JP2001023947A - 半導体基板のエッチング方法、半導体薄膜の製造方法および半導体基板保持装置 - Google Patents
半導体基板のエッチング方法、半導体薄膜の製造方法および半導体基板保持装置Info
- Publication number
- JP2001023947A JP2001023947A JP11190417A JP19041799A JP2001023947A JP 2001023947 A JP2001023947 A JP 2001023947A JP 11190417 A JP11190417 A JP 11190417A JP 19041799 A JP19041799 A JP 19041799A JP 2001023947 A JP2001023947 A JP 2001023947A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- semiconductor
- porous layer
- substrate
- etching
- thin film
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Weting (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 半導体基板の多孔質層残留部をエッチングで
除去する際に、多孔質層残留部の無い反対側の面もエッ
チングされて基板が薄くなり、半導体基板を再生利用す
る回数が減少するのを防止する。 【解決手段】 ２枚の半導体基板の裏面同士を合わせて
エッチング液に浸漬する。
除去する際に、多孔質層残留部の無い反対側の面もエッ
チングされて基板が薄くなり、半導体基板を再生利用す
る回数が減少するのを防止する。 【解決手段】 ２枚の半導体基板の裏面同士を合わせて
エッチング液に浸漬する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、２枚の半導体基板
のエッチング方法に関し、特に、太陽電池、光センサ
ー、発光ダイオードなどの光電変換素子、もしくは集積
回路などに適用可能な半導体薄膜の製造方法、または、
前記方法に使用される半導体基板保持装置に関する。
のエッチング方法に関し、特に、太陽電池、光センサ
ー、発光ダイオードなどの光電変換素子、もしくは集積
回路などに適用可能な半導体薄膜の製造方法、または、
前記方法に使用される半導体基板保持装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】単結晶シリコン基板表面に多孔質層を形
成したのち太陽電池層を形成し、該単結晶シリコン基板
の裏面を接着剤により治具に接合する一方、剥離すべき
太陽電池層の側にもう一つの基板または治具を接合し、
しかるのち両治具を引き離すことにより太陽電池層を剥
離する技術が知られている。そのなかで、特開平１０−
７９３３０（ソニー）には、単結晶シリコン基板の表面
を研磨して多孔質層残留部を除去し、再び薄膜太陽電池
製造用の基板として用いることが記載されている。
成したのち太陽電池層を形成し、該単結晶シリコン基板
の裏面を接着剤により治具に接合する一方、剥離すべき
太陽電池層の側にもう一つの基板または治具を接合し、
しかるのち両治具を引き離すことにより太陽電池層を剥
離する技術が知られている。そのなかで、特開平１０−
７９３３０（ソニー）には、単結晶シリコン基板の表面
を研磨して多孔質層残留部を除去し、再び薄膜太陽電池
製造用の基板として用いることが記載されている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】多孔質層残留部を除去
するために、研磨などの機械的または化学機械的な方法
を用いる場合、高いスループットが望めず、またこの方
法はコストの観点からも好ましい方法とはいえない。一
方、多孔質層残留部を除去するためにエッチングなどの
化学的方法を用いることも出来る。この場合、比較的生
産性が良いが、多孔質層残留部の無い反対側の面もエッ
チングされて基板が薄くなり、再生利用する回数が減少
するという問題点がある。
するために、研磨などの機械的または化学機械的な方法
を用いる場合、高いスループットが望めず、またこの方
法はコストの観点からも好ましい方法とはいえない。一
方、多孔質層残留部を除去するためにエッチングなどの
化学的方法を用いることも出来る。この場合、比較的生
産性が良いが、多孔質層残留部の無い反対側の面もエッ
チングされて基板が薄くなり、再生利用する回数が減少
するという問題点がある。
【０００４】したがって、本発明は、半導体基板を再生
利用する回数の減少を防止する方法およびそれに使用さ
れる装置を提供することを課題としている。
利用する回数の減少を防止する方法およびそれに使用さ
れる装置を提供することを課題としている。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明者らは、前述の課
題を解決するために鋭意検討して、本発明を完成させる
に至った。
題を解決するために鋭意検討して、本発明を完成させる
に至った。
【０００６】すなわち、本発明においては、２枚の半導
体基板の裏面同士を合わせてエッチング液に浸漬して半
導体基板のエッチングを行なっている。
体基板の裏面同士を合わせてエッチング液に浸漬して半
導体基板のエッチングを行なっている。
【０００７】別の本発明においては、表面に多孔質層を
形成したのち半導体薄膜を形成する第一の工程と、前記
多孔質層を破断して前記半導体薄膜を前記半導体基板か
ら剥離する第二の工程とおよび、前記半導体基板に残存
する多孔質層残留部をエッチングによって除去する第三
の工程とから成り、第三の工程に続き、再び第一の工程
以降を繰り返す半導体薄膜の製造方法であって、前記第
三の工程において、２枚の半導体基板の裏面同士を合わ
せてエッチング液に浸漬して半導体薄膜を製造してい
る。
形成したのち半導体薄膜を形成する第一の工程と、前記
多孔質層を破断して前記半導体薄膜を前記半導体基板か
ら剥離する第二の工程とおよび、前記半導体基板に残存
する多孔質層残留部をエッチングによって除去する第三
の工程とから成り、第三の工程に続き、再び第一の工程
以降を繰り返す半導体薄膜の製造方法であって、前記第
三の工程において、２枚の半導体基板の裏面同士を合わ
せてエッチング液に浸漬して半導体薄膜を製造してい
る。
【０００８】さらに別の本発明においては、１対の基板
ホルダから成り、かつ、１対の半導体基板を収納し、前
記基板ホルダ間で前記半導体基板を挟持しうるように、
少なくとも一方の基板ホルダに凹部を有する装置で半導
体基板を保持している。
ホルダから成り、かつ、１対の半導体基板を収納し、前
記基板ホルダ間で前記半導体基板を挟持しうるように、
少なくとも一方の基板ホルダに凹部を有する装置で半導
体基板を保持している。
【０００９】
【実施例】実施例１ 図１は本発明の半導体基板のエッチング方法を示してい
る。半導体基板１は其の一方の面に多孔質層残留部２を
有しており、また、半導体基板１′は其の一方の面に多
孔質層残留部２′を有している。このような２枚の基板
が裏面同士を合わせて共通の基板ホルダ３、３′に保持
されている。このようにして半導体基板１、１′がエッ
チング液４の中に浸漬され、多孔質層残留部２、２′が
２枚同時にエッチング除去され、半導体基板１、１′の
繰り返し利用ができるようになる。
る。半導体基板１は其の一方の面に多孔質層残留部２を
有しており、また、半導体基板１′は其の一方の面に多
孔質層残留部２′を有している。このような２枚の基板
が裏面同士を合わせて共通の基板ホルダ３、３′に保持
されている。このようにして半導体基板１、１′がエッ
チング液４の中に浸漬され、多孔質層残留部２、２′が
２枚同時にエッチング除去され、半導体基板１、１′の
繰り返し利用ができるようになる。
【００１０】基板ホルダ３、３′は２枚の基板を背中合
せに密着させて保持するようになっている。基板ホルダ
３、３′は弗素樹脂などの耐酸性を有する材料から成
る。基板ホルダ３、３′には半導体基板１、１′を収納
しうるような凹部が形成されており、且つ図２に示すよ
うに半導体基板１、１′の表面の多孔質層残留部２、
２′が露出するようになっている。基板ホルダ３、３′
の両方に凹部が形成されていてもよく、一方にのみ凹部
が形成されていてもよい。このような基板ホルダ３、
３′の間に半導体基板１、１′を２枚背中合せにして挟
持する。基板ホルダ３、３′の凹部は半導体基板１、
１′の厚さよりも若干浅く形成されているので、２枚の
半導体基板１、１′を互いに密着させることができる。
この状態でビス５で固定する。ビス５は他の挟持手段、
例えば、クランプで代替することができる。
せに密着させて保持するようになっている。基板ホルダ
３、３′は弗素樹脂などの耐酸性を有する材料から成
る。基板ホルダ３、３′には半導体基板１、１′を収納
しうるような凹部が形成されており、且つ図２に示すよ
うに半導体基板１、１′の表面の多孔質層残留部２、
２′が露出するようになっている。基板ホルダ３、３′
の両方に凹部が形成されていてもよく、一方にのみ凹部
が形成されていてもよい。このような基板ホルダ３、
３′の間に半導体基板１、１′を２枚背中合せにして挟
持する。基板ホルダ３、３′の凹部は半導体基板１、
１′の厚さよりも若干浅く形成されているので、２枚の
半導体基板１、１′を互いに密着させることができる。
この状態でビス５で固定する。ビス５は他の挟持手段、
例えば、クランプで代替することができる。
【００１１】本発明のエッチング方法によればエッチン
グ液は多孔質層残留部のある面にのみ接触し、其の反対
面はエッチングされないため、必要以上に半導体基板を
エッチングすることがない。そのため半導体基板の再生
利用の回数を増大させることができるという利点があ
る。また、多孔質層残留部の反対側の面のエッチングを
防止するための付加的な部材も必要としない。さらに、
２枚同時にエッチング処理するため、非常に簡便で且つ
生産性の高い方法で多孔質層残留部の除去を行うことが
できる。
グ液は多孔質層残留部のある面にのみ接触し、其の反対
面はエッチングされないため、必要以上に半導体基板を
エッチングすることがない。そのため半導体基板の再生
利用の回数を増大させることができるという利点があ
る。また、多孔質層残留部の反対側の面のエッチングを
防止するための付加的な部材も必要としない。さらに、
２枚同時にエッチング処理するため、非常に簡便で且つ
生産性の高い方法で多孔質層残留部の除去を行うことが
できる。
【００１２】本発明に適用できる半導体基板として、た
とえば、Ｓｉ単結晶基板を用いることができる。Ｓｉ単
結晶基板は陽極化成などの方法により其の表面に多孔質
層を形成することができる。多孔質層残留部２、２′を
エッチング除去するためのエッチング液４としては弗酸
（弗化水素酸）、硝酸、酢酸などの酸類、またはこれら
の混合物を用いることができる。エッチング液に弗化ア
ンモニウムや燐酸水素ナトリウムなどを添加してもよ
い。エッチングに当たってはエッチング液４を攪拌した
り、またはエッチング液４に流れを生じさせてもよい。
又超音波を印加してもよい。
とえば、Ｓｉ単結晶基板を用いることができる。Ｓｉ単
結晶基板は陽極化成などの方法により其の表面に多孔質
層を形成することができる。多孔質層残留部２、２′を
エッチング除去するためのエッチング液４としては弗酸
（弗化水素酸）、硝酸、酢酸などの酸類、またはこれら
の混合物を用いることができる。エッチング液に弗化ア
ンモニウムや燐酸水素ナトリウムなどを添加してもよ
い。エッチングに当たってはエッチング液４を攪拌した
り、またはエッチング液４に流れを生じさせてもよい。
又超音波を印加してもよい。
【００１３】たとえば、１０μｍ程度の厚さの多孔質層
残留部は４９重量％弗酸水溶液：７０重量％硝酸水溶
液：１００重量％酢酸＝１：２：１（容積比）の混合液
を用いて３０秒程度で完全に除去することができる。こ
の場合のエッチング速度は毎分４０μｍであり、毎回の
エッチング工程で２０μｍずつウェハ厚さが減少する。
たとえば６２５μｍ厚のウェハを其の半分の厚さまで利
用するとすれば、１５回繰り返し利用できる。一方、従
来の１枚毎の処理では多孔質層残留部の反対側の面もエ
ッチングされるため、ウェハの再生利用の回数は半減し
てしまう。
残留部は４９重量％弗酸水溶液：７０重量％硝酸水溶
液：１００重量％酢酸＝１：２：１（容積比）の混合液
を用いて３０秒程度で完全に除去することができる。こ
の場合のエッチング速度は毎分４０μｍであり、毎回の
エッチング工程で２０μｍずつウェハ厚さが減少する。
たとえば６２５μｍ厚のウェハを其の半分の厚さまで利
用するとすれば、１５回繰り返し利用できる。一方、従
来の１枚毎の処理では多孔質層残留部の反対側の面もエ
ッチングされるため、ウェハの再生利用の回数は半減し
てしまう。
【００１４】実施例２ ＜ＳＯＩ基板への適用例＞図３は本発明の半導体薄膜の
製造方法をＳＯＩ基板へ適用した工程図である。Ｓｉ基
板３１を陽極化成により多孔質層３２を形成したのち、
単結晶Ｓｉ層３３を形成する（図３（ａ））。次にＳｉ
支持基板３５と単結晶Ｓｉ層３３とを絶縁層３４を介し
て密着させた後、陽極接合、加圧、熱処理またはこれら
の組み合わせにより貼合する（図３（ｂ））。次にＳｉ
基板３１とＳｉ支持基板３５に外力を印加して多孔質層
３２を破断するか、またはエッチングにより多孔質層３
２を浸蝕して、単結晶Ｓｉ層３３をＳｉ基板３１から分
離する（図３（ｃ））。最後に単結晶Ｓｉ層３３の表面
に残存する多孔質層残留部３２′を除去することにより
図３（ｄ）に示すようなＳＯＩ基板を得る。一方、Ｓｉ
基板３１に残存する多孔質層残留部３２″を本発明の方
法でエッチング除去し、これを再び図３（ａ）の工程に
回すことができる。本例のＳＯＩ基板を用いると高速動
作が可能で、集積度が高く且つ耐放射線性に優れたＳｉ
集積回路を安価に作成することができる。
製造方法をＳＯＩ基板へ適用した工程図である。Ｓｉ基
板３１を陽極化成により多孔質層３２を形成したのち、
単結晶Ｓｉ層３３を形成する（図３（ａ））。次にＳｉ
支持基板３５と単結晶Ｓｉ層３３とを絶縁層３４を介し
て密着させた後、陽極接合、加圧、熱処理またはこれら
の組み合わせにより貼合する（図３（ｂ））。次にＳｉ
基板３１とＳｉ支持基板３５に外力を印加して多孔質層
３２を破断するか、またはエッチングにより多孔質層３
２を浸蝕して、単結晶Ｓｉ層３３をＳｉ基板３１から分
離する（図３（ｃ））。最後に単結晶Ｓｉ層３３の表面
に残存する多孔質層残留部３２′を除去することにより
図３（ｄ）に示すようなＳＯＩ基板を得る。一方、Ｓｉ
基板３１に残存する多孔質層残留部３２″を本発明の方
法でエッチング除去し、これを再び図３（ａ）の工程に
回すことができる。本例のＳＯＩ基板を用いると高速動
作が可能で、集積度が高く且つ耐放射線性に優れたＳｉ
集積回路を安価に作成することができる。
【００１５】実施例３ ＜太陽電池への適用例＞図４は本発明の半導体薄膜の製
造方法を太陽電池の製造に適用した工程図である。まず
ｐ+ 単結晶シリコン基板４１を陽極化成することにより
表面に多孔質層４２を形成し、これを分離層とする。多
孔質層を水素アニールすることにより表面を平坦化した
後、ｐ- シリコン層をエピタキシャル成長させる。次に
ｎ+ シリコン層をエピタキシャル成長させるか、又はｎ
型ドーパントを打ち込むもしくは拡散させてｐｎ接合を
有する単結晶Ｓｉ層４３を形成する。この上に導電性ペ
ーストをパターン印刷して電極４４を形成する。
造方法を太陽電池の製造に適用した工程図である。まず
ｐ+ 単結晶シリコン基板４１を陽極化成することにより
表面に多孔質層４２を形成し、これを分離層とする。多
孔質層を水素アニールすることにより表面を平坦化した
後、ｐ- シリコン層をエピタキシャル成長させる。次に
ｎ+ シリコン層をエピタキシャル成長させるか、又はｎ
型ドーパントを打ち込むもしくは拡散させてｐｎ接合を
有する単結晶Ｓｉ層４３を形成する。この上に導電性ペ
ーストをパターン印刷して電極４４を形成する。
【００１６】続いて透光性接着剤４５を介して透光性フ
ィルム４６を接合する。透光性接着剤４５としてはシー
ト状に形成したＥＶＡなどを用いることができる。透光
性フィルムとしてはＥＴＦＥなどのフッ素樹脂フィルム
を用いることができる。しかるのち、ｐｎ接合を有する
単結晶Ｓｉ層４３と基板４１との間に外力を働かせて単
結晶Ｓｉ層４３を基板４１から剥離する。剥離の際には
多孔質層４２が破断するか、または多孔質層４２と基板
４１との界面、又は多孔質層４２と単結晶Ｓｉ層４３と
の界面で分離する。単結晶Ｓｉ層４３を基板４１から剥
離するためにエッチングを行ってもよい。
ィルム４６を接合する。透光性接着剤４５としてはシー
ト状に形成したＥＶＡなどを用いることができる。透光
性フィルムとしてはＥＴＦＥなどのフッ素樹脂フィルム
を用いることができる。しかるのち、ｐｎ接合を有する
単結晶Ｓｉ層４３と基板４１との間に外力を働かせて単
結晶Ｓｉ層４３を基板４１から剥離する。剥離の際には
多孔質層４２が破断するか、または多孔質層４２と基板
４１との界面、又は多孔質層４２と単結晶Ｓｉ層４３と
の界面で分離する。単結晶Ｓｉ層４３を基板４１から剥
離するためにエッチングを行ってもよい。
【００１７】透光性フィルム４６とともに剥離された単
結晶Ｓｉ層（ｐｎ接合）４３は、導電性接着剤４７を介
してアルミ板などの導電性基板４８に接合され、太陽電
池が完成する。残留している多孔質層４２をその接合前
に除去しておいてもよい。一方、基板４１の方に残留す
る多孔質層４２は本発明の方法によりエッチング除去し
た後、再度半導体薄膜の成長用基板に供される。
結晶Ｓｉ層（ｐｎ接合）４３は、導電性接着剤４７を介
してアルミ板などの導電性基板４８に接合され、太陽電
池が完成する。残留している多孔質層４２をその接合前
に除去しておいてもよい。一方、基板４１の方に残留す
る多孔質層４２は本発明の方法によりエッチング除去し
た後、再度半導体薄膜の成長用基板に供される。
【００１８】本例において、ｐ- シリコン層をエピタキ
シャル成長した後、該ｐ- シリコン層を剥離し、しかる
後該ｐ- シリコン層にｐｎ接合を形成し、導電性基板に
接合してもよい。本例によれば製造コストの安価な太陽
電池を製造することができる。
シャル成長した後、該ｐ- シリコン層を剥離し、しかる
後該ｐ- シリコン層にｐｎ接合を形成し、導電性基板に
接合してもよい。本例によれば製造コストの安価な太陽
電池を製造することができる。
【００１９】これらの適用例において、多孔質層の形成
工程では陽極化成法を用いることができる。たとえば弗
酸とアルコール、水などからなる化成液中にＳｉ基板と
対向電極を浸漬し、Ｓｉ基板を陽極、対向電極を陰極と
して１００ｍＡ程度の電流を数分間通電することによ
り、Ｓｉ基板表面に多孔質層を形成することができる。
また、これらの適用例において、半導体薄膜の形成工程
では分子線ビームエピタキシャル成長、プラズマＣＶ
Ｄ、減圧ＣＶＤ、光ＣＶＤ、液相エピタキシャル成長な
どの方法を用いることができる。
工程では陽極化成法を用いることができる。たとえば弗
酸とアルコール、水などからなる化成液中にＳｉ基板と
対向電極を浸漬し、Ｓｉ基板を陽極、対向電極を陰極と
して１００ｍＡ程度の電流を数分間通電することによ
り、Ｓｉ基板表面に多孔質層を形成することができる。
また、これらの適用例において、半導体薄膜の形成工程
では分子線ビームエピタキシャル成長、プラズマＣＶ
Ｄ、減圧ＣＶＤ、光ＣＶＤ、液相エピタキシャル成長な
どの方法を用いることができる。
【００２０】
【発明の効果】本発明のエッチング方法によればエッチ
ング液は多孔質層残留部のある面にのみ接触し、其の反
対面はエッチングされないため、必要以上に半導体基板
をエッチングすることがない。そのため半導体基板の再
生利用の回数を増大させることができるという利点があ
る。また、多孔質層残留部の反対側の面のエッチングを
防止するための付加的な部材も必要としない。さらに、
２枚同時にエッチング処理するため、非常に簡便で且つ
生産性の高い方法で多孔質層残留部の除去を行うことが
できる。
ング液は多孔質層残留部のある面にのみ接触し、其の反
対面はエッチングされないため、必要以上に半導体基板
をエッチングすることがない。そのため半導体基板の再
生利用の回数を増大させることができるという利点があ
る。また、多孔質層残留部の反対側の面のエッチングを
防止するための付加的な部材も必要としない。さらに、
２枚同時にエッチング処理するため、非常に簡便で且つ
生産性の高い方法で多孔質層残留部の除去を行うことが
できる。
【図１】 本発明のエッチング方法、半導体薄膜の製造
方法に使用される装置の概要を示す図面である。
方法に使用される装置の概要を示す図面である。
【図２】 本発明のエッチング方法、半導体薄膜の製造
方法に適用可能な基板ホルダの一例を示す図面である。
方法に適用可能な基板ホルダの一例を示す図面である。
【図３】 本発明の半導体薄膜の製造方法をＳＯＩ基板
の製造に適用した工程図である。
の製造に適用した工程図である。
【図４】 本発明の半導体薄膜の製造方法を太陽電池の
製造に適用した工程図である。
製造に適用した工程図である。
１、１′ 半導体基板 ２、２′ 多孔質層残留部 ３、３′ 基板ホルダ ４ エッチング液
Claims (4)
- 【請求項１】 ２枚の半導体基板の裏面同士を合わせて
エッチング液に浸漬することを特徴とする半導体基板の
エッチング方法。 - 【請求項２】 表面に多孔質層を形成したのち半導体薄
膜を形成する第一の工程と、前記多孔質層を破断して前
記半導体薄膜を前記半導体基板から剥離する第二の工程
とおよび、前記半導体基板に残存する多孔質層残留部を
エッチングによって除去する第三の工程とから成り、第
三の工程に続いて、再び第一の工程以降を繰り返す半導
体薄膜の製造方法であって、前記第三の工程において、
２枚の半導体基板の裏面同士を合わせてエッチング液に
浸漬することを特徴とする半導体薄膜の製造方法。 - 【請求項３】 前記半導体薄膜にｐｎ接合を形成する工
程を有することを特徴とする請求項２記載の半導体薄膜
の製造方法。 - 【請求項４】 １対の基板ホルダから成り、かつ、１対
の半導体基板を収納し、前記基板ホルダ間で前記半導体
基板を挟持しうるように、少なくとも一方の基板ホルダ
に凹部が形成されていることを特徴とする半導体基板保
持装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11190417A JP2001023947A (ja) | 1999-07-05 | 1999-07-05 | 半導体基板のエッチング方法、半導体薄膜の製造方法および半導体基板保持装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11190417A JP2001023947A (ja) | 1999-07-05 | 1999-07-05 | 半導体基板のエッチング方法、半導体薄膜の製造方法および半導体基板保持装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001023947A true JP2001023947A (ja) | 2001-01-26 |
Family
ID=16257799
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11190417A Pending JP2001023947A (ja) | 1999-07-05 | 1999-07-05 | 半導体基板のエッチング方法、半導体薄膜の製造方法および半導体基板保持装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2001023947A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009224472A (ja) * | 2008-03-14 | 2009-10-01 | Denso Corp | 半導体ウエハのエッチング装置 |
| JP2011061030A (ja) * | 2009-09-10 | 2011-03-24 | Kaneka Corp | 結晶シリコン系太陽電池 |
| JP2011512687A (ja) * | 2008-02-19 | 2011-04-21 | エルジー エレクトロニクス インコーポレイティド | 非対称ウエーハのエッチング方法、非対称エッチングのウエーハを含む太陽電池、及び太陽電池の製造方法 |
| JP2013505562A (ja) * | 2009-09-21 | 2013-02-14 | ビーエーエスエフ ソシエタス・ヨーロピア | 水性酸エッチング溶液、単結晶及び多結晶のシリコン基板の表面のテクスチャリング方法 |
| CN105225992A (zh) * | 2015-11-03 | 2016-01-06 | 株洲南车时代电气股份有限公司 | 一种刻蚀装置及晶圆片单面刻蚀方法 |
-
1999
- 1999-07-05 JP JP11190417A patent/JP2001023947A/ja active Pending
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2011512687A (ja) * | 2008-02-19 | 2011-04-21 | エルジー エレクトロニクス インコーポレイティド | 非対称ウエーハのエッチング方法、非対称エッチングのウエーハを含む太陽電池、及び太陽電池の製造方法 |
| JP2009224472A (ja) * | 2008-03-14 | 2009-10-01 | Denso Corp | 半導体ウエハのエッチング装置 |
| JP2011061030A (ja) * | 2009-09-10 | 2011-03-24 | Kaneka Corp | 結晶シリコン系太陽電池 |
| JP2013505562A (ja) * | 2009-09-21 | 2013-02-14 | ビーエーエスエフ ソシエタス・ヨーロピア | 水性酸エッチング溶液、単結晶及び多結晶のシリコン基板の表面のテクスチャリング方法 |
| US8969276B2 (en) | 2009-09-21 | 2015-03-03 | Basf Se | Aqueous acidic etching solution and method for texturing the surface of single crystal and polycrystal silicon substrates |
| CN105225992A (zh) * | 2015-11-03 | 2016-01-06 | 株洲南车时代电气股份有限公司 | 一种刻蚀装置及晶圆片单面刻蚀方法 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US6448155B1 (en) | Production method of semiconductor base material and production method of solar cell | |
| KR960006687B1 (ko) | 반도체기판의 제조방법 | |
| US6140209A (en) | Process for forming an SOI substrate | |
| KR0145786B1 (ko) | 반도체기판 및 그 제조방법 | |
| US6566235B2 (en) | Process for producing semiconductor member, and process for producing solar cell | |
| US6818104B2 (en) | Anodizing apparatus | |
| US6200878B1 (en) | SOI substrate processing method | |
| US20050020032A1 (en) | Method for making thin film devices intended for solar cells or silicon-on-insulator (SOI) applications | |
| KR100300279B1 (ko) | 반도체기판의제조방법 | |
| EP1231649A2 (en) | Solar cell and method of manufacturing same | |
| EP0940483A2 (en) | Anodizing method and apparatus and semiconductor substrate manufacturing method | |
| JP2000077693A (ja) | 半導体薄膜の製造方法及び太陽電池の製造方法 | |
| US6133112A (en) | Thin film formation process | |
| JP2001023947A (ja) | 半導体基板のエッチング方法、半導体薄膜の製造方法および半導体基板保持装置 | |
| JP3667079B2 (ja) | 薄膜の形成方法 | |
| JP2002100791A (ja) | 太陽電池の製造方法 | |
| JPH11195640A (ja) | 陽極化成装置及び陽極化成処理方法及び多孔質基板 | |
| EP1385200B1 (en) | Method for making thin film devices intended for solar cells or SOI applications | |
| JPH098258A (ja) | Ｓｏｉ基板の製造方法 | |
| JPH10270670A (ja) | 薄膜半導体の製造方法 | |
| JP2000150379A (ja) | 結晶質半導体層を有する積層体の製造方法 | |
| JP4598413B2 (ja) | 貼り合わせウエーハの製造方法及び貼り合わせウエーハの酸化膜除去用治具 | |
| JP2000336499A (ja) | 基板の処理方法及び製造方法並びに陽極化成装置 | |
| JPH07211876A (ja) | 半導体基体の作成方法 | |
| JPH07335846A (ja) | Ｓｏｉ基板の製造方法 |