JP3025417B2 - 空洞内のスロットを通るストリップラインあるいはマイクロストリップの層間の相互接続 - Google Patents
空洞内のスロットを通るストリップラインあるいはマイクロストリップの層間の相互接続Info
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- JP3025417B2 JP3025417B2 JP7048416A JP4841695A JP3025417B2 JP 3025417 B2 JP3025417 B2 JP 3025417B2 JP 7048416 A JP7048416 A JP 7048416A JP 4841695 A JP4841695 A JP 4841695A JP 3025417 B2 JP3025417 B2 JP 3025417B2
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- H01P3/02—Waveguides; Transmission lines of the waveguide type with two longitudinal conductors
- H01P3/08—Microstrips; Strip lines
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- H01P3/087—Suspended triplate lines
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- H01P3/12—Hollow waveguides
- H01P3/121—Hollow waveguides integrated in a substrate
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- Waveguides (AREA)
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- Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、多層マイクロ波集積回
路の２つの異なる層の間の２つのストリップラインある
いはマイクロストリップ伝送ラインの相互接続に関す
る。
路の２つの異なる層の間の２つのストリップラインある
いはマイクロストリップ伝送ラインの相互接続に関す
る。
【０００２】
【従来の技術】マイクロ波伝送ラインの多層は、一般
に、マイクロ波回路の寸法を減少し、その性能を改良す
るために使用されている。小型のマイクロ波集積回路
（ＭＭＩＣ）パッケージは、一般にこのような多層技術
を使用する。
に、マイクロ波回路の寸法を減少し、その性能を改良す
るために使用されている。小型のマイクロ波集積回路
（ＭＭＩＣ）パッケージは、一般にこのような多層技術
を使用する。
【０００３】通常、層間の相互接続は、直接的な接触、
すなわちメッキされたスルーホールにおける層間に延在
し、層における伝送ライン導体にはんだ付けされている
フィードスルーピンによって達成される。
すなわちメッキされたスルーホールにおける層間に延在
し、層における伝送ライン導体にはんだ付けされている
フィードスルーピンによって達成される。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】このような相互接続
は、比較的製造が難しく、費用がかかる。さらに、ピン
が適切な場所にはんだ付けされると、層の分解ははんだ
接続が破壊される、すなわち分解されることを必要とす
る。これは、故障の修理あるいは装置の試験の難しさを
顕著に増大する。
は、比較的製造が難しく、費用がかかる。さらに、ピン
が適切な場所にはんだ付けされると、層の分解ははんだ
接続が破壊される、すなわち分解されることを必要とす
る。これは、故障の修理あるいは装置の試験の難しさを
顕著に増大する。
【０００５】さらに容易に分解することができる多層装
置を提供する企図において、異なる層上のマイクロ波回
路間の相互接続は、層間に延在している小型のベロー相
互接続素子とのプレスコンタクトによって達成される。
このようなベロー素子は導体にはんだ付けされていない
ので、層は修理あるいは試験のためにさらに容易に分解
されることができる。ベローあるいはベローが接触され
る導体の接触表面が汚れている場合、相互接続の有効性
は妨害される。
置を提供する企図において、異なる層上のマイクロ波回
路間の相互接続は、層間に延在している小型のベロー相
互接続素子とのプレスコンタクトによって達成される。
このようなベロー素子は導体にはんだ付けされていない
ので、層は修理あるいは試験のためにさらに容易に分解
されることができる。ベローあるいはベローが接触され
る導体の接触表面が汚れている場合、相互接続の有効性
は妨害される。
【０００６】したがって、本発明の目的は、小型で、は
んだ付けの必要がなく、多層装置の層間の分解が容易で
あり、他の伝送ラインとの結合が除去され、また有害な
空洞モードが抑制される多層マイクロ波集積回路におけ
るマイクロ波回路導体間の相互接続部を提供することで
ある。
んだ付けの必要がなく、多層装置の層間の分解が容易で
あり、他の伝送ラインとの結合が除去され、また有害な
空洞モードが抑制される多層マイクロ波集積回路におけ
るマイクロ波回路導体間の相互接続部を提供することで
ある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明は、回路の第１お
よび第２の異なる層にそれぞれ配置された第１および第
２のマイクロ波回路導体間のマイクロ波周波数の動作周
波数の電磁結合による多層マイクロ波集積回路における
相互接続部において、第１および第２の層の間に配置さ
れた第１の接地平面と、この第１の接地平面中に形成さ
れた結合スロットとを具備し、この結合スロットはＵ字
形状を有し、動作周波数の半波長に等しい実効的電気長
を有し、この結合スロットのＵ字形状の底部である中間
部分は前記第１の接地平面に垂直の方向から見たとき第
１および第２の導体を実質上横断して延在しており、さ
らに、結合スロットを囲む導電性の空洞限定手段と第１
の接地平面とによって第１の接地平面の両側に形成され
た第１および第２の空洞を備え、第１のマイクロ波回路
導体は第１の空洞内に配置され、第２のマイクロ波回路
導体は第２の空洞内に配置され、空洞限定手段は並列プ
レート伝送モードの結合を阻止していることを特徴とす
る。
よび第２の異なる層にそれぞれ配置された第１および第
２のマイクロ波回路導体間のマイクロ波周波数の動作周
波数の電磁結合による多層マイクロ波集積回路における
相互接続部において、第１および第２の層の間に配置さ
れた第１の接地平面と、この第１の接地平面中に形成さ
れた結合スロットとを具備し、この結合スロットはＵ字
形状を有し、動作周波数の半波長に等しい実効的電気長
を有し、この結合スロットのＵ字形状の底部である中間
部分は前記第１の接地平面に垂直の方向から見たとき第
１および第２の導体を実質上横断して延在しており、さ
らに、結合スロットを囲む導電性の空洞限定手段と第１
の接地平面とによって第１の接地平面の両側に形成され
た第１および第２の空洞を備え、第１のマイクロ波回路
導体は第１の空洞内に配置され、第２のマイクロ波回路
導体は第２の空洞内に配置され、空洞限定手段は並列プ
レート伝送モードの結合を阻止していることを特徴とす
る。
【０００８】
【実施例】本発明は、直接的な接触の代りの相互接続の
ための電磁結合に関する。ストリップラインあるいはマ
イクロストリップラインは、導体およびその接地平面の
両方における電流を支持する。スロットが接地平面中に
形成される場合、接地平面電流はスロットによって乱さ
れる。この結果として、マイクロ波エネルギはスロット
に結合され、スロットは励起される。別の第２のストリ
ップライン導体が第１のストリップライン導体と共通の
接地平面の反対側に位置される場合、マイクロ波エネル
ギは１つの層における１つのストリップラインから別の
層における別のストリップラインに結合する。本発明
は、異なる層における伝送ライン間の相互接続に対して
この特性の利点を与える。しかしながら、励起されたス
ロットは多くの異なる伝送モード（例えば並列プレート
ＴＥＭモード）の伝播を可能にする。並列プレートＴＥ
Ｍモードのような別の伝送ラインモードへの不所望な結
合を除去するため、結合スロットは、実質上、隣接した
層間の接地平面と隣接した層間に延在している金属被覆
された側面によって定められた空洞によって囲われる。
空洞の寸法は空洞モードが存在しないように十分に小さ
くする必要があり、空洞モードが存在すると不所望の余
分な損失が生じる。したがって、接地平面における空洞
壁に囲まれた接地平面の区域は自由空間波長の０．６×
０．６以下にすべきである。
ための電磁結合に関する。ストリップラインあるいはマ
イクロストリップラインは、導体およびその接地平面の
両方における電流を支持する。スロットが接地平面中に
形成される場合、接地平面電流はスロットによって乱さ
れる。この結果として、マイクロ波エネルギはスロット
に結合され、スロットは励起される。別の第２のストリ
ップライン導体が第１のストリップライン導体と共通の
接地平面の反対側に位置される場合、マイクロ波エネル
ギは１つの層における１つのストリップラインから別の
層における別のストリップラインに結合する。本発明
は、異なる層における伝送ライン間の相互接続に対して
この特性の利点を与える。しかしながら、励起されたス
ロットは多くの異なる伝送モード（例えば並列プレート
ＴＥＭモード）の伝播を可能にする。並列プレートＴＥ
Ｍモードのような別の伝送ラインモードへの不所望な結
合を除去するため、結合スロットは、実質上、隣接した
層間の接地平面と隣接した層間に延在している金属被覆
された側面によって定められた空洞によって囲われる。
空洞の寸法は空洞モードが存在しないように十分に小さ
くする必要があり、空洞モードが存在すると不所望の余
分な損失が生じる。したがって、接地平面における空洞
壁に囲まれた接地平面の区域は自由空間波長の０．６×
０．６以下にすべきである。
【０００９】有効な結合スロットは、中間帯域周波数の
半波長にする必要があり、そのためにこの結合スロット
を囲む空洞はかなり大きなものとなる。本願発明では空
洞の寸法を小さくするためにＵ型のスロットが使用され
ている。Ｕ型のスロットは直線状のスロットとほぼ同じ
実効電気的長を与え、しかも接地平面におけるその占有
面積が小さくなるため、これを囲む空洞の寸法を十分に
小さくすることができる。Ｕ型のスロットを使用するこ
とによって、懸架されたエアストリップラインに対して
空洞壁に囲まれた接地平面の区域は自由空間波長の０．
５×０．５より小さく減少させることができる。誘電体
負荷されたストリップライン（例えば、ＭＭＩＣ回路用
の窒化アルミニウム基板）では、上記の接地平面の区域
の寸法は自由空間波長の０．１７×０．１７よりさらに
小さく減少されることも可能である。
半波長にする必要があり、そのためにこの結合スロット
を囲む空洞はかなり大きなものとなる。本願発明では空
洞の寸法を小さくするためにＵ型のスロットが使用され
ている。Ｕ型のスロットは直線状のスロットとほぼ同じ
実効電気的長を与え、しかも接地平面におけるその占有
面積が小さくなるため、これを囲む空洞の寸法を十分に
小さくすることができる。Ｕ型のスロットを使用するこ
とによって、懸架されたエアストリップラインに対して
空洞壁に囲まれた接地平面の区域は自由空間波長の０．
５×０．５より小さく減少させることができる。誘電体
負荷されたストリップライン（例えば、ＭＭＩＣ回路用
の窒化アルミニウム基板）では、上記の接地平面の区域
の寸法は自由空間波長の０．１７×０．１７よりさらに
小さく減少されることも可能である。
【００１０】懸架されたエアストリップライン間の相互
接続 図１および２は、懸架されたストリップラインが相互接
続されている本発明の第１の例示的な実施例を示す。図
１は組立てられた形態の相互接続を示し、図２は部分的
に分解された形態の相互接続を示す。図示された実施例
において、誘電体基板52および54は、エアギャップ58お
よび59を形成するために接地面層56の片側の空間中に懸
架されている。中央導体60および62は基板52および54の
対向する表面上で定められ、導体60が導体62の真っ直ぐ
上に配置されるように整列された関係で配置されてい
る。各エアギャップ66および68は、基板52と上部接地面
72との間、および基板54と下部接地面74との間で定めら
れる。
接続 図１および２は、懸架されたストリップラインが相互接
続されている本発明の第１の例示的な実施例を示す。図
１は組立てられた形態の相互接続を示し、図２は部分的
に分解された形態の相互接続を示す。図示された実施例
において、誘電体基板52および54は、エアギャップ58お
よび59を形成するために接地面層56の片側の空間中に懸
架されている。中央導体60および62は基板52および54の
対向する表面上で定められ、導体60が導体62の真っ直ぐ
上に配置されるように整列された関係で配置されてい
る。各エアギャップ66および68は、基板52と上部接地面
72との間、および基板54と下部接地面74との間で定めら
れる。
【００１１】本発明によれば、Ｕ型のスロット64は接地
面層56において定められる。スロット中間部64Ａは、懸
架されたエアストリップライン60と62の間を横断して配
置される。スロットのアーム部分64Ｂおよび64Ｃは中間
部64Ａに対して直角であり、懸架されたエアストリップ
ライン60および62に平行である。当然、直線結合スロッ
トは、アーム部分を簡単に「真っ直ぐにする」ことによ
って代りに使用されることができるが、懸架されたエア
ストリップラインの片側の長さの増加は相互接続の寸法
を増大させる。
面層56において定められる。スロット中間部64Ａは、懸
架されたエアストリップライン60と62の間を横断して配
置される。スロットのアーム部分64Ｂおよび64Ｃは中間
部64Ａに対して直角であり、懸架されたエアストリップ
ライン60および62に平行である。当然、直線結合スロッ
トは、アーム部分を簡単に「真っ直ぐにする」ことによ
って代りに使用されることができるが、懸架されたエア
ストリップラインの片側の長さの増加は相互接続の寸法
を増大させる。
【００１２】他の伝送ラインへの不所望な結合を除去す
るため、導電性の空洞76および78は接地面56の片側の結
合スロット64を覆う。導電性の壁70Ａ乃至70Ｄは、導電
性の上部および下部接地面72および74と共に実質上基板
52および54に垂直に結合スロット64を取囲んで延在し、
上部および下部空洞76および78を定める。壁70Ｅは、導
体60および62が相互接続領域に入ることを可能にする開
口部70Ｅを含む。空洞76は中央導体60を含んでいる上部
エアストリップラインを囲い、空洞78は中央導体62を含
んでいる下部エアストリップラインを囲う。
るため、導電性の空洞76および78は接地面56の片側の結
合スロット64を覆う。導電性の壁70Ａ乃至70Ｄは、導電
性の上部および下部接地面72および74と共に実質上基板
52および54に垂直に結合スロット64を取囲んで延在し、
上部および下部空洞76および78を定める。壁70Ｅは、導
体60および62が相互接続領域に入ることを可能にする開
口部70Ｅを含む。空洞76は中央導体60を含んでいる上部
エアストリップラインを囲い、空洞78は中央導体62を含
んでいる下部エアストリップラインを囲う。
【００１３】８．４乃至１１．６Ｇｈｚの周波数帯域で
相互接続を行う特定の適用において、相互接続50の様々
な素子は以下の寸法を有する。基板52および54は厚さ
０．３８ｍｍ（0.015 インチ）のデュロイドから形成さ
れ、１．５５ｍｍ（0.061 インチ）のエアギャップ58お
よび59によって接地面からそれぞれ間隔が隔てられてい
る。中央導体60および62のストリップの幅は４．６ｍｍ
（0.18インチ）である。スロット64は、１．５２ｍｍ
（０．０６インチ）の幅を有する。アーム64Ｂおよび64
Ｃの各外縁部は、１３．２ｍｍ（0.052 インチ）であ
る。空洞76および78を含んでいる空洞70は、１４．７ｍ
ｍ×１４．７ｍｍ×４．４ｍｍ（0.58インチ×0.58イン
チ×0.173 インチで）ある。小さな開口部は、ストリッ
プライン60および62が短くすることなく空洞に入ること
を可能にするために空洞壁70Ｂ中に形成される。開口部
は、６．３５ｍｍ×４．４ｍｍ（0.25インチ×0.173 イ
ンチ）の典型的な寸法を有する。
相互接続を行う特定の適用において、相互接続50の様々
な素子は以下の寸法を有する。基板52および54は厚さ
０．３８ｍｍ（0.015 インチ）のデュロイドから形成さ
れ、１．５５ｍｍ（0.061 インチ）のエアギャップ58お
よび59によって接地面からそれぞれ間隔が隔てられてい
る。中央導体60および62のストリップの幅は４．６ｍｍ
（0.18インチ）である。スロット64は、１．５２ｍｍ
（０．０６インチ）の幅を有する。アーム64Ｂおよび64
Ｃの各外縁部は、１３．２ｍｍ（0.052 インチ）であ
る。空洞76および78を含んでいる空洞70は、１４．７ｍ
ｍ×１４．７ｍｍ×４．４ｍｍ（0.58インチ×0.58イン
チ×0.173 インチで）ある。小さな開口部は、ストリッ
プライン60および62が短くすることなく空洞に入ること
を可能にするために空洞壁70Ｂ中に形成される。開口部
は、６．３５ｍｍ×４．４ｍｍ（0.25インチ×0.173 イ
ンチ）の典型的な寸法を有する。
【００１４】導電性の負荷されたストリップライン間の
相互接続 誘電体負荷されたストリップラインの層間の相互接続が
図１および２に示された懸架されたエアストリップライ
ン相互接続に非常に類似した方法で形成されることは理
解されるであろう。エアギャップ58、59、66および68を
エアギャップより薄い誘電体負荷層と置換することは必
要である。これは、転移の厚さをさらに減少する。この
ような相互接続は図３に示されており、誘電体基板58'
、59' 、66' および68' はエアギャップに置換され
る。他の点において、相互接続50' は図１および２の相
互接続50に類似している。それ故、ストリップライン入
力および出力ポートの開口部70Ｅ' を除いて、相互接続
の全ての側面が金属被覆されている。
相互接続 誘電体負荷されたストリップラインの層間の相互接続が
図１および２に示された懸架されたエアストリップライ
ン相互接続に非常に類似した方法で形成されることは理
解されるであろう。エアギャップ58、59、66および68を
エアギャップより薄い誘電体負荷層と置換することは必
要である。これは、転移の厚さをさらに減少する。この
ような相互接続は図３に示されており、誘電体基板58'
、59' 、66' および68' はエアギャップに置換され
る。他の点において、相互接続50' は図１および２の相
互接続50に類似している。それ故、ストリップライン入
力および出力ポートの開口部70Ｅ' を除いて、相互接続
の全ての側面が金属被覆されている。
【００１５】マイクロストリップライン層間の相互接続 本発明は、図４の相互接続100 によって示されたよう
に、マイクロストリップラインの層に隣接して電磁的に
相互接続するために使用される。この実施例では中央接
地面102 は、上部および下部誘電体基板104 および106
間に挟まれている。マイクロストリップ導体108 および
110 は、基板104 および106 の対向面と反対側の表面上
に形成されている。Ｕ型の結合スロット116 は、中央接
地面102 において形成される。エアギャップ112 および
114 は、各基板104 および106 と上部接地面118 および
下部接地面120 との間に形成されている。上部および下
部空洞は、中央接地面102 および導電性の側壁122 Ａ乃
至122 Ｄと組合わされた上部および下部接地面118 およ
び120 によって形成される。開口部122 Ｅは、開口部を
マイクロストリップ入力および出力ポートに供給するた
めに壁122 Ｂに形成される。
に、マイクロストリップラインの層に隣接して電磁的に
相互接続するために使用される。この実施例では中央接
地面102 は、上部および下部誘電体基板104 および106
間に挟まれている。マイクロストリップ導体108 および
110 は、基板104 および106 の対向面と反対側の表面上
に形成されている。Ｕ型の結合スロット116 は、中央接
地面102 において形成される。エアギャップ112 および
114 は、各基板104 および106 と上部接地面118 および
下部接地面120 との間に形成されている。上部および下
部空洞は、中央接地面102 および導電性の側壁122 Ａ乃
至122 Ｄと組合わされた上部および下部接地面118 およ
び120 によって形成される。開口部122 Ｅは、開口部を
マイクロストリップ入力および出力ポートに供給するた
めに壁122 Ｂに形成される。
【００１６】空洞の形成 多層マイクロ波回路装置に空洞を形成する多くの技術が
知られている。例えば、図１および２の空洞壁70Ａ乃至
70Ｄは、連続的な壁部材を必要とせず、異なる基板およ
び接地面層において形成され、導電性のピンを通してメ
ッキされ、または接続される一連の整列された穴によっ
て定められることもできる。図５は、複数のメッキされ
たスルーホール90が空洞側壁を定めるこのような形成技
術を示す。その代りに、多層装置において、基板194 お
よび196 は図６に示されたように空洞を取囲んで切り抜
かれ、側壁がメッキされることもできる。大きな開口部
92は空洞の外形を取囲んで切り抜かれ、誘電体負荷され
たストリップラインの結果的な壁は空洞側壁を形成する
ためにメッキされる。エアストリップライン相互接続に
おける空洞を形成するための別の技術は図７に示されて
おり、上部および下部金属板または金属メッキ被覆150
および152 は結合スロットを含んでいる共通接地面を定
める中間金属部材154 を間に挟む。誘電体基板層156 お
よび158 は、ストリップライン導体160 および162 を支
持する。Ｕ型の結合スロットは、中間金属部材154 の薄
い部分164 に位置される。
知られている。例えば、図１および２の空洞壁70Ａ乃至
70Ｄは、連続的な壁部材を必要とせず、異なる基板およ
び接地面層において形成され、導電性のピンを通してメ
ッキされ、または接続される一連の整列された穴によっ
て定められることもできる。図５は、複数のメッキされ
たスルーホール90が空洞側壁を定めるこのような形成技
術を示す。その代りに、多層装置において、基板194 お
よび196 は図６に示されたように空洞を取囲んで切り抜
かれ、側壁がメッキされることもできる。大きな開口部
92は空洞の外形を取囲んで切り抜かれ、誘電体負荷され
たストリップラインの結果的な壁は空洞側壁を形成する
ためにメッキされる。エアストリップライン相互接続に
おける空洞を形成するための別の技術は図７に示されて
おり、上部および下部金属板または金属メッキ被覆150
および152 は結合スロットを含んでいる共通接地面を定
める中間金属部材154 を間に挟む。誘電体基板層156 お
よび158 は、ストリップライン導体160 および162 を支
持する。Ｕ型の結合スロットは、中間金属部材154 の薄
い部分164 に位置される。
【００１７】図８は、隣接したマイクロストリップライ
ンを相互接続するために相互接続において空洞導電壁を
形成するための１技術を示す。相互接続180 は、マイク
ロストリップ導体188 、190 を支持する誘電体基板184
、186 に挟まれた結合スロットが形成される中央接地
面182 を含む。メッキされたスルーホール192 は、マイ
クロストリップラインおよび空洞の境界付近にチャンネ
ル化するために使用される。切抜きは、上部および下部
エアギャップを定めるために上部および下部基板194 お
よび196 に形成される。基板194 および196 の結果的な
内壁はメッキされ、種々の層が共に接着される。上部お
よび下部導電性被覆（図示されていない）は、導電性の
空洞を完成するために付加される。
ンを相互接続するために相互接続において空洞導電壁を
形成するための１技術を示す。相互接続180 は、マイク
ロストリップ導体188 、190 を支持する誘電体基板184
、186 に挟まれた結合スロットが形成される中央接地
面182 を含む。メッキされたスルーホール192 は、マイ
クロストリップラインおよび空洞の境界付近にチャンネ
ル化するために使用される。切抜きは、上部および下部
エアギャップを定めるために上部および下部基板194 お
よび196 に形成される。基板194 および196 の結果的な
内壁はメッキされ、種々の層が共に接着される。上部お
よび下部導電性被覆（図示されていない）は、導電性の
空洞を完成するために付加される。
【００１８】ストリップラインとマイクロストリップラ
インとの間の相互接続 本発明は、異なるタイプの伝送ライン間の相互接続を可
能にする。図９は、誘電体負荷されたストリップライン
とマイクロストリップラインとの間の相互接続200 を示
す。中央接地面202 には結合スロット216 が形成され、
誘電体基板204と206 との間に挟まれている。ストリッ
プライン導体208 およびマイクロストリップライン導体
210 は、整列された関係において基板201 および206 の
対向面と反対側の表面上に形成されている。ストリップ
ライン負荷誘電体基板212 は、基板201 と上部接地面21
4 との間に配置されている。下部接地面218 は、マイク
ロストリップラインエアギャップ220 を定めるために基
板206 の下部表面から間隔が隔てられている。側壁224
Ａ乃至Ｄは、空洞壁を定めるために導電性である。
インとの間の相互接続 本発明は、異なるタイプの伝送ライン間の相互接続を可
能にする。図９は、誘電体負荷されたストリップライン
とマイクロストリップラインとの間の相互接続200 を示
す。中央接地面202 には結合スロット216 が形成され、
誘電体基板204と206 との間に挟まれている。ストリッ
プライン導体208 およびマイクロストリップライン導体
210 は、整列された関係において基板201 および206 の
対向面と反対側の表面上に形成されている。ストリップ
ライン負荷誘電体基板212 は、基板201 と上部接地面21
4 との間に配置されている。下部接地面218 は、マイク
ロストリップラインエアギャップ220 を定めるために基
板206 の下部表面から間隔が隔てられている。側壁224
Ａ乃至Ｄは、空洞壁を定めるために導電性である。
【００１９】図１０は、懸架されたエアストリップライ
ンとマイクロストリップラインとの間の相互接続250 を
示す。中央接地面252 は、そこにＵ型の結合スロット26
0 を形成されている。マイクロストリップライン誘電体
基板254 は接地面252 の下部表面に隣接しており、その
下部表面にマイクロストリップ導体260 が形成されてい
る。ストリップライン誘電体基板256 は、エアギャップ
262 によって接地面の上部表面から間隔が隔てられ、ス
トリップライン導体258 の下部表面に形成されている。
エアギャップ270 は、基板256 から上部接地面264 を分
離する。同様にエアギャップ266 は下部接地面268 とマ
イクロストリップ基体254 を分離する。導電性の側壁27
2 Ａ乃至Ｄは、上部および下部空洞を完成する。
ンとマイクロストリップラインとの間の相互接続250 を
示す。中央接地面252 は、そこにＵ型の結合スロット26
0 を形成されている。マイクロストリップライン誘電体
基板254 は接地面252 の下部表面に隣接しており、その
下部表面にマイクロストリップ導体260 が形成されてい
る。ストリップライン誘電体基板256 は、エアギャップ
262 によって接地面の上部表面から間隔が隔てられ、ス
トリップライン導体258 の下部表面に形成されている。
エアギャップ270 は、基板256 から上部接地面264 を分
離する。同様にエアギャップ266 は下部接地面268 とマ
イクロストリップ基体254 を分離する。導電性の側壁27
2 Ａ乃至Ｄは、上部および下部空洞を完成する。
【００２０】ミサイルＲＦプロセッサへの適用 本発明による相互接続の１実施例は、図１１乃至１３に
示されたようなミサイルレーダプロセッサにおけるもの
である。ミサイル300 は、ＲＦシェルフ312 、ＩＦシェ
ルフ314 およびベースバンドシェルフ316 を含むＲＦプ
ロセッサ310 を含む。空洞内のスロットを介する本発明
による例示的な相互接続は、ＲＦシェルフにおけるスト
リップライン318 とＩＦシェルフにおけるストリップラ
イン320との間に形成される。
示されたようなミサイルレーダプロセッサにおけるもの
である。ミサイル300 は、ＲＦシェルフ312 、ＩＦシェ
ルフ314 およびベースバンドシェルフ316 を含むＲＦプ
ロセッサ310 を含む。空洞内のスロットを介する本発明
による例示的な相互接続は、ＲＦシェルフにおけるスト
リップライン318 とＩＦシェルフにおけるストリップラ
イン320との間に形成される。
【００２１】上記実施例が、単に本発明の原理を表す可
能な特定の実施例を示すものであることを理解すべきで
ある。その他の構成は、本発明の技術的範囲から逸脱す
ることなしに当業者によってこれらの原理により容易に
工夫されることができる。
能な特定の実施例を示すものであることを理解すべきで
ある。その他の構成は、本発明の技術的範囲から逸脱す
ることなしに当業者によってこれらの原理により容易に
工夫されることができる。
【図１】本発明による異なる層におけるエアストリップ
ライン回路導体間の電磁結合相互接続を使用している多
層マイクロ波回路の一部分の斜視図。
ライン回路導体間の電磁結合相互接続を使用している多
層マイクロ波回路の一部分の斜視図。
【図２】図１の回路の部分的分解図。
【図３】本発明による異なる層における誘電体負荷され
たストリップライン間の相互接続を示す図。
たストリップライン間の相互接続を示す図。
【図４】多層マイクロ波回路の隣接した層におけるマイ
クロストリップライン間の本発明を実施している相互接
続を示す図。
クロストリップライン間の本発明を実施している相互接
続を示す図。
【図５】本発明による結合スロットを囲う導電性の空洞
を形成する構造技術の説明図。
を形成する構造技術の説明図。
【図６】本発明による結合スロットを囲う導電性の空洞
を形成する構造技術を示す図。
を形成する構造技術を示す図。
【図７】本発明による結合スロットを囲う導電性の空洞
を形成する構造技術を示す図。
を形成する構造技術を示す図。
【図８】本発明による結合スロットを囲う導電性の空洞
を形成する構造技術を示す図。
を形成する構造技術を示す図。
【図９】本発明による多層回路の隣接した層における誘
電体負荷されたストリップラインとマイクロ波ストリッ
プラインとの間の例示的な相互接続を示す図。
電体負荷されたストリップラインとマイクロ波ストリッ
プラインとの間の例示的な相互接続を示す図。
【図１０】本発明による多層の隣接した層におけるエア
ストリップラインとマイクロ波ストリップラインとの間
の例示的な相互接続を示す図。
ストリップラインとマイクロ波ストリップラインとの間
の例示的な相互接続を示す図。
【図１１】ミサイルに搭載されたＲＦプロセッサの異な
る層上の伝送ラインを相互接続させるためにこの相互接
続の発明の例示的な適用を示す概略図。
る層上の伝送ラインを相互接続させるためにこの相互接
続の発明の例示的な適用を示す概略図。
【図１２】ミサイルに搭載されたＲＦプロセッサの異な
る層上の伝送ラインを相互接続させるためにこの相互接
続の発明の例示的な適用を示す概略図。
る層上の伝送ラインを相互接続させるためにこの相互接
続の発明の例示的な適用を示す概略図。
【図１３】ミサイルに搭載されたＲＦプロセッサの異な
る層上の伝送ラインを相互接続させるためにこの相互接
続の発明の例示的な適用を示す概略図。
る層上の伝送ラインを相互接続させるためにこの相互接
続の発明の例示的な適用を示す概略図。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 昭54−131851（ＪＰ，Ａ) 特開 平３−107203（ＪＰ，Ａ) 特開 平３−141703（ＪＰ，Ａ) 特開 昭61−123302（ＪＰ，Ａ) 特開 平６−85513（ＪＰ，Ａ) 特開 平４−170804（ＪＰ，Ａ) 特開 昭52−144946（ＪＰ，Ａ) 特開 平４−233802（ＪＰ，Ａ) 特開 平３−129902（ＪＰ，Ａ) 特開 昭54−131851（ＪＰ，Ａ) 米国特許3771075（ＵＳ，Ａ) 米国特許4130822（ＵＳ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) H01P 5/02 603
Claims (15)
- 【請求項１】 回路の第１および第２の異なる層にそれ
ぞれ配置された第１および第２のマイクロ波回路導体間
のマイクロ波周波数の動作周波数の電磁結合による多層
マイクロ波集積回路における相互接続部において、 前記第１および第２の層の間に配置された第１の接地平
面と、この第１の接地平面中に形成された結合スロット
とを具備し、 前記結合スロットはＵ字形状を有し、動作周波数の半波
長に等しい実効的電気長を有し、この結合スロットのＵ
字形状の底部である中間部分は前記第１の接地平面に垂
直の方向から見たとき第１および第２の導体を実質上横
断して延在しており、 さらに、前記結合スロットを囲む導電性の空洞限定手段
と前記第１の接地平面とによって前記第１の接地平面の
両側に形成された第１および第２の空洞を具備し、前記
第１のマイクロ波回路導体は第１の空洞内に配置され、
前記第２のマイクロ波回路導体は第２の空洞内に配置さ
れ、前記空洞限定手段は並列プレート 伝送モードの結合を阻
止していることを特徴とするマイクロ波回路導体間の相
互接続部。 - 【請求項２】 前記Ｕ字形状の結合スロットのアーム部
分が前記中間部分に対して実質上垂直に配置されている
請求項１記載の相互接続部。 - 【請求項３】 前記第１および第２の導体が結合領域で
互いに重なり、前記スロットが前記第１および第２の導
体間の前記第１の接地平面に形成されている請求項１記
載の相互接続部。 - 【請求項４】 前記第１の導体が第１の誘電体基板の第
１の表面上に形成されたマイクロストリップ導体を具備
し、前記第２の導体が第２の誘電体基板の第２の表面上
に形成されたマイクロストリップ導体を具備し、前記第
１の表面が前記第２の表面と反対の方向に面し、前記第
１および第２の誘電体基板が前記第１の接地平面を挟
み、前記相互接続が前記第１および第２の層上の前記ス
トリップ導体間の電磁結合を行う請求項１記載の相互接
続部。 - 【請求項５】 前記第１の導体が第１の誘電体表面に形
成された第１のストリップライン導体を具備し、前記第
２の導体が第２の誘電体表面に形成された第２のストリ
ップライン導体を具備し、前記第１および第２の導体が
前記接地面から間隔を隔てられている請求項１記載の相
互接続部。 - 【請求項６】 前記第１の導体を有する前記第１の誘電
体表面と前記第１の接地平面との間、および前記第２の
導体を有する前記第２の誘電体表面と前記第１の接地平
面との間の誘電体負荷をさらに具備している請求項５記
載の相互接続部。 - 【請求項７】 前記第１のマイクロ波回路導体がマイク
ロストリップライン導体であり、前記第２のマイクロ波
回路導体がストリップライン導体である請求項１記載の
相互接続部。 - 【請求項８】 回路の第１および第２の異なる層にそれ
ぞれ配置された第１および第２のマイクロ波回路導体間
のマイクロ波周波数の動作周波数の電磁結合による多層
マイクロ波集積回路における相互接続部において、 前記第１および第２の層間に配置された第１の接地平面
と、 前記第１の接地平面に形成され、前記接地平面に垂直な
方向から見たとき前記第１および第２の導体を実質上横
断して延在している中間部分を有し、動作周波数の半波
長に等しい実効的電気長を有しているＵ字形状の結合ス
ロットと、前記結合スロットおよび第１および第２のマ
イクロ波回路導体の結合される部分を囲む導電性の空洞
を限定する包囲体とを具備し、この空洞によって不所望
な伝送モードの結合が阻止され、前記空洞は空洞伝播モ
ードの形成を阻止するように十分小さい空洞として形成
されていることを特徴とするマイクロ波回路導体間の相
互接続部。 - 【請求項９】 前記Ｕ字形状の結合スロットのアーム部
分が実質上前記中間部分に対して垂直に配置されている
請求項８記載の相互接続部。 - 【請求項１０】 前記第１および第２の導体が結合領域
で互いに重なり、前記スロットが前記導体間の前記第１
の接地平面に形成されている請求項８記載の相互接続
部。 - 【請求項１１】 前記第１の導体が第１の誘電体基板の
第１の表面上に形成された第１のストリップライン導体
を具備し、前記第２の導体が第２の誘電体基板の第２の
表面上に形成された第２のストリップライン導体を具備
し、前記第１および第２の表面が互いに面し、エアギャ
ップが前記第１の基板の前記第１の表面と前記第１の接
地平面との間、および前記第２の基板の前記第１の表面
と前記第１の接地平面との間で定められ、前記相互接続
が前記第１および第２の層上のストリップライン導体間
の電磁結合を行う請求項８記載の相互接続部。 - 【請求項１２】 前記空洞を画定する包囲体が、前記第
１の接地平面から間隔を隔てて前記第１の誘電体基板の
反対側に配置された第２の接地平面と、前記第１の接地
面から間隔を隔てて前記第２の誘電体基板の反対側に配
置された第３の接地平面とを具備する請求項８記載の相
互接続部。 - 【請求項１３】 前記空洞を画定する包囲体が、実質上
前記第１の接地平面の片側に前記結合スロットを取囲ん
でいる空間を囲んでいる導電性の側壁を含む請求項１２
記載の相互接続部。 - 【請求項１４】 前記第２の導体を有する前記第１の誘
電体表面と前記第１の接地平面との間、および前記第２
の導体を有する前記第２の誘電体表面と前記第１の接地
平面との間にさらに誘電体負荷を具備している請求項１
３記載の相互接続部。 - 【請求項１５】 前記空洞の壁に囲まれた前記第１の接
地平面の面積が動作波長の自由空間波長の０．６×０．
６以下である請求項８記載の相互接続部。
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|---|---|---|---|
| US207765 | 1994-03-08 | ||
| US08/207,765 US5471181A (en) | 1994-03-08 | 1994-03-08 | Interconnection between layers of striplines or microstrip through cavity backed slot |
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|---|---|
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Family
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|---|---|---|---|
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| Country | Link |
|---|---|
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| JP (1) | JP3025417B2 (ja) |
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| IL (1) | IL112930A (ja) |
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