RU2352032C1 - Полосковый резонатор - Google Patents

Полосковый резонатор Download PDF

Info

Publication number
RU2352032C1
RU2352032C1 RU2007140529/09A RU2007140529A RU2352032C1 RU 2352032 C1 RU2352032 C1 RU 2352032C1 RU 2007140529/09 A RU2007140529/09 A RU 2007140529/09A RU 2007140529 A RU2007140529 A RU 2007140529A RU 2352032 C1 RU2352032 C1 RU 2352032C1
Authority
RU
Russia
Prior art keywords
strip
resonator
conductors
substrate
conductor
Prior art date
Application number
RU2007140529/09A
Other languages
English (en)
Inventor
Борис Афанасьевич Беляев (RU)
Борис Афанасьевич Беляев
Александр Александрович Лексиков (RU)
Александр Александрович Лексиков
Алексей Михайлович Сержантов (RU)
Алексей Михайлович Сержантов
Original Assignee
Институт физики им. Л.В. Киренского Сибирского отделения РАН
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Институт физики им. Л.В. Киренского Сибирского отделения РАН filed Critical Институт физики им. Л.В. Киренского Сибирского отделения РАН
Priority to RU2007140529/09A priority Critical patent/RU2352032C1/ru
Application granted granted Critical
Publication of RU2352032C1 publication Critical patent/RU2352032C1/ru

Links

Images

Landscapes

  • Control Of Motors That Do Not Use Commutators (AREA)

Abstract

Полосковый резонатор относится к технике сверхвысоких частот и предназначен для создания частотно-селективных устройств СВЧ. Устройство содержит подвешенную между экранами диэлектрическую подложку, на одну поверхность которой нанесен полосковый металлический проводник резонатора и на второй поверхности подложки нанесен полосковый металлический проводник, идентичный по форме и расположению проводнику на первой поверхности. Это позволяет значительно увеличить собственную добротность полоскового резонатора и, соответственно, уменьшить потери в полосе пропускания фильтров на его основе без ухудшения массогабаритных характеристик устройств. Применив многослойную подложку, в которой между слоями располагаются полосковые проводники, идентичные по форме и расположению полосковым проводникам на внешних поверхностях, можно еще в большей степени повысить добротность заявляемого резонатора. 2 з.п. ф-лы, 7 ил.

Description

Изобретение относится к технике сверхвысоких частот и предназначено для, например, создания частотно-селективных устройств СВЧ, полосковых антенн и цепей, стабилизирующих частоту СВЧ-генераторов.
Известна конструкция полосно-пропускающего фильтра на основе параллельно связанных полосковых резонаторов [Д.Л.Матей, Л.Янг, Е.М.Т. Джонс. // Фильтры СВЧ, согласующие цепи и цепи связи. Т.1. - М.: Связь, 1971. - 439 с.]. Фильтр содержит выполняющие функцию резонаторов полуволновые отрезки полосковых линий, разомкнутые на обоих концах и расположенные параллельно друг другу со сдвигом на половину их длины. Все полосковые проводники находятся на равных расстояниях от нижней и верхней поверхностей экрана в сплошном диэлектрическом окружении. Недостатками таких резонаторов и фильтров на их основе являются сравнительно низкая собственная добротность, сильное влияние на нее потерь в материале диэлектрика и трудность изготовления.
Наиболее близким по совокупности существенных признаков аналогом является резонатор и полосно-пропускающий фильтр на его основе [Chen-Yu Chi and Gabriel M. Rebeiz // Conductor-Loss Limited Stripline Resonator and Filters. IEEE Trans, on Microwave Theory and Techniques, Vol.44, No. 4, Pp.626-630 (Прототип)]. Фильтр содержит тонкую диэлектрическую мембрану, на одну из сторон которой нанесены полосковые проводники, образующие полуволновые резонаторы, связанные между собой электромагнитно. Мембрана закреплена между верхним и нижним экранами при помощи полупроводниковых пластин с высоким удельным сопротивлением. Резонаторы данной конструкции обладают собственной добротностью Q≈400, которая ограничена потерями в металле, из которого изготовлены полосковые проводники резонаторов. В отличие от первого аналога в нем существенно меньше влияние материала на собственную добротность, однако она по-прежнему сравнительно невелика.
Техническим результатом изобретения является значительное увеличение собственной добротности полосковых резонаторов и, соответственно, уменьшение потерь в полосе пропускания фильтров на их основе, не сопровождающееся ухудшением массогабаритных характеристик устройств.
Указанный технический результат достигается тем, что в полосковом резонаторе, содержащем подвешенную между экранами диэлектрическую подложку, на одну поверхность которой нанесен полосковый металлический проводник резонатора, новым является то, что на второй поверхности подложки также нанесен полосковый металлический проводник, идентичный по форме и расположению проводнику на первой поверхности.
Отличия заявляемого устройства от наиболее близкого аналога заключаются в том, что полосковый резонатор образован проводниками, которые располагаются на обеих поверхностях подложки и являются идентичными по форме и расположению. Эти отличия позволяют сделать вывод о соответствии заявляемого технического решения критерию «новизна». Признаки, отличающие заявляемое техническое решение от прототипа, не выявлены в других технических решениях при изучении данной и смежной областей техники и, следовательно, обеспечивают заявляемому решению соответствие критерию «изобретательский уровень».
Изобретение поясняется чертежами: Фиг.1 - конструкция конкретной реализации предлагаемого полоскового резонатора на подвешенной диэлектрической подложке, Фиг.2 - зависимость собственной добротности полоскового резонатора от толщины диэлектрической подложки, Фиг.3 - распределение плотности высокочастотного тока в полосковых проводниках для резонатора, состоящего из одного полоскового проводника (Фиг.3, а) и двух полосковых проводников (Фиг.3, б), Фиг.4 - конструкция многопроводникового полоскового резонатора на основе многослойной подложки, Фиг.5 - зависимость собственной добротности многопроводникового полоскового резонатора от числа полосковых проводников в нем, Фиг.6 и Фиг.7 - экспериментальные амплитудно-частотные характеристики (АЧХ) потерь на прохождение двухзвенного полосно-пропускающего фильтра на основе заявляемого резонатора.
Заявляемое устройство (Фиг.1) содержит диэлектрическую подложку 1, подвешенную между двумя экранами, на обе поверхности которой нанесены полосковые металлические проводники 2, электромагнитно связанные между собой и имеющие, например, форму прямоугольника, причем проводник на второй поверхности подложки идентичен по форме и расположению проводнику на первой поверхности. Пара таких одинаковых полосковых проводников, располагающихся на разных поверхностях подложки, образует полосковый резонатор. Следует отметить, что форма проводников, из которых образованы полосковые резонаторы (в рассмотренном случае прямоугольная), может быть любой.
Известно, что значение собственной добротности полосковых резонаторов на практике обычно не превышает 103. Это обусловлено несколькими факторами, главными из которых являются конечная проводимость металла, из которого изготовляются полосковые проводники, и неравномерное распределение токов в поперечном сечении проводников. Кроме того, существенное влияние на собственную добротность полоскового резонатора, при прочих равных условиях, оказывает геометрия его проводников. Так, например, уменьшение ширины проводников резонаторов в той области, где находится пучность магнитного поля, приводит к увеличению плотности тока в поперечном сечении проводника и, соответственно, увеличению потерь. Таким образом, одним из методов повышения добротности полосковых резонаторов является увеличение ширины их полосковых проводников, однако это приводит к существенному увеличению их габаритов, что неприемлемо, особенно в случае многорезонаторных устройств. Предложенная конструкция полосковых резонаторов позволяет значительно повысить их собственную добротность и уменьшить вносимые потери в фильтрах на их основе, не приводя при этом к увеличению габаритных размеров.
Резонатор работает следующим образом. На резонансных частотах конструкции, когда на длине каждого полоскового проводника укладывается, например, половина длины волны электромагнитного колебания, оба проводника в резонаторе имеют одинаковое распределение высокочастотных токов и напряжений по их длине, т.е. ток в резонаторе делится на два проводника. В результате уменьшаются Джоулевы потери в резонаторе, и, соответственно, возрастает его собственная добротность.
На Фиг.2 представлена рассчитанная зависимость собственной добротности полоскового резонатора Q от толщины подложки hd, когда резонатор выполнен из двух прямоугольных полосковых проводников шириной w=1 мм, расположенных один напротив другого на разных поверхностях подложки. Длина проводников равнялась lr=20 мм, расстояние от верхней и нижней поверхности подложки до экрана ha=6.5 мм. Здесь и далее материал проводников медь, их толщина 20 мкм. Видно, что с уменьшением толщины подложки собственная добротность полоскового резонатора быстро растет.
На Фиг.3 представлено рассчитанное распределение плотности высокочастотного тока в полосковых проводниках для резонатора-прототипа (а) и заявляемого резонатора (б). Здесь более светлые области соответствуют большей плотности тока. Видно, что плотность тока в проводниках резонатора предлагаемой конструкции существенно ниже. Экспериментально изготовленный двухпроводниковый резонатор с параметрами, приведенными выше, на подложке из кварца толщиной 0.4 мм имел собственную добротность Q≈1350, в то время как резонатор, содержащий проводник только на одной стороне подложки, имел добротность Q≈950.
Еще большего повышения собственной добротности резонатора можно достичь в многопроводниковой конструкции на основе многослойной подложки. На Фиг.4 изображен многопроводниковый полосковый резонатор на основе многослойной подложки с количеством слоев N и общим числом проводников N+1. Полосковые проводники, образующие резонатор, идентичны по форме и расположению. При этом важно, что толщина слоев и общая толщина многослойной подложки может быть малой, следовательно, массогабаритные характеристики устройства при использовании предложенного метода повышения добротности также не ухудшаются.
На Фиг.5 представлена зависимость собственной добротности Q резонатора с конструктивными параметрами проводников и высоты экрана, указанными для Фиг.3, от числа полосковых проводников N. Расчет проводился для четырехслойной подложки с толщиной каждого слоя hd=1 мкм, такая толщина диэлектрического слоя, например, из моноокиси кремния SiO часто является оптимальной с технологической точки зрения. Из приведенной зависимости видно, что Q монотонно увеличивается с ростом числа проводников.
Таким образом, как уменьшение толщины слоев положки, так и увеличение числа проводников, из которых образован резонатор, приводит к существенному росту его собственной добротности.
Важным достоинством предложенного полоскового резонатора является меньшая, по сравнению с традиционными конструкциями, зависимость его собственной добротности от диэлектрических потерь в подложке. Действительно, в рабочем диапазоне длин волн вблизи резонансных частот потенциал участков полосок, находящихся напротив друг друга, одинаков, так как одинаково распределение токов и зарядов в них. Следовательно, напряженность электрического поля в слоях между проводниками близка к нулю.
На Фиг.6 представлена экспериментальная амплитудно-частотная характеристика (АЧХ) потерь на прохождение двухзвенного полосно-пропускающего фильтра на основе полосковых резонаторов предложенной конструкции. Фильтр имеет относительную ширину полосы пропускания Δf3/f0=1% (по уровню - 3 дБ) с центральной частотой f0≈5.5 ГГц. Полуволновые полосковые проводники для уменьшения габаритов выполнены в форме шпильки, причем каждый резонатор состоял из двух таких шпилек, расположенных напротив друг друга на верхней и нижней сторонах однослойной кварцевой подложки толщиной 0.4 мм, имеющей диэлектрическую проницаемость ε=3.7. Остальные конструктивные параметры были следующими: ширина полосковых проводников 1 мм, высота шпилек 10 мм, зазор внутри шпильки 3 мм, расстояние между резонаторами 12.5 мм, расстояние от верхней и нижней поверхностей подложки до экрана 6.5 мм. Габариты корпуса 28×12×13.4 мм3.
На Фиг.7 представлена эта же экспериментальная АЧХ, нормированная на центральную частоту полосы пропускания устройства, но в более узкой полосе частот вблизи полосы пропускания (сплошная линия). Здесь же (штриховая линия) приведена АЧХ фильтра для случая, когда каждый резонатор образован шпильковыми полосковыми проводниками, расположенными только с одной стороны подложки (со второй стороны они были удалены травлением). Оба фильтра имеют одинаковую относительную ширину полосы пропускания Δf3/f0=1%, измеренную по уровню 3 дБ от уровня минимальных потерь, КСВ=1.4 на входе устройств в обоих случаях был одинаков. Видно, что предложенный в изобретении подход позволяет существенно уменьшить прямые потери в полосе пропускания фильтра. Так величина минимальных потерь уменьшилась с уровня 2 дБ до уровня 1.6 дБ. Как показано выше, применение более тонких подложек и большего количества слоев приведет к значительно большему эффекту в повышении добротности, а следовательно, к еще большему снижению потерь в фильтре.
Благодаря использованию предложенного подхода для создания полосковых резонаторов достигается их более высокая собственная добротность и меньшая ее зависимость от диэлектрических потерь в материале подложки по сравнению с резонаторами традиционных конструкций. Важным преимуществом изобретения является то, что повышение добротности не связано с увеличением размеров и массы устройства. Предлагаемый подход может быть использован для создания высокодобротных резонаторов и узкополосных полосно-пропускающих фильтров на их основе, имеющих малые вносимые потери, для систем радиолокации, радионавигации и связи.

Claims (3)

1. Полосковый резонатор, содержащий подвешенную между экранами диэлектрическую подложку, на одну поверхность которой нанесен полосковый металлический проводник, отличающийся тем, что на второй поверхности подложки также нанесен полосковый металлический проводник, идентичный по форме и расположению проводнику на первой поверхности.
2. Устройство по п.1, отличающееся тем, что подложка выполнена многослойной, и между слоями также расположены полосковые металлические проводники, идентичные по форме и расположению проводникам на внешних поверхностях подложки.
3. Устройство по п.1 или 2, отличающееся тем, что форма полосковых металлических проводников резонатора может быть выполнена любой.
RU2007140529/09A 2007-10-31 2007-10-31 Полосковый резонатор RU2352032C1 (ru)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
RU2007140529/09A RU2352032C1 (ru) 2007-10-31 2007-10-31 Полосковый резонатор

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
RU2007140529/09A RU2352032C1 (ru) 2007-10-31 2007-10-31 Полосковый резонатор

Publications (1)

Publication Number Publication Date
RU2352032C1 true RU2352032C1 (ru) 2009-04-10

Family

ID=41015092

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
RU2007140529/09A RU2352032C1 (ru) 2007-10-31 2007-10-31 Полосковый резонатор

Country Status (1)

Country Link
RU (1) RU2352032C1 (ru)

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
RU2470418C1 (ru) * 2011-12-08 2012-12-20 Федеральное Государственное Автономное Образовательное Учреждение Высшего Профессионального Образования "Сибирский Федеральный Университет" Миниатюрный полосковый резонатор
RU2577485C1 (ru) * 2014-11-28 2016-03-20 Федеральное государственное бюджетное учреждение науки институт физики им. Л.В. Киренского Сибирского отделения Российской академии наук Полосковый резонатор
RU2579816C1 (ru) * 2015-01-12 2016-04-10 Федеральное государственное бюджетное учреждение науки институт физики им. Л.В. Киренского Сибирского отделения Российской академии наук Многослойный полосно-пропускающий фильтр
RU2672821C1 (ru) * 2017-10-30 2018-11-19 Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Сибирский государственный университет науки и технологий имени академика М.Ф. Решетнева" (СибГУ им. М.Ф. Решетнева) Полосно-пропускающий фильтр
RU200936U1 (ru) * 2020-07-13 2020-11-19 Акционерное общество "Научно-исследовательский институт Приборостроения имени В.В. Тихомирова" Полосковый резонатор

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
IEEE Transaction on Microwave theory and techniques, VOL.44, NO, 4 April, 1996, p.626-630. *

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
RU2470418C1 (ru) * 2011-12-08 2012-12-20 Федеральное Государственное Автономное Образовательное Учреждение Высшего Профессионального Образования "Сибирский Федеральный Университет" Миниатюрный полосковый резонатор
EA020744B1 (ru) * 2011-12-08 2015-01-30 Федеральное Государственное Автономное Образовательное Учреждение Высшего Профессионального Образования "Сибирский Федеральный Университет" Миниатюрный полосковый резонатор
RU2577485C1 (ru) * 2014-11-28 2016-03-20 Федеральное государственное бюджетное учреждение науки институт физики им. Л.В. Киренского Сибирского отделения Российской академии наук Полосковый резонатор
RU2579816C1 (ru) * 2015-01-12 2016-04-10 Федеральное государственное бюджетное учреждение науки институт физики им. Л.В. Киренского Сибирского отделения Российской академии наук Многослойный полосно-пропускающий фильтр
RU2672821C1 (ru) * 2017-10-30 2018-11-19 Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Сибирский государственный университет науки и технологий имени академика М.Ф. Решетнева" (СибГУ им. М.Ф. Решетнева) Полосно-пропускающий фильтр
RU200936U1 (ru) * 2020-07-13 2020-11-19 Акционерное общество "Научно-исследовательский институт Приборостроения имени В.В. Тихомирова" Полосковый резонатор

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US9653773B2 (en) Slow wave RF propagation line including a network of nanowires
US7263760B2 (en) Method for making a slow-wave ridge waveguide structure
JP2002532889A (ja) 誘電バラクタを備えた電気的チューナブルフィルタ
RU2352032C1 (ru) Полосковый резонатор
US7030463B1 (en) Tuneable electromagnetic bandgap structures based on high resistivity silicon substrates
Boutejdar Design of compact reconfigurable broadband band-stop filter based on a low-pass filter using half circle DGS resonator and multi-layer technique
RU2402121C1 (ru) Полосковый полосно-пропускающий фильтр
Boutejdar et al. Design and manufacturing of a novel compact 2.4 GHz LPF using a DGS-DMS combination and quasi octagonal resonators for radar and GPS applications
US9136573B2 (en) Tunable high-frequency transmission line
CN105742124A (zh) 一种微机电系统开关
Gil et al. Synthesis and applications of new left handed microstrip lines with complementary split-ring resonators etched on the signal strip
RU99248U1 (ru) Полосковый резонатор на двойной подвешенной подложке
Tong et al. Study and realisation of dual-composite right/left-handed coplanar waveguide metamaterial in MMIC technology
KR100958832B1 (ko) 버랙터 다이오드를 장착한 상보적 구조의 srr을 이용한가변형 공진기
JP3391271B2 (ja) 高周波用低損失電極
RU2470418C1 (ru) Миниатюрный полосковый резонатор
Ikhyari et al. Design and characterization of ADM-based dual-band SIW bandpass filter
KR100651724B1 (ko) 수평 구조의 가변 축전기 및 이를 구비한 초고주파 가변소자
RU157847U1 (ru) Миниатюрный микрополосковый резонатор
US6052043A (en) Thin-film multilayered electrode, high-frequency transmission line, high-frequency resonator, and high-frequency filter
CN106898848B (zh) 一种h型开路枝节结合栅栏型缺陷地结构的超宽阻带低通滤波器
Chernov et al. Losses in the micromechanically tunable coplanar waveguide based line
Belyaev et al. ALD stripline resonator and bandpass filters for VHF and UHF bands
Sghir et al. A novel compact CPW band-stop filter using O-DGS configuration
RU209668U1 (ru) Миниатюрный микрополосковый резонатор со встречно-штыревой структурой

Legal Events

Date Code Title Description
MM4A The patent is invalid due to non-payment of fees

Effective date: 20091101