JP5813643B2 - 水性酸エッチング溶液、単結晶及び多結晶のシリコン基板の表面のテクスチャリング方法 - Google Patents
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- 238000005530 etching Methods 0.000 title claims description 103
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 63
- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims description 48
- 239000011260 aqueous acid Substances 0.000 title claims description 45
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 title claims description 30
- 229910021421 monocrystalline silicon Inorganic materials 0.000 title claims description 29
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N Fluorane Chemical compound F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 96
- QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N Sulfuric acid Chemical compound OS(O)(=O)=O QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 62
- GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N Nitric acid Chemical compound O[N+]([O-])=O GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 47
- 229910017604 nitric acid Inorganic materials 0.000 claims description 47
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 32
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 17
- -1 Hexafluorosilicic acid Chemical compound 0.000 claims description 8
- 230000005670 electromagnetic radiation Effects 0.000 claims description 6
- 230000005611 electricity Effects 0.000 claims description 5
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 71
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 34
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 34
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 34
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 32
- NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N Phosphoric acid Chemical compound OP(O)(O)=O NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 14
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 12
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 11
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 9
- 229910000147 aluminium phosphate Inorganic materials 0.000 description 7
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 7
- HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M Sodium hydroxide Chemical compound [OH-].[Na+] HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 6
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 5
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 5
- QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N Acetic acid Chemical compound CC(O)=O QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- KWYUFKZDYYNOTN-UHFFFAOYSA-M Potassium hydroxide Chemical compound [OH-].[K+] KWYUFKZDYYNOTN-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 3
- 239000011449 brick Substances 0.000 description 3
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 description 3
- 239000011148 porous material Substances 0.000 description 3
- 238000005231 Edge Defined Film Fed Growth Methods 0.000 description 2
- 239000012670 alkaline solution Substances 0.000 description 2
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 2
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 2
- 238000004090 dissolution Methods 0.000 description 2
- 238000002955 isolation Methods 0.000 description 2
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 2
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 2
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 2
- DDFHBQSCUXNBSA-UHFFFAOYSA-N 5-(5-carboxythiophen-2-yl)thiophene-2-carboxylic acid Chemical compound S1C(C(=O)O)=CC=C1C1=CC=C(C(O)=O)S1 DDFHBQSCUXNBSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910019142 PO4 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000577 Silicon-germanium Inorganic materials 0.000 description 1
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LEVVHYCKPQWKOP-UHFFFAOYSA-N [Si].[Ge] Chemical compound [Si].[Ge] LEVVHYCKPQWKOP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 1
- 238000007743 anodising Methods 0.000 description 1
- 230000003466 anti-cipated effect Effects 0.000 description 1
- 239000006117 anti-reflective coating Substances 0.000 description 1
- 239000003963 antioxidant agent Substances 0.000 description 1
- 230000003078 antioxidant effect Effects 0.000 description 1
- 150000001735 carboxylic acids Chemical class 0.000 description 1
- 238000004040 coloring Methods 0.000 description 1
- 230000000295 complement effect Effects 0.000 description 1
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 1
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 1
- 230000007812 deficiency Effects 0.000 description 1
- 239000008367 deionised water Substances 0.000 description 1
- 229910021641 deionized water Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 1
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 1
- 238000010304 firing Methods 0.000 description 1
- 239000012634 fragment Substances 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 238000007373 indentation Methods 0.000 description 1
- 238000010329 laser etching Methods 0.000 description 1
- 230000000873 masking effect Effects 0.000 description 1
- 238000001465 metallisation Methods 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 238000001579 optical reflectometry Methods 0.000 description 1
- NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-K phosphate Chemical compound [O-]P([O-])([O-])=O NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 1
- 239000010452 phosphate Substances 0.000 description 1
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 1
- 238000000623 plasma-assisted chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 1
- 238000007639 printing Methods 0.000 description 1
- 238000002310 reflectometry Methods 0.000 description 1
- 238000005488 sandblasting Methods 0.000 description 1
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 description 1
- 239000005368 silicate glass Substances 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 1
- 238000000992 sputter etching Methods 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 238000004381 surface treatment Methods 0.000 description 1
- 239000004094 surface-active agent Substances 0.000 description 1
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 description 1
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-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
- C09K13/00—Etching, surface-brightening or pickling compositions
- C09K13/04—Etching, surface-brightening or pickling compositions containing an inorganic acid
- C09K13/08—Etching, surface-brightening or pickling compositions containing an inorganic acid containing a fluorine compound
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/02—Details
- H01L31/0236—Special surface textures
- H01L31/02363—Special surface textures of the semiconductor body itself, e.g. textured active layers
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C11—ANIMAL OR VEGETABLE OILS, FATS, FATTY SUBSTANCES OR WAXES; FATTY ACIDS THEREFROM; DETERGENTS; CANDLES
- C11D—DETERGENT COMPOSITIONS; USE OF SINGLE SUBSTANCES AS DETERGENTS; SOAP OR SOAP-MAKING; RESIN SOAPS; RECOVERY OF GLYCEROL
- C11D2111/00—Cleaning compositions characterised by the objects to be cleaned; Cleaning compositions characterised by non-standard cleaning or washing processes
- C11D2111/10—Objects to be cleaned
- C11D2111/14—Hard surfaces
- C11D2111/22—Electronic devices, e.g. PCBs or semiconductors
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
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- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
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Description
3〜10質量%のフッ化水素酸;
10〜35質量%の硝酸;
5〜40質量%の硫酸;及び
55〜82質量%の水
を含有することを特徴とする。
(1)単結晶または多結晶のシリコン基板の少なくとも1の主な表面を、溶液の総質量を基準として、
3〜10質量%のフッ化水素酸;
10〜35質量%の硝酸;
5〜40質量%の硫酸;及び
55〜82質量%の水
を含有する水性酸エッチング溶液と接触させるステップと、
(2)凹部及び凸部からなる表面構成を得るために所定時間、所定温度で単結晶または多結晶のシリコン基板の少なくとも1の主表面を十分にエッチングするステップと、
(3)水性酸エッチング溶液との接触から単結晶または多結晶のシリコン基板の少なくとも1の主表面を除去するステップと、
を備えることを特徴とする。
3〜10質量%のフッ化水素酸;
10〜35質量%の硝酸;
5〜40質量%の硫酸;及び
55〜82質量%の水
を含有している。
4〜7質量%のフッ化水素酸;
12〜22質量%の硝酸;
12〜20質量%の硫酸;及び
51〜72質量%の水
を含有することがより好適である。
5〜7質量%のフッ化水素酸;
16〜22質量%の硝酸;
15〜19質量%の硫酸;及び
52〜64質量%の水
を含有することが更に好適である。
(実施例1及び比較実験例CE1)
(太陽電池セルの小規模産業製品)
実施例1では、
6質量%のフッ化水素酸;
18.6質量%の硝酸;
18.8質量%の硫酸;及び
62.6質量%の水
で構成され、フッ化水素酸と硝酸のモル比が1:1の、未使用の水性酸エッチング溶液(“溶液1”)が用いられた。
11.54質量%のフッ化水素酸;
30質量%の硝酸;及び
58.46質量%の水
で構成され、フッ化水素酸と硝酸のモル比が1.21:1の、アメリカ特許第192885 B2公報で開示された未使用の水性酸エッチング溶液(“溶液CE1”)が用いられた。
(太陽電池セルの大規模製品)
実施例2では、製造される太陽電池セル数がおよそ2桁と高かったこと以外は、実施例1と同様の結果が繰り返された。
4.2質量%のフッ化水素酸;
12.2質量%の硝酸;
12.4質量%の硫酸;
58.2質量%の水;及び
13質量%のヘキサフルオロケイ酸
を含有し、
比較実験例CE2のエッチング槽は、
6.5質量%のフッ化水素酸;
26質量%の硝酸;
54.4質量%の水;及び
13.1質量%のヘキサフルオロケイ酸
を含有している。
Claims (24)
- 単結晶及び多結晶のシリコン基板の表面のテクスチャリングに適した水性酸エッチング溶液であって、
溶液の総質量を基準として、
3〜10質量%のフッ化水素酸;
10〜35質量%の硝酸;
12〜20質量%の硫酸;及び
51〜75質量%の水
を含有することを特徴とする水性酸エッチング溶液。 - 溶液の総質量を基準として、
4〜7質量%のフッ化水素酸;
12〜22質量%の硝酸;
12〜20質量%の硫酸;及び
51〜72質量%の水
を含有することを特徴とする請求項1に記載の水性酸エッチング溶液。 - 溶液の総質量を基準として、
5〜7質量%のフッ化水素酸;
16〜22質量%の硝酸;
15〜19質量%の硫酸;及び
52〜64質量%の水
を含有することを特徴とする請求項1または2に記載の水性酸エッチング溶液。 - フッ化水素酸と硝酸のモル比が3:1〜1:3.7であることを特徴とする請求項1に記載の水性酸エッチング溶液。
- フッ化水素酸と硝酸のモル比が1.84:1〜1:1.75であることを特徴とする請求項2に記載の水性酸エッチング溶液。
- フッ化水素酸と硝酸のモル比が1.4:1〜1:1.4であることを特徴とする請求項3に記載の水性酸エッチング溶液。
- フッ化水素酸と硝酸のモル比が1.2:1〜1:1.2であることを特徴とする請求項1〜6のいずれか1項に記載の水性酸エッチング溶液。
- ヘキサフルオロケイ酸を含有することを特徴とする請求項1〜7のいずれか1項に記載の水性酸エッチング溶液。
- 単結晶及び多結晶のシリコン基板の表面をテクスチャリングする方法であって、
(1)単結晶または多結晶のシリコン基板の少なくとも1の主表面を、溶液の総質量を基準として、
3〜10質量%のフッ化水素酸;
10〜35質量%の硝酸;
12〜20質量%の硫酸;及び
51〜75質量%の水
を含有する水性酸エッチング溶液と接触させるステップと、
(2)凹部及び凸部からなる表面構成を得るために所定時間、所定温度で単結晶または多結晶のシリコン基板の少なくとも1の主表面を十分にエッチングするステップと、
(3)水性酸エッチング溶液との接触から単結晶または多結晶のシリコン基板の少なくとも1の主表面を除去するステップと、
を備えることを特徴とする方法。 - 前記水性酸エッチング溶液が、溶液の総質量を基準として、
4〜7質量%のフッ化水素酸;
12〜22質量%の硝酸;
12〜20質量%の硫酸;及び
51〜72質量%の水
を含有することを特徴とする請求項9に記載の方法。 - 前記水性酸エッチング溶液が、溶液の総質量を基準として、
5〜7質量%のフッ化水素酸;
16〜22質量%の硝酸;
15〜19質量%の硫酸;及び
52〜64質量%の水
を含有することを特徴とする請求項9または10に記載の方法。 - 前記水性酸エッチング溶液のフッ化水素酸と硝酸のモル比が3:1〜1:3.7であることを特徴とする請求項9に記載の方法。
- 前記水性酸エッチング溶液のフッ化水素酸と硝酸のモル比が1.84:1〜1:1.75であることを特徴とする請求項10に記載の方法。
- 前記水性酸エッチング溶液のフッ化水素酸と硝酸のモル比が1.4:1〜1:1.4であることを特徴とする請求項11に記載の方法。
- 前記水性酸エッチング溶液のフッ化水素酸と硝酸のモル比が1.2:1〜1:1.2であることを特徴とする請求項9〜11のいずれか1項に記載の方法。
- 前記水性酸エッチング溶液が、ヘキサフルオロケイ酸を含有することを特徴とする請求項9〜15のいずれか1項に記載の方法。
- 単結晶または多結晶シリコン基板の2つの対向する主表面が、プロセスステップ(1)において水性酸エッチング溶液と接触せしめられることを特徴とする請求項9〜16のいずれか1項に記載の方法。
- プロセスステップ(1)の接触は、単結晶または多結晶シリコン基板を水性酸エッチング溶液に浸漬することによって実行することを特徴とする請求項17に記載の方法。
- 単結晶または多結晶シリコン基板の少なくとも1の主表面が、プロセスステップ(2)において0〜50℃で1〜10分間エッチングされることを特徴とする請求項9〜18のいずれか1項に記載の方法。
- プロセスステップ(2)において得られる表面構成は、0.1〜15μmの範囲の深さ及び0.1〜15μmの範囲の直径を有する複数の孔で構成されることを特徴とする請求項9〜19のいずれか1項に記載の方法。
- プロセスステップ(3)において、単結晶または多結晶シリコン基板が水性酸エッチング溶液から完全に除去されることを特徴とする請求項18または19に記載の方法。
- 請求項1〜8のいずれか1項に記載の水性酸エッチング溶液及び請求項9〜21のいずれか1項に記載の単結晶及び多結晶シリコン基板の表面をテクスチャリングする方法を用いることを特徴とする電磁放射への曝露の際に電気を生成する装置の製造方法。
- 前記装置は、光発電セル及び太陽電池セルであることを特徴とする請求項22に記載の方法。
- 電磁放射が太陽光であることを特徴とする請求項22または23に記載の方法。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US24409009P | 2009-09-21 | 2009-09-21 | |
US61/244,090 | 2009-09-21 | ||
PCT/EP2010/063209 WO2011032880A1 (en) | 2009-09-21 | 2010-09-09 | Aqueous acidic etching solution and method for texturing the surface of single crystal and polycrystal silicon substrates |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2013505562A JP2013505562A (ja) | 2013-02-14 |
JP5813643B2 true JP5813643B2 (ja) | 2015-11-17 |
Family
ID=43064675
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2012529216A Expired - Fee Related JP5813643B2 (ja) | 2009-09-21 | 2010-09-09 | 水性酸エッチング溶液、単結晶及び多結晶のシリコン基板の表面のテクスチャリング方法 |
Country Status (9)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US8969276B2 (ja) |
EP (1) | EP2480627A1 (ja) |
JP (1) | JP5813643B2 (ja) |
KR (1) | KR20120135185A (ja) |
CN (1) | CN102656250B (ja) |
MY (1) | MY158452A (ja) |
SG (2) | SG178834A1 (ja) |
TW (1) | TWI494416B (ja) |
WO (1) | WO2011032880A1 (ja) |
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
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---|---|---|---|---|
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JP2012238849A (ja) * | 2011-04-21 | 2012-12-06 | Rohm & Haas Electronic Materials Llc | 改良された多結晶テクスチャ化組成物および方法 |
WO2013028802A1 (en) * | 2011-08-22 | 2013-02-28 | 1366 Technologies Inc | Formulation for acidic wet chemical etching of silicon wafers |
JP5717309B2 (ja) * | 2012-05-31 | 2015-05-13 | 日本化成株式会社 | 太陽電池用シリコンウエハー及びその製造方法 |
US20130344641A1 (en) * | 2012-06-26 | 2013-12-26 | Corning Incorporated. | Mechanical and chemical texturization of a silicon sheet for photovoltaic light trapping |
DE102012214428A1 (de) | 2012-08-14 | 2014-02-20 | Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. | Verfahren zur sauren Texturierung von siliziumhaltigen Substraten |
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CN103087718B (zh) * | 2013-01-16 | 2014-12-31 | 四川大学 | 湿法刻蚀镍酸镧薄膜和铁电薄膜/镍酸镧复合薄膜的腐蚀液及其制备方法 |
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- 2010-09-09 CN CN201080042105.3A patent/CN102656250B/zh not_active Expired - Fee Related
- 2010-09-09 KR KR1020127009972A patent/KR20120135185A/ko active Search and Examination
- 2010-09-09 EP EP10751943A patent/EP2480627A1/en not_active Withdrawn
- 2010-09-09 JP JP2012529216A patent/JP5813643B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2010-09-09 SG SG2012011235A patent/SG178834A1/en unknown
- 2010-09-09 US US13/394,349 patent/US8969276B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2010-09-09 WO PCT/EP2010/063209 patent/WO2011032880A1/en active Application Filing
- 2010-09-09 SG SG10201405908UA patent/SG10201405908UA/en unknown
- 2010-09-09 MY MYPI2012000839A patent/MY158452A/en unknown
- 2010-09-20 TW TW099131888A patent/TWI494416B/zh not_active IP Right Cessation
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SG178834A1 (en) | 2012-04-27 |
MY158452A (en) | 2016-10-14 |
CN102656250A (zh) | 2012-09-05 |
TWI494416B (zh) | 2015-08-01 |
US20120160320A1 (en) | 2012-06-28 |
SG10201405908UA (en) | 2014-11-27 |
KR20120135185A (ko) | 2012-12-12 |
CN102656250B (zh) | 2015-02-25 |
US8969276B2 (en) | 2015-03-03 |
EP2480627A1 (en) | 2012-08-01 |
JP2013505562A (ja) | 2013-02-14 |
TW201129680A (en) | 2011-09-01 |
WO2011032880A1 (en) | 2011-03-24 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A711 | Notification of change in applicant |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A711 Effective date: 20130321 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
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|
A621 | Written request for application examination |
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|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20140807 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
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|
A521 | Request for written amendment filed |
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|
A131 | Notification of reasons for refusal |
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|
A521 | Request for written amendment filed |
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|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20150818 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20150916 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
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|
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