1のフィラーの密度よりも小さい、
弾性波装置。 - 前記第2の樹脂層は実質的にフィラーを含有しない請求項1に記載の弾性波装置。
- 前記第1の樹脂層は、前記第1のフィラーを20重量%以上含有する請求項1に記載の弾性波装置。
- 前記第2の樹脂層の厚みを、前記第1の樹脂層に含有される前記第1のフィラーの平均粒径よりも大きくした請求項1に記載の弾性波装置。
- 前記第2の樹脂層は前記インダクタ電極を覆う第3の樹脂層を含み、
前記第3の樹脂層は、前記インダクタ電極周囲に設けられた領域を含み、
前記インダクタ電極周囲に設けられた前記領域における前記第3の樹脂層の第3のフィラーの密度は、前記第1の樹脂層の前記第1のフィラーの密度よりも小さい請求項1から4のいずれか一項に記載の弾性波装置。 - 前記インダクタ電極周囲に設けられた前記領域は実質的にフィラーを含有しない請求項5に記載の弾性波装置。
- 前記第1の樹脂層の中に設けられた天板電極をさらに含み、
前記天板電極は前記IDT電極の上を覆いかつ前記IDT電極の上に励起空間を画定し、
前記天板電極の上面から前記インダクタ電極の下面までの距離は15μm以上である請求項5又は6に記載の弾性波装置。 - 前記接続電極は、
前記第1の樹脂層及び前記第2の樹脂層を貫通しかつ前記配線電極を前記インダクタ電極の第1端に接続する第1の接続電極と、
前記第3の樹脂層を貫通しかつ前記インダクタ電極の第2端を前記端子電極に電気的に接続する第2の接続電極と
を含む請求項7に記載の弾性波装置。 - 前記端子電極の下面から前記インダクタ電極の上面までの距離は10μm以上である請求項8に記載の弾性波装置。
- 前記インダクタ電極は渦巻形状を有し、
前記インダクタ電極の前記第1端は前記渦巻形状の外側に位置し、かつ、前記インダクタ電極の前記第2端は前記渦巻形状の内側に位置する請求項8又は9に記載の弾性波装置。 - 前記インダクタ電極の前記第2端は前記端子電極の直下に設けられる請求項10に記載の弾性波装置。
- 前記インダクタ電極は、前記端子電極の直下に位置し、かつ、上から見たときに前記端子電極の外縁の範囲内の一定を占める請求項10又は11に記載の弾性波装置。
- 前記インダクタ電極の前記第1端は前記配線電極の直上に設けられる請求項10から12のいずれか一項に記載の弾性波装置。
- 前記天板電極を前記インダクタ電極の前記第2端に接続する第3の接続電極をさらに含む請求項13に記載の弾性波装置。
- 前記インダクタ電極は、前記渦巻形状を有する導電材料から形成され、かつ、前記第3の樹脂層における前記第3のフィラーの平均粒径は前記導電材料の最小配線間隔の1/3未満である請求項10から14のいずれか一項に記載の弾性波装置。
- 前記第2の樹脂層は前記第1の樹脂層よりも低い比誘電率を有する請求項1から15のいずれか一項に記載の弾性波装置。
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