JP5741715B2 - 高周波伝送線路及び電子機器 - Google Patents

Description

本発明は、高周波伝送線路及び電子機器に関し、より特定的には、高周波信号の伝送に用いられる高周波伝送線路及び電子機器に関する。

従来の高周波伝送線路に関する発明としては、例えば、特許文献１及び特許文献２に記載の信号線路が知られている。該信号線路は、積層体、信号線及び２つのグランド導体を備えている。

積層体は、可撓性を有する複数の絶縁体層が積層されてなる。信号線は、積層体内に設けられている。２つのグランド導体は、信号線を積層方向から挟んでいる。これにより、信号線と２つのグランド導体とは、ストリップライン構造をなしている。以上のような特許文献１及び特許文献２に記載の信号線路は、積層体により構成されているので、一般的な同軸ケーブルの直径よりも小さな厚みを有している。したがって、電子機器内の狭いスペースに配置することが可能である。

ところで、特許文献１及び特許文献２に記載の信号線路において、２本の信号線を交差させたい場合がある。そこで、２本の信号線路を交差させると、信号線路が交差した部分では２つの積層体が重なる。その結果、２本の信号線路が交差した部分の厚みが大きくなってしまう。一方、１つの積層体内に２本の信号線を設けて、２本の信号線を積層体内において交差させることが考えられる。これにより、積層体において２本の信号線が交差している部分の厚みを低減できるものの、信号線同士が対向するので信号線間でクロストークが発生する。

国際公開第２０１１／００７６６０号パンフレット 特開２０１１−７１４０３号公報

そこで、本発明の目的は、交差している２本の信号線路間のクロストークを低減できると共に、積層体において２本の信号線路が交差している部分の厚みを低減できる高周波伝送線路及び電子機器を提供することである。

本発明の一形態に係る高周波伝送線路は、複数の誘電体層が積層されてなる積層体と、前記積層体に設けられている第１の信号線路と、前記積層体において前記第１の信号線路よりも積層方向の一方側に設けられている第２の信号線路であって、積層方向から平面視したときに、該第１の信号線路と交差している第２の信号線路と、前記第１の信号線路よりも積層方向の他方側に設けられている第１のグランド導体と、前記第２の信号線路よりも積層方向の一方側に設けられている第２のグランド導体と、積層方向から平面視したときに、前記第１の信号線路と前記第２の信号線路とが交差している部分と重なり、かつ、積層方向において該第１の信号線路と該第２の信号線路との間に設けられている中間グランド導体と、を備えており、前記第１の信号線路及び前記第２の信号線路は、前記中間グランド導体が設けられている部分以外の部分において、前記第１のグランド導体及び前記第２のグランド導体と対向しており、前記第１のグランド導体が前記第１の信号線路と重なっている面積は、前記第２のグランド導体が該第１の信号線路と重なっている面積よりも小さく、前記第２のグランド導体が前記第２の信号線路と重なっている面積は、前記第１のグランド導体が該第２の信号線路と重なっている面積よりも小さいこと、を特徴とする。

本発明の一形態に係る電子機器は、筐体と、前記筐体に収容されている高周波伝送線路と、を備えており、前記高周波伝送線路は、複数の誘電体層が積層されてなる積層体と、前記積層体に設けられている第１の信号線路と、前記積層体において前記第１の信号線路よりも積層方向の一方側に設けられている第２の信号線路であって、積層方向から平面視したときに、該第１の信号線路と交差している第２の信号線路と、前記第１の信号線路よりも積層方向の他方側に設けられている第１のグランド導体と、前記第２の信号線路よりも積層方向の一方側に設けられている第２のグランド導体と、積層方向から平面視したときに、前記第１の信号線路と前記第２の信号線路とが交差している部分と重なり、かつ、積層方向において該第１の信号線路と該第２の信号線路との間に設けられている中間グランド導体と、を備えており、前記第１の信号線路及び前記第２の信号線路は、前記中間グランド導体が設けられている部分以外の部分において、前記第１のグランド導体及び前記第２のグランド導体と対向しており、前記第１のグランド導体が前記第１の信号線路と重なっている面積は、前記第２のグランド導体が該第１の信号線路と重なっている面積よりも小さく、前記第２のグランド導体が前記第２の信号線路と重なっている面積は、前記第１のグランド導体が該第２の信号線路と重なっている面積よりも小さいこと、を特徴とする。

本発明によれば、交差している２本の信号線路間のクロストークを低減できると共に、積層体において２本の信号線路が交差している部分の厚みを低減できる。

一実施形態に係る高周波伝送線路の外観斜視図である。 一実施形態に係る高周波伝送線路のＥ１における分解斜視図である。 一実施形態に係る高周波伝送線路のＥ２における分解斜視図である。 一実施形態に係る高周波伝送線路のＥ３における分解斜視図である。 一実施形態に係る高周波伝送線路の接続部の分解斜視図である。 一実施形態に係る高周波伝送線路の接続部の分解斜視図である。 一実施形態に係る高周波伝送線路の区間Ａ１における断面構造図である。 一実施形態に係る高周波伝送線路の区間Ａ２における断面構造図である。 一実施形態に係る高周波伝送線路の区間Ａ３における断面構造図である。 一実施形態に係る高周波伝送線路の区間Ａ４における断面構造図である。 高周波伝送線路のコネクタの外観斜視図である。 高周波伝送線路のコネクタの断面構造図である。 高周波伝送線路が用いられた電子機器をｙ軸方向から平面視した図である。 高周波伝送線路が用いられた電子機器をｚ軸方向から平面視した図である。 第１の変形例に係る高周波伝送線路の外観斜視図である。 第１の変形例に係る高周波伝送線路の並走区間における分解斜視図である。 第１の変形例に係る高周波伝送線路の並走区間の断面構造図である。 高周波伝送線路が用いられた電子機器をｚ軸方向から平面視した図である。 第２の変形例に係る高周波伝送線路の接続部における分解斜視図である。

以下に、本発明の実施形態に係る高周波伝送線路及び電子機器について図面を参照しながら説明する。

（高周波伝送線路の構成）
以下に、本発明の一実施形態に係る高周波伝送線路の構成について図面を参照しながら説明する。図１は、一実施形態に係る高周波伝送線路１０の外観斜視図である。図２は、一実施形態に係る高周波伝送線路１０のＥ１における分解斜視図である。図３は、一実施形態に係る高周波伝送線路１０のＥ２における分解斜視図である。図４は、一実施形態に係る高周波伝送線路１０のＥ３における分解斜視図である。図５は、一実施形態に係る高周波伝送線路１０の接続部１２ｇの分解斜視図である。図６は、一実施形態に係る高周波伝送線路１０の接続部１２ｉの分解斜視図である。図７は、一実施形態に係る高周波伝送線路１０の区間Ａ１における断面構造図である。図８は、一実施形態に係る高周波伝送線路１０の区間Ａ２における断面構造図である。図９は、一実施形態に係る高周波伝送線路１０の区間Ａ３における断面構造図である。図１０は、一実施形態に係る高周波伝送線路１０の区間Ａ４における断面構造図である。以下では、高周波伝送線路１０の積層方向をｚ軸方向と定義する。また、高周波伝送線路１０の長手方向をｘ軸方向と定義し、ｘ軸方向及びｚ軸方向に直交する方向をｙ軸方向と定義する。

高周波伝送線路１０は、図１ないし図６に示すように、誘電体素体１２、外部端子１６ａ〜１６ｄ（外部端子１６ｂ，１６ｄのみ図示），信号線路２０，２１、グランド導体２２，２４、中間グランド導体２７、コネクタ１００ａ〜１００ｄ及びビアホール導体ｂ１〜ｂ４，Ｂ１〜Ｂ８，Ｂ１１〜Ｂ１８，Ｂ２１〜Ｂ２４を備えている。

誘電体素体１２は、線路部１２ａ〜１２ｄ、交差部１２ｅ及び接続部１２ｆ〜１２ｉを含んでいる。誘電体素体１２は、図２に示すように、保護層１４、誘電体シート（誘電体層）１８ａ〜１８ｅがｚ軸方向の正方向側から負方向側へとこの順に積層されて構成されている可撓性の積層体である。以下では、誘電体素体１２のｚ軸方向の正方向側の主面を表面と称し、誘電体素体１２のｚ軸方向の負方向側の主面を裏面と称す。

交差部１２ｅは、誘電体素体１２のｘ軸方向及びｙ軸方向の中央付近に位置している。線路部１２ａは、交差部１２ｅからｘ軸方向の負方向側に向かって延在している。線路部１２ｂは、交差部１２ｅからｘ軸方向の正方向側に向かって延在している。線路部１２ｃは、交差部１２ｅからｙ軸方向の負方向側に向かって延在し、ｘ軸方向の負方向側に折れ曲がっている。線路部１２ｄは、交差部１２ｅからｙ軸方向の正方向側に向かって延在し、ｘ軸方向の正方向側に折れ曲がっている。

接続部１２ｆは、線路部１２ａのｘ軸方向の負方向側の端部に接続されており、矩形状をなしている。接続部１２ｇは、線路部１２ｂのｘ軸方向の正方向側の端部に接続されており、矩形状をなしている。接続部１２ｈは、線路部１２ｃのｘ軸方向の負方向側の端部に接続されており、矩形状をなしている。接続部１２ｉは、線路部１２ｄのｘ軸方向の正方向側の端部に接続されており、矩形状をなしている。

誘電体シート１８ａ〜１８ｅは、ｚ軸方向から平面視したときに、誘電体素体１２と同じ形状をなしている。誘電体シート１８ａ〜１８ｅは、液晶ポリマやポリイミド等の可撓性を有する熱可塑性樹脂により構成されている。誘電体シート１８ａ〜１８ｅのそれぞれの積層後の厚さは、例えば、２５〜１００μｍである。以下では、誘電体シート１８ａ〜１８ｅのｚ軸方向の正方向側の主面を表面と称し、誘電体シート１８ａ〜１８ｅのｚ軸方向の負方向側の主面を裏面と称す。

また、誘電体シート１８ａは、線路部１８ａ−ａ，１８ａ−ｂ，１８ａ−ｃ，１８ａ−ｄ、交差部１８ａ−ｅ及び接続部１８ａ−ｆ，１８ａ−ｇ，１８ａ−ｈ，１８ａ−ｉにより構成されている。誘電体シート１８ｂは、線路部１８ｂ−ａ，１８ｂ−ｂ，１８ｂ−ｃ，１８ｂ−ｄ、交差部１８ｂ−ｅ及び接続部１８ｂ−ｆ，１８ｂ−ｇ，１８ｂ−ｈ，１８ｂ−ｉにより構成されている。誘電体シート１８ｃは、線路部１８ｃ−ａ，１８ｃ−ｂ，１８ｃ−ｃ，１８ｃ−ｄ、交差部１８ｃ−ｅ及び接続部１８ｃ−ｆ，１８ｃ−ｇ，１８ｃ−ｈ，１８ｃ−ｉにより構成されている。誘電体シート１８ｄは、線路部１８ｄ−ａ，１８ｄ−ｂ，１８ｄ−ｃ，１８ｄ−ｄ、交差部１８ｄ−ｅ及び接続部１８ｄ−ｆ，１８ｄ−ｇ，１８ｄ−ｈ，１８ｄ−ｉにより構成されている。誘電体シート１８ｅは、線路部１８ｅ−ａ，１８ｅ−ｂ，１８ｅ−ｃ，１８ｅ−ｄ、交差部１８ｅ−ｅ及び接続部１８ｅ−ｆ，１８ｅ−ｇ，１８ｅ−ｈ，１８ｅ−ｉにより構成されている。

線路部１２ａは、線路部１８ａ−ａ，１８ｂ−ａ，１８ｃ−ａ，１８ｄ−ａ，１８ｅ−ａにより構成されている。線路部１２ｂは、線路部１８ａ−ｂ，１８ｂ−ｂ，１８ｃ−ｂ，１８ｄ−ｂ，１８ｅ−ｂにより構成されている。線路部１２ｃは、線路部１８ａ−ｃ，１８ｂ−ｃ，１８ｃ−ｃ，１８ｄ−ｃ，１８ｅ−ｃにより構成されている。線路部１２ｄは、線路部１８ａ−ｄ，１８ｂ−ｄ，１８ｃ−ｄ，１８ｄ−ｄ，１８ｅ−ｄにより構成されている。交差部１２ｅは、交差部１８ａ−ｅ，１８ｂ−ｅ，１８ｃ−ｅ，１８ｄ−ｅ，１８ｅ−ｅにより構成されている。接続部１２ｆは、接続部１８ａ−ｆ，１８ｂ−ｆ，１８ｃ−ｆ，１８ｄ−ｆ，１８ｅ−ｆにより構成されている。接続部１２ｇは、接続部１８ａ−ｇ，１８ｂ−ｇ，１８ｃ−ｇ，１８ｄ−ｇ，１８ｅ−ｇにより構成されている。接続部１２ｈは、接続部１８ａ−ｈ，１８ｂ−ｈ，１８ｃ−ｈ，１８ｄ−ｈ，１８ｅ−ｈにより構成されている。接続部１２ｉは、接続部１８ａ−ｉ，１８ｂ−ｉ，１８ｃ−ｉ，１８ｄ−ｉ，１８ｅ−ｉにより構成されている。

信号線路２０（第１の信号線路）は、誘電体素体１２内に設けられており、より詳細には、図２、図４及び図５に示すように、誘電体シート１８ｄの線路部１８ｄ−ａ，１８ｄ−ｂ、交差部１８ｄ−ｅ及び接続部１８ｄ−ｆ，１８ｄ−ｇ（図示せず）の表面に沿って延在している線状導体である。信号線路２０は、線路部１８ｄ−ａ，１８ｄ−ｂ、交差部１８ｄ−ｅ及び接続部１８ｄ−ｆ，１８ｄ−ｇの幅方向の略中央に位置している。また、信号線路２０のｘ軸方向の正方向側の端部は、接続部１８ｄ−ｇ（図示せず）の中央に位置している。信号線路２０のｘ軸方向の負方向側の端部は、接続部１８ｄ−ｆの中央に位置している。以上のような信号線路２０は、銀や銅を主成分とする比抵抗の小さな金属材料により作製されている。

信号線路２１（第２の信号線路）は、誘電体素体１２内に設けられており、より詳細には、図３、図４及び図６に示すように、誘電体シート１８ｂの線路部１８ｂ−ｃ，１８ｂ−ｄ、交差部１８ｂ−ｅ及び接続部１８ｂ−ｈ，１８ｂ−ｉの表面に沿って延在している線状導体である。これにより、信号線路２１は、誘電体素体１２において信号線路２０よりもｚ軸方向の正方向側に設けられている。更に、信号線路２０と信号線路２１とは、図４に示すように、ｚ軸方向から平面視したときに、交差部１２ｅにおいて交差している。また、信号線路２１は、線路部１８ｂ−ｃ，１８ｂ−ｄ、交差部１８ｂ−ｅ及び接続部１８ｂ−ｈ，１８ｂ−ｉの幅方向の略中央に位置している。また、信号線路２１のｘ軸方向の正方向側の端部は、接続部１８ｂ−ｉの中央に位置している。信号線路２１のｘ軸方向の負方向側の端部は、接続部１８ｂ−ｈ（図示せず）の中央に位置している。以上のような信号線路２１は、銀や銅を主成分とする比抵抗の小さな金属材料により作製されている。

グランド導体２２（第２のグランド導体）は、図２ないし図６に示すように、誘電体素体１２に設けられており、より詳細には、誘電体シート１８ａの表面に設けられている。これにより、グランド導体２２は、信号線路２１よりもｚ軸方向の正方向側に設けられている。グランド導体２２は、ｚ軸方向から平面視したときに、誘電体素体１２と略同じ形状をなしており、銀や銅を主成分とする比抵抗の小さな金属材料により作製されている。

また、グランド導体２２は、図２ないし図６に示すように、主要導体２２ａ〜２２ｄ、交差導体２２ｅ及び端子導体２２ｆ〜２２ｉ（端子導体２２ｆ，２２ｈについては図示せず）により構成されている。

主要導体２２ａ〜２２ｄ及び交差導体２２ｅはそれぞれ、線路部１８ａ−ａ〜１８ａ−ｄ及び交差部１８ａ−ｅの表面の表面に沿って延在している帯状導体であり、ｚ軸方向から平面視したときに、信号線路２０，２１と重なっている。主要導体２２ａ〜２２ｄは、交差部１８ａ−ｅを介して互いに接続されている。

端子導体２２ｇは、図５に示すように、接続部１８ａ−ｇの表面に設けられており、主要導体２２ｂのｘ軸方向の正方向側の端部に接続されている。端子導体２２ｇは、四角形の枠状をなしている。端子導体２２ｆは、接続部１８ａ−ｆの表面に設けられており、主要導体２２ａのｘ軸方向の負方向側の端部に接続されている。ただし、端子導体２２ｆの構造は、端子導体２２ｇの構造と同じであるので図示を省略する。

端子導体２２ｉは、図６に示すように、接続部１８ａ−ｉの表面に設けられており、主要導体２２ｄのｘ軸方向の正方向側の端部に接続されている。端子導体２２ｉは、四角形の枠状をなしている。端子導体２２ｈは、接続部１８ａ−ｈの表面に設けられており、主要導体２２ｃのｘ軸方向の負方向側の端部に接続されている。ただし、端子導体２２ｈの構造は、端子導体２２ｉの構造と同じであるので図示を省略する。

ところで、グランド導体２２の主要導体２２ｃ，２２ｄには、図３、図４及び図６に示すように、信号線路２１に沿って並ぶ複数の開口３１が設けられている。開口３１は、図３に示すように、ｘ軸方向の中央におけるｙ軸方向の幅がｘ軸方向の両端におけるｙ軸方向の幅よりも大きくなる形状を有している。以下では、開口３１において、ｘ軸方向の中央における区間を区間ａ４とし、区間ａ４よりもｘ軸方向の正方向側の区間を区間ａ５とし、区間ａ４よりもｘ軸方向の負方向側の区間を区間ａ６とする。区間ａ４における開口３１のｙ軸方向の幅は、区間ａ５，ａ６における開口３１のｙ軸方向の幅よりも大きい。これにより、開口３１は、長方形の四隅が小さな長方形で切り落とされた形状をなしている。

複数の開口３１は、ｚ軸方向から平面視したときに、信号線路２１と重なっている。そして、グランド導体２２において、隣り合う開口３１間に設けられている部分をブリッジ部６１と呼ぶ。これにより、開口３１とブリッジ部６１とが信号線路２１に沿って交互に並んでいる。よって、信号線路２１には、開口３１とブリッジ部６１とが交互に重なっている。そして、隣り合うブリッジ部６１の間隔は、信号線路２１を伝送される高周波信号の１／２波長の半分より短い。なお、主要導体２２ａ，２２ｂには、開口が設けられていない。よって、主要導体２２ａ，２２ｂは、ベタ状の導体である。

また、高周波伝送線路１０において、信号線路２１と開口３１とが重なっている区間を区間Ａ３とし、信号線路２１とブリッジ部６１とが重なっている区間をＡ４とする。区間Ａ３における信号線路２１の線幅Ｗ１は、図３に示すように、区間Ａ４における信号線路２１の線幅Ｗ２よりも大きい。すなわち、信号線路２１において開口３１と重なっている部分の線幅Ｗ１は、信号線路２１においてブリッジ部６１と重なっている部分の線幅Ｗ２よりも大きい。更に、区間Ａ３における信号線路２１の線幅Ｗ１は、信号線路２０と交差している部分における信号線路２１の線幅Ｗ３（図４参照）よりも大きい。

グランド導体２４（第１のグランド導体）は、図２ないし図６に示すように、誘電体素体１２に設けられており、より詳細には、誘電体シート１８ｅの表面に設けられている。これにより、グランド導体２４は、信号線路２０よりもｚ軸方向の負方向側に設けられている。グランド導体２４は、ｚ軸方向から平面視したときに、誘電体素体１２と略同じ形状をなしており、銀や銅を主成分とする比抵抗の小さな金属材料により作製されている。

また、グランド導体２４は、図２ないし図６に示すように、主要導体２４ａ〜２４ｄ、交差導体２４ｅ及び端子導体２４ｆ〜２４ｉ（端子導体２４ｆ，２４ｈについては図示せず）により構成されている。

主要導体２４ａ〜２４ｄ及び交差導体２４ｅはそれぞれ、線路部１８ｅ−ａ〜１８ｅ−ｄ及び交差部１８ｅ−ｅの表面に沿って延在する帯状導体であり、ｚ軸方向から平面視したときに、信号線路２０，２１と重なっている。主要導体２４ａ〜２４ｄは、交差部１８ｅ−ｅを介して互いに接続されている。

端子導体２４ｇは、図５に示すように、接続部１８ｅ−ｇの表面に設けられており、主要導体２４ｂのｘ軸方向の正方向側の端部に接続されている。端子導体２４ｇは、四角形の枠状をなしている。端子導体２４ｆは、接続部１８ｅ−ｆの表面に設けられており、主要導体２４ａのｘ軸方向の負方向側の端部に接続されている。ただし、端子導体２４ｆの構造は、端子導体２４ｇの構造と同じであるので図示を省略する。

端子導体２４ｉは、図６に示すように、接続部１８ｅ−ｉの表面に設けられており、主要導体２４ｄのｘ軸方向の正方向側の端部に接続されている。端子導体２４ｉは、四角形の枠状をなしている。端子導体２４ｈは、接続部１８ｅ−ｈの表面に設けられており、主要導体２４ｃのｘ軸方向の負方向側の端部に接続されている。ただし、端子導体２４ｈの構造は、端子導体２４ｉの構造と同じであるので図示を省略する。

ところで、グランド導体２４の主要導体２４ａ，２４ｂには、図２、図４及び図５に示すように、信号線路２０に沿って並ぶ複数の開口３０が設けられている。開口３０は、図２に示すように、ｘ軸方向の中央におけるｙ軸方向の幅がｘ軸方向の両端におけるｙ軸方向の幅よりも大きくなる形状を有している。以下では、開口３０において、ｘ軸方向の中央における区間を区間ａ１とし、区間ａ１よりもｘ軸方向の正方向側の区間を区間ａ２とし、区間ａ１よりもｘ軸方向の負方向側の区間を区間ａ３とする。区間ａ１における開口３０のｙ軸方向の幅は、区間ａ２，ａ３における開口３０のｙ軸方向の幅よりも大きい。これにより、開口３０は、長方形の四隅が小さな長方形で切り落とされた形状をなしている。

複数の開口３０は、ｚ軸方向から平面視したときに、信号線路２０と重なっている。そして、グランド導体２４において、隣り合う開口３０間に設けられている部分をブリッジ部６０と呼ぶ。これにより、開口３０とブリッジ部６０とが信号線路２０に沿って交互に並んでいる。よって、信号線路２０には、開口３０とブリッジ部６０とが交互に重なっている。そして、隣り合うブリッジ部６０の間隔は、信号線路２０を伝送される高周波信号の１／２波長の半分より短い。なお、主要導体２４ｃ，２４ｄには、開口が設けられていない。よって、主要導体２４ｃ，２４ｄは、ベタ状の導体である。

また、高周波伝送線路１０において、開口３０が設けられている区間を区間Ａ１とし、ブリッジ部６０が設けられている区間を区間Ａ２とする。区間Ａ１における信号線路２０の線幅Ｗ１は、図３に示すように、区間Ａ２における信号線路２０の線幅Ｗ２よりも大きい。すなわち、信号線路２０において開口３０と重なっている部分の線幅Ｗ１は、信号線路２０においてブリッジ部６０と重なっている部分の線幅Ｗ２よりも大きい。更に、区間Ａ１における信号線路２０の線幅Ｗ１は、信号線路２１と交差している部分における信号線路２０の線幅Ｗ３（図４参照）よりも大きい。

以上のように、主要導体２２ａ，２２ｂに開口が設けられず、主要導体２４ａ，２４ｂに開口３０が設けられていることにより、グランド導体２４が信号線路２０と重なっている面積は、グランド導体２２が信号線路２０と重なっている面積よりも小さい。

また、主要導体２４ｃ，２４ｄに開口が設けられず、主要導体２２ｃ，２２ｄに開口３１が設けられていることにより、グランド導体２２が信号線路２１と重なっている面積は、グランド導体２４が信号線路２１と重なっている面積よりも小さい。

また、信号線路２０とグランド導体２２とのｚ軸方向における距離Ｄ１は、図７及び図８に示すように、信号線路２０とグランド導体２４とのｚ軸方向における距離Ｄ２よりも大きい。距離Ｄ１は、誘電体シート１８ａ〜１８ｃの厚さの合計と略等しく、距離Ｄ２は、誘電体シート１８ｄの厚さと略等しい。

また、信号線路２１とグランド導体２２とのｚ軸方向における距離Ｄ３は、図９及び図１０に示すように、信号線路２１とグランド導体２４とのｚ軸方向における距離Ｄ４よりも小さい。距離Ｄ３は、誘電体シート１８ａの厚さと略等しく、距離Ｄ４は、誘電体シート１８ｂ〜１８ｄの厚さと略等しい。

また、信号線路２０とグランド導体２２とのｚ軸方向における距離Ｄ１は、信号線路２１とグランド導体２４とのｚ軸方向における距離Ｄ４と略等しい。更に、信号線路２０とグランド導体２４とのｚ軸方向における距離Ｄ２は、信号線路２１とグランド導体２２とのｚ軸方向における距離Ｄ３と略等しい。具体的には、例えば距離Ｄ１，Ｄ４は１５０μｍ、距離Ｄ２，Ｄ３は５０μｍに設定される。

以上より、高周波伝送線路１０の信号線路２０の特性インピーダンスは、主に、信号線路２０とグランド導体２２との対向面積及び距離、並びに、誘電体シート１８ａ〜１８ｅの比誘電率に基づいて定まる。そこで、信号線路２０の特性インピーダンスを５０Ωに設定する場合には、例えば、信号線路２０とグランド導体２２によって信号線路２０の特性インピーダンスが５０Ωよりもやや高めの５５Ωとなるように設計する。そして、信号線路２０とグランド導体２２とグランド導体２４とによって信号線路２０の特性インピーダンスが５０Ωとなるように、グランド導体２４の形状を調整する。以上のように、グランド導体２２は、信号線路２０の基準グランド導体としての役割を果たす。

一方、グランド導体２４は、信号線路２０に対してシールドとしても機能するグランド導体である。また、グランド導体２４は、前記の通り、信号線路２０の特性インピーダンスが５０Ωとなるように最終的な調整を行うために設計されている。具体的には、開口３０の大きさやブリッジ部６０の線幅等を設計する。以上のように、グランド導体２４は、信号線路２０の補助グランド導体としての役割を果たす。

また、高周波伝送線路１０の信号線路２１の特性インピーダンスは、主に、信号線路２１とグランド導体２４との対向面積及び距離、並びに、誘電体シート１８ａ〜１８ｅの比誘電率に基づいて定まる。そこで、信号線路２１の特性インピーダンスを５０Ωに設定する場合には、例えば、信号線路２１とグランド導体２４によって信号線路２１の特性インピーダンスが５０Ωよりもやや高めの５５Ωとなるように設計する。そして、信号線路２１とグランド導体２２とグランド導体２４によって信号線路２１の特性インピーダンスが５０Ωとなるように、グランド導体２２の形状を調整する。以上のように、グランド導体２４は、信号線路２１の基準グランド導体としての役割を果たす。

一方、グランド導体２２は、信号線路２１に対してシールドとしても機能するグランド導体である。また、グランド導体２２は、前記の通り、信号線路２１の特性インピーダンスが５０Ωとなるように最終的な調整を行うために設計されている。具体的には、開口３１の大きさやブリッジ部６１の線幅等を設計する。以上のように、グランド導体２２は、信号線路２１の補助グランド導体としての役割を果たす。

以上のように、信号線路２０とグランド導体２２，２４とは、マイクロストリップライン構造をなしている。同様に、信号線路２１とグランド導体２２，２４とはマイクロストリップライン構造をなしている。また、信号線路２０とグランド導体２２，２４とからなるマイクロストリップラインをｘ軸を中心として１８０度回転させると、信号線路２１とグランド導体２２，２４とからなるマイクロストリップラインと略一致する。すなわち、これらのマイクロストリップラインは、略同じ構造を有している。

以上のように構成された高周波伝送線路１０では、信号線路２０の特性インピーダンスは、隣り合うブリッジ部６０の間において、最小値Ｚ３から中間値Ｚ２、最大値Ｚ１と増加した後に、最大値Ｚ１から中間値Ｚ２、最小値Ｚ３と減少する変動を繰り返す。より詳細には、信号線路２０においてブリッジ部６０と重なっている区間Ａ２では、信号線路２０とグランド導体２４との間に大きな容量が形成される。よって、区間Ａ２では、信号線路２０の特性インピーダンスにおいてＣ成分が支配的となる。そのため、区間Ａ２における信号線路２０の特性インピーダンスは、最小値Ｚ３となる。

また、信号線路２０において区間ａ１では、開口３０のｙ軸方向の幅が最大値となっている。そのため、信号線路２０において区間ａ１では、信号線路２０とグランド導体２４との間に小さな容量が形成される。よって、区間ａ１では、信号線路２０の特性インピーダンスにおいてＬ成分が支配的となる。そのため、区間ａ１における信号線路２０の特性インピーダンスは、最大値Ｚ１となる。

また、信号線路２０において区間ａ２，ａ３では、開口３０のｙ軸方向の幅が最大値よりも小さくなっている。そのため、信号線路２０において区間ａ２，ａ３では、信号線路２０とグランド導体２４との間には中間値の容量が形成される。よって、区間ａ２，ａ３では、信号線路２０の特性インピーダンスにおいてＬ成分とＣ成分の両方が支配的となる。そのため、区間ａ２，ａ３における信号線路２０の特性インピーダンスは、中間値Ｚ２となる。

ここで、隣り合うブリッジ部６０間では、ｘ軸方向の負方向側から正方向側に向かって、区間Ａ２、区間ａ３、区間ａ１、区間ａ２、区間Ａ２がこの順に並んでいる。よって、隣り合うブリッジ部６０間では、信号線路２０の特性インピーダンスは、最小値Ｚ３、中間値Ｚ２、最大値Ｚ１、中間値Ｚ２、最小値Ｚ３の順に変動する。そして、ブリッジ部６０及び開口３０は、信号線路２０に対して交互に重なっている。そのため、信号線路２０の特性インピーダンスは、周期的に増減するようになる。なお、最大値Ｚ１は、例えば、７０Ωであり、中間値Ｚ２は、例えば、５５Ωであり、最小値Ｚ３は、例えば、３０Ωである。そして、信号線路２０全体の特性インピーダンスの平均が５０Ωとなるように、高周波伝送線路１０は設計される。

以上のように構成された高周波伝送線路１０では、信号線路２１の特性インピーダンスは、隣り合うブリッジ部６１の間において、最小値Ｚ３から中間値Ｚ２、最大値Ｚ１と増加した後に、最大値Ｚ１から中間値Ｚ２、最小値Ｚ３と減少する変動を繰り返す。より詳細には、信号線路２１においてブリッジ部６１と重なっている区間Ａ４では、信号線路２１とグランド導体２２との間に大きな容量が形成される。よって、区間Ａ４では、信号線路２１の特性インピーダンスにおいてＣ成分が支配的となる。そのため、区間Ａ４における信号線路２１の特性インピーダンスは、最小値Ｚ３となる。

また、信号線路２１において区間ａ４では、開口３１のｙ軸方向の幅が最大値となっている。そのため、信号線路２１において区間ａ４では、信号線路２１とグランド導体２２との間に小さな容量が形成される。よって、区間ａ４では、信号線路２１の特性インピーダンスにおいてＬ成分が支配的となる。そのため、区間ａ４における信号線路２１の特性インピーダンスは、最大値Ｚ１となる。

また、信号線路２１において区間ａ５，ａ６では、開口３１のｙ軸方向の幅が最大値よりも小さくなっている。そのため、信号線路２１において区間ａ５，ａ６では、信号線路２１とグランド導体２２との間には中間値の容量が形成される。よって、区間ａ５，ａ６では、信号線路２１の特性インピーダンスにおいてＬ成分とＣ成分の両方が支配的となる。そのため、区間ａ５，ａ６における信号線路２１の特性インピーダンスは、中間値Ｚ２となる。

ここで、隣り合うブリッジ部６１間では、ｘ軸方向の負方向側から正方向側に向かって、区間Ａ４、区間ａ６、区間ａ４、区間ａ５、区間Ａ４がこの順に並んでいる。よって、隣り合うブリッジ部６１間では、信号線路２１の特性インピーダンスは、最小値Ｚ３、中間値Ｚ２、最大値Ｚ１、中間値Ｚ２、最小値Ｚ３の順に変動する。そして、ブリッジ部６１及び開口３１は、信号線路２１に対して交互に重なっている。そのため、信号線路２１の特性インピーダンスは、周期的に増減するようになる。なお、最大値Ｚ１は、例えば、７０Ωであり、中間値Ｚ２は、例えば、５５Ωであり、最小値Ｚ３は、例えば、３０Ωである。そして、信号線路２１全体の特性インピーダンスの平均が５０Ωとなるように、高周波伝送線路１０は設計される。

中間グランド導体２７は、図４に示すように、誘電体シート１８ｃの交差部１８ｃ−ｅの表面に設けられており、長方形状をなしている。これにより、中間グランド導体２７は、ｚ軸方向から平面視したときに、信号線路２０と信号線路２１とが交差している部分と重なり、かつ、ｚ軸方向において信号線路２０と信号線路２１との間に設けられている。なお、中間グランド導体２７と重なっている部分における信号線路２０，２１の線幅Ｗ３は、区間Ａ１，Ａ３における信号線路２０，２１の線幅Ｗ１よりも小さくなっている。

外部端子１６ｂは、図５に示すように、接続部１８ａ−ｇの表面に設けられている長方形状の導体であり、端子導体２２ｇに囲まれている。外部端子１６ｂは、ｚ軸方向から平面視したときに、信号線路２０のｘ軸方向の正方向側の端部と重なっている。外部端子１６ｂは、銀や銅を主成分とする比抵抗の小さな金属材料により作製されている。また、外部端子１６ｂの表面には、金めっきが施されている。

外部端子１６ａは、接続部１８ａ−ｆの表面に設けられている長方形状の導体であり、端子導体２２ｆに囲まれている。外部端子１６ａは、ｚ軸方向から平面視したときに、信号線路２０のｘ軸方向の負方向側の端部と重なっている。ただし、外部端子１６ａは、外部端子１６ｂと同じ構造を有しているので、図示を省略する。

外部端子１６ｄは、図６に示すように、接続部１８ａ−ｉの表面に設けられている長方形状の導体であり、端子導体２２ｉに囲まれている。外部端子１６ｄは、ｚ軸方向から平面視したときに、信号線路２１のｘ軸方向の正方向側の端部と重なっている。外部端子１６ｄは、銀や銅を主成分とする比抵抗の小さな金属材料により作製されている。また、外部端子１６ｄの表面には、金めっきが施されている。

外部端子１６ｃは、接続部１８ａ−ｈの表面に設けられている長方形状の導体であり、端子導体２２ｈに囲まれている。外部端子１６ｃは、ｚ軸方向から平面視したときに、信号線路２１のｘ軸方向の負方向側の端部と重なっている。ただし、外部端子１６ｃは、外部端子１６ｄと同じ構造を有しているので、図示を省略する。

ビアホール導体ｂ１は、誘電体シート１８ａの接続部１８ａ−ｇをｚ軸方向に貫通している。ビアホール導体ｂ２は、誘電体シート１８ｂの接続部１８ｂ−ｇをｚ軸方向に貫通している。ビアホール導体ｂ３は、誘電体シート１８ｃの接続部１８ｃ−ｇをｚ軸方向に貫通している。ビアホール導体ｂ１〜ｂ３は、互いに接続されて１本のビアホール導体を構成している。また、ビアホール導体ｂ１のｚ軸方向の正方向側の端部は、外部端子１６ｂに接続されており、ビアホール導体ｂ３のｚ軸方向の負方向側の端部は、信号線路２０のｘ軸方向の正方向側の端部と接続されている。これにより、ビアホール導体ｂ１〜ｂ３は、外部端子１６ｂと信号線路２０のｘ軸方向の正方向側の端部を接続している。

なお、外部端子１６ａ（図示せず）と信号線路２０のｘ軸方向の負方向側の端部とは、ビアホール導体により接続されている。ただし、外部端子１６ａ（図示せず）と信号線路２０のｘ軸方向の負方向側の端部とを接続するビアホール導体は、ビアホール導体ｂ１〜ｂ３と同様であるので図示を省略する。

ビアホール導体ｂ４は、誘電体シート１８ａの接続部１８ａ−ｉをｚ軸方向に貫通している。また、ビアホール導体ｂ４のｚ軸方向の正方向側の端部は、外部端子１６ｄに接続されており、ビアホール導体ｂ４のｚ軸方向の負方向側の端部は、信号線路２１のｘ軸方向の正方向側の端部と接続されている。これにより、ビアホール導体ｂ４は、外部端子１６ｄと信号線路２１のｘ軸方向の正方向側の端部を接続している。

なお、外部端子１６ｃ（図示せず）と信号線路２１のｘ軸方向の負方向側の端部とは、ビアホール導体により接続されている。ただし、外部端子１６ｃ（図示せず）と信号線路２１のｘ軸方向の負方向側の端部とを接続するビアホール導体は、ビアホール導体ｂ４と同様であるので図示を省略する。

ビアホール導体Ｂ１は、誘電体シート１８ａの線路部１８ａ−ａ，１８ａ−ｂをｚ軸方向に貫通しており、ｚ軸方向から平面視したときに、信号線路２０よりもｙ軸方向の正方向側において、ｘ軸方向に一列に並ぶように複数設けられている。ビアホール導体Ｂ２は、誘電体シート１８ｂの線路部１８ｂ−ａ，１８ｂ−ｂをｚ軸方向に貫通しており、ｚ軸方向から平面視したときに、信号線路２０よりもｙ軸方向の正方向側において、ｘ軸方向に一列に並ぶように複数設けられている。ビアホール導体Ｂ３は、誘電体シート１８ｃの線路部１８ｃ−ａ，１８ｃ−ｂをｚ軸方向に貫通しており、ｚ軸方向から平面視したときに、信号線路２０よりもｙ軸方向の正方向側において、ｘ軸方向に一列に並ぶように複数設けられている。ビアホール導体Ｂ４は、誘電体シート１８ｄの線路部１８ｄ−ａ，１８ｄ−ｂをｚ軸方向に貫通しており、ｚ軸方向から平面視したときに、信号線路２０よりもｙ軸方向の正方向側において、ｘ軸方向に一列に並ぶように複数設けられている。ビアホール導体Ｂ１〜Ｂ４は、互いに接続されて１本のビアホール導体を構成している。ビアホール導体Ｂ１のｚ軸方向の正方向側の端部は、グランド導体２２に接続されており、ビアホール導体Ｂ４のｚ軸方向の負方向側の端部は、グランド導体２４に接続されている。これにより、ビアホール導体Ｂ１〜Ｂ４は、グランド導体２２とグランド導体２４とを接続している。

ビアホール導体Ｂ５は、誘電体シート１８ａの線路部１８ａ−ａ，１８ａ−ｂをｚ軸方向に貫通しており、ｚ軸方向から平面視したときに、信号線路２０よりもｙ軸方向の負方向側において、ｘ軸方向に一列に並ぶように複数設けられている。ビアホール導体Ｂ６は、誘電体シート１８ｂの線路部１８ｂ−ａ，１８ｂ−ｂをｚ軸方向に貫通しており、ｚ軸方向から平面視したときに、信号線路２０よりもｙ軸方向の負方向側において、ｘ軸方向に一列に並ぶように複数設けられている。ビアホール導体Ｂ７は、誘電体シート１８ｃの線路部１８ｃ−ａ，１８ｃ−ｂをｚ軸方向に貫通しており、ｚ軸方向から平面視したときに、信号線路２０よりもｙ軸方向の負方向側において、ｘ軸方向に一列に並ぶように複数設けられている。ビアホール導体Ｂ８は、誘電体シート１８ｄの線路部１８ｄ−ａ，１８ｄ−ｂをｚ軸方向に貫通しており、ｚ軸方向から平面視したときに、信号線路２０よりもｙ軸方向の負方向側において、ｘ軸方向に一列に並ぶように複数設けられている。ビアホール導体Ｂ５〜Ｂ８は、互いに接続されて１本のビアホール導体を構成している。ビアホール導体Ｂ５のｚ軸方向の正方向側の端部は、グランド導体２２に接続されており、ビアホール導体Ｂ８のｚ軸方向の負方向側の端部は、グランド導体２４に接続されている。これにより、ビアホール導体Ｂ５〜Ｂ８は、グランド導体２２とグランド導体２４とを接続している。

ビアホール導体Ｂ１１は、誘電体シート１８ａの線路部１８ａ−ｃ，１８ａ−ｄをｚ軸方向に貫通しており、ｚ軸方向から平面視したときに、信号線路２１よりもｙ軸方向の正方向側において、ｘ軸方向に一列に並ぶように複数設けられている。ビアホール導体Ｂ１２は、誘電体シート１８ｂの線路部１８ｂ−ｃ，１８ｂ−ｄをｚ軸方向に貫通しており、ｚ軸方向から平面視したときに、信号線路２１よりもｙ軸方向の正方向側において、ｘ軸方向に一列に並ぶように複数設けられている。ビアホール導体Ｂ１３は、誘電体シート１８ｃの線路部１８ｃ−ｃ，１８ｃ−ｄをｚ軸方向に貫通しており、ｚ軸方向から平面視したときに、信号線路２１よりもｙ軸方向の正方向側において、ｘ軸方向に一列に並ぶように複数設けられている。ビアホール導体Ｂ４は、誘電体シート１８ｄの線路部１８ｄ−ｃ，１８ｄ−ｄをｚ軸方向に貫通しており、ｚ軸方向から平面視したときに、信号線路２１よりもｙ軸方向の正方向側において、ｘ軸方向に一列に並ぶように複数設けられている。ビアホール導体Ｂ１１〜Ｂ１４は、互いに接続されて１本のビアホール導体を構成している。ビアホール導体Ｂ１１のｚ軸方向の正方向側の端部は、グランド導体２２に接続されており、ビアホール導体Ｂ１４のｚ軸方向の負方向側の端部は、グランド導体２４に接続されている。これにより、ビアホール導体Ｂ１１〜Ｂ１４は、グランド導体２２とグランド導体２４とを接続している。なお、ビアホール導体Ｂ１１〜Ｂ１４は、線路部１２ｃ，１２ｄがｙ軸方向に延在している区間では、ｚ軸方向から平面視したときに、信号線路２１よりもｘ軸方向の負方向側に設けられている。

ビアホール導体Ｂ１５は、誘電体シート１８ａの線路部１８ａ−ｃ，１８ａ−ｄをｚ軸方向に貫通しており、ｚ軸方向から平面視したときに、信号線路２１よりもｙ軸方向の負方向側において、ｘ軸方向に一列に並ぶように複数設けられている。ビアホール導体Ｂ１６は、誘電体シート１８ｂの線路部１８ｂ−ｃ，１８ｂ−ｄをｚ軸方向に貫通しており、ｚ軸方向から平面視したときに、信号線路２１よりもｙ軸方向の負方向側において、ｘ軸方向に一列に並ぶように複数設けられている。ビアホール導体Ｂ１７は、誘電体シート１８ｃの線路部１８ｃ−ｃ，１８ｃ−ｄをｚ軸方向に貫通しており、ｚ軸方向から平面視したときに、信号線路２１よりもｙ軸方向の負方向側において、ｘ軸方向に一列に並ぶように複数設けられている。ビアホール導体Ｂ１８は、誘電体シート１８ｄの線路部１８ｄ−ｃ，１８ｄ−ｄをｚ軸方向に貫通しており、ｚ軸方向から平面視したときに、信号線路２１よりもｙ軸方向の負方向側において、ｘ軸方向に一列に並ぶように複数設けられている。ビアホール導体Ｂ１５〜Ｂ１８は、互いに接続されて１本のビアホール導体を構成している。ビアホール導体Ｂ１５のｚ軸方向の正方向側の端部は、グランド導体２２に接続されており、ビアホール導体Ｂ１８のｚ軸方向の負方向側の端部は、グランド導体２４に接続されている。これにより、ビアホール導体Ｂ１５〜Ｂ１８は、グランド導体２２とグランド導体２４とを接続している。なお、ビアホール導体Ｂ１５〜Ｂ１８は、線路部１２ｃ，１２ｄがｙ軸方向に延在している区間では、ｚ軸方向から平面視したときに、信号線路２１よりもｘ軸方向の正方向側に設けられている。

ビアホール導体Ｂ２１は、誘電体シート１８ａの交差部１８ａ−ｅをｚ軸方向に貫通している。ビアホール導体Ｂ２２は、誘電体シート１８ｂの交差部１８ｂ−ｅをｚ軸方向に貫通している。ビアホール導体Ｂ２３は、誘電体シート１８ｃの交差部１８ｃ−ｅをｚ軸方向に貫通している。ビアホール導体Ｂ２４は、誘電体シート１８ｄの交差部１８ｄ−ｅをｚ軸方向に貫通している。ビアホール導体Ｂ２１〜Ｂ２４は、互いに接続されて１本のビアホール導体を構成している。ビアホール導体Ｂ２１のｚ軸方向の正方向側の端部は、グランド導体２２に接続されており、ビアホール導体Ｂ２４のｚ軸方向の負方向側の端部は、グランド導体２４に接続されている。また、ビアホール導体Ｂ２２のｚ軸方向の負方向側の端部及びビアホール導体Ｂ２３のｚ軸方向の正方向側の端部は、中間グランド導体２７に接続されている。これにより、ビアホール導体Ｂ２１〜Ｂ２４は、グランド導体２２と中間グランド導体２７とグランド導体２４とを接続している。

ビアホール導体ｂ１〜ｂ４，Ｂ１〜Ｂ８，Ｂ１１〜Ｂ１８，Ｂ２１〜Ｂ２４は、銀や銅を主成分とする比抵抗の小さな金属材料により作製されている。なお、ビアホール導体ｂ１〜ｂ４，Ｂ１〜Ｂ８，Ｂ１１〜Ｂ１８，Ｂ２１〜Ｂ２４の代わりに、貫通孔の内周面にめっき等の導体層が形成されたスルーホールが用いられてもよい。

保護層１４は、誘電体シート１８ａの表面の略全面を覆っている。これにより、保護層１４は、グランド導体２２を覆っている。保護層１４は、例えば、レジスト材等の可撓性樹脂からなる。

また、保護層１４は、図２ないし図６に示すように、線路部１４ａ〜１４ｄ、交差部１４ｅ及び接続部１４ｆ〜１４ｉ（接続部１４ｆ，１４ｈは図示せず）により構成されている。線路部１４ａ〜１４ｄ及び交差部１４ｅはそれぞれ、線路部１８ａ−ａ，１８ａ−ｂ，１８ａ−ｃ，１８ａ−ｄ及び交差部１８ａ−ｅの表面の全面を覆うことにより、主要導体２２ａ〜２２ｄ及び交差導体２２ｅを覆っている。

接続部１４ｇは、線路部１４ｂのｘ軸方向の正方向側の端部に接続されており、接続部１８ａ−ｇの表面を覆っている。ただし、接続部１４ｇには、矩形状の開口Ｈａ〜Ｈｄが設けられている。開口Ｈａは、接続部１４ｇの中央に設けられている矩形状の開口である。外部端子１６ｂは、開口Ｈａを介して外部に露出している。また、開口Ｈｂは、開口Ｈａよりもｙ軸方向の正方向側に設けられている矩形状の開口である。開口Ｈｃは、開口Ｈａよりもｘ軸方向の正方向側に設けられている矩形状の開口である。開口Ｈｄは、開口Ｈａよりもｙ軸方向の負方向側に設けられている矩形状の開口である。端子導体２２ｇは、開口Ｈｂ〜Ｈｄを介して外部に露出することにより、外部端子として機能する。なお、接続部１４ｆの構造は、接続部１４ｇの構造と同じであるので図示及び説明を省略する。

接続部１４ｉは、線路部１４ｄのｘ軸方向の正方向側の端部に接続されており、接続部１８ａ−ｉの表面を覆っている。ただし、接続部１４ｉには、矩形状の開口Ｈｅ〜Ｈｈが設けられている。開口Ｈｅは、接続部１４ｉの中央に設けられている矩形状の開口である。外部端子１６ｄは、開口Ｈｅを介して外部に露出している。また、開口Ｈｆは、開口Ｈｅよりもｙ軸方向の正方向側に設けられている矩形状の開口である。開口Ｈｇは、開口Ｈｅよりもｘ軸方向の正方向側に設けられている矩形状の開口である。開口Ｈｈは、開口Ｈｅよりもｙ軸方向の負方向側に設けられている矩形状の開口である。端子導体２２ｉは、開口Ｈｆ〜Ｈｈを介して外部に露出することにより、外部端子として機能する。なお、接続部１４ｈの構造は、接続部１４ｉの構造と同じであるので図示及び説明を省略する。

コネクタ１００ａ，１００ｂはそれぞれ、接続部１２ｆ，１２ｇの表面上に実装され、信号線路２０及びグランド導体２２，２４と電気的に接続される。コネクタ１００ｃ，１００ｄはそれぞれ、接続部１２ｈ，１２ｉの表面上に実装され、信号線路２１及びグランド導体２２，２４と電気的に接続される。コネクタ１００ａ〜１００ｄの構成は同じであるので、以下にコネクタ１００ｂの構成を例に挙げて説明する。図１１は、高周波伝送線路１０のコネクタ１００ｂの外観斜視図である。図１２は、高周波伝送線路１０のコネクタ１００ｂの断面構造図である。

コネクタ１００ｂは、図１、図１１及び図１２に示すように、コネクタ本体１０２、外部端子１０４，１０６、中心導体１０８及び外部導体１１０により構成されている。コネクタ本体１０２は、矩形状の板部材に円筒部材が連結された形状をなしており、樹脂等の絶縁材料により作製されている。

外部端子１０４は、コネクタ本体１０２の板部材のｚ軸方向の負方向側の面において、外部端子１６ｂと対向する位置に設けられている。外部端子１０６は、コネクタ本体１０２の板部材のｚ軸方向の負方向側の面において、開口Ｈｂ〜Ｈｄを介して露出している端子導体２２ｇに対向する位置に設けられている。

中心導体１０８は、コネクタ本体１０２の円筒部材の中心に設けられており、外部端子１０４と接続されている。中心導体１０８は、高周波信号が入力又は出力する信号端子である。外部導体１１０は、コネクタ本体１０２の円筒部材の内周面に設けられており、外部端子１０６と接続されている。外部導体１１０は、接地電位に保たれるグランド端子である。

以上のように構成されたコネクタ１００ｂは、図１１及び図１２に示すように、外部端子１０４が外部端子１６ｂと接続され、外部端子１０６が端子導体２２ｇと接続されるように、接続部１２ｇの表面上に実装される。これにより、信号線路２０は、中心導体１０８に電気的に接続されている。また、グランド導体２２及びグランド導体２４は、外部導体１１０に電気的に接続されている。

高周波伝送線路１０は、以下に説明するように用いられる。図１３は、高周波伝送線路１０が用いられた電子機器２００をｙ軸方向から平面視した図である。図１４は、高周波伝送線路１０が用いられた電子機器２００をｚ軸方向から平面視した図である。

電子機器２００は、高周波伝送線路１０、回路基板２０２ａ，２０２ｂ、レセプタクル２０４ａ〜２０４ｄ（レセプタクル２０４ｂ，２０４ｃについては図示せず）、バッテリーパック（金属体）２０６、筐体２１０及びアンテナ２１２ａ，２１２ｂを備えている。

筐体２１０は、図１３及び図１４に示すように、高周波伝送線路１０、回路基板２０２ａ，２０２ｂ、レセプタクル２０４ａ〜２０４ｄ、バッテリーパック及びアンテナ２１２ａ，２１２ｂを収容している。回路基板２０２ａには、例えば、送信回路又は受信回路が設けられている。回路基板２０２ｂには、例えば、給電回路（ＲＦＩＣ）が設けられている。バッテリーパック２０６は、例えば、リチウムイオン２次電池であり、その表面が金属カバーにより覆われた構造を有している。回路基板２０２ａ、バッテリーパック２０６及び回路基板２０２ｂは、ｘ軸方向の負方向側から正方向側へとこの順に並んでいる。

アンテナ２１２ａは、回路基板２０２ａに接続されており、８００ＭＨｚ帯や１８００ＭＨｚ帯の高周波信号を送受信する。アンテナ２１２ｂは、回路基板２０２ａに接続されており、ＧＰＳ信号を受信する。

レセプタクル２０４ａは、回路基板２０２ａのｚ軸方向の負方向側の主面上に設けられており、回路基板２０２ａに設けられた配線を介してアンテナ２１２ａに接続されている。レセプタクル２０４ａには、コネクタ１００ａが接続される。レセプタクル２０４ｂ（図示せず）は、回路基板２０２ｂのｚ軸方向の負方向側の主面上に設けられており、回路基板２０２ｂに設けられた給電回路に接続されている。レセプタクル２０４ｂには、コネクタ１００ｂが接続される。これにより、信号線路２０には、アンテナ２１２ａが送受信する高周波信号が伝送される。

レセプタクル２０４ｃ（図示せず）は、回路基板２０２ａのｚ軸方向の負方向側の主面上に設けられており、回路基板２０２ａに設けられた配線を介してアンテナ２１２ｂに接続されている。レセプタクル２０４ｃには、コネクタ１００ｃが接続される。レセプタクル２０４ｄは、回路基板２０２ｂのｚ軸方向の負方向側の主面上に設けられており、回路基板２０２ｂに設けられた給電回路に接続されている。レセプタクル２０４ｄには、コネクタ１００ｄが接続される。これにより、信号線路２１には、アンテナ２１２ｂが送受信するＧＰＳ信号の高周波信号が伝送される。

ここで、誘電体素体１２の表面（より正確には、保護層１４）は、バッテリーパック２０６に対して接触している。そして、誘電体素体１２とバッテリーパック２０６とは、絶縁性の接着剤等により固定されている。

（高周波伝送線路の製造方法）
以下に、高周波伝送線路１０の製造方法について図１ないし図６を参照しながら説明する。以下では、一つの高周波伝送線路１０が作製される場合を例にとって説明するが、実際には、大判の誘電体シートが積層及びカットされることにより、同時に複数の高周波伝送線路１０が作製される。

まず、表面の全面に銅箔が形成された熱可塑性樹脂からなる誘電体シート１８ａ〜１８ｅを準備する。誘電体シート１８ａ〜１８ｅの銅箔の表面は、例えば、防錆のための亜鉛鍍金が施されることにより、平滑化されている。銅箔の厚さは、１０μｍ〜２０μｍである。

次に、フォトリソグラフィ工程により、外部端子１６ａ〜１６ｄ及びグランド導体２２を誘電体シート１８ａの表面に形成する。具体的には、誘電体シート１８ａの表面側の銅箔上に、外部端子１６ａ〜１６ｄ及びグランド導体２２と同じ形状のレジストを印刷する。そして、銅箔に対してエッチング処理を施すことにより、レジストにより覆われていない部分の銅箔を除去する。その後、レジストを除去する。これにより、外部端子１６ａ〜１６ｄ及びグランド導体２２が誘電体シート１８ａの表面に形成される。

次に、フォトリソグラフィ工程により、信号線路２１を誘電体シート１８ｂの表面に形成する。また、フォトリソグラフィ工程により、中間グランド導体２７を誘電体シート１８ｃの表面に形成する。また、フォトリソグラフィ工程により、信号線路２０を誘電体シート１８ｄの表面に形成する。また、フォトリソグラフィ工程により、グランド導体２４を誘電体シート１８ｅの表面に形成する。信号線路２０，２１、グランド導体２４及び中間グランド導体２７の形成方法は、外部端子１６ａ〜１６ｄ及びグランド導体２２の形成方法と同じであるので説明を省略する。

次に、誘電体シート１８ａ〜１８ｄのビアホール導体ｂ１〜ｂ４，Ｂ１〜Ｂ８，Ｂ１１〜Ｂ１８，Ｂ２１〜Ｂ２４が形成される位置に対して、裏面側からレーザービームを照射して、貫通孔を形成する。その後、誘電体シート１８ａ〜１８ｄに形成した貫通孔に対して、導電性ペーストを充填する。

次に、誘電体シート１８ａ〜１８ｅをｚ軸方向の正方向側から負方向側へとこの順に積み重ねる。そして、誘電体シート１８ａ〜１８ｅに対してｚ軸方向の正方向側及び負方向側から熱及び圧力を加えることにより、誘電体シート１８ａ〜１８ｅを軟化させて圧着・一体化するとともに、貫通孔に充填された導電性ペーストを固化して、ｂ１〜ｂ４，Ｂ１〜Ｂ８，Ｂ１１〜Ｂ１８，Ｂ２１〜Ｂ２４を形成する。なお、ｂ１〜ｂ４，Ｂ１〜Ｂ８，Ｂ１１〜Ｂ１８，Ｂ２１〜Ｂ２４は必ずしも貫通孔が導体で完全に埋められている必要はなく、例えば貫通孔の内周面のみに沿って導体を形成することによって形成されてもよい。

次に、樹脂（レジスト）ペーストを塗布することにより、誘電体シート１８ａの表面に保護層１４を形成する。

最後に、接続部１２ｆ〜１２ｉ上にコネクタ１００ａ〜１００ｄをそれぞれはんだを用いて実装する。以上の工程により、高周波伝送線路１０が完成する。

（効果）
以上のように構成された高周波伝送線路１０によれば、信号線路２０と信号線路２１とが交差している部分の誘電体素体１２の厚みを低減できる。より詳細には、高周波伝送線路１０では、グランド導体２４が信号線路２０と重なっている面積は、グランド導体２２が信号線路２０と重なっている面積よりも小さい。これにより、信号線路２０とグランド導体２４との間には、信号線路２０とグランド導体２２との間よりも容量が形成されにくくなる。よって、信号線路２０とグランド導体２４との間に形成される容量を大きし過ぎることなく、信号線路２０とグランド導体２４とを近づけることができる。すなわち、信号線路２０の特性インピーダンスを所定の特性インピーダンス（例えば、５０Ω）よりも低くし過ぎることなく、信号線路２０とグランド導体２４とを近づけることができる。よって、信号線路２０を誘電体素体１２のz軸方向の中心よりもz軸方向の負方向側に位置させることができる。

同様に、グランド導体２２が信号線路２１と重なっている面積は、グランド導体２４が信号線路２１と重なっている面積よりも小さい。これにより、信号線路２１とグランド導体２２との間には、信号線路２１とグランド導体２４との間よりも容量が形成されにくくなる。よって、信号線路２１とグランド導体２２との間に形成される容量を大きし過ぎることなく、信号線路２１とグランド導体２２とを近づけることができる。すなわち、信号線路２１の特性インピーダンスを所定の特性インピーダンス（例えば、５０Ω）よりも低くし過ぎることなく、信号線路２１とグランド導体２２とを近づけることができる。よって、信号線路２１を誘電体素体１２のz軸方向の中心よりもz軸方向の正方向側に位置させることができる。

以上のように、高周波伝送線路１０では、信号線路２０と信号線路２１とを異なる誘電体シート１８ｂ，１８ｄに設けることができる。これにより、誘電体素体１２内において信号線路２０と信号線路２１とを交差させることができる。したがって、高周波伝送線路１０によれば、誘電体素体１２の厚みを低減しつつ、信号線路２０と信号線路２１とを交差させることが可能である。

また、高周波伝送線路１０によれば、信号線路２０と信号線路２１との間のクロストークを低減できる。より詳細には、高周波伝送線路１０は、信号線路２０と信号線路２１とが交差している部分と重なり、かつ、z軸方向において信号線路２０と信号線路２１との間に設けられている中間グランド導体２７を備えている。中間グランド導体２７は、接地電位に保たれる。そのため、信号線路２０から放射されるノイズ及び信号線路２１から放射されるノイズは、中間グランド導体２７に吸収されるようになる。その結果、信号線路２０と信号線路２１との間のクロストークが低減される。

また、高周波伝送線路１０によれば、薄型化を図ることができる。より詳細には、高周波伝送線路１０では、区間Ａ１において、信号線路２０は、ｚ軸方向から平面視したときに、グランド導体２４と重なっていない。そのため、信号線路２０とグランド導体２４との間に容量が形成されにくい。したがって、信号線路２０とグランド導体２４とのｚ軸方向における距離を小さくしても、信号線路２０とグランド導体２４との間に形成される容量が大きくなり過ぎない。よって、信号線路２０の特性インピーダンスが所定の特性インピーダンス（例えば、５０Ω）からずれにくい。その結果、高周波伝送線路１０によれば、信号線路２０の特性インピーダンスを所定の特性インピーダンスに維持しつつ、薄型化を図ることが可能である。なお、同様の理由により、信号線路２１とグランド導体２２とのｚ軸方向における距離を小さくしても、信号線路２１とグランド導体２２との間に形成される容量が大きくなり過ぎない。よって、信号線路２１の特性インピーダンスが所定の特性インピーダンス（例えば、５０Ω）からずれにくい。その結果、高周波伝送線路１０によれば、信号線路２１の特性インピーダンスを所定の特性インピーダンスに維持しつつ、薄型化を図ることが可能である。高周波伝送線路１０の薄型化が図られると、高周波伝送線路１０を容易に曲げることが可能となる。

また、高周波伝送線路１０では、信号線路２０の伝送損失を低減することができる。より詳細には、区間Ａ１では、信号線路２０と開口３０とが重なっているので、信号線路２０とグランド導体２４との間に容量が形成されにくい。よって、区間Ａ１における信号線路２０の線幅Ｗ１を区間Ａ２における信号線路２０の線幅Ｗ２よりも大きくしても、区間Ａ１における信号線路２０の特性インピーダンスが区間Ａ２における信号線路２０の特性インピーダンスよりも低くなり過ぎることがない。よって、高周波伝送線路１０では、信号線路２０の特性インピーダンスを所定の特性インピーダンスに維持しつつ、信号線路２０の抵抗値を低減できる。以上より、高周波伝送線路１０では、信号線路２０の伝送損失を低減することができる。なお、同じ理由により、信号線路２１の伝送損失を低減することができる。

また、高周波伝送線路１０では、信号線路２０からの不要輻射の周波数を周囲の回路基板等の周波数帯域から外すことが可能となる。より詳細には、高周波伝送線路１０では、複数の開口３０が信号線路２０に沿って並んでいる。これにより、開口３０と重なっている区間Ａ１における信号線路２０の特性インピーダンスがブリッジ部６０と重なっている区間Ａ２における信号線路２０の特性インピーダンスよりも高くなる。開口３０とブリッジ部６０とは、信号線路２０と交互に重なっているので、信号線路２０の特性インピーダンスは周期的に変動するようになる。この場合、隣り合う２つの区間Ａ１間において定在波が発生し、不要輻射が発生する。そこで、隣り合う開口３０の間隔を電子機器２００において用いられる高周波信号の波長の１／２以下とすることにより、信号線路２０からの不要輻射の周波数を電子機器２００内の回路基板等において用いられる高周波信号の周波数帯域から外すことができる。

また、高周波伝送線路１０では、区間ａ１における開口３０のｙ軸方向の幅は、区間ａ２，ａ３における開口３０のｙ軸方向の幅よりも大きい。よって、区間ａ１における信号線路２０とグランド導体２４との間隔は、区間ａ２，ａ３における信号線路２０とグランド導体２４との間隔よりも大きい。更に、区間Ａ２では、信号線路２０とブリッジ部６０とが重なっている。よって、区間ａ２，ａ３における信号線路２０とグランド導体２４との間隔は、区間Ａ２における信号線路２０とグランド導体２４との間隔よりも大きい。よって、隣り合うブリッジ部６０間において、ｘ軸方向の負方向側から正方向側に行くにしたがって、信号線路２０とグランド導体２４との間隔は、段階的に増加した後に、段階的に減少する。

ここで、信号線路２０とグランド導体２４との間隔が大きい方が、信号線路２０の特性インピーダンスが大きくなる。そのため、隣り合うブリッジ部６０間において、ｘ軸方向の負方向側から正方向側に行くにしたがって、信号線路２０の特性インピーダンスは、段階的に増加した後に、段階的に減少する。これにより、区間ａ１〜ａ３，Ａ２の境界において急激に特性インピーダンスが変動することが抑制される。その結果、区間ａ１〜ａ３，Ａ２の境界において高周波信号の反射が低減され、信号線路２０において定在波が発生することが抑制される。その結果、高周波伝送線路１０において、信号線路２０からの不要輻射が低減される。なお、同じ理由により、信号線路２１からの不要輻射が低減される。

また、高周波伝送線路１０では、グランド導体２４に複数の開口３０が設けられることにより、信号線路２０の特性インピーダンスが周期的に変動している。そのため、高周波伝送線路１０では、信号線路の特性インピーダンスが一定である高周波伝送線路に比べて、折り曲げられた際に生じる信号線路２０の特性インピーダンスの変動が小さい。信号線路の特性インピーダンスが一定である高周波伝送線路とは、例えば、ベタ状のグランド導体又はスリット状の開口を有するグランド導体を備えた高周波伝送線路である。

また、高周波伝送線路１０では、グランド導体２２に複数の開口３１が設けられることにより、信号線路２１の特性インピーダンスが周期的に変動している。そのため、高周波伝送線路１０では、信号線路の特性インピーダンスが一定である高周波伝送線路に比べて、折り曲げられた際に生じる信号線路２１の特性インピーダンスの変動が小さい。

また、高周波伝送線路１０では、信号線路２０の特性インピーダンスが所定の特性インピーダンスから変動することを抑制できる。より詳細には、誘電体素体１２の表面（より正確には、保護層１４）は、バッテリーパック２０６に対して接触している。そして、誘電体素体１２とバッテリーパック２０６とは、接着剤等により固定されている。これにより、信号線路２０とバッテリーパック２０６との間には、開口が設けられていないベタ状のグランド導体２２が存在している。これにより、信号線路２０とバッテリーパック２０６との間に容量が形成されることが抑制される。その結果、信号線路２０の特性インピーダンスが所定の特性インピーダンスから変動することが抑制される。

（第１の変形例）
以下に、第１の変形例に係る高周波伝送線路１０ａについて図面を参照しながら説明する。図１５は、第１の変形例に係る高周波伝送線路１０ａの外観斜視図である。図１６は、第１の変形例に係る高周波伝送線路１０ａの並走区間Ａ１１における分解斜視図である。図１７は、第１の変形例に係る高周波伝送線路１０ａの並走区間Ａ１１の断面構造図である。

誘電体素体１２は、図１５に示すように、ｘ軸方向に延在しており、ｘ軸方向の正方向側の端部及び負方向側の端部のそれぞれにおいて２つに枝分かれした構造を有している。誘電体素体１２は、図１６に示すように、保護層１４及び誘電体シート１８ａ〜１８ｅがｚ軸方向の正方向側から負方向側へとこの順に積層されて構成されている可撓性の積層体である。以下では、誘電体素体１２のｚ軸方向の正方向側の主面を表面と称し、誘電体素体１２のｚ軸方向の負方向側の主面を裏面と称す。

誘電体シート１８ａ〜１８ｅは、ｚ軸方向から平面視したときに、誘電体素体１２と同じ形状をなしている。誘電体シート１８ａ〜１８ｅは、液晶ポリマやポリイミド等の可撓性を有する熱可塑性樹脂により構成されている。誘電体シート１８ａ〜１８ｅの積層後の厚さは、例えば、２５μｍ〜２００μｍである。以下では、誘電体シート１８ａ〜１８ｅのｚ軸方向の正方向側の主面を表面と称し、誘電体シート１８ａ〜１８ｅのｚ軸方向の負方向側の主面を裏面と称す。

信号線路２０は、図１６及び図１７に示すように、誘電体素体１２に設けられており、より詳細には、誘電体シート１８ｄの表面に設けられている。信号線路２０は、銀や銅を主成分とする比抵抗の小さな金属材料により作製されている。

信号線路２１は、図１６及び図１７に示すように、誘電体素体１２において信号線路２０よりもｚ軸方向の正方向側に設けられ、より詳細には、誘電体シート１８ｂの表面に設けられている。信号線路２１は、ｚ軸方向から平面視したときに、並走区間Ａ１１において信号線路２０に沿って延在している。ただし、信号線路２０と信号線路２１とは、ｚ軸方向から平面視したときに、並走区間Ａ１１のｘ軸方向の中央において交差している。

グランド導体２２は、図１６及び図１７に示すように、誘電体素体１２において信号線路２１よりもｚ軸方向の正方向側に設けられており、より詳細には、誘電体シート１８ａの表面に設けられている。グランド導体２２は、ｚ軸方向から平面視したときに、誘電体素体１２と略同じ形状をなしており、信号線路２０，２１と重なっている。グランド導体２２は、銀や銅を主成分とする比抵抗の小さな金属材料により作製されている。

ここで、グランド導体２２には、図１６に示すように、長方形状をなす複数の開口３１が設けられている。複数の開口３１は、ｚ軸方向から平面視したときに、信号線路２１と重なっていると共に、該信号線路２１に沿って並ぶように設けられている。

更に、グランド導体２２において、ｚ軸方向から平面視したときに、信号線路２０と信号線路２１とが交差している部分と重なる位置には、メッシュ構造を有するメッシュ導体２２ｊが設けられている。メッシュ構造とは、例えば、ｘ軸方向に延在する複数の線状導体とｙ軸方向に延在する複数の線状導体とが網状に配置された構造である。

グランド導体２４は、図１６及び図１７に示すように、誘電体素体１２において信号線路２０よりもｚ軸方向の負方向側に設けられ、より詳細には、誘電体シート１８ｅの表面に設けられている。グランド導体２４は、ｚ軸方向から平面視したときに、誘電体素体１２と略同じ形状をなしており、信号線路２０，２１と重なっている。グランド導体２４は、銀や銅を主成分とする比抵抗の小さな金属材料により作製されている。

ここで、グランド導体２４には、図１６に示すように、長方形状をなす複数の開口３０が設けられている。複数の開口３０は、ｚ軸方向から平面視したときに、信号線路２０と重なっていると共に、該信号線路２０に沿って並ぶように設けられている。

更に、グランド導体２４において、ｚ軸方向から平面視したときに、信号線路２０と信号線路２１とが交差している部分と重なる位置には、メッシュ構造を有するメッシュ導体２４ｊが設けられている。

また、高周波伝送線路１０ａは、中間グランド導体２７を更に備えている。中間グランド導体２７は、ｚ軸方向から平面視したときに、信号線路２０と信号線路２１とが交差している部分と重なり、かつ、ｚ軸方向において、信号線路２０と信号線路２１との間に設けられている。具体的には、中間グランド導体２７は、誘電体シート１８ｃの表面上に設けられている。中間グランド導体２７は、グランド導体２２，２４とビアホール導体により接続されている。

保護層１４は、誘電体シート１８ａの表面の略全面を覆っている。これにより、保護層１４は、グランド導体２２を覆っている。保護層１４は、例えば、レジスト材等の可撓性樹脂からなる。

高周波伝送線路１０ａのその他の構成は、高周波伝送線路１０の構成と同じであるので説明を省略する。

高周波伝送線路１０ａは、以下に説明するように用いられる。図１８は、高周波伝送線路１０ａが用いられた電子機器２００をｚ軸方向から平面視した図である。

電子機器２００は、高周波伝送線路１０ａ、回路基板２０２ａ，２０２ｂ、バッテリーパック（金属体）２０６、筐体２１０及びアンテナ２１２を備えている。

筐体２１０は、図１８に示すように、高周波伝送線路１０ａ、回路基板２０２ａ，２０２ｂ、バッテリーパック２０６及びアンテナ２１２を収容している。回路基板２０２ａには、例えば、送信回路又は受信回路が設けられている。回路基板２０２ｂには、例えば、給電回路（ＲＦＩＣ）が設けられている。バッテリーパック２０６は、例えば、リチウムイオン２次電池であり、その表面が金属カバーにより覆われた構造を有している。回路基板２０２ａ、バッテリーパック２０６及び回路基板２０２ｂは、ｘ軸方向の負方向側から正方向側へとこの順に並んでいる。また、アンテナ２１２は、回路基板２０２ａに接続されている。

高周波伝送線路１０ａは、回路基板２０２ａと回路基板２０２ｂとの間を接続している。また、誘電体素体１２の表面（より正確には、保護層１４）は、バッテリーパック２０６に対して接触している。そして、誘電体素体１２の表面とバッテリーパック２０６とは、接着剤等により固定されている。

以上のように構成された高周波伝送線路１０ａも、高周波伝送線路１０と同じ作用効果を奏することができる。更に、高周波伝送線路１０ａでは、ｚ軸方向から平面視したときに、信号線路２０と信号線路２１とが交差している部分と重なる位置には、メッシュ構造を有するメッシュ導体２２ｊが設けられている。これにより、グランド導体２２と信号線路２１との間に形成される容量が低減される。すなわち、信号線路２１の線幅を大きくしても、グランド導体２２と信号線路２１との間に形成される容量が大きくなり過ぎない。その結果、信号線路２１の線幅を大きくして、信号線路２１の低抵抗化を図ることができる。また、同じ理由により、信号線路２０の低抵抗化を図ることができる。

（第２の変形例）
以下に、第２の変形例に係る高周波伝送線路１０ｂについて図面を参照しながら説明する。図１９は、第２の変形例に係る高周波伝送線路１０ｂの接続部１２ｃにおける分解斜視図である。高周波伝送線路１０ｂの外観斜視図は、図１４を援用する。

高周波伝送線路１０ｂは、開口３１内に浮き導体８０が設けられている点において高周波伝送線路１０ａと相違する。より詳細には、浮き導体８０は、誘電体シート１８ａの表面に設けられており、開口３１内に位置している。浮き導体８０は、信号線路２０，２１（信号線路２０は図示せず）及びグランド導体２２，２４とは接続されておらず、浮遊電位に保たれている。浮遊電位とは、信号線路２０，２１（信号線路２０は図示せず）の電位と接地電位との間の電位である。

更に、高周波伝送線路１０ｂは、保護層１４がバッテリーパック２０６に接触するように、バッテリーパック２０６に接着される。よって、グランド導体２２は、バッテリーパック２０６に対向する。そこで、グランド導体２２の開口３１に浮き導体８０が設けられることにより、信号線路２１とバッテリーパック２０６とが開口３１を介して対向することを防止している。これにより、開口３１を介して信号線路２１とバッテリーパック２０６とが容量結合することが抑制されている。その結果、信号線路２１の特性インピーダンスが変動することが抑制される。

（その他の実施形態）
本発明に係る高周波伝送線路は、前記高周波伝送線路１０，１０ａ，１０ｂに限らず、その要旨の範囲内において変更可能である。

なお、高周波伝送線路１０，１０ａ，１０ｂの構成を組み合わせて用いてもよい。

なお、電子機器２００は、携帯電話、タブレット型端末、ノート型パソコン等の携帯通信端末に限らず、デジタルカメラや据え置き型パソコン等のように高周波信号を伝送するための信号線路を含む機器であればよい。

また、高周波伝送線路１０，１０ａ，１０ｂは、アンテナと給電回路とを接続するために用いられるのではなく、高周波信号の整合回路同士を接続するために用いられてもよい。また、高周波伝送線路１０，１０ａ，１０ｂは、２つの高周波回路基板を接続するために用いられてもよい。

また、高周波伝送線路１０，１０ａ，１０ｂにおいて、ビアホール導体の代わりに、貫通孔の内周面にめっき膜を形成したスルーホール導体が用いられてもよい。

また、高周波伝送線路１０，１０ａ，１０ｂにおいて、グランド導体２２，２４は、誘電体素体１２内に設けられているが、誘電体素体１２の表面又は裏面に設けられていてもよい。

また、信号線路２０，２１が交差している部分におけるこれらのｚ軸方向の距離は、信号線路２０，２１が交差していない部分におけるこれらのｚ軸方向の距離よりも大きくてもよい。すなわち、信号線路２０，２１はそれぞれ、全長にわたって、誘電体シート１８ｂ，１８ｄに設けられていなくてもよい。

なお、高周波伝送線路１０，１０ａ，１０ｂは、アンテナフロントエンドモジュールなどＲＦ回路基板における高周波伝送線路として用いられてもよい。

なお、高周波伝送線路１０，１０ａ，１０ｂにおいて、コネクタ１００ａ〜１００ｄが実装されていなくてもよい。この場合、高周波伝送線路１０，１０ａ，１０ｂの端部と回路基板とがはんだ等によって接続される。なお、高周波伝送線路１０，１０ａ，１０ｂのいずれかの端部のみにコネクタ１００ａ〜１００ｄが実装されてもよい。

また、コネクタ１００ａ〜１００ｄは、高周波伝送線路１０，１０ａ，１０ｂの表面に実装されているが、高周波伝送線路１０，１０ａ，１０ｂの裏面に実装されていてもよい。また、コネクタ１００ａ，１００ｂが高周波伝送線路１０，１０ａ，１０ｂの表面に実装され、コネクタ１００ｃ，１００ｄが高周波伝送線路１０の裏面に実装されてもよい。

以上のように、本発明は、高周波伝送線路及び電子機器に有用であり、特に、交差している２本の信号線路間のクロストークを低減できると共に、積層体において２本の信号線路が交差している部分の厚みを低減できる点において優れている。

Ａ１〜Ａ４ 区間
１０，１０ａ，１０ｂ 高周波伝送線路
１２ 誘電体素体
１４ 保護層
１８ａ〜１８ｅ 誘電体シート
２０，２１ 信号線路
２２，２４ グランド導体
２７ 中間グランド導体
３０，３１ 開口
２００ 電子機器
２１０ 筐体

Claims (7)

1. 複数の誘電体層が積層されてなる積層体と、
   前記積層体に設けられている第１の信号線路と、
   前記積層体において前記第１の信号線路よりも積層方向の一方側に設けられている第２の信号線路であって、積層方向から平面視したときに、該第１の信号線路と交差している第２の信号線路と、
   前記第１の信号線路よりも積層方向の他方側に設けられている第１のグランド導体と、
   前記第２の信号線路よりも積層方向の一方側に設けられている第２のグランド導体と、
   積層方向から平面視したときに、前記第１の信号線路と前記第２の信号線路とが交差している部分と重なり、かつ、積層方向において該第１の信号線路と該第２の信号線路との間に設けられている中間グランド導体と、
   を備えており、
   前記第１の信号線路及び前記第２の信号線路は、前記中間グランド導体が設けられている部分以外の部分において、前記第１のグランド導体及び前記第２のグランド導体と対向しており、
   前記第１のグランド導体が前記第１の信号線路と重なっている面積は、前記第２のグランド導体が該第１の信号線路と重なっている面積よりも小さく、
   前記第２のグランド導体が前記第２の信号線路と重なっている面積は、前記第１のグランド導体が該第２の信号線路と重なっている面積よりも小さいこと、
   を特徴とする高周波伝送線路。
2. 前記第１のグランド導体には、前記第１の信号線路に沿って並ぶ複数の第１の開口が設けられており、
   前記第２のグランド導体には、前記第２の信号線路に沿って並ぶ複数の第２の開口が設けられていること、
   を特徴とする請求項１に記載の高周波伝送線路。
3. 前記第１の開口と重なっている区間における前記第１の信号線路の線幅は、前記第２の信号線路と交差している部分における該第１の信号線路の線幅よりも大きいこと、
   を特徴とする請求項２に記載の高周波伝送線路。
4. 前記第１の信号線路と前記第１のグランド導体との積層方向における距離は、前記第２の信号線路と前記第２のグランド導体との積層方向における距離と略等しいこと、
   を特徴とする請求項１ないし請求項３のいずれかに記載の高周波伝送線路。
5. 前記第１のグランド導体は、前記第１の信号線路と前記第２の信号線路とが交差している部分と積層方向から平面視したときに重なる部分において、メッシュ構造を有していること、
   を特徴とする請求項１ないし請求項４のいずれかに記載の高周波伝送線路。
6. 筐体と、
   前記筐体に収容されている高周波伝送線路と、
   を備えており、
   前記高周波伝送線路は、
   複数の誘電体層が積層されてなる積層体と、
   前記積層体に設けられている第１の信号線路と、
   前記積層体において前記第１の信号線路よりも積層方向の一方側に設けられている第２の信号線路であって、積層方向から平面視したときに、該第１の信号線路と交差している第２の信号線路と、
   前記第１の信号線路よりも積層方向の他方側に設けられている第１のグランド導体と、
   前記第２の信号線路よりも積層方向の一方側に設けられている第２のグランド導体と、
   積層方向から平面視したときに、前記第１の信号線路と前記第２の信号線路とが交差している部分と重なり、かつ、積層方向において該第１の信号線路と該第２の信号線路との間に設けられている中間グランド導体と、
   を備えており、
   前記第１の信号線路及び前記第２の信号線路は、前記中間グランド導体が設けられている部分以外の部分において、前記第１のグランド導体及び前記第２のグランド導体と対向しており、
   前記第１のグランド導体が前記第１の信号線路と重なっている面積は、前記第２のグランド導体が該第１の信号線路と重なっている面積よりも小さく、
   前記第２のグランド導体が前記第２の信号線路と重なっている面積は、前記第１のグランド導体が該第２の信号線路と重なっている面積よりも小さいこと、
   を特徴とする電子機器。
7. 前記第１のグランド導体には、前記第１の信号線路に沿って並ぶ複数の第１の開口が設けられており、
   前記第２のグランド導体には、前記第２の信号線路に沿って並ぶ複数の第２の開口が設けられていること、
   を特徴とする請求項６に記載の電子機器。

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