JP2011512687A - 非対称ウエーハのエッチング方法、非対称エッチングのウエーハを含む太陽電池、及び太陽電池の製造方法 - Google Patents
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Abstract
本発明によれば、２つのウエーハを重ねて片面エッチングまたは非対称エッチングすることによって、受光面のみ選択的にエッチングされた２つの太陽電池用ウエーハを同時に得ることができる。本発明によれば、ウエーハを片面エッチングまたは非対称エッチングする方法であって、２つのウエーハの一面が互いに対向するように重ねるステップ、及び重なった上記２つのウエーハをエッチングするステップを含むことを特徴とするウエーハエッチング方法及びこれを用いてエッチングされたウエーハを含む太陽電池が提供される。
【選択図】図６
【選択図】図６
Description
本発明は、ウエーハエッチング方法及びその方法によりエッチングされるウエーハを含む太陽電池に関し、より詳しくは、２つのウエーハを重ねて片面エッチングまたは非対称エッチングすることによって、受光面のみ選択的にエッチングされた２つの太陽電池用ウエーハを同時に得ることができるウエーハエッチング方法及びその方法によりエッチングされるウエーハを含む太陽電池に関する。
環境汚染及び資源枯渇の問題などにより無公害清浄エネルギー開発が至急な実状である。したがって、原子力、風力発電と共に太陽電池に対する関心が大きくなっている。現在、シリコン（Ｓｉ）単結晶及び多結晶基板を基盤にした太陽電池が開発されて常用化され、原材料の低減による低価の太陽電池の製作のために非晶質シリコン薄膜太陽電池及び薄膜型化合物半導体太陽電池に対する研究が活発に進行されている。
太陽電池とは、光起電力効果（Photovoltaic Effect）を用いて光エネルギーを電気エネルギーに変換させる装置であって、ｐ型半導体とｎ型半導体の接合形態を有し、太陽光により発生した電子または正孔を他の側に移動させて、電流を生成させて電気を発生させる。
このような太陽電池は、その構成物質によって、シリコン太陽電池、薄膜太陽電池、色素増感太陽電池、及び有機高分子太陽電池などに区分される。このような太陽電池は、独立的には、電子時計、ラジオ、無人灯台、人工衛星、ロケットなどの主電力源に用いられ、常用交流電源の系統と連係されて補助電力源にも用いられ、最近、代替エネルギーに対する必要性が増加するにつれて太陽電池に対する関心が高まっている。
太陽電池では、入射される太陽光を電気エネルギーに変換させる割合と関連した変換効率（Efficiency）を高めることが極めて重要である。変換効率を高めるために種々の研究が行なわれている。
本発明は、複数個のウエーハを重ねてエッチングすることによって、片面エッチングまたは非対称エッチング構造を有し、太陽電池に適用可能な複数個のウエーハを同時に得ることができるウエーハエッチング方法を提供することをその目的とする。
本発明の他の目的は、複数個のウエーハを重ねてエッチングすることによって、選択的にエッチングして不要なウエーハ後面エッチングを除去できるウエーハエッチング方法を提供することにある。
本発明の更に他の目的は、複数個のウエーハを同時に片面エッチングあるいは両面の非対称エッチングにより得られるエッチング面を受光面に用いる太陽電池を提供するものである。
上記の目的を達成するための本発明の一実施形態に係るウエーハエッチング方法は、ウエーハの片面のみを選択的にエッチングする方法、またはウエーハの両面のエッチング率を異にして非対称にエッチングする方法を含む。
上記ウエーハの片面を選択的にエッチングする方法は、２つのウエーハを間隙無しで対向する面を密着するステップと、上記密着したウエーハのうち、外部の露出面を同時にエッチングするステップと、上記密着したウエーハを分離するステップと、を含む。
上記ウエーハの両面を非対称にエッチングする方法は、複数個のウエーハを各ウエーハの間に所定の間隙を有するように重ねるステップと、上記重なったウエーハをエッチングするステップと、上記重なったウエーハを分離するステップと、を含む。
本発明の一実施形態において、上記エッチング率とは、エッチングされる割合または程度を言う。したがって、エッチング遂行時間、エッチング方法、エッチング溶液の差、エッチングが遂行される位置などを異にする場合、ウエーハ表面粗度が変わるため、ウエーハの両面に対するエッチング率の差を発生するようになる。
上記エッチング遂行時間及びエッチング方法は特別に制限されるのではない。エッチング液を用いるエッチング法の場合、そのエッチング液の組成を異にする方法が含まれることもできる。エッチングが遂行されるウエーハの位置を異にすることによって、不均一なエッチングを誘導して非対称のエッチングされた両面を有するウエーハを製造することができる。
本発明の一実施形態において、上記各ウエーハの間の間隙は、エッチング溶液が浸透できるものであって、各間隙の幅が相異することができる。
上記間隙の離隔距離は制限されず、その間隙に浸透されたエッチング溶液により分離されたウエーハの内部面がエッチングできる距離であればよい。
複数個のウエーハの間に間隙をおいてエッチングする場合、最も最側面のウエーハ面と間隙をおいて対称されるウエーハ面にエッチング溶液が浸透される程度が変わって各ウエーハ面毎に非対称的にエッチングできる。
上記複数個のウエーハは、中心線が一致するように重なるか、または各ウエーハの一部がオーバーラップされるように重ねてエッチングさせることができるが、これもまた非対称的にエッチングするための方法になることができる。
本発明の一実施形態によれば、上記各ステップは連続式または非連続式により遂行できる。
上記各ステップが連続式により遂行されるということは、一連の作業工程が連結されて遂行されるものであり、非連続式の遂行は、各ステップが繋がらず、何時でも他の工程が追加できることを意味する。
本発明の一実施形態によれば、上記ウエーハのエッチングは、湿式エッチング法、乾式エッチング法、または湿式−乾式混合エッチング法のうち、いずれか１つの方法が使用できるが、必ずこれに限定されるのではなく、公知のエッチング技術として本発明に適用できる方法により当業者に容易に理解できる技術であれば適している。
上記の目的を達成するための本発明の一実施形態に係る太陽電池は、受光面と非受光面を有するシリコン基板を含むバルク型太陽電池であって、上記受光面と非受光面の表面が互いに異なる形状の凹凸を有するようにエッチングされるシリコン基板を含む。
上記受光面に形成された凹凸は、上記非受光面に形成された凹凸より、その数、サイズ、高さ、及び形態のうち、いずれか１つ以上が異なることが特徴である。
上記凹凸の数は凹凸が表れる頻度数を意味するか、凹凸の凸部を中心にして計数された個数を意味することができる。
上記凹凸のサイズは、凹凸の凸部の外部表面積を意味するか、凹凸の凸部が占める基底面の面積を意味することができる。
上記凹凸の高さは、凹凸の凸部のうち、最も高い部分と基底面との距離を意味することができる。
上記凹凸の形態は、複数個の凹凸の相互間の外観形態を意味し、規則的または不規則な形状を含むことができる。
本発明の一実施形態によれば、上記受光面に形成された凹凸の数が上記非受光面に形成された凹凸の数より多いことがある。即ち、上記受光面の凹凸の密度が非受光面の凹凸の密度より高いことがある。
また、本発明の他の実施形態によれば、上記受光面には凹凸が形成できるが、非受光面には凹凸が形成できないことがある。
一方、上記シリコン基板の受光面の反射度は非受光面の反射度より低いことを特徴とすることができる。したがって、受光面に入射された光が外部面にまた反射されて損失される割合が低いので、光捕獲（light trapping）効果が優れる太陽電池を提供することができる。
したがって、上記本発明の一実施形態に係る太陽電池の全体構造は、上記受光面と非受光面を有するシリコン基板を中心として、上記受光面に半導体ドーパントをドーピングしたエミッタ層、反射防止層、及び前面電極が順次に備えられ、上記非受光面に裏面電界（ＢＳＦ、Back surface field）層、及び裏面電極が順次に備えられる。
上記エミッタ層は、上記シリコン基板にドーピングされた半導体ドーパントタイプと異なる導電型のドーパントでドーピングされる半導体層である。したがって、互いに異なる導電型の半導体ドーパントで各々ドーピングされたエミッタ層とシリコン基板の境界面はｐｎ接合を形成して太陽光により電子と正孔対に分離されてキャリヤを発生させるものである。
上記反射防止層は、光が入射された後、また反射されて外部に放出できないようにする光捕獲機能を有する層であって、シリコンナイトライド（ＳｉＮ）、シリコンオキサイド（ＳｉＯ２）などの物質から構成できる。
上記前面電極は銀（Ａｇ）のような金属元素からなり、前面電極の所定の一部が上記エミッタ層と接触するように構成される。前面電極はエミッタ層とシリコン基板の境界面であるｐｎ接合面から分離されるキャリヤを引き付けて電位差を形成する。
上記非受光面に形成される裏面電界層は、上記シリコン基板にドーピングされた半導体ドーパントタイプと同一な導電型のドーパントでドーピングされる半導体層であって、太陽電池に裏面電界効果を提供する。
場合によって、上記エミッタ層と裏面電界層の上には無反射と伝導度を高める機能のための透明電極層がさらに具備できる。上記透明電極層は、ＩＴＯ（Indum Tin Oxide）またはＡＺＯ（Aluminum-doped zine oxide）などで形成できる。
本発明の一実施形態に係る太陽電池の上記反射防止膜、前面電極、ＢＳＦ層、及び裏面電極は、その材質、原料、及び形成方法などが従来の公知された技術により該当分野の当業者が理解できるものを用いて構成できるので、具体的な技術は省略する。
本発明の一実施形態に係る太陽電池において、上記受光面と非受光面の表面が互いに異なる形状の凹凸を有するようにエッチングすることは、エッチング遂行時間、エッチング遂行位置、またはエッチング方法を各々異にすることによって遂行される。
本発明の一実施形態に係るバルク型太陽電池の製造方法は、シリコン基板の片面のみを選択的にエッチングするか、またはシリコン基板の両面のエッチング率を異にして非対称にエッチングするステップを含む。
一般に、バルク型太陽電池の製造方法は、シリコン基板を準備するステップ、上記シリコン基板の受光面の上にエミッタ層、反射防止層、及び前面電極を順次に形成するステップ、及び上記シリコン基板の受光面の反対面に裏面電界層、及び裏面電極を順次に形成するステップを含む。本発明の一実施形態によれば、上記シリコン基板の受光面と非受光面のいずれか１つ、あるいは両面全てにエッチングを差別的に遂行して非対称的な凹凸面を形成することにその特徴がある。
このようなバルク型太陽電池は、シリコン基板に使われるウエーハを経済的に歩留まりが高いように製造して供給できるので、これによって太陽電池の全体生産コストの面で節約できる。
本発明の一実施形態に係る太陽電池に含まれるシリコンウエーハ基板は、完全に重畳した複数個のウエーハのうち、外部露出面をエッチングして端面をエッチングすることが特徴であり、または一部あるいは全部を各ウエーハの間に間隙をおいて重ねてエッチングしてウエーハの両面を異形にエッチングすることが特徴でありうる。
上記エッチングされる形態は特別に制限されず、当業者であれば公知の技術から容易に適用できる多様なエッチング端面の形態を想定することができる。
上記エッチングされた受光面あるいは非受光面の凹凸形態は、ピラミッド形状、円柱あるいは多角柱の形状をなすことができ、規則的な配列または不規則的な配列でありうる。
上記凹凸の基底面は平たいとか、凹んでいる形状でありうる。
仮に、上記複数個のウエーハが中心点を基準にして完全に重畳した形状でなく、一部だけオーバーラップされた状態でエッチングされたとすれば、エッチング液に露出された部分に凹凸が形成されるべきである。
本発明によれば、２つのウエーハを重ねた後、エッチングを遂行することによって、片面エッチングまたは非対称エッチング構造を有する２つの太陽電池用ウエーハを同時に得ることができ、受光面のみを選択的にエッチングして、不要なウエーハ裏面エッチングを除去できることによって、作業工数を簡素化させることができ、製造コストも低減することができる。
以下、添付図面を参照しつつ本発明の実施形態を詳細に説明する。
図１乃至図３は、本発明の一実施形態に係る非対称ウエーハエッチング方法の原理を説明する図である。
まず、図１に示すように、２枚のウエーハ１００を重ねて２つのウエーハ１００の一面が互いに対向するようにする。説明の便宜のために、図面では円形のウエーハ１００を例示したが、ウエーハ１００の形態はこれに限定されるのではなく、多様な形態のウエーハ１００が利用できる。また、ウエーハ１００は２枚が重なることに限定されるのではなく、複数個のウエーハが互いに重なることもできる。一方、互いに重なった２枚のウエーハ１００は所定の構造物（図示せず）により固定されて重なった状態に維持されることもできる。
ウエーハ１００は間隙無しで完全に重なることもでき、所定距離離隔した状態で配置されることもでき、２つのウエーハ１００の間の距離は希望するエッチング形態、即ち、ウエーハ１００の片面だけをエッチングすることか、両面を全てエッチングし、かつ非対称的にエッチングすることか、または両面を同一な程度にエッチングすることかによって、適切に選択されることができ、その距離によってエッチングされる形態に対しては後述する。一方、ウエーハ１００は、図面に示すように、全部が重なることもできるが、一部だけ重なることもでき、重なる程度の差も希望するエッチング形態、即ち、ウエーハ１００の全面を全て非対称エッチングまたは対称エッチングすることか、一部だけを非対称エッチングまたは対称エッチングすることかによって適切に選択できる。
次に、図２に示すように、互いに重なったウエーハ１００に対し、エッチングを行なう。エッチングは、エッチング溶液を用いる公知のエッチング法を用いて遂行されることができ、その他、湿式エッチング、乾式エッチング、または湿式−乾式混合エッチング法等により遂行されることもできる。湿式エッチングは、単結晶シリコン基板の場合と多結晶シリコン基板の場合に、異なる方式によりなされるが、単結晶シリコン基板の場合には、塩基性溶液及び有機溶液を用いたウエーハ表面エッチングが実施されることができ、多結晶シリコン基板の場合には、酸性溶液及び有機溶液を用いたウエーハ表面エッチングが実施できる。また、酸性溶液と塩基性溶液とを混用して使用することもできる。
このようなエッチング過程を経るようになれば、エッチング溶液に露出される程度によってエッチングの程度が変わる。仮に、２つのウエーハ１００が完全に重なった後、エッチング溶液に浸るようになれば、エッチング溶液に露出されるウエーハ１００の一面だけエッチングされるようになり、互いに重なって対向する面はエッチングがなされないようになる。一方、２つのウエーハ１００が所定距離離隔した状態で配置された後、エッチング溶液に浸る場合には、エッチング溶液に完全に露出されるウエーハ１００の一面は完全にエッチングされるようになるが、互いに対向する一面は完全なエッチングがなされないようになる。したがって、各ウエーハ１００が非対称的にエッチング（異形エッチング）できるものである。一方、２つのウエーハ１００の間の距離が十分に遠ければ、各ウエーハ１００の両面は対称エッチング、即ち、同形にエッチングされることもできる。
エッチングが終わると、図３に示すように、互いに重なったウエーハ１００を分離し出す。
分離された各ウエーハ１００は互いに重なっている程度によって一面だけエッチングされている片面エッチング構造、または非対称的にエッチングされている非対称的なエッチング構造を有するようになる。
一方、複数個のウエーハ１００が対称または非対称エッチングされ、分離された後には、もう一度複数個のウエーハ１００を重ねるか、所定距離離隔させて追加的なエッチングをさらに遂行することもできる。即ち、複数個のウエーハ１００を同時にエッチングする場合には１次エッチングだけでは全てのウエーハ１００に希望する程度のエッチング構造が形成できないこともあるので、一部のウエーハ１００を取り出すとか、その配置を異にして２次エッチングをさらに遂行することもできる。このような方式により複数個のウエーハ１００を同時エッチングまたは異時エッチングすることができる。
図４は、本発明の一実施形態に従ってウエーハ１００の一面のみをエッチングする方法を示す図である。
図４に示すように、２つのウエーハ１００の間の距離を置かずに完全に重ねた後、エッチングするようになれば、ウエーハ１００が重なった面にはエッチング溶液が触れないようになって、各ウエーハ１００の一面のみエッチングされるようになる。
したがって、重なったウエーハ１００を分離するようになれば、一面のみエッチングされている片面エッチング構造を有するウエーハ１００が得られる。
一方、図５は、本発明の一実施形態に従ってウエーハ１００を非対称的にエッチングする方法を示す図である。
図５に示すように、２つのウエーハ１００を所定距離離隔した状態で重なった後、エッチングをするようになれば、互いに対向する面にもエッチングが起こるようになる。しかしながら、そのエッチング程度はウエーハ１００の両面のうち、エッチング溶液に完全に露出される面がエッチングされる程度に比べて相対的に微々であり、２つのウエーハ１００を分離した時には非対称的にエッチングされた２つのウエーハ１００が得られる。
このように、２つのウエーハを重ねた後、エッチングを遂行することによって、一面のみエッチングされたウエーハまたは非対称的にエッチングされたウエーハを得ることができ、エッチングがなされた面または相対的にたくさんエッチングされた面を受光面にして太陽電池に適用させることができる。
また、太陽電池において、太陽光の反射度を最小化するための凹凸構造が形成されているウエーハを製造する際、２つのウエーハを重ねてエッチングすることによって、一回のエッチングだけで２つの太陽電池用ウエーハを得ることができ、受光面のみを選択的にエッチングして不要なウエーハ裏面エッチングを除去できるので、作業工数が従来の技術に比べて半分に減るようになり、製造コストも低減できるようになる。
一方、このような片面エッチングまたは非対称エッチングは、非連続的工程または連続的工程によりなされることができる。
図６及び図７は、各々非連続的工程及び連続的工程を用いてウエーハを片面エッチングまたは非対称エッチングする過程を模式的に示す。
図６及び図７は全て複数個のウエーハを重ねるステップ、重なったウエーハをエッチングするステップ、及びウエーハを分離して片面エッチング構造のウエーハまたは非対称エッチング構造のウエーハを得るステップを各々非連続的及び連続的に遂行する過程を示す。
図６を参照すると、エッチングしようとする複数個のウエーハを所定の間隙を有するか、間隙無しで重畳するステップを遂行する。この際、ウエーハの中心軸を基準に完全に複数個のウエーハが重なるようにすることができるが、部分的に重畳できるようにオーバーラップして重ねることもできる。
このように重なった複数個のウエーハをエッチング溶液に浸漬してウエーハの面がテクスチャリングされるようにする。
次に、エッチング溶液から取り出して複数個のウエーハを分離した後、乾燥して工程を完成する。このような差等的なエッチング過程を経た複数個のウエーハは片面あるいは両面がテクスチャリングされた凹凸構造を有し、かつ互いに非対称的にエッチングされた形態を帯びる。
図７は、上記図６のような工程を連続して遂行する過程を示す図である。
自動工程を通じて複数個のウエーハを所定の間隔を置いて、あるいは間隙無しで重ねて移動ベルトに安着させる。
次に、上記移動ベルトは複数個の重なったウエーハをエッチング工程が遂行できる場所へ移動させた後、これらウエーハに対するエッチング工程がなされる。
次に、自動的に複数個のエッチングされたウエーハが分離され、乾燥する過程を経て、最終的に片面がエッチングされるか、あるいは両面が非対称的にエッチングされたウエーハが１つの工程を通じて複数個に生産される。
図８及び図９は、本発明の一実施形態に係るウエーハ基板を含むバルク型太陽電池の構造を示す断面図である。
バルク型太陽電池は、半導体の性質を用いて光子（photons）を電気エネルギーに変換させる太陽光電池であって、吸収された光子により生成された電子と正孔を用いることによって、光エネルギーを電気エネルギーに変換する。これらバルク型太陽電池は、多様な構造で構成できる。
特に、図８のバルク型太陽電池の構造は、ウエーハ基板２００を中心にして受光面の上にエミッタ層２１０と反射防止層２３０を順次に具備し、上記エミッタ層２１０と接続する前面電極２５０を含む。また、上記受光面の反対面である非受光面には、後面電界層２７０と後面電極２９０を形成した構造である。
図８によれば、シリコンウエーハ基板の受光面の凹凸と非受光面の凹凸は規則的なピラミッド形態であって、凹凸の頻度数または凹凸の密度が互いに相異する。
即ち、図８のシリコンウエーハ基板２００の受光面の凹凸密度が非受光面の凹凸密度より高いことが分かるが、このような非対称的なウエーハ基板の両面は上記のウエーハエッチング方法により具現できる。
図８での凹凸形態は、凸部の形状が規則的なピラミッド形態を提示したが、必ずこれに制限されるのではなく、当業者が多様な形態に適用できることは勿論である。上記凹凸の凸部パターンは、規則的または不規則的でありえる。
図９でのバルク型太陽電池の構造は、ウエーハ基板２００を中心にして不規則に凹凸が形成された受光面の上にエミッタ層２１０と反射防止層２３０を順次に具備し、上記エミッタ層２１０と接続する前面電極２５０を含む。また、上記受光面の反対面である非受光面は、表面に凹凸を有しない平面形態であり、その上には裏面電界層２７０と裏面電極２９０が形成された構造である。
図８と同様に、シリコンウエーハ基板を中心にして受光面の凹凸の密度が非受光面より高い形態の太陽電池構造である。
受光面の不規則な凹凸形態は特別に制限されず、当業者により多様なパターンや形状、頻度数、深さ、サイズに具現できる。
特に、シリコンウエーハ基板の受光面の表面部に多数のホールが形成されて凹凸の凹部分をなし、ホールとホールとの間の凸部分が凹凸の凸部分をなす。
ホールの形状は制限されず、断面から観察する時、多角柱または円柱形態、鉛筆芯形態、試験管形態、コップ形態、水瓶形態、ダイヤモンド形態などに多様に具現できる。
凹凸の凸部の間の距離は凹凸の頻度数または密度によって、小さくは１０ｎｍ乃至１０ｍｍから大きくは１００ｍｍまで距離を置いて形成できる。
凹凸の凹部分の深さは特別に制限されないが、１０ｎｍ乃至１０ｍｍの間で多様に形成できる。
以上、本発明の具体的実施形態と関連して本発明を説明したが、これは例示に過ぎないものであり、本発明はこれに制限されるのではない。当業者は本発明の範囲を逸脱することなく説明された実施形態を変更または変形することができ、このような変更または変形も本発明の範囲に属する。また、本明細書で説明した各構成要素の物質は当業者が公知された多様な物質から容易に選択して代替することができる。また、当業者は本明細書で説明された構成要素のうちの一部を性能の劣化無しで省略するか、性能を改善するために構成要素を追加することができる。だけでなく、当業者は工程環境や装備によって本明細書で説明した方法ステップの順序を変更することもできる。したがって、本発明の範囲は説明された実施形態でなく、特許請求範囲及びその均等物により決定されるべきである。
Claims (14)
- ウエーハの片面のみを選択的にエッチングするステップ、またはウエーハ両面のエッチング率を異にして非対称にエッチングするステップを含むことを特徴とするウエーハのエッチング方法。
- 前記ウエーハの片面エッチングは、
２つのウエーハを間隙無しで対向する面を密着するステップと、
前記密着したウエーハのうち、外部の露出面を同時にエッチングするステップと、
前記密着したウエーハを分離するステップと、
を含むことを特徴とする請求項１に記載のウエーハのエッチング方法。 - 前記ウエーハ両面の非対称エッチングは、
複数個のウエーハを各ウエーハの間に所定の間隙を有するように重ねるステップと、
前記重なったウエーハをエッチングするステップと、
前記重なったウエーハを分離するステップと、
を含むことを特徴とする請求項１に記載のウエーハのエッチング方法。 - 前記各ウエーハの間の間隙は、エッチング溶液が浸透できるものであって、各間隙の幅が相異することを特徴とする請求項３に記載のウエーハのエッチング方法。
- 前記複数個のウエーハは中心線が一致するように重なるか、または各ウエーハの一部がオーバーラップされるように重なることを特徴とする請求項３に記載のウエーハのエッチング方法。
- 前記各ステップは連続式または非連続式で遂行されることを特徴とする請求項２または請求項３に記載のウエーハのエッチング方法。
- 前記ウエーハのエッチングは、湿式エッチング法、乾式エッチング法、または湿式−乾式混合エッチング法のうち、いずれか１つによいなされることを特徴とする請求項１に記載のウエーハのエッチング方法。
- バルク型太陽電池であって、
受光面と非受光面を有するシリコン基板を含み、
前記受光面と非受光面の表面が互いに異なる形状の凹凸を有することを特徴とする太陽電池。 - 前記受光面に形成された凹凸は前記非受光面に形成された凹凸より、その数、サイズ、高さ、及び形態のうち、いずれか１つ以上が異なることを特徴とする請求項８に記載の太陽電池。
- 前記受光面に形成された凹凸の数が前記非受光面に形成された凹凸の数より多いことを特徴とする請求項８に記載の太陽電池。
- 前記受光面の反射度が前記非受光面の反射度より低いことを特徴とする請求項８に記載の太陽電池。
- 前記基板の受光面に半導体ドーパントをドーピングしたエミッタ層、反射防止層、前面電極を順次に含み、前記基板の非受光面に裏面電界（ＢＳＦ）層、裏面電極を順次に含むことを特徴とする請求項８に記載の太陽電池。
- 前記エッチングは、エッチング遂行時間、エッチング遂行位置、またはエッチング方法を異にしてなされることを特徴とする請求項８に記載の太陽電池。
- バルク型太陽電池の製造方法であって、
シリコン基板の片面のみを選択的にエッチングするか、またはシリコン基板の両面のエッチング率を異にして非対称にエッチングするステップを含むことを特徴とするバルク型太陽電池の製造方法。
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Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2018179656A1 (ja) * | 2017-03-31 | 2018-10-04 | 株式会社カネカ | 太陽電池、太陽電池モジュール、および、太陽電池の製造方法 |
Families Citing this family (19)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7057256B2 (en) | 2001-05-25 | 2006-06-06 | President & Fellows Of Harvard College | Silicon-based visible and near-infrared optoelectric devices |
| US7442629B2 (en) | 2004-09-24 | 2008-10-28 | President & Fellows Of Harvard College | Femtosecond laser-induced formation of submicrometer spikes on a semiconductor substrate |
| US9911781B2 (en) | 2009-09-17 | 2018-03-06 | Sionyx, Llc | Photosensitive imaging devices and associated methods |
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| TW201115749A (en) * | 2009-10-16 | 2011-05-01 | Motech Ind Inc | Surface structure of crystalline silicon solar cell and its manufacturing method |
| US8895844B2 (en) * | 2009-10-23 | 2014-11-25 | The Board Of Trustees Of The Leland Stanford Junior University | Solar cell comprising a plasmonic back reflector and method therefor |
| US8896077B2 (en) * | 2009-10-23 | 2014-11-25 | The Board Of Trustees Of The Leland Stanford Junior University | Optoelectronic semiconductor device and method of fabrication |
| JP2013527598A (ja) * | 2010-03-24 | 2013-06-27 | サイオニクス、インク． | 高められた電磁放射線検出を有するデバイス及び関連方法 |
| US8999857B2 (en) | 2010-04-02 | 2015-04-07 | The Board Of Trustees Of The Leland Stanford Junior University | Method for forming a nano-textured substrate |
| US8692198B2 (en) | 2010-04-21 | 2014-04-08 | Sionyx, Inc. | Photosensitive imaging devices and associated methods |
| WO2011160130A2 (en) | 2010-06-18 | 2011-12-22 | Sionyx, Inc | High speed photosensitive devices and associated methods |
| WO2012104997A1 (ja) * | 2011-02-01 | 2012-08-09 | 三菱電機株式会社 | 太陽電池セルとその製造方法、および太陽電池モジュール |
| US9437758B2 (en) * | 2011-02-21 | 2016-09-06 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Photoelectric conversion device |
| US9496308B2 (en) | 2011-06-09 | 2016-11-15 | Sionyx, Llc | Process module for increasing the response of backside illuminated photosensitive imagers and associated methods |
| EP2732402A2 (en) | 2011-07-13 | 2014-05-21 | Sionyx, Inc. | Biometric imaging devices and associated methods |
| US9064764B2 (en) | 2012-03-22 | 2015-06-23 | Sionyx, Inc. | Pixel isolation elements, devices, and associated methods |
| KR20150130303A (ko) | 2013-02-15 | 2015-11-23 | 사이오닉스, 아이엔씨. | 안티 블루밍 특성 및 관련 방법을 가지는 높은 동적 범위의 cmos 이미지 센서 |
| US9939251B2 (en) | 2013-03-15 | 2018-04-10 | Sionyx, Llc | Three dimensional imaging utilizing stacked imager devices and associated methods |
| US9209345B2 (en) | 2013-06-29 | 2015-12-08 | Sionyx, Inc. | Shallow trench textured regions and associated methods |
Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH03148127A (ja) * | 1989-11-02 | 1991-06-24 | Nec Yamaguchi Ltd | 半導体湿式処理装置 |
| JPH0817904A (ja) * | 1994-06-24 | 1996-01-19 | Nippon Steel Corp | ウェハキャリア |
| JPH10303443A (ja) * | 1997-04-23 | 1998-11-13 | Mitsubishi Electric Corp | 太陽電池及びその製造方法、半導体製造装置 |
| JP2001023947A (ja) * | 1999-07-05 | 2001-01-26 | Canon Inc | 半導体基板のエッチング方法、半導体薄膜の製造方法および半導体基板保持装置 |
| JP2006294752A (ja) * | 2005-04-07 | 2006-10-26 | Sharp Corp | 基板表面処理用の基板のキャリアホルダー |
Family Cites Families (14)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH05251408A (ja) * | 1992-03-06 | 1993-09-28 | Ebara Corp | 半導体ウェーハのエッチング装置 |
| CN1139997C (zh) * | 1997-03-21 | 2004-02-25 | 三洋电机株式会社 | 光电器件及其制造方法 |
| US6075202A (en) * | 1997-05-07 | 2000-06-13 | Canon Kabushiki Kaisha | Solar-cell module and process for its production, building material and method for its laying, and electricity generation system |
| KR20000061324A (ko) * | 1999-03-25 | 2000-10-16 | 김영환 | 웨이퍼 제전 방법 |
| US6399517B2 (en) * | 1999-03-30 | 2002-06-04 | Tokyo Electron Limited | Etching method and etching apparatus |
| JP3902534B2 (ja) * | 2001-11-29 | 2007-04-11 | 三洋電機株式会社 | 光起電力装置及びその製造方法 |
| DE102004013833B4 (de) * | 2003-03-17 | 2010-12-02 | Kyocera Corp. | Verfahren zur Herstellung eines Solarzellenmoduls |
| US7339110B1 (en) * | 2003-04-10 | 2008-03-04 | Sunpower Corporation | Solar cell and method of manufacture |
| US6794256B1 (en) * | 2003-08-04 | 2004-09-21 | Advanced Micro Devices Inc. | Method for asymmetric spacer formation |
| JP2006013115A (ja) * | 2004-06-25 | 2006-01-12 | Seiko Epson Corp | エッチング方法及び微細構造体の製造方法 |
| JP4646584B2 (ja) * | 2004-09-24 | 2011-03-09 | シャープ株式会社 | 太陽電池の製造方法 |
| US7820475B2 (en) * | 2005-12-21 | 2010-10-26 | Sunpower Corporation | Back side contact solar cell structures and fabrication processes |
| EP1936698A1 (en) * | 2006-12-18 | 2008-06-25 | BP Solar Espana, S.A. Unipersonal | Process for manufacturing photovoltaic cells |
| US20080230119A1 (en) * | 2007-03-22 | 2008-09-25 | Hideki Akimoto | Paste for back contact-type solar cell |
-
2008
- 2008-02-19 KR KR1020080014903A patent/KR101028085B1/ko not_active IP Right Cessation
-
2009
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-
2012
- 2012-02-07 US US13/368,018 patent/US20120135558A1/en not_active Abandoned
Patent Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH03148127A (ja) * | 1989-11-02 | 1991-06-24 | Nec Yamaguchi Ltd | 半導体湿式処理装置 |
| JPH0817904A (ja) * | 1994-06-24 | 1996-01-19 | Nippon Steel Corp | ウェハキャリア |
| JPH10303443A (ja) * | 1997-04-23 | 1998-11-13 | Mitsubishi Electric Corp | 太陽電池及びその製造方法、半導体製造装置 |
| JP2001023947A (ja) * | 1999-07-05 | 2001-01-26 | Canon Inc | 半導体基板のエッチング方法、半導体薄膜の製造方法および半導体基板保持装置 |
| JP2006294752A (ja) * | 2005-04-07 | 2006-10-26 | Sharp Corp | 基板表面処理用の基板のキャリアホルダー |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2018179656A1 (ja) * | 2017-03-31 | 2018-10-04 | 株式会社カネカ | 太陽電池、太陽電池モジュール、および、太陽電池の製造方法 |
| JPWO2018179656A1 (ja) * | 2017-03-31 | 2020-02-06 | 株式会社カネカ | 太陽電池、太陽電池モジュール、および、太陽電池の製造方法 |
| US11158748B2 (en) | 2017-03-31 | 2021-10-26 | Kaneka Corporation | Solar cell, solar cell module, and solar cell manufacturing method |
| JP7110173B2 (ja) | 2017-03-31 | 2022-08-01 | 株式会社カネカ | 太陽電池、太陽電池モジュール、および、太陽電池の製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
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|---|---|---|
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