KR101779057B1 - 기판형 태양전지 및 그 제조방법 - Google Patents

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Abstract

본 발명은, 반도체 웨이퍼로 이루어진 제1 반도체층; 상기 제1 반도체층의 일면에 형성된 제2 반도체층; 상기 제2 반도체층 상에 형성되며, 상기 제2 반도체층의 소정 영역이 노출되도록 콘택부를 구비하는 반사방지층; 상기 제1 반도체층의 타면에 형성된 제3 반도체층; 상기 제3 반도체층 상에 형성된 후면 전극; 및 상기 콘택부를 통해서 상기 제2 반도체층과 연결되어 있는 전면 전극을 포함하여 이루어지고, 이때, 상기 전면 전극과 접하는 상기 제2 반도체층의 일면에는 제1 요철구조 및 상기 제1 요철구조의 표면에 제2 요철구조가 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 기판형 태양전지, 및 그 제조방법에 관한 것으로서,
본 발명에 따르면, 제2 반도체층의 일면에 제1 요철구조 및 제2 요철구조와 같은 이중의 요철구조가 형성되어 있기 때문에, 전면 전극과 접하게 되는 제2 반도체층의 표면거칠기가 증가되고, 따라서, 제2 반도체층과 전면 전극 사이의 접착력이 증가될 수 있어 태양전지의 효율 저하가 방지될 수 있다.

Description

기판형 태양전지 및 그 제조방법{Wafer type solar cell and method for manufacturing the same}
본 발명은 태양전지(Solar Cell)에 관한 것으로서, 보다 구체적으로는 기판형 태양전지에 관한 것이다.
태양전지는 반도체의 성질을 이용하여 빛 에너지를 전기 에너지로 변환시키는 장치이다.
태양전지는 P(positive)형 반도체와 N(negative)형 반도체를 접합시킨 PN 접합 구조를 하고 있으며, 이러한 구조의 태양전지에 태양광이 입사되면, 입사된 태양광 에너지에 의해 상기 반도체 내에서 정공(hole)과 전자(electron)가 발생하고, 이때, PN접합에서 발생한 전기장에 의해서 상기 정공(+)는 P형 반도체쪽으로 이동하고 상기 전자(-)는 N형 반도체쪽으로 이동하게 되어 전위가 발생하게 됨으로써 전력을 생산할 수 있게 된다.
이와 같은 태양전지는 박막형 태양전지와 기판형 태양전지로 구분할 수 있다.
상기 박막형 태양전지는 유리 등과 같은 기판 상에 박막의 형태로 반도체를 형성하여 태양전지를 제조한 것이고, 상기 기판형 태양전지는 실리콘과 같은 반도체 물질 자체를 기판으로 이용하여 태양전지를 제조한 것이다.
상기 기판형 태양전지는 상기 박막형 태양전지에 비하여 두께가 두껍고 고가의 재료를 이용해야 하는 단점이 있지만, 전지 효율이 우수한 장점이 있다.
이하에서는 도면을 참조로 종래의 기판형 태양전지에 대해서 설명하기로 한다.
도 1은 종래의 기판형 태양전지의 개략적인 단면도이다.
도 1에서 알 수 있듯이, 종래의 기판형 태양전지는 제1 반도체층(10), 제2 반도체층(20), 반사방지층(30), 제3 반도체층(40), 후면 전극(50) 및 전면 전극(60)으로 이루어진다.
상기 제1 반도체층(10) 및 상기 제1 반도체층(10) 상에 형성되는 제2 반도체층(20)은 PN접합 구조로 이루어진다.
상기 반사방지층(30)은 상기 제2 반도체층(20)의 상면에 형성되어 입사되는 태양광의 반사를 방지하는 역할을 한다.
상기 제3 반도체층(40)은 상기 제1 반도체층(10)의 하면에 형성되어 태양광에 의해서 형성된 캐리어가 재결합하여 소멸되는 것을 방지하는 역할을 한다.
상기 후면 전극(50)은 상기 제3 반도체층(40)의 하면에 형성되어 있다.
상기 전면 전극(60)은 상기 반사방지층(30)의 상부에서부터 상기 제2 반도체층(20)까지 형성되어, 상기 제2 반도체층(20)과 연결되어 있다.
이와 같은 종래의 기판형 태양전지에 태양광이 입사되면 전자(electron) 및 정공(hole)이 생성되고, 생성된 전자는 상기 제2 반도체층(20)을 통해 전면 전극(60)으로 이동하고, 생성된 정공은 상기 제3 반도체층(40)을 통해 후면 전극(50)으로 이동하게 된다.
그러나, 이와 같은 종래의 기판형 태양전지는 다음과 같은 문제점이 있다.
상기 종래의 기판형 태양전지는 가격이 고가인 단점이 있는데, 그 원인으로 고가의 웨이퍼를 사용한다는 점 이외에 상기 후면 전극(50)과 전면 전극(60)의 재료로 상대적으로 고가인 금속 물질을 사용한다는 점을 들 수 있다.
따라서, 기판형 태양전지의 가격을 낮추기 위해서 상기 전면 전극(60)을 상대적으로 저가인 Cu를 이용하여 형성하는 방안이 고안되었고, 특히, Cu를 도금 방법으로 형성하는 방안이 고안되었다.
그러나, Cu를 이용하여 도금 방법으로 전면 전극(60)을 형성하게 되면, 상기 전면 전극(60)과 제2 반도체층(20) 사이의 접착력이 떨어져 태양전지의 효율이 떨어지는 문제점이 있다.
본 발명은 상기와 같은 종래의 문제점을 해결하기 위해 고안된 것으로서, 본 발명은 도금 방법으로 전면 전극을 형성하면서도 전면 전극과 제2 반도체층 사이의 접착력이 떨어지는 것을 방지할 수 있는 기판형 태양전지 및 그 제조방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.
본 발명은 상기 목적을 달성하기 위해서, 반도체 웨이퍼로 이루어진 제1 반도체층; 상기 제1 반도체층의 일면에 형성된 제2 반도체층; 상기 제2 반도체층 상에 형성되며, 상기 제2 반도체층의 소정 영역이 노출되도록 콘택부를 구비하는 반사방지층; 상기 제1 반도체층의 타면에 형성된 제3 반도체층; 상기 제3 반도체층 상에 형성된 후면 전극; 및 상기 콘택부를 통해서 상기 제2 반도체층과 연결되어 있는 전면 전극을 포함하여 이루어지고, 이때, 상기 전면 전극과 접하는 상기 제2 반도체층의 일면에는 제1 요철구조 및 상기 제1 요철구조의 표면에 제2 요철구조가 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 기판형 태양전지를 제공한다.
상기 제1 요철구조는 상기 제2 반도체층의 일면 전체에 형성되어 있고, 상기 제2 요철구조는 상기 제1 요철구조의 표면 전체에 형성될 수 있다.
상기 제1 요철구조는 상기 제2 반도체층의 일면 전체에 형성되어 있고, 상기 제2 요철구조는 상기 콘택부에 의해 노출되지 않은 상기 제1 요철구조의 표면에는 형성되어 있지 않을 수 있다.
상기 전면 전극은 상기 제2 반도체층 상에 형성된 Ni층 및 상기 Ni층 상에 형성된 Cu층을 포함하여 이루어질 수 있다.
상기 제2 반도체층은 상기 제1 반도체층과 극성이 상이한 반도체 웨이퍼로 이루어지고, 상기 제3 반도체층은 상기 제1 반도체층과 극성이 동일한 반도체 웨이퍼로 이루어질 수 있다.
상기 후면 전극과 접하는 제3 반도체층의 타면에는 제3 요철구조가 형성될 수 있다.
상기 제1 반도체층의 일면 및 타면에는 요철구조가 형성될 수 있다.
본 발명은 또한, 반도체 웨이퍼에 제1 식각 공정을 수행하여 상기 반도체 웨이퍼의 일면에 제1 요철구조를 형성하는 공정; 상기 반도체 웨이퍼의 일면에 제2 식각 공정을 수행하여 상기 제1 요철구조의 표면에 제2 요철구조를 형성하는 공정; 상기 제1 요철구조 및 제2 요철구조가 형성된 반도체 웨이퍼의 일면으로 소정의 도펀트를 도핑시킴으로써, 상기 도펀트가 도핑되지 않은 제1 반도체층 및 상기 도펀트가 도핑된 제2 반도체층을 형성하는 공정; 상기 제2 반도체층 상에 반사방지층을 형성하는 공정; 상기 반사방지층의 소정 영역을 제거하여 상기 반사방지층에 콘택부를 형성함으로써, 상기 콘택부에 의해 상기 제2 반도체층의 소정 영역을 노출시키는 공정; 상기 제1 반도체층의 타면에 제3 반도체층을 형성함과 더불어 상기 제3 반도체층 상에 후면 전극을 형성하는 공정; 및 상기 콘택부를 통해 상기 제2 반도체층과 연결되는 전면 전극을 형성하는 공정을 포함하여 이루어진 기판형 태양전지의 제조방법을 제공한다.
본 발명은 또한, 반도체 웨이퍼에 제1 식각 공정을 수행하여 상기 반도체 웨이퍼의 일면에 제1 요철구조를 형성하는 공정; 상기 제1 요철구조가 형성된 반도체 웨이퍼의 일면으로 소정의 도펀트를 도핑시킴으로써, 상기 도펀트가 도핑되지 않은 제1 반도체층 및 상기 도펀트가 도핑된 제2 반도체층을 형성하는 공정; 상기 제2 반도체층 상에 반사방지층을 형성하는 공정; 상기 반사방지층의 소정 영역을 제거하여 상기 반사방지층에 콘택부를 형성함으로써, 상기 콘택부에 의해 상기 제2 반도체층의 소정 영역을 노출시키는 공정; 상기 콘택부에 의해 노출된 제2 반도체층의 일면에 제2 식각 공정을 수행하여 상기 제1 요철구조의 표면에 제2 요철구조를 형성하는 공정; 상기 제1 반도체층의 타면에 제3 반도체층을 형성함과 더불어 상기 제3 반도체층 상에 후면 전극을 형성하는 공정; 및 상기 콘택부를 통해 상기 제2 반도체층과 연결되는 전면 전극을 형성하는 공정을 포함하여 이루어진 기판형 태양전지의 제조방법을 제공한다.
상기 제1 식각 공정은 습식 식각 공정으로 이루어지고, 상기 제2 식각 공정은 건식 식각 공정으로 이루어질 수 있고, 이때, 상기 건식 식각 공정은 반응성 이온 에칭 공정으로 이루어질 수 있다.
상기 전면 전극을 형성하는 공정은 도금 공정을 이용할 수 있다.
상기 전면 전극을 형성하는 공정은 상기 제2 반도체층 상에 Ni층을 형성하고 상기 Ni층 상에 Cu층을 형성하는 공정을 포함할 수 있다.
상기 제1 반도체층의 타면에 제3 반도체층을 형성함과 더불어 상기 제3 반도체층 상에 후면 전극을 형성하는 공정은, 상기 제1 반도체층의 타면에 후면 전극물질을 인쇄한 후 고온으로 열처리하는 공정으로 이루어질 수 있다.
상기 반도체 웨이퍼에 제1 식각 공정을 수행하는 공정은 상기 반도체 웨이퍼의 일면에 제1 요철구조를 형성함과 더불어 상기 반도체 웨이퍼의 타면에 제3 요철구조를 형성하는 공정으로 이루어질 수 있다.
상기와 같은 본 발명에 따르면 다음과 같은 효과가 있다.
본 발명에 따르면, 제2 반도체층의 일면에 제1 요철구조 및 제2 요철구조와 같은 이중의 요철구조가 형성되어 있기 때문에, 전면 전극과 접하게 되는 제2 반도체층의 표면거칠기가 증가되고, 따라서, 제2 반도체층과 전면 전극 사이의 접착력이 증가될 수 있어 태양전지의 효율 저하가 방지될 수 있다.
본 발명에 따르면, 전면 전극이 Ni층 및 Cu층과 같은 다층 구조로 이루어지기 때문에, Cu가 제2 반도체층으로 침투하는 것이 방지되어 태양전지의 효율 저하가 방지될 수 있다.
도 1은 종래의 기판형 태양전지의 개략적인 단면도이다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 기판형 태양전지의 개략적인 단면도이다.
도 3은 본 발명의 다른 실시예에 따른 기판형 태양전지의 개략적인 단면도이다.
도 4a 내지 도 4g는 본 발명의 일 실시예에 따른 기판형 태양전지의 제조방법을 도시한 개략적인 공정 단면도이다.
도 5a 내지 도 5g는 본 발명의 다른 실시예에 따른 기판형 태양전지의 제조방법을 도시한 개략적인 공정 단면도이다.
도 6은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 기판형 태양전지의 개략적인 단면도이다.
도 7은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 기판형 태양전지의 개략적인 단면도이다.
도 8a 내지 도 8g는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 기판형 태양전지의 제조방법을 도시한 개략적인 공정 단면도이다.
도 9a 내지 도 9g는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 기판형 태양전지의 제조방법을 도시한 개략적인 공정 단면도이다.
이하, 도면을 참조로 본 발명의 바람직한 실시예에 대해서 상세히 설명하기로 한다.
기판형 태양전지
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 기판형 태양전지의 개략적인 단면도이다.
도 2에서 알 수 있듯이, 본 발명의 일 실시예에 따른 기판형 태양전지는, 제1 반도체층(100), 제2 반도체층(200), 반사방지층(300), 제3 반도체층(400), 후면 전극(500) 및 전면 전극(600)을 포함하여 이루어진다.
상기 제1 반도체층(100)은 반도체 웨이퍼로 이루어지며, 예로서 P형 반도체 웨이퍼로 이루어질 수 있다.
상기 반도체 웨이퍼는 단결정실리콘 또는 다결정실리콘을 이용할 수 있는데, 단결정실리콘은 순도가 높고 결정결함밀도가 낮기 때문에 태양전지의 효율이 높으나 가격이 너무 높아 경제성이 떨어지는 단점이 있고, 다결정실리콘은 상대적으로 효율은 떨어지지만 저가의 재료와 공정을 이용하기 때문에 생산비가 적게 들어 대량생산에 보다 적합할 수 있다.
상기 제1 반도체층(100)의 일면, 보다 구체적으로는, 상기 제2 반도체층(200)과 접하는 상기 제1 반도체층(100)의 상면에는 요철 구조가 형성되어 있다.
상기 제2 반도체층(200)은 상기 제1 반도체층(100)의 일면, 보다 구체적으로는, 태양광이 입사되는 면에 해당하는 제1 반도체층(100)의 상면에 형성된다.
상기 제2 반도체층(200)도 반도체 웨이퍼로 이루어지며, 특히 상기 제1 반도체층(100)과 극성이 상이한 N형 반도체 웨이퍼로 이루어질 수 있다. 상기 제1 반도체층(100)이 P형 반도체 웨이퍼로 이루어진 경우, 상기 제2 반도체층(200)은 상기 P형 반도체 웨이퍼의 상면에 인(P)와 같은 N형 도펀트를 도핑시켜 형성될 수 있으며, 이에 대해서는 후술하는 제조공정을 참조하면 용이하게 이해할 수 있을 것이다.
상기 제2 반도체층(200)의 일면, 보다 구체적으로는, 상기 제2 반도체층(200)의 상면에는 이중의 요철구조가 형성되어 있다. 즉, 상기 제2 반도체층(200)의 일면에는 큰 크기의 제1 요철구조가 형성되어 있고, 상기 제1 요철구조의 표면에는 작은 크기의 제2 요철구조를 형성되어 있다.
상기 제2 반도체층(200)의 일면에 형성된 제1 요철구조는 상기 제1 반도체층(100)의 일면에 형성된 요철구조에 대응하는 큰 크기로 형성되어 있고, 상기 제2 요철구조는 상기 제1 요철구조의 산과 골의 표면 전체에 작은 크기로 형성되어 있다.
이와 같이, 본 발명의 일 실시예에 따르면, 상기 제2 반도체층(200)의 일면에 제1 요철구조 및 제2 요철구조와 같은 이중의 요철구조가 형성되어 있기 때문에, 상기 전면 전극(600)과 접하게 되는 제2 반도체층(200)의 표면거칠기가 증가되고, 결국, 상기 제2 반도체층(200)과 상기 전면 전극(600) 사이의 접착력이 증가될 수 있다.
상기 반사방지층(300)은 상기 제2 반도체층(200)의 일면에 형성되어 태양광이 반사되는 것을 방지함으로써 태양광의 흡수율을 증진시키는 역할을 한다.
상기 반사방지층(300)의 일면에는 상기 제1 요철구조에 대응하는 요철구조가 형성되어 있다. 또한, 상기 반사방지층(300)에는 소정의 콘택부(350)가 구비되어 있어, 상기 콘택부(350)에 의해서 상기 제2 반도체층(200)의 소정 영역이 노출된다.
상기 반사방지층(300)은 실리콘질화물 또는 실리콘산화물로 형성될 수 있다.
상기 제3 반도체층(400)은 상기 제1 반도체층(100)의 타면, 특히, 태양광이 입사되는 면과 반대면에 해당하는 제1 반도체층(100)의 하면에 형성되며, 이와 같은 제3 반도체층(400)은 P+형 반도체층으로 이루어질 수 있다.
상기 제3 반도체층(400)도 반도체 웨이퍼로 이루어질 수 있으며, 특히 상기 제1 반도체층(100)과 극성이 동일한 반도체 웨이퍼로 이루어질 수 있다. 예를 들어, 상기 제1 반도체층(100)이 P형 반도체 웨이퍼로 이루어진 경우, 상기 제3 반도체층(400)은 상기 P형 반도체 웨이퍼의 하면에 Al과 같은 3족 원소를 침투시킴으로써 형성된 P+형 반도체 웨이퍼로 이루어질 수 있다.
상기 후면 전극(500)은 상기 제2 반도체층(400) 상에, 구체적으로는, 상기 제2 반도체층(400)의 하면에 형성된다.
상기 후면 전극(500)은 Al, Al+Ag, Al+Mo, Al+Ni, Al+Cu, Al+Mg, Al+Mn, 또는 Al+Zn 등과 같은 금속물질로 이루어질 수 있다.
상기 후면 전극(500)은 태양광이 입사되지 않는 면에 형성되기 때문에, 도시된 바와 같이, 상기 제2 반도체층(400)의 하면 전체에 형성될 수 있다. 다만, 경우에 따라서, 반사되는 태양광이 태양전지 내부로 입사될 수 있도록 하기 위해서, 상기 후면 전극(500)을 상기 제2 반도체층(400)의 하면 전체에 형성하지 않고 소정 패턴으로 형성할 수도 있다.
상기 전면 전극(600)은 태양광이 입사되는 면에 형성되기 때문에 도시된 바와 같이 소정 패턴으로 형성된다. 특히, 상기 전면 전극(600)은 상기 반사방지층(300)에 구비된 콘택부(350)를 통해서 상기 제2 반도체층(200)과 연결되어 있다.
전술한 바와 같이, 상기 전면 전극(600)과 연결되는 상기 제2 반도체층(200)의 일면이 이중의 요철구조로 형성되어 있기 때문에, 상기 전면 전극(600)과 상기 제2 반도체층(200) 사이의 접착력이 증진될 수 있다.
상기 전면 전극(600)은 후술하는 바와 같이 전해 도금 또는 무전해 도금과 같은 도금(plating) 공정을 통해 형성될 수 있다.
상기 전면 전극(600)은 다층(multi-layer) 구조로 형성될 수 있고, 구체적으로 Ni 및 Cu의 이층 구조로 형성될 수 있다. 이와 같이, 상기 전면 전극(600)이 제2 반도체층(200) 상에 형성된 Ni층 및 상기 Ni층 상에 형성된 Cu층으로 이루어진 경우, 상기 Cu층이 제2 반도체층(200) 내부로 침투하는 것이 방지될 수 있다.
또한, 상기 전면 전극(600)은 Ni, Cu 및 Sn의 삼층 구조로 형성될 수도 있으며, 이 경우, 상기 Sn에 의해서 상기 Cu가 산화되는 것이 방지될 수 있다.
도 3은 본 발명의 다른 실시예에 따른 기판형 태양전지의 개략적인 단면도로서, 이는 제2 반도체층(200)의 일면에 형성된 요철구조가 변경된 것을 제외하고 전술한 도 2에 도시한 본 발명의 일 실시예에 따른 기판형 태양전지와 동일하다. 따라서, 동일한 구성에 대해서는 동일한 도면부호를 부여하였고, 이하에서는 상이한 구성에 대해서만 설명하기로 한다.
도 3에서 알 수 있듯이, 본 발명의 다른 실시예에 따른 기판형 태양전지는, 제1 반도체층(100), 제2 반도체층(200), 반사방지층(300), 제3 반도체층(400), 후면 전극(500) 및 전면 전극(600)을 포함하여 이루어진다.
이때, 상기 전면 전극(600)과 접하는 상기 제2 반도체층(200)의 일면은 이중의 요철구조로 형성되어 있는 반면에, 상기 전면 전극(600)과 접하지 않는 상기 제2 반도체층(200)의 일면은 이중의 요철구조로 형성되어 있지 않다.
즉, 상기 제2 반도체층(200)의 일면 전체에는 상대적으로 큰 크기의 제1 요철구조가 형성되어 있고, 이와 같은 제1 요철구조의 표면 중에서, 상기 콘택부(350)에 의해 노출된 제1 요철구조의 표면에는 상대적으로 작은 크기의 제2 요철구조가 형성되어 있는 반면에, 상기 콘택부(350)에 의해 노출되지 않은 제1 요철구조의 표면에는 상기 제2 요철구조가 형성되어 있지 않다.
도 6은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 기판형 태양전지의 개략적인 단면도로서, 이는 전술한 도 2에 도시한 기판형 태양전지에서, 제3 반도체층(400)의 타면에 제3 요철구조가 추가로 형성된 것이다. 따라서, 동일한 구성에 대해서는 동일한 도면부호를 부여하였고, 이하에서는 상이한 구성에 대해서만 설명하기로 한다.
도 6에서 알 수 있듯이, 본 발명의 또 다른 실시예에 따르면, 상기 제1 반도체층(100)의 타면, 보다 구체적으로는 상기 제1 반도체층(100)의 하면에 요철구조가 형성되어 있고, 또한, 상기 제3 반도체층(400)의 타면, 보다 구체적으로는 상기 제3 반도체층(400)의 하면에 제3 요철구조가 추가로 형성되어 있다.
상기 제3 반도체층(400)에 형성된 제3 요철구조는 상기 제2 반도체층(200)에 형성된 제1 요철구조와 동일할 수도 있고, 상이할 수도 있다.
한편, 상기 제3 반도체층(400)의 아래에 형성되는 후면 전극(500)의 타면도 요철구조로 형성되어 있지만, 상기 후면 전극(500)의 타면이 반드시 요철구조로 형성되는 것은 아니다.
도 7은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 기판형 태양전지의 개략적인 단면도로서, 이는 전술한 도 3에 도시한 기판형 태양전지에서, 제3 반도체층(400)의 타면에 제3 요철구조가 추가로 형성된 것이다. 따라서, 동일한 구성에 대해서는 동일한 도면부호를 부여하였고, 이하에서는 상이한 구성에 대해서만 설명하기로 한다.
도 7에서 알 수 있듯이, 본 발명의 또 다른 실시예에 따르면, 상기 제1 반도체층(100)의 타면, 보다 구체적으로는 상기 제1 반도체층(100)의 하면에 요철구조가 형성되어 있고, 또한, 상기 제3 반도체층(400)의 타면, 보다 구체적으로는 상기 제3 반도체층(400)의 하면에 제3 요철구조가 추가로 형성되어 있다.
상기 제3 반도체층(400)에 형성된 제3 요철구조는 상기 제2 반도체층(200)에 형성된 제1 요철구조와 동일할 수도 있고, 상이할 수도 있다.
한편, 상기 제3 반도체층(400)의 아래에 형성되는 후면 전극(500)의 타면도 요철구조로 형성되어 있지만, 상기 후면 전극(500)의 타면이 반드시 요철구조로 형성되는 것은 아니다.
기판형 태양전지의 제조방법
도 4a 내지 도 4h는 본 발명의 일 실시예에 따른 기판형 태양전지의 제조방법을 도시한 개략적인 공정 단면도로서, 이는 도 2에 도시한 본 발명의 일 실시예에 따른 기판형 태양전지의 제조방법에 관한 것이다.
우선, 도 4a에서 알 수 있듯이, 반도체 웨이퍼(100a)의 일면에 제1 식각 공정을 수행하여 상기 반도체 웨이퍼(100a)의 일면에 제1 요철구조를 형성한다.
상기 반도체 웨이퍼(100a)의 일면에 제1 요철구조를 형성하는 공정은, P형 반도체 웨이퍼(100a)를 준비한 후, 상기 반도체 웨이퍼(100a)의 일면에 대해서 습식 식각 공정을 수행하는 공정을 포함하여 이루어질 수 있다.
상기 습식 식각 공정은 당업계에 공지된 알칼리액 또는 산액을 이용하여 수행할 수 있다.
다음, 도 4b에서 알 수 있듯이, 상기 반도체 웨이퍼(100a)의 일면에 제2 식각 공정을 수행하여 상기 제1 요철구조의 표면에 제2 요철구조를 형성한다.
상기 제1 요철구조의 표면에 제2 요철구조를 형성하는 공정은, 상기 제1 요철구조의 표면에 대해서 건식 식각 공정, 특히 반응성 이온 에칭법(Reactive Ion Etching:RIE)을 수행하는 공정을 포함하여 이루어질 수 있다.
상기 반응성 이온 에칭 공정은 CF6, O2, 및 Cl2의 혼합물을 주 가스로 이용하여 소정의 압력 범위에서 소정의 RF전력을 인가하여 수행할 수 있다.
다음, 도 4c에서 알 수 있듯이, 상기 제1 요철구조 및 제2 요철구조가 형성된 반도체 웨이퍼(100a)의 일면으로 소정의 도펀트를 도핑시킴으로써, 제1 반도체층(100) 및 제2 반도체층(200)을 형성한다.
상기 반도체 웨이퍼(100a)의 일면으로 소정의 도펀트, 예를 들어 N형 도펀트를 도핑시킴으로써 N형 도펀트가 도핑된 제2 반도체층(200)을 형성할 수 있고, 이때, 도펀트가 도핑되지 않은 반도체 웨이퍼(100a)의 소정 부분이 제1 반도체층(100)을 구성하게 된다. 따라서, 상기 제1 반도체층(100)의 일면 상에 제2 반도체층(200)이 형성된다.
상기 도펀트를 도핑하는 공정은 고온확산법 또는 플라즈마 이온도핑법을 이용하여 수행할 수 있다.
상기 고온확산법을 이용하여 N형 도펀트를 도핑하는 공정은, 상기 반도체 웨이퍼(100a)를 대략 800℃이상의 고온의 확산로에 안치시킨 상태에서 POCl3 또는 PH3 등과 같은 N형 도펀트 가스를 공급하여 N형 도펀트를 상기 반도체 웨이퍼(100a)의 표면으로 확산시키는 공정으로 이루어질 수 있다.
상기 플라즈마 이온도핑법을 이용하여 N형 도펀트를 도핑하는 공정은, 상기 반도체 웨이퍼(100a)를 플라즈마 발생장치에 안치시킨 상태에서 POCl3 또는 PH3 등과 같은 N형 도펀트 가스를 공급하면서 플라즈마를 발생시키는 공정으로 이루어질 수 있다. 이와 같이 플라즈마를 발생시키면 플라즈마 내부의 인(P) 이온이 RF전기장에 의해 가속되어 상기 반도체 웨이퍼(100a)의 일면으로 입사하여 이온 도핑된다.
상기 플라즈마 이온도핑 공정 후에는 적절한 온도로 가열하는 어닐링 공정을 수행하는 것이 바람직하다. 그 이유는 상기 어닐링 공정을 수행하지 않을 경우에는 도핑된 이온이 단순한 불순물로 작용할 수 있지만, 상기 어닐링 공정을 수행하게 되면 도핑된 이온이 Si와 결합하여 활성화되기 때문이다.
한편, 상기 도펀트를 도핑하는 공정은 고온에서 수행되기 때문에, 상기 도펀트를 도핑하는 공정을 수행하면 웨이퍼의 표면에 PSG(Phosphor-Silicate Glass)와 같은 부산물이 형성될 수 있다. 상기 PSG는 태양전지에서 전류를 차폐시키는 문제를 야기하기 때문에 태양전지의 효율을 높이기 위해서는 식각용액 등을 이용하여 상기 PSG를 제거하는 것이 바람직하다.
다음, 도 4d에서 알 수 있듯이, 상기 제2 반도체층(200) 상에 반사방지층(300)을 형성한다.
상기 반사방지층(300)은 플라즈마 CVD법을 이용하여 실리콘질화물 또는 실리콘산화물로 형성할 수 있다.
다음, 도 4e에서 알 수 있듯이, 상기 반사방지층(300)의 소정 영역을 제거하여 상기 반사방지층(300)에 콘택부(350)를 형성한다. 그리하면, 상기 콘택부(350)에 의해서 상기 제2 반도체층(200)의 소정 영역이 외부로 노출된다.
다음, 도 4f에서 알 수 있듯이, 상기 제1 반도체층(100)의 타면 상에 제3 반도체층(400)을 형성함과 더불어 상기 제3 반도체층(400) 상에 후면 전극(500)을 형성한다.
상기 제3 반도체층(400) 및 후면 전극(500)을 형성하는 공정은, 상기 제1 반도체층(100)의 타면에 후면 전극물질을 형성한 후 고온으로 열처리(firing)하는 공정으로 이루어질 수 있다. 즉, 상기 제1 반도체층(100)의 타면에 후면 전극물질을 형성한 후 예로서 850℃ 이상의 고온으로 열처리를 하게 되면, 상기 후면 전극물질이 상기 제1 반도체층(100)의 타면으로 침투하여 P+층으로 기능하는 제3 반도체층(400)을 구성할 수 있다.
여기서, 상기 후면 전극물질을 형성하는 공정은 Al, Al+Ag, Al+Mo, Al+Ni, Al+Cu, Al+Mg, Al+Mn, 또는 Al+Zn 등과 같은 금속물질을 스크린 인쇄법(screen printing), 잉크젯 인쇄법(inkjet printing), 그라비아 인쇄법(gravure printing) 또는 미세접촉 인쇄법(microcontact printing) 등과 같은 인쇄법을 이용하여 수행할 수 있다.
다만, 상기 제1 반도체층(100)의 타면 상에 제3 반도체층(400)을 별도로 형성하고, 그 후에 상기 제3 반도체층(400) 상에 후면 전극(500)을 형성하는 것도 가능하다.
다음, 도 4g에서 알 수 있듯이, 상기 콘택부(350)를 통해 상기 제2 반도체층(200)과 연결되는 전면 전극(600)을 형성한다.
상기 전면 전극(600)은 전해 도금 또는 무전해 도금과 같은 도금(plating) 공정을 통해 형성할 수 있다.
상기 전면 전극(600)은 다층(multi-layer) 구조로 형성할 수 있고, 구체적으로 Ni 및 Cu의 이층 구조로 형성할 수 있다. 즉, 상기 제2 반도체층(200) 상에 Ni을 먼저 형성하고 그 후 상기 Ni 상에 Cu를 형성함으로써, 상기 Cu가 제2 반도체층(200) 내부로 침투하는 것을 방지할 수 있다.
또한, 상기 Cu 상에 Sn을 추가로 형성함으로써, 상기 Cu가 산화되는 것을 방지할 수 있다. 즉, 상기 전면 전극(600)을 Ni, Cu, 및 Sn의 삼층 구조로 형성할 수도 있다.
도 5a 내지 도 5g는 본 발명의 다른 실시예에 따른 기판형 태양전지의 제조방법을 도시한 개략적인 공정 단면도로서, 이는 도 3에 도시한 본 발명의 다른 실시예에 따른 기판형 태양전지의 제조방법에 관한 것이다.
우선, 도 5a에서 알 수 있듯이, 반도체 웨이퍼(100a)의 일면에 제1 식각 공정을 수행하여 상기 반도체 웨이퍼(100a)의 일면에 제1 요철구조를 형성한다.
상기 반도체 웨이퍼(100a)의 일면에 제1 요철구조를 형성하는 공정은, P형 또는 N형 반도체 웨이퍼(100a)를 준비한 후, 상기 반도체 웨이퍼(100a)의 일면에 대해서 전술한 바와 같은 습식 식각 공정을 수행하는 공정을 포함하여 이루어질 수 있다.
다음, 도 5b에서 알 수 있듯이, 상기 제1 요철구조가 형성된 반도체 웨이퍼(100a)의 일면으로 소정의 도펀트를 도핑시킴으로써, 제1 반도체층(100) 및 제2 반도체층(200)을 형성한다.
상기 반도체 웨이퍼(100a)의 일면으로 소정의 도펀트, 예를 들어 N형 도펀트를 도핑시킴으로써 제2 반도체층(200)을 형성할 수 있고, 이때, 도펀트가 도핑되지 않은 반도체 웨이퍼(100a)의 소정 부분이 제1 반도체층(100)을 구성하게 된다. 따라서, 상기 제1 반도체층(100)의 일면 상에 제2 반도체층(200)이 형성된다.
상기 도펀트를 도핑하는 공정은 고온확산법 또는 플라즈마 이온도핑법을 이용하여 수행할 수 있으며, 그에 대한 구체적인 설명은 전술한 바와 동일하므로 생략하기로 한다.
다음, 도 5c에서 알 수 있듯이, 상기 제2 반도체층(200) 상에 반사방지층(300)을 형성한다.
상기 반사방지층(300)은 플라즈마 CVD법을 이용하여 실리콘질화물 또는 실리콘산화물로 형성할 수 있다.
다음, 도 5d에서 알 수 있듯이, 상기 반사방지층(300)의 소정 영역을 제거하여 상기 반사방지층(300)에 콘택부(350)를 형성한다. 그리하면, 상기 콘택부(350)에 의해서 상기 제2 반도체층(200)의 소정 영역이 외부로 노출된다.
다음, 도 5e에서 알 수 있듯이, 상기 콘택부(350)에 의해 노출된 제2 반도체층(200)의 일면에 제2 식각 공정을 수행하여, 상기 제2 반도체층(200)의 제1 요철구조의 표면에 제2 요철구조를 형성한다.
따라서, 상기 제2 반도체층(200)의 일면에 형성된 제1 요철구조의 표면 중에서, 상기 콘택부(350)에 의해 노출된 제1 요철구조의 표면에는 이중 요철구조가 형성되는 반면에, 상기 콘택부(350)에 의해 노출되지 않은 제1 요철구조의 표면에는 이중 요철구조가 형성되지 않는다.
상기 제1 요철구조의 표면에 제2 요철구조를 형성하는 공정은, 건식 식각 공정, 특히 반응성 이온 에칭법(Reactive Ion Etching:RIE)을 수행하는 공정을 포함하여 이루어질 수 있으며, 그에 대한 구체적인 설명은 전술한 바와 동일하므로 생략하기로 한다.
다음, 도 5f에서 알 수 있듯이, 상기 제1 반도체층(100)의 타면 상에 제3 반도체층(400)을 형성함과 더불어 상기 제3 반도체층(400) 상에 후면 전극(500)을 형성한다.
상기 제3 반도체층(400) 및 후면 전극(500)을 형성하는 공정은, 전술한 바와 같이 상기 제1 반도체층(100)의 타면 상에 후면 전극물질을 형성한 후 고온으로 열처리(firing)하는 공정으로 이루어질 수도 있고, 상기 제1 반도체층(100)의 타면 상에 제3 반도체층(400)을 별도로 형성하고 그 후에 상기 제3 반도체층(400) 상에 후면 전극(500)을 형성할 수도 있다.
다음, 도 5g에서 알 수 있듯이, 상기 콘택부(350)를 통해 상기 제2 반도체층(200)과 연결되는 전면 전극(600)을 형성한다.
상기 전면 전극(600)은 전해 도금 또는 무전해 도금과 같은 도금(plating) 공정을 통해서 형성할 수 있고, 또한, 다층(multi-layer) 구조로 형성할 수 있음은 전술한 바와 동일하다.
도 8a 내지 도 8g는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 기판형 태양전지의 제조방법을 도시한 개략적인 공정 단면도로서, 이는 도 6에 도시한 기판형 태양전지의 제조방법에 관한 것이다. 전술한 실시예와 동일한 구성에 대한 반복 설명은 생략하기로 한다.
우선, 도 8a에서 알 수 있듯이, 반도체 웨이퍼(100a)에 제1 식각 공정을 수행하여 상기 반도체 웨이퍼(100a)의 일면에 제1 요철구조를 형성함과 더불어 상기 반도체 웨이퍼(100a)의 타면에 제3 요철구조를 형성한다.
상기 반도체 웨이퍼(100a)의 일면에 제1 요철구조를 형성함과 더불어 상기 반도체 웨이퍼(100a)의 타면에 제3 요철구조를 형성하는 공정은, P형 반도체 웨이퍼(100a)를 준비한 후, 상기 반도체 웨이퍼(100a)의 일면 및 타면에 대해서 동시에 습식 식각 공정을 수행하는 공정을 포함하여 이루어질 수 있다.
다만, 반드시 그에 한정되는 것은 아니고, 상기 반도체 웨이퍼(100a)의 일면은 습식 식각 공정을 통해 제1 요철구조를 형성하고, 상기 반도체 웨이퍼(100b)의 타면은 건식 식각 공정을 통해 제3 요철구조를 형성하는 것도 가능하다.
다음, 도 8b에서 알 수 있듯이, 상기 반도체 웨이퍼(100a)의 일면에 제2 식각 공정을 수행하여 상기 제1 요철구조의 표면에 제2 요철구조를 형성한다.
다음, 도 8c에서 알 수 있듯이, 상기 제1 요철구조 및 제2 요철구조가 형성된 반도체 웨이퍼(100a)의 일면으로 소정의 도펀트를 도핑시킴으로써, 제1 반도체층(100) 및 제2 반도체층(200)을 형성한다.
다음, 도 8d에서 알 수 있듯이, 상기 제2 반도체층(200) 상에 반사방지층(300)을 형성한다.
다음, 도 8e에서 알 수 있듯이, 상기 반사방지층(300)의 소정 영역을 제거하여 상기 반사방지층(300)에 콘택부(350)를 형성한다. 그리하면, 상기 콘택부(350)에 의해서 상기 제2 반도체층(200)의 소정 영역이 외부로 노출된다.
다음, 도 8f에서 알 수 있듯이, 상기 제1 반도체층(100)의 타면 상에 제3 반도체층(400)을 형성함과 더불어 상기 제3 반도체층(400) 상에 후면 전극(500)을 형성한다.
전술한 바와 같이, 상기 제1 반도체층(100)의 타면에 후면 전극물질을 형성한 후 고온으로 열처리(firing)하여 제3 반도체층(400) 및 후면 전극(500)을 형성할 수 있으며, 이 경우, 상기 제3 반도체층(400)의 하면이 제3 요철구조로 형성된다.
다음, 도 8g에서 알 수 있듯이, 상기 콘택부(350)를 통해 상기 제2 반도체층(200)과 연결되는 전면 전극(600)을 형성한다.
도 9a 내지 도 9g는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 기판형 태양전지의 제조방법을 도시한 개략적인 공정 단면도로서, 이는 도 7에 도시한 기판형 태양전지의 제조방법에 관한 것이다. 전술한 실시예와 동일한 구성에 대한 반복 설명은 생략하기로 한다.
우선, 도 9a에서 알 수 있듯이, 반도체 웨이퍼(100a)에 제1 식각 공정을 수행하여 상기 반도체 웨이퍼(100a)의 일면에 제1 요철구조를 형성함과 더불어 상기 반도체 웨이퍼(100a)의 타면에 제3 요철구조를 형성한다.
상기 반도체 웨이퍼(100a)의 일면에 제1 요철구조를 형성함과 더불어 상기 반도체 웨이퍼(100a)의 타면에 제3 요철구조를 형성하는 공정은, P형 반도체 웨이퍼(100a)를 준비한 후, 상기 반도체 웨이퍼(100a)의 일면 및 타면에 대해서 동시에 습식 식각 공정을 수행하는 공정을 포함하여 이루어질 수 있다.
다만, 반드시 그에 한정되는 것은 아니고, 상기 반도체 웨이퍼(100a)의 일면은 습식 식각 공정을 통해 제1 요철구조를 형성하고, 상기 반도체 웨이퍼(100b)의 타면은 건식 식각 공정을 통해 제3 요철구조를 형성하는 것도 가능하다.
다음, 도 9b에서 알 수 있듯이, 상기 제1 요철구조가 형성된 반도체 웨이퍼(100a)의 일면으로 소정의 도펀트를 도핑시킴으로써, 제1 반도체층(100) 및 제2 반도체층(200)을 형성한다.
다음, 도 9c에서 알 수 있듯이, 상기 제2 반도체층(200) 상에 반사방지층(300)을 형성한다.
다음, 도 9d에서 알 수 있듯이, 상기 반사방지층(300)의 소정 영역을 제거하여 상기 반사방지층(300)에 콘택부(350)를 형성한다. 그리하면, 상기 콘택부(350)에 의해서 상기 제2 반도체층(200)의 소정 영역이 외부로 노출된다.
다음, 도 9e에서 알 수 있듯이, 상기 콘택부(350)에 의해 노출된 제2 반도체층(200)의 일면에 제2 식각 공정을 수행하여, 상기 제2 반도체층(200)의 제1 요철구조의 표면에 제2 요철구조를 형성한다.
다음, 도 9f에서 알 수 있듯이, 상기 제1 반도체층(100)의 타면 상에 제3 반도체층(400)을 형성함과 더불어 상기 제3 반도체층(400) 상에 후면 전극(500)을 형성한다.
전술한 바와 같이, 상기 제1 반도체층(100)의 타면에 후면 전극물질을 형성한 후 고온으로 열처리(firing)하여 제3 반도체층(400) 및 후면 전극(500)을 형성할 수 있으며, 이 경우, 상기 제3 반도체층(400)의 하면이 제3 요철구조로 형성된다.
다음, 도 9g에서 알 수 있듯이, 상기 콘택부(350)를 통해 상기 제2 반도체층(200)과 연결되는 전면 전극(600)을 형성한다.
이상은 상기 제1 반도체층(100)은 P형 반도체로 이루어지고, 상기 제2 반도체층(200)은 N형 반도체로 이루어지고, 상기 제3 반도체층(400)은 P+형 반도체로 이루어진 것에 대해서 설명하였지만, 본 발명에 따른 태양전지가 반드시 그에 한정되는 것은 아니고, 상기 제1 반도체층(100)은 N형 반도체로 이루어지고, 상기 제2 반도체층(200)은 P형 반도체로 이루어지고, 상기 제3 반도체층(400)은 N+형 반도체로 이루어질 수도 있다.
100a: 반도체 웨이퍼 100: 제1 반도체층
200: 제2 반도체층 300: 반사방지층
350: 콘택부 400: 제3 반도체층
500: 후면 전극 600: 전면 전극

Claims (16)

  1. 반도체 웨이퍼로 이루어진 제1 반도체층;
    상기 제1 반도체층의 일면에 형성된 제2 반도체층;
    상기 제2 반도체층 상에 형성되며, 상기 제2 반도체층의 소정 영역이 노출되도록 콘택부를 구비하는 반사방지층;
    상기 제1 반도체층의 타면에 형성된 제3 반도체층;
    상기 제3 반도체층 상에 형성된 후면 전극; 및
    상기 콘택부를 통해서 상기 제2 반도체층과 연결되어 있는 전면 전극을 포함하여 이루어지고,
    상기 전면 전극은 상기 제2 반도체층 상에 형성된 Ni층 및 상기 Ni층 상에 형성된 Cu층을 포함하여 이루어지며,
    이때, 상기 전면 전극과 접하는 상기 제2 반도체층의 일면에는 제1 요철구조 및 상기 제1 요철구조의 표면에 제2 요철구조가 형성되어 있고, 상기 제1 요철구조의 크기가 상기 제2 요철구조의 크기보다 큰 것을 특징으로 하는 기판형 태양전지.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 제1 요철구조는 상기 제2 반도체층의 일면 전체에 형성되어 있고, 상기 제2 요철구조는 상기 제1 요철구조의 표면 전체에 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 기판형 태양전지.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 제1 요철구조는 상기 제2 반도체층의 일면 전체에 형성되어 있고, 상기 제2 요철구조는 상기 콘택부에 의해 노출되지 않은 상기 제1 요철구조의 표면에는 형성되어 있지 않은 것을 특징으로 하는 기판형 태양전지.
  4. 삭제
  5. 삭제
  6. 제1항에 있어서,
    상기 후면 전극과 접하는 제3 반도체층의 타면에는 제3 요철구조가 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 기판형 태양전지.
  7. 제1항에 있어서,
    상기 제1 반도체층의 일면 및 타면에는 요철구조가 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 기판형 태양전지.
  8. 반도체 웨이퍼에 제1 식각 공정을 수행하여 상기 반도체 웨이퍼의 일면에 제1 요철구조를 형성하는 공정;
    상기 반도체 웨이퍼의 일면에 제2 식각 공정을 수행하여 상기 제1 요철구조의 표면에 제2 요철구조를 형성하는 공정;
    상기 제1 요철구조 및 제2 요철구조가 형성된 반도체 웨이퍼의 일면으로 소정의 도펀트를 도핑시킴으로써, 상기 도펀트가 도핑되지 않은 제1 반도체층 및 상기 도펀트가 도핑된 제2 반도체층을 형성하는 공정;
    상기 제2 반도체층 상에 반사방지층을 형성하는 공정;
    상기 반사방지층의 소정 영역을 제거하여 상기 반사방지층에 콘택부를 형성함으로써, 상기 콘택부에 의해 상기 제2 반도체층의 소정 영역을 노출시키는 공정;
    상기 제1 반도체층의 타면에 제3 반도체층을 형성함과 더불어 상기 제3 반도체층 상에 후면 전극을 형성하는 공정; 및
    상기 콘택부를 통해 상기 제2 반도체층과 연결되는 전면 전극을 형성하는 공정을 포함하고, 상기 전면 전극은 상기 제2 반도체층 상에 Ni층을 형성하는 공정 및 상기 Ni층 상에 Cu층을 형성하는 공정을 포함하며,
    상기 제1 요철구조의 크기가 상기 제2 요철구조의 크기보다 큰 것을 특징으로 하는 기판형 태양전지의 제조방법.
  9. 반도체 웨이퍼에 제1 식각 공정을 수행하여 상기 반도체 웨이퍼의 일면에 제1 요철구조를 형성하는 공정;
    상기 제1 요철구조가 형성된 반도체 웨이퍼의 일면으로 소정의 도펀트를 도핑시킴으로써, 상기 도펀트가 도핑되지 않은 제1 반도체층 및 상기 도펀트가 도핑된 제2 반도체층을 형성하는 공정;
    상기 제2 반도체층 상에 반사방지층을 형성하는 공정;
    상기 반사방지층의 소정 영역을 제거하여 상기 반사방지층에 콘택부를 형성함으로써, 상기 콘택부에 의해 상기 제2 반도체층의 소정 영역을 노출시키는 공정;
    상기 콘택부에 의해 노출된 제2 반도체층의 일면에 제2 식각 공정을 수행하여 상기 제1 요철구조의 표면에 제2 요철구조를 형성하는 공정;
    상기 제1 반도체층의 타면에 제3 반도체층을 형성함과 더불어 상기 제3 반도체층 상에 후면 전극을 형성하는 공정; 및
    상기 콘택부를 통해 상기 제2 반도체층과 연결되는 전면 전극을 형성하는 공정을 포함하여 이루어지고, 상기 전면 전극은 상기 제2 반도체층 상에 Ni층을 형성하는 공정 및 상기 Ni층 상에 Cu층을 형성하는 공정을 포함하며,
    상기 제1 요철구조의 크기가 상기 제2 요철구조의 크기보다 큰 것을 특징으로 하는 기판형 태양전지의 제조방법.
  10. 제8항 또는 제9항에 있어서,
    상기 제1 식각 공정은 습식 식각 공정으로 이루어지고, 상기 제2 식각 공정은 건식 식각 공정으로 이루어진 것을 특징으로 하는 기판형 태양전지의 제조방법.
  11. 제10항에 있어서,
    상기 건식 식각 공정은 반응성 이온 에칭 공정으로 이루어진 것을 특징으로 하는 기판형 태양전지의 제조방법.
  12. 제8항 또는 제9항에 있어서,
    상기 전면 전극을 형성하는 공정은 도금 공정을 이용하는 것을 특징으로 하는 기판형 태양전지의 제조방법.
  13. 제8항 또는 제9항에 있어서,
    상기 전면 전극을 형성하는 공정은 상기 제2 반도체층 상에 Ni층을 형성하고 상기 Ni층 상에 Cu층을 형성하는 공정을 포함하는 것을 특징으로 하는 기판형 태양전지의 제조방법.
  14. 제8항 또는 제9항에 있어서,
    상기 반도체 웨이퍼에 제1 식각 공정을 수행하는 공정은 상기 반도체 웨이퍼의 일면에 제1 요철구조를 형성함과 더불어 상기 반도체 웨이퍼의 타면에 제3 요철구조를 형성하는 공정으로 이루어진 것을 특징으로 하는 기판형 태양전지의 제조방법.
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