RU200936U1 - Полосковый резонатор - Google Patents
Полосковый резонатор Download PDFInfo
- Publication number
- RU200936U1 RU200936U1 RU2020123839U RU2020123839U RU200936U1 RU 200936 U1 RU200936 U1 RU 200936U1 RU 2020123839 U RU2020123839 U RU 2020123839U RU 2020123839 U RU2020123839 U RU 2020123839U RU 200936 U1 RU200936 U1 RU 200936U1
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- strip
- dielectric
- thickness
- layers
- substrate
- Prior art date
Links
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01P—WAVEGUIDES; RESONATORS, LINES, OR OTHER DEVICES OF THE WAVEGUIDE TYPE
- H01P1/00—Auxiliary devices
- H01P1/20—Frequency-selective devices, e.g. filters
- H01P1/201—Filters for transverse electromagnetic waves
- H01P1/203—Strip line filters
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Control Of Motors That Do Not Use Commutators (AREA)
Abstract
Полезная модель относится к резонаторам на основе полосковых линий и предназначена для построения устройств СВЧ, в частности СВЧ фильтров. Техническим результатом предлагаемого полоскового резонатора является уменьшение его габаритов и массы. Для достижения указанного технического результата резонатор содержит многослойную диэлектрическую подложку (1), выполненую из чередующихся слоев диэлектрика (2) толщиной hdи полосковых проводников (3). На внешних сторонах подложки (1) расположены дополнительные слои диэлектрика (5), толщина которых haпревышает толщину диэлектрических слоев (2) подложки (1) hd. Экраны (4) выполнены в виде проводящих слоев, нанесенных на внешние стороны дополнительных диэлектрических слоев (5), и торцевые стороны многослойной диэлектрической подложки (2), толщиной не менее трех толщин скин-слоя материала проводящего слоя на верхней рабочей частоте резонатора. Кроме того, на продольном экране над полосковыми проводниками (3) выполнено прямоугольное окно (6), по форме и размерам совпадающее с полосковыми проводниками. 1 з.п. ф-лы, 2 ил.
Description
Полезная модель относится к резонаторам на основе полосковых линий и предназначена для построения устройств СВЧ, в частности СВЧ фильтров.
Известен «Полосковый резонатор на двойной подвешенной подложке» [RU 99248, опубликовано 10.11.2010, МПК Н01Р 7/08], содержащий подвешенную диэлектрическую подложку, на обе поверхности которой нанесены короткозамкнутые с одного конца полосковые проводники. Параллельно указанной подложке подвешена еще одна подложка, на обе поверхности которой также нанесены короткозамкнутые с одного конца полосковые проводники.
Известен «Миниатюрный полосковый резонатор» [RU 2470418, опубликовано 20.12.2012, МПК Н01Р 1/203]. Полосковый резонатор содержит подвешенную между экранами диэлектрическую подложку, на одну поверхность которой нанесен короткозамкнутый с одного конца полосковый металлический проводник. Над первым полосковым проводником расположены идентичные первому по форме и размерам металлические полосковые проводники, разделенные тонкими диэлектрическими слоями, причем названные полосковые проводники с нечетными номерами одним концом короткозамкнуты с той же стороны подложки, что и первый полосковый проводник, а с четными номерами - с противоположной стороны подложки.
Наиболее близким по технической сущности является «Полосковый резонатор» [RU 2352032, опубликовано 10.04.2009, МПК Н01Р 1/205], содержащий подвешенную между экранами диэлектрическую подложку, на одну поверхность которой нанесен полосковый металлический проводник. На второй поверхности подложки также нанесен полосковый металлический проводник, идентичный по форме и расположению проводнику на первой поверхности. Подложка выполнена многослойной, и между слоями также расположены полосковые металлические проводники, идентичные по форме и расположению проводникам на внешних поверхностях подложки.
Недостатками таких полосковых резонаторов является их большие масса и габариты.
Техническим результатом предлагаемого полоскового резонатора является уменьшение его габаритов и массы.
Сущность предлагаемого полоскового резонатора заключается в том, что он содержит расположенную между экранами многослойную диэлектрическую подложку из чередующихся слоев диэлектрика и полосковых проводников.
Новым в предлагаемом техническом решении является то, что на внешних слоях многослойной диэлектрической подложки расположены дополнительные слои диэлектрика, толщина которых превышает толщину диэлектрических слоев подложки. Экраны выполнены в виде проводящих слоев, нанесенных на наружные стороны дополнительных диэлектрических слоев и торцы многослойной диэлектрической подложки, толщиной не менее трех толщин скин-слря материала проводящего слоя на верхней рабочей частоте резонатора. Кроме того на продольном экране над полосковыми проводниками выполнено окно. Окно по форме и размерам совпадает с полосковыми проводниками.
На Фиг. 1 изображен общий вид полоскового резонатора.
На Фиг. 2 изображен полосковый резонатор в поперечном разрезе.
Многослойная диэлектрическая подложка (1) выполнена из чередующихся слоев диэлектрика (2) толщиной hd и полосковых проводников (3), например прямоугольной формы. На внешних сторонах подложки (1) расположены дополнительные слои диэлектрика (5), толщина которых ha превышает толщину диэлектрических слоев (2) подложки (1) hd. Экраны (4) выполнены в виде проводящих слоев, нанесенных на внешние стороны дополнительных диэлектрических слоев (5), и торцевые стороны многослойной диэлектрической подложки (2), толщиной не менее трех толщин скин-слоя материала проводящего слоя на верхней рабочей частоте резонатора. Кроме того на продольном экране над полосковыми проводниками (3) выполнено прямоугольное окно (6), по форме и размерам совпадающее с полосковыми проводниками.
Полосковый резонатор может быть выполнен в виде многослойной печатной платы из фольгированного диэлектрика. В одном из вариантов исполнения резонатор можно выполнить из фольгированного диэлектрика марки Rogers RT 6010 (диэлектрическая проницаемость ε=10.2, материал фольгированного слоя - медь, толщина фольги от 18 до 70 мкм). При верхней рабочей частоте резонатора f0=1000 МГц для обеспечения высокой добротности порядка Q=360 толщина диэлектрических слоев (2) и (5) составит hd=0.127 мм, ha=1.524 мм соответственно. Толщина скин-слоя меди на частоте f0=1000 МГц составляет 2.09 мкм и соответственно толщина проводящего слоя должна быть не менее 6.27 мкм, что позволяет использовать диэлектрик Rogers RT 6010 с минимальной выпускаемой толщиной в 18 мкм.
Окно (6) обеспечивает возможность подстройки резонатора до требуемой рабочей частоты, чем обеспечивается работоспособность резонатора. Для этого отрезками фольги частично закрывают окно (6), изменяя тем самым рабочую частоту.
Таким образом, выполнение экранов в виде тонких проводящих слоев, нанесенных на диэлектрические слои, позволяет выполнить резонатор без корпуса, и снизить его массу и габариты.
Claims (2)
1. Полосковый резонатор, содержащий расположенную между экранами многослойную диэлектрическую подложку из чередующихся слоев диэлектрика и полосковых проводников, отличающийся тем, что на внешних слоях многослойной диэлектрической подложки расположены дополнительные слои диэлектрика, толщина которых превышает толщину диэлектрических слоев подложки, а экраны выполнены в виде проводящих слоев, нанесенных на наружные стороны дополнительных диэлектрических слоев и торцы многослойной диэлектрической подложки, толщиной не менее трех толщин скин-слоя материала проводящего слоя на верхней рабочей частоте резонатора, кроме того, на продольном экране над полосковыми проводниками выполнено окно.
2. Полосковый резонатор по п. 1, отличающийся тем, что окно по форме и размерам совпадает с полосковыми проводниками.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
RU2020123839U RU200936U1 (ru) | 2020-07-13 | 2020-07-13 | Полосковый резонатор |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
RU2020123839U RU200936U1 (ru) | 2020-07-13 | 2020-07-13 | Полосковый резонатор |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
RU200936U1 true RU200936U1 (ru) | 2020-11-19 |
Family
ID=73456074
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
RU2020123839U RU200936U1 (ru) | 2020-07-13 | 2020-07-13 | Полосковый резонатор |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
RU (1) | RU200936U1 (ru) |
Citations (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4168479A (en) * | 1977-10-25 | 1979-09-18 | The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Navy | Millimeter wave MIC diplexer |
US5471181A (en) * | 1994-03-08 | 1995-11-28 | Hughes Missile Systems Company | Interconnection between layers of striplines or microstrip through cavity backed slot |
RU2352032C1 (ru) * | 2007-10-31 | 2009-04-10 | Институт физики им. Л.В. Киренского Сибирского отделения РАН | Полосковый резонатор |
RU2378745C2 (ru) * | 2008-03-25 | 2010-01-10 | Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования Новосибирский государственный технический университет | Полосно-пропускающий фильтр |
RU99248U1 (ru) * | 2009-06-17 | 2010-11-10 | Институт физики им. Л.В. Киренского Сибирского отделения Российской академии наук | Полосковый резонатор на двойной подвешенной подложке |
RU131902U1 (ru) * | 2013-04-09 | 2013-08-27 | Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет "ЛЭТИ" им. В.И. Ульянова (Ленина) | Свч двухполосный микрополосковый фильтр |
RU2533691C1 (ru) * | 2013-06-19 | 2014-11-20 | Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет "ЛЭТИ" им. В.И. Ульянова (Ленина) | Микрополосковый свч диплексор |
RU2623715C2 (ru) * | 2015-10-29 | 2017-06-28 | Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет "ЛЭТИ" им. В.И. Ульянова (Ленина) | Микрополосковый СВЧ диплексор |
-
2020
- 2020-07-13 RU RU2020123839U patent/RU200936U1/ru active
Patent Citations (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4168479A (en) * | 1977-10-25 | 1979-09-18 | The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Navy | Millimeter wave MIC diplexer |
US5471181A (en) * | 1994-03-08 | 1995-11-28 | Hughes Missile Systems Company | Interconnection between layers of striplines or microstrip through cavity backed slot |
RU2352032C1 (ru) * | 2007-10-31 | 2009-04-10 | Институт физики им. Л.В. Киренского Сибирского отделения РАН | Полосковый резонатор |
RU2378745C2 (ru) * | 2008-03-25 | 2010-01-10 | Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования Новосибирский государственный технический университет | Полосно-пропускающий фильтр |
RU99248U1 (ru) * | 2009-06-17 | 2010-11-10 | Институт физики им. Л.В. Киренского Сибирского отделения Российской академии наук | Полосковый резонатор на двойной подвешенной подложке |
RU131902U1 (ru) * | 2013-04-09 | 2013-08-27 | Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет "ЛЭТИ" им. В.И. Ульянова (Ленина) | Свч двухполосный микрополосковый фильтр |
RU2533691C1 (ru) * | 2013-06-19 | 2014-11-20 | Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет "ЛЭТИ" им. В.И. Ульянова (Ленина) | Микрополосковый свч диплексор |
RU2623715C2 (ru) * | 2015-10-29 | 2017-06-28 | Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет "ЛЭТИ" им. В.И. Ульянова (Ленина) | Микрополосковый СВЧ диплексор |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US5621366A (en) | High-Q multi-layer ceramic RF transmission line resonator | |
JP5354223B2 (ja) | 組み合わせビア構造体に基づくフィルタ | |
EP3367496B1 (en) | Filter unit and filter | |
US5160905A (en) | High dielectric micro-trough line filter | |
WO2011010393A1 (en) | Resonant elements designed vertically in a multilayer board and filters based on these elements | |
JP2008160750A (ja) | マイクロ波回路基板 | |
JP2005500773A5 (ru) | ||
WO2020132179A1 (en) | Multilayer filter including a capacitor connected with at least two vias | |
RU200936U1 (ru) | Полосковый резонатор | |
TWI658768B (zh) | 印刷配線板 | |
WO2010044502A1 (en) | Dual band pass filter | |
JP2010080912A (ja) | チップキャパシタの製造方法 | |
JP2001230610A (ja) | 積層型誘電体共振器 | |
JP4693588B2 (ja) | バンドパスフィルタ | |
JPH03129895A (ja) | 高周波多層基板 | |
JP2008166357A (ja) | プリント配線基板 | |
JP4245265B2 (ja) | 複数のフィルタを有する多層配線基板 | |
JP2002026654A (ja) | 共振器 | |
KR20200016632A (ko) | 고주파 저손실 전극 | |
CN113228504B (en) | High-frequency multilayer filter | |
CN221150267U (zh) | 一种改善谐波的介质滤波器 | |
JP2006093996A (ja) | ダイプレクサ | |
JP4150273B2 (ja) | ハイパスフィルタ内蔵配線基板 | |
TWI433457B (zh) | Adjustable filter device | |
JP2006238297A (ja) | 積層ストリップラインフィルタ |