JP5800067B2 - 高周波信号線路及びこれを備えた電子機器 - Google Patents

Description

本発明は、高周波信号線路及びこれを備えた電子機器に関し、より特定的には、信号導体層とグランド導体層により構成されている高周波信号線路及びこれを備えた電子機器に関する。

従来の高周波信号線路としては、例えば、特許文献１に記載の信号線路が知られている。図２０は、特許文献１に記載の信号線路５００の分解図である。

信号線路５００は、絶縁シート５２２ａ〜５２２ｄ、グランド導体５３０，５３４及び信号線５３２を備えている。絶縁シート５２２ａ〜５２２ｄは、上から下へとこの順に積層されている。グランド導体５３０，５３４はそれぞれ、絶縁シート５２２ｂ，５２２ｄ上に設けられている。信号線５３２は、絶縁シート５２２ｃ上に設けられている。これにより、信号線５３２は、絶縁シート５２２ｂ，５２２ｄにより上下方向から挟まれている。以上のように構成された信号線路５００では、一般的な同軸ケーブルに比べて、薄型化を図ることが可能である。よって、移動体通信端末等の高周波機器の筐体内の小さな隙間に該信号線路５００を配置できる。

しかしながら、特許文献１に記載の信号線路５００では、信号線路５００を折り曲げて用いにくいという問題がある。より詳細には、信号線路５００において、グランド導体５３０，５３４及び信号線５３２は、銅等の金属により作製されているため、ポリイミドからなる絶縁シート５２２ａ〜５２２ｄよりも変形しにくい。そのため、信号線路５００のように、グランド導体５３０，５３４及び信号線５３２が積層方向に重なっていると、信号線路５００を曲げることが困難となってしまう。

特開２０１１−７１４０３号公報

そこで、本発明の目的は、容易に曲げることができる高周波信号線路及びこれを備えた電子機器を提供することである。

本発明の第１の形態に係る高周波信号線路は、第１の領域及び第２の領域を有する積層体であって、可撓性を有する複数の絶縁体層が積層されてなる積層体と、前記積層体に設けられている信号導体層と、前記積層体に設けられ、かつ、前記信号導体層に対向している第１のグランド導体層と、前記積層体に設けられ、かつ、前記信号導体層との間で静電容量を形成する第２のグランド導体層と、を備えており、前記第１の領域における前記第１のグランド導体層と前記信号導体層との間隔は、前記第２の領域における該第１のグランド導体層と該信号導体層との間隔よりも小さく、前記積層体は、前記第１の領域において折り曲げられており、前記第１の領域の少なくとも一部には、前記第２のグランド導体層が設けられていないこと、を特徴とする。

本発明の第２の形態に係る高周波信号線路は、第１の領域及び第２の領域を有する積層体であって、可撓性を有する複数の絶縁体層が積層されてなる積層体と、前記積層体に設けられている信号導体層と、前記積層体に設けられ、かつ、前記信号導体層に対向している第１のグランド導体層と、前記積層体に設けられ、かつ、前記信号導体層との間で静電容量を形成する第２のグランド導体層と、を備えており、前記第１の領域における前記第１のグランド導体層と前記信号導体層との間隔は、前記第２の領域における該第１のグランド導体層と該信号導体層との間隔よりも小さく、前記第１の領域の少なくとも一部には、前記第２のグランド導体層が設けられておらず、前記第２のグランド導体層が設けられていない領域の長さは、前記第１の領域における前記第１のグランド導体層の長さよりも短く、前記積層体は、前記信号導体層よりも前記第１のグランド導体層が内周側に位置するように前記第１の領域において折り曲げられること、を特徴とする。

本発明の第１の形態に係る電子機器は、高周波信号線路と、筐体と、を備えており、前記高周波信号線路は、第１の領域及び第２の領域を有する積層体であって、可撓性を有する複数の絶縁体層が積層されてなる積層体と、前記積層体に設けられている信号導体層と、前記積層体に設けられ、かつ、前記信号導体層に対向している第１のグランド導体層と、前記積層体に設けられ、かつ、前記信号導体層を挟んで前記第１のグランド導体層との間で静電容量を形成する第２のグランド導体層と、を備えており、前記高周波信号線路の前記第１の領域における前記第１のグランド導体層と前記信号導体層との間隔は、前記第２の領域における該第１のグランド導体層と該信号導体層との間隔よりも小さく、前記積層体は、前記筐体内において前記第１の領域において折り曲げられており、前記第１の領域の少なくとも一部には、前記第２のグランド導体層が設けられていないこと、を特徴とする。

本発明の第２の形態に係る電子機器は、高周波信号線路と、筐体と、を備えており、前記高周波信号線路は、第１の領域及び第２の領域を有する積層体であって、可撓性を有する複数の絶縁体層が積層されてなる積層体と、前記積層体に設けられている信号導体層と、前記積層体に設けられ、かつ、前記信号導体層に対向している第１のグランド導体層と、前記積層体に設けられ、かつ、前記信号導体層との間で静電容量を形成する第２のグランド導体層と、を備えており、前記高周波信号線路の前記第１の領域における前記第１のグランド導体層と前記信号導体層との間隔は、前記第２の領域における該第１のグランド導体層と該信号導体層との間隔よりも小さく、前記第１の領域の少なくとも一部には、前記第２のグランド導体層が設けられておらず、前記第２のグランド導体層が設けられていない領域の長さは、前記第１の領域における前記第１のグランド導体層の長さよりも短く、前記積層体は、前記信号導体層よりも前記第１のグランド導体層が内周側に位置するように前記第１の領域において折り曲げられること、を特徴とする。

本発明によれば、高周波信号線路を容易に曲げることができる。

本発明の第１の実施形態に係る高周波信号線路の外観斜視図である。 図１の高周波信号線路の誘電体素体の分解図である。 図１の高周波信号線路の断面構造図である。 高周波信号線路のコネクタの外観斜視図及び断面構造図である。 高周波信号線路の電子機器への取り付け例を示した図である。 第１の変形例に係る高周波信号線路の分解図である。 第２の変形例に係る高周波信号線路の分解図である。 第２の変形例に係る高周波信号線路の断面構造図である。 第３の変形例に係る高周波信号線路の分解図である。 第４の変形例に係る高周波信号線路の分解図である。 第５の変形例に係る高周波信号線路の分解図である。 本発明の第２の実施形態に係る高周波信号線路の外観斜視図である。 図１２の高周波信号線路の誘電体素体の分解図である。 図１２の高周波信号線路の断面構造図である。 高周波信号線路の電子機器への取り付け例を示した図である。 変形例に係る高周波信号線路の誘電体素体の分解図である。 本発明の第３の実施形態に係る高周波信号線路の断面構造図である。 図１７の高周波信号線路の谷折りされた部分における分解図である。 図１７の高周波信号線路の山折りされた部分における分解図である。 特許文献１に記載の信号線路の分解図である。

以下に、本発明の実施形態に係る高周波信号線路及びこれを備えた電子機器について図面を参照しながら説明する。

（第１の実施形態）
（高周波信号線路の構成）
以下に、本発明の第１の実施形態に係る高周波信号線路の構成について図面を参照しながら説明する。図１は、本発明の第１の実施形態に係るフラットケーブルとして用いられる高周波信号線路１０の外観斜視図である。図２は、図１の高周波信号線路１０の誘電体素体１２の分解図である。図３は、図１の高周波信号線路１０の断面構造図である。図４は、高周波信号線路１０のコネクタ１００ｂの外観斜視図及び断面構造図である。図１ないし図４において、高周波信号線路１０の積層方向をｚ軸方向と定義する。また、高周波信号線路１０の長手方向をｘ軸方向と定義し、ｘ軸方向及びｚ軸方向に直交する方向をｙ軸方向と定義する。

高周波信号線路１０は、例えば、携帯電話等の電子機器内において、２つの高周波回路を接続するために用いられる。高周波信号線路１０は、図１ないし図３に示すように、誘電体素体１２、保護層１４（１４ａ，１４ｂ）、外部端子１６（１６ａ，１６ｂ）、信号導体層２０、グランド導体層２２，２３，２４、ビアホール導体ｂ１〜ｂ４，Ｂ１〜Ｂ８及びコネクタ１００ａ，１００ｂを備えている。

誘電体素体１２は、ｚ軸方向から平面視したときに、ｘ軸方向に延在しており、線路部１２ａ、接続部１２ｂ，１２ｃを含んでいる。誘電体素体１２は、誘電体シート（絶縁体層）１８（１８ａ〜１８ｅ）がｚ軸方向の正方向側から負方向側へとこの順に積層されて構成されている積層体である。以下では、誘電体素体１２のｚ軸方向の正方向側の主面を表面Ｓ１と称し、誘電体素体１２のｚ軸方向の負方向側の主面を裏面Ｓ２と称す。

線路部１２ａは、ｘ軸方向に延在しており、図２及び図３に示すように、領域Ａ１〜Ａ３を有している。領域Ａ２，Ａ１，Ａ３は、この順にｘ軸方向に並んでおり、互いに隣り合っている。接続部１２ｂ，１２ｃはそれぞれ、線路部１２ａのｘ軸方向の負方向側の端部及びｘ軸方向の正方向側の端部に接続されており、矩形状をなしている。接続部１２ｂ，１２ｃのｙ軸方向の幅は、線路部１２ａのｙ軸方向の幅よりも広い。なお、接続部１２ｂ，１２ｃの形状は矩形でなくてもよい。また、接続部１２ｂ，１２ｃのｙ軸方向の幅は、線路部１２ａのｙ軸方向の幅よりも必ずしも広くなくてもよく、例えば、線路部１２ａのｙ軸方向の幅と同じであってもよい。

誘電体シート１８は、ｚ軸方法から平面視したときに、ｘ軸方向に延在しており、誘電体素体１２と同じ形状をなしている。誘電体シート１８は、ポリイミドや液晶ポリマー等の可撓性を有する熱可塑性樹脂により構成されている。誘電体シート１８ａ〜１８ｅの厚さは、積層後において５０〜４００μｍである。以下では、誘電体シート１８のｚ軸方向の正方向側の主面を表面と称し、誘電体シート１８（１８ａ〜１８ｅ）のｚ軸方向の負方向側の主面を裏面と称す。

また、誘電体シート１８ａは、線路部１８ａ−ａ及び接続部１８ａ−ｂ，１８ａ−ｃにより構成されている。誘電体シート１８ｂは、線路部１８ｂ−ａ及び接続部１８ｂ−ｂ，１８ｂ−ｃにより構成されている。誘電体シート１８ｃは、線路部１８ｃ−ａ及び接続部１８ｃ−ｂ，１８ｃ−ｃにより構成されている。誘電体シート１８ｄは、線路部１８ｄ−ａ及び接続部１８ｄ−ｂ，１８ｄ−ｃにより構成されている。誘電体シート１８ｅは、線路部１８ｅ−ａ及び接続部１８ｅ−ｂ，１８ｅ−ｃにより構成されている。線路部１８ａ−ａ，１８ｂ−ａ，１８ｃ−ａ，１８ｄ−ａ，１８ｅ−ａは、線路部１２ａを構成している。接続部１８ａ−ｂ，１８ｂ−ｂ，１８ｃ−ｂ，１８ｄ−ｂ，１８ｅ−ｂは、接続部１２ｂを構成している。接続部１８ａ−ｃ，１８ｂ−ｃ，１８ｃ−ｃ，１８ｄ−ｃ，１８ｅ−ｃは、接続部１２ｃを構成している。

外部端子１６ａは、図１及び図２に示すように、接続部１８ａ−ｂの表面の中央近傍に設けられている矩形状の導体である。外部端子１６ｂは、図１及び図２に示すように、接続部１８ａ−ｃの表面の中央近傍に設けられている矩形状の導体である。外部端子１６ａ，１６ｂは、銀や銅を主成分とする比抵抗の小さな金属材料により作製されている。また、外部端子１６ａ，１６ｂの表面には、金めっきが施されている。

信号導体層２０は、図２に示すように、誘電体素体１２内に設けられている線状導体層であり、誘電体シート１８ｃの表面をｘ軸方向に延在している。信号導体層２０の両端はそれぞれ、ｚ軸方向から平面視したときに、外部端子１６ａ，１６ｂと重なっている。信号導体層２０の線幅は、例えば１００〜５００μｍである。本実施形態では、信号導体層２０の線幅は２４０μｍである。信号導体層２０は、銀や銅を主成分とする比抵抗の小さな金属材料により作製されている。

ビアホール導体ｂ１は、誘電体シート１８ａの接続部１８ａ−ｂをｚ軸方向に貫通している。ビアホール導体ｂ２は、誘電体シート１８ｂの接続部１８ｂ−ｂをｚ軸方向に貫通している。ビアホール導体ｂ１，ｂ２は、互いに接続されて１本のビアホール導体を構成しており、外部端子１６ａと信号導体層２０のｘ軸方向の負方向側の端部とを接続している。ビアホール導体ｂ１，ｂ２は、銀や銅を主成分とする比抵抗の小さな金属材料により作製されている。

ビアホール導体ｂ３は、誘電体シート１８ａの接続部１８ａ−ｃをｚ軸方向に貫通している。ビアホール導体ｂ４は、誘電体シート１８ｂの接続部１８ｂ−ｃをｚ軸方向に貫通している。ビアホール導体ｂ３，ｂ４は、互いに接続されて１本のビアホール導体を構成しており、外部端子１６ｂと信号導体層２０のｘ軸方向の正方向側の端部とを接続している。

グランド導体層２２は、図２に示すように、誘電体素体１２に設けられ、かつ、信号導体層２０に対向している。より詳細には、グランド導体層２２は、誘電体素体１２において、誘電体素体１２の表面Ｓ１に最も近い誘電体シート１８ａの表面においてｘ軸方向に延在している。これにより、グランド導体層２２は、誘電体素体１２内において信号導体層２０よりもｚ軸方向の正方向側に位置していると共に、誘電体シート１８ａ，１８ｂを介して信号導体層２０と対向している。グランド導体層２２は、銀や銅を主成分とする比抵抗の小さな金属材料により作製されている。更に、グランド導体層２２の表面には、防錆のために金めっき等が施される。

また、グランド導体層２２は、線路部２２ａ，２２ｂ、端子部２２ｃ，２２ｄにより構成されている。線路部２２ａは、線路部１８ａ−ａの表面の領域Ａ２に設けられ、ｘ軸方向に延在している。ただし、線路部２２ａは、線路部１８ａ−ａの表面の領域Ａ１にわずかにはみ出している。線路部２２ｂは、線路部１８ａ−ａの表面の領域Ａ３に設けられ、ｘ軸方向に延在している。線路部２２ａ，２２ｂは、領域Ａ１を挟んで対向しており、互いに接続されていない。ただし、線路部２２ｂは、線路部１８ａ−ａの表面の領域Ａ１にわずかにはみ出している。

端子部２２ｃは、接続部１８ａ−ｂの表面に設けられ、外部端子１６ａの周囲を囲む矩形状の環をなしている。端子部２２ｃは、線路部２２ａのｘ軸方向の負方向側の端部に接続されている。端子部２２ｄは、接続部１８ａ−ｃの表面に設けられ、外部端子１６ｂの周囲を囲む環状の矩形状をなしている。端子部２２ｄは、線路部２２ｂのｘ軸方向の正方向側の端部に接続されている。

グランド導体層２３は、図２に示すように、誘電体素体１２内に設けられ、かつ、信号導体層２０に対向している。より詳細には、グランド導体層２３は、誘電体素体１２において、誘電体シート１８ｂの表面の領域Ａ１においてｘ軸方向に延在している。これにより、グランド導体層２３は、誘電体素体１２内において信号導体層２０よりもｚ軸方向の正方向側であって、かつ、グランド導体層２２よりもｚ軸方向の負方向側に位置していると共に、誘電体シート１８ｂを介して信号導体層２０と対向している。よって、図３に示すように、グランド導体層２３と信号導体層２０との間隔Ｄ１は、グランド導体層２２と信号導体層２０との間隔Ｄ２よりも小さい。また、線路部２２ａ，２２ｂが領域Ａ１にわずかにはみ出しているので、グランド導体層２３のｘ軸方向の両端はそれぞれ、線路部２２ａ，２２ｂの端部と重なっている。グランド導体層２３は、銀や銅を主成分とする比抵抗の小さな金属材料により作製されている。

ビアホール導体Ｂ９は、本実施形態では、ｙ軸方向に一直線に並ぶように４つ設けられており、誘電体シート１８ａをｚ軸方向に貫通している。ビアホール導体Ｂ９は、線路部２２ａのｘ軸方向の正方向側の端部とグランド導体層２３のｘ軸方向の負方向側の端部とを接続している。また、ビアホール導体Ｂ１０は、本実施形態では、ｙ軸方向に一直線に並ぶように４つ設けられており、誘電体シート１８ａをｚ軸方向に貫通している。ビアホール導体Ｂ１０は、線路部２２ｂのｘ軸方向の負方向側の端部とグランド導体層２３のｘ軸方向の正方向側の端部とを接続している。これにより、グランド導体層２２，２３は、誘電体素体１２に設けられ、かつ、信号導体層２０に対向している第１のグランド導体層を構成している。

グランド導体層２４は、図２に示すように、誘電体素体１２内に設けられ、かつ、信号導体層２０をはさんでグランド導体層２２に対向している。より詳細には、グランド導体層２４は、誘電体素体１２において、誘電体素体１２の裏面Ｓ２に最も近い誘電体シート１８ｅの表面においてｘ軸方向に延在している。これにより、グランド導体層２４は、誘電体素体１２内において信号導体層２０よりもｚ軸方向の負方向側に位置していると共に、誘電体シート１８ｄを介して信号導体層２０と対向している。グランド導体層２４は、銀や銅を主成分とする比抵抗の小さな金属材料により作製されている。

また、グランド導体層２４は、線路部２４ａ，２４ｂ、端子部２４ｃ，２４ｄにより構成されている。線路部２４ａは、線路部１８ｅ−ａの表面の領域Ａ２に設けられ、ｘ軸方向に延在している。ただし、線路部２４ａは、線路部１８ｅ−ａの表面の領域Ａ１にわずかにはみ出している。線路部２４ｂは、線路部１８ｅ−ａの表面の領域Ａ３に設けられ、ｘ軸方向に延在している。線路部２４ａ，２４ｂは、領域Ａ１を挟んで対向しており、互いに接続されていない。ただし、線路部２４ｂは、線路部１８ｅ−ａの表面の領域Ａ１にわずかにはみ出している。以上のように、領域Ａ１の少なくとも一部には、グランド導体層２４が設けられていない。

端子部２４ｃは、接続部１８ｅ−ｂの表面に設けられ、端子部２２ｃと同じ矩形状の環をなしている。端子部２４ｃは、線路部２４ａのｘ軸方向の負方向側の端部に接続されている。端子部２４ｄは、接続部１８ｅ−ｃの表面に設けられ、端子部２２ｄと同じ環状の矩形状をなしている。端子部２４ｄは、線路部２４ｂのｘ軸方向の正方向側の端部に接続されている。

以上のように、信号導体層２０は、ｚ軸方向の両側からグランド導体層２２，２３，２４によって挟まれている。すなわち、信号導体層２０及びグランド導体層２２，２３，２４は、領域Ａ１の一部を除きトリプレート型のストリップライン構造をなしている。

なお、本実施形態では、高周波信号線路１０はグランド導体層２４を備えていたが、グランド導体層２４は必ずしも備えていなくてもよい。すなわち、グランド導体層２２，２３と信号導体層２０とでマイクロストリップライン構造の高周波信号線路を構成しても構わない。ただし、不要輻射の発生抑制の観点から、高周波信号線路１０のようなトリプレート型のストリップライン構造とすることが好ましい。

ビアホール導体Ｂ１〜Ｂ４はそれぞれ、誘電体シート１８ａ〜１８ｄの線路部１８ａ−ａ〜１８ｄ−ａをｚ軸方向に貫通しており、線路部１８ａ−ａ〜１８ｄ−ａに複数ずつ設けられている。そして、ビアホール導体Ｂ１〜Ｂ４は、互いに接続されることにより１本のビアホール導体を構成しており、線路部２２ａと線路部２４ａとを接続している。ビアホール導体Ｂ１〜Ｂ４は、銀や銅を主成分とする比抵抗の小さな金属材料により作製されている。

ビアホール導体Ｂ５〜Ｂ８はそれぞれ、誘電体シート１８ａ〜１８ｄの線路部１８ａ−ａ〜１８ｄ−ａをｚ軸方向に貫通しており、線路部１８ａ−ａ〜１８ｄ−ａに複数ずつ設けられている。そして、ビアホール導体Ｂ５〜Ｂ８は、互いに接続されることにより１本のビアホール導体を構成しており、線路部２２ｂと線路部２４ｂとを接続している。ビアホール導体Ｂ５〜Ｂ８は、銀や銅を主成分とする比抵抗の小さな金属材料により作製されている。

保護層１４ａは、接続部１８ａ−ｂの表面を覆っている。ただし、保護層１４ａには、開口Ｈａ〜Ｈｄが設けられている。開口Ｈａは、保護層１４ａの中央に設けられている矩形状の開口である。外部端子１６ａは、開口Ｈａを介して外部に露出している。また、開口Ｈｂは、開口Ｈａのｙ軸方向の正方向側に設けられている矩形状の開口である。開口Ｈｃは、開口Ｈａのｘ軸方向の負方向側に設けられている矩形状の開口である。開口Ｈｄは、開口Ｈａのｙ軸方向の負方向側に設けられている矩形状の開口である。端子部２２ｃは、開口Ｈｂ〜Ｈｄを介して外部に露出することにより、外部端子として機能する。保護層１４ａは、例えば、レジスト材等の可撓性樹脂からなる。

保護層１４ｂは、接続部１８ａ−ｃの表面を覆っている。ただし、保護層１４ｂには、開口Ｈｅ〜Ｈｈが設けられている。開口Ｈｅは、保護層１４ｂの中央に設けられている矩形状の開口である。外部端子１６ｂは、開口Ｈｅを介して外部に露出している。また、開口Ｈｆは、開口Ｈｅのｙ軸方向の正方向側に設けられている矩形状の開口である。開口Ｈｇは、開口Ｈｅのｘ軸方向の正方向側に設けられている矩形状の開口である。開口Ｈｈは、開口Ｈｅのｙ軸方向の負方向側に設けられている矩形状の開口である。端子部２２ｄは、開口Ｈｆ〜Ｈｈを介して外部に露出することにより、外部端子として機能する。保護層１４ｂは、例えば、レジスト材等の可撓性樹脂からなる。

コネクタ１００ａ，１００ｂはそれぞれ、接続部１２ｂ，１２ｃの表面上に実装される。コネクタ１００ａ，１００ｂの構成は同じであるので、以下にコネクタ１００ｂの構成を例に挙げて説明する。

コネクタ１００ｂは、図１及び図４に示すように、コネクタ本体１０２、外部端子１０４，１０６及び中心導体１０８及び外部導体１１０により構成されている。コネクタ本体１０２は、矩形状の板状部材に円筒状部材が連結された形状をなしており、樹脂等の絶縁材料により作製されている。

外部端子１０４は、コネクタ本体１０２の板状部材のｚ軸方向の負方向側の面において、外部端子１６ｂと対向する位置に設けられている。外部端子１０６は、コネクタ本体１０２の板状部材のｚ軸方向の負方向側の面において、開口Ｈｆ〜Ｈｈを介して露出している端子部２２ｄに対応する位置に設けられている。

中心導体１０８は、コネクタ本体１０２の円筒状部材の中心に設けられており、外部端子１０４と接続されている。中心導体１０８は、高周波信号が入力又は出力する信号端子である。外部導体１１０は、コネクタ本体１０２の円筒の内周面に設けられており、外部端子１０６と接続されている。外部導体１１０は、接地電位に保たれるグランド端子である。

以上のように構成されたコネクタ１００ｂは、外部端子１０４が外部端子１６ｂと接続され、外部端子１０６が端子部２２ｄと接続されるように、接続部１２ｃの表面上に実装される。これにより、信号導体層２０は、中心導体１０８に電気的に接続されている。また、グランド導体層２２，２４は、外部導体１１０に電気的に接続されている。

高周波信号線路１０は、折り曲げて用いられる。図５は、高周波信号線路１０の電子機器への取り付け例を示した図である。

電子機器は、高周波信号線路１０、バッテリーパック２０６及び筐体を備えている。筐体は、高周波信号線路１０及びバッテリーパック２０６を収容している。誘電体素体１２は、図５に示すように、信号導体層２０よりもグランド導体層２２，２３が内周側に位置するように領域Ａ１において折り曲げられる。すなわち、誘電体素体１２の表面Ｓ１は、誘電体素体１２の裏面Ｓ２よりも内周側に位置している。そして、電子機器のバッテリーパック２０６は、表面Ｓ１に接触している。バッテリーパック２０６は、例えば、リチウムイオン２次電池であり、その表面が金属カバーにより覆われた構造を有している。金属カバーは、接地電位に保たれているので、グランド導体層２２と接触することにより、グランド導体層２２も接地電位に保たれる。

このように、グランド導体層２２，２３が内周側に位置するように接地電位に保たれた電子機器に接触させつつ、電子機器の屈曲部と領域Ａ１が一致するように折り曲げられることで、グランド導体層２２，２３を安定して接地することができる。なお、電子機器はバッテリーパックに限らず、金属ケース、回路基板などでも構わない。

（高周波信号線路の製造方法）
以下に、高周波信号線路１０の製造方法について図２を参照しながら説明する。以下では、一つの高周波信号線路１０が作製される場合を例にとって説明するが、実際には、大判の誘電体シートが積層及びカットされることにより、同時に複数の高周波信号線路１０が作製される。

まず、表面の全面に銅箔が形成された熱可塑性樹脂からなる誘電体シート１８を準備する。誘電体シート１８の銅箔の表面は、例えば、防錆のための亜鉛鍍金が施されることにより、平滑化されている。誘電体シート１８は、２０μｍ〜８０μｍの厚みを有する液晶ポリマーである。また、銅箔の厚みは、１０μｍ〜２０μｍである。

次に、フォトリソグラフィ工程により、図２に示す外部端子１６及びグランド導体層２２を誘電体シート１８ａの表面に形成する。具体的には、誘電体シート１８ａの銅箔上に、図２に示す外部端子１６（１６ａ，１６ｂ）及びグランド導体層２２と同じ形状のレジストを印刷する。そして、銅箔に対してエッチング処理を施すことにより、レジストにより覆われていない部分の銅箔を除去する。その後、レジストを除去する。これにより、図２に示すような、外部端子１６及びグランド導体層２２が誘電体シート１８ａの表面に形成される。

次に、フォトリソグラフィ工程により、図２に示すグランド導体層２３を誘電体シート１８ｂの表面に形成する。また、フォトリソグラフィ工程により、図２に示す信号導体層２０を誘電体シート１８ｃの表面に形成する。また、フォトリソグラフィ工程により、図２に示すグランド導体層２４を誘電体シート１８ｅの表面に形成する。なお、これらのフォトリソグラフィ工程は、外部端子１６及びグランド導体層２２を形成する際のフォトリソグラフィ工程と同様であるので、説明を省略する。

次に、誘電体シート１８ａ〜１８ｄのビアホール導体ｂ１〜ｂ４，Ｂ１〜Ｂ１０が形成される位置に対して、裏面側からレーザービームを照射して、貫通孔を形成する。その後、誘電体シート１８ａ〜１８ｄに形成した貫通孔に対して、導電性ペーストを充填する。

次に、グランド導体層２２，２３、信号導体層２０及びグランド導体層２４がストリップライン構造をなすように、誘電体シート１８ａ〜１８ｅをｚ軸方向の正方向側から負方向側へとこの順に積み重ねる。そして、誘電体シート１８ａ〜１８ｅに対してｚ軸方向の正方向側及び負方向側から熱及び圧力を加えることにより、誘電体シート１８ａ〜１８ｅを軟化させて圧着・一体化するとともに、貫通孔に充填された導電性ペーストを固化して、図２に示すビアホール導体ｂ１〜ｂ４，Ｂ１〜Ｂ１０を形成する。なお、各誘電体シート１８は、熱圧着に代えてエポキシ系樹脂等の接着剤を用いて一体化されてもよい。また、ビアホール導体ｂ１〜ｂ４，Ｂ１〜Ｂ１０は、誘電体シート１８を一体化した後に、貫通孔を形成し、貫通孔に導電性ペーストを充填するかめっき膜を形成することによって形成されてもよい。また、ビアホール導体は、貫通孔を全て導電体充填する必要はなく貫通孔の壁面に沿って形成された薄膜状の導体などにより構成してもよい。すなわち、誘電体シート１８の層間を接続できるように導体が貫通孔に付与されていればよい。

最後に、樹脂（レジスト）ペーストを塗布することにより、誘電体シート１８ａ上に保護層１４ａ，１４ｂを形成する。これにより、図１に示す高周波信号線路１０が得られる。

（効果）
以上のように構成された高周波信号線路１０によれば、高周波信号線路１０を容易に曲げることができる。より詳細には、特許文献１に記載の信号線路５００において、グランド導体５３０，５３４及び信号線５３２は、銅等の金属により作製されているため、ポリイミドからなる絶縁シート５２２ａ〜５２２ｄよりも変形しにくい。そのため、信号線路５００のように、グランド導体５３０，５３４及び信号線５３２が積層方向に重なっていると、信号線路５００を曲げることが困難となってしまう。

そこで、高周波信号線路１０では、領域Ａ１におけるグランド導体層２３と信号導体層２０との間隔Ｄ１は、領域Ａ２，Ａ３におけるグランド導体層２２と信号導体層２０との間隔Ｄ２よりも小さい。更に、誘電体素体１２は、信号導体層２０よりもグランド導体層２２，２３が内周側に位置するように領域Ａ１において折り曲げられる。これにより、以下に説明するように、高周波信号線路１０を容易に曲げることが可能となる。

高周波信号線路１０が曲げられる際には、内周側に位置するグランド導体層は圧縮される。そして、グランド導体層が信号導体層２０からｚ軸方向の正方向側に離れるにしたがって、グランド導体層が湾曲している部分の半径が小さくなる。そのため、グランド導体層の圧縮量が大きくなり、高周波信号線路１０を曲げるのに必要な力も大きくなる。

そこで、高周波信号線路１０では、誘電体素体１２が折り曲げられる領域Ａ１におけるグランド導体層２３と信号導体層２０との間隔Ｄ１は、誘電体素体１２が折り曲げられない領域Ａ２，Ａ３におけるグランド導体層２２と信号導体層２０との間隔Ｄ２よりも小さい。すなわち、領域Ａ１におけるグランド導体層２３は、領域Ａ２，Ａ３におけるグランド導体層２２よりも外周側に位置している。これにより、グランド導体層２３の圧縮量が低減され、高周波信号線路１０を曲げるのに必要な力が小さくなる。更には、高周波信号線路１０において、グランド導体層２２，２３が折れ曲がって破損することが抑制される。

また、高周波信号線路１０では、誘電体素体１２が折り曲げられる領域Ａ１の少なくとも一部に、誘電体素体１２の領域Ａ１の変形を妨げるグランド導体層２４が設けられていない。その結果、高周波信号線路１０を容易に曲げることができる。

更に、高周波信号線路１０が曲げられる際には、外周側に位置するグランド導体層は伸張される。そして、グランド導体層が信号導体層２０からｚ軸方向の負方向側に離れるにしたがって、グランド導体層が湾曲している部分の半径が大きくなる。そのため、グランド導体層の伸長量が大きくなり、グランド導体層が断線するおそれが高くなる。

そこで、高周波信号線路１０では、誘電体素体１２が折り曲げられる領域Ａ１の少なくとも一部には、グランド導体層２４が設けられていない。これにより、高周波信号線路１０が折り曲げられた際に、グランド導体層２４が断線することが抑制される。

また、高周波信号線路１０によれば、誘電体素体１２が折り曲げられる領域Ａ１内に位置するグランド導体層２３は、誘電体素体１２内に設けられている。そのため、グランド導体層２３の表面には、グランド導体層２２の表面のように防錆のための金めっきが施されていない。一般に、金めっきなどのめっきを導体層に付与すると導体層が硬くなり、割れやすくなるからである。よって、グランド導体層２３は、グランド導体層２２に比べて、容易に変形することができる。その結果、高周波信号線路１０を容易に折り曲げることが可能となる。

また、図５に示すように、信号導体層２０とバッテリーパック２０６との間には、グランド導体層２２，２３が存在している。これにより、信号導体層２０とバッテリーパック２０６との間で電磁界結合が発生することが抑制される。その結果、高周波信号線路１０では、信号導体層２０の特性インピーダンスが所定の特性インピーダンスからずれることが抑制される。

また、高周波信号線路１０では、誘電体素体１２が折り曲げられる領域Ａ１における特性インピーダンスが所定の特性インピーダンス（例えば、５０Ω）からずれることが抑制される。より詳細には、領域Ａ１におけるグランド導体層２３と信号導体層２０との間隔Ｄ１は、領域Ａ２におけるグランド導体層２２と信号導体層２０との間隔Ｄ２よりも小さい。そのため、領域Ａ１においてグランド導体層２３と信号導体層２０との間に発生する容量は、領域Ａ２においてグランド導体層２２と信号導体層２０との間に発生する容量よりも大きい。よって、領域Ａ１における特性インピーダンスは、領域Ａ２，Ａ３における特性インピーダンスと比較して小さくなり、高周波信号線路１０の所定の特性インピーダンスからずれるおそれがある。

そこで、高周波信号線路１０では、領域Ａ１の少なくとも一部に、グランド導体層２４が設けられていない。これにより、領域Ａ１において、グランド導体層２４と信号導体層２０との間に容量が発生しなくなる。よって、グランド導体層２４が存在する領域の特性インピーダンスよりも領域Ａ１における特性インピーダンスが高くなる。その結果、グランド導体層２３と信号導体層２０との間の間隔Ｄ２を調整することにより、高周波信号線路１０において、領域Ａ１における特性インピーダンスが所定の特性インピーダンスからずれることが抑制される。

（第１の実施形態の第１の変形例）
以下に、第１の変形例に係る高周波信号線路について図面を参照しながら説明する。図６は、第１の変形例に係る高周波信号線路１０ａの分解図である。

高周波信号線路１０と高周波信号線路１０ａとの相違点は、グランド導体層２３がグランド導体層２４と接続されている点である。以下に、かかる相違点を中心に高周波信号線路１０ａについて説明する。

高周波信号線路１０ａは、ビアホール導体Ｂ１１〜Ｂ１６を備えている。ビアホール導体Ｂ１１，Ｂ１３，Ｂ１５はそれぞれ、線路部１８ｂ−ａ，１８ｃ−ａ，１８ｄ−ａをｚ軸方向に貫通しており、ビアホール導体Ｂ９と共に１本のビアホール導体を構成している。ビアホール導体Ｂ１１，Ｂ１３，Ｂ１５は、グランド導体層２３と線路部２４ａとを接続している。

ビアホール導体Ｂ１２，Ｂ１４，Ｂ１６はそれぞれ、線路部１８ｂ−ａ，１８ｃ−ａ，１８ｄ−ａをｚ軸方向に貫通しており、ビアホール導体Ｂ１０と共に１本のビアホール導体を構成している。ビアホール導体Ｂ１２，Ｂ１４，Ｂ１６は、グランド導体層２３と線路部２４ｂとを接続している。

なお、高周波信号線路１０では、ビアホール導体Ｂ９，Ｂ１０はそれぞれ４つずつ設けられている。しかしながら、高周波信号線路１０ａでは、ビアホール導体Ｂ９〜Ｂ１５はそれぞれ２つずつしか設けられていない。これは、ビアホール導体Ｂ１３，Ｂ１４を信号導体層２０に接触させないためである。

高周波信号線路１０ａによれば、グランド導体層２３は、グランド導体層２２，２４に接続されるので、より安定して接地電位に保たれるようになる。

また、ビアホール導体Ｂ９〜Ｂ１６は、誘電体素体１２に比べて硬く変形しにくい。そのため、ビアホール導体Ｂ９〜Ｂ１６が設けられている領域Ａ１において誘電体素体１２が折り曲げられた際に、領域Ａ１内のグランド導体層２３と信号導体層２０との間隔が変動しにくくなる。その結果、高周波信号線路１０ａでは、領域Ａ１における特性インピーダンスの変動が抑制される。

なお、第１の変形例に係る高周波信号線路１０ａにおいては、保護層１４ａ，１４ｂに加え、保護層１４ａ，１４ｂ間を接続するように、かつ、線路部２２ａ，２２ｂを覆うように保護層１４ｃが設けられている。このように、本発明の高周波信号線路は、保護層１４ａ，１４ｂに加え、保護層１４ｃを備えていてもよい。

（第１の実施形態の第２の変形例）
以下に、第２の変形例に係る高周波信号線路について図面を参照しながら説明する。図７は、第２の変形例に係る高周波信号線路１０ｂの分解図である。図８は、第２の変形例に係る高周波信号線路１０ｂの断面構造図である。

高周波信号線路１０と高周波信号線路１０ｂとの相違点は、高周波信号線路１０ｂにおいて、領域Ａ１の少なくとも一部における誘電体素体１２の厚みが、領域Ａ２における誘電体素体１２の厚みよりも薄い点である。以下に、かかる相違点を中心に高周波信号線路１０ｂについて説明する。

高周波信号線路１０ｂでは、図７に示すように、信号導体層２０に関してグランド導体層２２，２３の反対側に位置する誘電体シート１８ｄ，１８ｅは、領域Ａ１の少なくとも一部において形成されていない部分を有する。これにより、図８に示すように、誘電体素体１２の裏面Ｓ２の領域Ａ１に凹部Ｇが形成されている。

高周波信号線路１０ｂの領域Ａ１の厚みは、高周波信号線路１０の領域Ａ１の厚みよりも薄くなっている。これにより、高周波信号線路１０ｂの領域Ａ１は、高周波信号線路１０の領域Ａ１よりも変形しやすくなる。その結果、高周波信号線路１０ｂを更に容易に変形させることが可能となる。

なお、高周波信号線路１０ｂが折り曲げられる際には、凹部Ｇが外周側に位置することが好ましい。

（第１の実施形態の第３の変形例）
以下に、第３の変形例に係る高周波信号線路について図面を参照しながら説明する。図９は、第３の変形例に係る高周波信号線路１０ｃの分解図である。

高周波信号線路１０と高周波信号線路１０ｃとの相違点は、高周波信号線路１０ｃにおいて、領域Ａ１における信号導体層２０の線幅Ｗａが、領域Ａ２，Ａ３における信号導体層２０の線幅Ｗｂよりも細い点である。

領域Ａ１におけるグランド導体層２３と信号導体層２０との間隔Ｄ１は、領域Ａ２，Ａ３におけるグランド導体層２２と信号導体層２０との間隔Ｄ２よりも小さい。そのため、領域Ａ１においてグランド導体層２３と信号導体層２０との間に発生する容量は、領域Ａ２，Ａ３においてグランド導体層２２と信号導体層２０との間に発生する容量よりも大きい。よって、領域Ａ１における特性インピーダンスは、所定の特性インピーダンスからずれるおそれがある。

そこで、高周波信号線路１０ｃでは、領域Ａ１における信号導体層２０の線幅Ｗａは、領域Ａ２，Ａ３における信号導体層２０の線幅Ｗｂよりも細い。これにより、領域Ａ１において信号導体層２０とグランド導体層２３とが単位長さ当たりに対向する面積は、領域Ａ２，Ａ３において信号導体層２０とグランド導体層２２とが単位長さ当たりに対向する面積よりも小さくなる。よって、信号導体層２０とグランド導体層２３との間に発生する容量は、信号導体層２０とグランド導体層２２との間に発生する容量に近づく。その結果、高周波信号線路１０ｃにおいて、領域Ａ１における特性インピーダンスが所定の特性インピーダンスからずれることが抑制される。

（第１の実施形態の第４の変形例）
以下に、第４の変形例に係る高周波信号線路について図面を参照しながら説明する。図１０は、第４の変形例に係る高周波信号線路１０ｄの分解図である。

高周波信号線路１０ｃと高周波信号線路１０ｄとの相違点は、高周波信号線路１０ｄでは、グランド導体層２４が領域Ａ１に設けられている点である。

高周波信号線路１０ｄでは、領域Ａ１における信号導体層２０の線幅Ｗａは、領域Ａ２，Ａ３における信号導体層２０の線幅Ｗｂよりも細い。これにより、領域Ａ１において信号導体層２０とグランド導体層２３とが単位長さ当たりに対向する面積は、領域Ａ２，Ａ３において信号導体層２０とグランド導体層２２とが単位長さ当たりに対向する面積よりも小さくなる。そのため、領域Ａ１における特性インピーダンスが所定の特性インピーダンスに整合できる場合には、領域Ａ１にグランド導体層２４が設けられていてもよい。これにより、領域Ａ１から不要輻射が発生することが抑制される。

（第１の実施形態の第５の変形例）
以下に、第５の変形例に係る高周波信号線路について図面を参照しながら説明する。図１１は、第５の変形例に係る高周波信号線路１０ｅの分解図である。

高周波信号線路１０ａと高周波信号線路１０ｅとの相違点は、高周波信号線路１０ｅにおいて、グランド導体層２５が設けられている点（第１の相違点）、及び、高周波信号線路１０ｅにおいて、グランド導体層２４，２５に複数の開口３０が設けられている点（第２の相違点）である。以下に、かかる相違点を中心に高周波信号線路１０ｅについて説明する。

グランド導体層２５は、図１１に示すように、誘電体素体１２内に設けられ、かつ、信号導体層２０に対向している。より詳細には、グランド導体層２５は、誘電体素体１２において、誘電体シート１８ｄの表面の領域Ａ１においてｘ軸方向に延在している。これにより、グランド導体層２５は、誘電体素体１２内において信号導体層２０よりもｚ軸方向の負方向側であって、かつ、グランド導体層２４よりもｚ軸方向の正方向側に位置していると共に、誘電体シート１８ｃを介して信号導体層２０と対向している。よって、グランド導体層２５と信号導体層２０との間隔は、グランド導体層２４と信号導体層２０との間隔よりも小さい。

また、線路部２４ａ，２４ｂが領域Ａ１にわずかにはみ出しているので、グランド導体層２５のｘ軸方向の両端はそれぞれ、線路部２４ａ，２４ｂの端部と重なっている。グランド導体層２５は、銀や銅を主成分とする比抵抗の小さな金属材料により作製されている。

また、グランド導体層２５は、ビアホール導体Ｂ９〜Ｂ１６により、グランド導体層２２，２３，２４に接続されている。これにより、グランド導体層２５は、接地電位に保たれている。

更に、グランド導体層２４，２５には、図１１に示すように、ｘ軸方向に並ぶ複数の開口３０が設けられている。開口３０は、矩形状をなしており、信号導体層２０に沿ってｘ軸方向に等間隔に一列に並んでいる。これにより、信号導体層２０とグランド導体層２４，２５との間に発生する容量の大きさは、周期的に変動するようになる。その結果、高周波信号線路１０ｅの特性インピーダンスも、周期的に変動するようになる。

この複数の開口３０は、高周波信号線路１０におけるグランド導体層２４の形成されていない部分と同様に、その部分の特性インピーダンスを高くできるため、信号導体層２０とグランド導体層２４，２５を近づけても所定の特性インピーダンスを維持できる。したがって、誘電体シート１８ｃ，１８ｄの厚みを薄くすることができ、結果として高周波信号線路１０ｅ全体の厚みを薄くすることできる。また、これによりさらに曲げ性の良い高周波信号線路が得られる。

なお、複数の開口３０を備えたグランド導体層２４，２５は、高周波信号線路１０のようにグランド導体層が形成されていない部分を設ける場合と比較して、不要輻射の発生を抑制する効果も高くなる。

（第２の実施形態）
（高周波信号線路の構成）
以下に、本発明の第２の実施形態に係る高周波信号線路の構成について図面を参照しながら説明する。図１２は、本発明の第２の実施形態に係る高周波信号線路１０ｆの外観斜視図である。図１３は、図１２の高周波信号線路１０ｆの誘電体素体１２の分解図である。図１４は、図１２の高周波信号線路１０ｆの断面構造図である。図１２ないし図１４において、高周波信号線路１０ｆの積層方向をｚ軸方向と定義する。また、高周波信号線路１０ｆの長手方向をｘ軸方向と定義し、ｘ軸方向及びｚ軸方向に直交する方向をｙ軸方向と定義する。

高周波信号線路１０ｆは、図１２ないし図１４に示すように、誘電体素体１２、保護層１４（１４ａ〜１４ｂ），１５、外部端子１６（１６ａ，１６ｂ）、信号導体層２０、グランド導体層２２，２３，２４、補強導体層２７（２７ａ，２７ｂ）、ビアホール導体ｂ１１〜ｂ１６，Ｂ２１〜Ｂ３５，Ｂ４０〜Ｂ４９及びコネクタ１００ａ，１００ｂを備えている。

誘電体素体１２は、ｚ軸方向から平面視したときに、ｘ軸方向に延在しており、線路部１２ａ、接続部１２ｂ，１２ｃを含んでいる。誘電体素体１２は、誘電体シート（絶縁体層）１８（１８ａ〜１８ｅ）がｚ軸方向の正方向側から負方向側へとこの順に積層されて構成されている積層体である。以下では、誘電体素体１２のｚ軸方向の正方向側の主面を表面Ｓ１と称し、誘電体素体１２のｚ軸方向の負方向側の主面を裏面Ｓ２と称す。

線路部１２ａは、ｘ軸方向に延在しており、図１２及び図１３に示すように、領域Ａ１１〜Ａ１３を有している。領域Ａ１１は、線路部１２ａのｘ軸方向の負方向側の端部に位置している。領域Ａ１２は、線路部１２ａのｘ軸方向の正方向側の端部に位置している。領域Ａ１３は、領域Ａ１１，Ａ１２にｘ軸方向の両側から挟まれている。

接続部１２ｂ，１２ｃはそれぞれ、線路部１２ａのｘ軸方向の負方向側の端部及びｘ軸方向の正方向側の端部に接続されている。これにより、領域Ａ１１は、接続部１２ｂに隣接している。また、領域Ａ１２は、接続部１２ｃに隣接している。接続部１２ｂ，１２ｃのｙ軸方向の幅は、線路部１２ａのｙ軸方向の幅と等しい。したがって、誘電体素体１２は、ｚ軸方向から平面視したときに、ｘ軸方向に延在する長方形状をなしている。

誘電体シート１８は、ｚ軸方法から平面視したときに、ｘ軸方向に延在しており、誘電体素体１２と同じ形状をなしている。誘電体シート１８は、ポリイミドや液晶ポリマー等の可撓性を有する熱可塑性樹脂により構成されている。誘電体シート１８ａ〜１８ｃの厚さは、積層後において５０μｍである。誘電体シート１８ｄ，１８ｅの厚さは、積層後において２５μｍである。以下では、誘電体シート１８のｚ軸方向の正方向側の主面を表面と称し、誘電体シート１８（１８ａ〜１８ｅ）のｚ軸方向の負方向側の主面を裏面と称す。

また、誘電体シート１８ａは、線路部１８ａ−ａ及び接続部１８ａ−ｂ，１８ａ−ｃにより構成されている。誘電体シート１８ｂは、線路部１８ｂ−ａ及び接続部１８ｂ−ｂ，１８ｂ−ｃにより構成されている。誘電体シート１８ｃは、線路部１８ｃ−ａ及び接続部１８ｃ−ｂ，１８ｃ−ｃにより構成されている。誘電体シート１８ｄは、線路部１８ｄ−ａ及び接続部１８ｄ−ｂ，１８ｄ−ｃにより構成されている。誘電体シート１８ｅは、線路部１８ｅ−ａ及び接続部１８ｅ−ｂ，１８ｅ−ｃにより構成されている。線路部１８ａ−ａ，１８ｂ−ａ，１８ｃ−ａ，１８ｄ−ａ，１８ｅ−ａは、線路部１２ａを構成している。接続部１８ａ−ｂ，１８ｂ−ｂ，１８ｃ−ｂ，１８ｄ−ｂ，１８ｅ−ｂは、接続部１２ｂを構成している。接続部１８ａ−ｃ，１８ｂ−ｃ，１８ｃ−ｃ，１８ｄ−ｃ，１８ｅ−ｃは、接続部１２ｃを構成している。

外部端子１６ａは、図１２及び図１３に示すように、接続部１８ａ−ｂの表面の中央近傍に設けられている矩形状の導体である。外部端子１６ｂは、図１２及び図１３に示すように、接続部１８ａ−ｃの表面の中央近傍に設けられている矩形状の導体である。外部端子１６ａ，１６ｂは、銀や銅を主成分とする比抵抗の小さな金属材料により作製されている。また、外部端子１６ａ，１６ｂの表面には、金めっきが施されている。

信号導体層２０は、図１３に示すように、誘電体素体１２内に設けられている線状導体層であり、誘電体シート１８ｄの表面をｘ軸方向に延在している。信号導体層２０の両端はそれぞれ、ｚ軸方向から平面視したときに、外部端子１６ａ，１６ｂと重なっている。信号導体層２０の線幅は、領域Ａ１３において、線幅Ｗａと線幅Ｗｂとを周期的に変動している。また、領域Ａ１１，Ａ１２における信号導体層２０の線幅は、線幅Ｗａである。信号導体層２０は、銀や銅を主成分とする比抵抗の小さな金属材料により作製されている。

ビアホール導体ｂ１１は、誘電体シート１８ａの接続部１８ａ−ｂをｚ軸方向に貫通している。ビアホール導体ｂ１２は、誘電体シート１８ｂの接続部１８ｂ−ｂをｚ軸方向に貫通している。ビアホール導体ｂ１３は、誘電体シート１８ｃの接続部１８ｃ−ｂをｚ軸方向に貫通している。ビアホール導体ｂ１１〜ｂ１３は、互いに接続されて１本のビアホール導体を構成しており、外部端子１６ａと信号導体層２０のｘ軸方向の負方向側の端部とを接続している。ビアホール導体ｂ１１〜ｂ１３は、銀や銅を主成分とする比抵抗の小さな金属材料により作製されている。

ビアホール導体ｂ１４は、誘電体シート１８ａの接続部１８ａ−ｃをｚ軸方向に貫通している。ビアホール導体ｂ１５は、誘電体シート１８ｂの接続部１８ｂ−ｃをｚ軸方向に貫通している。ビアホール導体ｂ１６は、誘電体シート１８ｃの接続部１８ｃ−ｃをｚ軸方向に貫通している。ビアホール導体ｂ１４〜ｂ１６は、互いに接続されて１本のビアホール導体を構成しており、外部端子１６ｂと信号導体層２０のｘ軸方向の正方向側の端部とを接続している。ビアホール導体ｂ１４〜ｂ１６は、銀や銅を主成分とする比抵抗の小さな金属材料により作製されている。

グランド導体層２２は、図１３に示すように、誘電体素体１２に設けられ、かつ、信号導体層２０に対向している。より詳細には、グランド導体層２２は、誘電体素体１２において、誘電体素体１２の表面Ｓ１に最も近い誘電体シート１８ａの表面に設けられている。これにより、グランド導体層２２は、誘電体素体１２内において信号導体層２０よりもｚ軸方向の正方向側に位置していると共に、誘電体シート１８ａ〜１８ｃを介して信号導体層２０と対向している。グランド導体層２２は、銀や銅を主成分とする比抵抗の小さな金属材料により作製されている。更に、グランド導体層２２の表面には、防錆のために金めっき等が施される。

また、グランド導体層２２は、線路部２２ａ、端子部２２ｃ，２２ｄにより構成されている。線路部２２ａは、線路部１８ａ−ａの表面の領域Ａ１３に設けられ、ｘ軸方向に延在している。端子部２２ｃは、接続部１８ａ−ｂの表面に設けられ、外部端子１６ａの周囲を囲む矩形状の環をなしている。端子部２２ｃは、線路部２２ａには接続されていない。端子部２２ｄは、接続部１８ａ−ｃの表面に設けられ、外部端子１６ｂの周囲を囲む環状の矩形状をなしている。端子部２２ｄは、線路部２２ａには接続されていない。

グランド導体層２３は、図１３に示すように、誘電体素体１２内に設けられ、かつ、信号導体層２０に対向している。より詳細には、グランド導体層２３は、誘電体素体１２において、誘電体シート１８ｃの表面に設けられている。これにより、グランド導体層２３は、誘電体素体１２内において信号導体層２０よりもｚ軸方向の正方向側であって、かつ、グランド導体層２２よりもｚ軸方向の負方向側に位置していると共に、誘電体シート１８ｃを介して信号導体層２０と対向している。よって、図１４に示すように、グランド導体層２３と信号導体層２０との間隔Ｄ１１は、グランド導体層２２と信号導体層２０との間隔Ｄ１２よりも小さい。

また、グランド導体層２３は、線路部２３ａ，２３ｂ、端子部２３ｃ，２３ｄにより構成されている。線路部２３ａは、線路部１８ｃ−ａの表面の領域Ａ１１に設けられ、ｘ軸方向に延在している。ただし、線路部２３ａは、線路部１８ｃ−ａの表面の領域Ａ１３にわずかにはみ出している。これにより、線路部２３ａは、ｚ軸方向から平面視したときに、線路部２２ａのｘ軸方向の負方向側の端部と重なっている。線路部２３ｂは、線路部１８ｃ−ａの表面の領域Ａ１２に設けられ、ｘ軸方向に延在している。ただし、線路部２３ｂは、線路部１８ｃ−ａの表面の領域Ａ１３にわずかにはみ出している。これにより、線路部２３ｂは、ｚ軸方向から平面視したときに、線路部２２ａのｘ軸方向の正方向側の端部と重なっている。

端子部２３ｃは、接続部１８ｃ−ｂの表面に設けられ、端子部２２ｃと同じ矩形状の環をなしている。端子部２３ｃは、線路部２３ａのｘ軸方向の負方向側の端部に接続されている。端子部２３ｄは、接続部１８ｃ−ｃの表面に設けられ、端子部２２ｄと同じ環状の矩形状をなしている。端子部２２ｄは、線路部２３ｂのｘ軸方向の正方向側の端部に接続されている。グランド導体層２３は、銀や銅を主成分とする比抵抗の小さな金属材料により作製されている。

補強導体層２７ａは、誘電体シート１８ｂの線路部１８ｂ−ａのｘ軸方向の負方向側の端部近傍に設けられている。補強導体層２７ａは、ｚ軸方向から平面視したときに、線路部２２ａのｘ軸方向の負方向側の端部及び線路部２３ａのｘ軸方向の正方向側の端部と重なっている。

補強導体層２７ｂは、誘電体シート１８ｂの線路部１８ｂ−ａのｘ軸方向の正方向側の端部近傍に設けられている。補強導体層２７ｂは、ｚ軸方向から平面視したときに、線路部２２ａのｘ軸方向の正方向側の端部及び線路部２３ｂのｘ軸方向の負方向側の端部と重なっている。

ビアホール導体Ｂ２６は、ｙ軸方向に一直線に並ぶように３つ設けられており、誘電体シート１８ａをｚ軸方向に貫通している。ビアホール導体Ｂ２７は、ｙ軸方向に一直線に並ぶように３つ設けられており、誘電体シート１８ｂをｚ軸方向に貫通している。ビアホール導体Ｂ２６，Ｂ２７は、互いに接続されており、線路部２２ａのｘ軸方向の負方向側の端部と補強導体層２７ａと線路部２３ａのｘ軸方向の正方向側の端部とを接続している。

ビアホール導体Ｂ３１は、ｙ軸方向に一直線に並ぶように３つ設けられており、誘電体シート１８ａをｚ軸方向に貫通している。ビアホール導体Ｂ３２は、ｙ軸方向に一直線に並ぶように３つ設けられており、誘電体シート１８ｂをｚ軸方向に貫通している。ビアホール導体Ｂ３１，Ｂ３２は、互いに接続されており、線路部２２ａのｘ軸方向の正方向側の端部と補強導体層２７ｂと線路部２３ｂのｘ軸方向の負方向側の端部とを接続している。これにより、グランド導体層２２，２３は、誘電体素体１２に設けられ、かつ、信号導体層２０に対向している第１のグランド導体層を構成している。

グランド導体層２４は、図１３に示すように、誘電体素体１２内に設けられ、かつ、信号導体層２０をはさんでグランド導体層２２，２３に対向している。より詳細には、グランド導体層２４は、誘電体素体１２において、誘電体素体１２の裏面Ｓ２に最も近い誘電体シート１８ｅの裏面においてｘ軸方向に延在している。これにより、グランド導体層２４は、誘電体素体１２内において信号導体層２０よりもｚ軸方向の負方向側に位置していると共に、誘電体シート１８ｄ，１８ｅを介して信号導体層２０と対向している。グランド導体層２４は、銀や銅を主成分とする比抵抗の小さな金属材料により作製されている。

また、グランド導体層２４は、線路部２４ａ、端子部２４ｃ，２４ｄにより構成されている。線路部２４ａは、線路部１８ｅ−ａの裏面の領域Ａ１３に設けられ、ｘ軸方向に延在している。また、線路部２４ａには、信号導体層２０に沿ってｘ軸方向に並ぶ複数の開口３０が設けられている。開口３０は、図１３に示すように、十字型をなしている。すなわち、開口３０は、ｘ軸方向の中央におけるｙ軸方向の幅が相対的に大きく、ｘ軸方向の両端におけるｙ軸方向の幅が相対的に小さな形状をなしている。なお、図１３では、開口３０が３つだけ並んでいるが、実際には、多数の開口３０が並んでいる。

端子部２４ｃは、接続部１８ｅ−ｂの裏面に設けられ、端子部２２ｃと同じ矩形状の環をなしている。端子部２４ｃは、線路部２４ａには接続されていない。端子部２４ｄは、接続部１８ｅ−ｃの裏面に設けられ、端子部２２ｄと同じ環状の矩形状をなしている。端子部２４ｄは、線路部２４ａには接続されていない。

以上のように、信号導体層２０は、ｚ軸方向の両側からグランド導体層２２，２３，２４によって挟まれている。すなわち、信号導体層２０及びグランド導体層２２，２３，２４は、領域Ａ１１，Ａ１２を除きトリプレート型のストリップライン構造をなしている。

なお、本実施形態では、高周波信号線路１０ｆはグランド導体層２４を備えていたが、グランド導体層２４は必ずしも備えていなくてもよい。すなわち、グランド導体層２２，２３と信号導体層２０とでマイクロストリップライン構造の高周波信号線路を構成しても構わない。ただし、不要輻射の発生抑制の観点から、高周波信号線路１０ｆのようなトリプレート型のストリップライン構造とすることが好ましい。

ビアホール導体Ｂ２１〜Ｂ２５はそれぞれ、誘電体シート１８ａ〜１８ｅの線路部１８ａ−ａ〜１８ｅ−ａをｚ軸方向に貫通しており、線路部１８ａ−ａ〜１８ｅ−ａに複数ずつ設けられている。そして、ビアホール導体Ｂ２１〜Ｂ２５は、互いに接続されることにより１本のビアホール導体を構成しており、線路部２２ａと線路部２４ａとを接続している。ビアホール導体Ｂ２１〜Ｂ２５は、銀や銅を主成分とする比抵抗の小さな金属材料により作製されている。

ビアホール導体Ｂ２８は、ｙ軸方向に一直線に並ぶように２つ設けられており、誘電体シート１８ｃをｚ軸方向に貫通している。ビアホール導体Ｂ２９は、ｙ軸方向に一直線に並ぶように２つ設けられており、誘電体シート１８ｄをｚ軸方向に貫通している。ビアホール導体Ｂ３０は、ｙ軸方向に一直線に並ぶように２つ設けられており、誘電体シート１８ｅをｚ軸方向に貫通している。ビアホール導体Ｂ２８〜Ｂ３０は、互いに接続されており、線路部２３ａのｘ軸方向の正方向側の端部と線路部２４ａのｘ軸方向の負方向側の端部とを接続している。ビアホール導体Ｂ２８〜Ｂ３０は、銀や銅を主成分とする比抵抗の小さな金属材料により作製されている。

ビアホール導体Ｂ３３は、ｙ軸方向に一直線に並ぶように２つ設けられており、誘電体シート１８ｃをｚ軸方向に貫通している。ビアホール導体Ｂ３４は、ｙ軸方向に一直線に並ぶように２つ設けられており、誘電体シート１８ｄをｚ軸方向に貫通している。ビアホール導体Ｂ３５は、ｙ軸方向に一直線に並ぶように２つ設けられており、誘電体シート１８ｅをｚ軸方向に貫通している。ビアホール導体Ｂ３３〜Ｂ３５は、互いに接続されており、線路部２３ｂのｘ軸方向の負方向側の端部と線路部２４ａのｘ軸方向の正方向側の端部とを接続している。ビアホール導体Ｂ３３〜Ｂ３５は、銀や銅を主成分とする比抵抗の小さな金属材料により作製されている。

ビアホール導体Ｂ４０は、誘電体シート１８ａの接続部１８ａ−ｂをｚ軸方向に貫通している。ビアホール導体Ｂ４１は、誘電体シート１８ｂの接続部１８ｂ−ｂをｚ軸方向に貫通している。ビアホール導体Ｂ４２は、誘電体シート１８ｃの接続部１８ｃ−ｂをｚ軸方向に貫通している。ビアホール導体Ｂ４３は、誘電体シート１８ｄの接続部１８ｄ−ｂをｚ軸方向に貫通している。ビアホール導体Ｂ４４は、誘電体シート１８ｅの接続部１８ｅ−ｂをｚ軸方向に貫通している。ビアホール導体Ｂ４０〜Ｂ４４は、互いに接続されており、端子部２２ｃ，２３ｃ，２４ｃを接続している。ビアホール導体Ｂ４０〜Ｂ４４は、銀や銅を主成分とする比抵抗の小さな金属材料により作製されている。

ビアホール導体Ｂ４５は、誘電体シート１８ａの接続部１８ａ−ｃをｚ軸方向に貫通している。ビアホール導体Ｂ４６は、誘電体シート１８ｂの接続部１８ｂ−ｃをｚ軸方向に貫通している。ビアホール導体Ｂ４７は、誘電体シート１８ｃの接続部１８ｃ−ｃをｚ軸方向に貫通している。ビアホール導体Ｂ４８は、誘電体シート１８ｄの接続部１８ｄ−ｃをｚ軸方向に貫通している。ビアホール導体Ｂ４９は、誘電体シート１８ｅの接続部１８ｅ−ｃをｚ軸方向に貫通している。ビアホール導体Ｂ４５〜Ｂ４９は、互いに接続されており、端子部２２ｄ，２３ｄ，２４ｄを接続している。ビアホール導体Ｂ４５〜Ｂ４９は、銀や銅を主成分とする比抵抗の小さな金属材料により作製されている。

保護層１４ａは、接続部１８ａ−ｂの表面を覆っている。ただし、保護層１４ａには、開口Ｈａ〜Ｈｄが設けられている。開口Ｈａは、保護層１４ａの中央に設けられている矩形状の開口である。外部端子１６ａは、開口Ｈａを介して外部に露出している。また、開口Ｈｂは、開口Ｈａのｙ軸方向の正方向側に設けられている矩形状の開口である。開口Ｈｃは、開口Ｈａのｘ軸方向の負方向側に設けられている矩形状の開口である。開口Ｈｄは、開口Ｈａのｙ軸方向の負方向側に設けられている矩形状の開口である。端子部２２ｃは、開口Ｈｂ〜Ｈｄを介して外部に露出することにより、外部端子として機能する。保護層１４ａは、例えば、レジスト材等の可撓性樹脂からなる。

保護層１４ｂは、接続部１８ａ−ｃの表面を覆っている。ただし、保護層１４ｂには、開口Ｈｅ〜Ｈｈが設けられている。開口Ｈｅは、保護層１４ｂの中央に設けられている矩形状の開口である。外部端子１６ｂは、開口Ｈｅを介して外部に露出している。また、開口Ｈｆは、開口Ｈｅのｙ軸方向の正方向側に設けられている矩形状の開口である。開口Ｈｇは、開口Ｈｅのｘ軸方向の正方向側に設けられている矩形状の開口である。開口Ｈｈは、開口Ｈｅのｙ軸方向の負方向側に設けられている矩形状の開口である。端子部２２ｄは、開口Ｈｆ〜Ｈｈを介して外部に露出することにより、外部端子として機能する。保護層１４ｂは、例えば、レジスト材等の可撓性樹脂からなる。

保護層１４ｃは、線路部１８ａ−ａの表面に設けられており、線路部１８ａ−ａを覆っている。保護層１４ｃは、例えば、レジスト材等の可撓性樹脂からなる。

保護層１５は、誘電体シート１８ｅの裏面に設けられており、グランド導体層２４の全面を覆っている。保護層１５は、例えば、レジスト材等の可撓性樹脂からなる。

本実施形態に係る高周波信号線路１０ｆのコネクタ１００ａ，１００ｂの構成は、第１の実施形態に係る高周波信号線路１０のコネクタ１００ａ，１００ｂと同じであるので説明を省略する。

高周波信号線路１０ｆは、折り曲げて用いられる。図１５は、高周波信号線路１０ｆの電子機器２００への取り付け例を示した図である。

電子機器２００は、高周波信号線路１０ｆ、回路基板２０２ａ，２０２ｂ、レセプタクル２０４ａ，２０４ｂ、バッテリーパック（金属体）２０６及び筐体２１０を備えている。

回路基板２０２ａには、例えば、アンテナを含む送信回路又は受信回路が設けられている。回路基板２０２ｂには、例えば、給電回路が設けられている。バッテリーパック２０６は、例えば、リチウムイオン２次電池であり、その表面が金属カバーにより覆われた構造を有している。回路基板２０２ａ、バッテリーパック２０６及び回路基板２０２ｂは、ｘ軸方向の負方向側から正方向側へとこの順に並んでいる。

誘電体素体１２の表面（より正確には、保護層１４）は、バッテリーパック２０６に対して接触している。そして、誘電体素体１２の表面とバッテリーパック２０６とは、接着剤等により固定されている。

レセプタクル２０４ａ，２０４ｂはそれぞれ、回路基板２０２ａ，２０２ｂのｚ軸方向の負方向側の主面上に設けられている。レセプタクル２０４ａ，２０４ｂにはそれぞれ、コネクタ１００ａ，１００ｂが接続される。これにより、コネクタ１００ａ，１００ｂの中心導体１０８には、回路基板２０２ａ，２０２ｂ間を伝送される例えば２ＧＨｚの周波数を有する高周波信号がレセプタクル２０４ａ，２０４ｂを介して印加される。また、コネクタ１００ａ，１００ｂの外部導体１１０には、回路基板２０２ａ，２０２ｂ及びレセプタクル２０４ａ，２０４ｂを介して、グランド電位に保たれる。これにより、高周波信号線路１０ｆは、回路基板２０２ａ，２０２ｂ間を接続している。

ここで、バッテリーパック２０６のｚ軸方向の負方向側の主面とレセプタクル２０４ａ，２０４ｂとの間には段差が存在する。そこで、図１４及び図１５に示すように、誘電体素体１２の線路部１２ａの両端（すなわち、領域Ａ１１，Ａ１２）が折り曲げられることによって、コネクタ１００ａ，１００ｂはそれぞれ、レセプタクル２０４ａ，２０４ｂに接続されている。

（効果）
第２の実施形態に係る高周波信号線路１０ｆによれば、高周波信号線路１０と同様に、高周波信号線路１０ｆを容易に曲げることができる。また、高周波信号線路１０ｆによれば、高周波信号線路１０と同様に、高周波信号線路１０ｆが折り曲げられた際に、グランド導体層２２，２３が断線することが抑制される。また、高周波信号線路１０ｆでは、高周波信号線路１０と同様に、信号導体層２０の特性インピーダンスが所定の特性インピーダンスからずれることが抑制される。また、高周波信号線路１０ｆによれば、高周波信号線路１０と同様に、領域Ａ１１，Ａ１２における特性インピーダンスが所定の特性インピーダンスからずれることが抑制される。

また、高周波信号線路１０ｆは、信号導体層２０の特性インピーダンスの変動を抑制できる。より詳細には、高周波信号線路１０ｆでは、領域Ａ１１，Ａ１２は、線路部１２ａのｘ軸方向の両端に位置している。これにより、線路部１２ａの構造は、線路部１２ａの両端を除く部分（すなわち、領域Ａ１３）において均一となる。したがって、線路部１２ａの領域Ａ１３における信号導体層２０の特性インピーダンスの変動が抑制される。更に、領域Ａ１１，Ａ１２は、接続部１２ｂ，１２ｃに隣接している。そこで、接続部１２ｂ，１２ｃの特性インピーダンス及びコネクタ１００ａ，１００ｂの特性インピーダンスを調整することによって、領域Ａ１１，Ａ１２における信号導体層２０の特性インピーダンスを調整することが可能である。具体的な調整方法としては、例えば、領域Ａ１１，Ａ１２における信号導体層２０の線幅を変更することや、信号導体層２０とグランド導体層２３との距離を調整すること等が挙げられるこれらの方法によって、接続部１２ｂ，１２ｃの特性インピーダンス及びコネクタ１００ａ，１００ｂの特性インピーダンスを調整することによって、領域Ａ１１，Ａ１２における信号導体層２０の特性インピーダンスを領域Ａ１３における信号導体層２０の特性インピーダンスに近づけることが可能である。以上より、高周波信号線路１０ｆでは、信号導体層２０の特性インピーダンスの変動を抑制することができ、また、特性インピーダンスの調整（合わせこみ）を容易に行うことができる。

また、高周波信号線路１０ｆは、以下の理由によっても、信号導体層２０の特性インピーダンスが変動することを抑制できる。より詳細には、グランド導体層２２，２４が設けられていない領域Ａ１１，Ａ１２がバッテリーパック２０６に接触すると、信号導体層２０の特性インピーダンスが変動しやすい。そこで、高周波信号線路１０ｆでは、領域Ａ１１，Ａ１２は、線路部１２ａのｘ軸方向の両端に位置している。これにより、図１５に示すように、領域Ａ１１，Ａ１２がバッテリーパック２０６と接触あるいは近接しなくなる。その結果、高周波信号線路１０ｆは、信号導体層２０の特性インピーダンスが変動することを抑制できる。

また、高周波信号線路１０ｆでは、グランド導体層２４に開口３０が設けられている。そのため、信号導体層２０とグランド導体層２４との間に発生する容量が小さくなりすぎないように、信号導体層２０とグランド導体層２４との間隔は、信号導体層２０とグランド導体層２２との間隔よりも小さく設定されている。この場合、信号導体層２０よりもｚ軸方向の正方向側に設けられている誘電体シート１８ａ〜１８ｃの厚みの方が、信号導体層２０よりもｚ軸方向の負方向側に設けられている誘電体シート１８ｃ，１８ｄの厚みよりも大きくなる。そこで、領域Ａ１１，Ａ１２において、信号導体層２０よりもグランド導体層２２側（すなわち、ｚ軸方向の正方向側）に設けられている誘電体シート１８ａ，１８ｂの一部が欠損している。これにより、高周波信号線路１０ｆの領域Ａ１１，Ａ１２における高周波信号線路１０ｆの厚みをより効果的に薄くすることができる。その結果、高周波信号線路１０ｆをより容易に曲げることが可能となる。

また、高周波信号線路１０ｆでは、補強導体層２７ａ，２７ｂが設けられている。これにより、線路部１２ａのｘ軸方向の両端が変形することが抑制される。

（第２の実施形態の変形例）
以下に、変形例に係る高周波信号線路１０ｇについて図面を参照しながら説明する。図１６は、変形例に係る高周波信号線路１０ｇの誘電体素体１２の分解図である。

高周波信号線路１０ｇは、端子部２９ｃ，２９ｄ，３１ｃ，３１ｄが設けられている点において高周波信号線路１０ｆと相違する。端子部２９ｃは、接続部１８ｂ−ｂの表面に設けられ、端子部２２ｃと同じ矩形状の環をなしている。端子部２９ｄは、接続部１８ｂ−ｃの表面に設けられ、端子部２２ｄと同じ矩形状の環をなしている。

端子部３１ｃは、接続部１８ｄ−ｂの表面に設けられ、ｘ軸方向の正方向側が開口したコ字型をなしている。端子部３１ｃは、ｚ軸方向から平面視したときに、端子部２９ｃと重なっている。端子部３１ｄは、接続部１８ｄ−ｃの表面に設けられ、ｘ軸方向の負方向側が開口したコ字型をなしている。端子部３１ｄは、ｚ軸方向から平面視したときに、端子部２９ｄと重なっている。

以上のように構成された高周波信号線路１０ｇは、高周波信号線路１０ｆと同じ作用効果を奏することができる。更に、高周波信号線路１０ｇには、接続部１２ｂ，１２ｃに端子部２９ｃ，２９ｄ，３１ｃ，３１ｄが設けられているので、接続部１２ｂ，１２ｃが変形しにくくなる。その結果、コネクタ１００ａ，１００ｂがレセプタクル２０４ａ，２０４ｂに取り付けられる際に、接続部１２ｂ，１２ｃに大きな力が加わって、接続部１２ｂ，１２ｃが大きく変形して破損することが抑制される。

（第３の実施形態）
以下に、本発明の第３の実施形態に係る高周波信号線路の構成について図面を参照しながら説明する。図１７は、本発明の第３の実施形態に係る高周波信号線路１０ｈの断面構造図である。図１８は、図１７の高周波信号線路１０ｈの谷折りされた部分における分解図である。図１９は、図１７の高周波信号線路１０ｈの山折りされた部分における分解図である。図１７ないし図１９において、高周波信号線路１０ｈの積層方向をｚ軸方向と定義する。また、高周波信号線路１０ｈの長手方向をｘ軸方向と定義し、ｘ軸方向及びｚ軸方向に直交する方向をｙ軸方向と定義する。

高周波信号線路１０ｈは、図１７ないし図１９に示すように、誘電体素体１２、保護層１４，１５、信号導体層２０、グランド導体層２２，２３，２４，２５及びビアホール導体Ｂ１０１〜Ｂ１０８，Ｂ１１０〜Ｂ１１５，Ｂ１２０〜Ｂ１２３，Ｂ１３１〜Ｂ１３４を備えている。

誘電体素体１２は、ｚ軸方向から平面視したときに、ｘ軸方向に延在しており、誘電体シート（絶縁体層）１８（１８ａ〜１８ｄ）がｚ軸方向の正方向側から負方向側へとこの順に積層されて構成されている積層体である。

誘電体素体１２は、ｘ軸方向に延在しており、図１８及び図１９に示すように、領域Ａ２１〜Ａ２３，Ａ３１〜Ａ３３を有している。領域Ａ２２，Ａ２１，Ａ２３は、この順にｘ軸方向に並んでおり、互いに隣り合っている。領域Ａ３２，Ａ３１，Ａ３３は、この順にｘ軸方向に並んでおり、互いに隣り合っている。

また、誘電体素体１２は、図１７に示すように、領域Ａ２１において谷折りされ、領域Ａ３１において山折りされる。谷折りとは、誘電体素体１２のｚ軸方向の正方向側の主面が谷折りされることを意味し、山折りとは、誘電体素体１２のｚ軸方向の正方向側の主面が山折りされることを意味する。

信号導体層２０は、線路部２０ａ〜２０ｃにより構成されている。線路部２０ａは、図１７及び図１８に示すように、誘電体シート１８ｂの裏面に設けられており、ｘ軸方向に延在している。ただし、線路部２０ａは、領域Ａ２２に設けられている。

線路部２０ｂは、図１７及び図１８に示すように、領域Ａ２１において、誘電体シート１８ｃの裏面に設けられており、ｘ軸方向に延在している。

線路部２０ｃは、図１７ないし図１９に示すように、誘電体シート１８ｂの裏面に設けられており、ｘ軸方向に延在している。ただし、線路部２０ａは、領域Ａ２３、Ａ３１〜Ａ３３に設けられている。

ビアホール導体Ｂ１１０は、誘電体シート１８ｃをｚ軸方向に貫通しており、線路部２０ａのｘ軸方向の正方向側の端部と線路部２０ｂのｘ軸方向の負方向側の端部とを接続している。ビアホール導体Ｂ１１１は、誘電体シート１８ｃをｚ軸方向に貫通しており、線路部２０ｂのｘ軸方向の正方向側の端部と線路部２０ｃのｘ軸方向の負方向側の端部とを接続している。これにより、線路部２０ａ〜２０ｃが接続されて、１本の信号導体層２０が形成されている。

グランド導体層２２は、図１７ないし図１９に示すように、誘電体素体１２において信号導体層２０よりもｚ軸方向の負方向側に設けられ、信号導体層２０に対向している。より詳細には、グランド導体層２２は、線路部２２ｅ〜２２ｇにより構成されている。線路部２２ｅは、図１７及び図１８に示すように、誘電体シート１８ｄの裏面に設けられており、ｘ軸方向に延在している。ただし、線路部２２ｅは、領域Ａ２２に設けられている。また、線路部２２ｅは、ベタ状の導体層である。よって、線路部２２ｅにおいて信号導体層２０と重なる位置には開口が設けられていない。

線路部２２ｆは、図１７及び図１８に示すように、誘電体シート１８ｄの裏面に設けられており、ｘ軸方向に延在している。ただし、線路部２２ｆは、領域Ａ２３，Ａ３２に設けられている。また、線路部２２ｆは、ベタ状の導体層である。よって、線路部２２ｆにおいて信号導体層２０と重なる位置には開口が設けられていない。

線路部２２ｇは、図１７ないし図１９に示すように、誘電体シート１８ｄの裏面に設けられており、ｘ軸方向に延在している。ただし、線路部２２ｇは、領域Ａ３３に設けられている。また、線路部２２ｇは、ベタ状の導体層である。よって、線路部２２ｇにおいて信号導体層２０と重なる位置には開口が設けられていない。

グランド導体層２３は、図１７及び図１９に示すように、誘電体シート１８ｃの裏面に設けられており、ｘ軸方向に延在している。ただし、グランド導体層２３は、領域Ａ３１に設けられている。これにより、グランド導体層２３は、グランド導体層２２よりも信号導体層２０の近くに配置されている。また、グランド導体層２３は、ベタ状の導体層である。よって、グランド導体層２３において信号導体層２０と重なる位置には開口が設けられていない。

ビアホール導体Ｂ１２０は、誘電体シート１８ｃをｚ軸方向に貫通している。ビアホール導体Ｂ１２１は、誘電体シート１８ｄをｚ軸方向に貫通している。ビアホール導体Ｂ１２０，Ｂ１２１は、互いに接続されて１本のビアホール導体を構成しており、線路部２２ｆとグランド導体層２３とを接続している。

ビアホール導体Ｂ１２２は、誘電体シート１８ｃをｚ軸方向に貫通している。ビアホール導体Ｂ１２３は、誘電体シート１８ｄをｚ軸方向に貫通している。ビアホール導体Ｂ１２２，Ｂ１２３は、互いに接続されて１本のビアホール導体を構成しており、線路部２２ｇとグランド導体層２３とを接続している。

グランド導体層２４は、図１７ないし図１９に示すように、誘電体素体１２において信号導体層２０よりもｚ軸方向の正方向側に設けられ、信号導体層２０に対向している。より詳細には、グランド導体層２４は、線路部２４ｅ〜２４ｇにより構成されている。線路部２４ｅは、図１７及び図１８に示すように、誘電体シート１８ａの表面に設けられており、ｘ軸方向に延在している。ただし、線路部２４ｅは、領域Ａ２２に設けられている。また、線路部２４ｅには、ｘ軸方向に延在する長辺を有する長方形状の複数の開口３０が設けられている。複数の開口３０は、ｘ軸方向に一列に並んでおり、ｚ軸方向から平面視したときに信号導体層２０と重なっている。

線路部２４ｆは、図１７及び図１８に示すように、誘電体シート１８ａの表面に設けられており、ｘ軸方向に延在している。ただし、線路部２４ｆは、領域Ａ２３，Ａ３２に設けられている。また、線路部２４ｆには、ｘ軸方向に延在する長辺を有する長方形状の複数の開口３０が設けられている。複数の開口３０は、ｘ軸方向に一列に並んでおり、ｚ軸方向から平面視したときに信号導体層２０と重なっている。

線路部２４ｇは、図１７ないし図１９に示すように、誘電体シート１８ａの表面に設けられており、ｘ軸方向に延在している。ただし、線路部２４ｇは、領域Ａ３３に設けられている。また、線路部２４ｇには、ｘ軸方向に延在する長辺を有する長方形状の複数の開口３０が設けられている。複数の開口３０は、ｘ軸方向に一列に並んでおり、ｚ軸方向から平面視したときに信号導体層２０と重なっている。

グランド導体層２５は、図１７及び図１８に示すように、誘電体シート１８ｂの裏面に設けられており、ｘ軸方向に延在している。ただし、グランド導体層２５は、領域Ａ２１に設けられている。これにより、グランド導体層２５は、グランド導体層２４よりも信号導体層２０の近くに配置されている。また、グランド導体層２５は、ベタ状の導体層である。よって、グランド導体層２５において信号導体層２０と重なる位置には開口が設けられていない。

ビアホール導体Ｂ１１２は、誘電体シート１８ａをｚ軸方向に貫通している。ビアホール導体Ｂ１１３は、誘電体シート１８ｂをｚ軸方向に貫通している。ビアホール導体Ｂ１１２，Ｂ１１３は、互いに接続されて１本のビアホール導体を構成しており、線路部２４ｅとグランド導体層２５とを接続している。

ビアホール導体Ｂ１１４は、誘電体シート１８ａをｚ軸方向に貫通している。ビアホール導体Ｂ１１５は、誘電体シート１８ｂをｚ軸方向に貫通している。ビアホール導体Ｂ１１４，Ｂ１１５は、互いに接続されて１本のビアホール導体を構成しており、線路部２４ｆとグランド導体層２５とを接続している。

ビアホール導体Ｂ１０１は、誘電体シート１８ａをｚ軸方向に貫通しており、ｚ軸方向から平面視したときに、信号導体層２０のｙ軸方向の両側において等間隔にｘ軸方向に並ぶように設けられている。ビアホール導体Ｂ１０２は、誘電体シート１８ｂをｚ軸方向に貫通しており、ｚ軸方向から平面視したときに、信号導体層２０のｙ軸方向の両側においてｘ軸方向に等間隔に並ぶように設けられている。ビアホール導体Ｂ１０３は、誘電体シート１８ｃをｚ軸方向に貫通しており、ｚ軸方向から平面視したときに、信号導体層２０のｙ軸方向の両側においてｘ軸方向に等間隔に並ぶように設けられている。ビアホール導体Ｂ１０４は、誘電体シート１８ｄをｚ軸方向に貫通しており、ｚ軸方向から平面視したときに、信号導体層２０のｙ軸方向の両側においてｘ軸方向に等間隔に並ぶように設けられている。ビアホール導体Ｂ１０１〜Ｂ１０４は、互いに接続されて１本のビアホール導体を構成しており、線路部２４ｅと線路部２２ｅとを接続している。

ビアホール導体Ｂ１０５は、誘電体シート１８ａをｚ軸方向に貫通しており、ｚ軸方向から平面視したときに、信号導体層２０のｙ軸方向の両側に等間隔に並ぶように設けられている。ビアホール導体Ｂ１０６は、誘電体シート１８ｂをｚ軸方向に貫通しており、ｚ軸方向から平面視したときに、信号導体層２０のｙ軸方向の両側に等間隔に並ぶように設けられている。ビアホール導体Ｂ１０７は、誘電体シート１８ｃをｚ軸方向に貫通しており、ｚ軸方向から平面視したときに、信号導体層２０のｙ軸方向の両側に等間隔に並ぶように設けられている。ビアホール導体Ｂ１０８は、誘電体シート１８ｄをｚ軸方向に貫通しており、ｚ軸方向から平面視したときに、信号導体層２０のｙ軸方向の両側に等間隔に並ぶように設けられている。ビアホール導体Ｂ１０５〜Ｂ１０８は、互いに接続されて１本のビアホール導体を構成しており、線路部２４ｆと線路部２２ｆとを接続している。

ビアホール導体Ｂ１３１は、誘電体シート１８ａをｚ軸方向に貫通しており、ｚ軸方向から平面視したときに、信号導体層２０のｙ軸方向の両側に等間隔に並ぶように設けられている。ビアホール導体Ｂ１３２は、誘電体シート１８ｂをｚ軸方向に貫通しており、ｚ軸方向から平面視したときに、信号導体層２０のｙ軸方向の両側に等間隔に並ぶように設けられている。ビアホール導体Ｂ１３３は、誘電体シート１８ｃをｚ軸方向に貫通しており、ｚ軸方向から平面視したときに、信号導体層２０のｙ軸方向の両側に等間隔に並ぶように設けられている。ビアホール導体Ｂ１３４は、誘電体シート１８ｄをｚ軸方向に貫通しており、ｚ軸方向から平面視したときに、信号導体層２０のｙ軸方向の両側に等間隔に並ぶように設けられている。ビアホール導体Ｂ１３１〜Ｂ１３４は、互いに接続されて１本のビアホール導体を構成しており、線路部２４ｇと線路部２２ｇとを接続している。

以上のように構成された高周波信号線路１０ｈでは、信号導体層２０は、領域Ａ２２，Ａ２３，Ａ３２，Ａ３３では、ｚ軸方向の両側からグランド導体層２２とグランド導体層２４とに挟まれている。これにより、高周波信号線路１０ｅは、トリプレート型のストリップライン構造をなしている。

ここで、図１８に示すように、線路部２２ｅと線路部２２ｆとの距離Ｇ２は、線路部２４ｅと線路部２４ｆとの距離Ｇ１よりも長い。また、図１９に示すように、線路部２４ｆと線路部２４ｇとの距離Ｇ３は、線路部２２ｆと線路部２２ｇとの距離Ｇ４よりも長い。

保護層１４は、誘電体シート１８ａの表面上に設けられており、グランド導体層２４を覆っている。保護層１５は、誘電体シート１８ｄの裏面上に設けられており、グランド導体層２２を覆っている。

以上のように構成された高周波信号線路１０ｈは、図１７に示すように、領域Ａ２１，Ａ３１において折り曲げられて用いられる。そして、高周波信号線路１０ｅの裏面（すなわち、保護層１５）がバッテリーパック等の金属体４００に貼り付けられる。

(効果)
高周波信号線路１０ｈでは、領域Ａ３１におけるグランド導体層２３と信号導体層２０との間隔Ｄ１は、領域Ａ３２，Ａ３３におけるグランド導体層２２と信号導体層２０との間隔Ｄ２よりも小さい。これにより、高周波信号線路１０と同様に、高周波信号線路１０ｅを容易に曲げることが可能となる。

また、高周波信号線路１０ｈが領域Ａ２１において谷折りされると、グランド導体層２２がグランド導体層２４よりも外周側に位置する。そこで、高周波信号線路１０ｅでは、線路部２２ｅと線路部２２ｆとの距離Ｇ２は、線路部２４ｅと線路部２４ｆとの距離Ｇ１よりも長くなっている。これにより、高周波信号線路１０ｈが領域Ａ２１において谷折りされた際に、高周波信号線路１０ｅにおいて湾曲している部分にグランド導体層２４が位置しにくくなる。そのため、高周波信号線路１０ｈが曲げられることをグランド導体層２４によって阻害されることが抑制される。

また、高周波信号線路１０ｈが領域Ａ３１において山折りされると、グランド導体層２４がグランド導体層２２よりも外周側に位置する。そこで、高周波信号線路１０ｈでは、線路部２４ｆと線路部２４ｇとの距離Ｇ３は、線路部２２ｆと線路部２２ｇとの距離Ｇ４よりも長くなっている。これにより、高周波信号線路１０ｈが領域Ａ３１において山折りされた際に、高周波信号線路１０ｈにおいて湾曲している部分にグランド導体層２２が位置しにくくなる。そのため、高周波信号線路１０ｈが曲げられることをグランド導体層２２によって阻害されることが抑制される。

なお、高周波信号線路１０，１０ａ〜１０ｈは、フラットケーブルに限定されるものではなく、アンテナフロントエンドモジュールなどＲＦ回路基板における高周波信号線路として用いられてもよい。

以上のように、本発明は、高周波信号線路及びこれを備えた電子機器に有用であり、特に、容易に曲げることができる点において優れている。

Ａ１〜Ａ３，Ａ１１〜Ａ１３ 領域
Ｂ１〜Ｂ１６，Ｂ２１〜Ｂ３５，Ｂ４０〜Ｂ４９，ｂ１〜ｂ４ ビアホール導体
１０，１０ａ〜１０ｈ 高周波信号線路
１２ 誘電体素体
１８ａ〜１８ｅ 誘電体シート
２０ 信号導体層
２２，２３，２４，２５ グランド導体層
３０ 開口

Claims (7)

1. 第１の領域及び第２の領域を有する積層体であって、可撓性を有する複数の絶縁体層が積層されてなる積層体と、
   前記積層体に設けられている信号導体層と、
   前記積層体に設けられ、かつ、前記信号導体層に対向している第１のグランド導体層と、
   前記積層体に設けられ、かつ、前記信号導体層との間で静電容量を形成する第２のグランド導体層と、
   を備えており、
   前記第１の領域における前記第１のグランド導体層と前記信号導体層との間隔は、前記第２の領域における該第１のグランド導体層と該信号導体層との間隔よりも小さく、
   前記積層体は、前記第１の領域において折り曲げられており、
   前記第１の領域の少なくとも一部には、前記第２のグランド導体層が設けられていないこと、
   を特徴とする高周波信号線路。
2. 前記第１の領域の少なくとも一部における前記積層体の厚みは、前記第２の領域における該積層体の厚みよりも薄いこと、
   を特徴とする請求項１に記載の高周波信号線路。
3. 前記第１の領域における前記信号導体層の線幅は、前記第２の領域における該信号導体層の線幅よりも細いこと、
   を特徴とする請求項１又は請求項２のいずれかに記載の高周波信号線路。
4. 前記積層体は、前記信号導体層よりも前記第１のグランド導体層が内周側に位置するように前記第１の領域において折り曲げられること、
   を特徴とする請求項１ないし請求項３のいずれかに記載の高周波信号線路。
5. 第１の領域及び第２の領域を有する積層体であって、可撓性を有する複数の絶縁体層が積層されてなる積層体と、
   前記積層体に設けられている信号導体層と、
   前記積層体に設けられ、かつ、前記信号導体層に対向している第１のグランド導体層と、
   前記積層体に設けられ、かつ、前記信号導体層との間で静電容量を形成する第２のグランド導体層と、
   を備えており、
   前記第１の領域における前記第１のグランド導体層と前記信号導体層との間隔は、前記第２の領域における該第１のグランド導体層と該信号導体層との間隔よりも小さく、
   前記第１の領域の少なくとも一部には、前記第２のグランド導体層が設けられておらず、
   前記第２のグランド導体層が設けられていない領域の長さは、前記第１の領域における前記第１のグランド導体層の長さよりも短く、
   前記積層体は、前記信号導体層よりも前記第１のグランド導体層が内周側に位置するように前記第１の領域において折り曲げられること、
   を特徴とする高周波信号線路。
6. 高周波信号線路と、
   筐体と、
   を備えており、
   前記高周波信号線路は、
   第１の領域及び第２の領域を有する積層体であって、可撓性を有する複数の絶縁体層が積層されてなる積層体と、
   前記積層体に設けられている信号導体層と、
   前記積層体に設けられ、かつ、前記信号導体層に対向している第１のグランド導体層と、
   前記積層体に設けられ、かつ、前記信号導体層を挟んで前記第１のグランド導体層との間で静電容量を形成する第２のグランド導体層と、
   を備えており、
   前記高周波信号線路の前記第１の領域における前記第１のグランド導体層と前記信号導体層との間隔は、前記第２の領域における該第１のグランド導体層と該信号導体層との間隔よりも小さく、
   前記積層体は、前記筐体内において前記第１の領域において折り曲げられており、
   前記第１の領域の少なくとも一部には、前記第２のグランド導体層が設けられていないこと、
   を特徴とする電子機器。
7. 高周波信号線路と、
   筐体と、
   を備えており、
   前記高周波信号線路は、
   第１の領域及び第２の領域を有する積層体であって、可撓性を有する複数の絶縁体層が積層されてなる積層体と、
   前記積層体に設けられている信号導体層と、
   前記積層体に設けられ、かつ、前記信号導体層に対向している第１のグランド導体層と、
   前記積層体に設けられ、かつ、前記信号導体層との間で静電容量を形成する第２のグランド導体層と、
   を備えており、
   前記高周波信号線路の前記第１の領域における前記第１のグランド導体層と前記信号導体層との間隔は、前記第２の領域における該第１のグランド導体層と該信号導体層との間隔よりも小さく、
   前記第１の領域の少なくとも一部には、前記第２のグランド導体層が設けられておらず、
   前記第２のグランド導体層が設けられていない領域の長さは、前記第１の領域における前記第１のグランド導体層の長さよりも短く、
   前記積層体は、前記信号導体層よりも前記第１のグランド導体層が内周側に位置するように前記第１の領域において折り曲げられること、
   を特徴とする電子機器。

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