JP2011046565A - 単結晶シリコンインゴット、単結晶シリコンウェハ、単結晶シリコン太陽電池セル、および単結晶シリコンインゴットの製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】ドーパントを含有するシリコン融液から単結晶インゴットを引き上げるチョクラルスキー法によって製造された単結晶シリコンインゴットであって、該単結晶シリコンインゴットは円柱状であり、一平面の抵抗率が20Ω・cm以上40Ω・cm以下であり、他方の平面の抵抗率が8Ω・cm以上10Ω・cm以下であることを特徴とする。単結晶シリコンインゴットの抵抗率が8〜10Ω・cmを境として、それ以上の高抵抗率の範囲では短絡電流密度Jscにほとんど変化がなく、±3%以内の変動に収まる。一方、上記境目より低抵抗率の場合には、ヘッド部の抵抗率の低下とともに短絡電流密度も低下し、変動(バラつき)も増加する。
【選択図】図5
Description
Cs=k×CL
となる。つまりk<1の時、融液中には不純物が濃縮されることになり、単結晶シリコンの長さ方向(引上げ時の鉛直方向)において濃度分布を生じることが知られている。
Cs=k×C0×(1−g)k-1…(1)
式(1)中、C0は融液の初期濃度である。
さらに本発明は、単結晶シリコンインゴットの製造方法に関し、リンをドーパントとして含有するシリコン融液からn型単結晶インゴットを引き上げるチョクラルスキー法による単結晶シリコンインゴットの製造方法であって、上記ドーパントの濃度を調整することによって単結晶シリコンインゴットのヘッド部における抵抗率を20Ω・cm以上40Ω・cm以下、テール部の抵抗率を8Ω・cm以上とすることを特徴とする。
シリコン基板201は、インゴットがスライスされた際のダメージ層を除去するため、片面10μm〜30μm程度表面をフッ酸と硝酸の混酸もしくは水酸化ナトリウムなどのアルカリ溶液でエッチングしたものを用いる。
図1に示すようなCz法による単結晶シリコンインゴット製造において、原料シリコンに添加するドーパント(本実施例においてはリン)の濃度を調整し、ヘッド部における抵抗率が、40Ω・cm(実施例1)、20Ω・cm(実施例2)、10Ω・cm(比較例1)となるn型単結晶シリコンインゴットを得た。濃度の調整は、原料シリコンに添加するドーパントの投入量(1.6×1019cm-3の高濃度のリンを含むシリコン)が1.2gの場合に40Ω・cmとなり、2.3gの場合に20Ω・cmとなり、4.7gの場合に10Ω・cmとなる。このようなヘッド部における抵抗率は、ある一定の直径を有するネックおよび本体部分とクラウンの長さのインゴットの場合、上記のようなドーパントの濃度の調整で変更することができる。
n型のシリコン基板201片面に常圧CVD法により拡散マスク(図示しない)となる酸化珪素膜を250nm形成した。この拡散マスク上に酸性薬品に耐性のあるレジスト(図示しない)を塗布するような一般的なフォトリソグラフィ技術によってパターンエッチングし、拡散マスクが無く露出している部分にPOCl3を拡散源としたリンを拡散しn+型拡散領域202を形成した。このとき、n+型拡散領域202の幅は300μmとした。そして、n型ドーパント拡散後に形成されたPSG(リンシリケートグラス)と拡散マスクをフッ酸処理により除去した。
下記のn型シリコン基板を用い、実施例1と同様の方法により図3に示す裏面接合型の太陽電池セルを作製した。単結晶シリコンインゴットはリンをドーパントとし、収率は同等となる物を用意した。なお、酸素濃度Oiの測定にはThermo社製Nicoletシリーズを用い、室温25℃窒素雰囲気中で測定した。
<n型シリコン基板>
実施例3;20〜8Ω・cmの抵抗率、酸素濃度11〜16ppma
比較例2;10〜4Ω・cmの抵抗率、酸素濃度11〜16ppma
セル特性の測定結果から、表2を得た。
Claims (7)
- リンをドーパントとして含有するシリコン融液からn型単結晶インゴットを引き上げるチョクラルスキー法によって製造された単結晶シリコンインゴットであって、該単結晶シリコンインゴットは円柱状であり、一平面の抵抗率が20Ω・cm以上40Ω・cm以下であり、他方の平面の抵抗率が8Ω・cm以上10Ω・cm以下である単結晶シリコンインゴット。
- 格子間酸素濃度(Oi)がNew−ASTMの規定において16ppma以下である請求項1に記載の単結晶シリコンインゴット。
- リンをドーパントとして含有するシリコン融液からn型単結晶インゴットを引き上げるチョクラルスキー法によって製造された一定直径を有する円柱部を有する1本の単結晶ブロックを加工して得られた単結晶シリコンウェハであって、抵抗率が8Ω・cm以上40Ω・cm以下である単結晶シリコンウェハ。
- リンをドーパントとして含有するシリコン融液からn型単結晶インゴットを引き上げるチョクラルスキー法によって製造された一定直径の円柱部を有する1本の単結晶ブロックを加工して得られた単結晶シリコンウェハであって、抵抗率が8Ω・cm以上40Ω・cm以下である単結晶シリコンウェハを用いて製造された単結晶シリコン太陽電池セル。
- p型用電極とn型用電極とを前記単結晶シリコンウェハの片面上に形成した請求項4に記載の単結晶シリコン太陽電池セル。
- 前記単結晶シリコン太陽電池セルの短絡電流密度が±3%以内である請求項4に記載の単結晶シリコン太陽電池セル。
- リンをドーパントとして含有するシリコン融液からn型単結晶インゴットを引き上げるチョクラルスキー法による単結晶シリコンインゴットの製造方法であって、前記ドーパントの濃度を調整することによって単結晶シリコンインゴットのヘッド部の抵抗率を20Ω・cm以上40Ω・cm以下、テール部の抵抗率を8Ω・cm以上とする単結晶シリコンインゴットの製造方法。
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