JP2003023249A - 層間接続構造 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 多層高周波回路等において、従来では、上下
に隣接する誘電体層に形成されたスルーホールを同一の
中心軸上に重ねて直線的に設けることができない場合で
も、目的導体層間を接続できる層間接続構造の提供。 【解決手段】 複数の層から成る中間層を隔てて配設さ
れた接続対象となる目的導体間を接続する層間接続構造
において、前記中間層を構成する各層毎に設けられる単
位スルーホールを、積層方向に隣接する単位スルーホー
ル同士の軸芯が一致しないよう層方向に所定の間隔を置
いて配設すると共に、積層方向に隣接する前記単位スル
ーホールの端部同士を接続するホール接続導体を層と層
との間に配設して形成された階段状スルーホールを介し
て、前記目的導体間を接続したことを特徴とする

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、主としてマイクロ
波帯、その他の周波数帯としてはＶＨＦ帯、ＵＨＦ帯、
ミリ波帯等で用いられる多層高周波回路における層間接
続に関する。

【０００２】

【従来の技術】図１４は、例えば特開平７−２２１５１
２号公報に示された従来の層間接続構造を示した図であ
る。又、図１５は図１４におけるＡ−Ａ断面図である。
図１４及び図１５において、１０１ａ、１０１ｂはスト
リップ導体パターン、１０２は接地導体パターン、１０
３は接続用スルーホール、１０４は接地用スルーホー
ル、１０５ａ、１０５ｂは誘電体基板、１０６ａ、１０
６ｂはストリップ導体パターン先端部、１０７は透孔で
ある。

【０００３】従来の前記層間接続構造は、図において上
方側の一方の面にストリップ導体パターン１０１ａが、
他方の面に接地導体パターン１０２が設けられた誘電体
基板１０５ａと、図において下方側の一方の面にストリ
ップ導体パターン１０１ｂが設けられた誘電体基板１０
５ｂとを、それぞれのストリップ導体１０１ａ、１０１
ｂが積層体の上面と下面（図において上下方向）とに、
向かい合わせに配設された構成である。ここでは、スト
リップ導体パターン１０１ａと接地導体パターン１０２
との間に誘電体基板１０５ａを挟むことによって第１の
マイクロストリップ線路が構成され、ストリップ導体パ
ターン１０１ｂと接地導体パターン１０２との間に誘電
体基板１０５ｂを挟むことによって第２のマイクロスト
リップ線路が構成されている。

【０００４】そして、ストリップ導体パターン１０１ａ
及び１０１ｂが、それぞれストリップ導体パターン先端
部１０６ａとストリップ導体パターン先端部１０６ｂと
において、接続用スルーホール１０３を介して電気的に
接続されている。尚、接地導体パターン１０２には、接
続用スルーホール１０３との接触を避けて通すための透
孔１０７が、当該接地導体パターン１０２を貫通するよ
うに設けられている。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】図１４及び図１５の層
間接続構造において示す通り、目的とする導体(以下、
目的導体ともいう）間を接続する場合には、目的導体
（ストリップ導体パターン１０１ａと１０１ｂ）間の中
間層（誘電体層１０５ａ、接地導体パターン１０２、誘
電体層１０５ｂ）にスルーホール１０３を同一の中心軸
上に重ねて配設していた。

【０００６】しかし、例えば、ビルドアップ多層誘電体
基板のように、加工上の制約から上下に隣接する誘電体
層に形成されたスルーホールを同一の中心軸上に重ねて
配置することができない場合には、層間接続構造を形成
することができないという問題があった。又、中間層の
一部に樹脂製の誘電体層があると、この樹脂製誘電体層
に同一の中心軸上に重なるようにスルーホールを形成す
ることが困難であった。

【０００７】本発明は、かかる問題点を解決するために
なされたもので、多層高周波回路等において、従来で
は、上下に隣接する誘電体層に形成されたスルーホール
を同一の中心軸上に重ねて直線的に設けることができな
い場合でも、目的導体層間を接続できる層間接続構造の
提供を目的とする。

【０００８】

【課題を解決するための手段】第１の発明は、複数の層
から成る中間層を隔てて配設された接続対象となる目的
導体間を接続する層間接続構造において、前記中間層を
構成する各層毎に設けられる単位スルーホールを、積層
方向に隣接する単位スルーホール同士の軸芯が一致しな
いよう層方向に所定の間隔を置いて配設すると共に、積
層方向に隣接する前記単位スルーホールの端部同士を接
続するホール接続導体を層と層との間に配設して形成さ
れた階段状スルーホールを介して、前記目的導体間を接
続したことを特徴とする。

【０００９】第２の発明は、第１の発明において、各層
毎に形成される単位スルーホールは複数であることを特
徴とする。

【００１０】第３の発明は、第１又は第２の発明におい
て、３つ以上の目的導体が直接的又は間接的に１又は複
数の階段状スルーホールで接続されたことを特徴とす
る。

【００１１】第４の発明は、第１乃至第３の発明の何れ
かにおいて、中間層を構成する層に接続目的外の非目的
導体層が存在する場合には、当該非目的導体層に、階段
状スルーホールが非接触で通る透孔を設けたことを特徴
とする。

【００１２】第５の発明は、最上層に位置する第１の誘
電体層と、前記第１の誘電体層から下層方向に順次積層
された第２から第ｎの誘電体層と、前記第１の誘電体層
の上面、或いは前記第１から第ｎの誘電体層のうち隣接
する何れか２層の間に積層された第１の接地導体と、前
記第１の接地導体より下層に位置する前記誘電体層の隣
接する何れか２層の間に積層された第２の接地導体と、
前記第２の接地導体と同層か或いは前記第２の接地導体
より下層に位置する前記誘電体層の隣接する何れか２層
の間に積層された第３の接地導体と、前記第３の接地導
体より下層に位置する前記誘電体層の隣接する何れか２
層の間、或いは前記第ｎの誘電体層の下面に積層された
第４の接地導体と、前記第１の接地導体と前記第２の接
地導体の間に位置する前記誘電体層の隣接する何れか２
層の間に積層され、入射端子を有する第１のストリップ
導体と、前記第３の接地導体と前記第４の接地導体の間
に位置する前記誘電体層の隣接する何れか２層の間に積
層され、出射端子を有し、且つ、前入射力端子が前記第
１のストリップ導体の入力端子と異なる層間で略対向す
る第２のストリップ導体と、前記第１のストリップ導体
と第２のストリップ導体の中間に位置する前記誘電体層
の各層に設けられる単位スルーホールを、積層方向に隣
接する単位スルーホール同士の軸芯が一致しないよう層
方向に所定の間隔を置いて配設すると共に、積層方向に
隣接する前記単位スルーホールの端部同士を接続するホ
ール接続導体を層と層との間に配設して形成された第１
の階段状スルーホールと、前記第１の接地導体と前記第
３の接地導体の中間に位置する前記誘電体層の各層に設
けられる単位スルーホールを、積層方向に隣接する単位
スルーホール同士の軸芯が一致しないよう層方向に所定
の間隔を置いて配設すると共に、積層方向に隣接する前
記単位スルーホールの端部同士を接続するホール接続導
体を層と層との間に配設して形成された第２の階段状ス
ルーホールと、前記第２の接地導体と前記第４の接地導
体の中間に位置する前記誘電体層の各層に設けられる単
位スルーホールを、積層方向に隣接する単位スルーホー
ル同士の軸芯が一致しないよう層方向に所定の間隔を置
いて配設すると共に、積層方向に隣接する前記単位スル
ーホールの端部同士を接続するホール接続導体を層と層
との間に配設して形成された第３の階段状スルーホール
とを備え、前記第１のストリップ導体と第２のストリッ
プ導体とは、前記第２及び第３の接地導体に設けられた
透孔を通る前記第１の階段状スルーホールを介して接続
され、前記第１の接地導体と第３の接地導体とは、前記
第２の階段状スルーホールを介して接続され、前記第２
の接地導体と第４の接地導体とは、前記第３の階段状ス
ルーホールを介して接続されたことを特徴とする。

【００１３】第６の発明は、最上層に位置する第１の誘
電体層と、前記第１の誘電体層から下層方向に順次積層
された第２から第ｎの誘電体層と、前記第１の誘電体層
の上面に形成され、入射端子を有する第１のストリップ
導体と、前記第１のストリップ導体より下層に位置する
前記誘電体層の隣接する何れか２層の間に積層された第
１の接地導体と、前記第１の接地導体より下層に位置す
る前記誘電体層の隣接する何れか２層の間、或いは前記
第ｎの誘電体層の下面に積層された第２の接地導体と、
前記第１の接地導体と第２の接地導体の間に位置する前
記誘電体層の隣接する何れか２層の間に積層され、出射
端子を有し、且つ、前記出射端子が前記第１のストリッ
プ導体の入射端子と異なる層間で略対向する第２のスト
リップ導体と、前記第１のストリップ導体と第２のスト
リップ導体の中間に位置する前記誘電体層の各層に設け
られる単位スルーホールを、積層方向に隣接する単位ス
ルーホール同士の軸芯が一致しないよう層方向に所定の
間隔を置いて配設すると共に、積層方向に隣接する前記
単位スルーホールの端部同士を接続するホール接続導体
を層と層との間に配設して形成された第１の階段状スル
ーホールと、前記第１の接地導体と前記第２の接地導体
の中間に位置する前記誘電体層の各層に設けられる単位
スルーホールを、積層方向に隣接する単位スルーホール
同士の軸芯が一致しないよう層方向に所定の間隔を置い
て配設すると共に、積層方向に隣接する前記単位スルー
ホールの端部同士を接続するホール接続導体を層と層と
の間に配設して形成された第２の階段状スルーホールと
を備え、前記第１のストリップ導体と第２のストリップ
導体とは、前記第１の接地導体に設けられた透孔を通る
前記第１の階段状スルーホールを介して接続され、前記
第１の接地導体と第２の接地導体とは、前記第２の階段
状スルーホールを介して接続されたことを特徴とする。

【００１４】第７の発明は、最上層に位置する第１の誘
電体層と、前記第１の誘電体層から下層方向に順次積層
された第２から第ｎの誘電体層と、前記第１の誘電体層
の上面に形成され、入射端子を有する第１のストリップ
導体と、前記第１のストリップ導体より下層に位置する
前記誘電体層の隣接する何れか２層の間に積層された第
１の接地導体と、前記第１の接地導体より下層に位置す
る前記誘電体層の隣接する何れか２層の間に積層された
第２の接地導体と、前記第２の接地導体より下層に位置
する前記誘電体層の隣接する何れか２層の間、或いは前
記第ｎの誘電体層の下面に積層された第３の接地導体
と、前記第２の接地導体と第３の接地導体の間に位置す
る前記誘電体層の隣接する何れか２層の間に積層され、
出射端部を有し、且つ、前記出射端子が前記第１のスト
リップ導体の入射端子と異なる層間で略対向する第２の
ストリップ導体と、前記第１のストリップ導体と第２の
ストリップ導体の中間に位置する前記誘電体層の各層に
設けられる単位スルーホールを、積層方向に隣接する単
位スルーホール同士の軸芯が一致しないよう層方向に所
定の間隔を置いて配設すると共に、積層方向に隣接する
前記単位スルーホールの端部同士を接続するホール接続
導体を層と層との間に配設して形成された第１の階段状
スルーホールと、前記第１の接地導体と第２の接地導体
の中間に位置する前記誘電体層の各層に設けられる単位
スルーホールを、積層方向に隣接する単位スルーホール
同士の軸芯が一致しないよう層方向に所定の間隔を置い
て配設すると共に、積層方向に隣接する前記単位スルー
ホールの端部同士を接続するホール接続導体を層と層と
の間に配設して形成された第２の階段状スルーホール、
或いは、前記第１の接地導体と第２の接地導体の中間に
位置する前記誘電体層が１層の場合には当該１層の誘電
体層に形成された１層のスルーホールと、前記第１の接
地導体と第３の接地導体の中間に位置する前記誘電体層
の各層に設けられる単位スルーホールを、積層方向に隣
接する単位スルーホール同士の軸芯が一致しないよう層
方向に所定の間隔を置いて配設すると共に、積層方向に
隣接する前記単位スルーホールの端部同士を接続するホ
ール接続導体を層と層との間に配設して形成された第３
の階段状スルーホールとを備え、前記第１のストリップ
導体と第２のストリップ導体とは、前記第１及び第２の
接地導体に設けられた透孔を通る前記第１の階段状スル
ーホールを介して接続され、前記第１の接地導体と第２
の接地導体とは、前記第２の階段状スルーホール或いは
前記１層のスルーホールを介して接続され、前記第１の
接地導体と第３の接地導体とは、前記第３の階段状スル
ーホールを介して接続されたことを特徴とする。

【００１５】第８の発明は、最上層に位置する第１の誘
電体層と、前記第１の誘電体層から下層方向に順次積層
された第２から第ｎの誘電体層と、前記第１の誘電体層
の上面に形成され、入射端子を有する第１のストリップ
導体と、前記第１のストリップ導体より下層に位置する
前記誘電体層の隣接する何れか２層の間に積層された第
１の接地導体と、前記第ｎの誘電体層の下面に積層さ
れ、出射端子を有し、且つ、前記出射端子が前記第１の
ストリップ導体の入射端子と異なる層間で略対向する第
２のストリップ導体と、前記第１のストリップ導体と第
２のストリップ導体の中間に位置する前記誘電体層の各
層に設けられる単位スルーホールを、積層方向に隣接す
る単位スルーホール同士の軸芯が一致しないよう層方向
に所定の間隔を置いて配設すると共に、積層方向に隣接
する前記単位スルーホールの端部同士を接続するホール
接続導体を層と層との間に配設して形成された第１の階
段状スルーホールとを備え、前記第１のストリップ導体
と第２のストリップ導体とは、前記第１の接地導体に設
けられた透孔を通る前記第１の階段状スルーホールを介
して接続されたことを特徴とする。

【００１６】第９の発明は、最上層に位置する第１の誘
電体層と、前記第１の誘電体層から下層方向に順次積層
された第２から第ｎの誘電体層と、前記第１の誘電体層
の上面に形成され、入射端子を有する第１のストリップ
導体と、前記第１のストリップ導体より下層に位置する
前記誘電体層の隣接する何れか２層の間に積層された第
１の接地導体と、前記第１の接地導体より下層に位置す
る前記誘電体層の隣接する何れか２層の間に積層された
第２の接地導体と、前記第ｎの誘電体層の下面に積層さ
れ、出射端子を有し、且つ、前記出射端子が前記第１の
ストリップ導体の入射端子と異なる層間で略対向する第
２のストリップ導体と、前記第１のストリップ導体と第
２のストリップ導体の中間に位置する前記誘電体層の各
層に設けられ、上下方向に隣接するもの同士が所定の間
隔を隔てて層方向に階段状に配置される単位スルーホー
ルを、積層方向に隣接する単位スルーホール同士の軸芯
が一致しないよう層方向に所定の間隔を置いて配設する
と共に、積層方向に隣接する前記単位スルーホールの端
部同士を接続するホール接続導体を層と層との間に配設
して形成された第１の階段状スルーホールと、前記第１
の接地導体と第２の接地導体の中間に位置する前記誘電
体層の各層に設けられる単位スルーホールを、積層方向
に隣接する単位スルーホール同士の軸芯が一致しないよ
う層方向に所定の間隔を置いて配設すると共に、積層方
向に隣接する前記単位スルーホールの端部同士を接続す
るホール接続導体を層と層との間に配設して形成された
第２の階段状スルーホール、或いは、前記第１の接地導
体と第２の接地導体の中間に位置する前記誘電体層が１
層の場合には当該１層の誘電体層に形成された１層のス
ルーホールとを備え、前記第１のストリップ導体と第２
のストリップ導体とは、前記第１及び第２の接地導体に
設けられた透孔を通る前記第１の階段状スルーホールを
介して接続され、前記第１の接地導体と第２の接地導体
とは、前記第２の階段状スルーホール或いは前記１層の
スルーホールを介して接続されたことを特徴とする。

【００１７】第１０の発明は、第５又は第７の発明にお
いて、第２と第３の階段状スルーホールは、第１の階段
状スルーホールを中央にして相対に配置されたことを特
徴とする。

【００１８】第１１の発明は、第５乃至第７の発明、第
９の発明、第１０の発明の何れかにおいて、第２と第３
の階段状スルーホールの双方、又は何れか一方は、第１
の階段状スルーホールと略平行に配置されたことを特徴
とする。

【００１９】

【発明の実施の形態】本発明は、複数の層から成る中間
層を隔てて配設された接続対象となる導体（以下、目的
導体ともいう）間を接続する手段として、前記の中間層
を構成する各層毎に設けられるスルーホール(以下、単
位スルーホールともいう)を、積層方向に隣接する単位
スルーホール同士の軸芯が一致しないよう層方向に所定
の間隔を置いて位置をずらせて形成し、層と層との間に
おいて積層方向に隣接する前記単位スルーホールの端部
同士を接続導体（以下、ホール接続導体ともいう）で接
続して、前記単位スルーホールとホール接続導体とで全
体として階段状に一連に接続された単位スルーホール群
（以下、階段状スルーホールともいう）を設け、この階
段状スルーホールを介して前記の目的導体間を接続させ
たものである。尚、本明細書において隣接とは接しない
距離で隣合うことをいう。

【００２０】尚、本発明において、前記中間層の各層毎
に設けられる単位スルーホールは１本に限らず複数、例
えば二本一対に設けてもよい。又、目的導体は、必ずし
も２つである必要はなく、３つ以上あってもよい。この
場合、目的導体相互間を直接的に、或いは、途中に第３
の目的導体を介して間接的に１つ或いは複数の階段状ス
ルーホールを用いて接続する。又、前記中間層を構成す
る層に接続目的外の導体が層状（以下、非目的導体層と
もいう）に存在している場合には、当該目的導体層に階
段状スルーホールが非接触で通る透孔を設ける。尚、本
明細書において隣接とは接しない距離で隣合うことをい
う。以下、本発明を多層高周波回路に適用した実施の形
態に基づいて説明する。

【００２１】実施の形態１．実施の形態１を、図１〜図
３に示す多層高周波回路における層間接続構造を例にし
て説明する。図１は誘電体層を省略した層間接続構造を
示す斜視図、図２は層間接続構造の垂直断面図、及び図
３は図２のａ−ａ断面図である。尚、図２において、中
間層を構成する層１ａ〜１ｈは相互に誘電体基板が積層
された誘電体層である。図１、図３ではこの誘電体層１
ａ〜１ｈが省略されている。

【００２２】図１乃至図３において、２ａ、２ｂ、２
ｃ、２ｄは接地導体であって、接続される対象の目的導
体である。以下、２ａを第１の接地導体層、２ｂを第２
の接地導体層、２ｃを第３の接地導体層、２ｄを第４の
接地導体層という。先ず、第１の接地導体２ａは、最上
層に位置する第１の層としての誘電体層１ａの上面に積
層されている。しかし、第１の接地導体２ａは、この例
に限らず、第１の層から第ｎの層までの間の、任意の隣
合う２層の誘電体層の間に積層されてもよい(非図示)。
次に、第２の接地導体２ｂは、前記第１の接地導体２ａ
より下層に位置されるもので、任意の隣合う２層の誘電
体層の間、この例では第４の誘電体層１ｄと第５の誘電
体層１ｅの間に積層されている。

【００２３】次に、第３の接地導体２ｃは、前記第２の
接地導体２ｂと同層にあって、実質的に同一の接地導体
であり、後述する第１の階段状スルーホール７を非接触
にて通すための透孔１４が開設されている。この第３の
接地導体２ｃも、この例に限らず、前記第２の接地導体
２ｂより下層あって、任意の隣合う２層の誘電体層の間
に積層されてもよい(非図示)。最後に、第４の接地導体
２ｄは、前記第１の誘電体層１ａの下面から下層方向に
順次所要数層、この例では最下層（以下、ｎ層ともい
う）に位置する第８の層としての誘電体層１ｈの下面に
積層されている。

【００２４】３ａ、３ｂはストリップ導体であって、互
いに接続される目的導体である。以下、３ａを第１のス
トリップ導体、３ｂを第２のストリップ導体という。先
ず、第１のストリップ導体３ａは、前記第１の接地導体
２ａと第２の接地導体２ｂとの間の中間層のうち、任意
の隣合う２層の誘電体層の間、この例では第２の誘電体
層１ｂと第３の誘電体層１ｃとの間に積層されており、
入射端子Ｐ１を有している。次に、第２のストリップ導
体３ｂは、前記第３の接地導体２ｂと第４の接地導体２
ｄとの間の中間層のうち、任意の隣合う２層の誘電体層
の間、この例では第６の誘電体層１ｆと第７の誘電体層
１ｇとの間に積層されており、出射端子Ｐ２を有してい
る。この第２のストリップ導体３ｂの出射端子Ｐ２は、
前記第１のストリップ導体３ａの入射端子Ｐ１とは異な
る層にあって、対向するように配設されている。

【００２５】４ａ、４ｂはストリップ線路であって、互
いに接続される目的導体である。以下、４ａを第１のス
トリップ線路、４ｂを第２のストリップ線路という。先
ず、第１のストリップ線路４ａは、第１の誘電体層１ａ
から第４の誘電体層１ｄと、第１の接地導体２ａ及び第
２の接地導体２ｂと、第１のストリップ導体３ａとで構
成されている。次に、第２のストリップ線路４ｂは、第
５の誘電体層１ｅから第８の誘電体層１ｈと、第３の接
地導体２ｃ及び第４の接地導体２ｄと、第２のストリッ
プ導体３ｂとで構成されている。

【００２６】７は第１の階段状スルーホールである。こ
の第１の階段状スルーホール７は、次のように構成され
ている。先ず、接続される目的導体としての前記第１の
ストリップ導体３ａと第２のストリップ導体３ｂとを隔
てる中間層としての第３の誘電体層１ｃから第５の誘電
体層１ｆにおいて、当該各誘電体層１ｃ〜１ｆ毎に設け
られる単位スルーホール５ａ〜５ｄが、積層方向(図の
上下方向)に隣接する単位スルーホール同士、即ち、単
位スルーホール５ａと５ｂ、単位スルーホール５ｂと５
ｃ、単位スルーホール５ｃと５ｄとのそれぞれの軸芯が
一致しないよう所定の間隔を置いて、層方向（図の左右
方向）に位置をずらせて配設する。

【００２７】そして、各誘電体層と誘電体層との間、即
ち、第３の誘電体層１ｃと第４の誘電体層１ｄ、第４の
誘電体層１ｄと第５の誘電体層１ｅ、第５の誘電体層１
ｅと第５の誘電体層１ｆとの間において、積層方向に隣
接する単位スルーホール５ａと５ｂ、単位スルーホール
５ｂと５ｃ、単位スルーホール５ｃと５ｄとのそれぞれ
の端部同士、即ち、積層方向において上層側の単位スル
ーホールの下端部と下層側の単位スルーホールの上端部
同士とが、前記第３の誘電体層１ｃから第５の誘電体層
１ｃの各々の層の間に、延在するよう積層された接続導
体としてのホール接続導体６ａ、６ｂ、６ｃでそれぞれ
接続されている。

【００２８】このように、第１の階段状スルーホール７
は、所要数の単位スルーホール５ａ〜５ｄが所要数のホ
ール接続導体６ａ、６ｂ、６ｃを介して、全体として階
段状に斜めに傾斜するように、一連に接続された単位ス
ルーホール群を形成した構成となっている。尚、この実
施の形態１では、第１の階段状スルーホール７によって
接続される第１のストリップ導体３ａと第２のストリッ
プ導体３ｂとの中間層の間、即ち、第４の誘電体層１ｄ
と第５の誘電体層１ｅとの間の積層面に、この第１の階
段状スルーホール７にとっては接続目的外である非目的
導体としての、一体的に形成された第２及び第３の接地
導体（２ａ、ｂ）が層状に存在しているため、当該第２
及び第３の接地導体（２ａ、２ｂ）に、この第１の階段
状スルーホール７が非接触にて通る透孔１４を開設して
いる。

【００２９】前記のホール接続導体の接続を詳説する。
先ず、第３の誘電体層１ｃと第４の誘電体層１ｄとの間
の積層面に配設されたホール接続導体６ａは、当該積層
面より上層側の第３の誘電体層１ｃに設けられた単位ス
ルーホール５ａの下端側の端部と、当該積層面より下層
側の第４の誘電体層１ｄに設けられた単位スルーホール
５ｂの上端側の端部とを接続している。尚、この単位ス
ルーホール５ａの上端側の端部は、第３の誘電体層１ｃ
の上面側に配設（積層）された第１のストリップ導体３
ａに接続されている。

【００３０】次に、第４の誘電体層１ｄと第５の誘電体
層１ｅとの間の積層面に配設されたホール接続導体６ｂ
は、当該積層面より上層側の第４の誘電体層１ｄに設け
られた単位スルーホール５ｂの下端側の端部と、当該積
層面より下層側の第５の誘電体層１ｅに設けられた単位
スルーホール５ｃの上端側の端部とを接続している。

【００３１】最後に、第５の誘電体層１ｅと第６の誘電
体層１ｆとの間の積層面に配設されたホール接続導体６
ｃは、当該積層面より上層側の第５の誘電体層１ｅに設
けられた単位スルーホール５ｃの下端側の端部と、当該
積層面より下層側の第６の誘電体層１ｆに設けられた単
位スルーホール５ｄの上端側の端部とを接続している。
尚、この単位スルーホール５ｄの下端側の端部は、第５
の誘電体層１ｆの下面側に配設された第２のストリップ
導体３ｂに接続されている。

【００３２】次に、第２の階段状スルーホール１０につ
いて説明する。この第２の階段状スルーホール１０は、
互いに接続される目的導体としての第１の接地導体２ａ
と第２の接地導体２ｃとを、中間層の第１の誘電体層１
ａから第４の誘電体層１ｄを隔てて接続するものであ
り、実質的な構成は前記第１の階段状スルーホール７と
同様である。

【００３３】この第２の階段状スルーホール１０では、
図３に示す通り、各層に設けられる単位スルーホールが
１本ではなく、２本×３列の６本づつ設けられている。
図２にの断面図には、第１の誘電体層１ａに設けられた
単位スルーホール８ａと８ａ、第２の誘電体層１ｂに設
けられた単位スルーホール８ｂと８ｂ、第３の誘電体層
１ｃに設けられた単位スルーホール８ｃと８ｃ、第４の
誘電体層１ｄに設けられた単位スルーホール８ｄと８ｄ
とがそれぞれ表されている。このように、各層に設けら
れる単位スルーホールは１本に限らず、所要の本数設け
てよい。これら６本一組の各層の単位スルーホール８ａ
〜８ｄのうち、積層方向に隣接する単位スルーホール同
士、即ち、図２の断面図を例に説明すれば、各層の一組
の単位スルーホール８ａ・８ａと一組の単位スルーホー
ル８ｂ・８ｂ、一組の単位スルーホール８ｂ・８ｂと一
組の単位スルーホール８ｃ・８ｃ、一組の単位スルーホ
ール８ｃ・８ｃと一組の単位スルーホール８ｄ・８ｄと
が、各ホール接続導体９ａ、９ｂ、９ｃとでそれぞれ接
続されている。

【００３４】次に、第３の階段状スルーホール１３につ
いて説明する。この第３の階段状スルーホール１３は、
互いに接続される目的導体としての第２の接地導体２ｂ
と第４の接地導体２ｄとを、中間層の第５の誘電体層１
ｅから第８の誘電体層１ｈを隔てて接続するものであ
り、実質的な構成は前記第１及び第２の階段状スルーホ
ール７、１０と同様である。

【００３５】この第３の階段状スルーホール１３は、図
３示に示す通り、各層に設けられる単位スルーホールが
４本一組で、図２の断面図を例に説明すれば、各層の一
組の単位スルーホール１１ａと１１ａ、一組の単位スル
ーホール１１ｂと１１ｂ、一組の単位スルーホール１１
ｃと１１ｃ、一組の単位スルーホール１１ｄと１１ｄと
が、中間層の前記第５乃至第８の誘電体層１ｅ〜１ｈに
設けられており、これら各組の単位スルーホール１１ａ
〜１１ｄのうち、積層方向に隣接する一組の単位スルー
ホール同士、即ち、一組の単位スルーホール１１ａ・１
１ａと一組の単位スルーホール１１ｂ・１１ｂ、一組の
単位スルーホール１１ｂ・１１ｂと一組の単位スルーホ
ール１１ｃ・１１ｃ、一組の単位スルーホール１１ｃ・
１１ｃと一組の単位スルーホール１１ｄ・１１ｄとが、
それぞれホール接続導体１２ａ、１２ｂ、１２ｃで接続
されている。

【００３６】この実施の形態１では、前記の第２の階段
状スルーホール１０と第３の階段状スルーホール１３と
は、図上右上から左下方向の下り傾斜をなすよう形成さ
れた前記第１の階段状スルーホール７に沿って、図上の
左右位置にて、それぞれ略平行に配置されている。

【００３７】次に、図１乃至図３に示す層間接続構造の
動作について説明する。今、端子Ｐ１から入射した電波
は、第１のストリップ線路４ａを伝搬した後、第１、第
２、第３の階段状スルーホール７、１０、１３を介し
て、第２のストリップ線路４ｂに結合して、端子Ｐ２か
ら取り出される。このとき、第１のストリップ導体３ａ
を流れる電流は、第１の階段状スルーホール７により滑
らかに第２のストリップ導体３ｂに伝わる。又、第１の
接地導体２ａを流れる電流は、第２の階段状スルーホー
ル１０により滑らかに第３の接地導体２ｃに伝わり、第
２の接地導体２ｂを流れる電流は第３の階段状スルーホ
ール１３により滑らかに第４の接地導体２ｄに伝わる。
このため、第１のストリップ線路４ａを伝搬する電波
は、途中で反射を生じることなく異なる層の第２のスト
リップ線路４ｂまで到達する。

【００３８】以上のように、この実施の形態１によれ
ば、積層方向に隣接する複数の層からなる中間層の各層
に、スルーホール（単位スルーホール）を同一の中心軸
上に重ねて配置することができない場合でも、階段状ス
ルーホール７、１０、１３とすることによって、互いに
異なる層に形成された目的導体を接続することができ
る。

【００３９】又、従来の層間接続構造では、中間層を直
線的に貫通するように、各層のスルーホールの軸芯が同
一の中心軸上に重ねて配置されていたため、従来のスル
ーホールと当該スルーホールで接続される目的導体との
接続全体として形状が、直角クランク形状となるのに対
して、この実施の形態１では、階段状スルーホール７、
１０、１３によって、全体として斜めに傾斜した形状と
なるので、目的導体間即ちこの形態１における、第１の
ストリップ導体３ａから第２のストリップ導体３ｂへ、
第１の接地導体２ａから第３の接地導体２ｃへ、及び第
２の接地導体２ｂから第４の接地導体２ｄへ、それぞれ
流れる電流に対する不連続を小さくすることができ、良
好な反射特性を得ることができる。

【００４０】実施の形態２．実施の形態２は、前記実施
の形態１の層間接続構造において、第１の階段状スルー
ホール７の前後(図では左右)に略平行の斜め形状に形成
された第２、第３の階段状スルーホール１０、１３を配
置した構成に、更に、第１の階段状スルーホール７の左
右両側にも、第４、第５の階段状のスルーホールを略平
行に配置した構成としたものである。以下、これを図４
乃至図７に示す層間接続構造を例にして説明する。図４
は誘電体層を省略した層間接続構造を示す斜視図、図５
は図４の層間接続構造の垂直断面図、図６は図５のａ−
ａ水平断面図、図７は図６のｂ−ｂ垂直断面図である。
尚、前記実施の形態１の図と同様の符号は同様の内容の
ものである。

【００４１】図６において、第１の階段状スルーホール
７を、仮に、階段と見立てて降りる方向の軸線を中央と
すると、その右側(図の上側)に略平行に第４の階段状ス
ルーホール１７Ｒ、２０Ｒが、又、その左側に(図の下
側)に略平行に第５の階段状スルーホール１７Ｌ、２０
Ｌとが配置されている。尚、第４と第５との階段状スル
ーホールは同一の構成であるので、以下、説明の都合
上、左側の第５の階段状スルーホール１７Ｌ、２０Ｌの
構成を例にして説明する。又、第４と第５の階段状スル
ーホールは実施の形態１で説明した第１〜第３の階段状
スルーホール７、１０、１３等の構成と実質的に同様の
構成である。

【００４２】図４乃至図７において、第４の階段状スル
ーホール１７Ｌ、２０Ｌは、第１〜第４の誘電体層１ａ
〜１ｄを中間層として形成された上部階段状スルーホー
ル１７と、第５〜第８の誘電体層１ｅ〜１ｈを中間層と
して形成された下部階段状スルーホール２０とが、一連
の傾斜で続く１つの階段状に接続された単位スルーホー
ル群として構成されている。

【００４３】上部階段状スルーホール１７Ｌは、目的導
体としての第１の接地導体２ａと第３の接地導体２ｃと
を接続するためのもので、第１〜第４の誘電体層１ａ〜
１ｄの各層毎に設けられた単位スルーホール１５ａ〜１
５ｄと、これらの単位スルーホール１５ａ〜１５ｄを接
続するため各積層面に配設されたホール接続導体１６ａ
〜１６ｃとで構成されている。

【００４４】下部階段状スルーホール２０Ｌは、目的導
体としての第２の接地導体２ｂと第３の接地導体２ｄと
を接続するためのもので、第５〜第８の誘電体層１ｅ〜
１ｈの各層毎に設けられた単位スルーホール１８ａ〜１
８ｄと、これらの単位スルーホール１８ａ〜１８ｄを接
続するため誘電体層１ｅ〜１ｈの各積層面に配設された
ホール接続導体１９ａ〜１９ｃとで構成されている。

【００４５】この実施の形態２によれば、前記実施の形
態１と同様な作用効果を発揮する上、第１の階段状スル
ーホール７が前後左右から囲まれているため、即ち、傾
斜方向を軸としてその四方に階段状スルーホールが略平
行に配置されたいるため、不要放射が抑圧されると共
に、インピーダンス整合が得やすいという利点を有す
る。

【００４６】実施の形態３ 実施の形態３は、前記実施の形態１において、第２の階
段状スルーホール１０と誘電体層１ａと１ｂとを除いた
構造としたものである。これを図８乃至図９に基づいて
説明する。図８は誘電体層を省略した斜視図、図９は垂
直断面図である。尚、前記実施の形態１乃至２の図と同
様の符号は同様の内容のものである。

【００４７】図８及び図９において、２１はマイクロス
トリップ線路であり、第３の誘電体層１ｃ及び第４の誘
電体層１ｄと、第２の接地導体２ｂと、第１のストリッ
プ導体３ａとで構成されている。尚、前記第３の誘電体
層１ｃは、この形態３では実質的に最上層であり、第４
の誘電体層１ｄはこの形態３では実質的に第２の層であ
るが、説明の都合上、第１の実施の形態１の符号をその
まま用いることとする。以下、各誘電体層１ｃ〜１ｈに
つき、この形態３において同じ。

【００４８】さて、この形態３において、互いに接続さ
れる目的導体としての第１のストリップ導体３ａと第２
のストリップ導体３ｂとは、実施の形態１と同様に、実
質的に同一の導体として形成された第２及び第３の接地
導体（２ｂ、２ｃ）に開設された透孔１４を非接触にて
通る第１の階段状スルーホール７によって接続されてい
る。又、互いに接続される目的導体としての第２の接地
導体２ｂと第４の接地導体２ｄとは、第３の階段状スル
ーホール１３により接続され、この第３の階段状スルー
ホール１３と第１の階段状スルーホール７とは、階段の
昇降方向において、相互に略平行に配置されている。

【００４９】次に、図８及び図９に示す層間接続構造の
動作について説明する。今、端子Ｐ１から入射した電波
は、マイクロストリップ線路２１を伝搬した後、第１の
階段状スルーホール７及び第３の階段状スルーホール１
３を介してストリップ線路４ｂに結合し、端子Ｐ２から
取り出される。このとき、第１のストリップ導体３ａを
流れる電流は、第１の階段状スルーホール７により滑ら
かに第２のストリップ導体３ｂに伝わる。又、第２の接
地導体２ｂを流れる電流は、連続的に第３の接地導体２
ｃに伝わると共に、第３の階段状スルーホール１３によ
り滑らかに第４の接地導体２ｄにも伝わる。このため、
マイクロストリップ線路２１を伝搬する電波は、途中で
反射を生じることなく、異なる層の第２のストリップ線
路４ｂまで良好に到達する。

【００５０】以上のように図８及び図９に示す第１の階
段状スルーホール７と第３の階段状スルーホール１３と
の２つの階段状スルーホールは、互いに異なる層に形成
されたマイクロストリップ線路２１と第２のストリップ
線路４ｂとを接続する層間接続構造としての機能を有す
る。

【００５１】この実施の形態３によれば、第１及び第３
の階段状スルーホール７、１３によって、第１のストリ
ップ導体３ａと第２のストリップ導体３ｂとの間、及び
第２及び第４の接地導体２ｂ、２ｃ、２ｄ間を接続する
構造のため、積層方向に隣接する各誘電体層１ｃ〜１ｈ
に形成されたスルーホールの軸芯を同一の中心軸上に重
ねて配置することができない場合でも、互いに異なる層
に形成されたマイクロストリップ線路２１とストリップ
線路４ｂとを相互に接続することができる。

【００５２】又、従来の層間接続構造が全体として直角
クランク形状となるのに対して、この実施の形態３の層
間接続構造では、斜め形状となるので、第１のストリッ
プ導体３ａから第２のストリップ導体３ｂ、及び第２の
接地導体２ｂから第３の接地導体２ｄに流れる電流に対
する不連続を小さくすることができ、良好な反射特性が
得られる。

【００５３】実施の形態４ 実施の形態４は、前記実施の形態３の層間接続構造の変
形例であり、これを図１０に基づいて説明する。図１０
は層間接続構造の垂直断面図である。尚、図において前
記実施の形態１乃至３の図と同様の符号は同様の内容の
ものである。

【００５４】図１０において、１ｉは第９の誘電体層
で、前記実施の形態３における最下層の第８の誘電体基
板１ｈの更に下層即ち下面に、新たに積層された層であ
り、実施の形態４における最下層の誘電体層である。
又、２ｅは第５の接地導体であり、前記実施の形態３に
おける第３の接地導体２ｃと接続するため、第５の誘電
体層１ｅと第６の誘電体層１ｆとの間の積層面に積層さ
れている。この第５の接地導体２ｅと第３の接地導体２
ｃとを接続するスルーホール２９が、新たに第５の誘電
体層１ｅに設けられている。同様に、２ｆは第４の接地
導体であり、前記実施の形態３における第４の接地導体
２ｄに代えて、前記第９の誘電体層１ｉの下面に積層さ
れている。尚、この形態４では、誘電体層１ｃが実質的
に最上層であるが、説明の都合上、実施の形態１の用語
のまま第３の誘電体層といいう、以下、各誘電体層１ｃ
〜１ｈにつき、この形態３において同じ。

【００５５】又、１１ｅは新たに積層された前記第９の
誘電体層１ｈに設けられた第３の階段状スルーホールを
構成する単位スルーホールである。同様に、２２ｅは第
１の階段状スルーホール２８を構成する単位スルーホー
ルであり、第６の誘電体層１ｆに設けられている。同様
に、１２ｄはホール接続導体であり、新たに設けられた
前記単位スルーホール１１ｅの上端部と既存の単位スル
ーホール１１ｈの下端部とを接続するよう、第８の誘電
体層１ｈと第９の誘電体層１ｉとの間の積層面に配設さ
れている。同様に、２３ｄはホール接続導体であり、新
たに設けられた前記単位スルーホール２２ｅの上端部と
既存の単位スルーホール２２ｄの下端部とを接続するよ
う、第６の誘電体層１ｆと第７の誘電体層１ｇとの間の
積層面に配設されている。

【００５６】又、２５は第２のストリップ導体として、
前記実施の形態３における第２のストリップ導体３ｂに
代えて、第７の誘電体層１ｇと第８の誘電体層１１ｈの
間に積層されたものである。同様に、２６は第２のスト
リップ導体として、前記実施の形態３における第２のス
トリップ導体４ｂに代えて、第６〜第９の誘電体層１ｆ
〜１ｉと、前記第５及び第６の接地導体２ｅ及び２ｆ
と、第２のストリップ導体２５とで構成されたものであ
る。

【００５７】２７は第３の階段状スルーホールで、前記
実施の形態３における第３の階段スルーホール１３に相
応するものであり、単位スルーホール１１ａ〜１１ｅと
ホール接続導体１２ａ〜１２ｄとで構成されている。同
様に、２８は第１の階段状スルーホールで、前記実施の
形態３における第１の階段スルーホール７に相応するも
のであり、単位スルーホール２２ａ〜２２ｅとホール接
続導体２３ａ〜２３ｄとで構成されている。

【００５８】前記第１のストリップ導体３ａと第２のス
トリップ導体２５とは、第２及び第３の接地導体２ｂ、
２ｃに開設された透孔１４を介して第１の階段状スルー
ホール２８によって接続されている。この接地導体２ｂ
と接地導体２ｃは、同一積層面に面状に一体成形されて
積層されている。又、第１の接地導体２ｃと第４の接地
導体２ｅとの接続には、前記実施の形態３における第２
の階段スルーホールに相応する階段スルーホールはな
く、第５の誘電体層１ｅ（この形態４では実質的には第
３の層）の相応する部位に、在来型のスルーホール２９
が設けられているだけである。更に、第２の接地導体２
ｂと第４の接地導体２ｆとは、第１の階段状スルーホー
ル２７により接続されており、この第１の階段状スルー
ホール２７には、略平行に第３の階段状スルーホール２
８が配置されている。

【００５９】尚、この実施の形態４では、前記実施の形
態３と異なり、ストリップ線路２６を形成する接地導体
２ｅがマイクロストリップ線路２１の接地導体２ｂとは
異なる層に形成されているため、接地導体２ｂを流れる
電流の一部が連続的に接地導体２ｃを流れ、その後に、
スルーホール２９を介して接地導体２ｅに伝わると共
に、接地導体２ｂを流れるその余の他の電流は、第１の
階段状スルーホール２７によって、滑らかに接地導体２
ｆにも伝わる。

【００６０】従って、この実施の形態４によれば、前記
実施の形態３と同様な作用効果を発揮させることができ
ると共に、互いに異なる層に形成されたマイクロストリ
ップ線路２１とストリップ線路２６とを階段状スルーホ
ール２７を用いることにより、容易に接続させることが
できる。又、マイクロストリップ線路２１の接地導体２
ｂａ或いは接地導体２ｃとストリップ線路２６の接地導
体２ｅとが異なる層に形成された場合、即ち、マイクロ
ストリップ線路２１とストリップ線路２６とが異なる層
方向に離れていても、反射を生じることなく層間接続構
造を構成することができる。

【００６１】実施の形態５ 実施の形態５は、実施の形態１における第３の誘電体層
１ｃを最上層とし、第６の誘電体層１ｆを最下層とする
計４枚の誘電体層が積層された層間接続構造に関するも
ので、これを図１１、図１２に基づいて説明する。図１
１は誘電体層を省略した斜視図、図１２はその垂直断面
図である。尚、図において前記実施の形態１乃至４の図
と同様の符号は同様の内容のものである。

【００６２】図１１、図１２において、マイクロストリ
ップ線路３０は、誘電体層１ｅ及び誘電体層１ｆと、接
地導体２ｃと、ストリップ導体３ｂで構成されており、
第１のストリップ導体３ａと第２のストリップ導体３ｂ
とは、第２、第３の接地導体に設けられた透孔１４を介
して、階段状スルーホール２４により接続されている。
この階段状スルーホール２４は、単位スルーホール２２
ａ、２２ｂ、２２ｃ、２２ｄとホール接続導体２３ａ、
２３ｂ、２３ｃとで構成されている。

【００６３】次に、この層間接続構造の動作について説
明する。今、端子Ｐ１から入射した電波は、マイクロス
トリップ線路２１を伝搬した後、階段状スルーホール２
４を介してマイクロストリップ線路３０に結合し、端子
Ｐ２から取り出される。このとき、第１のストリップ導
体３ａを流れる電流は、階段状スルーホール２４によっ
て滑らかに第２のストリップ導体３ｂに伝わり、第２の
接地導体２ｂを流れる電流は連続的に第３の接地導体２
ｃに伝わる。このため、マイクロストリップ線路２１を
伝搬する電波は、途中で反射を生じることなく異なる層
のマイクロストリップ線路３０まで到達する。

【００６４】この実施の形態５によれば、階段状スルー
ホール２４によって、上下に隣接する誘電体層に形成さ
れたスルーホールを同一の中心軸上に重ねて配置するこ
とができない場合でも、互いに異なる層に形成されたマ
イクロストリップ線路２１、３０同士を相互に接続する
ことができる。又、従来の層間接続構造が全体として直
角クランク形状となるのに対して、この実施の形態５の
層間接続構造は、斜め形状となるので、第１のストリッ
プ導体３ａから第２のストリップ導体３ｂに流れる電流
に対する不連続を小さくすることができ、良好な反射特
性が得られる。

【００６５】実施の形態６ 実施の形態６は、前記実施の形態５と同様の動作原理の
層間接続構造に関するもので、これを図１３に基づいて
説明する。図１３は垂直断面図である。尚、図において
前記実施の形態１乃至５の図と同様の符号は同様の内容
のものである。

【００６６】図１３において、この層間接続構造は、最
上層を第３の誘電体層１ｃとし、最下層を第８の誘電体
層１ｈとする計６枚の誘電体層が積層されたものであ
る。接地導体２ｇ及び接地導体２ｈは、第５の誘電体層
１ｆと第６の誘電体層１ｇとの間の積層面に層状に延在
するように積層されている。

【００６７】第１の階段状スルーホール３３は、第１の
ストリップ導体３ａと第２のストリップ導体３１とを接
続するため、単位スルーホール２２ａ〜２２ｆとホール
接続導体２３ａ〜２３ｅとで構成されている。第１のス
トリップ導体３ａは最上層としての第３の誘電体層１ｃ
の上面に積層され、第２のストリップ導体３ａは最下層
としての第８の誘電体層１ｈｃの下面に積層されてい
る。単位スルーホール２２ａ〜２２ｆは、第３の誘電体
層１ｃから第８の誘電体層１ｈの各層毎に設けられてお
り、ホール接続導体２３ａ〜２３ｅは、これら第３の誘
電体層１ｃから第８の誘電体層の間の積層面に配設され
ている。

【００６８】第２の階段状スルーホール３９は、第３の
接地導体２ｃと第８の接地導体２ｈとを接続するため、
単位スルーホール３７ａ〜３７ｂとホール接続導体３８
とで構成されている。第３の接地導体２ｃは第４の誘電
体層１ｄと第６の誘電体層１ｅとの間、第８の接地導体
２ｈは第６の誘電体層１ｆと第７の誘電体層１ｇとの間
の積層面に、それぞれ配設されている。単位スルーホー
ル３７ａ〜３７ｂは第５の誘電体層１ｅから第６の誘電
体層１ｆに設けられており、この第５の誘電体層１ｅと
第６の誘電体層１ｆとの間の積層面に配設されたホール
接続導体３８によって接続されている。

【００６９】第３の階段状スルーホール３６は、第２の
接地導体２ｂと第７の接地導体２ｈとを接続するため、
単位スルーホール３４ａ〜３４ｂとホール接続導体３６
とで構成されている。第２の接地導体２ｂは第４の誘電
体層１ｄと第６の誘電体層１ｅとの間、第９の接地導体
２ｇは第６の誘電体層１ｆと第７の誘電体層１ｇとの間
の積層面に、それぞれ配設されている。単位スルーホー
ル３４ａ〜３４ｂは第５の誘電体層１ｅ〜第６の誘電体
層１ｆに設けられており、この第５の誘電体層１ｅと第
６の誘電体層１ｆとの間の積層面に配設されたホール接
続導体３５によって接続されている。

【００７０】３２はマイクロストリップ線路であり、第
７の誘電体層１ｇ及び第８の誘電体層１ｈと、第８の接
地導体２ｈと、ストリップ導体３１から成る。又、この
実施の形態６では、前記の接地導体２ｂと接地導体２ｃ
とが同一面内において連続的に接続され、又、接地導体
２ｇと接地導体２ｈも同一面内において連続的に接続さ
れているため、第１のストリップ導体３ａと第２のスト
リップ導体３１とを接続する第１の階段状スルーホール
３３は、接地導体２ｂ及び接地導体２ｃと接地導体２ｇ
及び接地導体２ｈとに開設した透孔１４を通って接続さ
れている。又、この実施の形態６では、図から分かるよ
うに、第１の階段状スルーホール３３が、第２の階段状
スルーホール３９と第３の階段状スルーホール３６と
で、前記実施の形態１や形態２と同様に、略平行に配置
されている。

【００７１】図１３に示す層間接続構造は、実施の形態
５の場合と同様の動作原理を有するが、ストリップ線路
３２を形成する接地導体２ｈはマイクロストリップ線路
２１の接地導体２ｂとは異なる層に形成されるため、接
地導体２ｂを流れる電流は、接地導体２ｃ及び階段状ス
ルーホール３９を介する経路と、階段状スルーホール３
６及び接地導体２ｇを介する経路の２つの経路を経て接
地導体２ｈに流れ込む。

【００７２】この実施の形態６によれば、階段状スルー
ホールによって、ストリップ導体間や接地導体間を接続
する構造のため、上下に隣接する誘電体層に形成された
スルーホールを同一の中心軸上に重ねて配置することが
できない場合でも、互いに異なるそうに形成されたマイ
クロストリップ線路同士を相互に接続することができ
る。

【００７３】又、従来の層間接続構造が全体として直角
クランク形状となるのに対して、この実施の形態６の層
間接続構造は、斜め形状となるので、第１のストリップ
導体２１から第２のストリップ導体３２へ、接地導体２
ｂから接地導体２ｃへ、及び接地導体２ｇから接地導体
２ｈへと流れる電流に対する不連続を小さくすることが
でき、良好な反射特性が得られる。更に、マイクロスト
リップ線路２１の接地導体２ｂ或いは２ｃとマイクロス
トリップ線路３２の接地導体２ｇ或いは２ｈとが層方向
に離れている場合、即ち、マイクロストリップ線路２１
とマイクロストリップ線路３２とが層方向に離れていて
も、反射を生じることなく層間接続構造を構成すること
ができる。

【００７４】尚、前記実施の形態１〜６においては、第
１及び第２のストリップ導体が同一直線上に配置された
場合について示したが、相互に同一直線上にない位置、
或いは所定の相対角度を有するように配置されてもよく
(非図示)、同様の作用効果を効果を奏する。又、実施の
形態１〜６においては、１つ或いは複数の階段状スルー
ホールのうちの一部或いは全部が直線階段状の形状を有
する場合について示したが、コーナ或いは螺旋階段状の
形状に構成されてもよく(非図示)、同様の作用効果を効
果を奏する。又、前記実施の形態１〜６に示すよう層間
接続構造を用いることにより、良好な特性を有し、小
形、低損失、且つ低コストな多層高周波回路を提供する
ことができる。

【００７５】又、前記実施の形態１，２、６において、
各々第２の階段状スルーホール１０，１０，３９に代え
て、これらの第２の階段状スルーホール１０，１０，３
９に相応する位置に、実施の形態４の接地導体２ｃ，２
ｅ間を接続するような、１層の誘電体層１ｅに設けられ
た１層分のスルーホール２９を配置した構成としてもよ
いし、形成が可能ならば従来型のスルーホール即ち、複
数層の各誘電体層に同芯線上に一致するスルーホールを
配置した構成であってもよい。階段状スルーホールは、
少なくとも、従来型のスルーホールを形成し難い場合に
用ることで、目的導体間を接続する手段であるから、上
記実施の形態１〜６において、前記第２の階段状スルー
ホールに限らず、第３或いはその他の階段状スルーホー
ルに代えて従来型のスルーホールを配置した構成であっ
てもよい。

【００７６】

【発明の効果】第１乃至第１１の各発明によれば、何れ
も、目的導体間の中間層に階段状スルーホールを設ける
ことによって、積層方向に隣接する複数の層からなる中
間層の各層に、スルーホールを同一の中心軸上に重ねて
配置することができない場合でも、互いに異なる層に形
成された目的導体を接続することができる。

【００７７】第５乃至第１１の各発明によれば、何れ
も、従来の層間接続構造では、目的導体間を接続するス
ルーホールが中間層を直線的に貫通する配置であったた
め、接続全体として形状が直角クランク形状となったの
に対して、階段状スルーホールを設けることによって、
接続全体としての形状が斜めに傾斜する形状となるの
で、目的導体間を流れる電流に対する不連続を小さくす
ることができ、良好な反射特性を備えた多層高周波回路
の層間接続構造を提供することができる。

【００７８】第１０の発明によれば、階段状スルーホー
ルを他の階段状スルーホールで囲んだ構成としているた
め、不要放射が抑圧されると共に、インピーダンス整合
が得やすい多層高周波回路の層間接続構造を提供するこ
とができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】 実施の形態１の誘電体層を省略した層間接続
構造を示す斜視図である。

【図２】 実施の形態１の層間接続構造の垂直断面図で
ある。

【図３】 図２のａ−ａ断面図である。

【図４】 実施の形態２の誘電体層を省略した層間接続
構造を示す斜視図、である。

【図５】 実施の形態２の層間接続構造の垂直断面図で
ある。

【図６】 図６は図５のａ−ａ水平断面図である。

【図７】 実施の形態２の層間接続構造の断面図であ
る。

【図８】 実施の形態３の誘電体層を省略した斜視図で
ある。

【図９】 実施の形態３の層間接続構造の垂直断面図で
ある。

【図１０】 実施の形態４の層間接続構造の垂直断面図
である。

【図１１】 実施の形態５の誘電体層を省略した斜視図
である。

【図１２】 実施の形態５の層間接続構造の垂直断面図
である。

【図１３】 実施の形態６の層間接続構造の垂直断面図
である。

【図１４】 従来の層間接続構造の図である。

【図１５】 図１４におけるＡ−Ａ断面図である。

【符号の説明】

１ａ〜１ｉ 誘電体層、２ａ 第１の接地導体、２ｂ
第２の接地導体，２ｃ第３の接地導体，２ｄ 第４の接
地導体，２ｅ〜２ｈ 接地導体、３ａ 第１のストリッ
プ導体、３ｂ 第２のストリップ導体、２５、３１ ス
トリップ導体、４ａ 第１のストリップ線路、４ｂ 第
２のストリップ線路、２６ ストリップ線路、２１ 第
１のマイクロストリップ線路、３０ 第２のマイクロス
トリップ線路、３２ マイクロストリップ線路、５ａ〜
５ｄ、８ａ〜８ｄ、１１ａ〜１１ｅ、１５ａ〜１５ｄ、
１８ａ〜１８ｄ 単位スルーホール、２２ａ〜２２ｆ、
２９、３４ａ、３４ｂ、３７ａ、３７ｂ 単位スルーホ
ール、６ａ〜６ｃ、９ａ〜９ｃ、１２ａ〜１２ｄ、１６
ａ〜１６ｃ、１９ａ〜１９ｃ ホール接続導体、２３ａ
〜２３ｅ、３５、３８ 単位スルーホール、７ 第１の
階段状スルーホール、１０ 第２の階段状スルーホー
ル、１３ 第３の階段状スルーホール、１７Ｒ,１７Ｌ
上部階段状スルーホール、２０Ｒ，２０Ｌ 下部階段
状スルーホール、２４、２７、２８、３３、３６、３９
階段状スルーホール、２９ スルーホール、１４ 透
孔、Ｐ１ 入射端子、Ｐ２ 出射端子。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 大橋 英征 東京都千代田区丸の内二丁目２番３号 三 菱電機株式会社内 Ｆターム(参考） 5E346 AA43 BB11 HH06 5J014 CA42

Claims (11)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 複数の層から成る中間層を隔てて配設さ
   れた接続対象となる目的導体間を接続する層間接続構造
   において、 前記中間層を構成する各層毎に設けられる単位スルーホ
   ールを、積層方向に隣接する単位スルーホール同士の軸
   芯が一致しないよう層方向に所定の間隔を置いて配設す
   ると共に、積層方向に隣接する前記単位スルーホールの
   端部同士を接続するホール接続導体を層と層との間に配
   設して形成された階段状スルーホールを介して、前記目
   的導体間を接続したことを特徴とする層間接続構造。
2. 【請求項２】 各層毎に形成される単位スルーホールは
   複数であることを特徴とする請求項１に記載の層間接続
   構造。
3. 【請求項３】 ３つ以上の目的導体が直接的又は間接的
   に１又は複数の階段状スルーホールで接続されたことを
   特徴とする請求項１又は請求項２に記載の層間接続構
   造。
4. 【請求項４】 中間層を構成する層に接続目的外の非目
   的導体層が存在する場合には、当該非目的導体層に、階
   段状スルーホールが非接触で通る透孔を設けたことを特
   徴とする請求項１乃至請求項３の何れかに記載の層間接
   続構造。
5. 【請求項５】 最上層に位置する第１の誘電体層と、前
   記第１の誘電体層から下層方向に順次積層された第２か
   ら第ｎの誘電体層と、 前記第１の誘電体層の上面、或いは前記第１から第ｎの
   誘電体層のうち隣接する何れか２層の間に積層された第
   １の接地導体と、前記第１の接地導体より下層に位置す
   る前記誘電体層の隣接する何れか２層の間に積層された
   第２の接地導体と、前記第２の接地導体と同層か或いは
   前記第２の接地導体より下層に位置する前記誘電体層の
   隣接する何れか２層の間に積層された第３の接地導体
   と、前記第３の接地導体より下層に位置する前記誘電体
   層の隣接する何れか２層の間、或いは前記第ｎの誘電体
   層の下面に積層された第４の接地導体と、 前記第１の接地導体と前記第２の接地導体の間に位置す
   る前記誘電体層の隣接する何れか２層の間に積層され、
   入射端子を有する第１のストリップ導体と、前記第３の
   接地導体と前記第４の接地導体の間に位置する前記誘電
   体層の隣接する何れか２層の間に積層され、出射端子を
   有し、且つ、前入射力端子が前記第１のストリップ導体
   の入力端子と異なる層間で略対向する第２のストリップ
   導体と、 前記第１のストリップ導体と第２のストリップ導体の中
   間に位置する前記誘電体層の各層に設けられる単位スル
   ーホールを、積層方向に隣接する単位スルーホール同士
   の軸芯が一致しないよう層方向に所定の間隔を置いて配
   設すると共に、積層方向に隣接する前記単位スルーホー
   ルの端部同士を接続するホール接続導体を層と層との間
   に配設して形成された第１の階段状スルーホールと、 前記第１の接地導体と前記第３の接地導体の中間に位置
   する前記誘電体層の各層に設けられる単位スルーホール
   を、積層方向に隣接する単位スルーホール同士の軸芯が
   一致しないよう層方向に所定の間隔を置いて配設すると
   共に、積層方向に隣接する前記単位スルーホールの端部
   同士を接続するホール接続導体を層と層との間に配設し
   て形成された第２の階段状スルーホールと、 前記第２の接地導体と前記第４の接地導体の中間に位置
   する前記誘電体層の各層に設けられる単位スルーホール
   を、積層方向に隣接する単位スルーホール同士の軸芯が
   一致しないよう層方向に所定の間隔を置いて配設すると
   共に、積層方向に隣接する前記単位スルーホールの端部
   同士を接続するホール接続導体を層と層との間に配設し
   て形成された第３の階段状スルーホールとを備え、 前記第１のストリップ導体と第２のストリップ導体と
   は、前記第２及び第３の接地導体に設けられた透孔を通
   る前記第１の階段状スルーホールを介して接続され、 前記第１の接地導体と第３の接地導体とは、前記第２の
   階段状スルーホールを介して接続され、 前記第２の接地導体と第４の接地導体とは、前記第３の
   階段状スルーホールを介して接続されたことを特徴とす
   る層間接続構造。
6. 【請求項６】 最上層に位置する第１の誘電体層と、前
   記第１の誘電体層から下層方向に順次積層された第２か
   ら第ｎの誘電体層と、 前記第１の誘電体層の上面に形成され、入射端子を有す
   る第１のストリップ導体と、 前記第１のストリップ導体より下層に位置する前記誘電
   体層の隣接する何れか２層の間に積層された第１の接地
   導体と、前記第１の接地導体より下層に位置する前記誘
   電体層の隣接する何れか２層の間、或いは前記第ｎの誘
   電体層の下面に積層された第２の接地導体と、 前記第１の接地導体と第２の接地導体の間に位置する前
   記誘電体層の隣接する何れか２層の間に積層され、出射
   端子を有し、且つ、前記出射端子が前記第１のストリッ
   プ導体の入射端子と異なる層間で略対向する第２のスト
   リップ導体と、 前記第１のストリップ導体と第２のストリップ導体の中
   間に位置する前記誘電体層の各層に設けられる単位スル
   ーホールを、積層方向に隣接する単位スルーホール同士
   の軸芯が一致しないよう層方向に所定の間隔を置いて配
   設すると共に、積層方向に隣接する前記単位スルーホー
   ルの端部同士を接続するホール接続導体を層と層との間
   に配設して形成された第１の階段状スルーホールと、 前記第１の接地導体と前記第２の接地導体の中間に位置
   する前記誘電体層の各層に設けられる単位スルーホール
   を、積層方向に隣接する単位スルーホール同士の軸芯が
   一致しないよう層方向に所定の間隔を置いて配設すると
   共に、積層方向に隣接する前記単位スルーホールの端部
   同士を接続するホール接続導体を層と層との間に配設し
   て形成された第２の階段状スルーホールとを備え、 前記第１のストリップ導体と第２のストリップ導体と
   は、前記第１の接地導体に設けられた透孔を通る前記第
   １の階段状スルーホールを介して接続され、 前記第１の接地導体と第２の接地導体とは、前記第２の
   階段状スルーホールを介して接続されたことを特徴とす
   る層間接続構造。
7. 【請求項７】 最上層に位置する第１の誘電体層と、前
   記第１の誘電体層から下層方向に順次積層された第２か
   ら第ｎの誘電体層と、 前記第１の誘電体層の上面に形成され、入射端子を有す
   る第１のストリップ導体と、 前記第１のストリップ導体より下層に位置する前記誘電
   体層の隣接する何れか２層の間に積層された第１の接地
   導体と、前記第１の接地導体より下層に位置する前記誘
   電体層の隣接する何れか２層の間に積層された第２の接
   地導体と、前記第２の接地導体より下層に位置する前記
   誘電体層の隣接する何れか２層の間、或いは前記第ｎの
   誘電体層の下面に積層された第３の接地導体と、 前記第２の接地導体と第３の接地導体の間に位置する前
   記誘電体層の隣接する何れか２層の間に積層され、出射
   端部を有し、且つ、前記出射端子が前記第１のストリッ
   プ導体の入射端子と異なる層間で略対向する第２のスト
   リップ導体と、 前記第１のストリップ導体と第２のストリップ導体の中
   間に位置する前記誘電体層の各層に設けられる単位スル
   ーホールを、積層方向に隣接する単位スルーホール同士
   の軸芯が一致しないよう層方向に所定の間隔を置いて配
   設すると共に、積層方向に隣接する前記単位スルーホー
   ルの端部同士を接続するホール接続導体を層と層との間
   に配設して形成された第１の階段状スルーホールと、 前記第１の接地導体と第２の接地導体の中間に位置する
   前記誘電体層の各層に設けられる単位スルーホールを、
   積層方向に隣接する単位スルーホール同士の軸芯が一致
   しないよう層方向に所定の間隔を置いて配設すると共
   に、積層方向に隣接する前記単位スルーホールの端部同
   士を接続するホール接続導体を層と層との間に配設して
   形成された第２の階段状スルーホール、或いは、前記第
   １の接地導体と第２の接地導体の中間に位置する前記誘
   電体層が１層の場合には当該１層の誘電体層に形成され
   た１層のスルーホールと、 前記第１の接地導体と第３の接地導体の中間に位置する
   前記誘電体層の各層に設けられる単位スルーホールを、
   積層方向に隣接する単位スルーホール同士の軸芯が一致
   しないよう層方向に所定の間隔を置いて配設すると共
   に、積層方向に隣接する前記単位スルーホールの端部同
   士を接続するホール接続導体を層と層との間に配設して
   形成された第３の階段状スルーホールとを備え、 前記第１のストリップ導体と第２のストリップ導体と
   は、前記第１及び第２の接地導体に設けられた透孔を通
   る前記第１の階段状スルーホールを介して接続され、 前記第１の接地導体と第２の接地導体とは、前記第２の
   階段状スルーホール或いは前記１層のスルーホールを介
   して接続され、 前記第１の接地導体と第３の接地導体とは、前記第３の
   階段状スルーホールを介して接続されたことを特徴とす
   る層間接続構造。
8. 【請求項８】 最上層に位置する第１の誘電体層と、前
   記第１の誘電体層から下層方向に順次積層された第２か
   ら第ｎの誘電体層と、 前記第１の誘電体層の上面に形成され、入射端子を有す
   る第１のストリップ導体と、 前記第１のストリップ導体より下層に位置する前記誘電
   体層の隣接する何れか２層の間に積層された第１の接地
   導体と、前記第ｎの誘電体層の下面に積層され、出射端
   子を有し、且つ、前記出射端子が前記第１のストリップ
   導体の入射端子と異なる層間で略対向する第２のストリ
   ップ導体と、 前記第１のストリップ導体と第２のストリップ導体の中
   間に位置する前記誘電体層の各層に設けられる単位スル
   ーホールを、積層方向に隣接する単位スルーホール同士
   の軸芯が一致しないよう層方向に所定の間隔を置いて配
   設すると共に、積層方向に隣接する前記単位スルーホー
   ルの端部同士を接続するホール接続導体を層と層との間
   に配設して形成された第１の階段状スルーホールとを備
   え、 前記第１のストリップ導体と第２のストリップ導体と
   は、前記第１の接地導体に設けられた透孔を通る前記第
   １の階段状スルーホールを介して接続されたことを特徴
   とする層間接続構造。
9. 【請求項９】 最上層に位置する第１の誘電体層と、前
   記第１の誘電体層から下層方向に順次積層された第２か
   ら第ｎの誘電体層と、 前記第１の誘電体層の上面に形成され、入射端子を有す
   る第１のストリップ導体と、 前記第１のストリップ導体より下層に位置する前記誘電
   体層の隣接する何れか２層の間に積層された第１の接地
   導体と、前記第１の接地導体より下層に位置する前記誘
   電体層の隣接する何れか２層の間に積層された第２の接
   地導体と、 前記第ｎの誘電体層の下面に積層され、出射端子を有
   し、且つ、前記出射端子が前記第１のストリップ導体の
   入射端子と異なる層間で略対向する第２のストリップ導
   体と、 前記第１のストリップ導体と第２のストリップ導体の中
   間に位置する前記誘電体層の各層に設けられ、上下方向
   に隣接するもの同士が所定の間隔を隔てて層方向に階段
   状に配置される単位スルーホールを、積層方向に隣接す
   る単位スルーホール同士の軸芯が一致しないよう層方向
   に所定の間隔を置いて配設すると共に、積層方向に隣接
   する前記単位スルーホールの端部同士を接続するホール
   接続導体を層と層との間に配設して形成された第１の階
   段状スルーホールと、 前記第１の接地導体と第２の接地導体の中間に位置する
   前記誘電体層の各層に設けられる単位スルーホールを、
   積層方向に隣接する単位スルーホール同士の軸芯が一致
   しないよう層方向に所定の間隔を置いて配設すると共
   に、積層方向に隣接する前記単位スルーホールの端部同
   士を接続するホール接続導体を層と層との間に配設して
   形成された第２の階段状スルーホール、或いは、前記第
   １の接地導体と第２の接地導体の中間に位置する前記誘
   電体層が１層の場合には当該１層の誘電体層に形成され
   た１層のスルーホールとを備え、 前記第１のストリップ導体と第２のストリップ導体と
   は、前記第１及び第２の接地導体に設けられた透孔を通
   る前記第１の階段状スルーホールを介して接続され、 前記第１の接地導体と第２の接地導体とは、前記第２の
   階段状スルーホール或いは前記１層のスルーホールを介
   して接続されたことを特徴とする層間接続構造。
10. 【請求項１０】 第２と第３の階段状スルーホールは、
    第１の階段状スルーホールを中央にして相対に配置され
    たことを特徴とする請求項５又は請求項７に記載の層間
    接続構造。
11. 【請求項１１】 第２と第３の階段状スルーホールの双
    方又は何れか一方は、第１の階段状スルーホールと略平
    行に配置されたことを特徴とする請求項５乃至請求項
    ７、請求項９、請求項１０の何れかに記載の層間接続構
    造。