JP5741714B2 - 高周波伝送線路及び電子機器 - Google Patents

Description

本発明は、高周波伝送線路及び電子機器に関し、より特定的には、高周波信号の伝送に用いられる高周波伝送線路及び電子機器に関する。

従来の高周波伝送線路に関する発明としては、例えば、特許文献１及び特許文献２に記載の信号線路が知られている。該信号線路は、積層体、信号線及び２つのグランド導体を備えている。

積層体は、可撓性を有する複数の絶縁体層が積層されてなる。信号線は、積層体内に設けられている。２つのグランド導体は、信号線を積層方向から挟んでいる。これにより、信号線と２つのグランド導体とは、ストリップライン構造をなしている。以上のような特許文献１及び特許文献２に記載の信号線路は、積層体により構成されているので、一般的な同軸ケーブルの直径よりも小さな厚みを有している。したがって、電子機器内の狭いスペースに配置することが可能である。

ところで、特許文献１及び特許文献２に記載の信号線路において、２本の信号線を交差させたい場合がある。そこで、２本の信号線路を交差させると、信号線路が交差した部分では２つの積層体が重なる。その結果、２本の信号線路が交差した部分の厚みが非常に大きくなってしまう。一方、１つの積層体内に２本の信号線を設けて、２本の信号線を積層体内において交差させることが考えられる。これにより、積層体において２本の信号線が交差している部分の厚みを低減できるものの、信号線同士が対向するので信号線間でクロストークが発生する。

国際公開第２０１１／００７６６０号パンフレット 特開２０１１−７１４０３号公報

そこで、本発明の目的は、交差している２本の信号線路間のクロストークを低減できると共に、積層体において２本の信号線路が交差している部分の厚みを低減できる高周波伝送線路及び電子機器を提供することである。

本発明の一形態に係る高周波伝送線路は、複数の誘電体層が積層されてなる積層体と、前記誘電体層上に設けられている第１の信号線路と、積層方向から平面視したときに、前記第１の信号線路と交差している第２の信号線路であって、該第１の信号線路と交差している部分において、該第１の信号線路よりも積層方向の一方側に設けられ、該第１の信号線路と交差していない部分において該第１の信号線路と同じ前記誘電体層上に設けられている第２の信号線路と、積層方向から平面視したときに、前記第１の信号線路と前記第２の信号線路とが交差している部分と重なり、かつ、積層方向において該第１の信号線路と該第２の信号線路との間に設けられている中間グランド導体と、前記第１の信号線路と前記第２の信号線路とが交差していない部分において、前記第１の信号線路及び前記第２の信号線路よりも積層方向の一方側に設けられている第１のグランド導体と、前記第１の信号線路と前記第２の信号線路とが交差していない部分において、前記第１の信号線路及び前記第２の信号線路よりも積層方向の他方側に設けられている第２のグランド導体と、を備えており、前記第１のグランド導体及び前記第２のグランド導体は、積層方向から平面視したときに、前記第１の信号線路と前記第２の信号線路とが交差していない部分の少なくとも一部において該第１の信号線路及び前記第２の信号線路と重なっており、前記第１のグランド導体は、積層方向から平面視したときに、前記第１の信号線路と前記第２の信号線路とが交差している部分の少なくとも一部において該第２の信号線路と重なっておらず、前記第２のグランド導体は、積層方向から平面視したときに、前記第１の信号線路と前記第２の信号線路とが交差している部分の少なくとも一部において該第１の信号線路と重なっておらず、前記第１の信号線路において前記第２の信号線路と交差している部分は、該第１の信号線路において該第２の信号線路と交差していない部分よりも積層方向の他方側に設けられており、前記第２の信号線路において前記第１の信号線路と交差している部分は、該第２の信号線路において該第１の信号線路と交差していない部分よりも積層方向の一方側に設けられていること、を特徴とする。

本発明の一形態に係る電子機器は、高周波伝送線路と、前記高周波伝送線路を収容している筐体と、を備えており、前記高周波伝送線路は、複数の誘電体層が積層されてなる積層体と、前記誘電体層上に設けられている第１の信号線路と、積層方向から平面視したときに、前記第１の信号線路と交差している第２の信号線路であって、該第１の信号線路と交差している部分において、該第１の信号線路よりも積層方向の一方側に設けられ、該第１の信号線路と交差していない部分において該第１の信号線路と同じ前記誘電体層上に設けられている第２の信号線路と、積層方向から平面視したときに、前記第１の信号線路と前記第２の信号線路とが交差している部分と重なり、かつ、積層方向において該第１の信号線路と該第２の信号線路との間に設けられている中間グランド導体と、前記第１の信号線路と前記第２の信号線路とが交差していない部分において、前記第１の信号線路及び前記第２の信号線路よりも積層方向の一方側に設けられている第１のグランド導体と、前記第１の信号線路と前記第２の信号線路とが交差していない部分において、前記第１の信号線路及び前記第２の信号線路よりも積層方向の他方側に設けられている第２のグランド導体と、を備えており、前記第１のグランド導体及び前記第２のグランド導体は、積層方向から平面視したときに、前記第１の信号線路と前記第２の信号線路とが交差していない部分の少なくとも一部において該第１の信号線路及び前記第２の信号線路と重なっており、前記第１のグランド導体は、積層方向から平面視したときに、前記第１の信号線路と前記第２の信号線路とが交差している部分の少なくとも一部において該第２の信号線路と重なっておらず、前記第２のグランド導体は、積層方向から平面視したときに、前記第１の信号線路と前記第２の信号線路とが交差している部分の少なくとも一部において該第１の信号線路と重なっておらず、前記第１の信号線路において前記第２の信号線路と交差している部分は、該第１の信号線路において該第２の信号線路と交差していない部分よりも積層方向の他方側に設けられており、前記第２の信号線路において前記第１の信号線路と交差している部分は、該第２の信号線路において該第１の信号線路と交差していない部分よりも積層方向の一方側に設けられていること、を特徴とする。

本発明によれば、交差している２本の信号線路間のクロストークを低減できると共に、積層体において２本の信号線路が交差している部分の厚みを低減できる。

一実施形態に係る高周波伝送線路の外観斜視図である。 一実施形態に係る高周波伝送線路のＥ１における分解斜視図である。 一実施形態に係る高周波伝送線路のＥ２における分解斜視図である。 一実施形態に係る高周波伝送線路のＥ３における分解斜視図である。 一実施形態に係る高周波伝送線路の接続部の分解斜視図である。 一実施形態に係る高周波伝送線路の接続部の分解斜視図である。 一実施形態に係る高周波伝送線路のＥ１における断面構造図である。 一実施形態に係る高周波伝送線路のＥ２における断面構造図である。 高周波伝送線路のコネクタの外観斜視図である。 高周波伝送線路のコネクタの断面構造図である。 高周波伝送線路が用いられた電子機器をｙ軸方向から平面視した図である。 高周波伝送線路が用いられた電子機器をｚ軸方向から平面視した図である。 第１の変形例に係る高周波伝送線路のＥ１における分解斜視図である。 第１の変形例に係る高周波伝送線路のＥ２における分解斜視図である。 第１の変形例に係る高周波伝送線路のＥ３における分解斜視図である。 第１の変形例に係る高周波伝送線路の区間Ａ１における断面構造図である。 第１の変形例に係る高周波伝送線路の区間Ａ２における断面構造図である。 第１の変形例に係る高周波伝送線路の区間Ａ３における断面構造図である。 第１の変形例に係る高周波伝送線路の区間Ａ４における断面構造図である。 第２の変形例に係る高周波伝送線路のＥ３における分解斜視図である。 第３の変形例に係る高周波伝送線路の外観斜視図である。 第３の変形例に係る高周波伝送線路の分解斜視図である。 第３の変形例に係る高周波伝送線路の断面構造図である。 高周波伝送線路が用いられた電子機器をｚ軸方向から平面視した図である。

以下に、本発明の実施形態に係る高周波伝送線路及び電子機器について図面を参照しながら説明する。

（高周波伝送線路の構成）
以下に、本発明の一実施形態に係る高周波伝送線路の構成について図面を参照しながら説明する。図１は、一実施形態に係る高周波伝送線路１０の外観斜視図である。図２は、一実施形態に係る高周波伝送線路１０のＥ１における分解斜視図である。図３は、一実施形態に係る高周波伝送線路１０のＥ２における分解斜視図である。図４は、一実施形態に係る高周波伝送線路１０のＥ３における分解斜視図である。図５は、一実施形態に係る高周波伝送線路１０の接続部１２ｇの分解斜視図である。図６は、一実施形態に係る高周波伝送線路１０の接続部１２ｉの分解斜視図である。図７は、一実施形態に係る高周波伝送線路１０のＥ１における断面構造図である。図８は、一実施形態に係る高周波伝送線路１０のＥ２における断面構造図である。以下では、高周波伝送線路１０の積層方向をｚ軸方向と定義する。また、高周波伝送線路１０の長手方向をｘ軸方向と定義し、ｘ軸方向及びｚ軸方向に直交する方向をｙ軸方向と定義する。

高周波伝送線路１０は、図１ないし図６に示すように、誘電体素体１２、外部端子１６ａ〜１６ｄ（外部端子１６ｂ，１６ｄのみ図示），信号線路２０，２１、グランド導体２２，２４，２６、コネクタ１００ａ〜１００ｄ及びビアホール導体ｂ１，ｂ２，Ｂ１〜Ｂ４，Ｂ１１〜Ｂ１４を備えている。

誘電体素体１２は、線路部１２ａ〜１２ｄ、交差部１２ｅ及び接続部１２ｆ〜１２ｉを含んでいる。誘電体素体１２は、図２に示すように、保護層１４、誘電体シート（誘電体層）１８ａ〜１８ｃがｚ軸方向の正方向側から負方向側へとこの順に積層されて構成されている可撓性の積層体である。以下では、誘電体素体１２のｚ軸方向の正方向側の主面を表面と称し、誘電体素体１２のｚ軸方向の負方向側の主面を裏面と称す。

交差部１２ｅは、誘電体素体１２のｘ軸方向及びｙ軸方向の中央付近に位置している。線路部１２ａは、交差部１２ｅからｘ軸方向の負方向側に向かって延在している。線路部１２ｂは、交差部１２ｅからｘ軸方向の正方向側に向かって延在している。線路部１２ｃは、交差部１２ｅからｙ軸方向の負方向側に向かって延在し、ｘ軸方向の負方向側に折れ曲がっている。線路部１２ｄは、交差部１２ｅからｙ軸方向の正方向側に向かって延在し、ｘ軸方向の正方向側に折れ曲がっている。

接続部１２ｆは、線路部１２ａのｘ軸方向の負方向側の端部に接続されており、矩形状をなしている。接続部１２ｇは、線路部１２ｂのｘ軸方向の正方向側の端部に接続されており、矩形状をなしている。接続部１２ｈは、線路部１２ｃのｘ軸方向の負方向側の端部に接続されており、矩形状をなしている。接続部１２ｉは、線路部１２ｄのｘ軸方向の正方向側の端部に接続されており、矩形状をなしている。

誘電体シート１８ａ〜１８ｃは、ｚ軸方向から平面視したときに、誘電体素体１２と同じ形状をなしている。誘電体シート１８ａ〜１８ｃは、液晶ポリマまたはポリイミド等の可撓性を有する熱可塑性樹脂により構成されている。誘電体シート１８ａの厚さＤ１は、図７及び図８に示すように、誘電体シート１８ｂの厚さＤ２と略等しい。誘電体シート１８ａ〜１８ｃの積層後において、厚さＤ１，Ｄ２は、例えば、５０μｍ〜３００μｍである。本実施形態では、厚さＤ１，Ｄ２は１５０μｍである。以下では、誘電体シート１８ａ〜１８ｃのｚ軸方向の正方向側の主面を表面と称し、誘電体シート１８ａ〜１８ｃのｚ軸方向の負方向側の主面を裏面と称す。

また、誘電体シート１８ａは、線路部１８ａ−ａ，１８ａ−ｂ，１８ａ−ｃ，１８ａ−ｄ、交差部１８ａ−ｅ及び接続部１８ａ−ｆ，１８ａ−ｇ，１８ａ−ｈ，１８ａ−ｉにより構成されている。誘電体シート１８ｂは、線路部１８ｂ−ａ，１８ｂ−ｂ，１８ｂ−ｃ，１８ｂ−ｄ、交差部１８ｂ−ｅ及び接続部１８ｂ−ｆ，１８ｂ−ｇ，１８ｂ−ｈ，１８ｂ−ｉにより構成されている。誘電体シート１８ｃは、線路部１８ｃ−ａ，１８ｃ−ｂ，１８ｃ−ｃ，１８ｃ−ｄ、交差部１８ｃ−ｅ及び接続部１８ｃ−ｆ，１８ｃ−ｇ，１８ｃ−ｈ，１８ｃ−ｉにより構成されている。

線路部１２ａは、線路部１８ａ−ａ，１８ｂ−ａ，１８ｃ−ａにより構成されている。線路部１２ｂは、線路部１８ａ−ｂ，１８ｂ−ｂ，１８ｃ−ｂにより構成されている。線路部１２ｃは、線路部１８ａ−ｃ，１８ｂ−ｃ，１８ｃ−ｃにより構成されている。線路部１２ｄは、線路部１８ａ−ｄ，１８ｂ−ｄ，１８ｃ−ｄにより構成されている。交差部１２ｅは、交差部１８ａ−ｅ，１８ｂ−ｅ，１８ｃ−ｅにより構成されている。接続部１２ｆは、接続部１８ａ−ｆ，１８ｂ−ｆ，１８ｃ−ｆにより構成されている。接続部１２ｇは、接続部１８ａ−ｇ，１８ｂ−ｇ，１８ｃ−ｇにより構成されている。接続部１２ｈは、接続部１８ａ−ｈ，１８ｂ−ｈ，１８ｃ−ｈにより構成されている。接続部１２ｉは、接続部１８ａ−ｉ，１８ｂ−ｉ，１８ｃ−ｉにより構成されている。

信号線路２０（第１の信号線路）は、誘電体素体１２内に設けられており、線路導体２０ａ，２０ｂ，２０ｅ，２０ｆ，２０ｇ（線路導体２０ｆについては図示せず）及びビアホール導体ｂ３，ｂ４により構成されている線状導体である。線路導体２０ａ，２０ｂはそれぞれ、図２及び図４に示すように、線路部１８ｂ−ａ，１８ｂ−ｂの表面に沿ってｘ軸方向に延在している。線路導体２０ｅは、図４に示すように、交差部１８ｃ−ｅの表面に沿ってｘ軸方向に延在している。線路部２０ｆ，２０ｇはそれぞれ、図５に示すように、接続部１８ｂ−ｇ，１８ｂ−ｇの表面に沿ってｘ軸方向に延在している。

また、ビアホール導体ｂ３は、図４に示すように、線路部１８ｂ−ａをｚ軸方向に貫通しており、線路導体２０ａのｘ軸方向の正方向側の端部と線路導体２０ｅのｘ軸方向の負方向側の端部とを接続している。ビアホール導体ｂ４は、図４に示すように、線路部１８ｂ−ｂをｚ軸方向に貫通しており、線路導体２０ｂのｘ軸方向の負方向側の端部と線路導体２０ｅのｘ軸方向の正方向側の端部とを接続している。

また、線路導体２０ｆ（図示せず）は、線路導体２０ａのｘ軸方向の負方向側の端部に接続されている。線路導体２０ｇは、図５に示すように、線路導体２０ｂのｘ軸方向の正方向側の端部に接続されている。これにより、線路導体２０ｆ，２０ａ、ビアホール導体ｂ３、線路導体２０ｅ、ビアホール導体ｂ４及び線路導体２０ｂ，２０ｇの順に接続されて１本の信号線路２０を構成している。なお、信号線路２０は、誘電体シート１８の幅方向のほぼ中央に位置している。以上のような信号線路２０は、銀や銅を主成分とする比抵抗の小さな金属材料により作製されている。

信号線路２１（第２の信号線路）は、誘電体素体１２内に設けられており、線路導体２１ｃ，２１ｄ，２１ｅ，２１ｈ，２１ｉ（線路導体２１ｈについては図示せず）及びビアホール導体ｂ５，ｂ６により構成されている線状導体である。線路導体２１ｃは、図４に示すように、線路部１８ｂ−ｃの表面に沿って延在しており、具体的には、ｙ軸方向の負方向側に向かって延在した後、ｘ軸方向の負方向側に折れ曲がっている。線路導体２１ｄは、図４に示すように、線路部１８ｂ−ｄの表面に沿って延在しており、具体的には、ｙ軸方向の正方向側に向かって延在した後、ｘ軸方向の正方向側に折れ曲がっている。線路導体２１ｅは、図４に示すように、交差部１８ａ−ｅの表面に沿ってｙ軸方向に延在している。線路部２１ｈ，２１ｉはそれぞれ、接続部１８ｂ−ｈ，１８ｂ−ｉの表面に沿ってｘ軸方向に延在している。

また、ビアホール導体ｂ５は、図４に示すように、線路部１８ａ−ｃをｚ軸方向に貫通しており、線路導体２１ｃのｙ軸方向の正方向側の端部と線路導体２１ｅのｙ軸方向の負方向側の端部とを接続している。ビアホール導体ｂ６は、図４に示すように、線路部１８ａ−ｄをｚ軸方向に貫通しており、線路導体２１ｄのｙ軸方向の負方向側の端部と線路導体２１ｅのｙ軸方向の正方向側の端部とを接続している。

また、線路導体２１ｈ（図示せず）は、線路導体２１ｃのｘ軸方向の負方向側の端部に接続されている。線路導体２１ｉは、図６に示すように、線路導体２１ｇのｘ軸方向の正方向側の端部に接続されている。これにより、線路導体２１ｈ，２１ｃ、ビアホール導体ｂ５、線路導体２１ｅ、ビアホール導体ｂ６及び線路導体２１ｄ，２１ｉの順に接続されて１本の信号線路２１を構成している。なお、信号線路２１は、誘電体シート１８の幅方向のほぼ中央に位置している。以上のような信号線路２１は、銀や銅を主成分とする比抵抗の小さな金属材料により作製されている。

以上のように構成された信号線路２０，２１は、ｚ軸方向から平面視したときに、交差部１２ｅにおいて交差している。また、信号線路２０において信号線路２１と交差している部分（すなわち、線路導体２０ｅ）は、信号線路２０において信号線路２１と交差していない部分（すなわち、線路導体２０ａ，２０ｂ及び接続導体２０ｆ，２０ｇ）よりもｚ軸方向の負方向側に位置している。同様に、信号線路２１において信号線路２０と交差している部分（すなわち、線路導体２１ｅ）は、信号線路２１において信号線路２０と交差していない部分（すなわち、線路導体２１ｃ，２１ｄ及び接続導体２１ｈ，２１ｉ）よりもｚ軸方向の負方向側に位置している。すなわち、信号線路２０，２１は、互いに交差している部分において、交差していない部分よりも離れるようにｚ軸方向にずらされている。

グランド導体２２（第１のグランド導体）は、図２ないし図６に示すように、誘電体素体１２に設けられており、より詳細には、誘電体シート１８ａの表面に設けられている。これにより、グランド導体２２は、信号線路２０と信号線路２１とが交差していない部分（すなわち、線路導体２０ａ，２０ｂ，２１ｃ，２１ｄ及び接続導体２０ｆ，２０ｇ，２１ｈ，２１ｉ）よりもｚ軸方向の正方向側に設けられている。グランド導体２２は、ｚ軸方向から平面視したときに、誘電体素体１２と略同じ形状をなしており、銀や銅を主成分とする比抵抗の小さな金属材料により作製されている。

また、グランド導体２２は、図２ないし図６に示すように、主要導体２２ａ〜２２ｄ、交差導体２２ｅ及び端子導体２２ｆ〜２２ｉ（端子導体２２ｆ，２２ｈについては図示せず）により構成されている。

主要導体２２ａ〜２２ｄ及び交差導体２２ｅはそれぞれ、線路部１８ａ−ａ〜１８ａ−ｄ及び交差部１８ａ−ｅの表面に設けられており、ｚ軸方向から平面視したときに、信号線路２０，２１の線路導体２０ａ，２０ｂ，２１ｃ，２１ｄと重なっている。ただし、主要導体２２ｃ，２２ｄ及び交差導体２２ｅには、開口Ｏｐ１が設けられている。線路導体２１ｅは、開口Ｏｐ１内に設けられている。これにより、主要導体２２ｃ，２２ｄ及び交差導体２２ｅが線路導体２１ｅと接触しない。また、主要導体２２ａ〜２２ｄには、開口Ｏｐ１以外の開口が設けられていない。よって、主要導体２２ａ〜２２ｄには、信号線路２０，２１と重なる開口は設けられていない。なお、主要導体２２ａ〜２２ｄはそれぞれ、線路部１８ａ−ａ〜１８ａ−ｄに沿って延在するベタ状の帯状導体であり、交差部１８ａ−ｅを介して互いに接続されている。

端子導体２２ｇは、図５に示すように、接続部１８ａ−ｇの表面に設けられており、主要導体２２ｂのｘ軸方向の正方向側の端部に接続されている。端子導体２２ｇは、四角形の枠状をなしている。端子導体２２ｆは、接続部１８ａ−ｆの表面に設けられており、主要導体２２ａのｘ軸方向の負方向側の端部に接続されている。ただし、端子導体２２ｆの構造は、端子導体２２ｇの構造と同じであるので図示を省略する。

端子導体２２ｉは、図６に示すように、接続部１８ａ−ｉの表面に設けられており、主要導体２２ｄのｘ軸方向の正方向側の端部に接続されている。端子導体２２ｉは、四角形の枠状をなしている。端子導体２２ｈは、接続部１８ａ−ｈの表面に設けられており、主要導体２２ｃのｘ軸方向の負方向側の端部に接続されている。ただし、端子導体２２ｈの構造は、端子導体２２ｉの構造と同じであるので図示を省略する。

グランド導体２４（第２のグランド導体）は、図２ないし図６に示すように、誘電体素体１２に設けられており、より詳細には、誘電体シート１８ｃの表面に設けられている。これにより、グランド導体２４は、信号線路２０と信号線路２１とが交差していない部分（すなわち、線路導体２０ａ，２０ｂ，２１ｃ，２１ｄ及び接続導体２０ｆ，２０ｇ，２１ｈ，２１ｉ）よりもｚ軸方向の負方向側に設けられている。グランド導体２４は、ｚ軸方向から平面視したときに、誘電体素体１２と略同じ形状をなしており、銀や銅を主成分とする比抵抗の小さな金属材料により作製されている。

また、グランド導体２４は、図２ないし図６に示すように、主要導体２４ａ〜２４ｄ、交差導体２４ｅ及び端子導体２４ｆ〜２４ｉ（端子導体２４ｆ，２４ｈについては図示せず）により構成されている。

主要導体２４ａ〜２４ｄ及び交差導体２４ｅはそれぞれ、線路部１８ｃ−ａ〜１８ｃ−ｄ及び交差部１８ｃ−ｅの表面に設けられており、ｚ軸方向から平面視したときに、信号線路２０，２１の線路導体２０ａ，２０ｂ，２１ｃ，２１ｄと重なっている。ただし、主要導体２４ａ，２４ｂ及び交差導体２４ｅには、開口Ｏｐ２が設けられている。信号線路２０ｅは、開口Ｏｐ２内に設けられている。これにより、主要導体２４ａ，２４ｂ及び交差導体２４ｅが線路導体２０ｅと接触しない。また、主要導体２４ａ〜２４ｄには、開口Ｏｐ２以外の開口が設けられていない。よって、主要導体２４ａ〜２４ｄには、信号線路２０，２１と重なる開口は設けられていない。なお、主要導体２４ａ〜２４ｄはそれぞれ、線路部１８ｃ−ａ〜１８ｃ−ｄに沿って延在するベタ状の帯状導体であり、交差部１８ｃ−ｅを介して互いに接続されている。

端子導体２４ｇは、図５に示すように、接続部１８ｃ−ｇの表面に設けられており、主要導体２４ｂのｘ軸方向の正方向側の端部に接続されている。端子導体２４ｇは、四角形の枠状をなしている。端子導体２４ｆは、接続部１８ｃ−ｆの表面に設けられており、主要導体２４ａのｘ軸方向の負方向側の端部に接続されている。ただし、端子導体２４ｆの構造は、端子導体２４ｇの構造と同じであるので図示を省略する。

端子導体２４ｉは、図６に示すように、接続部１８ｃ−ｉの表面に設けられており、主要導体２４ｄのｘ軸方向の正方向側の端部に接続されている。端子導体２４ｉは、四角形の枠状をなしている。端子導体２４ｈは、接続部１８ｃ−ｈの表面に設けられており、主要導体２４ｃのｘ軸方向の負方向側の端部に接続されている。ただし、端子導体２４ｈの構造は、端子導体２４ｉの構造と同じであるので図示を省略する。

以上のように、信号線路２０の線路導体２０ａ，２０ｂは、グランド導体２２，２４によりｚ軸方向の両側から挟まれている。これにより、線路導体２０ａ，２０ｂ及びグランド導体２２，２４は、トリプレート型のストリップライン構造をなしている。同様に、信号線路２１の線路導体２１ｃ，２１ｄは、グランド導体２２，２４によりｚ軸方向の両側から挟まれている。これにより、線路導体２１ｃ，２１ｄ及びグランド導体２２，２４は、トリプレート型のストリップライン構造をなしている。

グランド導体２６（中間グランド導体）は、図２ないし図６に示すように、誘電体素体１２に設けられており、より詳細には、誘電体シート１８ｂの表面に設けられている。グランド導体２６は、ｚ軸方向から平面視したときに、誘電体素体１２と略同じ形状をなしており、銀や銅を主成分とする比抵抗の小さな金属材料により作製されている。

また、グランド導体２６は、図２ないし図６に示すように、主要導体２６ａ〜２６ｄ、交差導体２６ｅ及び端子導体２６ｆ〜２６ｉ（端子導体２６ｆ，２６ｈについては図示せず）により構成されている。

主要導体２６ａ〜２６ｄはそれぞれ、線路部１８ｂ−ａ〜１８ｂ−ｄに沿って延在する２本の線状導体である。より詳細には、主要導体２６ａ，２６ｂはそれぞれ、線路部１８ｂ−ａ，１８ｂ−ｂの表面に設けられており、ｚ軸方向から平面視したときに、線路導体２０ａ，２０ｂの線幅方向の両側に設けられている。すなわち、線路導体２０ａ，２０ｂはそれぞれ、線幅方向から主要導体２６ａ，２６ｂにより挟まれている。また、主要導体２６ｃ，２６ｄはそれぞれ、線路部１８ｂ−ｃ，１８ｂ−ｄの表面に設けられており、ｚ軸方向から平面視したときに、線路導体２１ｃ，２１ｄの線幅方向の両側に設けられている。すなわち、線路導体２１ｃ，２１ｄはそれぞれ、線幅方向から主要導体２６ｃ，２６ｄにより挟まれている。

交差導体２６ｅは、交差部１８ｂ−ｅの表面に設けられている。これにより、交差導体２６ｅは、ｚ軸方向から平面視したときに、線路導体２０ｅと線路導体２１ｅとが交差している部分と重なり、かつ、ｚ軸方向において、線路導体２０ｅと線路導体２１ｅとの間に設けられている。また、交差導体２６ｅには、主要導体２６ａ〜２６ｄが接続されている。

端子導体２６ｇは、図５に示すように、接続部１８ｂ−ｇの表面に設けられており、主要導体２６ｂのｘ軸方向の正方向側の端部に接続されている。端子導体２６ｇは、四角形の枠状をなしている。端子導体２６ｆは、接続部１８ｂ−ｆの表面に設けられており、主要導体２６ａのｘ軸方向の負方向側の端部に接続されている。ただし、端子導体２６ｆの構造は、端子導体２６ｇの構造と同じであるので図示を省略する。

端子導体２６ｉは、図６に示すように、接続部１８ｂ−ｉの表面に設けられており、主要導体２６ｄのｘ軸方向の正方向側の端部に接続されている。端子導体２６ｉは、四角形の枠状をなしている。端子導体２６ｈは、接続部１８ｂ−ｈの表面に設けられており、主要導体２６ｃのｘ軸方向の負方向側の端部に接続されている。ただし、端子導体２６ｈの構造は、端子導体２６ｉの構造と同じであるので図示を省略する。

ここで、信号線路２０とグランド導体２２とのｚ軸方向における距離Ｄ１は、図７に示すように、信号線路２０とグランド導体２４とのｚ軸方向における距離Ｄ２と等しい。距離Ｄ１は、誘電体シート１８ａの厚さと略等しく、距離Ｄ２は、誘電体シート１８ｂの厚さと略等しい。

また、信号線路２１とグランド導体２２とのｚ軸方向における距離Ｄ１は、図８に示すように、信号線路２１とグランド導体２４とのｚ軸方向における距離Ｄ２と等しい。距離Ｄ１は、誘電体シート１８ａの厚さと略等しく、距離Ｄ２は、誘電体シート１８ｂの厚さと略等しい。

外部端子１６ｂは、図５に示すように、接続部１８ａ−ｇの表面に設けられている長方形状の導体であり、端子導体２２ｇに囲まれている。外部端子１６ｂは、ｚ軸方向から平面視したときに、線路導体２０ｇのｘ軸方向の正方向側の端部と重なっている。外部端子１６ｂは、銀や銅を主成分とする比抵抗の小さな金属材料により作製されている。また、外部端子１６ｂの表面には、金めっきが施されている。

外部端子１６ａは、接続部１８ａ−ｆの表面に設けられている長方形状の導体であり、端子導体２２ｆに囲まれている。外部端子１６ａは、ｚ軸方向から平面視したときに、線路導体２０ｆのｘ軸方向の負方向側の端部と重なっている。ただし、外部端子１６ａは、外部端子１６ｂと同じ構造を有しているので、図示を省略する。

外部端子１６ｄは、図６に示すように、接続部１８ａ−ｉの表面に設けられている長方形状の導体であり、端子導体２２ｉに囲まれている。外部端子１６ｄは、ｚ軸方向から平面視したときに、線路導体２０ｉのｘ軸方向の正方向側の端部と重なっている。外部端子１６ｄは、銀や銅を主成分とする比抵抗の小さな金属材料により作製されている。また、外部端子１６ｄの表面には、金めっきが施されている。

外部端子１６ｃは、接続部１８ａ−ｈの表面に設けられている長方形状の導体であり、端子導体２２ｈに囲まれている。外部端子１６ｃは、ｚ軸方向から平面視したときに、線路導体２１ｈのｘ軸方向の負方向側の端部と重なっている。ただし、外部端子１６ｃは、外部端子１６ｄと同じ構造を有しているので、図示を省略する。

ビアホール導体ｂ１は、誘電体シート１８ａの接続部１８ａ−ｇをｚ軸方向に貫通している。ビアホール導体ｂ１は、外部端子１６ｂと信号線路２０ｇのｘ軸方向の正方向側の端部を接続している。

なお、外部端子１６ａ（図示せず）と線路導体２０ｆのｘ軸方向の負方向側の端部とは、ビアホール導体により接続されている。ただし、外部端子１６ａ（図示せず）と線路導体２０ｆのｘ軸方向の負方向側の端部とを接続するビアホール導体は、ビアホール導体ｂ１と同様であるので図示を省略する。

ビアホール導体ｂ２は、誘電体シート１８ａの接続部１８ａ−ｉをｚ軸方向に貫通している。ビアホール導体ｂ２は、外部端子１６ｄと線路導体２１ｉのｘ軸方向の正方向側の端部を接続している。

なお、外部端子１６ｃ（図示せず）と線路導体１２ｈのｘ軸方向の負方向側の端部とは、ビアホール導体により接続されている。ただし、外部端子１６ｃ（図示せず）と線路導体２１ｈのｘ軸方向の負方向側の端部とを接続するビアホール導体は、ビアホール導体ｂ２と同様であるので図示を省略する。

ビアホール導体Ｂ１は、誘電体シート１８ａの線路部１８ａ−ａ，１８ａ−ｂをｚ軸方向に貫通しており、ｚ軸方向から平面視したときに、信号線路２０よりもｙ軸方向の正方向側において、ｘ軸方向に一列に並ぶように複数設けられている。ビアホール導体Ｂ２は、誘電体シート１８ｂの線路部１８ｂ−ａ，１８ｂ−ｂをｚ軸方向に貫通しており、ｚ軸方向から平面視したときに、信号線路２０よりもｙ軸方向の正方向側において、ｘ軸方向に一列に並ぶように複数設けられている。ビアホール導体Ｂ１，Ｂ２は、互いに接続されて１本のビアホール導体を構成している。ビアホール導体Ｂ１のｚ軸方向の正方向側の端部は、グランド導体２２に接続されており、ビアホール導体Ｂ１のｚ軸方向の負方向側の端部は、グランド導体２６に接続されている。また、ビアホール導体Ｂ２のｚ軸方向の正方向側の端部は、グランド導体２６に接続されており、ビアホール導体Ｂ２のｚ軸方向の負方向側の端部は、グランド導体２４に接続されている。これにより、ビアホール導体Ｂ１，Ｂ２は、グランド導体２２とグランド導体２４とグランド導体２６とを接続している。

ビアホール導体Ｂ３は、誘電体シート１８ａの線路部１８ａ−ａ，１８ａ−ｂをｚ軸方向に貫通しており、ｚ軸方向から平面視したときに、信号線路２０よりもｙ軸方向の負方向側において、ｘ軸方向に一列に並ぶように複数設けられている。ビアホール導体Ｂ４は、誘電体シート１８ｂの線路部１８ｂ−ａ，１８ｂ−ｂをｚ軸方向に貫通しており、ｚ軸方向から平面視したときに、信号線路２０よりもｙ軸方向の負方向側において、ｘ軸方向に一列に並ぶように複数設けられている。ビアホール導体Ｂ３，Ｂ４は、互いに接続されて１本のビアホール導体を構成している。ビアホール導体Ｂ３のｚ軸方向の正方向側の端部は、グランド導体２２に接続されており、ビアホール導体Ｂ３のｚ軸方向の負方向側の端部は、グランド導体２６に接続されている。また、ビアホール導体Ｂ４のｚ軸方向の正方向側の端部は、グランド導体２６に接続されており、ビアホール導体Ｂ４のｚ軸方向の負方向側の端部は、グランド導体２４に接続されている。これにより、ビアホール導体Ｂ３，Ｂ４は、グランド導体２２とグランド導体２４とグランド導体２６とを接続している。

ビアホール導体Ｂ１１は、誘電体シート１８ａの線路部１８ａ−ｃ，１８ａ−ｄをｚ軸方向に貫通しており、ｚ軸方向から平面視したときに、信号線路２１よりもｙ軸方向の正方向側において、ｘ軸方向に一列に並ぶように複数設けられている。ビアホール導体Ｂ１２は、誘電体シート１８ｂの線路部１８ｂ−ｃ，１８ｂ−ｄをｚ軸方向に貫通しており、ｚ軸方向から平面視したときに、信号線路２１よりもｙ軸方向の正方向側において、ｘ軸方向に一列に並ぶように複数設けられている。ビアホール導体Ｂ１１，Ｂ１２は、互いに接続されて１本のビアホール導体を構成している。ビアホール導体Ｂ１１のｚ軸方向の正方向側の端部は、グランド導体２２に接続されており、ビアホール導体Ｂ１１のｚ軸方向の負方向側の端部は、グランド導体２６に接続されている。ビアホール導体Ｂ１２のｚ軸方向の正方向側の端部は、グランド導体２６に接続されている。ビアホール導体Ｂ１２のｚ軸方向の負方向側の端部は、グランド導体２４に接続されている。これにより、ビアホール導体Ｂ１１，Ｂ１２は、グランド導体２２とグランド導体２４とグランド導体２６とを接続している。なお、ビアホール導体Ｂ１１，Ｂ１２は、線路部１２ｃ，１２ｄがｙ軸方向に延在している区間では、図４に示すように、ｚ軸方向から平面視したときに、信号線路２１よりもｘ軸方向の負方向側に設けられている。

ビアホール導体Ｂ１３は、誘電体シート１８ａの線路部１８ａ−ｃ，１８ａ−ｄをｚ軸方向に貫通しており、ｚ軸方向から平面視したときに、信号線路２１よりもｙ軸方向の負方向側において、ｘ軸方向に一列に並ぶように複数設けられている。ビアホール導体Ｂ１４は、誘電体シート１８ｂの線路部１８ｂ−ｃ，１８ｂ−ｄをｚ軸方向に貫通しており、ｚ軸方向から平面視したときに、信号線路２１よりもｙ軸方向の負方向側において、ｘ軸方向に一列に並ぶように複数設けられている。ビアホール導体Ｂ１３，Ｂ１４は、互いに接続されて１本のビアホール導体を構成している。ビアホール導体Ｂ１３のｚ軸方向の正方向側の端部は、グランド導体２２に接続されており、ビアホール導体Ｂ１３のｚ軸方向の負方向側の端部は、グランド導体２６に接続されている。ビアホール導体Ｂ１４のｚ軸方向の正方向側の端部は、グランド導体２６に接続されている。ビアホール導体Ｂ１４のｚ軸方向の負方向側の端部は、グランド導体２４に接続されている。これにより、ビアホール導体Ｂ１３，Ｂ１４は、グランド導体２２とグランド導体２４とグランド導体２６とを接続している。なお、ビアホール導体Ｂ１３，Ｂ１４は、線路部１２ｃ，１２ｄがｙ軸方向に延在している区間では、図４に示すように、ｚ軸方向から平面視したときに、信号線路２１よりもｘ軸方向の正方向側に設けられている。

ビアホール導体ｂ１〜ｂ６，Ｂ１〜Ｂ４，Ｂ１１〜Ｂ１４は、銀や銅を主成分とする比抵抗の小さな金属材料により作製されている。なお、ビアホール導体ｂ１〜ｂ６，Ｂ１〜Ｂ４，Ｂ１１〜Ｂ１４の代わりに、貫通孔の内周面にめっき等の導体層が形成されたスルーホールが用いられてもよい。

保護層１４は、誘電体シート１８ａの表面の略全面を覆っている。これにより、保護層１４は、グランド導体２２を覆っている。保護層１４は、例えば、レジスト材等の可撓性樹脂からなる。

また、保護層１４は、図２ないし図６に示すように、線路部１４ａ〜１４ｄ、交差部１４ｅ及び接続部１４ｆ〜１４ｉにより構成されている。線路部１４ａ〜１４ｄ及び交差部１４ｅはそれぞれ、線路部１８ａ−ａ，１８ａ−ｂ，１８ａ−ｃ，１８ａ−ｄ及び交差部１８ａ−ｅの表面の全面を覆うことにより、主要導体２２ａ〜２２ｄを覆っている。

接続部１４ｇは、図５に示すように、線路部１４ｂのｘ軸方向の正方向側の端部に接続されており、接続部１８ａ−ｇの表面を覆っている。ただし、接続部１４ｇには、矩形状の開口Ｈａ〜Ｈｄが設けられている。開口Ｈａは、接続部１４ｇの中央に設けられている矩形状の開口である。外部端子１６ｂは、開口Ｈａを介して外部に露出している。また、開口Ｈｂは、開口Ｈａよりもｙ軸方向の正方向側に設けられている矩形状の開口である。開口Ｈｃは、開口Ｈａよりもｘ軸方向の正方向側に設けられている矩形状の開口である。開口Ｈｄは、開口Ｈａよりもｙ軸方向の負方向側に設けられている矩形状の開口である。端子導体２２ｇは、開口Ｈｂ〜Ｈｄを介して外部に露出することにより、外部端子として機能する。なお、接続部１４ｇの構造は、接続部１４ｇの構造と同じであるので図示及び説明を省略する。

接続部１４ｉは、図６に示すように、線路部１４ｄのｘ軸方向の正方向側の端部に接続されており、接続部１８ａ−ｉの表面を覆っている。ただし、接続部１４ｉには、矩形状の開口Ｈｅ〜Ｈｈが設けられている。開口Ｈｅは、接続部１４ｉの中央に設けられている矩形状の開口である。外部端子１６ｄは、開口Ｈｅを介して外部に露出している。また、開口Ｈｆは、開口Ｈｅよりもｙ軸方向の正方向側に設けられている矩形状の開口である。開口Ｈｇは、開口Ｈｅよりもｘ軸方向の正方向側に設けられている矩形状の開口である。開口Ｈｈは、開口Ｈｅよりもｙ軸方向の負方向側に設けられている矩形状の開口である。端子導体２２ｉは、開口Ｈｆ〜Ｈｈを介して外部に露出することにより、外部端子として機能する。なお、接続部１４ｈの構造は、接続部１４ｉの構造と同じであるので図示及び説明を省略する。

コネクタ１００ａ，１００ｂはそれぞれ、接続部１２ｆ，１２ｇの表面上に実装され、信号線路２０及びグランド導体２２，２４，２６と電気的に接続される。コネクタ１００ｃ，１００ｄはそれぞれ、接続部１２ｈ，１２ｉの表面上に実装され、信号線路２１及びグランド導体２２，２４，２６と電気的に接続される。コネクタ１００ａ〜１００ｄの構成は同じであるので、以下にコネクタ１００ｂの構成を例に挙げて説明する。図９は、高周波伝送線路１０のコネクタ１００ｂの外観斜視図である。図１０は、高周波伝送線路１０のコネクタ１００ｂの断面構造図である。

コネクタ１００ｂは、図１、図９及び図１０に示すように、コネクタ本体１０２、外部端子１０４，１０６、中心導体１０８及び外部導体１１０により構成されている。コネクタ本体１０２は、矩形状の板部材に円筒部材が連結された形状をなしており、樹脂等の絶縁材料により作製されている。

外部端子１０４は、コネクタ本体１０２の板部材のｚ軸方向の負方向側の面において、外部端子１６ｂと対向する位置に設けられている。外部端子１０６は、コネクタ本体１０２の板部材のｚ軸方向の負方向側の面において、開口Ｈｂ〜Ｈｄを介して露出している端子導体２２ｇに対向する位置に設けられている。

中心導体１０８は、コネクタ本体１０２の円筒部材の中心に設けられており、外部端子１０４と接続されている。中心導体１０８は、高周波信号が入力又は出力する信号端子である。外部導体１１０は、コネクタ本体１０２の円筒部材の内周面に設けられており、外部端子１０６と接続されている。外部導体１１０は、接地電位に保たれるグランド端子である。

以上のように構成されたコネクタ１００ｂは、図９及び図１０に示すように、外部端子１０４が外部端子１６ｂと接続され、外部端子１０６が端子導体２２ｇと接続されるように、接続部１２ｇの表面上に実装される。これにより、信号線路２０は、中心導体１０８に電気的に接続されている。また、グランド導体２２，２４，２６は、外部導体１１０に電気的に接続されている。

高周波伝送線路１０は、以下に説明するように用いられる。図１１は、高周波伝送線路１０が用いられた電子機器２００をｙ軸方向から平面視した図である。図１２は、高周波伝送線路１０が用いられた電子機器２００をｚ軸方向から平面視した図である。

電子機器２００は、高周波伝送線路１０、回路基板２０２ａ，２０２ｂ、レセプタクル２０４ａ〜２０４ｄ（レセプタクル２０４ｂ，２０４ｃについては図示せず）、バッテリーパック（金属体）２０６、筐体２１０及びアンテナ２１２ａ，２１２ｂを備えている。

筐体２１０は、図１１及び図１２に示すように、高周波伝送線路１０、回路基板２０２ａ，２０２ｂ、レセプタクル２０４ａ〜２０４ｄ、バッテリーパック及びアンテナ２１２ａ，２１２ｂを収容している。回路基板２０２ａには、例えば、送信回路又は受信回路が設けられている。回路基板２０２ｂには、例えば、給電回路（ＲＦＩＣ）が設けられている。バッテリーパック２０６は、例えば、リチウムイオン２次電池であり、その表面が金属カバーにより覆われた構造を有している。回路基板２０２ａ、バッテリーパック２０６及び回路基板２０２ｂは、ｘ軸方向の負方向側から正方向側へとこの順に並んでいる。

アンテナ２１２ａは、回路基板２０２ａに接続されており、８００ＭＨｚ帯や１８００ＭＨｚ帯の高周波信号を送受信する。アンテナ２１２ｂは、回路基板２０２ａに接続されており、ＧＰＳ信号を受信する。

レセプタクル２０４ａは、回路基板２０２ａのｚ軸方向の負方向側の主面上に設けられており、回路基板２０２ａに設けられた配線を介してアンテナ２１２ａに接続されている。レセプタクル２０４ａには、コネクタ１００ａが接続される。レセプタクル２０４ｂ（図示せず）は、回路基板２０２ｂのｚ軸方向の負方向側の主面上に設けられており、回路基板２０２ｂに設けられた給電回路に接続されている。レセプタクル２０４ｂには、コネクタ１００ｂが接続される。これにより、信号線路２０には、アンテナ２１２ａが送受信する高周波信号が伝送される。

レセプタクル２０４ｃ（図示せず）は、回路基板２０２ａのｚ軸方向の負方向側の主面上に設けられており、回路基板２０２ａに設けられた配線を介してアンテナ２１２ｂに接続されている。レセプタクル２０４ｃには、コネクタ１００ｃが接続される。レセプタクル２０４ｄは、回路基板２０２ｂのｚ軸方向の負方向側の主面上に設けられており、回路基板２０２ｂに設けられた給電回路に接続されている。レセプタクル２０４ｄには、コネクタ１００ｄが接続される。これにより、信号線路２１には、アンテナ２１２ｂが送受信するＧＰＳ信号の高周波信号が伝送される。

ここで、誘電体素体１２の表面（より正確には、保護層１４）は、バッテリーパック２０６に対して接触している。そして、誘電体素体１２とバッテリーパック２０６とは、絶縁性の接着剤等により固定されている。

（高周波伝送線路の製造方法）
以下に、高周波伝送線路１０の製造方法について図１ないし図６を参照しながら説明する。以下では、一つの高周波伝送線路１０が作製される場合を例に挙げて説明するが、実際には、大判の誘電体シートが積層及びカットされることにより、同時に複数の高周波伝送線路１０が作製される。

まず、表面の全面に銅箔が形成された熱可塑性樹脂からなる誘電体シート１８ａ〜１８ｃを準備する。誘電体シート１８ａ〜１８ｃの銅箔の表面は、例えば、防錆のための亜鉛鍍金が施されることにより、平滑化されている。銅箔の厚さは、１０μｍ〜２０μｍである。

次に、フォトリソグラフィ工程により、外部端子１６ａ〜１６ｄ、線路導体２１ｅ及びグランド導体２２を誘電体シート１８ａの表面に形成する。具体的には、誘電体シート１８ａの表面側の銅箔上に、外部端子１６ａ〜１６ｄ，線路導体２１ｅ及びグランド導体２２と同じ形状のレジストを印刷する。そして、銅箔に対してエッチング処理を施すことにより、レジストにより覆われていない部分の銅箔を除去する。その後、レジストを除去する。これにより、図２に示すような、外部端子１６ａ〜１６ｄ、線路導体２１ｅ及びグランド導体２２が誘電体シート１８ａの表面に形成される。

次に、フォトリソグラフィ工程により、線路導体２０ａ，２０ｂ，２０ｆ，２０ｇ，２１ｃ，２１ｄ，２１ｈ，２１ｉ及びグランド導体２６を誘電体シート１８ｂの表面に形成する。また、フォトリソグラフィ工程により、線路導体２０ｅ及びグランド導体２４を誘電体シート１８ｃの表面に形成する。線路導体２０ａ，２０ｂ，２０ｅ，２０ｆ，２０ｇ，２１ｃ，２１ｄ，２１ｈ，２１ｉ及びグランド導体２４，２６の形成方法は、外部端子１６ａ〜１６ｄ、線路導体２１ｅ及びグランド導体２２の形成方法と同じであるので説明を省略する。

次に、誘電体シート１８ａ，１８ｂのビアホール導体ｂ１〜ｂ６，Ｂ１〜Ｂ４，Ｂ１１〜Ｂ１４が形成される位置に対して、裏面側からレーザービームを照射して、貫通孔を形成する。その後、誘電体シート１８ａ，１８ｂに形成した貫通孔に対して、導電性ペーストを充填する。

次に、誘電体シート１８ａ〜１８ｃをｚ軸方向の正方向側から負方向側へとこの順に積み重ねる。そして、誘電体シート１８ａ〜１８ｃに対してｚ軸方向の正方向側及び負方向側から熱及び圧力を加えることにより、誘電体シート１８ａ〜１８ｃを軟化させて圧着・一体化するとともに、貫通孔に充填された導電性ペーストを固化して、ｂ１〜ｂ６，Ｂ１〜Ｂ４，Ｂ１１〜Ｂ１４を形成する。なお、ｂ１〜ｂ６，Ｂ１〜Ｂ４，Ｂ１１〜Ｂ１４は必ずしも貫通孔が導体で完全に埋められている必要はなく、例えば貫通孔の内周面のみに沿って導体を形成することによって形成されてもよい。

次に、樹脂（レジスト）ペーストを塗布することにより、誘電体シート１８ａの表面に保護層１４を形成する。

最後に、接続部１２ｆ〜１２ｉ上にコネクタ１００ａ〜１００ｄをそれぞれはんだを用いて実装する。以上の工程により、高周波伝送線路１０が完成する。

（効果）
以上のように構成された高周波伝送線路１０によれば、信号線路２０と信号線路２１とが交差している部分の誘電体素体１２の厚みを低減できる。より詳細には、高周波伝送線路１０では、信号線路２０における信号線路２１と交差していない部分（すなわち、線路導体２０ａ，２０ｂ，２０ｆ，２０ｇ）と、信号線路２１における信号線路２０と交差していない部分（すなわち、線路導体２１ｃ，２１ｄ，２１ｈ，２１ｉ）とは、同じ誘電体シート１８ｂ上に設けられている。そして、信号線路２０における信号線路２１と交差している部分（すなわち、線路導体２０ｅ）と、信号線路２１における信号線路２０と交差している部分（すなわち、線路導体２１ｅ）とはそれぞれ、誘電体シート１８ａ，１８ｃに設けられている。すなわち、高周波伝送線路１０では、信号線路２０と信号線路２１とが交差している部分のみを異なる誘電体シート上に設けている。これにより、１つの誘電体素体１２内において信号線路２０と信号線路２１とを交差させることが可能となる。その結果、２つの誘電体素体を重ねる必要がなくなり、信号線路２０と信号線路２１とが交差している部分の誘電体素体１２の厚みが低減される。

また、高周波伝送線路１０によれば、信号線路２０と信号線路２１との間のクロストークを低減できる。より詳細には、高周波伝送線路１０は、信号線路２０と信号線路２１とが交差している部分と重なり、かつ、z軸方向において信号線路２０と信号線路２１との間に設けられているグランド導体２６を備えている。グランド導体２６は、接地電位に保たれる。そのため、信号線路２０から放射されるノイズ及び信号線路２１から放射されるノイズは、グランド導体２６に吸収されるようになる。その結果、信号線路２０と信号線路２１との間のクロストークが低減される。

また、高周波伝送線路１０では、線路導体２０ａ，２０ｂ，２０ｆ，２０ｇ，２１ｃ，２１ｄは同じ誘電体シート１８ｂ上に設けられている。高周波伝送線路また、線路導体２０ａ，２０ｂ，２０ｆ，２０ｇ，２１ｃ，２１ｄにおいては、グランド導体２２，２４，２６によって特性インピーダンスが所定の値（例えば５０Ω）に設定される。一方、線路導体２０ｅは、グランド導体２２ｅとグランド導体２６ｅとによって特性インピーダンスが所定の値（例えば５０Ω）に設定され、線路導体２１ｅは、グランド導体２４ｅとグランド導体２６ｅとによって特性インピーダンスが所定の値（例えば５０Ω）に設定される。これによって、線路導体全体の特性インピーダンスが所定の値（例えば５０Ω）に設定される。ここで、線路導体２０ｅ，２１ｅはｚ軸方向でグランド導体２２，２４と重なっていない。したがって、バッテリーパック２０６等の金属体や外部回路のグランドに結合してしまうことが考えられる。しかし、線路導体２０ｅの電界エネルギー（電気力線）の多くは、グランド導体２２ｅとグランド導体２６ｅに結合する。また、線路導体２１ｅの電界エネルギー（電気力線）の多くは、グランド導体２４ｅとグランド導体２６ｅに結合する。このためバッテリーパック２０６と信号線２０ｅが近づいても特性インピーダンスは大きく変化しない。したがって、グランド導体で覆われていないとしても伝送ロスを抑制できる。

（第１の変形例）
以下に、第１の変形例に係る高周波伝送線路１０ａについて図面を参照しながら説明する。図１３は、第１の変形例に係る高周波伝送線路１０ａのＥ１における分解斜視図である。図１４は、第１の変形例に係る高周波伝送線路１０ａのＥ２における分解斜視図である。図１５は、第１の変形例に係る高周波伝送線路１０ａのＥ３における分解斜視図である。図１６は、第１の変形例に係る高周波伝送線路１０ａの区間Ａ１における断面構造図である。図１７は、第１の変形例に係る高周波伝送線路１０ａの区間Ａ２における断面構造図である。図１８は、第１の変形例に係る高周波伝送線路１０ａの区間Ａ３における断面構造図である。図１９は、第１の変形例に係る高周波伝送線路１０ａの区間Ａ４における断面構造図である。高周波伝送線路１０ａの外観斜視図については図１を援用する。

高周波伝送線路１０は、グランド導体２４に開口３０，３１が設けられている点、信号線路２０，２１の線幅が均一ではない点、及び、グランド導体２６が交差部１８ｂ−ｅにのみ設けられている点において、高周波伝送線路１０ａと相違する。高周波伝送線路１０ａのその他の構成については、高周波伝送線路１０と同じであるので説明を省略する。

グランド導体２４の主要導体２４ａ，２４ｂには、図１３及び図１５に示すように、信号線路２０に沿って並ぶ複数の開口３０が設けられている。開口３０は、図１３に示すように、ｘ軸方向の中央におけるｙ軸方向の幅がｘ軸方向の両端におけるｙ軸方向の幅よりも小さくなる形状を有している。以下では、開口３０において、ｘ軸方向の中央における区間を区間ａ１とし、区間ａ１よりもｘ軸方向の正方向側の区間を区間ａ２とし、区間ａ１よりもｘ軸方向の負方向側の区間を区間ａ３とする。区間ａ１における開口３０のｙ軸方向の幅は、区間ａ２，ａ３における開口３０のｙ軸方向の幅よりも大きい。これにより、開口３０は、長方形の四隅が小さな長方形で切り落とされた形状をなしている。

複数の開口３０は、ｚ軸方向から平面視したときに、信号線路２０と重なっている。そして、グランド導体２４において、隣り合う開口３０間に設けられている部分をブリッジ部６０と呼ぶ。これにより、開口３０とブリッジ部６０とが信号線路２０に沿って交互に並んでいる。よって、信号線路２０には、開口３０とブリッジ部６０とが交互に重なっている。そして、隣り合うブリッジ部６０の間隔は、信号線路２０を伝送される高周波信号の１／２波長の半分より短い。

また、高周波伝送線路１０ａにおいて、信号線路２０と開口３０とが重なっている区間を区間Ａ１とし、信号線路２０とブリッジ部６０とが重なっている区間をＡ２とする。区間Ａ１における信号線路２０の線幅Ｗ１は、図１３に示すように、区間Ａ２における信号線路２０の線幅Ｗ２よりも大きい。すなわち、信号線路２０において開口３０と重なっている部分の線幅Ｗ１は、信号線路２０においてブリッジ部６０と重なっている部分の線幅Ｗ２よりも大きい。

以上のように、主要導体２２ａ，２２ｂに開口が設けられず、主要導体２４ａ，２４ｂに開口３０が設けられていることにより、グランド導体２４が信号線路２０と重なっている面積は、グランド導体２２が信号線路２０と重なっている面積よりも小さい。

また、グランド導体２４の主要導体２４ｃ，２４ｄには、図１４及び図１５に示すように、信号線路２１に沿って並ぶ複数の開口３１が設けられている。開口３１は、図１４に示すように、ｘ軸方向の中央におけるｙ軸方向の幅がｘ軸方向の両端におけるｙ軸方向の幅よりも小さくなる形状を有している。以下では、開口３１において、ｘ軸方向の中央における区間を区間ａ４とし、区間ａ４よりもｘ軸方向の正方向側の区間を区間ａ５とし、区間ａ４よりもｘ軸方向の負方向側の区間を区間ａ６とする。区間ａ４における開口３１のｙ軸方向の幅は、区間ａ５，ａ６における開口３１のｙ軸方向の幅よりも大きい。これにより、開口３１は、長方形の四隅が小さな長方形で切り落とされた形状をなしている。

複数の開口３１は、ｚ軸方向から平面視したときに、信号線路２１と重なっている。そして、グランド導体２４において、隣り合う開口３１間に設けられている部分をブリッジ部６１と呼ぶ。これにより、開口３１とブリッジ部６１とが信号線路２１に沿って交互に並んでいる。よって、信号線路２１には、開口３１とブリッジ部６１とが交互に重なっている。そして、隣り合うブリッジ部６１の間隔は、信号線路２１を伝送される高周波信号の１／２波長の半分より短い。

また、高周波伝送線路１０ａにおいて、信号線路２１と開口３１とが重なっている区間を区間Ａ３とし、信号線路２１とブリッジ部６１とが重なっている区間をＡ４とする。区間Ａ３における信号線路２１の線幅Ｗ１は、図１４に示すように、区間Ａ４における信号線路２１の線幅Ｗ２よりも大きい。すなわち、信号線路２１において開口３１と重なっている部分の線幅Ｗ１は、信号線路２１においてブリッジ部６１と重なっている部分の線幅Ｗ２よりも大きい。

以上のように、主要導体２２ｃ，２２ｄに開口が設けられず、主要導体２４ｃ，２４ｄに開口３１が設けられていることにより、グランド導体２４が信号線路２１と重なっている面積は、グランド導体２２が信号線路２１と重なっている面積よりも小さい。

以上より、高周波伝送線路１０ａの信号線路２０，２１の特性インピーダンスは、主に、信号線路２０，２１とグランド導体２２との対向面積及び距離、並びに、誘電体シート１８ａ〜１８ｃの比誘電率に基づいて定まる。そこで、信号線路２０，２１の特性インピーダンスを５０Ωに設定する場合には、例えば、信号線路２０，２１とグランド導体２２によって信号線路２０，２１の特性インピーダンスが５０Ωよりもやや高めの５５Ωとなるように設計する。そして、信号線路２０，２１とグランド導体２２とグランド導体２４によって信号線路２０，２１の特性インピーダンスが５０Ωとなるように、グランド導体２４の形状を調整する。以上のように、グランド導体２２は、信号線路２０，２１の基準グランド導体としての役割を果たす。

一方、グランド導体２４は、信号線路２０，２１に対してシールドとしても機能するグランド導体である。また、グランド導体２４は、前記の通り、信号線路２０，２１の特性インピーダンスが５０Ωとなるように最終的な調整を行うために設計されている。具体的には、開口３０，３１の大きさやブリッジ部６０，６１の線幅等を設計する。以上のように、グランド導体２４は、信号線路２０，２１の補助グランド導体としての役割を果たす。

また、信号線路２０，２１とグランド導体２２とのｚ軸方向における距離Ｄ１は、図１６ないし図１９に示すように、信号線路２０，２１とグランド導体２４とのｚ軸方向における距離Ｄ２よりも大きい。距離Ｄ１は、誘電体シート１８ａと略等しく、距離Ｄ２は、誘電体シート１８ｂの厚さと略等しい。

以上のように構成された高周波伝送線路１０では、信号線路２０の特性インピーダンスは、隣り合うブリッジ部６０の間において、最小値Ｚ３から中間値Ｚ２、最大値Ｚ１と増加した後に、最大値Ｚ１から中間値Ｚ２、最小値Ｚ３と減少する変動を繰り返す。より詳細には、信号線路２０においてブリッジ部６０と重なっている区間Ａ２では、信号線路２０とグランド導体２４との間に大きな容量が形成される。よって、区間Ａ２では、信号線路２０の特性インピーダンスにおいてＣ成分が支配的となる。そのため、区間Ａ２における信号線路２０の特性インピーダンスは、最小値Ｚ３となる。

また、信号線路２０において区間ａ１では、開口３０のｙ軸方向の幅が最大値となっている。そのため、信号線路２０において区間ａ１では、信号線路２０とグランド導体２４との間に小さな容量が形成される。よって、区間ａ１では、信号線路２０の特性インピーダンスにおいてＬ成分が支配的となる。そのため、区間ａ１における信号線路２０の特性インピーダンスは、最大値Ｚ１となる。

また、信号線路２０において区間ａ２，ａ３では、開口３０のｙ軸方向の幅が最大値よりも小さくなっている。そのため、信号線路２０において区間ａ２，ａ３では、信号線路２０とグランド導体２４との間には中間値の容量が形成される。よって、区間ａ２，ａ３では、信号線路２０の特性インピーダンスにおいてＬ成分とＣ成分の両方が支配的となる。そのため、区間ａ２，ａ３における信号線路２０の特性インピーダンスは、中間値Ｚ２となる。

ここで、隣り合うブリッジ部６０間では、ｘ軸方向の負方向側から正方向側に向かって、区間Ａ２、区間ａ３、区間ａ１、区間ａ２、区間Ａ２がこの順に並んでいる。よって、隣り合うブリッジ部６０間では、信号線路２０の特性インピーダンスは、最小値Ｚ３、中間値Ｚ２、最大値Ｚ１、中間値Ｚ２、最小値Ｚ３の順に変動する。そして、ブリッジ部６０及び開口３０は、信号線路２０に対して交互に重なっている。そのため、信号線路２０の特性インピーダンスは、周期的に増減するようになる。なお、最大値Ｚ１は、例えば、７０Ωであり、中間値Ｚ２は、例えば、５５Ωであり、最小値Ｚ３は、例えば、３０Ωである。そして、信号線路２０全体の特性インピーダンスの平均が５０Ωとなるように、高周波伝送線路１０は設計される。なお、信号線路２１の特性インピーダンスについても、信号線路２０の特性インピーダンスと同様に変動する。

以上のように構成された高周波伝送線路１０ａによれば、高周波伝送線路１０と同様に、信号線路２０と信号線路２１とが交差している部分の誘電体素体１２の厚みを低減できる。

以上のように、高周波伝送線路１０ａでは、高周波伝送線路１０と同様に、信号線路２０と信号線路２１との間のクロストークが低減される。

また、高周波伝送線路１０ａによれば、薄型化を図ることができる。より詳細には、高周波伝送線路１０ａでは、区間Ａ１において、信号線路２０は、ｚ軸方向から平面視したときに、グランド導体２４と重なっていない。そのため、信号線路２０とグランド導体２４との間に容量が形成されにくい。したがって、信号線路２０とグランド導体２４とのｚ軸方向における距離を小さくしても、信号線路２０とグランド導体２４との間に形成される容量が大きくなり過ぎない。よって、信号線路２０の特性インピーダンスが所定の特性インピーダンス（例えば、５０Ω）からずれにくい。その結果、高周波伝送線路１０によれば、信号線路２０の特性インピーダンスを所定の特性インピーダンスに維持しつつ、薄型化を図ることが可能である。なお、同様の理由により、信号線路２１の特性インピーダンスを所定の特性インピーダンスに維持しつつ、薄型化を図ることが可能である。高周波伝送線路１０の薄型化が図られると、高周波伝送線路１０を容易に曲げることが可能となる。

また、高周波伝送線路１０ａでは、信号線路２０の伝送損失を低減することができる。より詳細には、区間Ａ１では、信号線路２０と開口３０とが重なっているので、信号線路２０とグランド導体２４との間に容量が形成されにくい。よって、区間Ａ１における信号線路２０の線幅Ｗ１を区間Ａ２における信号線路２０の線幅Ｗ２よりも大きくしても、区間Ａ１における信号線路２０の特性インピーダンスが区間Ａ２における信号線路２０の特性インピーダンスよりも低くなり過ぎることがない。よって、高周波伝送線路１０ａでは、信号線路２０の特性インピーダンスを所定の特性インピーダンスに維持しつつ、信号線路２０の抵抗値を低減できる。以上より、高周波伝送線路１０ａでは、信号線路２０の伝送損失を低減することができる。なお、同じ理由により、信号線路２１の伝送損失を低減することができる。

また、高周波伝送線路１０ａでは、信号線路２０からの不要輻射による悪影響を低減できる。より詳細には、高周波伝送線路１０ａでは、複数の開口３０が信号線路２０に沿って並んでいる。これにより、開口３０と重なっている区間Ａ１における信号線路２０の特性インピーダンスがブリッジ部６０と重なっている区間Ａ２における信号線路２０の特性インピーダンスよりも高くなる。開口３０とブリッジ部６０とは、信号線路２０と交互に重なっているので、信号線路２０の特性インピーダンスは周期的に変動するようになる。この場合、隣り合う区間Ａ１間において定在波が発生し、不要輻射が発生する。そこで、隣り合う開口３０の間隔を電子機器２００において用いられる高周波信号の波長の１／２以下とすることにより、信号線路２０からの不要輻射の周波数を電子機器２００において用いられる高周波信号の周波数帯域から外すことができる。よって、電子機器２００において、信号線路２０からの不要輻射による悪影響が低減される。なお、同じ理由により、電子機器２００において、信号線路２１からの不要輻射による悪影響が低減される。

また、高周波伝送線路１０ａでは、区間ａ１における開口３０のｙ軸方向の幅は、区間ａ２，ａ３における開口３０のｙ軸方向の幅よりも大きい。よって、区間ａ１における信号線路２０とグランド導体２４との間隔は、区間ａ２，ａ３における信号線路２０とグランド導体２４との間隔よりも大きい。更に、区間Ａ２では、信号線路２０とブリッジ部６０とが重なっている。よって、区間ａ２，ａ３における信号線路２０とグランド導体２４との間隔は、区間Ａ２における信号線路２０とグランド導体２４との間隔よりも大きい。よって、隣り合うブリッジ部６０間において、ｘ軸方向の負方向側から正方向側に行くにしたがって、信号線路２０とグランド導体２４との間隔は、段階的に増加した後に、段階的に減少する。

ここで、信号線路２０とグランド導体２４との間隔が大きい方が、信号線路２０の周囲には磁界が発生しやすい。そのため、隣り合うブリッジ部６０間において、ｘ軸方向の負方向側から正方向側に行くにしたがって、信号線路２０が発生する磁界は、段階的に増加した後に、段階的に減少する。これにより、区間ａ１〜ａ３，Ａ２の境界において急激に磁界の強さが変動することが抑制される。その結果、区間ａ１〜ａ３，Ａ２の境界において高周波信号の反射が低減され、信号線路２０において定在波が発生することが抑制される。その結果、高周波伝送線路１０ａにおいて、信号線路２０からの不要輻射が低減される。なお、同じ理由により、信号線路２１からの不要輻射が低減される。

また、高周波伝送線路１０ａでは、グランド導体２４に複数の開口３０が設けられることにより、信号線路２０の特性インピーダンスが周期的に変動している。そのため、高周波伝送線路１０ａでは、信号線路の特性インピーダンスが一定である高周波伝送線路に比べて、折り曲げられた際に生じる信号線路２０の特性インピーダンスの変動が小さい。信号線路の特性インピーダンスが一定である高周波伝送線路とは、例えば、ベタ状のグランド導体又はスリット状の開口を有するグランド導体を備えた高周波伝送線路である。

また、高周波伝送線路１０ａでは、グランド導体２２に複数の開口３１が設けられることにより、信号線路２１の特性インピーダンスが周期的に変動している。そのため、高周波伝送線路１０ａでは、信号線路の特性インピーダンスが一定である高周波伝送線路に比べて、折り曲げられた際に生じる信号線路２１の特性インピーダンスの変動が小さい。

また、高周波伝送線路１０ａでは、信号線路２０，２１の特性インピーダンスが所定の特性インピーダンスから変動することを抑制できる。より詳細には、誘電体素体１２の表面（より正確には、保護層１４）は、バッテリーパック２０６に対して接触している。そして、誘電体素体１２とバッテリーパック２０６とは、接着剤等により固定されている。これにより、信号線路２０，２１とバッテリーパック２０６との間には、開口が設けられていないベタ状のグランド導体２２が存在している。これにより、信号線路２０，２１とバッテリーパック２０６との間に容量が形成されることが抑制される。その結果、信号線路２０，２１の特性インピーダンスが所定の特性インピーダンスから変動することが抑制される。

（第２の変形例）
以下に、第２の変形例に係る高周波伝送線路１０ｂについて図面を参照しながら説明する。図２０は、第２の変形例に係る高周波伝送線路１０ｂのＥ３における分解斜視図である。高周波伝送線路１０ｂの外観斜視図については図１を援用する。

高周波伝送線路１０ｂは、以下の点において高周波伝送線路１０ａと相違する。第１の相違点は、高周波伝送線路１０ｂがグランド導体２６を備えていない点である。第２の相違点は、信号線路２１が全長にわたって誘電体シート１８ｂに設けられている点である。第３の相違点は、誘電体シート１８ｅが設けられ、線路導体２０ｅが該誘電体シート１８ｅの表面上に設けられている点である。第４の相違点は、グランド導体２４がｚ軸方向において線路導体２０ａ，２０ｂ，２０ｆ，２０ｇ，２１ｃ〜２１ｅ，２１ｈ，２１ｉと線路導体２０ｅとの間に設けられている点である。

高周波伝送線路１０ｂでは、図２０に示すように、線路導体２０ａ，２０ｂ，２０ｆ，２０ｇ，２１ｃ〜２１ｅ，２１ｈ，２１ｉは、誘電体シート１８ｂの表面に設けられており、グランド導体２２，２４によりｚ軸方向の両側から挟まれている。ただし、線路導体２０ｅは、誘電体シート１８ｅの表面に設けられている。これにより、信号線路２０における信号線路２１と交差している部分（すなわち、線路導体２０ｅ）は、グランド導体２４よりもｚ軸方向の負方向側に設けられている。よって、高周波伝送線路１０ｂでは、交差導体２４ｅは、グランド導体２４における信号線路２０と信号線路２１とが交差している部分と重なる部分である。

以上のように構成された高周波伝送線路１０ｂでは、線路導体２０ｅと線路導体２１ｅとの間には、接地電位に保たれる交差導体２４ｅが設けられている。すなわち、交差導体２４ｅが中間グランド導体として機能している。そのため、高周波伝送線路１０ｂでは、高周波伝送線路１０と同様に、信号線路２０と信号線路２１との間のクロストークが低減される。

また、高周波伝送線路１０ｂでは、信号線路２１は、全長にわたって誘電体シート１８ｂの表面上に設けられているので、誘電体シート１８ｂ以外の誘電体シートにビアホール導体等を介して引き回されていない。これにより、信号線路２１の特性インピーダンスが変動しにくくなる。そこで、信号線路２０を特性インピーダンスの変動幅の許容幅が大きい方の信号線路として用い、信号線路２１を特性インピーダンスの変動幅の許容量が小さい方の信号線路として用いればよい。これにより、高周波伝送線路１０ｂは、信号線路に要求される特性に応じた構成をとることが可能となる。

また、高周波伝送線路１０ｂでは、グランド導体２６が設けられず、グランド導体２２，２４の２つのグランド導体が設けられている。これにより、高周波伝送線路１０ｂでは、グランド導体の数を減らすことが可能となる。

なお、高周波伝送線路１０ｂにおいては、信号線路２０の線路導体２０ｅは、信号線路２１ｅおよび中間グランド導体（交差導体２４ｅ）よりもｚ軸の負方向側に設けられたが、信号線路２１ｅよりもｚ軸の正方向側に設けられるように設計してもよい。その場合、中間グランド導体となる交差導体は信号線路２１ｅよりもｚ軸の正方向側、かつ、信号線路２０ｅよりも負方向側に設けられる。

（第３の変形例）
以下に、第３の変形例に係る高周波伝送線路１０ｃについて図面を参照しながら説明する。図２１は、第３の変形例に係る高周波伝送線路１０ｃの外観斜視図である。図２２は、第３の変形例に係る高周波伝送線路１０ｃにおける分解斜視図である。図２３は、第３の変形例に係る高周波伝送線路１０ｃの断面構造図である。

高周波伝送線路１０ｃは、信号線路２０と信号線路２１とが平行に並走している点において高周波伝送線路１０ａと相違する。

誘電体素体１２は、図２１に示すように、ｘ軸方向に延在しており、ｘ軸方向の正方向側の端部及び負方向側の端部のそれぞれにおいて２つに枝分かれした構造を有している。誘電体素体１２は、図２２に示すように、保護層１４及び誘電体シート１８ａ〜１８ｄがｚ軸方向の正方向側から負方向側へとこの順に積層されて構成されている可撓性の積層体である。以下では、誘電体素体１２のｚ軸方向の正方向側の主面を表面と称し、誘電体素体１２のｚ軸方向の負方向側の主面を裏面と称す。

誘電体シート１８ａ〜１８ｄは、ｚ軸方向から平面視したときに、誘電体素体１２と同じ形状をなしている。誘電体シート１８ａ〜１８ｄは、ポリイミド等の可撓性を有する熱可塑性樹脂により構成されている。誘電体シート１８ａ〜１８ｄの積層後の厚さは、例えば、２５μｍ〜２００μｍである。以下では、誘電体シート１８ａ〜１８ｄのｚ軸方向の正方向側の主面を表面と称し、誘電体シート１８ａ〜１８ｄのｚ軸方向の負方向側の主面を裏面と称す。

信号線路２０は、図２２及び図２３に示すように、誘電体素体１２に設けられており、線路導体２０ａ，２０ｂ，２０ｅにより構成されている。線路導体２０ａ，２０ｂは、誘電体シート１８ｃの表面に設けられ、ｘ軸方向に延在している線状導体である。線路導体２０ａは、線路導体２０ｂよりもｘ軸方向の負方向側に設けられていると共に、線路導体２０ｂよりもｙ軸方向の負方向側に設けられている。

線路導体２０ｅは、誘電体シート１８ｄの表面に設けられ、ｘ軸方向の正方向側に向かって進むにしたがって、ｙ軸方向の正方向側に進むように、ｘ軸に対して傾斜している線状導体である。線路導体２０ａのｘ軸方向の正方向側の端部は、線路導体２０ｅのｘ軸方向の負方向側の端部と重なっている。そして、線路導体２０ａのｘ軸方向の正方向側の端部と、線路導体２０ｅのｘ軸方向の負方向側の端部とは、ビアホール導体により接続されている。線路導体２０ｂのｘ軸方向の負方向側の端部は、線路導体２０ｅのｘ軸方向の正方向側の端部と重なっている。そして、線路導体２０ｂのｘ軸方向の負方向側の端部と、線路導体２０ｅのｘ軸方向の正方向側の端部とは、ビアホール導体により接続されている。信号線路２０は、銀や銅を主成分とする比抵抗の小さな金属材料により作製されている。

信号線路２１は、図２２及び図２３に示すように、誘電体素体１２に設けられており、線路導体２１ｃ，２１ｄ，２１ｅにより構成されている。線路導体２１ｃ，２１ｄは、誘電体シート１８ｃの表面に設けられている。線路導体２１ｃ，２１ｄは、ｘ軸方向に延在している線状導体である。線路導体２１ｃは、線路導体２１ｄよりもｘ軸方向の負方向側に設けられていると共に、線路導体２１ｄよりもｙ軸方向の正方向側に設けられている。これにより、線路導体２０ａと線路導体２１ｃとが並走している。また、線路導体２０ｂと線路導体２１ｄとが並走している。

線路導体２１ｅは、誘電体シート１８ｂの表面に設けられている。線路導体２１ｅは、ｘ軸方向の正方向側に向かって進むにしたがって、ｙ軸方向の負方向側に進むように、ｘ軸に対して傾斜している線状導体である。線路導体２１ｃのｘ軸方向の正方向側の端部は、線路導体２１ｅのｘ軸方向の負方向側の端部と重なっている。そして、線路導体２１ｃのｘ軸方向の正方向側の端部と、線路導体２１ｅのｘ軸方向の負方向側の端部とは、ビアホール導体により接続されている。線路導体２１ｄのｘ軸方向の負方向側の端部は、線路導体２１ｅのｘ軸方向の正方向側の端部と重なっている。そして、線路導体２１ｄのｘ軸方向の負方向側の端部と、線路導体２１ｅのｘ軸方向の正方向側の端部とは、ビアホール導体により接続されている。また、信号線路２０の線路導体２０ｅと信号線路２１の線路導体２１ｅとは、ｚ軸方向から平面視したときに、交差している。信号線路２１は、銀や銅を主成分とする比抵抗の小さな金属材料により作製されている。

グランド導体２２は、図２２及び図２３に示すように、誘電体素体１２において線路導体２０ａ，２０ｂ，２１ｃ，２１ｄよりもｚ軸方向の正方向側に設けられており、より詳細には、誘電体シート１８ａの表面に設けられている。グランド導体２２は、ｚ軸方向から平面視したときに、誘電体素体１２と略同じ形状をなしており、信号線路２０，２１と重なっている。ただし、グランド導体２２は、線路導体２１ｅの両端と重なっており、線路導体２１ｅの両端を除く部分とは重なっていない。グランド導体２２は、銀や銅を主成分とする比抵抗の小さな金属材料により作製されている。

グランド導体２４は、図２１及び図２２に示すように、誘電体素体１２において線路導体２０ａ，２０ｂ，２１ｃ，２１ｄよりもｚ軸方向の負方向側に設けられており、より詳細には、誘電体シート１８ｄの表面に設けられている。グランド導体２４は、ｚ軸方向から平面視したときに、誘電体素体１２と略同じ形状をなしており、信号線路２０，２１と重なっている。ただし、グランド導体２２には、開口Ｏｐ２が設けられている。開口Ｏｐ２内には、線路導体２０ｅが設けられている。よって、グランド導体２４は、線路導体２０ｅとは重なっていない。グランド導体２４は、銀や銅を主成分とする比抵抗の小さな金属材料により作製されている。

ここで、グランド導体２４には、図２２に示すように、長方形状をなす複数の開口３０，３１が設けられている。複数の開口３０は、ｚ軸方向から平面視したときに、信号線路２０と重なっていると共に、該信号線路２０に沿って並ぶように設けられている。複数の開口３１は、ｚ軸方向から平面視したときに、信号線路２１と重なっていると共に、該信号線路２１に沿って並ぶように設けられている。

グランド導体２６は、図２１及び図２２に示すように、誘電体素体１２において線路導体２０ａ，２０ｂ，２１ｃ，２１ｄと同じ誘電体シート１８ｃの表面に設けられている。グランド導体２６は、ｚ軸方向から平面視したときに、誘電体素体１２と略同じ形状をなしている。ただし、グランド導体２６には開口Ｏｐ３〜Ｏｐ６が設けられている。そして、線路導体２０ａ，２０ｂ，２１ｃ，２１ｄはそれぞれ、開口Ｏｐ３〜Ｏｐ６内に設けられている。これにより、グランド導体２６は、線路導体２０ａ，２０ｂ，２１ｃ，２１ｄとは重なっていない。また、グランド導体２６は、ｚ軸方向から平面視したときに、線路導体２０ｅ，２１ｅと重なっていると共に、ｚ軸方向において線路導体２０ｅと線路導体２１ｅとの間に設けられている。グランド導体２４は、銀や銅を主成分とする比抵抗の小さな金属材料により作製されている。

保護層１４は、誘電体シート１８ａの表面の略全面を覆っている。これにより、保護層１４は、グランド導体２２を覆っている。保護層１４は、例えば、レジスト材等の可撓性樹脂からなる。

高周波伝送線路１０ｃのその他の構成は、高周波伝送線路１０ａの構成と同じであるので説明を省略する。

高周波伝送線路１０ｃは、以下に説明するように用いられる。図２４は、高周波伝送線路１０ｃが用いられた電子機器２００をｚ軸方向から平面視した図である。

電子機器２００は、高周波伝送線路１０ｃ、回路基板２０２ａ，２０２ｂ、バッテリーパック（金属体）２０６、筐体２１０及びアンテナ２１２を備えている。

筐体２１０は、図２４に示すように、高周波伝送線路１０ｃ、回路基板２０２ａ，２０２ｂ、バッテリーパック２０６及びアンテナ２１２を収容している。回路基板２０２ａには、例えば、送信回路又は受信回路が設けられている。回路基板２０２ｂには、例えば、給電回路（ＲＦＩＣ）が設けられている。バッテリーパック２０６は、例えば、リチウムイオン２次電池であり、その表面が金属カバーにより覆われた構造を有している。回路基板２０２ａ、バッテリーパック２０６及び回路基板２０２ｂは、ｘ軸方向の負方向側から正方向側へとこの順に並んでいる。また、アンテナ２１２は、回路基板２０２ａに接続されている。

高周波伝送線路１０ｃは、回路基板２０２ａと回路基板２０２ｂとを接続している。また、誘電体素体１２の表面（より正確には、保護層１４）は、バッテリーパック２０６に対して接触している。そして、誘電体素体１２の表面とバッテリーパック２０６とは、接着剤等により固定されている。

以上のように構成された高周波伝送線路１０ｃでは、線路導体２０ｅと線路導体２１ｅとの間にグランド導体２６が設けられている。そのため、高周波伝送線路１０ｃでは、高周波伝送線路１０ａと同様に、信号線路２０と信号線路２１との間のクロストークが低減される。

また、線路導体２０ａと線路導体２１ｃとの間、及び、線路導体２０ｂと線路導体２１ｄとの間には、グランド導体２６が設けられている。よって、信号線路２０と信号線路２１との間のクロストークがより低減される。

（その他の実施形態）
本発明に係る高周波伝送線路は、前記高周波伝送線路１０，１０ａ〜１０ｃに限らず、その要旨の範囲内において変更可能である。

なお、高周波伝送線路１０，１０ａ〜１０ｃの構成を組み合わせて用いてもよい。

なお、電子機器２００は、携帯電話、タブレット型端末、ノート型パソコン等の携帯通信端末に限らず、デジタルカメラや据え置き型パソコン等のように高周波信号を伝送するための信号線路を含む機器であればよい。

また、高周波伝送線路１０，１０ａ〜１０ｃは、アンテナと給電回路とを接続するために用いられるのではなく、高周波信号の整合回路同士を接続するために用いられてもよい。また、高周波伝送線路１０，１０ａ〜１０ｃは、２つの高周波回路基板を接続するために用いられてもよい。

また、高周波伝送線路１０，１０ａ〜１０ｃにおいて、ビアホール導体の代わりに、貫通孔の内周面にめっき膜を形成したスルーホール導体が用いられてもよい。

また、高周波伝送線路１０，１０ａ〜１０ｃにおいて、グランド導体２２，２４は、誘電体素体１２内に設けられているものもあるが、その両方が誘電体素体１２の表面又は裏面に設けられていてもよい。

なお、高周波伝送線路１０，１０ａ〜１０ｃは、アンテナフロントエンドモジュールなどＲＦ回路基板における高周波伝送線路として用いられてもよい。

なお、高周波伝送線路１０，１０ａ〜１０ｃにおいて、コネクタ１００ａ〜１００ｄが実装されていなくてもよい。この場合、高周波伝送線路１０，１０ａ〜１０ｃの端部と回路基板とがはんだ等によって接続される。なお、高周波伝送線路１０，１０ａ〜１０ｃのいずれかの端部のみにコネクタ１００ａ〜１００ｄが実装されてもよい。

また、コネクタ１００ａ〜１００ｄは、高周波伝送線路１０，１０ａ〜１０ｃの表面に実装されているが、高周波伝送線路１０，１０ａ〜１０ｃの裏面に実装されていてもよい。また、例えば、コネクタ１００ａ，１００ｂが高周波伝送線路１０，１０ａ〜１０ｃの表面に実装され、コネクタ１００ｃ，１００ｄが高周波伝送線路１０，１０ａ〜１０ｃの裏面に実装されてもよい。
なお、高周波伝送線路１０ｂは、本発明の高周波伝送線路の前提となる構成を備えた参考例である。

以上のように、本発明は、高周波伝送線路及び電子機器に有用であり、特に、交差している２本の信号線路間のクロストークを低減できると共に、積層体において２本の信号線路が交差している部分の厚みを低減できる点において優れている。

１０，１０ａ〜１０ｃ 高周波伝送線路
１２ 誘電体素体
１８ａ〜１８ｅ 誘電体シート
２０，２１ 信号線路
２２，２４，２６ グランド導体
３０，３１ 開口
２００ 電子機器
２１０ 筐体

Claims (8)

1. 複数の誘電体層が積層されてなる積層体と、
   前記誘電体層上に設けられている第１の信号線路と、
   積層方向から平面視したときに、前記第１の信号線路と交差している第２の信号線路であって、該第１の信号線路と交差している部分において、該第１の信号線路よりも積層方向の一方側に設けられ、該第１の信号線路と交差していない部分において該第１の信号線路と同じ前記誘電体層上に設けられている第２の信号線路と、
   積層方向から平面視したときに、前記第１の信号線路と前記第２の信号線路とが交差している部分と重なり、かつ、積層方向において該第１の信号線路と該第２の信号線路との間に設けられている中間グランド導体と、
   前記第１の信号線路と前記第２の信号線路とが交差していない部分において、前記第１の信号線路及び前記第２の信号線路よりも積層方向の一方側に設けられている第１のグランド導体と、
   前記第１の信号線路と前記第２の信号線路とが交差していない部分において、前記第１の信号線路及び前記第２の信号線路よりも積層方向の他方側に設けられている第２のグランド導体と、
   を備えており、
   前記第１のグランド導体及び前記第２のグランド導体は、積層方向から平面視したときに、前記第１の信号線路と前記第２の信号線路とが交差していない部分の少なくとも一部において該第１の信号線路及び前記第２の信号線路と重なっており、
   前記第１のグランド導体は、積層方向から平面視したときに、前記第１の信号線路と前記第２の信号線路とが交差している部分の少なくとも一部において該第２の信号線路と重なっておらず、
   前記第２のグランド導体は、積層方向から平面視したときに、前記第１の信号線路と前記第２の信号線路とが交差している部分の少なくとも一部において該第１の信号線路と重なっておらず、
   前記第１の信号線路において前記第２の信号線路と交差している部分は、該第１の信号線路において該第２の信号線路と交差していない部分よりも積層方向の他方側に設けられており、
   前記第２の信号線路において前記第１の信号線路と交差している部分は、該第２の信号線路において該第１の信号線路と交差していない部分よりも積層方向の一方側に設けられていること、
   を特徴とする高周波伝送線路。
2. 前記第１の信号線路と前記第２のグランド導体とが重なっている面積は、該第１の信号線路と前記第１のグランド導体とが重なっている面積よりも小さく、
   前記第２の信号線路と前記第２のグランド導体とが重なっている面積は、該第２の信号線路と前記第１のグランド導体とが重なっている面積よりも小さく、
   前記第１の信号線路及び前記第２の信号線路における該第１の信号線路と該第２の信号線路とが交差していない部分と前記第２のグランド導体との積層方向における距離は、該第１の信号線路及び該第２の信号線路における該第１の信号線路と該第２の信号線路とが交差していない部分と前記第１のグランド導体との積層方向における距離よりも小さいこと、
   を特徴とする請求項１に記載の高周波伝送線路。
3. 前記第２のグランド導体には、前記第１の信号線路に沿って並ぶ複数の第１の開口、及び、前記第２の信号線路に沿って並ぶ複数の第２の開口が設けられていること、
   を特徴とする請求項２に記載の高周波伝送線路。
4. 前記中間グランド導体は、前記第１の信号線路において前記第２の信号線路と交差していない部分の少なくとも一部及び該第２の信号線路において該第１の信号線路と交差していない部分の少なくとも一部と同じ前記誘電体層に設けられていること、
   を特徴とする請求項１ないし請求項３のいずれかに記載の高周波伝送線路。
5. 前記第２の信号線路において前記第１の信号線路と交差している部分は、前記第１のグランド導体と同じ前記誘電体層上に設けられていること、
   を特徴とする請求項１ないし請求項４のいずれかに記載の高周波伝送線路。
6. 前記第１の信号線路において前記第２の信号線路と交差している部分は、前記第２のグランド導体と同じ前記誘電体層上に設けられていること、
   を特徴とする請求項５に記載の高周波伝送線路。
7. 前記第２の信号線路において前記第１の信号線路と交差している部分は、前記第１のグランド導体に設けられた第３の開口内に設けられていること、
   を特徴とする請求項６に記載の高周波伝送線路。
8. 高周波伝送線路と、
   前記高周波伝送線路を収容している筐体と、
   を備えており、
   前記高周波伝送線路は、
   複数の誘電体層が積層されてなる積層体と、
   前記誘電体層上に設けられている第１の信号線路と、
   積層方向から平面視したときに、前記第１の信号線路と交差している第２の信号線路であって、該第１の信号線路と交差している部分において、該第１の信号線路よりも積層方向の一方側に設けられ、該第１の信号線路と交差していない部分において該第１の信号線路と同じ前記誘電体層上に設けられている第２の信号線路と、
   積層方向から平面視したときに、前記第１の信号線路と前記第２の信号線路とが交差している部分と重なり、かつ、積層方向において該第１の信号線路と該第２の信号線路との間に設けられている中間グランド導体と、
   前記第１の信号線路と前記第２の信号線路とが交差していない部分において、前記第１の信号線路及び前記第２の信号線路よりも積層方向の一方側に設けられている第１のグランド導体と、
   前記第１の信号線路と前記第２の信号線路とが交差していない部分において、前記第１の信号線路及び前記第２の信号線路よりも積層方向の他方側に設けられている第２のグランド導体と、
   を備えており、
   前記第１のグランド導体及び前記第２のグランド導体は、積層方向から平面視したときに、前記第１の信号線路と前記第２の信号線路とが交差していない部分の少なくとも一部において該第１の信号線路及び前記第２の信号線路と重なっており、
   前記第１のグランド導体は、積層方向から平面視したときに、前記第１の信号線路と前記第２の信号線路とが交差している部分の少なくとも一部において該第２の信号線路と重なっておらず、
   前記第２のグランド導体は、積層方向から平面視したときに、前記第１の信号線路と前記第２の信号線路とが交差している部分の少なくとも一部において該第１の信号線路と重なっておらず、
   前記第１の信号線路において前記第２の信号線路と交差している部分は、該第１の信号線路において該第２の信号線路と交差していない部分よりも積層方向の他方側に設けられており、
   前記第２の信号線路において前記第１の信号線路と交差している部分は、該第２の信号線路において該第１の信号線路と交差していない部分よりも積層方向の一方側に設けられていること、
   を特徴とする電子機器。
   

Images