JPH0685099A - 高周波用回路基板の信号回路 - Google Patents
高周波用回路基板の信号回路Info
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- JPH0685099A JPH0685099A JP25730992A JP25730992A JPH0685099A JP H0685099 A JPH0685099 A JP H0685099A JP 25730992 A JP25730992 A JP 25730992A JP 25730992 A JP25730992 A JP 25730992A JP H0685099 A JPH0685099 A JP H0685099A
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- ground
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- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K1/00—Printed circuits
- H05K1/02—Details
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- H05K1/0298—Multilayer circuits
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K1/00—Printed circuits
- H05K1/02—Details
- H05K1/03—Use of materials for the substrate
- H05K1/0306—Inorganic insulating substrates, e.g. ceramic, glass
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- Structure Of Printed Boards (AREA)
- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【構成】 基板100の複数の誘電体層10に連続して
備えたビア20を擬似同軸線路構造化している誘電体層
10間に備えた最上のグランドプレーン30より上方の
ビア20aを備えた誘電体層10と最下のグランドプレ
ーン30より下方のビア20bを備えた誘電体層10と
に、グランドプレーン30に接続されたグランド用ビア
50をビア20a、20bを囲むように複数本並べて備
えて、ビア20a、20bを擬似同軸線路構造化する。 【効果】 グランド用ビア50で、ビア20a、20b
の特性インピーダンスをそれに連なるその他のビア20
の持つ特性インピーダンスにマッチングさせて、それら
のビア20a、20bを高速信号を伝送損失少なく伝え
ることができる。
備えたビア20を擬似同軸線路構造化している誘電体層
10間に備えた最上のグランドプレーン30より上方の
ビア20aを備えた誘電体層10と最下のグランドプレ
ーン30より下方のビア20bを備えた誘電体層10と
に、グランドプレーン30に接続されたグランド用ビア
50をビア20a、20bを囲むように複数本並べて備
えて、ビア20a、20bを擬似同軸線路構造化する。 【効果】 グランド用ビア50で、ビア20a、20b
の特性インピーダンスをそれに連なるその他のビア20
の持つ特性インピーダンスにマッチングさせて、それら
のビア20a、20bを高速信号を伝送損失少なく伝え
ることができる。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、高周波用回路基板の信
号回路、特に10GHz以上の超高速信号等の高速信号
を伝送損失少なく伝えることのできる高周波用回路基板
の信号回路に関する。
号回路、特に10GHz以上の超高速信号等の高速信号
を伝送損失少なく伝えることのできる高周波用回路基板
の信号回路に関する。
【0002】
【従来の技術】上記信号回路として、図9に示したよう
な、信号回路がある。
な、信号回路がある。
【0003】この信号回路は、セラミック等からなる誘
電体層10を複数積層して形成した基板100に、メタ
ライズ等の導体ポールからなるビア(以下、ビアとい
う)20を基板100を上下に貫通して連続して備えて
いる。
電体層10を複数積層して形成した基板100に、メタ
ライズ等の導体ポールからなるビア(以下、ビアとい
う)20を基板100を上下に貫通して連続して備えて
いる。
【0004】ビア20周囲の複数の誘電体層10間に
は、グランドプレーン30をビア20を囲むようにそれ
ぞれ備えている。そして、それらのグランドプレーン3
0で、ビア20を擬似同軸線路構造化して、そのビア2
0の特性インピーダンスを50Ω等にマッチングさせて
いる。
は、グランドプレーン30をビア20を囲むようにそれ
ぞれ備えている。そして、それらのグランドプレーン3
0で、ビア20を擬似同軸線路構造化して、そのビア2
0の特性インピーダンスを50Ω等にマッチングさせて
いる。
【0005】基板100上面とその下面とには、メタラ
イズ等からなる細帯状の信号線路22、24をそれぞれ
備えている。そして、それらの基板100上下面の信号
線路22、24の一端を、基板100の上下面に露出し
たビア20上端とその下端とにそれぞれ接続している。
イズ等からなる細帯状の信号線路22、24をそれぞれ
備えている。そして、それらの基板100上下面の信号
線路22、24の一端を、基板100の上下面に露出し
たビア20上端とその下端とにそれぞれ接続している。
【0006】信号線路22、24は、それらの信号線路
22、24下方とその上方の誘電体層10間に備えた最
上と最下のグランドプレーン30により、マイクロスト
リップ線路構造化して、それらの信号線路22、24の
特性インピーダンスを50Ω等にマッチングさせてい
る。
22、24下方とその上方の誘電体層10間に備えた最
上と最下のグランドプレーン30により、マイクロスト
リップ線路構造化して、それらの信号線路22、24の
特性インピーダンスを50Ω等にマッチングさせてい
る。
【0007】そして、擬似同軸線路構造化したビア20
とそれに接続したマイクロストリップ線路構造化した信
号線路22、24とを高速信号を伝送損失少なく伝える
ことができるようにしている。
とそれに接続したマイクロストリップ線路構造化した信
号線路22、24とを高速信号を伝送損失少なく伝える
ことができるようにしている。
【0008】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記ビ
ア20と信号線路22、24とからなる信号回路におい
ては、最上のグランドプレーン30より上方の誘電体層
10に備えたビア20aと、最下のグランドプレーン3
0より下方の誘電体層10に備えたビア20bとを、擬
似同軸線路構造化しておらず、それらのビア20a、2
0bの特性インピーダンスを、その他の擬似同軸線路構
造化したビア20の持つ特性インピーダンスとマッチン
グできていなかった。
ア20と信号線路22、24とからなる信号回路におい
ては、最上のグランドプレーン30より上方の誘電体層
10に備えたビア20aと、最下のグランドプレーン3
0より下方の誘電体層10に備えたビア20bとを、擬
似同軸線路構造化しておらず、それらのビア20a、2
0bの特性インピーダンスを、その他の擬似同軸線路構
造化したビア20の持つ特性インピーダンスとマッチン
グできていなかった。
【0009】そのため、ビア20と基板100上下面の
信号線路22、24とに亙って高速信号を伝えた場合
に、上記ビア20a、20bを伝わる高速信号の伝送損
失が大きくて、ビア20と信号線路22、24とに亙っ
て高速信号を伝送損失少なく効率良く伝えることができ
なかった。このことは特に、ビア20と信号線路22、
24とに亙って10GHz以上の超高速信号を伝えた場
合に顕著であった。
信号線路22、24とに亙って高速信号を伝えた場合
に、上記ビア20a、20bを伝わる高速信号の伝送損
失が大きくて、ビア20と信号線路22、24とに亙っ
て高速信号を伝送損失少なく効率良く伝えることができ
なかった。このことは特に、ビア20と信号線路22、
24とに亙って10GHz以上の超高速信号を伝えた場
合に顕著であった。
【0010】本発明は、このような難点を解消した、上
記ビアと信号線路とに亙って高速信号を伝送損失少なく
効率良く伝えることのできる高周波用回路基板の信号回
路(以下、信号回路という)を提供することを目的とし
ている。
記ビアと信号線路とに亙って高速信号を伝送損失少なく
効率良く伝えることのできる高周波用回路基板の信号回
路(以下、信号回路という)を提供することを目的とし
ている。
【0011】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明の信号回路は、誘電体層を複数積層して形成
した基板の複数の誘電体層にビアを連続して備えると共
に、そのビア周囲の複数の前記誘電体層間にグランドプ
レーンをビアを囲むようにそれぞれ備えて、前記ビアを
擬似同軸線路構造化し、その擬似同軸線路構造化したビ
アに信号線路を接続した高周波用回路基板の信号回路に
おいて、前記誘電体層間に備えた最上のグランドプレー
ンより上方の誘電体層又は前記誘電体層間に備えた最下
のグランドプレーンより下方の誘電体層にグランドプレ
ーンに接続されたグランドビアを前記ビアを囲むように
複数本並べて備えて、その最上のグランドプレーンより
上方の誘電体層に備えた前記ビア又はその最下のグラン
ドプレーンより下方の誘電体層に備えた前記ビアを擬似
同軸線路構造化したことを特徴としている。
に、本発明の信号回路は、誘電体層を複数積層して形成
した基板の複数の誘電体層にビアを連続して備えると共
に、そのビア周囲の複数の前記誘電体層間にグランドプ
レーンをビアを囲むようにそれぞれ備えて、前記ビアを
擬似同軸線路構造化し、その擬似同軸線路構造化したビ
アに信号線路を接続した高周波用回路基板の信号回路に
おいて、前記誘電体層間に備えた最上のグランドプレー
ンより上方の誘電体層又は前記誘電体層間に備えた最下
のグランドプレーンより下方の誘電体層にグランドプレ
ーンに接続されたグランドビアを前記ビアを囲むように
複数本並べて備えて、その最上のグランドプレーンより
上方の誘電体層に備えた前記ビア又はその最下のグラン
ドプレーンより下方の誘電体層に備えた前記ビアを擬似
同軸線路構造化したことを特徴としている。
【0012】本発明の信号回路においては、最上のグラ
ンドプレーンより上方の誘電体層表面又は誘電体層間、
又は最下のグランドプレーンより下方の誘電体層表面又
は誘電体層間に、グランドパターンをビアを囲むように
備えることを好適としている。
ンドプレーンより上方の誘電体層表面又は誘電体層間、
又は最下のグランドプレーンより下方の誘電体層表面又
は誘電体層間に、グランドパターンをビアを囲むように
備えることを好適としている。
【0013】
【作用】上記構成の信号回路においては、最上のグラン
ドプレーンより上方のビアを備えた誘電体層、又は最下
のグランドプレーンより下方のビアを備えた誘電体層
に、グランド用ビアを、ビアを囲むように複数本並べて
備えている。そして、それらの複数本のグランド用ビア
で、最上のグランドプレーンより上方の誘電体層に備え
たビア、又は最下のグランドプレーンより下方の誘電体
層に備えたビアを擬似同軸線路構造化している。
ドプレーンより上方のビアを備えた誘電体層、又は最下
のグランドプレーンより下方のビアを備えた誘電体層
に、グランド用ビアを、ビアを囲むように複数本並べて
備えている。そして、それらの複数本のグランド用ビア
で、最上のグランドプレーンより上方の誘電体層に備え
たビア、又は最下のグランドプレーンより下方の誘電体
層に備えたビアを擬似同軸線路構造化している。
【0014】そのため、複数本の上記グランド用ビア
で、最上のグランドプレーンより上方の誘電体層に備え
たビア、又は最下のグランドプレーンより下方の誘電体
層に備えたビアの特性インピーダンスをそのビアに連な
るその他のビアの持つ特性インピーダンスの50Ω等に
マッチングさせて、そのビアを高速信号を伝送損失少な
く伝えることができる。
で、最上のグランドプレーンより上方の誘電体層に備え
たビア、又は最下のグランドプレーンより下方の誘電体
層に備えたビアの特性インピーダンスをそのビアに連な
るその他のビアの持つ特性インピーダンスの50Ω等に
マッチングさせて、そのビアを高速信号を伝送損失少な
く伝えることができる。
【0015】また、最上のグランドプレーンより上方の
誘電体層表面又は誘電体層間、又は最下のグランドプレ
ーンより下方の誘電体層表面又は誘電体層間に、グラン
ドパターンをビアを囲むように備えた信号回路にあって
は、そのグランドパターンで、最上のグランドプレーン
より上方の誘電体層に備えたビア、又は最下のグランド
プレーンより下方の誘電体層に備えたビア周囲を円弧状
等に隙間なく囲んで、その誘電体層に備えたビアを、同
軸線路に近い擬似同軸線路に形成できる。そして、その
グランドパターンと前記グランド用ビアとで、最上のグ
ランドプレーンより上方の誘電体層に備えたビア又は最
下のグランドプレーンより下方の誘電体層に備えたビア
の特性インピーダンスを、そのビアに連なるその他のビ
アの持つ特性インピーダンスの50Ω等に的確にマッチ
ングさせて、そのビアを高速信号をより伝送損失少なく
伝えることができる。
誘電体層表面又は誘電体層間、又は最下のグランドプレ
ーンより下方の誘電体層表面又は誘電体層間に、グラン
ドパターンをビアを囲むように備えた信号回路にあって
は、そのグランドパターンで、最上のグランドプレーン
より上方の誘電体層に備えたビア、又は最下のグランド
プレーンより下方の誘電体層に備えたビア周囲を円弧状
等に隙間なく囲んで、その誘電体層に備えたビアを、同
軸線路に近い擬似同軸線路に形成できる。そして、その
グランドパターンと前記グランド用ビアとで、最上のグ
ランドプレーンより上方の誘電体層に備えたビア又は最
下のグランドプレーンより下方の誘電体層に備えたビア
の特性インピーダンスを、そのビアに連なるその他のビ
アの持つ特性インピーダンスの50Ω等に的確にマッチ
ングさせて、そのビアを高速信号をより伝送損失少なく
伝えることができる。
【0016】
【実施例】次に、本発明の実施例を図面に従い説明す
る。図1と図2は本発明の信号回路の好適な実施例を示
し、図1はその一部平面図、図2はその一部正面断面図
を示している。以下に、この信号回路を説明する。
る。図1と図2は本発明の信号回路の好適な実施例を示
し、図1はその一部平面図、図2はその一部正面断面図
を示している。以下に、この信号回路を説明する。
【0017】図において、100は、セラミックからな
る誘電体層10を複数積層して形成した基板である。
る誘電体層10を複数積層して形成した基板である。
【0018】基板100の複数の誘電体層10には、ビ
ア20を上下に貫通して連続して備えている。
ア20を上下に貫通して連続して備えている。
【0019】ビア20周囲の複数の誘電体層10間に
は、メタライズからなるグランドプレーン30をビア2
0を囲むようにそれぞれ備えている。具体的には、グラ
ンドプレーン30内側に円形穴32を開口して、その円
形穴32の中心にビア20を貫通させて配設している。
は、メタライズからなるグランドプレーン30をビア2
0を囲むようにそれぞれ備えている。具体的には、グラ
ンドプレーン30内側に円形穴32を開口して、その円
形穴32の中心にビア20を貫通させて配設している。
【0020】そして、ビア20周囲の誘電体層10間に
備えたグランドプレーン30で、ビア20を擬似同軸線
路構造化して、そのビア20の特性インピーダンスを5
0Ω等にマッチングさせている。
備えたグランドプレーン30で、ビア20を擬似同軸線
路構造化して、そのビア20の特性インピーダンスを5
0Ω等にマッチングさせている。
【0021】基板100上面とその下面とには、メタラ
イズからなる細帯状の信号線路22、24をそれぞれ備
えている。そして、それらの信号線路22、24の一端
を、基板100上下面に露出したビア20上端とその下
端とにそれぞれ接続している。
イズからなる細帯状の信号線路22、24をそれぞれ備
えている。そして、それらの信号線路22、24の一端
を、基板100上下面に露出したビア20上端とその下
端とにそれぞれ接続している。
【0022】基板100上面に備えた信号線路22は、
その下方の誘電体層10間に備えた最上のグランドプレ
ーン30により、マイクロストリップ線路構造化して、
その信号線路22の特性インピーダンスを50Ω等にマ
ッチングさせている。
その下方の誘電体層10間に備えた最上のグランドプレ
ーン30により、マイクロストリップ線路構造化して、
その信号線路22の特性インピーダンスを50Ω等にマ
ッチングさせている。
【0023】基板100下面に備えた信号線路24は、
その上方の誘電体層10間に備えた最下のグランドプレ
ーン30により、マイクロストリップ線路構造化して、
その信号線路24の特性インピーダンスを50Ω等にマ
ッチングさせている。
その上方の誘電体層10間に備えた最下のグランドプレ
ーン30により、マイクロストリップ線路構造化して、
その信号線路24の特性インピーダンスを50Ω等にマ
ッチングさせている。
【0024】以上の構成は、従来の信号回路と同様であ
るが、図の信号回路においては、最上のグランドプレー
ン30より上方の誘電体層10と、最下のグランドプレ
ーン30より下方の誘電体層10とに、メタライズ等の
導体ポールからなるグランド用ビア(以下、グランド用
ビアという)50を、ビア20を囲むように複数本円形
状に並べて備えている。グランド用ビア50は、最上と
最下のグランドプレーン30にそれぞれ接続していて、
接地できるようにしている。そして、それらの複数本の
グランド用ビア50で、最上のグランドプレーン30よ
り上方の誘電体層10に備えたビア20aと、最下のグ
ランドプレーン30より下方の誘電体層10に備えたビ
ア20bとを、擬似同軸線路構造化して、それらのビア
20a、20bの特性インピーダンスをそれらに連なる
その他のビア20や信号線路22、24の持つ特性イン
ピーダンスの50Ω等にマッチングさせている。
るが、図の信号回路においては、最上のグランドプレー
ン30より上方の誘電体層10と、最下のグランドプレ
ーン30より下方の誘電体層10とに、メタライズ等の
導体ポールからなるグランド用ビア(以下、グランド用
ビアという)50を、ビア20を囲むように複数本円形
状に並べて備えている。グランド用ビア50は、最上と
最下のグランドプレーン30にそれぞれ接続していて、
接地できるようにしている。そして、それらの複数本の
グランド用ビア50で、最上のグランドプレーン30よ
り上方の誘電体層10に備えたビア20aと、最下のグ
ランドプレーン30より下方の誘電体層10に備えたビ
ア20bとを、擬似同軸線路構造化して、それらのビア
20a、20bの特性インピーダンスをそれらに連なる
その他のビア20や信号線路22、24の持つ特性イン
ピーダンスの50Ω等にマッチングさせている。
【0025】図1と図2に示した信号回路は、以上のよ
うに構成していて、この信号回路では、その特性インピ
ーダンスを50Ω等にマッチングさせたビア20a、2
0bを10GHz以上の超高速信号等の高速信号を伝送
損失少なく伝えることができる。
うに構成していて、この信号回路では、その特性インピ
ーダンスを50Ω等にマッチングさせたビア20a、2
0bを10GHz以上の超高速信号等の高速信号を伝送
損失少なく伝えることができる。
【0026】図3と図4は本発明の信号回路の他の好適
な実施例を示し、図3はその一部平面図、図4はその一
部正面断面図を示している。以下に、この信号回路を説
明する。
な実施例を示し、図3はその一部平面図、図4はその一
部正面断面図を示している。以下に、この信号回路を説
明する。
【0027】図の信号回路では、最上のグランドプレー
ン30より上方の誘電体層10表面に当たる基板100
上面と最下のグランドプレーン30より下方の誘電体層
10表面に当たる基板100下面とに、円弧帯状をした
メタライズからなるグランドパターン40を、ビア20
a、20bを囲むようにそれぞれ備えている。グランド
パターン40は、最上のグランドプレーン30より上方
の誘電体層10に備えたグランド用ビア50と最下のグ
ランドプレーン30より下方の誘電体層10に備えたグ
ランド用ビア50とにそれぞれ接続していて、接地でき
るようにしている。
ン30より上方の誘電体層10表面に当たる基板100
上面と最下のグランドプレーン30より下方の誘電体層
10表面に当たる基板100下面とに、円弧帯状をした
メタライズからなるグランドパターン40を、ビア20
a、20bを囲むようにそれぞれ備えている。グランド
パターン40は、最上のグランドプレーン30より上方
の誘電体層10に備えたグランド用ビア50と最下のグ
ランドプレーン30より下方の誘電体層10に備えたグ
ランド用ビア50とにそれぞれ接続していて、接地でき
るようにしている。
【0028】そして、基板100上下面にそれぞれ備え
たグランドパターン40で、ビア20a、20b周囲を
それぞれ円弧状に隙間なく囲んで、それらのビア20
a、20bを同軸線路に近い擬似同軸線路に形成してい
る。そして、グランドパターン40とグランド用ビア5
0とで、ビア20a、20bの特性インピーダンスをそ
れらに連なるその他のビア20や信号線路22、24の
持つ特性インピーダンスの50Ω等に的確にマッチング
させて、それらのビア20a、20bを10GHz以上
の超高速信号等の高速信号をより伝送損失少なく伝える
ことができるようにしている。
たグランドパターン40で、ビア20a、20b周囲を
それぞれ円弧状に隙間なく囲んで、それらのビア20
a、20bを同軸線路に近い擬似同軸線路に形成してい
る。そして、グランドパターン40とグランド用ビア5
0とで、ビア20a、20bの特性インピーダンスをそ
れらに連なるその他のビア20や信号線路22、24の
持つ特性インピーダンスの50Ω等に的確にマッチング
させて、それらのビア20a、20bを10GHz以上
の超高速信号等の高速信号をより伝送損失少なく伝える
ことができるようにしている。
【0029】その他は、前述図1と図2に示した信号回
路と同様に構成していて、その作用も、前述図1と図2
に示した信号回路と同様であり、その同一部材には同一
符号を付し、その説明を省略する。
路と同様に構成していて、その作用も、前述図1と図2
に示した信号回路と同様であり、その同一部材には同一
符号を付し、その説明を省略する。
【0030】図5と図6は本発明の信号回路のもう一つ
の好適な実施例を示し、図5はその一部平面図、図6は
その一部正面断面図を示している。以下に、この信号回
路を説明する。
の好適な実施例を示し、図5はその一部平面図、図6は
その一部正面断面図を示している。以下に、この信号回
路を説明する。
【0031】図の信号回路では、基板100上面に備え
た信号線路22を、基板100上面に積層したセラミッ
クからなる誘電体層12で覆っている。
た信号線路22を、基板100上面に積層したセラミッ
クからなる誘電体層12で覆っている。
【0032】基板100上面を覆った誘電体層12上面
には、メタライズからなるグランドプレーン36を広く
備えている。そして、そのグランドプレーン36と信号
線路22下方の誘電体層10間に備えた最上のグランド
プレーン30とで、基板100上面の信号線路22をス
トリップ線路構造化して、その信号線路22の特性イン
ピーダンスを一定値の50Ω等にマッチングさせてい
る。
には、メタライズからなるグランドプレーン36を広く
備えている。そして、そのグランドプレーン36と信号
線路22下方の誘電体層10間に備えた最上のグランド
プレーン30とで、基板100上面の信号線路22をス
トリップ線路構造化して、その信号線路22の特性イン
ピーダンスを一定値の50Ω等にマッチングさせてい
る。
【0033】それと共に、基板100下面に備えた信号
線路24を、基板100下面に積層したセラミックから
なる誘電体層14で覆っている。
線路24を、基板100下面に積層したセラミックから
なる誘電体層14で覆っている。
【0034】基板100下面を覆った誘電体層14下面
には、メタライズからなるグランドプレーン38を広く
備えている。そして、そのグランドプレーン38と信号
線路24上方の誘電体層10間に備えた最下のグランド
プレーン30とで、基板100下面の信号線路24をス
トリップ線路構造化して、その信号線路24の特性イン
ピーダンスを一定値の50Ω等にマッチングさせてい
る。
には、メタライズからなるグランドプレーン38を広く
備えている。そして、そのグランドプレーン38と信号
線路24上方の誘電体層10間に備えた最下のグランド
プレーン30とで、基板100下面の信号線路24をス
トリップ線路構造化して、その信号線路24の特性イン
ピーダンスを一定値の50Ω等にマッチングさせてい
る。
【0035】基板100とその上下面にそれぞれ積層し
た誘電体層12、14とは、基板102を形成してい
る。
た誘電体層12、14とは、基板102を形成してい
る。
【0036】最上のグランドプレーン30より上方の誘
電体層10とその誘電体層10上面に積層した誘電体層
12には、グランド用ビア52をそれらの誘電体層1
0、12を上下に貫通してビア20を囲むように複数本
円形状に並べて備えている。グランド用ビア52は、最
上のグランドプレーン30とグランドプレーン36とに
それぞれ接続していて、接地できるようにしている。
電体層10とその誘電体層10上面に積層した誘電体層
12には、グランド用ビア52をそれらの誘電体層1
0、12を上下に貫通してビア20を囲むように複数本
円形状に並べて備えている。グランド用ビア52は、最
上のグランドプレーン30とグランドプレーン36とに
それぞれ接続していて、接地できるようにしている。
【0037】そして、それらのグランド用ビア52で、
最上のグランドプレーン30より上方の誘電体層10に
備えたビア20aを擬似同軸線路構造化して、そのビア
20aの特性インピーダンスをそれに連なるその他のビ
ア20や信号線路22の持つ特性インピーダンスの50
Ω等にマッチングさせている。そして、そのビア20a
を10GHz以上の超高速信号等の高速信号を伝送損失
少なく伝えることができるようにしている。
最上のグランドプレーン30より上方の誘電体層10に
備えたビア20aを擬似同軸線路構造化して、そのビア
20aの特性インピーダンスをそれに連なるその他のビ
ア20や信号線路22の持つ特性インピーダンスの50
Ω等にマッチングさせている。そして、そのビア20a
を10GHz以上の超高速信号等の高速信号を伝送損失
少なく伝えることができるようにしている。
【0038】最下のグランドプレーン30より下方の誘
電体層10とその誘電体層10下面に積層した誘電体層
14には、グランド用ビア52をそれらの誘電体層1
0、14を上下に貫通してビア20を囲むように複数本
円形状に並べて備えている。グランド用ビア52は、最
下のグランドプレーン30とグランドプレーン38とに
それぞれ接続していて、接地できるようにしている。
電体層10とその誘電体層10下面に積層した誘電体層
14には、グランド用ビア52をそれらの誘電体層1
0、14を上下に貫通してビア20を囲むように複数本
円形状に並べて備えている。グランド用ビア52は、最
下のグランドプレーン30とグランドプレーン38とに
それぞれ接続していて、接地できるようにしている。
【0039】そして、それらのグランド用ビア52で、
最下のグランドプレーン30下方の誘電体層10に備え
たビア20bを擬似同軸線路構造化して、そのビア20
bの特性インピーダンスをそれに連なるその他のビア2
0や信号線路24の持つ特性インピーダンスの50Ω等
にマッチングさせている。そして、そのビア20bを1
0GHz以上の超高速信号等の高速信号を伝送損失少な
く伝えることができるようにしている。
最下のグランドプレーン30下方の誘電体層10に備え
たビア20bを擬似同軸線路構造化して、そのビア20
bの特性インピーダンスをそれに連なるその他のビア2
0や信号線路24の持つ特性インピーダンスの50Ω等
にマッチングさせている。そして、そのビア20bを1
0GHz以上の超高速信号等の高速信号を伝送損失少な
く伝えることができるようにしている。
【0040】その他は、前述図1と図2に示した信号回
路と同様に構成していて、その作用も、前述図1と図2
に示した信号回路と同様であり、その同一部材には、同
一符号を付し、その説明を省略する。
路と同様に構成していて、その作用も、前述図1と図2
に示した信号回路と同様であり、その同一部材には、同
一符号を付し、その説明を省略する。
【0041】図7と図8は本発明の信号回路のさらにも
う一つの好適な実施例を示し、図7はその一部平面図、
図8はその一部正面断面図を示している。以下に、この
信号回路を説明する。
う一つの好適な実施例を示し、図7はその一部平面図、
図8はその一部正面断面図を示している。以下に、この
信号回路を説明する。
【0042】図の信号回路では、図7に破線で示したよ
うに、最上のグランドプレーン30より上方の誘電体層
10、12間に、円弧帯状をしたメタライズからなるグ
ランドパターン42を、ビア20aを囲むように備えて
いる。グランドパターン42は、グランド用ビア52に
接続していて、接地できるようにしている。
うに、最上のグランドプレーン30より上方の誘電体層
10、12間に、円弧帯状をしたメタライズからなるグ
ランドパターン42を、ビア20aを囲むように備えて
いる。グランドパターン42は、グランド用ビア52に
接続していて、接地できるようにしている。
【0043】そして、グランドパターン42で、最上の
グランドプレーン30より上方の誘電体層10に備えた
ビア20a周囲を円弧状に隙間なく囲んで、そのビア2
0aを同軸線路に近い擬似同軸線路に形成している。そ
して、グランドパターン42とグランド用ビア52と
で、ビア20aの特性インピーダンスを一定値の50Ω
等に的確にマッチングさせて、そのビア20aを10G
Hz以上の超高速信号等の高速信号をより伝送損失少な
く伝えることができるようにしている。
グランドプレーン30より上方の誘電体層10に備えた
ビア20a周囲を円弧状に隙間なく囲んで、そのビア2
0aを同軸線路に近い擬似同軸線路に形成している。そ
して、グランドパターン42とグランド用ビア52と
で、ビア20aの特性インピーダンスを一定値の50Ω
等に的確にマッチングさせて、そのビア20aを10G
Hz以上の超高速信号等の高速信号をより伝送損失少な
く伝えることができるようにしている。
【0044】それと共に、最下のグランドプレーン30
より下方の誘電体層10、14間に、円弧帯状をしたメ
タライズからなるグランドパターン42を、ビア20b
を囲むように備えている。グランドパターン42は、グ
ランド用ビア52に接続していて、接地できるようにし
ている。
より下方の誘電体層10、14間に、円弧帯状をしたメ
タライズからなるグランドパターン42を、ビア20b
を囲むように備えている。グランドパターン42は、グ
ランド用ビア52に接続していて、接地できるようにし
ている。
【0045】そして、グランドパターン42で、最下の
グランドプレーン30より下方の誘電体層10に備えた
ビア20b周囲を円弧状に隙間なく囲んで、そのビア2
0bを同軸線路に近い擬似同軸線路に形成している。そ
して、グランドパターン42とグランド用ビア52と
で、ビア20bの特性インピーダンスを一定値の50Ω
等に的確にマッチングさせて、そのビア20bを10G
Hz以上の超高速信号等の高速信号をより伝送損失少な
く伝えることができるようにしている。
グランドプレーン30より下方の誘電体層10に備えた
ビア20b周囲を円弧状に隙間なく囲んで、そのビア2
0bを同軸線路に近い擬似同軸線路に形成している。そ
して、グランドパターン42とグランド用ビア52と
で、ビア20bの特性インピーダンスを一定値の50Ω
等に的確にマッチングさせて、そのビア20bを10G
Hz以上の超高速信号等の高速信号をより伝送損失少な
く伝えることができるようにしている。
【0046】その他は、前述図5と図6に示した信号回
路と同様に構成していて、その作用も、前述図5と図6
に示した信号回路と同様であり、その同一部材には、同
一符号を付し、その説明を省略する。
路と同様に構成していて、その作用も、前述図5と図6
に示した信号回路と同様であり、その同一部材には、同
一符号を付し、その説明を省略する。
【0047】なお、本発明の信号回路は、ビア20の一
方の端部のみに信号線路22又は24を接続した信号回
路、又はビア20を基板表面に搭載した同軸コネクタの
信号線路に接続した信号回路にも利用可能である。
方の端部のみに信号線路22又は24を接続した信号回
路、又はビア20を基板表面に搭載した同軸コネクタの
信号線路に接続した信号回路にも利用可能である。
【0048】また、本発明は、誘電体層10、12又は
14に樹脂を用い、ビア20にホール内周面に金属めっ
き層等の導体層を備えてなるビアを用いた信号回路にも
利用可能である。
14に樹脂を用い、ビア20にホール内周面に金属めっ
き層等の導体層を備えてなるビアを用いた信号回路にも
利用可能である。
【0049】
【発明の効果】以上説明したように、本発明の信号回路
によれば、基板の複数の誘電体層間にそれぞれ備えたグ
ランドプレーンで擬似同軸線路構造化したビアの最上の
グランドプレーンより上方の誘電体層に備えたビア又は
最下のグランドプレーンより下方の誘電体層に備えたビ
アを擬似同軸線路構造化して、そのビアの特性インピー
ダンスをそれに連なるその他のビアや信号線路の持つ特
性インピーダンスにマッチングさせ、そのビアを10G
Hz以上の超高速信号等の高速信号を伝送損失少なく効
率良く伝えることができる。
によれば、基板の複数の誘電体層間にそれぞれ備えたグ
ランドプレーンで擬似同軸線路構造化したビアの最上の
グランドプレーンより上方の誘電体層に備えたビア又は
最下のグランドプレーンより下方の誘電体層に備えたビ
アを擬似同軸線路構造化して、そのビアの特性インピー
ダンスをそれに連なるその他のビアや信号線路の持つ特
性インピーダンスにマッチングさせ、そのビアを10G
Hz以上の超高速信号等の高速信号を伝送損失少なく効
率良く伝えることができる。
【0050】また、最上のグランドプレーンより上方の
誘電体層表面又は誘電体層間、又は最下のグランドプレ
ーンより下方の誘電体層表面又は誘電体層間に、グラン
ドパターンをビアを囲むように備えた信号回路にあって
は、そのグランドパターンで、最上のグランドプレーン
より上方の誘電体層に備えたビア又は最下のグランドプ
レーンより下方の誘電体層に備えたビア周囲を円弧状等
に隙間なく囲んで、その誘電体層に備えたビアを同軸線
路に近い擬似同軸線路に形成できる。そして、そのグラ
ンドパターンとビア周囲のグランド用ビアとで、最上の
グランドプレーンより上方の誘電体層に備えたビア又は
最下のグランドプレーンより下方の誘電体層に備えたビ
アの特性インピーダンスをそのビアに連なるその他のビ
アや信号線路の持つ特性インピーダンスに的確にマッチ
ングさせて、その誘電体層に備えたビアを高速信号をよ
り伝送損失少なく伝えることができる。
誘電体層表面又は誘電体層間、又は最下のグランドプレ
ーンより下方の誘電体層表面又は誘電体層間に、グラン
ドパターンをビアを囲むように備えた信号回路にあって
は、そのグランドパターンで、最上のグランドプレーン
より上方の誘電体層に備えたビア又は最下のグランドプ
レーンより下方の誘電体層に備えたビア周囲を円弧状等
に隙間なく囲んで、その誘電体層に備えたビアを同軸線
路に近い擬似同軸線路に形成できる。そして、そのグラ
ンドパターンとビア周囲のグランド用ビアとで、最上の
グランドプレーンより上方の誘電体層に備えたビア又は
最下のグランドプレーンより下方の誘電体層に備えたビ
アの特性インピーダンスをそのビアに連なるその他のビ
アや信号線路の持つ特性インピーダンスに的確にマッチ
ングさせて、その誘電体層に備えたビアを高速信号をよ
り伝送損失少なく伝えることができる。
【図1】本発明の信号回路の一部平面図である。
【図2】本発明の信号回路の一部正面断面図である。
【図3】本発明の信号回路の一部平面図である。
【図4】本発明の信号回路の一部正面断面図である。
【図5】本発明の信号回路の一部平面図である。
【図6】本発明の信号回路の一部正面断面図である。
【図7】本発明の信号回路の一部平面図である。
【図8】本発明の信号回路の一部正面断面図である。
【図9】従来の信号回路の一部正面断面図である。
10、12、14 誘電体層 20、20a、20b ビア 30 グランドプレーン 36、38 グランドプレーン 40、42 グランドパターン 50、52 グランド用ビア 100、102 基板
Claims (2)
- 【請求項1】 誘電体層を複数積層して形成した基板の
複数の誘電体層にビアを連続して備えると共に、そのビ
ア周囲の複数の前記誘電体層間にグランドプレーンをビ
アを囲むようにそれぞれ備えて、前記ビアを擬似同軸線
路構造化し、その擬似同軸線路構造化したビアに信号線
路を接続した高周波用回路基板の信号回路において、前
記誘電体層間に備えた最上のグランドプレーンより上方
の誘電体層又は前記誘電体層間に備えた最下のグランド
プレーンより下方の誘電体層にグランドプレーンに接続
されたグランド用ビアを前記ビアを囲むように複数本並
べて備えて、その最上のグランドプレーンより上方の誘
電体層に備えた前記ビア又はその最下のグランドプレー
ンより下方の誘電体層に備えた前記ビアを擬似同軸線路
構造化したことを特徴とする高周波用回路基板の信号回
路。 - 【請求項2】 最上のグランドプレーンより上方の誘電
体層表面又は誘電体層間、又は最下のグランドプレーン
より下方の誘電体層表面又は誘電体層間に、グランドパ
ターンをビアを囲むように備えた請求項1記載の高周波
用回路基板の信号回路。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP25730992A JP3194445B2 (ja) | 1992-09-01 | 1992-09-01 | 高周波用回路基板の信号回路 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP25730992A JP3194445B2 (ja) | 1992-09-01 | 1992-09-01 | 高周波用回路基板の信号回路 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0685099A true JPH0685099A (ja) | 1994-03-25 |
JP3194445B2 JP3194445B2 (ja) | 2001-07-30 |
Family
ID=17304572
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP25730992A Ceased JP3194445B2 (ja) | 1992-09-01 | 1992-09-01 | 高周波用回路基板の信号回路 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP3194445B2 (ja) |
Cited By (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2001156198A (ja) * | 1999-11-26 | 2001-06-08 | Kyocera Corp | 多層配線基板 |
US6700789B2 (en) | 2002-01-07 | 2004-03-02 | Kyocera Corporation | High-frequency wiring board |
KR20050072881A (ko) * | 2004-01-07 | 2005-07-12 | 삼성전자주식회사 | 임피던스 정합 비아 홀을 구비하는 다층기판 |
WO2007046271A1 (ja) * | 2005-10-18 | 2007-04-26 | Nec Corporation | 垂直信号経路、それを有するプリント基板及びそのプリント基板と半導体素子とを有する半導体パッケージ |
WO2009050851A1 (ja) * | 2007-10-19 | 2009-04-23 | Advantest Corporation | 回路基板および電子デバイス |
WO2011018938A1 (ja) * | 2009-08-12 | 2011-02-17 | 日本電気株式会社 | 多層プリント配線板 |
CN102970817A (zh) * | 2011-08-30 | 2013-03-13 | 思达科技股份有限公司 | 电子电路板 |
US8536464B2 (en) | 2008-05-26 | 2013-09-17 | Nec Corporation | Multilayer substrate |
JP5687336B2 (ja) * | 2011-05-24 | 2015-03-18 | 三菱電機株式会社 | 高周波パッケージ |
-
1992
- 1992-09-01 JP JP25730992A patent/JP3194445B2/ja not_active Ceased
Cited By (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2001156198A (ja) * | 1999-11-26 | 2001-06-08 | Kyocera Corp | 多層配線基板 |
US6700789B2 (en) | 2002-01-07 | 2004-03-02 | Kyocera Corporation | High-frequency wiring board |
KR20050072881A (ko) * | 2004-01-07 | 2005-07-12 | 삼성전자주식회사 | 임피던스 정합 비아 홀을 구비하는 다층기판 |
WO2007046271A1 (ja) * | 2005-10-18 | 2007-04-26 | Nec Corporation | 垂直信号経路、それを有するプリント基板及びそのプリント基板と半導体素子とを有する半導体パッケージ |
US8035992B2 (en) | 2005-10-18 | 2011-10-11 | Nec Corporation | Vertical transitions, printed circuit boards therewith and semiconductor packages with the printed circuit boards and semiconductor chip |
WO2009050851A1 (ja) * | 2007-10-19 | 2009-04-23 | Advantest Corporation | 回路基板および電子デバイス |
JP5337042B2 (ja) * | 2007-10-19 | 2013-11-06 | 株式会社アドバンテスト | 回路基板および電子デバイス |
US8536464B2 (en) | 2008-05-26 | 2013-09-17 | Nec Corporation | Multilayer substrate |
WO2011018938A1 (ja) * | 2009-08-12 | 2011-02-17 | 日本電気株式会社 | 多層プリント配線板 |
JP5687336B2 (ja) * | 2011-05-24 | 2015-03-18 | 三菱電機株式会社 | 高周波パッケージ |
US9591756B2 (en) | 2011-05-24 | 2017-03-07 | Mitsubishi Electric Corporation | High-frequency package |
CN102970817A (zh) * | 2011-08-30 | 2013-03-13 | 思达科技股份有限公司 | 电子电路板 |
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Publication number | Publication date |
---|---|
JP3194445B2 (ja) | 2001-07-30 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
RVOP | Cancellation by post-grant opposition |