JP2001160731A - 弾性表面波装置 - Google Patents
弾性表面波装置Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 ＳＡＷ装置の小型軽量化、薄型化が可能であ
り、且つ、従来のワイヤ接続法でのＳＡＷ装置と遜色の
ない電気特性が得られるＳＡＷ装置を提供すること。 【解決手段】 複数の接地用導体パターン６，７及び複
数の信号用導体パターン４が形成された基体５上に弾性
表面波素子１を実装して成る弾性表面波装置Ｓ１であっ
て、信号用導体パターン４は、所定距離を隔てた２つの
接地用導体パターン６，７の間に配設されているととも
に、２つの接地用導体パターン６，７間をインダクタ９
で接続させた弾性表面波装置Ｓ１とする。
り、且つ、従来のワイヤ接続法でのＳＡＷ装置と遜色の
ない電気特性が得られるＳＡＷ装置を提供すること。 【解決手段】 複数の接地用導体パターン６，７及び複
数の信号用導体パターン４が形成された基体５上に弾性
表面波素子１を実装して成る弾性表面波装置Ｓ１であっ
て、信号用導体パターン４は、所定距離を隔てた２つの
接地用導体パターン６，７の間に配設されているととも
に、２つの接地用導体パターン６，７間をインダクタ９
で接続させた弾性表面波装置Ｓ１とする。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、携帯電話及び自動
車電話等の移動体無線機器に内蔵される共振器及び周波
数帯域フィルタ用の弾性表面波装置に関する。
車電話等の移動体無線機器に内蔵される共振器及び周波
数帯域フィルタ用の弾性表面波装置に関する。
【０００２】
【従来技術とその課題】従来の弾性表面波（Surface Ac
oustic Wave 、以下ＳＡＷと略す）装置Ｊ１，Ｊ２の断
面図のそれぞれを図９，１０に示す。
oustic Wave 、以下ＳＡＷと略す）装置Ｊ１，Ｊ２の断
面図のそれぞれを図９，１０に示す。
【０００３】図９のＳＡＷ装置Ｊ１において、２４は圧
電基板Ｐ上に形成された櫛歯状電極のＩＤＴ（Inter Di
gital Transducer）電極、２１は圧電基板ＰにＩＤＴ電
極２４を配したＳＡＷ素子、２２はＳＡＷ素子２１の入
出力電極パッド、２５はセラミックスや樹脂等の絶縁性
材料からなるパッケージ基体、２３はパッケージ基体２
５の内面に形成され、外部の駆動回路，共振回路，接地
回路等に電気的に接続される導体パターン、２６はセラ
ミックス，金属（コバール，４２合金，Ａｌ，Ｃｕ）等
からなる蓋体である。また、２７は電極パッド２２，２
３を接続するワイヤである。同図の構成では、パッケー
ジ基体２５の内部にＳＡＷ素子２１を接着剤により載置
固定し、電極パッド２２と導体パターン２３をＡｌやＡ
ｕ等のワイヤ２７により電気的に接続し、さらに蓋体２
６を半田，接着剤等により基体２５上から接着して気密
を保持していた。
電基板Ｐ上に形成された櫛歯状電極のＩＤＴ（Inter Di
gital Transducer）電極、２１は圧電基板ＰにＩＤＴ電
極２４を配したＳＡＷ素子、２２はＳＡＷ素子２１の入
出力電極パッド、２５はセラミックスや樹脂等の絶縁性
材料からなるパッケージ基体、２３はパッケージ基体２
５の内面に形成され、外部の駆動回路，共振回路，接地
回路等に電気的に接続される導体パターン、２６はセラ
ミックス，金属（コバール，４２合金，Ａｌ，Ｃｕ）等
からなる蓋体である。また、２７は電極パッド２２，２
３を接続するワイヤである。同図の構成では、パッケー
ジ基体２５の内部にＳＡＷ素子２１を接着剤により載置
固定し、電極パッド２２と導体パターン２３をＡｌやＡ
ｕ等のワイヤ２７により電気的に接続し、さらに蓋体２
６を半田，接着剤等により基体２５上から接着して気密
を保持していた。
【０００４】図１０のＳＡＷ装置Ｊ２において、３６は
圧電基板Ｐ上に形成されたＩＤＴ電極、３１は圧電基板
ＰにＩＤＴ電極３６を配したＳＡＷ素子、３２はＳＡＷ
素子３１の入出力電極パッド、３５はセラミックス、樹
脂等の絶縁性材料からなるパッケージ基体、３４はパッ
ケージ基体３５の内面に形成され、外部の駆動回路，共
振回路，接地回路等に接続される導体パターン、３３は
電極パッド３２と導体パターン３４を電気的に接続する
バンプ等の接続体、３７はセラミックス，金属（コバー
ル，４２合金，Ａｌ，Ｃｕ）等からなる蓋体である。こ
のように、ＳＡＷ装置Ｊ２はＩＤＴ電極３６が設けられ
た機能面が基板３５に対面したフェースダウン構成であ
る。
圧電基板Ｐ上に形成されたＩＤＴ電極、３１は圧電基板
ＰにＩＤＴ電極３６を配したＳＡＷ素子、３２はＳＡＷ
素子３１の入出力電極パッド、３５はセラミックス、樹
脂等の絶縁性材料からなるパッケージ基体、３４はパッ
ケージ基体３５の内面に形成され、外部の駆動回路，共
振回路，接地回路等に接続される導体パターン、３３は
電極パッド３２と導体パターン３４を電気的に接続する
バンプ等の接続体、３７はセラミックス，金属（コバー
ル，４２合金，Ａｌ，Ｃｕ）等からなる蓋体である。こ
のように、ＳＡＷ装置Ｊ２はＩＤＴ電極３６が設けられ
た機能面が基板３５に対面したフェースダウン構成であ
る。
【０００５】ここで、接続体３３はＡｕ，Ａｌ等の金属
のワイヤをボールボンディング法によりバンプとなるよ
う形成するか、Ａｕ，はんだ等からなるバンプを蒸着
法，印刷法，転写法，無電解メッキ法又は電解メッキ法
等により、電極パッド３２上に形成して得られる。そし
て、接続体３３を設けた圧電基板Ｐを、接続体３３と導
体パターン３４とを位置合わせして、導電性接着剤の塗
布やはんだのリフロー溶融法により接続し、パッケージ
基体３５上に固定する。
のワイヤをボールボンディング法によりバンプとなるよ
う形成するか、Ａｕ，はんだ等からなるバンプを蒸着
法，印刷法，転写法，無電解メッキ法又は電解メッキ法
等により、電極パッド３２上に形成して得られる。そし
て、接続体３３を設けた圧電基板Ｐを、接続体３３と導
体パターン３４とを位置合わせして、導電性接着剤の塗
布やはんだのリフロー溶融法により接続し、パッケージ
基体３５上に固定する。
【０００６】ＳＡＷ装置Ｊ１では、ワイヤ２７によるイ
ンダクタンス成分が電気特性に寄与し、通過帯域の拡張
され且つ定在波比が小さい特性であった。しかしなが
ら、ワイヤ２７を使用しているため、ワイヤ２７が素子
上に存在する空間とワイヤと蓋との空間の体積が大きく
なり、小型軽量化、薄型化に不利であるという問題点が
あった。
ンダクタンス成分が電気特性に寄与し、通過帯域の拡張
され且つ定在波比が小さい特性であった。しかしなが
ら、ワイヤ２７を使用しているため、ワイヤ２７が素子
上に存在する空間とワイヤと蓋との空間の体積が大きく
なり、小型軽量化、薄型化に不利であるという問題点が
あった。
【０００７】また、ＳＡＷ装置Ｊ２においては、フリッ
プチップ実装技術にてＳＡＷ素子と基体を接続している
ため、小型軽量化、薄型化には有利であるが、電気特性
は前記従来例Ｊ１には劣った特性を呈していた。
プチップ実装技術にてＳＡＷ素子と基体を接続している
ため、小型軽量化、薄型化には有利であるが、電気特性
は前記従来例Ｊ１には劣った特性を呈していた。
【０００８】ＳＡＷ装置Ｊ１とＪ２の電気特性差異は、
ワイヤ接続やフリップチップ実装といった実装形態によ
る電気回路網が少なからず起因している。
ワイヤ接続やフリップチップ実装といった実装形態によ
る電気回路網が少なからず起因している。
【０００９】そこで、本発明は上記の事情に鑑みて完成
されたものであり、その目的はＳＡＷ装置の小型軽量化
や薄型化が可能であり、且つ、従来のワイヤ接続法での
ＳＡＷ装置と遜色のない電気特性が得られるＳＡＷ装置
を提供することにある。
されたものであり、その目的はＳＡＷ装置の小型軽量化
や薄型化が可能であり、且つ、従来のワイヤ接続法での
ＳＡＷ装置と遜色のない電気特性が得られるＳＡＷ装置
を提供することにある。
【００１０】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明の弾性表面波装置は、複数の接地用導体パタ
ーン及び複数の信号用導体パターンが形成された基体上
に弾性表面波素子を実装して成るものであり、信号用導
体パターンは、所定距離を隔てた２つの接地用導体パタ
ーンの間に配設されているとともに、２つの接地用導体
パターン間をインダクタで接続させたことを特徴とす
る。また、弾性表面波素子が基体上にフリップチップ方
式で実装されていることを特徴とする。
に、本発明の弾性表面波装置は、複数の接地用導体パタ
ーン及び複数の信号用導体パターンが形成された基体上
に弾性表面波素子を実装して成るものであり、信号用導
体パターンは、所定距離を隔てた２つの接地用導体パタ
ーンの間に配設されているとともに、２つの接地用導体
パターン間をインダクタで接続させたことを特徴とす
る。また、弾性表面波素子が基体上にフリップチップ方
式で実装されていることを特徴とする。
【００１１】
【発明の実施の形態】本発明に係わるＳＡＷ装置の実施
形態について、図面に基づき詳細に説明する。
形態について、図面に基づき詳細に説明する。
【００１２】図１はＳＡＷ装置Ｓ１の斜視透視図、図２
（ａ）はＳＡＷ装置Ｓ１の上面透視図、図２（ｂ）は図
２（ａ）におけるＡ−Ａ´線切断図、図２（ｃ）はＳＡ
Ｗ装置Ｓ１の下面図である。尚、図１及び図２におい
て、同様な部材には同一の符号を付す。
（ａ）はＳＡＷ装置Ｓ１の上面透視図、図２（ｂ）は図
２（ａ）におけるＡ−Ａ´線切断図、図２（ｃ）はＳＡ
Ｗ装置Ｓ１の下面図である。尚、図１及び図２におい
て、同様な部材には同一の符号を付す。
【００１３】図１において、２は励振電極であるＩＤＴ
電極、１は圧電基板Ｐの下面にＩＤＴ電極２を配したＳ
ＡＷ素子、５はセラミックス，樹脂等からなる絶縁性基
板の基体、８ａは圧電基板Ｐの下面に形成されＩＤＴ電
極に接続される接地用電極パッド、８ｂは同様にＩＤＴ
電極に接続される信号用電極パッド、６は基体５上に形
成され基体５の下面に形成された接地電極パッド４１に
貫通導体１８で接続されている接地用導体パターン、７
はＳＡＷ素子１側に接続される接地用導体パターン、４
は基体５上に形成され基体５の下面に形成された信号電
極パッド４２に貫通導体１８で接続されている信号用導
体パターン、３はＳＡＷ素子１と基体５を電気接続させ
るバンプ等であり、接地用電極パッド８ａと接地用導体
パターン７，信号用電極パッド８ｂと信号用導体パター
ン４とを接続させる接続体、９は接地用導体パターンど
うし（間）を接続させるワイヤ（インダクタ）、１０は
基体５及びＳＡＷ素子１を覆う絶縁性樹脂等の保護体、
１１はＩＤＴ電極２の振動空間である。
電極、１は圧電基板Ｐの下面にＩＤＴ電極２を配したＳ
ＡＷ素子、５はセラミックス，樹脂等からなる絶縁性基
板の基体、８ａは圧電基板Ｐの下面に形成されＩＤＴ電
極に接続される接地用電極パッド、８ｂは同様にＩＤＴ
電極に接続される信号用電極パッド、６は基体５上に形
成され基体５の下面に形成された接地電極パッド４１に
貫通導体１８で接続されている接地用導体パターン、７
はＳＡＷ素子１側に接続される接地用導体パターン、４
は基体５上に形成され基体５の下面に形成された信号電
極パッド４２に貫通導体１８で接続されている信号用導
体パターン、３はＳＡＷ素子１と基体５を電気接続させ
るバンプ等であり、接地用電極パッド８ａと接地用導体
パターン７，信号用電極パッド８ｂと信号用導体パター
ン４とを接続させる接続体、９は接地用導体パターンど
うし（間）を接続させるワイヤ（インダクタ）、１０は
基体５及びＳＡＷ素子１を覆う絶縁性樹脂等の保護体、
１１はＩＤＴ電極２の振動空間である。
【００１４】このように、ＳＡＷ装置Ｓ１は、複数の接
地用導体パターン６，７及び複数の信号用導体パターン
４が形成された基体５上に弾性表面波素子１を実装して
成り、信号用導体パターン４は、所定距離を隔てた２つ
の接地用導体パターン６，７の間に配設されているとと
もに、２つの接地用導体パターン６，７間をインダクタ
であるワイヤ９で接続させている。さらに、ＳＡＷ素子
１が基体５上にフリップチップ方式で実装されている。
地用導体パターン６，７及び複数の信号用導体パターン
４が形成された基体５上に弾性表面波素子１を実装して
成り、信号用導体パターン４は、所定距離を隔てた２つ
の接地用導体パターン６，７の間に配設されているとと
もに、２つの接地用導体パターン６，７間をインダクタ
であるワイヤ９で接続させている。さらに、ＳＡＷ素子
１が基体５上にフリップチップ方式で実装されている。
【００１５】ここで、ＳＡＷ素子１は、圧電基板Ｐ上に
互いに噛み合うように形成された少なくとも一対の櫛歯
状電極のＩＤＴ電極２を設けているが、このＩＤＴ電極
２は、所望の特性を得るために、複数対の櫛歯状電極を
直列接続，並列接続，ラダー接続，格子接続，従続接続
等の各種の方式で接続して構成するものとする。なお、
ＳＡＷ素子１用の圧電基板Ｐとしては、３６°Ｙカット
−Ｘ伝搬のＬｉＴａＯ3 単結晶、６４°Ｙカット−Ｘ伝
搬のＬｉＮｂＯ3 単結晶、４５°Ｘカット−Ｚ伝搬のＬ
ｉＢ4 Ｏ7 単結晶は電気機械結合係数が大きく且つ群遅
延時間温度係数が小さいため好ましい。また、圧電基板
Ｐの厚みは０．１〜０．５mm程度がよく、０．１ｍｍ未
満では圧電基板が脆くなり、０．５ｍｍ超では材料コス
トが大きくなる。
互いに噛み合うように形成された少なくとも一対の櫛歯
状電極のＩＤＴ電極２を設けているが、このＩＤＴ電極
２は、所望の特性を得るために、複数対の櫛歯状電極を
直列接続，並列接続，ラダー接続，格子接続，従続接続
等の各種の方式で接続して構成するものとする。なお、
ＳＡＷ素子１用の圧電基板Ｐとしては、３６°Ｙカット
−Ｘ伝搬のＬｉＴａＯ3 単結晶、６４°Ｙカット−Ｘ伝
搬のＬｉＮｂＯ3 単結晶、４５°Ｘカット−Ｚ伝搬のＬ
ｉＢ4 Ｏ7 単結晶は電気機械結合係数が大きく且つ群遅
延時間温度係数が小さいため好ましい。また、圧電基板
Ｐの厚みは０．１〜０．５mm程度がよく、０．１ｍｍ未
満では圧電基板が脆くなり、０．５ｍｍ超では材料コス
トが大きくなる。
【００１６】また、ＩＤＴ電極２は蒸着法，スパッタリ
ング法又はＣＶＤ法等の薄膜形成法により形成し、フォ
トリソグラフィ法により微細電極を作製する。ＩＤＴ電
極２の対数は５０〜２００程度、電極指の幅は０．１〜
１０．０μｍ程度、電極指の間隔は０．１〜１０．０μ
ｍ程度、電極指の交差幅は１０〜８０μｍ程度、ＩＤＴ
電極２の厚みは０．２〜０．４μｍ程度とすることが、
共振器あるいはフィルタとしての所期の特性を得るうえ
で好適である。また、ＩＤＴ電極２のＳＡＷ伝搬路の両
端に、ＳＡＷを反射し効率よく共振させるための反射器
を設けてもよく、さらには、電極指間にＺｎＯ、Ａｌ2
Ｏ3 等の圧電材料を成膜すれば、ＳＡＷの共振効率が向
上し好適である。
ング法又はＣＶＤ法等の薄膜形成法により形成し、フォ
トリソグラフィ法により微細電極を作製する。ＩＤＴ電
極２の対数は５０〜２００程度、電極指の幅は０．１〜
１０．０μｍ程度、電極指の間隔は０．１〜１０．０μ
ｍ程度、電極指の交差幅は１０〜８０μｍ程度、ＩＤＴ
電極２の厚みは０．２〜０．４μｍ程度とすることが、
共振器あるいはフィルタとしての所期の特性を得るうえ
で好適である。また、ＩＤＴ電極２のＳＡＷ伝搬路の両
端に、ＳＡＷを反射し効率よく共振させるための反射器
を設けてもよく、さらには、電極指間にＺｎＯ、Ａｌ2
Ｏ3 等の圧電材料を成膜すれば、ＳＡＷの共振効率が向
上し好適である。
【００１７】基体５は、例えばセラミックス基板そのも
のやセラミックス，エポキシ樹脂，シリコン樹脂，また
はポリイミド樹脂等を積層することによって作製する
か、上記各種の樹脂やガラス等の基板の一主面を、エッ
チング法，フォトリソグラフィ法とエッチング法、機械
的研削法又はレーザー加工法等により加工し導体パター
ン等を形成して容易に作製が可能である。なお、この作
製において、図２（ａ）の接地用導体パターン６は、図
２（ｃ）の基体５下面の接地電極パッド４１と貫通導体
１８にて接続されているが、接地用導体パターン７は基
体５下面の電極パッドとは接続しないようにしている。
のやセラミックス，エポキシ樹脂，シリコン樹脂，また
はポリイミド樹脂等を積層することによって作製する
か、上記各種の樹脂やガラス等の基板の一主面を、エッ
チング法，フォトリソグラフィ法とエッチング法、機械
的研削法又はレーザー加工法等により加工し導体パター
ン等を形成して容易に作製が可能である。なお、この作
製において、図２（ａ）の接地用導体パターン６は、図
２（ｃ）の基体５下面の接地電極パッド４１と貫通導体
１８にて接続されているが、接地用導体パターン７は基
体５下面の電極パッドとは接続しないようにしている。
【００１８】また、接続体３は、Ａｕ，Ａｌ等の金属の
ワイヤをボールボンディング法によりバンプとなるよう
に形成するか、Ａｕ，はんだ等からなるバンプを蒸着
法，印刷法，転写法，無電解めっき法又は電解めっき法
により形成する、もしくは異方性導電膜を導電パターン
上に形成するようにしてもよい。
ワイヤをボールボンディング法によりバンプとなるよう
に形成するか、Ａｕ，はんだ等からなるバンプを蒸着
法，印刷法，転写法，無電解めっき法又は電解めっき法
により形成する、もしくは異方性導電膜を導電パターン
上に形成するようにしてもよい。
【００１９】ＳＡＷ素子１の電極パッドと基体５の導体
パターンとを、接続体３を介して各種の接合方法（導電
性接着剤や半田を用いた接合法、超音波併用熱圧着法
等）により電気的に導通させるように接続し、ＳＡＷ素
子１を基体５に固定する。なお、電気的な接続体３は、
必ずしも基体上の導体パターン４，６，７上に形成しな
くともよく、ＳＡＷ素子１の接続パッド８側に設けて接
合するようにしてもよい。
パターンとを、接続体３を介して各種の接合方法（導電
性接着剤や半田を用いた接合法、超音波併用熱圧着法
等）により電気的に導通させるように接続し、ＳＡＷ素
子１を基体５に固定する。なお、電気的な接続体３は、
必ずしも基体上の導体パターン４，６，７上に形成しな
くともよく、ＳＡＷ素子１の接続パッド８側に設けて接
合するようにしてもよい。
【００２０】ＳＡＷ素子１を基体５上に載置させた後も
しくは前に、基体５上に設けた一方の接地用導体パター
ン６と他方の接地用導体パターン間に信号電極パッド４
を通り越すようにして、Ａｕ材もしくはＡｌ材のワイヤ
９で接続させる。
しくは前に、基体５上に設けた一方の接地用導体パター
ン６と他方の接地用導体パターン間に信号電極パッド４
を通り越すようにして、Ａｕ材もしくはＡｌ材のワイヤ
９で接続させる。
【００２１】そして、ＳＡＷ素子１が載置された基体５
に耐候性向上のため絶縁性樹脂等の保護体１０を塗布す
ることにより接着固定され、ＳＡＷ装置Ｓ１が完成す
る。なお、保護体１０の材料としては、熱硬化性のエポ
キシ樹脂，シリコーン樹脂，フェノール樹脂，ポリイミ
ド樹脂，ポリウレタン樹脂，低融点ガラス，熱可塑性ポ
リフェニレンサルファイド等が用いられるが、特にこれ
らの材料を２種組み合わせて用いた方が好ましい。つま
り、内部に載置したＳＡＷ素子への応力緩和のためポリ
ウレタン樹脂を内皮に用い、接着性，低吸湿性，電気絶
縁性，機械的強度，耐薬品性，耐熱性の点で好ましいエ
ポキシ樹脂を外皮に用いることが望ましい。
に耐候性向上のため絶縁性樹脂等の保護体１０を塗布す
ることにより接着固定され、ＳＡＷ装置Ｓ１が完成す
る。なお、保護体１０の材料としては、熱硬化性のエポ
キシ樹脂，シリコーン樹脂，フェノール樹脂，ポリイミ
ド樹脂，ポリウレタン樹脂，低融点ガラス，熱可塑性ポ
リフェニレンサルファイド等が用いられるが、特にこれ
らの材料を２種組み合わせて用いた方が好ましい。つま
り、内部に載置したＳＡＷ素子への応力緩和のためポリ
ウレタン樹脂を内皮に用い、接着性，低吸湿性，電気絶
縁性，機械的強度，耐薬品性，耐熱性の点で好ましいエ
ポキシ樹脂を外皮に用いることが望ましい。
【００２２】次に、本発明の作用について図５に示す回
路図を用いて説明する。ＳＡＷ装置Ｓ１にはＳＡＷ素子
１、ワイヤによるインダクタンス１２、接地電極１３、
入出力電極（信号用電極）１４，１５、ＳＡＷが励振さ
れる共振子１６、及び基体５に形成した接地用導体パタ
ーン６，７間のワイヤ９と信号用導体パターン４とで形
成された擬似同軸構造１７が回路構成されている。
路図を用いて説明する。ＳＡＷ装置Ｓ１にはＳＡＷ素子
１、ワイヤによるインダクタンス１２、接地電極１３、
入出力電極（信号用電極）１４，１５、ＳＡＷが励振さ
れる共振子１６、及び基体５に形成した接地用導体パタ
ーン６，７間のワイヤ９と信号用導体パターン４とで形
成された擬似同軸構造１７が回路構成されている。
【００２３】ここで、並列に接続された共振子の共振点
の周波数は、ＩＤＴ電極で発生する容量とインダクタン
ス量で決定されるが、もしここにワイヤなどのインダク
タンスが直列にあれば、この共振点が低周波側に移動す
る。そのため、図５に示すような回路構成により、共振
子の共振点が低周波側に移動するため、ＳＡＷ装置Ｓ１
の通過帯域が拡大することが可能である。また、ＳＡＷ
装置Ｓ１の電気特性は、ワイヤ９のインダクタンスによ
るところが大きいため、インダクタンスの調整は、接地
用導体パターン６，７間の距離やワイヤの径，高さ，打
ち方で行うことが望ましい。なお、図５において接地電
極１３へのインダクタ配置を示したが、入出力電極１
４，１５へのインダクタンス配置を行っても構わない。
の周波数は、ＩＤＴ電極で発生する容量とインダクタン
ス量で決定されるが、もしここにワイヤなどのインダク
タンスが直列にあれば、この共振点が低周波側に移動す
る。そのため、図５に示すような回路構成により、共振
子の共振点が低周波側に移動するため、ＳＡＷ装置Ｓ１
の通過帯域が拡大することが可能である。また、ＳＡＷ
装置Ｓ１の電気特性は、ワイヤ９のインダクタンスによ
るところが大きいため、インダクタンスの調整は、接地
用導体パターン６，７間の距離やワイヤの径，高さ，打
ち方で行うことが望ましい。なお、図５において接地電
極１３へのインダクタ配置を示したが、入出力電極１
４，１５へのインダクタンス配置を行っても構わない。
【００２４】また、図中の擬似同軸構造１７の働きは、
ＳＡＷ装置Ｓ１で通過させる周波数の信号波が伝搬する
伝送路が公称５０Ωに近いインピーダンスのとき、ＳＡ
Ｗ装置Ｓ１に与えるワイヤ等のインダクタンスの効力を
発揮させ、帯域外の周波数の信号波が伝搬する伝送路で
はインピーダンスが公称５０Ωより大きく異なるのでイ
ンダクタンスの効力を相殺させる。これにより、従来構
造に比較してインダクタンス成分を大きく取り込めるた
め通過帯域の拡大化が可能となる。
ＳＡＷ装置Ｓ１で通過させる周波数の信号波が伝搬する
伝送路が公称５０Ωに近いインピーダンスのとき、ＳＡ
Ｗ装置Ｓ１に与えるワイヤ等のインダクタンスの効力を
発揮させ、帯域外の周波数の信号波が伝搬する伝送路で
はインピーダンスが公称５０Ωより大きく異なるのでイ
ンダクタンスの効力を相殺させる。これにより、従来構
造に比較してインダクタンス成分を大きく取り込めるた
め通過帯域の拡大化が可能となる。
【００２５】かくして、本発明は薄型化及び小型軽量化
が可能な構造であり、従来のＳＡＷ装置の電気特性に比
べ遜色のない電気特性が得られる効果を有する。
が可能な構造であり、従来のＳＡＷ装置の電気特性に比
べ遜色のない電気特性が得られる効果を有する。
【００２６】次に、本発明の他の実施形態について図３
に基づいて説明する。図３（ａ）に基体の上面透視図、
図３（ｂ）に（ａ）におけるＢ−Ｂ´線断面図を示す。
図示されているように、基体５中に積層されたミアンダ
状（もしくは蛇行状）配線パターン９′によりインダク
タを形成しても、上記実施形態と同様な効果を期待する
ことができる。このミアンダ状配線パターン９′を基体
５中に形成することによりインダクタとすることで、よ
り低背化を実現させることができる。また、ミアンダ状
配線パターンを基体５の作製と同時に行う際に、大量に
作製可能な導体印刷技術の利用ができ、しかもワイヤ配
線を行う場合より、品質の安定した簡便な工程とするこ
とができる。なお、本発明は上記の実施形態に限定され
るものではなく、例えば、基体はパッケージ基体等に限
定されるものではなく、ＳＡＷ素子を回路基板等に直接
実装する場合には、回路基板そのものを基体とみなして
もよく、本発明の要旨を逸脱しない範囲内で種々の変更
は何等差し支えない。
に基づいて説明する。図３（ａ）に基体の上面透視図、
図３（ｂ）に（ａ）におけるＢ−Ｂ´線断面図を示す。
図示されているように、基体５中に積層されたミアンダ
状（もしくは蛇行状）配線パターン９′によりインダク
タを形成しても、上記実施形態と同様な効果を期待する
ことができる。このミアンダ状配線パターン９′を基体
５中に形成することによりインダクタとすることで、よ
り低背化を実現させることができる。また、ミアンダ状
配線パターンを基体５の作製と同時に行う際に、大量に
作製可能な導体印刷技術の利用ができ、しかもワイヤ配
線を行う場合より、品質の安定した簡便な工程とするこ
とができる。なお、本発明は上記の実施形態に限定され
るものではなく、例えば、基体はパッケージ基体等に限
定されるものではなく、ＳＡＷ素子を回路基板等に直接
実装する場合には、回路基板そのものを基体とみなして
もよく、本発明の要旨を逸脱しない範囲内で種々の変更
は何等差し支えない。
【００２７】
【実施例】以下に、図１に示すＳＡＷ装置のより具体的
な実施例について説明する。
な実施例について説明する。
【００２８】本実施例では、ＳＡＷ素子１用の圧電基板
Ｐとして４２°Ｙカット−Ｘ伝搬のＬｉＴａＯ3 単結晶
を用い、そのチップサイズは、０．６ｍｍ×０．８ｍｍ
とした。また、基体５として大きさ３．０ｍｍ×３．０
ｍｍ、高さ０．５m ｍのアルミナ製セラミックス基板を
使用した。導体パターン４，６，７を合計１μｍ膜厚の
Ａｕ及びＮｉを無電解めっきにて形成した。接続体３
は、Ａｕのワイヤーをボールボンディング法によりバン
プとなるように導体パターン４上に形成した。その場合
のバンプ径は７０μｍ、高さは５０μｍとした。
Ｐとして４２°Ｙカット−Ｘ伝搬のＬｉＴａＯ3 単結晶
を用い、そのチップサイズは、０．６ｍｍ×０．８ｍｍ
とした。また、基体５として大きさ３．０ｍｍ×３．０
ｍｍ、高さ０．５m ｍのアルミナ製セラミックス基板を
使用した。導体パターン４，６，７を合計１μｍ膜厚の
Ａｕ及びＮｉを無電解めっきにて形成した。接続体３
は、Ａｕのワイヤーをボールボンディング法によりバン
プとなるように導体パターン４上に形成した。その場合
のバンプ径は７０μｍ、高さは５０μｍとした。
【００２９】また、電極パッド６，７の間隔を１ｍｍと
し、その間をＡｕ材のワイヤにて高さ３００μｍで接続
した。
し、その間をＡｕ材のワイヤにて高さ３００μｍで接続
した。
【００３０】接続体３とＳＡＷ素子１の導体パターン８
との接続は、Ａｇを含む熱硬化性のエポキシ系導電性接
着剤をバンプ３に転写塗布し、ＳＡＷ素子１と絶縁性基
板７を窒素雰囲気中１００℃で加熱接着した。最後に、
内皮樹脂にはポリウレタン樹脂を用いて樹脂を滴下し、
１５０℃で加熱膨張、固化させ、外皮樹脂にはエポキシ
樹脂を滴下し、１５０℃で加熱皮膜した。
との接続は、Ａｇを含む熱硬化性のエポキシ系導電性接
着剤をバンプ３に転写塗布し、ＳＡＷ素子１と絶縁性基
板７を窒素雰囲気中１００℃で加熱接着した。最後に、
内皮樹脂にはポリウレタン樹脂を用いて樹脂を滴下し、
１５０℃で加熱膨張、固化させ、外皮樹脂にはエポキシ
樹脂を滴下し、１５０℃で加熱皮膜した。
【００３１】このような工程で作製したＳＡＷ装置の高
さは１ｍｍであった。以上のように、ワイヤ横方向の空
間及びワイヤ高さ方向のサイズを縮小でき、小型化・薄
型化を図ることができた。
さは１ｍｍであった。以上のように、ワイヤ横方向の空
間及びワイヤ高さ方向のサイズを縮小でき、小型化・薄
型化を図ることができた。
【００３２】図６〜８に、本発明のＳＡＷ装置Ｓ１と、
図４に示すように基体５上の信号用導体パターン４の位
置を接地用導体パターン６，７から外れたところに配設
しＳＡＷ素子をフリップチップ実装したＳＡＷ装置Ｊ３
における電気特性を示す。なお、本発明をＳの線で、Ｓ
ＡＷ装置Ｊ３をＪの線で示している。また、図６，７で
は横軸に周波数、縦軸に伝送量をとり、図８には入力側
からみた反射量を示した。
図４に示すように基体５上の信号用導体パターン４の位
置を接地用導体パターン６，７から外れたところに配設
しＳＡＷ素子をフリップチップ実装したＳＡＷ装置Ｊ３
における電気特性を示す。なお、本発明をＳの線で、Ｓ
ＡＷ装置Ｊ３をＪの線で示している。また、図６，７で
は横軸に周波数、縦軸に伝送量をとり、図８には入力側
からみた反射量を示した。
【００３３】これらの図より、高域周波数２ＧＨｚ〜６
ＧＨｚの減衰量において、最小減衰量では、本発明：１
８ｄＢ、ＳＡＷ装置Ｊ３：５ｄＢであり、本発明では従
来より３倍強もの減衰量であった。また通過帯域では、
本発明は２ＭＨｚの広帯域化が可能となった。さらに、
低在波比（Voltage Standing Wave Ratio ：以下ＶＳＷ
Ｒという）については、通過帯域内で本発明：１．７、
ＳＡＷ装置Ｊ３：２．４であり０．７の向上がみられ
た。
ＧＨｚの減衰量において、最小減衰量では、本発明：１
８ｄＢ、ＳＡＷ装置Ｊ３：５ｄＢであり、本発明では従
来より３倍強もの減衰量であった。また通過帯域では、
本発明は２ＭＨｚの広帯域化が可能となった。さらに、
低在波比（Voltage Standing Wave Ratio ：以下ＶＳＷ
Ｒという）については、通過帯域内で本発明：１．７、
ＳＡＷ装置Ｊ３：２．４であり０．７の向上がみられ
た。
【００３４】このように、本発明で得られたインダクタ
ンス成分により、伝送量では高域周波数帯で減衰量の顕
著な増大と、通過帯域内では挿入損失の低下及び帯域幅
の増大、また、同様に通過帯域内における反射量におい
て原点からの距離が小さくなったことからＶＳＷＲを良
好にすることができた。
ンス成分により、伝送量では高域周波数帯で減衰量の顕
著な増大と、通過帯域内では挿入損失の低下及び帯域幅
の増大、また、同様に通過帯域内における反射量におい
て原点からの距離が小さくなったことからＶＳＷＲを良
好にすることができた。
【００３５】
【発明の効果】以上、詳述したように、本発明の弾性表
面波装置によれば、弾性表面波素子を実装させる基体に
形成する信号用導体パターンを、所定距離を隔てた２つ
の接地用導体パターンの間に配設し、２つの接地用導体
パターン間をインダクタで接続させたことにより、従来
の弾性表面波装置より優れた電気特性のものを提供する
ことができる。
面波装置によれば、弾性表面波素子を実装させる基体に
形成する信号用導体パターンを、所定距離を隔てた２つ
の接地用導体パターンの間に配設し、２つの接地用導体
パターン間をインダクタで接続させたことにより、従来
の弾性表面波装置より優れた電気特性のものを提供する
ことができる。
【００３６】さらに、弾性表面波素子を基体上にフリッ
プチップ方式により実装することにより、薄型化及び小
型軽量化が可能な優れた弾性表面波装置を提供すること
ができる。
プチップ方式により実装することにより、薄型化及び小
型軽量化が可能な優れた弾性表面波装置を提供すること
ができる。
【図１】本発明に係る弾性表面波装置の一実施形態を模
式的に説明する斜視透視図である。
式的に説明する斜視透視図である。
【図２】本発明に係る弾性表面波装置の一実施形態を模
式的に説明する図であり、（ａ）は上面透視図、（ｂ）
は（ａ）のＡ−Ａ′線断面図、（ｃ）は下面図である。
式的に説明する図であり、（ａ）は上面透視図、（ｂ）
は（ａ）のＡ−Ａ′線断面図、（ｃ）は下面図である。
【図３】本発明に係る弾性表面波装置の他の実施形態を
模式的に説明する図であり、（ａ）は上面透視図、
（ｂ）は（ａ）のＢ−Ｂ′線断面図である。
模式的に説明する図であり、（ａ）は上面透視図、
（ｂ）は（ａ）のＢ−Ｂ′線断面図である。
【図４】本発明と比較するために、基体上に形成した導
体パターンの様子を示す平面図である。
体パターンの様子を示す平面図である。
【図５】本発明の作用を説明する回路構成図である。
【図６】本発明の実施例と比較例の電気特性を示した線
図である。
図である。
【図７】本発明の実施例と比較例の電気特性を示した線
図である。
図である。
【図８】本発明の実施例と比較例の電気特性を示した線
図である。
図である。
【図９】従来の弾性表面波装置の断面図である。
【図１０】従来の弾性表面波装置の断面図である。
１：ＳＡＷ素子 ２：ＩＤＴ電極 ３：接続体 ４：信号用導体パターン ５：基体 ６，７：接地用導体パターン ８ａ：接地用電極パッド ８ｂ：信号用電極パッド ９：ワイヤ（インダクタ） １０：保護体 １１：振動空間 １２：インダクタンス １３：接地電極 １４：入力電極 １５：出力電極 １６：共振子 １７：擬似同軸構造 Ｐ：圧電基板 Ｓ１：弾性表面波装置
Claims (2)
- 【請求項１】 複数の接地用導体パターン及び複数の信
号用導体パターンが形成された基体上に弾性表面波素子
を実装して成る弾性表面波装置であって、前記信号用導
体パターンは、所定距離を隔てた２つの接地用導体パタ
ーンの間に配設されているとともに、前記２つの接地用
導体パターン間をインダクタで接続させたことを特徴と
する弾性表面波装置。 - 【請求項２】 前記弾性表面波素子が前記基体上にフリ
ップチップ方式で実装されていることを特徴とする請求
項１に記載の弾性表面波装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP34249199A JP2001160731A (ja) | 1999-12-01 | 1999-12-01 | 弾性表面波装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP34249199A JP2001160731A (ja) | 1999-12-01 | 1999-12-01 | 弾性表面波装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001160731A true JP2001160731A (ja) | 2001-06-12 |
Family
ID=18354167
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP34249199A Pending JP2001160731A (ja) | 1999-12-01 | 1999-12-01 | 弾性表面波装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2001160731A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2002017483A1 (fr) * | 2000-08-21 | 2002-02-28 | Murata Manufacturing Co.,Ltd. | Dispositif de filtration d'ondes acoustiques de surface |
-
1999
- 1999-12-01 JP JP34249199A patent/JP2001160731A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2002017483A1 (fr) * | 2000-08-21 | 2002-02-28 | Murata Manufacturing Co.,Ltd. | Dispositif de filtration d'ondes acoustiques de surface |
| US6919777B2 (en) * | 2000-08-21 | 2005-07-19 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Surface acoustic wave filter device |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |