JPS5892101A - マイクロ波回路 - Google Patents
マイクロ波回路Info
- Publication number
- JPS5892101A JPS5892101A JP19116381A JP19116381A JPS5892101A JP S5892101 A JPS5892101 A JP S5892101A JP 19116381 A JP19116381 A JP 19116381A JP 19116381 A JP19116381 A JP 19116381A JP S5892101 A JPS5892101 A JP S5892101A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- lines
- holes
- line
- microwave circuit
- triplate
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 11
- 239000004020 conductor Substances 0.000 abstract description 15
- 238000000034 method Methods 0.000 description 6
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 239000011889 copper foil Substances 0.000 description 5
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 4
- 230000003993 interaction Effects 0.000 description 3
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 2
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 2
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 2
- 239000004809 Teflon Substances 0.000 description 1
- 229920006362 Teflon® Polymers 0.000 description 1
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 1
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 1
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 238000010276 construction Methods 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 239000003989 dielectric material Substances 0.000 description 1
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 230000014759 maintenance of location Effects 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000001465 metallisation Methods 0.000 description 1
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 1
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01P—WAVEGUIDES; RESONATORS, LINES, OR OTHER DEVICES OF THE WAVEGUIDE TYPE
- H01P3/00—Waveguides; Transmission lines of the waveguide type
- H01P3/02—Waveguides; Transmission lines of the waveguide type with two longitudinal conductors
- H01P3/08—Microstrips; Strip lines
- H01P3/085—Triplate lines
Landscapes
- Waveguide Connection Structure (AREA)
- Waveguides (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
この発明はマイクロ波回路、特にトリプレート構造のマ
イクロ波伝送線路を用いたマイクロ波回路に関するもの
である。
イクロ波伝送線路を用いたマイクロ波回路に関するもの
である。
マイクロ波伝送線路としては通常、導波管、同軸線路な
どが用いられる場合が多いが、機器の小形化、軽量化の
ために、誘電体基板に回路を形成した平面回路も多く使
用されるようになってきた。
どが用いられる場合が多いが、機器の小形化、軽量化の
ために、誘電体基板に回路を形成した平面回路も多く使
用されるようになってきた。
そして、この平面回路としては、コプレーナ線路、□マ
イクロストリップ線路、トリプレート線路等がある。以
下この発明の対象とするトリプレート線路について説明
する。
イクロストリップ線路、トリプレート線路等がある。以
下この発明の対象とするトリプレート線路について説明
する。
第１図は一般的なトリプレート線路の構成を示す斜視図
で、（１）は中心導体、（２）および（３）は中心導体
（１）を挟む誘電体板、（４）お＋び（５）はそれぞれ
誘電体板（２）および（３）の外側表面に接着された接
地導体である。トリプレート線路はこのように、中心導
体（１）を接地導体（４） 、 （６）で囲んだ構造に
なっているので、放射損失が少なく、マイクロストリッ
プ線略など、−他の平面回路に比して損失の少ないマイ
クロ波伝送線路を構成できる。
で、（１）は中心導体、（２）および（３）は中心導体
（１）を挟む誘電体板、（４）お＋び（５）はそれぞれ
誘電体板（２）および（３）の外側表面に接着された接
地導体である。トリプレート線路はこのように、中心導
体（１）を接地導体（４） 、 （６）で囲んだ構造に
なっているので、放射損失が少なく、マイクロストリッ
プ線略など、−他の平面回路に比して損失の少ないマイ
クロ波伝送線路を構成できる。
第２図はこのトリプレート線路の製造方法の例を示す斜
視図で、まず、テフロンなどの高周波損失の少ない誘電
体を主成分とする誘電体板の両面に銅箔などを貼りつけ
た板を材料とし、一方の面の銀箔をその才ま残して接地
導体（４）とし、他方の面の銅箔に、その所要部分を残
してエツチングを施して中心導体（１）を誘電体（２）
の上に有する第１の基板を形成する。−また、一方の面
にのみ銅箔を貼りつけた誘電体板を用い、または前述と
同様の両面銅箔貼付誘電体板の片面の銅箔を全部除去し
て、誘電体板（３）と接地導体（５）とからなる第２の
基板を形成する。その後に、これら第１及び第２の基板
を第２図の示す向きに矢印のように重ね合わせ、第１図
に示したようなトリプレート線路を構成する。そして、
第２図に示す２つの基板を重ね合わせ固着させるには、
接着剤で貼り合わせる方法と両液地導体（４）および（
５）の外表面から金属部材で挟みつける方法とがあるが
、通常は簡単のため後者の方法が用いられている。
視図で、まず、テフロンなどの高周波損失の少ない誘電
体を主成分とする誘電体板の両面に銅箔などを貼りつけ
た板を材料とし、一方の面の銀箔をその才ま残して接地
導体（４）とし、他方の面の銅箔に、その所要部分を残
してエツチングを施して中心導体（１）を誘電体（２）
の上に有する第１の基板を形成する。−また、一方の面
にのみ銅箔を貼りつけた誘電体板を用い、または前述と
同様の両面銅箔貼付誘電体板の片面の銅箔を全部除去し
て、誘電体板（３）と接地導体（５）とからなる第２の
基板を形成する。その後に、これら第１及び第２の基板
を第２図の示す向きに矢印のように重ね合わせ、第１図
に示したようなトリプレート線路を構成する。そして、
第２図に示す２つの基板を重ね合わせ固着させるには、
接着剤で貼り合わせる方法と両液地導体（４）および（
５）の外表面から金属部材で挟みつける方法とがあるが
、通常は簡単のため後者の方法が用いられている。
トリプレート線路は、先にも述べたように、上下両面に
接地導体（４） 、 （５）を有する構造になっており
、回路外部への電磁波の放射及び、外部との相互作用は
基本的に少なく、安定な動作が可能である。しかしなが
ら、例えζｊ第８図に示す如く、同一基板内に隣接して
複数の回路がある場合、即ち、第８図のＱｒ＋ 、（２
）のように平行して２本の伝送線路が存在する場合は、
これらの距離が近い場合は相互作用を起こし、動作が不
安定になる。なお、第８図では、第２図の下半分に相当
する部分のみを手段としては、従来、線路０υと（２）
の間隔をはなすことが行なわれていた。しかしながら、
この方法では回路全体の寸法が大きくなること、及び、
完全に相互作用を防止することが困難であった。
接地導体（４） 、 （５）を有する構造になっており
、回路外部への電磁波の放射及び、外部との相互作用は
基本的に少なく、安定な動作が可能である。しかしなが
ら、例えζｊ第８図に示す如く、同一基板内に隣接して
複数の回路がある場合、即ち、第８図のＱｒ＋ 、（２
）のように平行して２本の伝送線路が存在する場合は、
これらの距離が近い場合は相互作用を起こし、動作が不
安定になる。なお、第８図では、第２図の下半分に相当
する部分のみを手段としては、従来、線路０υと（２）
の間隔をはなすことが行なわれていた。しかしながら、
この方法では回路全体の寸法が大きくなること、及び、
完全に相互作用を防止することが困難であった。
本発明は上記の点に鑑みてなされたもので、トリプレー
ト線路を用いたマイクロ波回路の小形化。
ト線路を用いたマイクロ波回路の小形化。
高性能化を図るためになされたものである。
第４図は本発明の一実施例を示したものである。
本発明の特徴は分離すべき線路間に上下の接地導体（４
） 、 （５）を結ぶスルーホールの列（６）を設け、
かつスルーホール（６）の内面を、例えばメッキ等Ｊζ
よりメタライズし、電気的に上下の接地等体を接続する
ことにある。このようにすることにより、線路α力、（
２）間の電気的分離を図ることができ、従って線路０９
、（６）をより近接させて配置するこぶが可能となり
、その結果、回路全体の小形化を図ることができる。
） 、 （５）を結ぶスルーホールの列（６）を設け、
かつスルーホール（６）の内面を、例えばメッキ等Ｊζ
よりメタライズし、電気的に上下の接地等体を接続する
ことにある。このようにすることにより、線路α力、（
２）間の電気的分離を図ることができ、従って線路０９
、（６）をより近接させて配置するこぶが可能となり
、その結果、回路全体の小形化を図ることができる。
第６図は、他の実施例を示したもので、この場合は図に
示すように、上下の基板（２） 、 （３）に設けるス
ルーホールの列を交互に設け、かつそれらのスルーホー
ルを基板（２）と（３）の間のメタライズ層−で結んだ
ものである。仁のようにすることにより、分離の効果が
さらに高まると１（に、スルーホールを設けることによ
る機械的強度の劣化も、第４図に示す場合よりは改善さ
れる。機械的強度の保持は、特務ζアルミナ、サファイ
ヤ、石英等、こわれ易い材料を基板として用いた場合考
慮に入れる必要があり、第５図に示す方法は一つの有効
な手法である。
示すように、上下の基板（２） 、 （３）に設けるス
ルーホールの列を交互に設け、かつそれらのスルーホー
ルを基板（２）と（３）の間のメタライズ層−で結んだ
ものである。仁のようにすることにより、分離の効果が
さらに高まると１（に、スルーホールを設けることによ
る機械的強度の劣化も、第４図に示す場合よりは改善さ
れる。機械的強度の保持は、特務ζアルミナ、サファイ
ヤ、石英等、こわれ易い材料を基板として用いた場合考
慮に入れる必要があり、第５図に示す方法は一つの有効
な手法である。
以上、本発明によれば、トリプレート構造のマイクロ波
回路において、線路間の分離を容易に行なうことができ
、回路の集積度の向上を図ることができ、回路の小形化
、高性能化を図ることができる。なお、説明においては
一列に並んだスルーホールで説明したが、必ずしも直線
状に並んでいる必要はなく、例え′ば発振回路や増幅回
路等のある機能を有する部分を囲むようにスルーホール
の列を設けることもできる。また１列でなく２列に並べ
て、より効果を高めることも可能である。
回路において、線路間の分離を容易に行なうことができ
、回路の集積度の向上を図ることができ、回路の小形化
、高性能化を図ることができる。なお、説明においては
一列に並んだスルーホールで説明したが、必ずしも直線
状に並んでいる必要はなく、例え′ば発振回路や増幅回
路等のある機能を有する部分を囲むようにスルーホール
の列を設けることもできる。また１列でなく２列に並べ
て、より効果を高めることも可能である。
第１図はトリプレート線路を説明するための斜視図、第
２図はその構成法を示す分解斜視図、第８図は従来の例
を示す部分斜視図、第４図（ａＸｂ）は本発明の一実施
例を示す斜視図およびＢ−Ｂ線断面図、第５図は本発明
の他の実施例を示す断面図である。図中＜１３ 、 Ｏ
υ、０８１は中心導体、（２） 、 （３）は基板、（
４） （６）は接地導体（６）、闘、ａ５はスルーホー
ル、−はスルーホールを結ぶメタライズ層である。なお
、同一符号は同一、又は相当部分を示す。 代理人 葛 野 信 − 第１図 第２図 第３図
２図はその構成法を示す分解斜視図、第８図は従来の例
を示す部分斜視図、第４図（ａＸｂ）は本発明の一実施
例を示す斜視図およびＢ−Ｂ線断面図、第５図は本発明
の他の実施例を示す断面図である。図中＜１３ 、 Ｏ
υ、０８１は中心導体、（２） 、 （３）は基板、（
４） （６）は接地導体（６）、闘、ａ５はスルーホー
ル、−はスルーホールを結ぶメタライズ層である。なお
、同一符号は同一、又は相当部分を示す。 代理人 葛 野 信 − 第１図 第２図 第３図
Claims (1)
- トリプレート構造を有するマイクロ波回路において、し
ゃへいを必要とする一路部分の両側、またはその線路部
分を含むように、トリプレート線路の基板の上下面を接
続するメタライズしたスルーホールの列を設けたことを
特徴とするマイクロ波回路。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19116381A JPS5892101A (ja) | 1981-11-27 | 1981-11-27 | マイクロ波回路 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19116381A JPS5892101A (ja) | 1981-11-27 | 1981-11-27 | マイクロ波回路 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5892101A true JPS5892101A (ja) | 1983-06-01 |
Family
ID=16269943
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP19116381A Pending JPS5892101A (ja) | 1981-11-27 | 1981-11-27 | マイクロ波回路 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5892101A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60125002A (ja) * | 1983-12-12 | 1985-07-04 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 超伝導集積回路用入出力ケ−ブル |
| JPS63128801A (ja) * | 1986-11-19 | 1988-06-01 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 濾波器 |
| US5021866A (en) * | 1987-09-28 | 1991-06-04 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Semiconductor integrated circuit apparatus |
-
1981
- 1981-11-27 JP JP19116381A patent/JPS5892101A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60125002A (ja) * | 1983-12-12 | 1985-07-04 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 超伝導集積回路用入出力ケ−ブル |
| JPS63128801A (ja) * | 1986-11-19 | 1988-06-01 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 濾波器 |
| US5021866A (en) * | 1987-09-28 | 1991-06-04 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Semiconductor integrated circuit apparatus |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US11355829B2 (en) | Vertical switched filter bank | |
| US6674347B1 (en) | Multi-layer substrate suppressing an unwanted transmission mode | |
| JP3241139B2 (ja) | フィルムキャリア信号伝送線路 | |
| US4922325A (en) | Multilayer ceramic package with high frequency connections | |
| JP3025417B2 (ja) | 空洞内のスロットを通るストリップラインあるいはマイクロストリップの層間の相互接続 | |
| EP3635812B1 (en) | Shielded microwave transmission lines | |
| US4513266A (en) | Microwave ground shield structure | |
| JPH03165058A (ja) | 半導体装置 | |
| WO1995005005A1 (en) | Three dimensional package for monolithic microwave/millimeterwave integrated circuits | |
| JPH0583015A (ja) | 方向性結合器及びその製造方法と方向性結合器を有する回路ボードの製造方法 | |
| JP6151794B2 (ja) | 回路基板、電子部品収納用パッケージおよび電子装置 | |
| GB2307102A (en) | High frequency module package | |
| JPH09191205A (ja) | 信号分離マイクロ波スプリッタ／コンバイナ | |
| US3351702A (en) | Interconnection means and method of fabrication thereof | |
| JPH10303611A (ja) | 高周波用伝送線路の結合構造およびそれを具備する多層配線基板 | |
| WO2024007717A1 (zh) | 强耦合带状线和含有强耦合带状线的微波元件 | |
| JPH10135713A (ja) | 積層型導波管線路 | |
| JPS5892101A (ja) | マイクロ波回路 | |
| JP2878043B2 (ja) | マイクロ波パッケージ | |
| JPH0685099A (ja) | 高周波用回路基板の信号回路 | |
| JP3100232B2 (ja) | 高周波用電子部品の信号線路 | |
| US11469486B2 (en) | Surface mount radio frequency crossover device | |
| US4851793A (en) | Waffleline - configured transmission link | |
| JP2000068716A (ja) | 多層伝送線路 | |
| JPS5892102A (ja) | トリプレ−ト線路の接続方法 |