JP5546270B2 - 高周波伝送線路 - Google Patents

Description

本発明は、マイクロ波帯やミリ波帯などで用いる高周波伝送線路に関するものである。

マイクロ波帯やミリ波帯などで用いる高周波伝送線路として、例えば特許文献１では、マイクロマシン技術を適用した半導体プロセスによって入出力ストリップ導体線路の上下を中空空洞に形成し、入出力ストリップ導体線路をサスペンデッド線路構造とすることにより、線路の低損失化を図る構造例が提案されている。

特開２０００−３４９５４４号公報

しかし、上記従来の技術では、マイクロマシン技術を適用するための開発期間や製造期間が長くなり、開発コストが増大する。つまり、コストダウンが困難である。また、導体パターンの両端が支持されただけの線路構造では、線路が変形する可能性があり、サスペンデッド線路部の特性インピーダンスが変化してしまう可能性がある。

本発明は、上記に鑑みてなされたものであり、サスペンデッド線路部の特性インピーダンスを安定的に保持でき、かつ特性インピーダンス制御の容易化が図れるサスペンデッド線路構造を有する高周波伝送線路を得ることを目的とする。

上述した目的を達成するために、本発明にかかる高周波伝送線路は、金属筐体と、内層グランド導体パターンを有する多層構成の第１の誘電体基板であって、表面に、一方の入出力ポートと他方の入出力ポートとの間を接続する信号導体パターンと、該信号導体パターンの幅方向両側に該信号導体パターンに沿って配置される２本の帯状表面グランド導体パターンとが形成され、前記金属筐体の線路配置面に接する裏面の少なくとも前記信号導体パターンに対応した領域に形成される裏面グランド導体パターンが、前記信号導体パターンの一部領域の直下に該一部領域に対応した大きさの開口を有して形成されているとともに、裏面側内部に、前記開口の周縁から前記表面に向かった所定高さ位置まで削除された空洞が形成され、前記２本の帯状表面グランド導体パターンと共にスルーホールにより前記裏面グランド導体パターンに接続される前記内層グランド導体パターンは、前記空洞の外周形状に合わせた開口を有して形成されている第１の誘電体基板と、前記第１の誘電体基板における前記信号導体パターンの一部領域の直上に配置される多層構成または単層構成の第２の誘電体基板であって、前記第１の誘電体基板の表面と対面する裏面全面に裏面グランド導体パターンが形成される第２の誘電体基板と、前記第１の誘電体基板における前記信号導体パターンの一部領域の直上において、前記２本の帯状表面グランド導体パターンと前記第２の誘電体基板の前記裏面グランド導体パターンとを接続するバンプ導体とを備えていることを特徴とする。

本発明によれば、信号導体パターンの一部領域は、下方に空洞が形成され、上方にバンプ導体による空洞が形成されので、サスペンデッド線路構造になる。このサスペンデッド線路部は、下方が第１の誘電体基板により支持されているので、線路に変形が生じることはなく、設定したサスペンデッド線路部の特性インピーダンスを安定的に保持することできる。また。サスペンデッド線路部の特性インピーダンスは、第１の誘電体基板の誘電率と、信号導体パターンの線路幅と、下部空洞の高さと、バンプ導体による上部空洞の高さとをパラメータとして定められるので、サスペンデッド線路部の特性インピーダンスを調節設定する制御は、下部空洞の高さ調節と、バンプ導体による上部空洞の高さ調節とにより比較的容易に行える。このように、本発明によれば、サスペンデッド線路部の特性インピーダンスを安定的に保持でき、かつ特性インピーダンス制御の容易化が図れるサスペンデッド線路構造を有する高周波伝送線路が得られるという効果を奏する。

図１は、本発明の実施の形態１による高周波伝送線路の外観構成を示す上面図である。 図２は、図１に示すＡ−Ａ線断面図である。 図３は、図１に示すＢ−Ｂ線断面図である。 図４は、図１に示す第１の誘電体基板の表面および裏面を示す平面図である。 図５は、図１に示す第２の誘電体基板の表面および裏面を示す平面図である。 図６は、図１に示す高周波伝送線路の電磁界分布を説明する図である。 図７は、本発明の実施の形態２による高周波伝送線路の外観構成を示す上面図である。 図８は、図７に示すＡ−Ａ線断面図である。 図９は、図７に示すＢ−Ｂ線断面図である。 図１０は、本発明の実施の形態３として、バンプ導体による接続構造の一例を説明する図であり、（１）は第１の誘電体基板の表面図、（２）は第２の誘電体基板の裏面図である。 図１１は、本発明の実施の形態４として、バンプ導体による接続構造の他の一例を説明する図であり、（１）は第１の誘電体基板の表面図、（２）（３）は第２の誘電体基板の表裏面図である。

以下に本発明にかかる高周波伝送線路の実施の形態を図面に基づいて詳細に説明する。なお、この実施の形態によりこの発明が限定されるものではない。

実施の形態１．
図１は、本発明の実施の形態１による高周波伝送線路の外観構成を示す上面図である。図２は、図１に示すＡ−Ａ線断面図である。図３は、図１に示すＢ−Ｂ線断面図である。図４は、図１に示す第１の誘電体基板の表面および裏面を示す平面図である。図５は、図１に示す第２の誘電体基板の表面および裏面を示す平面図である。図６は、図１に示す高周波伝送線路の電磁界分布を説明する図である。

図１〜図５において、この実施の形態１による高周波伝送線路は、金属筐体１と、この金属筐体１の線路配置面に裏面を接して配置される第１の誘電体基板２と、この第１の誘電体基板２の表面上の所定位置にバンプ導体３を介して配置される第２の誘電体基板４とで構成される。なお、第１の誘電体基板２は、内層グランド導体パターン２３を有する多層構成である。一方、第２の誘電体基板４は、図示例では、単層構成のものを示してあるが、多層構成であってもよい。

第１の誘電体基板２の表面には、信号導体パターン（ストリップ導体線路）２１が、一方の入出力ポートと他方の入出力ポートとの間を接続して形成され、この信号導体パターン２１の幅方向両側に、所定幅の帯状表面グランド導体パターン２２ａ，２２ｂが信号導体パターン２１に沿って形成されている。信号導体パターン２１の線路幅は、図４（１）に示す例では、中央部の所定長領域が両入出力ポート側領域よりも幅広になっている。

信号導体パターン２１の一部領域（図４（１）に示す中央部の幅広所定長領域）の直下には、第１の誘電体基板２の表面側層を残して裏面までの間に空洞５が形成されている。この空洞５は、第１の誘電体基板２の裏面から表面に向かって所定高さ位置まで掘り込んで形成されている。具体的には、図４（２）に示すように、第１の誘電体基板２の裏面に形成される裏面グランド導体パターン２４は、信号導体パターン２１の図４（１）に示す中央部の幅広所定長領域の直下位置が、その幅広所定長領域に対応した長四角形状領域が開口６になっていて、空洞５は、この開口６の周縁形状に沿って表面に向かって所定高さ位置まで掘り込んで形成されている。内層グランド導体パターン２３は、この空洞５の形成領域では、空洞５の外周形状（長四角形状）に合わせた開口を有している。なお、裏面グランド導体パターン２４は、本実施の形態では、第１の誘電体基板２の裏面全面に形成される場合を示すが、これに限定されるものではなく、少なくと信号導体パターン２１に対応した領域に形成されていればよい。

したがって、信号導体パターン２１の地導体は、線路幅の狭い両入出力ポート側領域では、内層グランド導体パターン２３になっているが、線路幅の広い中央部所定長領域（つまり空洞５の形成領域）では、金属筐体１になっている。

第１の誘電体基板２では、帯状表面グランド導体パターン２２ａ，２２ｂと内層グランド導体パターン２３とが、共にスルーホール２５により、裏面グランド導体パターン２４および金属筐体１に接続されている。ここで、信号導体パターン２１の線路幅の狭い両入出力ポート側領域から線路幅の広い中央部所定領域への動作モード変換部における反射を低減するため、グランド電流が内層グランド導体パターン２３の開口端部から裏面グランド導体パターン２４へ流れるよう、スルーホール２５のうち空洞５付近のスルーホールは内層グランド導体パターン２３の開口端近傍に配置されている。

次に、第２の誘電体基板４は、図５に示すように、第１の誘電体基板２の表面と対面する裏面全面に、裏面グランド導体パターン２６が形成された片面基板であるが、信号導体パターン２１の一部領域（図４（１）に示す中央部の幅広所定長領域）を覆う程度の大きさをしたものである。

この第２の誘電体基板４の裏面グランド導体パターン２６が、信号導体パターン２１の図４（１）に示す中央部の幅広所定長領域の上部を覆うように、バンプ導体３により第１の誘電体基板２の帯状表面グランド導体パターン２２ａ，２２ｂと接続され、この実施の形態１による高周波伝送線路が形成される。なお、バンプ導体３としては、この実施の形態では、半田バンプを用いているが、金属バンプでもよい。

この高周波伝送線路では、第１の誘電体基板２の表面に形成される信号導体パターン２１は、中央部の所定長領域が、下方に空洞５が形成され、上方にバンプ導体３による空洞が形成されるので、サスペンデッド線路構造になっている。そして、信号導体パターン２１の中央部所定長領域の両端から両入出力ポート側領域は、マイクロストリップ線路構造になっている。

すなわち、図６に示すように、信号導体パターン２１の図４（１）に示す中央部の幅広所定長領域では、グランド電流は、第１の誘電体基板２の裏面グランド導体パターン２４と、第２の誘電体基板４の裏面グランド導体パターン２６とに流れるので、マイクロストリップ線路からサスペンデッド線路に変換される構造になっている。

このように、この実施の形態１によれば、ストリップ導体線路である信号導体パターンの一部領域をサスペンデッド線路構造としたので、信号導体パターンが形成される第１の誘電体基板内を貫く電気力線を低減でき、誘電体損を低減できる。また、実効誘電率を低減できるので、図４（１）に示す中央部の幅広所定長領域のように、線路幅を広くすることができ、導体損を低減できる。加えて、外部への電磁波放射を抑圧することができる。

ここで、サスペンデッド線路部（図４（１）に示す中央部の幅広所定長領域）は、下方が第１の誘電体基板２により支持されているので、線路に変形が生じることはなく、設定したサスペンデッド線路部の特性インピーダンスを安定的に保持することできる。また。サスペンデッド線路部の特性インピーダンスは、第１の誘電体基板２の誘電率と、信号導体パターン２１の線路幅と、空洞５の高さと、バンプ導体３による上部空洞の高さとをパラメータとして定められるので、サスペンデッド線路部の特性インピーダンスを５０Ωに調節設定する制御は、下方の空洞５の高さ調節と、バンプ導体３による上部空洞の高さ調節とにより比較的容易に行える。

また、第１および第２の誘電体基板とバンプ導体３とによるサスペンデッド線路構造としたので、第２の誘電体基板とバンプ導体３とに代えて金属筐体等で遮蔽して信号導体パターンの上部に空洞を形成する場合と比較して、伝送線路の高さの低減が図れる。特に、ミリ波帯で用いる場合に効果的である。

なお、本実施の形態では、第１の誘電体基板２内に内層グランド導体パターン２３を付加した場合を示してあるが、内層グランド導体パターンを無くし地導体を全て裏面グランド導体パターン２４および金属筐体１とする構成でもよい。そして、本実施の形態では、第１の誘電体基板２は、多層構成のものを使用しているが、単層構成であってもよい。

また、第１の誘電体基板２と第２の誘電体基板４は、同一材質であることが望ましい。そうすれば、熱膨張係数が同じであるので、環境温度の変化などによりバンプ導体３に作用する熱応力の低減が図れる。

実施の形態２．
図７は、本発明の実施の形態２による高周波伝送線路の外観構成を示す上面図である。図８は、図７に示すＡ−Ａ線断面図である。図９は、図７に示すＢ−Ｂ線断面図である。なお、図７〜図９では、図１〜図３（実施の形態１）に示した構成要素と同一ないしは同等である要素には、同一の符号を付してある。ここでは、この実施の形態２に関わる部分を中心に説明する。

図７〜図９において、この実施の形態２による高周波伝送線路は、金属筐体１０と、この金属筐体１０の線路配置面に裏面を接して配置される第１の誘電体基板１１と、この第１の誘電体基板１１の表面上の所定位置にバンプ導体３を介して配置される第２の誘電体基板４とで構成される。なお、第１の誘電体基板１１は、単層構成であるとしているが、実施の形態１と同様に、多層構成でもよい。

第１の誘電体基板１１の表面には、実施の形態１と同様に、図４（１）に示した信号導体パターン（ストリップ導体線路）２１と帯状表面グランド導体パターン２２ａ，２２ｂとが同様に形成されている。第１の誘電体基板１１の裏面には、図４（２）に示した開口６を有する裏面グランド導体パターン２４が形成されている。帯状表面グランド導体パターン２２ａ，２２ｂは、スルーホール２５により裏面グランド導体パターン２４に接続されている。

金属筐体１０の線路配置面には、信号導体パターン２１の図４（１）に示す中央部の幅広所定長領域の直下の領域に、金属筐体１０の肉厚内所定深さの長四角形状をした凹部１４が形成され、裏面グランド導体パターン２４が有する開口６の直下は、凹部１４による空洞１５になっている。

したがって、この実施の形態２では、信号導体パターン２１の地導体は、線路幅の狭い両入出力ポート側領域では、裏面グランド導体パターン２４になっているが、線路幅の広い中央部所定長領域（つまり空洞１５の形成領域）では、金属筐体１０になっている。

この構成によっても、実施の形態１と同様の作用・効果が得られる。加えて、この実施の形態２では、金属筐体に凹部を形成するという比較的安価なプレス加工によって空洞を形成できるので、低コスト化が図れる。また、第１の誘電体基板は、単層構成を用いるので、実施の形態１よりも低コスト化が図れる。なお、第１の誘電体基板を多層構成とする場合は、内層グランド導体パターンに、裏面グランド導体パターンと同様の開口を形成すればよい。内層グランド導体パターンをスルーホールにより、裏面グランド導体パターンに接続することは言うまでもない。

次に、実施の形態１，２に示したサスペンデッド線路構造において、信号導体パターン２１の上部に形成する空洞の高さは、バンプ導体３の高さで定められるが、バンプ導体３が半田バンプである場合、リフロー時に拡散するので、該上部空洞の高さを、予め定めた所望値に設定するのが困難になる場合がある。そこで、実施の形態３，４として、バンプ導体３が半田バンプである場合の、上部空洞の高さを制御する方法について説明する。

実施の形態３．
図１０は、本発明の実施の形態３として、バンプ導体による接続構造の一例を説明する図であり、（１）は第１の誘電体基板の表面図、（２）は第２の誘電体基板の裏面図である。

バンプ導体３が半田バンプである場合、第１の誘電体基板２，１１では、図１０（１）に示すように、帯状表面グランド導体パターン２２ａ，２２ｂの、信号導体パターン２１の線路幅の広い中央部所定長領域に対応する領域長範囲に在る各スルーホール２５の周囲をレジスト２８ａで囲み、互いを分離しておく。同様に、第２の誘電体基板４では、図１０（２）に示すように、裏面グランド導体パターン２６において、帯状表面グランド導体パターン２２ａ，２２ｂに対応する領域において、レジスト２８ｂを対応する形状に塗布しておく。

このようにレジスト２８ａ，２８ｂ塗布による分離枠を形成した帯状表面グランド導体パターン２２ａ，２２ｂと裏面グランド導体パターン２６とを半田バンプ３で接続する。そうすると、リフロー時に半田バンプ３の拡散を防止できるので、バンプの高さ制御を容易に行うことができる。

実施の形態４．
図１１は、本発明の実施の形態４として、バンプ導体による接続構造の他の一例を説明する図であり、（１）は第１の誘電体基板の表面図、（２）（３）は第２の誘電体基板の表裏面図である。

用いる誘電体基板が、レジスト塗布による分離枠形成が困難なセラミック基板等である場合は、第１の誘電体基板２，１１では、図１１（１）に示すように、帯状表面グランド導体パターン２２ａ，２２ｂの、信号導体パターン２１の線路幅の広い中央部所定長領域に対応する領域長範囲を、半田バンプ３が接触するスルーホール２５毎に分離して形成しておく。同様に、第２の誘電体基板４の裏面では、図１１（３）に示すように、裏面グランド導体パターン２６を、全面パターンとするのではなく、帯状表面グランド導体パターン２２ａ，２２ｂに対応する裏面領域において、分離して形成しておく。この場合は、第２の誘電体基板４の表面全面を、表面グランド導体パターン２７で被覆し、分離形成した裏面グランド導体パターン２６をスルーホール２８により表面グランド導体パターン２７に接続して、分離形成した裏面グランド導体パターン２６が同電位となるようにする。

このように分離形成した帯状表面グランド導体パターン２２ａ，２２ｂと裏面グランド導体パターン２６とを半田バンプ３で接続する。そうすると、リフロー時に半田バンプ３の拡散を防止できるので、バンプの高さ制御を容易に行うことができる。

以上のように、本発明にかかる高周波伝送線路は、サスペンデッド線路部の特性インピーダンスを安定的に保持でき、特性インピーダンス制御の容易化が図れるサスペンデッド線路構造を有する高周波伝送線路として有用であり、特に、伝送路損失が問題となるマイクロ波帯やミリ波帯で用いるのに適している。

１，１０ 金属筐体
２，１１ 第１の誘電体基板
３ バンプ導体
４ 第２の誘電体基板
５，１５ 空洞
６ 開口
１４ 凹部
２１ 信号導体パターン
２２ａ，２２ｂ 帯状表面グランド導体パターン
２３ 内層グランド導体パターン
２４，２６ 裏面グランド導体パターン
２５，２８ スルーホール
２７ 表面グランド導体パターン

Claims (10)

1. 金属筐体と、
   前記金属筐体の線路配置面に裏面が接して配置され、内層グランド導体パターンを有する多層構成の第１の誘電体基板であって、
   一方端の入出力ポートと他方端の入出力ポートとの間を接続する信号導体パターンであって、両端の入出力ポート側領域と、前記入出力ポート側領域より幅広である所定長の中央部領域とを有する信号導体パターンと、該信号導体パターンの幅方向両側に該信号導体パターンに沿って配置される２本の帯状表面グランド導体パターンとが表面に形成され、
   前記信号導体パターンの中央部領域の直下に、前記中央部領域に対応した大きさの開口を有するように裏面グランド導体パターンが、裏面に形成され、
   裏面側内部に、前記開口の周縁から前記表面に向かった所定高さ位置まで前記開口の内側が削除された空洞が形成され、
   前記２本の帯状表面グランド導体パターンと共にスルーホールにより前記裏面グランド導体パターンに接続される前記内層グランド導体パターンは、前記空洞の外周形状に合わせた開口を有して形成されている第１の誘電体基板と、
   前記第１の誘電体基板における前記信号導体パターンの前記中央部領域の直上に配置され、前記中央部領域を覆う程度の大きさを有する多層構成または単層構成の第２の誘電体基板であって、前記第１の誘電体基板の表面と対面する裏面全面に裏面グランド導体パターンが形成される第２の誘電体基板と、
   前記２本の帯状表面グランド導体パターンと前記第２の誘電体基板の前記裏面グランド導体パターンとを接続する複数のバンプ導体と
   を備え、前記信号導体パターンは、前記中央部領域をサスペンデッド線路構造とし、前記両端の入出力ポート側領域をマイクロストリップ線路構造とすることを特徴とする高周波伝送線路。
2. 金属筐体と、
   前記金属筐体の線路配置面に裏面が接して配置される単層構成の第１の誘電体基板であって、
   一方端の入出力ポートと他方端の入出力ポートとの間を接続する信号導体パターンであって、両端の入出力ポート側領域と、前記入出力ポート側領域より幅広である所定長の中央部領域とを有する信号導体パターンと、該信号導体パターンの幅方向両側に該信号導体パターンに沿って配置される２本の帯状表面グランド導体パターンとが表面に形成され、
   前記信号導体パターンの中央部領域の直下に、前記中央部領域に対応した大きさの開口を有するように裏面グランド導体パターンが、裏面に形成され、
   裏面側内部に、前記開口の周縁から前記表面に向かった所定高さ位置まで前記開口の内側が削除された空洞が形成され、前記２本の帯状表面グランド導体パターンは、スルーホールにより前記裏面グランド導体パターンに接続される第１の誘電体基板と、
   前記第１の誘電体基板における前記信号導体パターンの前記中央部領域の直上に配置され、前記中央部領域を覆う程度の大きさを有する多層構成または単層構成の第２の誘電体基板であって、前記第１の誘電体基板の表面と対面する裏面全面に裏面グランド導体パターンが形成される第２の誘電体基板と、
   前記２本の帯状表面グランド導体パターンと前記第２の誘電体基板の前記裏面グランド導体パターンとを接続する複数のバンプ導体と
   を備え、前記信号導体パターンは、前記中央部領域をサスペンデッド線路構造とし、前記両端の入出力ポート側領域をマイクロストリップ線路構造とすることを特徴とする高周波伝送線路。
3. 金属筐体と、
   前記金属筐体の線路配置面に裏面が接して配置され、内層グランド導体パターンを有する多層構成の第１の誘電体基板であって、
   一方端の入出力ポートと他方端の入出力ポートとの間を接続する信号導体パターンであって、両端の入出力ポート側領域と、前記入出力ポート側領域より幅広である所定長の中央部領域とを有する信号導体パターンと、該信号導体パターンの幅方向両側に該信号導体パターンに沿って配置される２本の帯状表面グランド導体パターンとが表面に形成され、
   前記信号導体パターンの中央部領域の直下に、前記中央部領域に対応した大きさの開口を有するように裏面グランド導体パターンが、裏面に形成され、
   前記信号導体パターンの中央部領域の直下に、前記中央部領域に対応した大きさの開口を有するように前記内層グランド導体パターンが形成され、
   前記内層グランド導体パターンは、前記２本の帯状表面グランド導体パターンと共にスルーホールにより前記裏面グランド導体パターンに接続される第１の誘電体基板と、
   前記第１の誘電体基板における前記信号導体パターンの前記中央部領域の直上に配置され、前記中央部領域を覆う程度の大きさを有する多層構成または単層構成の第２の誘電体基板であって、前記第１の誘電体基板の表面と対面する裏面全面に裏面グランド導体パターンが形成される第２の誘電体基板と、
   前記２本の帯状表面グランド導体パターンと前記第２の誘電体基板の前記裏面グランド導体パターンとを接続する複数のバンプ導体と
   を備え、
   前記金属筐体の線路配置面に、前記開口の形成領域に対応する位置において前記開口の周縁から前記金属筐体内部に向かった所定深さ位置まで前記開口の内側に対応する部分が削除された空洞となる凹部が形成され、
   前記信号導体パターンは、前記中央部領域をサスペンデッド線路構造とし、前記両端の入出力ポート側領域をマイクロストリップ線路構造とすることを特徴とする高周波伝送線路。
4. 金属筐体と、
   前記金属筐体の線路配置面に裏面が接して配置される単層構成の第１の誘電体基板であって、
   一方端の入出力ポートと他方端の入出力ポートとの間を接続する信号導体パターンであって、両端の入出力ポート側領域と、前記入出力ポート側領域より幅広である所定長の中央部領域とを有する信号導体パターンと、該信号導体パターンの幅方向両側に該信号導体パターンに沿って配置される２本の帯状表面グランド導体パターンとが表面に形成され、
   前記信号導体パターンの中央部領域の直下に、前記中央部領域に対応した大きさの開口を有するように裏面グランド導体パターンが、裏面に形成され、
   前記２本の帯状表面グランド導体パターンは、スルーホールにより前記裏面グランド導体パターンに接続される第１の誘電体基板と、
   前記第１の誘電体基板における前記信号導体パターンの前記中央部領域の直上に配置され、前記中央部領域を覆う程度の大きさを有する多層構成または単層構成の第２の誘電体基板であって、前記第１の誘電体基板の表面と対面する裏面全面に裏面グランド導体パターンが形成される第２の誘電体基板と、
   前記２本の帯状表面グランド導体パターンと前記第２の誘電体基板の前記裏面グランド導体パターンとを接続する複数のバンプ導体と
   を備え、
   前記金属筐体の線路配置面に、前記開口の形成領域に対応する位置において前記開口の周縁から前記金属筐体内部に向かった所定深さ位置まで前記開口の内側に対応する部分が削除された空洞となる凹部が形成され、
   前記信号導体パターンは、前記中央部領域をサスペンデッド線路構造とし、前記両端の入出力ポート側領域をマイクロストリップ線路構造とすることを特徴とする高周波伝送線路。
5. 前記バンプ導体は、半田バンプまたは金属バンプであることを特徴とする請求項１〜４のいずれか一つに記載の高周波伝送線路。
6. 前記第１の誘電体基板は、前記２本の帯状表面グランド導体パターンの前記信号導体パターンの前記中央部領域に対応する領域に、前記バンプ導体の接続箇所毎に該接続箇所を囲んでレジストを塗布した分離枠が形成され、
   前記第２の誘電体基板は、前記裏面グランド導体パターンに、前記バンプ導体の接続箇所毎に該接続箇所を囲んでレジストを塗布した分離枠が形成されていることを特徴とする請求項１〜４のいずれか一つに記載の高周波伝送線路。
7. 前記第１の誘電体基板は、前記２本の帯状表面グランド導体パターンが、前記信号導体パターンの前記中央部領域に対応する領域において、前記バンプ導体の接続箇所毎に分離して形成され、
   前記第２の誘電体基板は、表面に、全面を被覆する表面グランド導体パターンが形成され、前記裏面グランド導体パターンが、裏面全面ではなく、前記バンプ導体の接続箇所毎に分離して形成され、それぞれがスルーホールにより前記表面グランド導体パターンに接続されている
   ことを特徴とする請求項１〜４のいずれか一つに記載の高周波伝送線路。
8. 前記第１の誘電体基板と前記第２の誘電体基板は、それぞれ同一の材質で形成されていることを特徴とする請求項１〜４のいずれか一つに記載の高周波伝送線路。
9. 前記バンプ導体は、半田バンプであることを特徴とする請求項６または７に記載の高周波伝送線路。
10. 前記第１の誘電体基板と前記第２の誘電体基板は、それぞれセラミック基板であることを特徴とする請求項７に記載の高周波伝送線路。

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