JPH08139503A - 高周波半導体装置用基板 - Google Patents
高周波半導体装置用基板Info
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- JPH08139503A JPH08139503A JP6280219A JP28021994A JPH08139503A JP H08139503 A JPH08139503 A JP H08139503A JP 6280219 A JP6280219 A JP 6280219A JP 28021994 A JP28021994 A JP 28021994A JP H08139503 A JPH08139503 A JP H08139503A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 その上下の両面を高周波半導体チップの実装
面にして、複数の高周波半導体チップを高密度に実装す
ることができる高周波半導体装置用基板を得る。 【構成】 その厚さ方向の中間部にグランド層２を挿設
し、その上下両面に当該グランド層２とでマイクロスト
リップ線路を構成する信号線路パターン３ａ，３ｂを設
けたＴＡＢテープ本体１ａの所定領域に、信号線路パタ
ーン３ａ，３ｂに接続して，当該信号線路パターン３
ａ，３ｂ間における高周波信号の伝送を可能とするコン
タクトスルーホール５を、これがグランド層２と電気的
に分離されるように形成する。
面にして、複数の高周波半導体チップを高密度に実装す
ることができる高周波半導体装置用基板を得る。 【構成】 その厚さ方向の中間部にグランド層２を挿設
し、その上下両面に当該グランド層２とでマイクロスト
リップ線路を構成する信号線路パターン３ａ，３ｂを設
けたＴＡＢテープ本体１ａの所定領域に、信号線路パタ
ーン３ａ，３ｂに接続して，当該信号線路パターン３
ａ，３ｂ間における高周波信号の伝送を可能とするコン
タクトスルーホール５を、これがグランド層２と電気的
に分離されるように形成する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は高周波半導体装置用基板
に関し、特に、高周波半導体チップの実装密度を大きく
できる高周波半導体装置用基板に関するものである。
に関し、特に、高周波半導体チップの実装密度を大きく
できる高周波半導体装置用基板に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】図１１は従来のＴＡＢ(Tape automated
bonding)テープに高周波半導体チップを実装してなる高
周波半導体装置の構成を示す図で、図１１(a) はその上
面図であり、図１１(b) は図１１(a) のXIb-XIb 線にお
ける断面図である。図において、１はポリイミドからな
るＴＡＢテープ本体、２はＴＡＢテープ本体１の下面
（裏面）に形成された高周波信号用裏面グランド層、３
はＴＡＢテープ本体１の上面に形成された回路パターン
（マイクロストリップ線路の信号線路パターン）であ
る。また、４はＴＡＢテープ本体１の上面に実装された
高周波半導体チップである。ここで、ＴＡＢテープ本体
１，高周波信号用グランド層２，及び回路パターン３に
よりＴＡＢテープ１０００が構成されている。
bonding)テープに高周波半導体チップを実装してなる高
周波半導体装置の構成を示す図で、図１１(a) はその上
面図であり、図１１(b) は図１１(a) のXIb-XIb 線にお
ける断面図である。図において、１はポリイミドからな
るＴＡＢテープ本体、２はＴＡＢテープ本体１の下面
（裏面）に形成された高周波信号用裏面グランド層、３
はＴＡＢテープ本体１の上面に形成された回路パターン
（マイクロストリップ線路の信号線路パターン）であ
る。また、４はＴＡＢテープ本体１の上面に実装された
高周波半導体チップである。ここで、ＴＡＢテープ本体
１，高周波信号用グランド層２，及び回路パターン３に
よりＴＡＢテープ１０００が構成されている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】従来の高周波半導体装
置は、上記のように、ＴＡＢテープ本体１の一方の面
（例えば上面）に回路パターン３を形成し、他方の面
（例えは下面）にグランド層２を形成してなるＴＡＢテ
ープ１０００を用い、このＴＡＢテープ１０００の一方
の面、すなわち、ＴＡＢテープ本体１の回路パターン３
が形成された一方の面に高周波半導体チップ４を実装し
て構成されているので、高周波半導体チップを複数個実
装する場合、ＴＡＢテープ１０００のチップの実装面、
すなわち、上記ＴＡＢテープ本体１の一方の面の面積に
よって、その個数が制限され、高周波半導体チップの実
装密度を上げることができないという問題点があった。
置は、上記のように、ＴＡＢテープ本体１の一方の面
（例えば上面）に回路パターン３を形成し、他方の面
（例えは下面）にグランド層２を形成してなるＴＡＢテ
ープ１０００を用い、このＴＡＢテープ１０００の一方
の面、すなわち、ＴＡＢテープ本体１の回路パターン３
が形成された一方の面に高周波半導体チップ４を実装し
て構成されているので、高周波半導体チップを複数個実
装する場合、ＴＡＢテープ１０００のチップの実装面、
すなわち、上記ＴＡＢテープ本体１の一方の面の面積に
よって、その個数が制限され、高周波半導体チップの実
装密度を上げることができないという問題点があった。
【０００４】本願発明は上記のような問題点を解消する
ためになされたもので、その上下の両面を高周波半導体
チップの実装面にして、複数の高周波半導体チップを高
密度に実装することができる高周波半導体装置用基板を
得ることを目的とする。
ためになされたもので、その上下の両面を高周波半導体
チップの実装面にして、複数の高周波半導体チップを高
密度に実装することができる高周波半導体装置用基板を
得ることを目的とする。
【０００５】
【課題を解決するための手段】この発明（請求項１）に
かかる高周波半導体装置用基板は、誘電体物質からなる
基板本体と、上記基板本体の所定領域に形成されたスル
ーホールと、上記基板本体の上記スルーホールの形成領
域と，当該スルーホールの周囲の基板領域とを除く基板
領域の全域にて、その厚さ方向の中間部に挿入されて設
けられたグランド層と、少なくとも上記スルーホールの
内壁を被覆するように設けられ、上記基板本体の上面及
び下面の各々の所定領域に形成された高周波伝送用線路
の信号線路間を相互に接続する高周波伝送用スルーホー
ル配線とを備えたことを特徴とするものである。
かかる高周波半導体装置用基板は、誘電体物質からなる
基板本体と、上記基板本体の所定領域に形成されたスル
ーホールと、上記基板本体の上記スルーホールの形成領
域と，当該スルーホールの周囲の基板領域とを除く基板
領域の全域にて、その厚さ方向の中間部に挿入されて設
けられたグランド層と、少なくとも上記スルーホールの
内壁を被覆するように設けられ、上記基板本体の上面及
び下面の各々の所定領域に形成された高周波伝送用線路
の信号線路間を相互に接続する高周波伝送用スルーホー
ル配線とを備えたことを特徴とするものである。
【０００６】更に、この発明（請求項２）は、上記高周
波半導体装置用基板において、上記高周波伝送用スルー
ホール配線を、上記スルーホール内を充填するように設
けられたものである。
波半導体装置用基板において、上記高周波伝送用スルー
ホール配線を、上記スルーホール内を充填するように設
けられたものである。
【０００７】更に、この発明（請求項３）は、上記高周
波半導体装置用基板において、上記高周波伝送線路をマ
イクロストリップ線路としたものである。
波半導体装置用基板において、上記高周波伝送線路をマ
イクロストリップ線路としたものである。
【０００８】更に、この発明（請求項４）は、上記高周
波半導体装置用基板において、上記高周波伝送線路をマ
イクロストリップ線路とし、上記高周波伝送用スルーホ
ール配線と上記グランド層間の距離を、上記グランド層
と上記マイクロストリップ線路の信号線路間の距離の１
〜３倍の距離にしたものである。
波半導体装置用基板において、上記高周波伝送線路をマ
イクロストリップ線路とし、上記高周波伝送用スルーホ
ール配線と上記グランド層間の距離を、上記グランド層
と上記マイクロストリップ線路の信号線路間の距離の１
〜３倍の距離にしたものである。
【０００９】更に、この発明（請求項５）は、上記高周
波半導体装置用基板において、上記高周波伝送線路をコ
プレーナ線路とし、上記基板本体の上記スルーホールの
周辺の基板領域に形成された、当該スルーホールとは異
なる他のスルーホールと、少なくともこの他のスルーホ
ールの内壁面を被覆するように設けられ、上記基板の上
面及び下面の各々の所定領域に形成された上記コプレー
ナ線路のグランド線路間を相互に接続するグランド用ス
ルーホール配線とを備えたものとしたものである。
波半導体装置用基板において、上記高周波伝送線路をコ
プレーナ線路とし、上記基板本体の上記スルーホールの
周辺の基板領域に形成された、当該スルーホールとは異
なる他のスルーホールと、少なくともこの他のスルーホ
ールの内壁面を被覆するように設けられ、上記基板の上
面及び下面の各々の所定領域に形成された上記コプレー
ナ線路のグランド線路間を相互に接続するグランド用ス
ルーホール配線とを備えたものとしたものである。
【００１０】更に、この発明（請求項６）にかかる高周
波半導体装置用基板は、誘電体物質からなる基板本体
と、上記基板本体のその側面の一部に後述する側面配線
が当接する所定の基板領域を除く基板領域の全域におい
て、その厚さ方向の中間部に挿入されて設けられたグラ
ンド層と、上記所定の基板領域の側面に形成され、上記
基板本体の上面及び下面の各々の所定領域に形成された
高周波伝送用線路の信号線路間を相互に接続する高周波
伝送用側面配線とを備えたことを特徴とするものであ
る。
波半導体装置用基板は、誘電体物質からなる基板本体
と、上記基板本体のその側面の一部に後述する側面配線
が当接する所定の基板領域を除く基板領域の全域におい
て、その厚さ方向の中間部に挿入されて設けられたグラ
ンド層と、上記所定の基板領域の側面に形成され、上記
基板本体の上面及び下面の各々の所定領域に形成された
高周波伝送用線路の信号線路間を相互に接続する高周波
伝送用側面配線とを備えたことを特徴とするものであ
る。
【００１１】更に、この発明（請求項７）は、上記高周
波半導体装置用基板において、上記高周波伝送線路をマ
イクロストリップ線路としたものである。
波半導体装置用基板において、上記高周波伝送線路をマ
イクロストリップ線路としたものである。
【００１２】更に、この発明（請求項８）は、上記高周
波半導体装置用基板において、上記高周波伝送線路をコ
プレーナ線路とし、上記所定の基板領域の側面に形成さ
れ、上記基板の上面及び下面の各々の所定領域に形成さ
れた上記コプレーナ線路のグランド線路間を相互に接続
するグランド用側面配線を備えたものとしたものであ
る。
波半導体装置用基板において、上記高周波伝送線路をコ
プレーナ線路とし、上記所定の基板領域の側面に形成さ
れ、上記基板の上面及び下面の各々の所定領域に形成さ
れた上記コプレーナ線路のグランド線路間を相互に接続
するグランド用側面配線を備えたものとしたものであ
る。
【００１３】更に、この発明（請求項９）は、上記高周
波半導体装置用基板において、上記高周波伝送用の配線
を、その中間部に絶縁層が挿入されて、カップラを形成
してなるものとしたものである。
波半導体装置用基板において、上記高周波伝送用の配線
を、その中間部に絶縁層が挿入されて、カップラを形成
してなるものとしたものである。
【００１４】
【作用】この発明（請求項１〜９）においては、上記構
成としたから、上記高周波伝送用スールホール配線，ま
たは上記高周波伝送用側面配線により、上記基板本体の
上下面にそれぞれ形成されている高周波伝送線路（マイ
クロストリップ線路，コプレーナ線路）の信号線路間に
おける高周波信号の伝送が可能となり、上記基板本体の
上下面を高周波半導体チップの実装面にすることができ
る。
成としたから、上記高周波伝送用スールホール配線，ま
たは上記高周波伝送用側面配線により、上記基板本体の
上下面にそれぞれ形成されている高周波伝送線路（マイ
クロストリップ線路，コプレーナ線路）の信号線路間に
おける高周波信号の伝送が可能となり、上記基板本体の
上下面を高周波半導体チップの実装面にすることができ
る。
【００１５】更に、この発明（請求項４）においては、
上記構成としたから、上記マイクロストリップ線路の信
号線路と上記高周波伝送用スルーホール配線とのインピ
ーダンス整合がとれ、当該高周波伝送用スルーホール配
線の通過損失値，ＶＳＷＲ値を小さくすることができ
る。
上記構成としたから、上記マイクロストリップ線路の信
号線路と上記高周波伝送用スルーホール配線とのインピ
ーダンス整合がとれ、当該高周波伝送用スルーホール配
線の通過損失値，ＶＳＷＲ値を小さくすることができ
る。
【００１６】更に、この発明（請求項９）においては、
上記構成としたから、上記基板本体の上下面にそれぞれ
形成されている高周波伝送線路（マイクロストリップ線
路，コプレーナ線路）を伝送する高周波信号の伝送電位
が異なる場合でも、上面と下面間で、一方から他方へ高
周波信号を伝送することが可能となる。
上記構成としたから、上記基板本体の上下面にそれぞれ
形成されている高周波伝送線路（マイクロストリップ線
路，コプレーナ線路）を伝送する高周波信号の伝送電位
が異なる場合でも、上面と下面間で、一方から他方へ高
周波信号を伝送することが可能となる。
【００１７】
【実施例】実施例１ ．図１は、本発明の実施例１によるＴＡＢテー
プを用いて構成された高周波半導体装置の構成を示す断
面図であり、図において、１ａはポリイミドからなるＴ
ＡＢテープ本体、２はＴＡＢテープ本体の厚さ方向の中
間部に挿入されるよう設けられた高周波信号用グランド
層、３ａ，３ｂはＴＡＢテープ本体１の上面と下面にそ
れぞれ形成された回路パターン（マイクロストリップ線
路の信号線路パターン）である。４ａ，４ｂはＴＡＢテ
ープ１の上面にそれぞれ実装された高周波半導体チッ
プ、５はコンタクトスルーホールで、ＴＡＢテープ本体
１に形成されたスルーホール５ａと、当該スルーホール
５ａの内部に充填され、ＴＡＢテープ本体１の上面と下
面にそれぞれ形成されているマイクロストリップ線路の
信号線路パターン３ａ，３ｂ間を相互に接続する金属配
線５ｂとからなっている。１００はＴＡＢテープであ
る。ここで、ＴＡＢテープ本体１ａ，高周波信号用グラ
ンド層２，及びマイクロストリップ線路の信号線路パタ
ーン３ａ，３ｂによりＴＡＢテープ１００が構成されて
いる。なお、高周波信号用グランド層２はコンタクトス
ルーホール５の周辺には形成されていない。
プを用いて構成された高周波半導体装置の構成を示す断
面図であり、図において、１ａはポリイミドからなるＴ
ＡＢテープ本体、２はＴＡＢテープ本体の厚さ方向の中
間部に挿入されるよう設けられた高周波信号用グランド
層、３ａ，３ｂはＴＡＢテープ本体１の上面と下面にそ
れぞれ形成された回路パターン（マイクロストリップ線
路の信号線路パターン）である。４ａ，４ｂはＴＡＢテ
ープ１の上面にそれぞれ実装された高周波半導体チッ
プ、５はコンタクトスルーホールで、ＴＡＢテープ本体
１に形成されたスルーホール５ａと、当該スルーホール
５ａの内部に充填され、ＴＡＢテープ本体１の上面と下
面にそれぞれ形成されているマイクロストリップ線路の
信号線路パターン３ａ，３ｂ間を相互に接続する金属配
線５ｂとからなっている。１００はＴＡＢテープであ
る。ここで、ＴＡＢテープ本体１ａ，高周波信号用グラ
ンド層２，及びマイクロストリップ線路の信号線路パタ
ーン３ａ，３ｂによりＴＡＢテープ１００が構成されて
いる。なお、高周波信号用グランド層２はコンタクトス
ルーホール５の周辺には形成されていない。
【００１８】図２は図１に示したＴＡＢテープの製造工
程の一例を示す工程別断面図であり、図において、１０
ａ，１０ｂはポリイミドテープ、１１ａ，１１ｂはＣｕ
層、１２ａ，１２ｂは孔、１３ａ，１３ｂはＣｕ層、１
００はＴＡＢテープである。
程の一例を示す工程別断面図であり、図において、１０
ａ，１０ｂはポリイミドテープ、１１ａ，１１ｂはＣｕ
層、１２ａ，１２ｂは孔、１３ａ，１３ｂはＣｕ層、１
００はＴＡＢテープである。
【００１９】以下、この図２に基づいてＴＡＢテープの
製造工程を説明する。
製造工程を説明する。
【００２０】まず、図２(a) に示すように、ポリイミド
テープ１０ａの上下面にスパッタ等の蒸着法によりＣｕ
層１１ａ，１１ｂを形成する。
テープ１０ａの上下面にスパッタ等の蒸着法によりＣｕ
層１１ａ，１１ｂを形成する。
【００２１】次に、図２(b) に示すように、レーザエッ
チング法等を用いて、Ｃｕ層１１ａ，ポリイミドテープ
１０ａを貫通して、Ｃｕ層１１ｂに達する孔１２ａ，１
２ｂを形成する。
チング法等を用いて、Ｃｕ層１１ａ，ポリイミドテープ
１０ａを貫通して、Ｃｕ層１１ｂに達する孔１２ａ，１
２ｂを形成する。
【００２２】次に、図２(c) に示すように、写真製版技
術，及びエッチング技術を用いて、Ｃｕ層１１ａをこれ
が回路パターン（マイクロストリップ線路の信号線路パ
ターン）となるようにパターニングし、Ｃｕ層１１ｂの
孔１２ａ，１２ｂを塞ぐ部分の周囲の部分を選択的に除
去する。
術，及びエッチング技術を用いて、Ｃｕ層１１ａをこれ
が回路パターン（マイクロストリップ線路の信号線路パ
ターン）となるようにパターニングし、Ｃｕ層１１ｂの
孔１２ａ，１２ｂを塞ぐ部分の周囲の部分を選択的に除
去する。
【００２３】次に、写真製版技術によりポリイミドテー
プ１０ａの上面の孔１２ａ，１２ｂを除く領域にレジス
ト膜を形成した後、スパッタ等の蒸着，またはメッキに
より、Ｃｕ層を形成し、レジスト膜とともにレジスト膜
を覆っているＣｕ層を除去すると、図２(d) に示すよう
に、孔１２ａ，１２ｂ内を充填し、Ｃｕ層１１ａとＣｕ
層１１ｂを接続するＣｕ層１３ａ，１３ｂが形成され
る。
プ１０ａの上面の孔１２ａ，１２ｂを除く領域にレジス
ト膜を形成した後、スパッタ等の蒸着，またはメッキに
より、Ｃｕ層を形成し、レジスト膜とともにレジスト膜
を覆っているＣｕ層を除去すると、図２(d) に示すよう
に、孔１２ａ，１２ｂ内を充填し、Ｃｕ層１１ａとＣｕ
層１１ｂを接続するＣｕ層１３ａ，１３ｂが形成され
る。
【００２４】次に、前述の工程で，ポリイミドテープ１
０ａのＣｕ層１１ｂの孔１２ａ，１２ｂを塞ぐ部分の周
囲を除去して形成された凹部に、樹脂等の絶縁物（図示
せず。）を埋め込む。
０ａのＣｕ層１１ｂの孔１２ａ，１２ｂを塞ぐ部分の周
囲を除去して形成された凹部に、樹脂等の絶縁物（図示
せず。）を埋め込む。
【００２５】次に、図２(e) に示すように、上記ポリイ
ミドテープ１０ａと、以上説明した工程と全く同様の工
程によりＣｕ層１１ａ，１１ｂ，孔１２ａ，１２ｂ，及
びＣｕ層１３ａ，１３ｂが形成されたポリイミドテープ
１０ｂの各々のＣｕ層１１ｂ同士を導電性の接着剤を用
いて張り合わせると，ＴＡＢテープ１００が完成する。
ここでは、ポリイミドテープ１０ａ，１０ｂの双方に形
成された孔１２ａ，１２ｂ）と、ポリイミドテープ１０
ａ，１０ｂの双方に形成されたＣｕ層１３ａ，１３ｂ
と、ポリイミドテープ１０ａ，１０ｂの双方に形成され
たＣｕ層１１ｂの孔１２ａ，１２ｂを塞ぐ部分とによ
り、図１に示すコンタクトスルーホール５が構成され
る。
ミドテープ１０ａと、以上説明した工程と全く同様の工
程によりＣｕ層１１ａ，１１ｂ，孔１２ａ，１２ｂ，及
びＣｕ層１３ａ，１３ｂが形成されたポリイミドテープ
１０ｂの各々のＣｕ層１１ｂ同士を導電性の接着剤を用
いて張り合わせると，ＴＡＢテープ１００が完成する。
ここでは、ポリイミドテープ１０ａ，１０ｂの双方に形
成された孔１２ａ，１２ｂ）と、ポリイミドテープ１０
ａ，１０ｂの双方に形成されたＣｕ層１３ａ，１３ｂ
と、ポリイミドテープ１０ａ，１０ｂの双方に形成され
たＣｕ層１１ｂの孔１２ａ，１２ｂを塞ぐ部分とによ
り、図１に示すコンタクトスルーホール５が構成され
る。
【００２６】このように本実施例によるＴＡＢテープ１
００では、その厚さ方向の中間部に高周波信号用のグラ
ンド層２を挿入し、その上下両面にグランド層２とでマ
イクロストリップ線路を構成する，信号線路パターン３
ａ，３ｂを形成し、この信号線路パターン３ａ，３ｂ
を、ＴＡＢテープ本体１ａのスルーホール５ａ内に埋め
込み形成した，グランド層２と電気的に分離された金属
配線５ｂによって接続して、その上面と下面間で高周波
信号を伝送することが可能な構造になっている。従っ
て、ＴＡＢテープ１００の上下面にそれぞれ高周波半導
体チップ４ａ，４ｂを実装することにより、図１０に示
した従来のＴＡＢテープを用いた高周波半導体装置に比
して、チップの実装密度が２倍になった高周波半導体装
置を得ることができ、その結果、高周波半導体装置（Ｔ
ＡＢテープ本体）の占有面積を小さくすることができ
る。
００では、その厚さ方向の中間部に高周波信号用のグラ
ンド層２を挿入し、その上下両面にグランド層２とでマ
イクロストリップ線路を構成する，信号線路パターン３
ａ，３ｂを形成し、この信号線路パターン３ａ，３ｂ
を、ＴＡＢテープ本体１ａのスルーホール５ａ内に埋め
込み形成した，グランド層２と電気的に分離された金属
配線５ｂによって接続して、その上面と下面間で高周波
信号を伝送することが可能な構造になっている。従っ
て、ＴＡＢテープ１００の上下面にそれぞれ高周波半導
体チップ４ａ，４ｂを実装することにより、図１０に示
した従来のＴＡＢテープを用いた高周波半導体装置に比
して、チップの実装密度が２倍になった高周波半導体装
置を得ることができ、その結果、高周波半導体装置（Ｔ
ＡＢテープ本体）の占有面積を小さくすることができ
る。
【００２７】実施例２．図３はこの発明の実施例２によ
るＴＡＢテープのスルーホールの形成領域を示した断面
図であり、図において、図１と同一符号は同一または相
当する部分を示し、６はコンタクトスルーホール５とグ
ランド層２がショートしないようにコンタクトスルーホ
ール５の周りに設けた樹脂等からなる絶縁物層、２００
はＴＡＢテープである。また、図中ａはマイクロストリ
ップ線路の信号線路パターン３ａ，３ｂとグランド層２
間の距離、ｂはグランド層２とコンタクトスルーホール
５間の距離、ｒはコンタクトスルーホール５の直径を示
している。なお、図示しない他の領域の構成は実施例１
と同じである。
るＴＡＢテープのスルーホールの形成領域を示した断面
図であり、図において、図１と同一符号は同一または相
当する部分を示し、６はコンタクトスルーホール５とグ
ランド層２がショートしないようにコンタクトスルーホ
ール５の周りに設けた樹脂等からなる絶縁物層、２００
はＴＡＢテープである。また、図中ａはマイクロストリ
ップ線路の信号線路パターン３ａ，３ｂとグランド層２
間の距離、ｂはグランド層２とコンタクトスルーホール
５間の距離、ｒはコンタクトスルーホール５の直径を示
している。なお、図示しない他の領域の構成は実施例１
と同じである。
【００２８】上記実施例１のＴＡＢテープ１００、すな
わち、ＴＡＢテープ本体の上下面に形成されたマイクロ
ストリップ線路の信号線路パターンを、ＴＡＢテープ本
体に形成したコンタクトスルーホールを介して相互に接
続した配線構造により、ＴＡＢテープ本体の上面と下面
間での高周波信号の伝送を可能にしたＴＡＢテープで
は、これを用いて形成される高周波半導体装置内での高
周波信号の通過特性を向上させる点から、コンタクトス
ルーホールを、当該コンタクトスルーホールと，ＴＡＢ
テープ本体の上下面に形成されたマイクロストリップ線
路の信号線路パターン間にインピーダンス不整合を生じ
させないものにすることが必要である。
わち、ＴＡＢテープ本体の上下面に形成されたマイクロ
ストリップ線路の信号線路パターンを、ＴＡＢテープ本
体に形成したコンタクトスルーホールを介して相互に接
続した配線構造により、ＴＡＢテープ本体の上面と下面
間での高周波信号の伝送を可能にしたＴＡＢテープで
は、これを用いて形成される高周波半導体装置内での高
周波信号の通過特性を向上させる点から、コンタクトス
ルーホールを、当該コンタクトスルーホールと，ＴＡＢ
テープ本体の上下面に形成されたマイクロストリップ線
路の信号線路パターン間にインピーダンス不整合を生じ
させないものにすることが必要である。
【００２９】本実施例２によるＴＡＢテープ２００は、
コンタクトスルーホール５を、このようなＴＡＢテープ
本体の上下面に形成されたマイクロストリップ線路の信
号線路パターンと、コンタクトスルーホール間にインピ
ーダンス不整合を生じさせないものとするために、上記
グランド層２とコンタクトスルーホール５間の距離ｂ
を、上記マイクロストリップ線路の信号線路パターン３
ａ，３ｂとグランド層２間の距離ａの１〜３倍の距離に
したものである。
コンタクトスルーホール５を、このようなＴＡＢテープ
本体の上下面に形成されたマイクロストリップ線路の信
号線路パターンと、コンタクトスルーホール間にインピ
ーダンス不整合を生じさせないものとするために、上記
グランド層２とコンタクトスルーホール５間の距離ｂ
を、上記マイクロストリップ線路の信号線路パターン３
ａ，３ｂとグランド層２間の距離ａの１〜３倍の距離に
したものである。
【００３０】以下に、このグランド層２とコンタクトス
ルーホール５間の距離ｂを、マイクロストリップ線路の
信号線路パターン３ａ，３ｂとグランド層２間の距離ａ
の１〜３倍の距離にすることにより、マイクロストリッ
プ線路の信号線路パターン３ａ，３ｂと、コンタクトス
ルーホール５間にインピーダンス不整合が生じないもと
なることを検証した電磁界解析シミュレーションについ
て説明する。
ルーホール５間の距離ｂを、マイクロストリップ線路の
信号線路パターン３ａ，３ｂとグランド層２間の距離ａ
の１〜３倍の距離にすることにより、マイクロストリッ
プ線路の信号線路パターン３ａ，３ｂと、コンタクトス
ルーホール５間にインピーダンス不整合が生じないもと
なることを検証した電磁界解析シミュレーションについ
て説明する。
【００３１】図４は本実施例２によるＴＡＢテープ２０
０のコンタクトスルーホール５のマイクロ波通過特性の
電磁界解析シミュレーションを行うために作成した試験
用のＴＡＢテープの構成を示す斜視図であり、図におい
て、図３と同一符号は同一または相当する部分を示し、
７は高周波信号の入力ポート、８は高周波信号の出力ポ
ートである。ここで、マイクロストリップ線路の信号線
路パターン３ａとグランド層２間の距離（ポリイミドの
厚さ）ａは５０μｍ、コンタクトスルーホール５の直径
ｒは１００μｍ、グランド層２の厚みは１０μｍにして
いる。
０のコンタクトスルーホール５のマイクロ波通過特性の
電磁界解析シミュレーションを行うために作成した試験
用のＴＡＢテープの構成を示す斜視図であり、図におい
て、図３と同一符号は同一または相当する部分を示し、
７は高周波信号の入力ポート、８は高周波信号の出力ポ
ートである。ここで、マイクロストリップ線路の信号線
路パターン３ａとグランド層２間の距離（ポリイミドの
厚さ）ａは５０μｍ、コンタクトスルーホール５の直径
ｒは１００μｍ、グランド層２の厚みは１０μｍにして
いる。
【００３２】図５，６は図４の試験用のＴＡＢテープを
用いて、グランド層２とコンタクトスルーホール５間の
距離ｂをパラメータにして、コンタクトスルーホール５
のマイクロ波通過特性を電磁界解析シミュレーションし
た結果を示した図であり、図５はグランド層２とコンタ
クトスルーホール５間の距離ｂに対する高周波信号の通
過損失の関係を示し、図６はグランド層２とコンタクト
スルーホール５間の距離ｂに対する高周波信号の定在波
比（ＶＳＷＲ）の関係を示している。
用いて、グランド層２とコンタクトスルーホール５間の
距離ｂをパラメータにして、コンタクトスルーホール５
のマイクロ波通過特性を電磁界解析シミュレーションし
た結果を示した図であり、図５はグランド層２とコンタ
クトスルーホール５間の距離ｂに対する高周波信号の通
過損失の関係を示し、図６はグランド層２とコンタクト
スルーホール５間の距離ｂに対する高周波信号の定在波
比（ＶＳＷＲ）の関係を示している。
【００３３】この図５，６により、マイクロストリップ
線路の信号線路パターン３ａ，３ｂとグランド層２との
距離（ポリイミドの厚さ）ａが５０μｍであるのに対
し、グランド層２とコンタクトスルーホール５間の距離
ｂが５０〜１５０μｍの時、すなわち、ａに対してｂが
１〜３倍の距離の時、マイクロストリップ線路の信号線
路パターン３ａ，３ｂとコンタクトスルーホール５との
インピーダンス整合がとれ、コンタクトスルーホール５
における通過損失の値，定在波比（ＶＳＷＲ）の値が小
さくなっていることがわかる。
線路の信号線路パターン３ａ，３ｂとグランド層２との
距離（ポリイミドの厚さ）ａが５０μｍであるのに対
し、グランド層２とコンタクトスルーホール５間の距離
ｂが５０〜１５０μｍの時、すなわち、ａに対してｂが
１〜３倍の距離の時、マイクロストリップ線路の信号線
路パターン３ａ，３ｂとコンタクトスルーホール５との
インピーダンス整合がとれ、コンタクトスルーホール５
における通過損失の値，定在波比（ＶＳＷＲ）の値が小
さくなっていることがわかる。
【００３４】このように本実施例のＴＡＢテープ２００
は、グランド層２とコンタクトスルーホール５間の距離
ｂを、マイクロストリップ線路の信号線路パターン３
ａ，３ｂとグランド層２との距離ａの１〜３倍の距離に
しているので、マイクロストリップ線路の信号線路パタ
ーン３ａ，３ｂとコンタクトスルーホール５とのインピ
ーダンス整合がとれ、コンタクトスルーホール５は、そ
の通過損失値，定在波比（ＶＳＷＲ）値が小さくなっ
て、良好なマイクロ波通過特性を示すものとなってい
る。
は、グランド層２とコンタクトスルーホール５間の距離
ｂを、マイクロストリップ線路の信号線路パターン３
ａ，３ｂとグランド層２との距離ａの１〜３倍の距離に
しているので、マイクロストリップ線路の信号線路パタ
ーン３ａ，３ｂとコンタクトスルーホール５とのインピ
ーダンス整合がとれ、コンタクトスルーホール５は、そ
の通過損失値，定在波比（ＶＳＷＲ）値が小さくなっ
て、良好なマイクロ波通過特性を示すものとなってい
る。
【００３５】実施例３．図７はこの発明の実施例３によ
るＴＡＢテープの主要部の構成を示す断面図であり、図
において、図１と同一符号は同一または相当する部分を
示し、９はＴＡＢテープ本体１ａの一側面に形成され、
ＴＡＢテープ本体１ａの上面と下面にそれぞれ形成され
ているマイクロストリップ線路の信号線路パターン３
ａ，３ｂ間を相互に接続している金属配線、１０はグラ
ンド層２と金属配線９とが接触しないように、ＴＡＢテ
ープ本体１ａの上記一側面を含む所定のテープ領域のそ
の厚さ方向の中間部に挿入されて設けられた樹脂等から
なる絶縁物層、３００はＴＡＢテープである。
るＴＡＢテープの主要部の構成を示す断面図であり、図
において、図１と同一符号は同一または相当する部分を
示し、９はＴＡＢテープ本体１ａの一側面に形成され、
ＴＡＢテープ本体１ａの上面と下面にそれぞれ形成され
ているマイクロストリップ線路の信号線路パターン３
ａ，３ｂ間を相互に接続している金属配線、１０はグラ
ンド層２と金属配線９とが接触しないように、ＴＡＢテ
ープ本体１ａの上記一側面を含む所定のテープ領域のそ
の厚さ方向の中間部に挿入されて設けられた樹脂等から
なる絶縁物層、３００はＴＡＢテープである。
【００３６】すなわち、本実施例のＴＡＢテープ３００
は、前述の実施例１，２のようなコンタクトスルーホー
ル５を用いることなく、ＴＡＢテープ本体１ａの所定の
側面に形成した金属配線９により、ＴＡＢテープ（ＴＡ
Ｂテープ本体１ａ）の上下面間での高周波信号の伝送を
可能にしたものである。
は、前述の実施例１，２のようなコンタクトスルーホー
ル５を用いることなく、ＴＡＢテープ本体１ａの所定の
側面に形成した金属配線９により、ＴＡＢテープ（ＴＡ
Ｂテープ本体１ａ）の上下面間での高周波信号の伝送を
可能にしたものである。
【００３７】このような本実施例のＴＡＢテープ３００
においても、上記実施例１のＴＡＢテープ１００と同様
に、その上面と下面に高周波半導体チップを実装するこ
とにより、従来のチップの実装面が単一面からなるＴＡ
Ｂテープを用いた高周波半導体装置に比して、チップの
実装密度が大きくなった高周波半導体装置を得ることが
でき、高周波半導体装置（ＴＡＢテープ本体）の占有面
積が小さくすることができる。
においても、上記実施例１のＴＡＢテープ１００と同様
に、その上面と下面に高周波半導体チップを実装するこ
とにより、従来のチップの実装面が単一面からなるＴＡ
Ｂテープを用いた高周波半導体装置に比して、チップの
実装密度が大きくなった高周波半導体装置を得ることが
でき、高周波半導体装置（ＴＡＢテープ本体）の占有面
積が小さくすることができる。
【００３８】実施例４．図８は、この発明の実施例４に
よるＴＡＢテープの主要部の構成を示す断面図であり、
図において、図１，２と同一符号は同一または相当する
部分を示し、３０ａ，３０ｂはＴＡＢテープ本体１ａの
上下面にそれぞれ形成されたコプレーナ線路、５Ａ〜５
ＣはＴＡＢテープ本体１ａの上下面にそれぞれ形成され
たコプレーナ線路３０ａ，３０ｂを接続するためのコン
タクトスルーホール、４００はＴＡＢテープである。な
お、ＴＡＢテープ本体１ａのこの図で図示した領域以外
の領域には、その上下面にそれぞれが上記コプレーナ線
路３０ａ，３０ｂの信号線路パターンにつながるマイク
ロストリップ線路の信号線路パターンが形成されてい
る。
よるＴＡＢテープの主要部の構成を示す断面図であり、
図において、図１，２と同一符号は同一または相当する
部分を示し、３０ａ，３０ｂはＴＡＢテープ本体１ａの
上下面にそれぞれ形成されたコプレーナ線路、５Ａ〜５
ＣはＴＡＢテープ本体１ａの上下面にそれぞれ形成され
たコプレーナ線路３０ａ，３０ｂを接続するためのコン
タクトスルーホール、４００はＴＡＢテープである。な
お、ＴＡＢテープ本体１ａのこの図で図示した領域以外
の領域には、その上下面にそれぞれが上記コプレーナ線
路３０ａ，３０ｂの信号線路パターンにつながるマイク
ロストリップ線路の信号線路パターンが形成されてい
る。
【００３９】すなわち、本実施例のＴＡＢテープ４００
は、ＴＡＢテープ本体１ａの上下面にそれぞれ図示しな
いマイクロストリップ線路の信号線と，コプレーナ線路
３０ａ，３０ｂを形成してなるＴＡＢテープにおいて、
ＴＡＢテープ本体１ａの上下面に形成されたコプレーナ
線路３０ａ，３０ｂをコンタクトスルーホール５Ａ〜５
Ｃにより接続したものである。
は、ＴＡＢテープ本体１ａの上下面にそれぞれ図示しな
いマイクロストリップ線路の信号線と，コプレーナ線路
３０ａ，３０ｂを形成してなるＴＡＢテープにおいて、
ＴＡＢテープ本体１ａの上下面に形成されたコプレーナ
線路３０ａ，３０ｂをコンタクトスルーホール５Ａ〜５
Ｃにより接続したものである。
【００４０】このような本実施例のＴＡＢテープ４００
においても、上記実施例１のＴＡＢテープ１００と同様
に、その上面と下面に高周波半導体チップを実装するこ
とにより、従来のチップの実装面が単一面からなるＴＡ
Ｂテープを用いた高周波半導体装置に比して、チップの
実装密度が大きくなった高周波半導体装置を得ることが
でき、高周波半導体装置（ＴＡＢテープ本体）の占有面
積を小さくすることができる。
においても、上記実施例１のＴＡＢテープ１００と同様
に、その上面と下面に高周波半導体チップを実装するこ
とにより、従来のチップの実装面が単一面からなるＴＡ
Ｂテープを用いた高周波半導体装置に比して、チップの
実装密度が大きくなった高周波半導体装置を得ることが
でき、高周波半導体装置（ＴＡＢテープ本体）の占有面
積を小さくすることができる。
【００４１】実施例５．図９は、本発明の実施例５によ
るＴＡＢテープの主要部の構成を示す断面図であり、図
において、図８と同一符号は同一または相当する部分を
示し、９ａ〜９ｂはＴＡＢテープ本体１ａの一側面に形
成され、ＴＡＢテープ本体１ａの上下面にそれぞれ形成
されたコプレーナ線路３０ａ，３０ｂ間を相互に接続し
ている金属配線、５００はＴＡＢテープである。
るＴＡＢテープの主要部の構成を示す断面図であり、図
において、図８と同一符号は同一または相当する部分を
示し、９ａ〜９ｂはＴＡＢテープ本体１ａの一側面に形
成され、ＴＡＢテープ本体１ａの上下面にそれぞれ形成
されたコプレーナ線路３０ａ，３０ｂ間を相互に接続し
ている金属配線、５００はＴＡＢテープである。
【００４２】すなわち、本実施例のＴＡＢテープ５００
は、上記実施例４のようなコンタクトスルーホール５Ａ
〜５Ｃを用いることなく、ＴＡＢテープ本体１ａの一側
面に形成した金属配線９ａ〜９ｃにより、ＴＡＢテープ
（ＴＡＢテープ本体１ａ）の上下面間での高周波信号の
伝送を可能にしたものである。
は、上記実施例４のようなコンタクトスルーホール５Ａ
〜５Ｃを用いることなく、ＴＡＢテープ本体１ａの一側
面に形成した金属配線９ａ〜９ｃにより、ＴＡＢテープ
（ＴＡＢテープ本体１ａ）の上下面間での高周波信号の
伝送を可能にしたものである。
【００４３】このような本実施例のＴＡＢテープ５００
においても、上記実施例４のＴＡＢテープ４００と同様
に、従来に比して高周波半導体チップの実装密度が大き
くなった高周波半導体装置を得ることができ、装置（Ｔ
ＡＢテープ本体）の占有面積を小さくすることができ
る。
においても、上記実施例４のＴＡＢテープ４００と同様
に、従来に比して高周波半導体チップの実装密度が大き
くなった高周波半導体装置を得ることができ、装置（Ｔ
ＡＢテープ本体）の占有面積を小さくすることができ
る。
【００４４】実施例６．図１０は、この発明の実施例６
によるＴＡＢテープの主要部の構成を示す断面図であ
り、図において、図１と同一符号は同一または相当する
部分を示し、１５はコンタクトスルーホールで、上面側
部分１５ａと、下面側部分１５ｂとに分断されている。
６ａは絶縁層６におけるコンタクトスルーホール１５の
上面側部分１５ａと下面側部分１５ｂとの間に挿入され
た部分、６００はＴＡＢテープである。
によるＴＡＢテープの主要部の構成を示す断面図であ
り、図において、図１と同一符号は同一または相当する
部分を示し、１５はコンタクトスルーホールで、上面側
部分１５ａと、下面側部分１５ｂとに分断されている。
６ａは絶縁層６におけるコンタクトスルーホール１５の
上面側部分１５ａと下面側部分１５ｂとの間に挿入され
た部分、６００はＴＡＢテープである。
【００４５】すなわち、本実施例のＴＡＢテープ６００
は、コンタクトスルーホール１５の中間部に絶縁層６ａ
を挿入して、当該コンタクトスルーホール１５がカップ
ラを形成してなるものとしたものである。
は、コンタクトスルーホール１５の中間部に絶縁層６ａ
を挿入して、当該コンタクトスルーホール１５がカップ
ラを形成してなるものとしたものである。
【００４６】このような本実施例のＴＡＢテープ６００
では、コンタクトスルーホール１５がカップラを形成し
ているので、ＴＡＢテープ本体１ａの上面と下面におい
て高周波信号の伝送電位が異なる場合でも、上面と下面
間で、一方から他方へ高周波信号を伝送することができ
る。従って、ＴＡＢテープ本体１ａの上面と下面に互い
に異なる電位の高周波信号で動作する高周波半導体チッ
プを実装して、高周波半導体装置を構成することがで
き、前述の実施例のＴＡＢテープに比べて、その使用用
途を拡大することができる。
では、コンタクトスルーホール１５がカップラを形成し
ているので、ＴＡＢテープ本体１ａの上面と下面におい
て高周波信号の伝送電位が異なる場合でも、上面と下面
間で、一方から他方へ高周波信号を伝送することができ
る。従って、ＴＡＢテープ本体１ａの上面と下面に互い
に異なる電位の高周波信号で動作する高周波半導体チッ
プを実装して、高周波半導体装置を構成することがで
き、前述の実施例のＴＡＢテープに比べて、その使用用
途を拡大することができる。
【００４７】なお、上記実施例１，２，４，６では、コ
ンタクトスールホールを構成する金属配線を、これがス
ルーホール内を充填したものとなるように形成したが、
当該金属配線を、これがスルーホールの内壁面を被覆す
るものとなるように形成しても、同様の効果を得ること
ができる。
ンタクトスールホールを構成する金属配線を、これがス
ルーホール内を充填したものとなるように形成したが、
当該金属配線を、これがスルーホールの内壁面を被覆す
るものとなるように形成しても、同様の効果を得ること
ができる。
【００４８】また、本発明においては、上記実施例３，
５のＴＡＢテープ３００，５００のＴＡＢテープ本体１
の所定の側面に形成された金属配線９，９ａ〜９ｃにカ
ップラを形成して、上記実施例６のＴＡＢテープ６００
と同様の効果が得られるＴＡＢテープを構成できること
は言うまでもない。
５のＴＡＢテープ３００，５００のＴＡＢテープ本体１
の所定の側面に形成された金属配線９，９ａ〜９ｃにカ
ップラを形成して、上記実施例６のＴＡＢテープ６００
と同様の効果が得られるＴＡＢテープを構成できること
は言うまでもない。
【００４９】
【発明の効果】以上のように、この発明（請求項１〜
９）にかかる高周波半導体装置用基板によれば、基板本
体の上下面の各所定領域にそれぞれ形成された高周波伝
送線路（マイクロストリップ線路，コプレーナ線路）の
信号線路間を、基板本体のスルーホール内，または基板
本体の一側面に設けた高周波伝送用配線によって相互に
接続したものとしたので、当該高周波伝送用配線によ
り、上記基板本体の上下面にそれぞれ形成されている高
周波伝送線路の信号線路間における高周波信号の伝送が
可能となり、上記基板本体の上下面を高周波半導体チッ
プの実装面にすることができる。従って、従来の半導体
チップの実装面が単一面の高周波半導体装置用基板に比
して、高周波半導体チップを高密度に実装することがで
き、従来に比して、高周波半導体装置の占有面積を小さ
くできる効果がある。
９）にかかる高周波半導体装置用基板によれば、基板本
体の上下面の各所定領域にそれぞれ形成された高周波伝
送線路（マイクロストリップ線路，コプレーナ線路）の
信号線路間を、基板本体のスルーホール内，または基板
本体の一側面に設けた高周波伝送用配線によって相互に
接続したものとしたので、当該高周波伝送用配線によ
り、上記基板本体の上下面にそれぞれ形成されている高
周波伝送線路の信号線路間における高周波信号の伝送が
可能となり、上記基板本体の上下面を高周波半導体チッ
プの実装面にすることができる。従って、従来の半導体
チップの実装面が単一面の高周波半導体装置用基板に比
して、高周波半導体チップを高密度に実装することがで
き、従来に比して、高周波半導体装置の占有面積を小さ
くできる効果がある。
【００５０】更に、この発明（請求項４）にかかる高周
波半導体装置用基板によれば、上記スルーホール内に形
成した高周波伝送用スルーホール配線と上記基板本体の
厚み方向の中間部に挿設されているグランド層間の距離
を、当該グランド層と上記マイクロストリップ線路の信
号線路間の距離の１〜３倍の距離にすることにより、上
記高周波伝送用スルーホール配線と上記マイクロストリ
ップ線路の信号線路とのインピーダンス整合を最適化し
たものとしたので、上記高周波伝送用スルーホール配線
の通過損失の値，ＶＳＷＲの値が小さくなって、良好な
マイクロ波通過特性を有する高周波半導体装置用基板が
得られる効果がある。
波半導体装置用基板によれば、上記スルーホール内に形
成した高周波伝送用スルーホール配線と上記基板本体の
厚み方向の中間部に挿設されているグランド層間の距離
を、当該グランド層と上記マイクロストリップ線路の信
号線路間の距離の１〜３倍の距離にすることにより、上
記高周波伝送用スルーホール配線と上記マイクロストリ
ップ線路の信号線路とのインピーダンス整合を最適化し
たものとしたので、上記高周波伝送用スルーホール配線
の通過損失の値，ＶＳＷＲの値が小さくなって、良好な
マイクロ波通過特性を有する高周波半導体装置用基板が
得られる効果がある。
【００５１】更に、この発明（請求項９）にかかる高周
波半導体装置用基板によれば、上記高周波伝送用配線に
カップラを形成してなるものとしたので、上記基板本体
の上下面にそれぞれ形成されている高周波伝送線路を伝
送する高周波信号の伝送電位が異なる場合でも、上面と
下面間で、一方から他方へ高周波信号を伝送することが
可能となり、その結果、上記基板本体の上面と下面に互
いに異なる電位の高周波信号で動作する高周波半導体チ
ップを実装して、高周波半導体装置を構成することがで
きる効果がある。
波半導体装置用基板によれば、上記高周波伝送用配線に
カップラを形成してなるものとしたので、上記基板本体
の上下面にそれぞれ形成されている高周波伝送線路を伝
送する高周波信号の伝送電位が異なる場合でも、上面と
下面間で、一方から他方へ高周波信号を伝送することが
可能となり、その結果、上記基板本体の上面と下面に互
いに異なる電位の高周波信号で動作する高周波半導体チ
ップを実装して、高周波半導体装置を構成することがで
きる効果がある。
【図１】 本発明の実施例１によるＴＡＢテープを用い
て構成された高周波半導体装置の構成を示す断面図であ
る。
て構成された高周波半導体装置の構成を示す断面図であ
る。
【図２】 図１に示すＴＡＢテープの製造工程の一例を
示す工程別断面図である。
示す工程別断面図である。
【図３】 本発明の実施例２によるＴＡＢテープの主要
部の構成を示す断面図である。
部の構成を示す断面図である。
【図４】 図２に示すＴＡＢテープにおけるコンタクト
スルーホールのマイクロ波通過特性の電磁界解析シミュ
レーションを行うために作成した試験用のＴＡＢテープ
の構成を示す斜視図である。
スルーホールのマイクロ波通過特性の電磁界解析シミュ
レーションを行うために作成した試験用のＴＡＢテープ
の構成を示す斜視図である。
【図５】 図４に示す試験用のＴＡＢテープを用いて、
グランド層とコンタクトスルーホール間の距離を変更し
て、コンタクトスルーホールのマイクロ波通過特性を電
磁界解析シミュレーションした結果を示したもので、グ
ランド層とコンタクトスルーホール間の距離に対する高
周波信号の通過損失の関係を示した図である。
グランド層とコンタクトスルーホール間の距離を変更し
て、コンタクトスルーホールのマイクロ波通過特性を電
磁界解析シミュレーションした結果を示したもので、グ
ランド層とコンタクトスルーホール間の距離に対する高
周波信号の通過損失の関係を示した図である。
【図６】 図４に示す試験用のＴＡＢテープを用いて、
グランド層とコンタクトスルーホール間の距離を変更し
て、コンタクトスルーホールのマイクロ波通過特性を電
磁界解析シミュレーションした結果を示したもので、グ
ランド層とコンタクトスルーホール５間の距離に対する
高周波信号定在波比（ＶＳＷＲ）の関係を示した図であ
る。
グランド層とコンタクトスルーホール間の距離を変更し
て、コンタクトスルーホールのマイクロ波通過特性を電
磁界解析シミュレーションした結果を示したもので、グ
ランド層とコンタクトスルーホール５間の距離に対する
高周波信号定在波比（ＶＳＷＲ）の関係を示した図であ
る。
【図７】 本発明の実施例３によるＴＡＢテープの主要
部の構成を示す断面図である。
部の構成を示す断面図である。
【図８】 本発明の実施例４によるＴＡＢテープの主要
部の構成を示す断面図である。
部の構成を示す断面図である。
【図９】 本発明の実施例５によるＴＡＢテープの主要
部の構成を示す断面図である。
部の構成を示す断面図である。
【図１０】 本発明の実施例６によるＴＡＢテープの主
要部の構成を示す断面図である。
要部の構成を示す断面図である。
【図１１】 従来のＴＡＢテープに高周波半導体チップ
を実装してなる高周波半導体装置の構成を示す図で、図
１１(a) はその上面図であり、図１１(b) は図１１(a)
のXIb-XIb 線における断面図である。
を実装してなる高周波半導体装置の構成を示す図で、図
１１(a) はその上面図であり、図１１(b) は図１１(a)
のXIb-XIb 線における断面図である。
１ ＴＡＢテープ本体、２ グランド層、３ａ，３ｂ
回路パターン（マイクロストリップ線路の信号線路パタ
ーン）、４ａ，４ｂ 高周波半導体チップ、５，１５
コンタクトスルーホール、５ａ スルーホール、５ｂ，
９ 金属配線、６，１０ 絶縁物層、６ａ 絶縁物層の
コンタクトスルーホールの中間部に挿入された部分、７
高周波信号の入力ポート、８ 高周波信号の出力ポー
ト、１０ａ，１０ｂ ポリイミドテープ、１１ａ，１１
ｂ，１３ａ，１３ｂ Ｃｕ層、１２ａ，１２ｂ １５ａ
コンタクトスルーホールの上側部分、１５ｂ コンタ
クトスルーホールの下側部分、１００，２００，３０
０，４００，５００，６００，１０００ ＴＡＢテー
プ。
回路パターン（マイクロストリップ線路の信号線路パタ
ーン）、４ａ，４ｂ 高周波半導体チップ、５，１５
コンタクトスルーホール、５ａ スルーホール、５ｂ，
９ 金属配線、６，１０ 絶縁物層、６ａ 絶縁物層の
コンタクトスルーホールの中間部に挿入された部分、７
高周波信号の入力ポート、８ 高周波信号の出力ポー
ト、１０ａ，１０ｂ ポリイミドテープ、１１ａ，１１
ｂ，１３ａ，１３ｂ Ｃｕ層、１２ａ，１２ｂ １５ａ
コンタクトスルーホールの上側部分、１５ｂ コンタ
クトスルーホールの下側部分、１００，２００，３０
０，４００，５００，６００，１０００ ＴＡＢテー
プ。
Claims (9)
- 【請求項１】 誘電体物質からなる基板本体と、 上記基板本体の所定領域に形成されたスルーホールと、 上記基板本体の上記スルーホールの形成領域と，当該ス
ルーホールの周囲の基板領域とを除く基板領域の全域に
て、その厚さ方向の中間部に挿入されて設けられたグラ
ンド層と、 少なくとも上記スルーホールの内壁を被覆するように設
けられ、上記基板本体の上面及び下面の各々の所定領域
に形成された高周波伝送用線路の信号線路間を相互に接
続する高周波伝送用スルーホール配線とを備えたことを
特徴とする高周波半導体装置用基板。 - 【請求項２】 請求項１に記載の高周波半導体装置用基
板において、 上記高周波伝送用スルーホール配線は、上記スルーホー
ル内を充填するように設けられたものであることを特徴
とする高周波半導体装置用基板。 - 【請求項３】 請求項１または２に記載の高周波半導体
装置用基板において、 上記高周波伝送線路はマイクロストリップ線路であるこ
とを特徴とする高周波半導体装置用基板。 - 【請求項４】 請求項２に記載の高周波半導体装置用基
板において、 上記高周波伝送線路はマイクロストリップ線路であり、 上記高周波伝送用スルーホール配線と上記グランド層間
の距離を、上記グランド層と上記マイクロストリップ線
路の信号線路間の距離の１〜３倍の距離にしたことを特
徴とする高周波半導体装置用基板。 - 【請求項５】 請求項１または２に記載の高周波半導体
装置用基板において、 上記高周波伝送線路はコプレーナ線路であり、 上記基板本体の上記スルーホールの周辺の基板領域に形
成された、当該スルーホールとは異なる他のスルーホー
ルと、 少なくとも上記他のスルーホールの内壁面を被覆するよ
うに設けられ、上記基板の上面及び下面の各々の所定領
域に形成された上記コプレーナ線路のグランド線路間を
相互に接続するグランド用スルーホール配線とを備えた
ことを特徴とする高周波半導体装置用基板。 - 【請求項６】 誘電体物質からなる基板本体と、 上記基板本体のその側面の一部に後述する側面配線が当
接する所定の基板領域を除く基板領域の全域において、
その厚さ方向の中間部に挿入されて設けられたグランド
層と、 上記所定の基板領域の側面に形成され、上記基板本体の
上面及び下面の各々の所定領域に形成された高周波伝送
用線路の信号線路間を相互に接続する高周波伝送用側面
配線とを備えたことを特徴とする高周波半導体装置用基
板。 - 【請求項７】 請求項６に記載の高周波半導体装置用基
板において、 上記高周波伝送線路はマイクロストリップ線路であるこ
とを特徴とする高周波半導体装置用基板。 - 【請求項８】 請求項６に記載の高周波半導体装置用基
板において、 上記高周波伝送線路はコプレーナ線路であり、 上記所定の基板領域の側面に形成され、上記基板の上面
及び下面の各々の所定領域に形成された上記コプレーナ
線路のグランド線路間を相互に接続するグランド用側面
配線を備えたことを特徴とする高周波半導体装置用基
板。 - 【請求項９】 請求項１ないし８のいずれかに記載の高
周波半導体装置用基板において、 上記高周波伝送用配線は、その中間部に絶縁層が挿入さ
れて、カップラを形成していることを特徴とする高周波
半導体装置用基板。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6280219A JPH08139503A (ja) | 1994-11-15 | 1994-11-15 | 高周波半導体装置用基板 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6280219A JPH08139503A (ja) | 1994-11-15 | 1994-11-15 | 高周波半導体装置用基板 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08139503A true JPH08139503A (ja) | 1996-05-31 |
Family
ID=17621980
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6280219A Pending JPH08139503A (ja) | 1994-11-15 | 1994-11-15 | 高周波半導体装置用基板 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH08139503A (ja) |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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-
1994
- 1994-11-15 JP JP6280219A patent/JPH08139503A/ja active Pending
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