DE60027509T2 - Modul mit einer Hochfrequenzschaltung - Google Patents

Modul mit einer Hochfrequenzschaltung Download PDF

Info

Publication number
DE60027509T2
DE60027509T2 DE60027509T DE60027509T DE60027509T2 DE 60027509 T2 DE60027509 T2 DE 60027509T2 DE 60027509 T DE60027509 T DE 60027509T DE 60027509 T DE60027509 T DE 60027509T DE 60027509 T2 DE60027509 T2 DE 60027509T2
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
frequency circuit
connector
circuit module
microwave
module according
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Lifetime
Application number
DE60027509T
Other languages
English (en)
Other versions
DE60027509D1 (de
Inventor
Hazime Chiyoda-ku Kawano
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Mitsubishi Electric Corp
Original Assignee
Mitsubishi Electric Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Priority claimed from JP18325099A external-priority patent/JP4154806B2/ja
Priority claimed from JP2000072943A external-priority patent/JP4211187B2/ja
Application filed by Mitsubishi Electric Corp filed Critical Mitsubishi Electric Corp
Publication of DE60027509D1 publication Critical patent/DE60027509D1/de
Application granted granted Critical
Publication of DE60027509T2 publication Critical patent/DE60027509T2/de
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Lifetime legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
    • H01L25/16—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof the devices being of types provided for in two or more different main groups of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. forming hybrid circuits
    • H01L25/165—Containers
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/58—Structural electrical arrangements for semiconductor devices not otherwise provided for, e.g. in combination with batteries
    • H01L23/64—Impedance arrangements
    • H01L23/66—High-frequency adaptations
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01P—WAVEGUIDES; RESONATORS, LINES, OR OTHER DEVICES OF THE WAVEGUIDE TYPE
    • H01P1/00—Auxiliary devices
    • H01P1/04—Fixed joints
    • H01P1/047—Strip line joints
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2223/00—Details relating to semiconductor or other solid state devices covered by the group H01L23/00
    • H01L2223/58—Structural electrical arrangements for semiconductor devices not otherwise provided for
    • H01L2223/64—Impedance arrangements
    • H01L2223/66—High-frequency adaptations
    • H01L2223/6605—High-frequency electrical connections
    • H01L2223/6616—Vertical connections, e.g. vias
    • H01L2223/6622—Coaxial feed-throughs in active or passive substrates
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2223/00—Details relating to semiconductor or other solid state devices covered by the group H01L23/00
    • H01L2223/58—Structural electrical arrangements for semiconductor devices not otherwise provided for
    • H01L2223/64—Impedance arrangements
    • H01L2223/66—High-frequency adaptations
    • H01L2223/6605—High-frequency electrical connections
    • H01L2223/6627—Waveguides, e.g. microstrip line, strip line, coplanar line
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2223/00—Details relating to semiconductor or other solid state devices covered by the group H01L23/00
    • H01L2223/58—Structural electrical arrangements for semiconductor devices not otherwise provided for
    • H01L2223/64—Impedance arrangements
    • H01L2223/66—High-frequency adaptations
    • H01L2223/6661—High-frequency adaptations for passive devices
    • H01L2223/6677—High-frequency adaptations for passive devices for antenna, e.g. antenna included within housing of semiconductor device
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/02—Bonding areas; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/04—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process
    • H01L2224/05—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process of an individual bonding area
    • H01L2224/0554—External layer
    • H01L2224/0555—Shape
    • H01L2224/05552—Shape in top view
    • H01L2224/05554—Shape in top view being square
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/02—Bonding areas; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/04—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process
    • H01L2224/05—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process of an individual bonding area
    • H01L2224/0554—External layer
    • H01L2224/05599—Material
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/15—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process
    • H01L2224/16—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process of an individual bump connector
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805—Shape
    • H01L2224/4809—Loop shape
    • H01L2224/48091—Arched
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481—Disposition
    • H01L2224/48135—Connecting between different semiconductor or solid-state bodies, i.e. chip-to-chip
    • H01L2224/48137—Connecting between different semiconductor or solid-state bodies, i.e. chip-to-chip the bodies being arranged next to each other, e.g. on a common substrate
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481—Disposition
    • H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48225—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
    • H01L2224/48227—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation connecting the wire to a bond pad of the item
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481—Disposition
    • H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48225—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
    • H01L2224/4823—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation connecting the wire to a pin of the item
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/49—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of a plurality of wire connectors
    • H01L2224/491—Disposition
    • H01L2224/4912—Layout
    • H01L2224/49175—Parallel arrangements
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/85—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a wire connector
    • H01L2224/8538—Bonding interfaces outside the semiconductor or solid-state body
    • H01L2224/85399—Material
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L24/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L24/49—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of a plurality of wire connectors
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
    • H01L2924/00014—Technical content checked by a classifier the subject-matter covered by the group, the symbol of which is combined with the symbol of this group, being disclosed without further technical details
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01079—Gold [Au]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/1015—Shape
    • H01L2924/1016—Shape being a cuboid
    • H01L2924/10161—Shape being a cuboid with a rectangular active surface
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/11—Device type
    • H01L2924/13—Discrete devices, e.g. 3 terminal devices
    • H01L2924/1304—Transistor
    • H01L2924/1306—Field-effect transistor [FET]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/11—Device type
    • H01L2924/14—Integrated circuits
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/11—Device type
    • H01L2924/14—Integrated circuits
    • H01L2924/141—Analog devices
    • H01L2924/1423—Monolithic Microwave Integrated Circuit [MMIC]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/151—Die mounting substrate
    • H01L2924/1515—Shape
    • H01L2924/15153—Shape the die mounting substrate comprising a recess for hosting the device
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/151—Die mounting substrate
    • H01L2924/1517—Multilayer substrate
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/151—Die mounting substrate
    • H01L2924/1517—Multilayer substrate
    • H01L2924/15192—Resurf arrangement of the internal vias
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/151—Die mounting substrate
    • H01L2924/153—Connection portion
    • H01L2924/1531—Connection portion the connection portion being formed only on the surface of the substrate opposite to the die mounting surface
    • H01L2924/15312—Connection portion the connection portion being formed only on the surface of the substrate opposite to the die mounting surface being a pin array, e.g. PGA
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/151—Die mounting substrate
    • H01L2924/153—Connection portion
    • H01L2924/1532—Connection portion the connection portion being formed on the die mounting surface of the substrate
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/161—Cap
    • H01L2924/1615—Shape
    • H01L2924/16195—Flat cap [not enclosing an internal cavity]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/19—Details of hybrid assemblies other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/1901—Structure
    • H01L2924/1903—Structure including wave guides
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/19—Details of hybrid assemblies other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/1901—Structure
    • H01L2924/1904—Component type
    • H01L2924/19041—Component type being a capacitor
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/30—Technical effects
    • H01L2924/301—Electrical effects
    • H01L2924/3011—Impedance

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Variable-Direction Aerials And Aerial Arrays (AREA)
  • Waveguide Connection Structure (AREA)
  • Details Of Aerials (AREA)

Description

  • HINTERGRUND DER ERFINDUNG
  • 1. Gebiet der Erfindung
  • Die vorliegende Erfindung bezieht sich auf ein Hochfrequenz-Schaltungsmodul wie ein Mikrowellen-Schaltungsmodul, und insbesondere auf ein Montageverfahren und eine Vorrichtung für ein Hochfrequenz-Schaltungsmodul.
  • 2. Beschreibung des Standes der Technik
  • Hochfrequenz-Schaltungsmodule sind Module, die gebildet sind durch Speichern mehrerer Hochfrequenz-Schaltungseinheiten oder einer oder mehr Hochfrequenz-Schaltungseinheiten und einer bezogenen Schaltung wie einer Steuerschaltung in einem Gehäuse. Verschiedene Typen von Hochfrequenz-Schaltungseinheiten sind bekannt, enthaltend eine Mikrowellen-Schaltungseinheit, die für ein Mikrowellenband verwendet wird, und eine Millimeterwellen-Schaltungseinheit, die für ein Millimeterwellenband verwendet wird. Beispielsweise ist als eine Mikrowellen-Schaltungseinheit eine monolithische Mikrowellen-IC (MMIC) mit einer Struktur, die durch Ausbilden eines aktiven Elements wie eines FET (Feldeffekttransistor) und mit einem passiven Element wie einem Kondensator auf der Oberfläche oder innerhalb eines Halbleitersubstrats ausgestaltet ist, bekannt. Als eine andere Mikrowellen-Schaltungseinheit ist beispielsweise eine Mikrowellen-IC (MIC) bekannt, die eine Struktur hat, die durch Befestigen einer diskreten Komponente wie eines Halbleiterelements auf einem dielektrischen Substrat, auf dem ein Schaltungselement gebildet ist, ausgestaltet ist. Eine Mikrowellenschaltung, insbesondere eine MMIC oder MIC, hat typischerweise eine rechteckige Gestalt ähnlich einer Schaltungsplatte, auf der die Schaltung zu befestigen ist, und dem Gehäuse zur Aufnahme der Schaltungsplatte. Die Mikrowellenschaltung ist auch so ausgebildet, dass sie eine so geringe Höhe wie möglich hat. Ein Hochfrequenz-Schaltungsmodul mit einer gespeicherten Mikrowellenschaltung als einer der Hochfrequenzschaltungen wird als Mikrowellen-Schaltungsmodul bezeichnet. Das Mikrowellen-Schaltungsmodul kann durch Laminieren mehrerer dielektrischer Schichten in einer Mehrschichtstruktur realisiert werden.
  • 2-1. Herkömmliches Modul
  • Aus dem Stand der Technik, US 5,874,321 , ist auch ein integriertes Schaltungsbauteil bekannt, enthaltend einen an einer Basis befestigten Deckel, um einen Hohlraum zu umschließen, und ein integriertes Schaltungschip oder -chips ist/sind an jeweils dem Deckel und der Basis innerhalb des Hohlraums befes tigt. Das Chip oder die Chips, die die meiste Wärme während des Betriebs des integrierten Schaltungsbauteils erzeugen, sind an dem Deckel befestigt. Das integrierte Schaltungsbauteil ist in einer Aufwärtshohlraumkonfiguration ausgebildet, die ermöglicht, dass Verbindungsstifte oder Lötwärmen auf der gesamten äußeren Oberfläche der Basis gebildet werden können, was die Verbindungsdichte erhöht. Eine Befestigung von Chips sowohl an dem Deckel als auch an der Basis ermöglicht eine erhöhte Anzahl von elektronischen Funktionen, die in einem integrierten Schaltungsbauteil enthalten sind.
  • Ein Beispiel für ein herkömmliches Mikrowellen-Schaltungsmodul mit einer Mehrschichtstruktur ist in 17 gezeigt. Das Mikrowellen-Schaltungsmodul mit dem in der Figur gezeigten Querschnitt hat eine Mehrschichtstruktur, die durch Laminieren von fünf dielektrischen Schichten 1–5 gebildet ist. Die Mehrschichtstruktur enthält weiterhin Leitungen 6–10, die jeweils über jeder der dielektrischen Schichten 1–5 vorgesehen sind. Die Leiter 6–10 sind in der Figur nicht gezeigt, da sie dünne Schichten im Vergleich zu den dielektrischen Schichten 1–5 sind. Die Leiter 6, 8 und 10 stellen Signalübertragungsleitungen dar, und die Leiter 7 und 9 stellen ein Erdpotential zur Verfügung. Die Schaltungsverbindung zum Aufrechterhalten der Potentiale der Leiter 7 und 9 und einer Metallleiterschicht 13 auf Erdpotential ist nicht gezeigt, aber kann ausgebildet sein durch Verwenden eines Verfahrens und einer Vorrichtung, die dem Fachmann bekannt sind. Die Mehrschichtstruktur ist durch einen oberen Deckel 11 abgedeckt, um ihr oberes Ende zu schützen, und der Verbindungsabschnitt zwischen dem oberen Deckel 11 und der Mehrschichtstruktur ist durch ein Dichtteil 12 abgedichtet. Eine Metalllei terschicht 13 ist an dem unteren Ende der Mehrschichtstruktur vorgesehen, um ein Erdpotential zur Verfügung zu stellen. Eine in dem Mikrowellen-Schaltungsmodul aufzunehmende Schaltung enthält eine Mikrowellenschaltung in der Form einer MMIC, einer MIC usw., sowie eine Steuerschaltung, die zum Steuern der Mikrowellenschaltungen vorgesehen ist, in der Form einer IC oder dergleichen. Bei dem in 17 gezeigten Beispiel sind eine Mikrowellenschaltung 14 zum Durchführen einer vorbestimmten Verarbeitung eines Signals in einem Mikrowellenband und eine Steuerschaltung 15 zum Steuern des Betriebs der Mikrowellenschaltung 14 innerhalb der Mehrschichtstruktur aufgenommen.
  • Damit die Mikrowellenschaltung 14 und die Steuerschaltung 15 wie beabsichtigt arbeiten, müssen HF-Verbinder zum Eingeben eines Mikrowellensignals in die Mikrowellenschaltung 14 und zum Ausgeben eines Mikrowellensignals aus der Mikrowellenschaltung 14 sowie Steuersignalstifte zum Eingeben eines Steuersignals in die Steuerschaltung 15 vorgesehen sein. Bei dem in 17 gezeigten Mikrowellen-Schaltungsmodul sind zwei HF-Verbinder 16 und sechs Steuersignalstifte 17 an dem oberen Ende der Mehrschichtstruktur vorgesehen, wie in 18 gezeigt ist. Die HF-Verbinder 16 haben eine Koaxialstruktur und ihre inneren Leiter 18 gehen durch die Mehrschichtstruktur hindurch, um nahe an die Mikrowellenschaltung 14 zu gelangen, wie in einer teilweise vergrößerten 19 gezeigt ist. Die Verbindung durch einen Draht 16 zwischen dem inneren Leiter 18 und einem Leiter in einem vorbestimmten Abschnitt der Mikrowellenschaltung 14 wird durch ein Verfahren wie Drahtverbinden oder dergleichen gebildet. Ein äußerer Leiter des HF-Verbinders 16 ist mit der Metallleiterschicht 13 ver bunden und kann zu der Innenseite der Mehrschichtstruktur verlängert werden, wenn dies erforderlich ist. Dielektrika 20 sind zwischen dem inneren Leiter 18 und Teilen innerhalb der Mehrschichtstruktur, insbesondere verschiedenen Leitern, vorgesehen. Von einer externen Schaltung gelieferte Mikrowellensignale werden durcheinen der HF-Verbinder 16 zu der Mikrowellenschaltung 14 geführt. Ein oder mehrere Prozesse wie Verstärkung, Modulation, Phasenverschiebung oder dergleichen werden mit den Signalen durch die Mikrowellenschaltung 14 durchgeführt und die Signale werden durch den anderen HF-Leiter 16 zu einer externen Schaltung ausgegeben.
  • Die Steuersignalstifte 17 sind in einem ausgeschnittenen Bereich angeordnet, der innerhalb der Metallleiterschicht 13 vorgesehen ist, um einen Spalt zu gewährleisten, der einen Kurzschluss zwischen den Steuersignalstiften 17 mit der Metallleiterschicht 13 verhindert. Ein Ende der Gruppe von Steuersignalstiften 17 ragt aus der Mehrschichtstruktur auf der Unterseite hervor für eine Verbindung mit einer externen Schaltung, und das andere Ende der Steuersignalstifte 17 ist in die Mehrschichtstruktur eingebettet. Ein Teil der in die Mehrschichtstruktur eingebetteten Steuersignalstifte 17 ist durch einen Draht 21 mit der Steuerschaltung 15 verbunden. Es ist beispielsweise möglich, ein Durchgangsloch 22 in jeder Schicht vorzusehen, das durch die dielektrischen Schichten 1–5 hindurchgeht, jeden der Steuersignalstifte 17 durch die Reihe von Durchgangslöchern 22 einzuführen, so dass ein Ende oberhalb der dielektrischen Schicht 5 ist, und das Ende oberhalb der dielektrischen Schicht 5 mit dem Leiter der Steuerschaltung 15 durch den Draht 21 zu verbinden, wobei ein Verfahren wie Drahtverbinden usw. angewendet wird. Alternativ ist es auch möglich, einen anderen Leiter innerhalb des Durchgangsloches 22 einzubetten oder zu füllen, anstelle des Eindringens in die Mehrschichtstruktur durch die Steuersignalstifte 17, und den Leiter zum Verbinden der Steuersignalstifte 17 und der Steuerschaltung 15 zu verwenden.
  • Die Verbindung zwischen der Steuerschaltung 15 und der Mikrowellenschaltung 14 ist durch einen Leiter innerhalb eines Durchgangslochs 23 und Drähte 24 bis 26, die durch ein Verfahren wie Drahtverbinden oder dergleichen verbunden sind, vorgesehen. Insbesondere ist der Leiter in einem vorbestimmten Abschnitt der Steuerschaltung 15 mit einem vorbestimmten Abschnitt der Leitung 10 durch einen Draht 24 verbunden, und der Leiter in einem vorbestimmten Abschnitt der Mikrowellenschaltung 14 ist mit einem vorbestimmten Abschnitt der Leitung 8 durch Drähte 25 oder 26 verbunden. Die Leitungen 10 und 8 sind durch einen Leiter verbunden, der in dem Durchgangsloch 23 eingebettet oder in dieses gefüllt ist.
  • 2-2. Zu lösende Probleme
  • Bei der vorbeschriebenen Struktur ist es möglich, ein Mikrowellensignal von einer externen Schaltung über den HF-Verbinder 16 zu einer Mikrowellenschaltung 14 und ein in der Mikrowellenschaltung 14 verarbeiteten Mikrowellensignal durch den HF-Verbinder 16 zu einer externen Schaltung zu liefern, ein Steuersignal von der Steuerschaltung 15 durch einen Leiter innerhalb des Durchgangslochs 23 zu der Mikrowellenschaltung 14 zu liefern, um die Arbeitsweise der Mikrowellenschaltung 14 zu steuern, und ein Signal von einer externen Schaltung über die Steuersignalstifte 17 zu der Steuerschaltung 15 zu liefern, um die Arbeitsweise der Steuerschaltung 15 zu steuern. Jedoch stellt diese Struktur ein Problem dar, wenn eine Verringerung der Größe der Vorrichtung und eine weitere Integration gewünscht sind.
  • Zuerst wird, da nur eine Oberfläche vorhanden ist, an der die Mikrowellenschaltung 14 befestigt werden kann, wenn mehrere Mikrowellenschaltungen 14 in dem Mikrowellen-Schaltungsmodul aufgenommen sind, die Projektionsfläche des Mikrowellen-Schaltungsmoduls groß. Insbesondere hat die in 17 gezeigte Mehrschichtstruktur nur eine Oberfläche, auf der eine Mikrowellenschaltung 14 befestigt werden kann, welche die geerdete Ebene der Leitung 7 ist. Wenn mehrere Mikrowellenschaltungen 14 befestigt werden, müssen die geerdete Ebene, die der Leiterfilm 7 ist, und eine Signalübertragungsebene, die der Leiterfilm 8 ist, so vergrößert werden, dass es möglich ist, die Mikrowellenschaltungen 14 zu befestigen, und es müssen eine Mikrostreifenleitung und Verbindungsstellen zum Verbinden der Leiter der Mikrowellenschaltungen vorgesehen sein. Die Unausweichlichkeit führt dazu, dass die Projektionsfläche des von oberhalb oder unterhalb der Mehrschichtstruktur betrachteten Mikrowellenschaltungsmoduls groß wird.
  • Zweitens besteht, da mehrere HF-Verbinder 16 in derselben Ebene vorgesehen sind, das Problem, dass sie innere Struktur und die relative Anordnung des Mikrowellenschaltungsmoduls und der peripheren Vorrichtungen beschränkt sind. Beispielsweise sind bei einem Mikrowellenschaltungsmodul, das durch Modulbildung einer Schaltung zum Verarbeiten eines Mikrowellenssignals, das durch eine Zuführungsschaltung verteilt wird, und Zuführen des Signals zu einem Antennenelement, ausgebildet ist, minimal zwei HF-Verbinder, ei ner zum Zuführen des von der Zuführungsschaltung verteilten Mikrowellensignals zu der Mikrowellenschaltung 14 und ein anderer zum Zuführen eines in der Mikrowellenschaltung verarbeiteten Mikrowellensignals zu dem Antennenelement erforderlich. Gemäß der in den 17 bis 19 bezeigten Struktur sind diese HF-Verbinder in derselben Ebene angeordnet. Um die Gesamtprojektionsfläche des Mikrowellenschaltungsmoduls, der Zuführungsschaltung und des Antennenelements unter dieser Verbinderanordnung zu beschränken und gleichzeitig die Integrität zu erhöhen, müssen das Mikrowellenschaltungsmodul, die Zuführungsschaltung und das Antennenelement ausgerichtet und eng in dieser Reihenfolge in der Laminierungsrichtung angeordnet sein, da das Antennenelement offen zum Ausstrahlen des Mikrowellensignals sein muss. Wenn diese Strukturen in dieser Reihenfolge ausgerichtet sind, muss, da die Zuführungsschaltung zwischen dem Mikrowellen-Schaltungsmodul und dem Antennenelement vorhanden ist, ein Loch in der Zuführungsschaltung vorgesehen sein, um den HF-Verbinder des Mikrowellen-Schaltungsmoduls mit dem des Antennenelements zu verbinden, oder alternativ muss eine Schaltung zum Durchführung der Mikrowellenübertragung zwischen dem Mikrowellen-Schaltungsmodul und dem Antennenelement innerhalb der Zuführungsschaltung vorgesehen sein. Diese beiden Verfahren beschränken erheblich die Ausbildung des Zuführungsschaltungsmusters und die Fläche, die das Zuführungsschaltungsmuster einnehmen kann.
  • ZUSAMMENFASSUNG DER ERFINDUNG
  • Eine Aufgabe der vorliegenden Erfindung besteht darin, ein Hochfrequenz-Schaltungsmodul vorzusehen, bei dem die Projektionsfläche leicht herabgesetzt werden kann, und bei dem strukturelle und Ausrichtungsbeschränkungsprobleme selten auftreten.
  • Ein Hochfrequenz-Schaltungsmodul gemäß einem bevorzugten Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung umfasst eine erste und eine zweite Hochfrequenz-Schaltungseinheit, ein Gehäuse und eine Zwischeneinheits-Signalübertragungsleitung. Die erste und die zweite Hochfrequenz-Schaltungseinheit sind Einheiten zum Verarbeiten eines Hochfrequenzsignals wie beispielsweise eine Mikrowellen-Schaltungseinheit wie eine MMIC oder MIC. Das Gehäuse nimmt die erste und die zweite Hochfrequenzschaltungseinheit auf und weist in seinem Inneren einen ersten und einen zweiten Hochfrequenz-Schaltungseinheit-Aufnahmeraum und eine erste und eine zweite Übertragungsleitungsebene auf. Der erste und der zweite Hochfrequenz-Schaltungseinheit-Aufnahmeraum nehmen jeweils die erste und die zweite Hochfrequenz-Schaltungseinheit auf und können realisiert werden durch Vorsehen eines Lochs, das jede der dielektrischen Schichten durchdringt, wenn das Gehäuse durch Laminieren dielektrischer Schichten realisiert wird. Die erste und die zweite Übertragungsleitungsebene, die parallel zueinander sind, können als Oberflächen der dielektrischen Schichten vorgesehen sein, wenn das Gehäuse durch Laminieren dielektrischer Schichten realisiert wird.
  • Die die erste und die zweite Hochfrequenz-Schaltungseinheit verbindende Zwischeneinheits-Signalübertragungsleitung ist vorgesehen, um ein Hochfrequenzsignal von der ersten Hochfrequenz-Schaltungseinheit zu der zweiten Hochfrequenz-Schaltungseinheit zu übertragen. Die Zwischeneinheits-Signalübertragungsleitung hat zumindest drei Teile. Der erste Teil ist ein Teil entlang der ersten Übertragungsleitungsebene, der sich von dem ersten Hochfrequenz-Schaltungseinheit-Aufnahmeraum erstreckt. Der zweite Teil ist ein Teil entlang der zweiten Übertragungsleitungsebene, der sich von dem zweiten Hochfrequenz-Schaltungseinheit-Speicherraum erstreckt. Der dritte Teil ist ein Teil zum elektrischen Verbinden des ersten und des zweiten Teils.
  • Durch Vorsehen des dritten Teils in der vorbeschriebenen Zwischeneinheits-Signalübertragungsleitung wird es möglich, die erste und die zweite Übertragungsleitungsebene als gegenseitig verschiedene Ebenen zu setzen, und daher ist es möglich, die Projektionsflächen der ersten und der zweiten Hochfrequenz-Schaltungseinheit einander zu überlappen. Insbesondere ist es möglich, einen ersten und einen zweiten Hochfrequenz-Schaltungseinheit-Aufnahmeraum so zu bilden, dass zumindest ein Teil der Projektion der ersten Hochfrequenz-Schaltungseinheit und ein Teil der Projektion der zweiten Hochfrequenz-Schaltungseinheit in der Projektionsrichtung senkrecht zu der ersten und der zweiten Übertragungsleitungsebene überlappen, indem eine Zwischeneinheits-Signalübertragungsleitung mit dem ersten bis dritten Teil vorgesehen wird. Dies kann verwendet werden zum Realisieren eines Hochfrequenz-Schaltungsmodul verringerter Größe, wie eines Mikrowellen-Schaltungsmoduls, das zur Verwendung in einer phasengesteuerten Antennenanordnung geeignet ist.
  • Der dritte Teil der Zwischeneinheits-Signalübertragungsleitung kann beispielsweise durch eine dreidimensionale Struktur entlang der Richtung, die die erste und die zweite Übertragungsleitungsebene schneidet, zum Verbinden des ersten und des zweiten Teils realisiert werden. Als ein erstes Beispiel der dreidimensionalen Struktur gibt eine Struktur, die ein (schlitzförmiges) Kopplungsfenster verwendet. Bei diesem Beispiel ist eine Öffnung in einem geerdeten Leiterfilm mit einem aufrechterhaltenen vorbestimmten Potential parallel zu und zwischen der ersten und der zweiten Übertragungsleitungsebene vorgesehen. Diese Öffnung oder das Kopplungsfenster, das nachfolgend als ein erstes Kopplungsfenster bezeichnet wird, um eine Verwechslung mit anderen Kopplungsfenstern zu vermeiden, liefert die elektromagnetische Kopplung zwischen dem ersten und dem zweiten Teil durch eine dielektrische Schicht. Wenn das Gehäuse durch Laminieren dielektrischer Schichten realisiert wird, können die dielektrischen Schichten zum Ausbilden des Gehäuses für den elektromagnetischen Kopplungspfad verwendet werden. Als ein zweites Beispiel der dreidimensionalen Struktur kann eine Struktur, die ein Durchgangsloch verwendet, verwendet werden. Bei diesem Beispiel kann eine dielektrische Schicht, die zwischen dem ersten und dem zweiten Teil vorhanden ist, durch einen Leiter durchstochen werden, der vorgesehen ist, um sich von dem ersten Teil zu dem zweiten Teil zu erstrecken. Um die erste und die zweite Hochfrequenz-Schaltungseinheit mit einer externen Vorrichtung zu verbinden, sind HF-Verbinder auf der Außenfläche des Gehäuses vorgesehen, und Verbindereinheit-Signalübertragungsleitungen sind innerhalb des Gehäuses vorgesehen: Zum Eingeben eines Hochfrequenzsignals wie eines Mikrowellensignals in die erste Hochfrequenz-Schaltungseinheit ist ein erster HF-Verbinder auf der Außenfläche des Gehäuses vorgesehen, und eine erste Verbindereinheit-Signalübertragungsleitung zum Verbinden der ersten Hochfrequenz-Schaltungseinheit mit dem ersten HF-Verbinder ist für die Übertragung eines Hochfrequenzsignals von dem ersten HF-Verbinder zu der ersten Hochfrequenz- Schaltungseinheit vorgesehen. Für die Ausgabe eines Hochfrequenzsignals wie eines Mikrowellensignals von der zweiten Hochfrequenz-Schaltungseinheit ist ein zweiter HF-Verbinder auf der Außenfläche des Gehäuses vorgesehen, und eine zweite Verbindereinheit-Signalübertragungsleitung zum Verbinden der zweiten Hochfrequenz-Schaltungseinheit mit dem zweiten HF-Verbinder ist für die Übertragung eines Hochfrequenzsignals von der zweiten Hochfrequenz-Schaltungseinheit zu dem zweiten HF-Verbinder vorgesehen.
  • Die vorliegende Erfindung ist nun dadurch gekennzeichnet, dass diese HF-Verbinder auf verschiedenen Ebenen unter den Ebenen, die die Außenfläche des Gehäuses bilden, angeordnet sind. Mit anderen Worten, herkömmlich müssten der HF-Verbinder für die Eingabe und der HF-Verbinder für die Ausgabe auf derselben Seite, betrachtet von der Hochfrequenz-Schaltungseinheit, da es nur eine Befestigungsebene für Hochfrequenz-Schaltungseinheiten gibt, aber gemäß der vorliegenden Erfindung sind, da zwei oder mehr Hochfrequenz-Schaltungseinheit-Aufnahmeräume auf den gegenseitig verschiedenen Ebenen vorhanden sind, um eine eingangsseitige (erste) und eine ausgangsseitige (zweite) Hochfrequenzeinheit aufzunehmen, der erste HF-Verbinder entsprechend der ersten Hochfrequenz-Schaltungseinheit und der zweite HF-Verbinder entsprechend der zweiten Hochfrequenz-Schaltungseinheit auf verschiedenen Seiten vorgesehen. Auf diese Weise kann der Freiheitsgrad für die Anordnung und Strukturen des Hochfrequenz-Schaltungsmoduls und seiner peripheren Vorrichtungen und für den Typ der Verbindung mit den peripheren Vorrichtungen erhöht werden. Dies führt auch zu einer Größenverringerung. Darüber hinaus sind die erste und die zweite Verbindereinheit-Signalübertragungsleitung ebenfalls so ausgebildet, dass zumindest eine von dieser ersten und zweiten Verbindereinheit-Signalübertragungsleitung ein Kopplungsfenster ("zweites Kopplungsfenster") hat, ähnlich einem Kopplungsfenster, das durch eine dreidimensionale Struktur des dritten Teils der Zwischeneinheit-Signalübertragungsleitung vorgesehen sein kann.
  • Die vorliegende Erfindung ist weiterhin dadurch gekennzeichnet, dass zumindest eine von der ersten und der zweiten Verbindereinheit-Signalübertragungsleitung das zweite Kopplungsfenster (47) hat als eine in einer geerdeten Leitung (42) vorgesehene Öffnung, die auf einem vorbestimmten Potential gehalten wird und parallel zu der ersten und der zweiten Übertragungsleitungsebene verläuft, auch einheitsseitige und verbinderseitige Leiter hat, die elektromagnetisch durch das zweite Kopplungsfenster gekoppelt und jeweils mit einer Hochfrequenz-Schaltungseinheit und einem HF-Verbinder, die das Verbindungsziel sind, verbunden sind.
  • Die erste und die zweite Verbindereinheit-Signalübertragungsleitung können als eine koaxiale Leitung ausgebildet sein. Da die erste und die zweite Verbindereinheit-Signalübertragungsleitung Leitungen sind, die in das Gehäuse eingebettet sind, um zumindest eine Schicht von mehreren dielektrischen Schichten zu durchdringen, wenn das Gehäuse durch Laminieren mehrerer dielektrischer Schichten gebildet ist, ist es bevorzugt, dass diese als eine pseudo-koaxiale Leitung ausgebildet sind unter Verwendung der dielektrischen Schichten als einer dielektrischen Schicht und Verwendung von Durchgangslöchern, um die Leiter einzubetten. Das heißt, die pseudo-koaxiale Leitung enthält als Leiter einen inneren Leiter, der die die lektrischen Schichten durchdringt, und einen äußeren Leiter, der durch mehrere getrennte Leiter in jeweiligen Durchgangslöchern mit einem vorbestimmten Abstand von dem inneren Leiter gebildet ist.
  • Wenn ein Hochfrequenz-Schaltungsmodul gemäß der vorliegenden Erfindung in einen Satz mit einem Strahlungsabschnitt wie einer phasengesteuerten Antennenanordnung einzubauen ist, ist es bevorzugt, dass Hochfrequenz-Schaltungsmodul gemäß der vorliegenden Erfindung als ein Modul auszubilden, das weiterhin den Strahlungsabschnitt enthält. Beispielsweise kann ein Strahlungsabschnitt auf der Außenfläche des Gehäuses vorgesehen sein, und eine Einheits/Strahler-Übertragungsleitung zum Verbinden der zweiten Radiofrequenz-Schaltungseinheit mit dem Strahlungsabschnitt kann innerhalb des Gehäuses vorgesehen sein. Auf diese Weise sind die HF-Verbinder zum Verbinden des Hochfrequenz-Schaltungsmoduls und des Antennenelements nicht länger erforderlich, und es ist möglich, die Kosten aufgrund der verringerten Anzahl von Komponenten herabzusetzen und die Größe zu verringern, aufgrund der Abwesenheit der Beschränkungen hinsichtlich der Verbinderanordnung.
  • Es ist bevorzugt, dass der erste HF-Verbinder und der Strahlungsabschnitt auf verschiedenen Oberflächen vorgesehen sind.
  • Mehrere Strahlungsabschnitte können an einem Modul vorgesehen sein. In einem derartigen Fall können mehrere zweite Hochfrequenz-Schaltungseinheiten und erste Hochfrequenz-Schaltungseinheiten entsprechend jedem der Strahlungsabschnitte vorgesehen sein. Wenn eine derartige Konfiguration mit einer kleinen Anzahl der ersten HF-Verbinder verwendet wird, kann ein Ver zweigungsteil zum Verzweigen der von dem ersten HF-Verbinder eingegebenen Hochfrequenz-Signale in beispielsweise der ersten Verbinder/Einheit-Signalübertragungseinheit vorgesehen sein, um das verzweigte Signal zu jeder der ersten Hochfrequenz-Schaltungseinheiten zu liefern. Das Verzweigungsteil kann beispielsweise durch Verbinden oder Kaskadieren von m Verteilern (m ist eine natürliche Zahl, die größer als oder gleich 2 ist) realisiert werden, wobei jeder zum Verteilen des eingegebenen Hochfrequenzsignals auf n Zweige (n ist eine natürliche Zahl, die größer als oder gleich 2 ist) vorgesehen ist, so dass das von dem ersten HF-Verbinder eingegebene Hochfrequenzsignal zu jeder der ersten Hochfrequenz-Schaltungseinheiten geliefert wird. Jeder Verteiler kann durch eine planare Schaltung wie einen Verteiler vom Verzweigungsleitungstyp oder einen Wilkinson-Verteiler realisiert werden. Durch Vorsehen eines Verzweigungsteils, wie vorstehend beschrieben ist, kann eine Zunahme der Anzahl der ersten HF-Verbinder vermieden werden. Darüber hinaus kann das Verzweigungsteil durch eine planare Schaltung realisiert werden, die realisiert werden kann ohne Zunahme der Größe des Gehäuses durch geeignete Ausbildung des Musters der Leitungen innerhalb des Gehäuses.
  • Eine typische Struktur eines Gehäuses ist wie folgt ausgebildet. Mehrere dielektrische Schichten werden mit mehreren Leitungen, die jeweils auf einer Oberfläche von einer der laminierten dielektrischen Schichten vorgesehen sind, laminiert. Die Form dieser dielektrischen Schichten ist so gesetzt, dass nach dem Ausbilden der erste und der zweite Hochfrequenz-Schaltungseinheit-Aufnahmeraum miteinander laminiert werden können. Einige der Leitungen ergeben die erste und die zweite Übertragungsleitungsebene. Der dritte Teil durchdringt zumindest eine der dielektrischen Schichten. Es ist auch möglich, innerhalb des Gehäuses eine Steuerschaltung zum Steuern der ersten und der zweiten Hochfrequenz-Schaltungseinheit aufzunehmen. Die Steuerschaltung kann beispielsweise in einem in einer dielektrischen Schicht, die sich an dem Ende der laminierten dielektrischen Schichten befindet, vorgesehenen Loch aufgenommen werden. Dieses Loch kann durch einen getrennt hergestellten Deckel abgedeckt sein.
  • Die erste und die zweite Hochfrequenz-Schaltungseinheit werden beispielsweise durch Kontaktwarzen an dem Gehäuse befestigt. Durch Verwendung von Kontaktwarzen können die Einheiten an dem Gehäuse befestigt werden, und gleichzeitig kann eine elektrische Verbindung mit einem in dem Gehäuse vorhandenen Leiter, der ein Verbindungsziel darstellt, erreicht werden. Es ist bevorzugt, koplanare Leitungen als den Verbindungszielleiter zu verwenden.
  • KURZBESCHREIBUNG DER ZEICHNUNGEN
  • 1 ist ein II-II-Querschnittsdiagramm, das eine Struktur eines Mikrowellen-Schaltungsmoduls gemäß einem ersten Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung zeigt.
  • 2 ist eine Draufsicht auf das in 1 gezeigte Mikrowellen-Schaltungsmodul, gesehen von der unteren Seite von 1.
  • 3 ist ein III-III-Querschnittsdiagramm des in 1 gezeigten Mikrowellen-Schaltungsmoduls.
  • 4 ist ein IV-IV-Querschnittsdiagramm des in 1 gezeigten Mikrowellen-Schaltungsmoduls.
  • 5 ist eine teilweise auseinander genommene perspektivische Ansicht, die einen Bereich des in 1 gezeigten Mikrowellen-Schaltungsmoduls zeigt, insbesondere die Anordnung eines Kopplungsfensters zum Koppeln von Mikrowellen-Schaltungseinheiten.
  • 6 ist eine teilweise auseinander genommene perspektivische Ansicht, die einen Bereich des in 1 gezeigten Mikrowellen-Schaltungsmoduls zeigt, insbesondere die Struktur um den HF-Verbinder herum, der auf der oberen Seite von 1 vorgesehen ist.
  • 7 ist eine teilweise auseinander genommene perspektivische Ansicht, die ein Verwendungsbeispiel für das in 1 gezeigte Mikrowellen-Schaltungsmodul zeigt.
  • 8 ist eine II-II-Querschnittsansicht eines Mikrowellen-Schaltungsmoduls gemäß einem zweiten Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung.
  • 9 ist eine II-II-Querschnittsansicht eines Mikrowellen-Schaltungsmoduls gemäß einem dritten Ausführungsbeispiel.
  • 10 ist eine teilweise auseinander genommene perspektivische Ansicht, die ein Verwendungsbeispiel für ein Mikrowellen- Schaltungsmodul gemäß einem vierten Ausführungsbeispiel zeigt.
  • 11 ist ein V-V-Querschnittsdiagramm, das die Struktur des in 10 gezeigten Mikrowellen-Schaltungsmoduls zeigt.
  • 12A ist eine Ansicht der äußeren Erscheinung des in 10 gezeigten Mikrowellen-Schaltungsmoduls, die die Oberfläche auf der Strahlungsabschnittsseite zeigt.
  • 12B ist eine Seitenansicht, die die äußere Erscheinung des in 10 gezeigten Mikrowellen-Schaltungsmoduls zeigt.
  • 12C ist eine Ansicht der äußeren Erscheinung des in 10 gezeigten Mikrowellen-Schaltungsmoduls, das die Oberfläche auf der Verbinderseite zeigt.
  • 13 ist eine schematische Teilquerschnittsansicht, die die innere Struktur des in 10 gezeigten Mikrowellen-Schaltungsmoduls zeigt.
  • 14 ist eine Draufsicht, die eine Struktur eines Verteilers in dem in 10 gezeigten Mikrowellen-Schaltungsmodul zeigt.
  • 15 ist eine planare Ansicht, die eine Struktur eines Verteilers in einem Mikrowellen-Schaltungsmodul gemäß einem fünften Ausführungsbeispiel zeigt.
  • 16 ist ein V-V-Querschnittsdiagramm, das eine Struktur eines Mikrowellen-Schaltungsmoduls gemäß einem sechsten Ausführungsbeispiel zeigt.
  • 17 ist eine I-I-Querschnittsansicht einer Struktur eines herkömmlichen Mikrowellen-Schaltungsmoduls.
  • 18 ist eine planare Ansicht des in 17 gezeigten Mikrowellen-Schaltungsmoduls, gesehen von der unteren Seite in 1.
  • 19 ist eine Teilquerschnittsansicht, die den Verbindungsbereich zwischen den HF-Verbindern und der Mikrowellen-Schaltung des in 17 gezeigten Mikrowellen-Schaltungsmoduls zeigt.
  • BESCHREIBUNG DER BEVORZUGTEN AUSFÜHRUNGSBEISPIELE
  • Bevorzugte Ausführungsbeispiele der vorliegenden Erfindung werden nachfolgend mit Bezug auf die Zeichnungen beschrieben. In der folgenden Beschreibung werden Strukturen, die ähnlich oder gleichwertig solchen der in den 17–19 gezeigten herkömmlichen Strukturen sind, durch dieselbe Bezugszahl gekennzeichnet, und die entsprechenden Strukturen werden nicht wieder beschrieben. Auch werden ähnliche oder gleichwertige Strukturen unter den Ausführungsbeispielen durch dieselbe Bezugszahl gekennzeichnet, und ihre Beschreibung wird nicht wiederholt. In der folgenden Beschreibung wird die vorliegende Erfindung erläutert unter Verwendung einer Anwendung auf ein Mikrowellen-Schaltungsmodul als ein Beispiel, aber die vorliegende Erfindung kann auch auf allgemeine modulmäßige Schaltungen angewendet werden, die für andere Frequenzbänder als das Mikrowellenband ausgebildet sind, wie das Millimeterwellenband oder dergleichen. Auch ist, obgleich ein Modul für eine Antennenanordnung als ein Beispiel für die Anwendung der vorliegenden Erfindung verwendet wird, die vorliegende Erfindung bei anderen Anwendungen als der Antennenanordnung wirksam.
  • a) Erstes Ausführungsbeispiel
  • 1 zeigt eine Struktur eines Mikrowellen-Schaltungsmoduls gemäß einem ersten Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung. Das Mikrowellen-Schaltungsmodul, von dem ein Querschnitt in 1 gezeigt ist, hat eine Struktur, bei der neun dielektrische Schichten 27–35 laminiert sind, wobei die neun dielektrischen Schichten eine nahezu gleiche Projektionsfläche haben. Innerhalb der Mehrschichtstruktur der dielektrischen Schichten 27–35 sind zwei Mikrowellen-Schaltungen 14-1 und 14-2 sowie eine Steuerschaltung 15 aufgenommen. Das heißt, die Mehrschichtstruktur bildet den Rahmen für das Gehäuse des Mikrowellen-Schaltungsmoduls, wobei eine Metalleiterschicht 13 unterhalb der Mehrschichtstruktur vorgesehen ist. Leiter 36 bis 45 sind teilselektiv angeordnet oder auf jeder der dielektrischen Schichten 27 bis 35 ausgebildet, so dass erforderliche Formmuster vorgesehen sind.
  • Die Mikrowellenschaltungen 14-1 und 14-2 können durch eine MMIC oder eine MIC realisiert werden, die einen vorbestimmten Prozess wie eine Verstärkung, eine Modulation, eine Phasenverschiebung usw. bei einem Mikrowellensignal durchführt. In dem illustrierten Beispiel haben diese Schaltungen eine Dicke, die gleich der oder geringfügig geringer als die der elektri schen Schichten 30 und 32 ist. Ein Loch mit einer Öffnungsfläche, die größer als die Projektionsflächen der Mikrowellenschaltungen 14-1 und 14-2 ist, ist in jeder der dielektrischen Schichten 30 und 32 vorgesehen, so dass die Mikrowellenschaltungen aufgenommen werden können. Der Querschnitt dieser Löcher ist in 1 gezeigt, und die Öffnungsebenen der Löcher sind in den 3 und 4 gezeigt. Die Mikrowellenschaltungen 14-1 und 14-2 sind in diesen Löchern angeordnet und an den dielektrischen Schichten 29 und 31 befestigt, die sich unterhalb der dielektrischen Schichten 30 und 32 befinden, oder an den Leitungen 38 und 40 auf der Oberseite der dielektrischen Schichten 29 und 31 mittels eines Verfahrens wie Adhäsion.
  • Ein Loch mit einer Öffnungsfläche, die größer als die Projektionsfläche der Mikrowellenschaltungen 14-1 und 14-2 ist, ist in jeder der dielektrischen Schichten 31 und 33 vorgesehen, die sich über den dielektrischen Schichten 30 und 32 befinden, sowie in jeder der Leitungen 39 und 41, die sich unterhalb der dielektrischen Schichten 31 und 33 befinden, so dass die Mikrowellenschaltungen 14-1 und 14-2 und die peripheren Vorrichtungen sich nicht stören. Die Querschnitte dieser Löcher sind in 1 gezeigt, und die Öffnungsebenen der Löcher sind in den 3 und 4 gezeigt. Bei dem ersten Ausführungsbeispiel haben, da jede der Mikrowellenschaltungen und der umgebenden Leitungen durch Draht verbunden sind, die Löcher in den dielektrischen Schichten 31 und 33 und in den Leitungen 39 und 41 solche Abmessungen, dass keine der Mikrowellenschaltungen oder der Verbindungsdrähte mit den dielektrischen Schichten 31 und 33 und den Leitungen 39 und 41 in Konflikt kommt. Die Mikrowellenschaltungen 14-1 und 14-2 sind an den dielektri schen Schichten 29 und 31 oder den Leitungen 38 und 40 oberhalb der dielektrischen Schichten befestigt als Teil der Montagefolge zum Laminieren und Befestigen der dielektrischen Schichten 27 bis 35. Die Mikrowellenschaltungen 14-1 und 14-2 sind auch mit den Leitungen 39 und 41 und einem Leiter 18A durch Verbindungsdrähte 49 bis 52 verbunden, auch als Teil der Montagefolge.
  • Die Mikrowellenschaltung 14-2 und die dielektrische Schicht 32 wirken als obere Deckel für die Mikrowellenschaltung 14-1, und die dielektrischen Schichten 34 und 35 wirken als obere Deckel für die Mikrowellenschaltung 14-2.
  • Die Steuerschaltung 15 kann durch eine IC oder dergleichen realisiert werden, um die Arbeitsweise der Mikrowellenschaltungen 14-1 und 14-2 zu steuern. Die Steuerschaltung 15 hat eine Dicke gleich oder geringfügig kleiner als der der dielektrischen Schicht 27. Ein Loch mit einer größeren Öffnungsfläche als der Projektionsfläche der Steuerschaltung 15 ist in der dielektrischen Schicht 28 vorgesehen, um die Steuerschaltung 15 aufzunehmen. Die Steuerschaltung 15 ist innerhalb dieses Lochs angeordnet und an der dielektrischen Schicht 28 oder der Leitung 36, die sich unterhalb der dielektrischen Schicht 28 befindet, durch ein Verfahren durch Adhäsion befestigt.
  • Ein Loch mit einer größeren Öffnungsfläche als der Projektionsfläche der Steuerschaltung 15 ist in der Metallleiterschicht 13 vorgesehen, die sich unterhalb der dielektrischen Schicht 28 befindet, so dass die Metallleiterschicht 13 keinen Konflikt mit der Steuerschaltung 15 und den peripheren Teilen hervorruft. Der Querschnitt dieses Lochs ist in 1 gezeigt, und ein Teil der Öffnungsebene des Lochs ist in 2 gezeigt. Bei dem ersten Ausführungsbeispiel hat, da Verbindungsdrähte 55 und 56 zusätzlich zu den Durchgangslöchern 53 und 54 als Mittel zum Verbinden der Steuerschaltung 15 und der Leitung 36 verwendet werden, das Loch in der Metallleiterschicht 13 eine Abmessung derart, dass die Steuerschaltung 15 und die Verbindungsdrähte 55 und 56 keinen Konflikt mit der Metallleiterschicht 13 hervorrufen (siehe 2). Die Steuerschaltung 15 ist an der dielektrischen Schicht 28 oder der Leitung 36 unterhalb der dielektrischen Schicht 28 befestigt und verbunden mit dem Leiter 36 über Leiter, die innerhalb der Durchgangslöcher 53 und 54 eingebettet oder gefüllt sind, und Drähte 55 und 56 in einem Teil der Montagefolge zum Laminieren und Befestigen der dielektrischen Schichten 27 bis 35.
  • Unter den in der Metallleiterschicht 13 vorgesehenen Löchern ist das Loch direkt unter der Steuerschaltung 15 durch eine Abdeckung 48 geschlossen, die durch ein Teil wie ein Metall oder dergleichen gebildet ist. In 2 ist ein Teil der Abdeckung 48 weggelassen, um die Steuerschaltung 15 usw. zu zeigen, aber die Abdeckung 48 hat eine rechteckige Form, so dass die Abdeckung 48 das gesamte Loch abdeckt.
  • Unter den Leitungen 36 bis 45 sind die Leitungen 37, 38 40, 42 und 44 als ein geerdeter Leiter, ein eine Mikrowellen-Schaltungsbefestigungsebene vorsehender Leiter oder ein ein Kupplungsfenster bildender Leiter ausgebildet und verwendet, und die Leitungen 36, 39, 41 und 43 sind als ein eine Signalübertragungsleitung vorsehender Leiter oder ein eine Steuerschaltung vorsehender Leiter ausgebildet und verwendet. Da diese Filme viel dünner als die dielektrischen Schichten 27 bis 35 sind, sind sie nicht in den Figuren gezeigt, ausgenommen, wenn sie für die Beschreibung der Funktion der Struktur erforderlich sind.
  • Die Leitungen 37, 38, 40, 42 und 44 haben einen Projektionsflächenumriss, der nahezu gleich jenen oder geringfügig kleiner als diejenigen der dielektrischen Schichten 27 bis 35 ist, und werden durch eine bekannte Struktur (nicht gezeigt) wie eine Durchgangslochverbindung auf einem Erdpotential gehalten. Somit haben die Leitungen 37, 38, 40, 42 und 44 geerdete Ebenen zusammen mit der Metallleiterschicht 13, die ebenfalls Erdpotential hat. Die Leitungen 38 und 40 sehen Ebenen zum Befestigen der Mikrowellenschaltungen 14-1 bzw. 14-2 vor.
  • Ein Kopplungsfenster 46 und ein Kopplungsfenster 47 sind jeweils in den Verbindungsleitungen 40 und 42 vorgesehen. Die Kopplungsfenster 46 und 47 sind Abschnitte, in denen kein Leiter vorhanden ist, und sie können erhalten werden durch Entfernen der oder selektive Nichtausbildung eines Teils der Leitungen 40 und 42. Wie in den 1 und 5 gezeigt ist, die jeweils einen Querschnitt und eine Peripherie zeigen, liegt der Teil der Leitung 39, die sich nahe zu dem Kopplungsfenster 46 erstreckt, einen Teil der Leitung 41 gegenüber, die sich nahe zu dem Kopplungsfenster 46 erstreckt, wobei das Kopplungsfenster 46 dazwischen liegt. Diese Teile sind durch eine abgezweigte elektromagnetische Welle oder elektromagnetische Kopplung durch das Kopplungsfenster 46 gekoppelt. In gleicher Weise liegt ein Teil der Leitung 41, die sich nahe zu dem Kopplungsfenster 47 erstreckt, einem Teil der Leitung 43 gegenüber, die sich nahe zu dem Kopplungsfenster 47 erstreckt (siehe 1 und 6), wobei das Kopplungsfenster 47 dazwischen liegt, wie in 1 gezeigt ist. Diese Teile sind gekoppelt durch eine abgezweigte elektromagnetische Welle oder eine elektromagnetische Kopplung durch das Kopplungsfenster 47. Die Kopplungsfenster 46 und 47 haben in dem gezeigten Beispiel eine Schlitzform, aber sie können auch jede andere Form haben, solange wie die Kopplung gut durchgeführt wird.
  • Die Leitungen 36, 39, 41 und 43 ergeben Signalübertragungsleitungen für die Übertragung des Steuersignals und des Mikrowellensignals. Der Steuersignalstift 17, der als der Anschluss für die Eingabe des externen Signals dient, befindet sich in einem Loch oder einem in der Metallleiterschicht 13 vorgesehenen ausgeschnittenen Bereich, wie in den 1 und 2 gezeigt ist, so dass die Metallleiterschicht 13 und der Steuersignalstift 17 einander nicht stören. Wie in 1 gezeigt ist, ragt ein Ende des Steuersignalstifts 17 von der unteren Seite der Metallleiterschicht 13 vor, während sich das andere Ende durch ein in der dielektrischen Schicht 27 vorgesehenes Durchgangsloch 57 erstreckt, um mit der Leitung 36 verbunden zu sein. Es ist auch möglich, den Steuersignalstift 17 und die Leitung 36 durch einen getrennten Leiter, der in dem Durchgangsloch 57 eingebettet oder gefüllt ist, zu verbinden. Diese Leitung 36 hat ein Muster, das sich von dem das Durchgangsloch 57 bildenden Abschnitt zu dem das Durchgangsloch 57 bildenden Abschnitt nahe der Steuerschaltung 15 erstreckt und durch das Durchgangsloch 54 und einen Draht 56 mit der Steuerschaltung 15 verbunden ist. Somit wird ein von einer externen Schaltung über den Steuersignalstift 17 geliefertes Signal über den Leiter in dem Durchgangsloch 57, einen Teil der Leitung 36, den Leiter in dem Durchgangsloch 54 und den Draht 56 in die Steuerschaltung 15 eingegeben. Die Steuer schaltung 15 erzeugt auf der Grundlage des Eingangssignals ein zu den Mikrowellenschaltungen 14-1 und 14-2 zu lieferndes Steuersignal.
  • Der Steuersignalpfad von der Steuerschaltung 15 zu der Mikrowellenschaltung 14-1 enthält einen Draht 55, einen Leiter in dem Durchgangsloch 53, einen Teil der Leitung 36, einen Leiter in dem Durchgangsloch 58, einen Teil der Leitung 39 und einen Draht 59. Insbesondere ist, wie in 1 gezeigt ist, die Steuerschaltung 15 durch den Draht 55 und den Leiter in dem Durchgangsloch 53 mit der Leitung 36 verbunden. Die Leitung 36 hat ein Muster, das sich nahe zu dem das Durchgangsloch 58 bildenden Abschnitt erstreckt. Mehrere Durchgangslöcher 58, die in Folge vorgesehen sind und mit einem Leiter eingebettet oder gefüllt sind, dringen von dem Leiter 36 durch die dielektrischen Schichten 28 bis 30 hindurch zu dem Leiter 39. Wie in 3 gezeigt ist, hat der Leiter 39 ein Muster, das sich zu Anschlussstellen erstreckt, von denen allgemein mehrere nahe der Mikrowellenschaltung 14-1 vorgesehen sind. Diese Anschlussstellen sind mit einem Leiter auf der Mikrowellenschaltung 14-1 durch ein Verfahren wie Drahtverbinden verbunden. Somit wird das in der Steuerschaltung 15 erzeugte Steuersignal durch diesen Pfad zu der Mikrowellenschaltung 14-1 geliefert, um die Arbeitsweise der Mikrowellenschaltung 14-1 zu steuern. Der Steuersignalpfad von der Steuerschaltung 15 zu der Mikrowellenschaltung 14-2 kann realisiert werden durch Verwenden von Leitungen, Durchgangslöcher und Verbindungsdrähten ähnlich dem Steuersignalpfad von der Steuerschaltung 15 zu der Mikrowellenschaltung 14-1. Daher wird dieser nicht weiter beschrieben, mit Ausnahme eines Abschnitts der Route, eines in 4 gezeigten Drahtes 60.
  • Das Mikrowellenschaltungsmodul gemäß dem ersten Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung verarbeitet ein von einer externen Schaltung über den HF-Verbinder 16A geliefertes Mikrowellensignal zuerst durch die Mikrowellenschaltung 14-1 und dann durch die Mikrowellenschaltung 14-2, und liefert das verarbeitete Signal über den HF-Verbinder 16B zu einer externen Schaltung.
  • Wie in 1 gezeigt ist, hat der auf der Oberfläche der Metallleiterschicht 13 angeordnete HF-Verbinder 16A eine koaxiale Struktur enthaltend einen inneren Leiter 18A, ein Dielektrikum 20A und einen äußeren Leiter. Der äußere Leiter ist mit der Metallleiterschicht 13 verbunden und erstreckt sich vorzugsweise mit dem inneren Leiter 18A und dem Dielektrikum 20A durch die dielektrischen Schichten 27 bis 29 in die Mehrschichtstruktur. Ein Ende des inneren Leiters 18A erstreckt sich zu der Unterseite der in 1 gezeigten Anordnung, so dass es mit einer externen Schaltung verbunden werden kann. Das andere Ende des inneren Leiters 18A erstreckt sich bis nahe der Mikrowellenschaltung 14-1. Wie in 3 gezeigt ist, ist der innere Leiter 18A mit einem Leiter zum Eingeben eines Mikrowellensignals in die Mikrowellenschaltung 14-1 durch einen Draht 49 an dem Ende nahe der Mikrowellenschaltung 14-1 verbunden. Somit wird das von einer externen Schaltung durch den HF-Verbinder 16A gelieferte Mikrowellensignal durch die vorgenannte koaxiale Struktur und den Draht 49 zu der Mikrowellenschaltung 14-1 geliefert.
  • Der Leiter zum Ausgeben des Mikrowellensignals von der Mikrowellenschaltung 14-1 wird durch den Draht 50 mit der Leitung 39 verbunden, wie in 3 gezeigt ist. Wie in 1 gezeigt ist, hat die Leitung 39 ein Muster, das sich von dem Leitungsabschnitt mit dem Draht 50 bis nahe zum Kopplungsfenster 46 erstreckt. Wie in 5 gezeigt ist, ist ein Teil des Musters der Leitung 41 nahe dem Kopplungsfenster 46 so ausgebildet, dass er der Leitung 39 mit dem Kopplungsfenster 46 dazwischen gegenüber liegt. Die Größe, die Form und die Position des Kopplungsfensters 46 sind so ausgebildet, dass das von der Mikrowellenschaltung 14-1 verarbeitete und über die Leitung 39 übertragene Mikrowellensignal durch das Kopplungsfenster 46 in Form einer elektromagnetischen Welle zu der Leitung 41 abgezweigt wird, um die Leitung 41 zu erreichen. Mit anderen Worten, die Größe, die Form und die Position des Kopplungsfensters 46 sind so ausgebildet, dass das Kopplungsfenster 46 als ein Typ eines lokalen Strahlungselements wirken kann. Für diese Ausbildung ist es bevorzugt, dass der Kopplungskoeffizient zwischen den Leitungen 39 und 41 durch das Kopplungsfenster 46 hindurch ausreichend berücksichtigt wird.
  • Wie in 1 gezeigt ist, hat die Leitung 41 ein Muster, das sich von nahe dem Kopplungsfenster 46 zu nahe der Mikrowellenschaltung 14-2 erstreckt. Wie in 4 gezeigt ist, ist die Leitung 41 mit einem Leiter zum Eingeben des Mikrowellensignals in die Mikrowellenschaltung 14-2 durch den Draht 52 nahe der Mikrowellenschaltung 14-2 verbunden. Somit wird das von der Mikrowellenschaltung 14-1 verarbeitete Mikrowellensignal durch den Draht 50, die Leitung 39, das Kopplungsfenster 46, die Leitung 41 und den Draht 52 zu der Mikrowellenschaltung 14-2 geliefert.
  • Der Leiter auf der Mikrowellenschaltung 14-2 zur Ausgabe des Mikrowellensignals ist durch einen Draht 51 mit der Leitung 41 verbunden, wie in 4 gezeigt ist. Wie in 1 gezeigt ist, hat die Leitung 41 ein Muster, das sich von dem Verbindungsabschnitt durch den Draht 51 bis nahe dem Kopplungsfenster 47 erstreckt. Wie in 6 gezeigt ist, ist ein Teil des Musters der Leitung 43 nahe dem Kopplungsfenster 47 so ausgebildet, dass es der Leitung 41 mit dem Kopplungsfenster 47 dazwischen gegenüber liegt. Die Größe, die Form und die Position des Kopplungsfensters 47 sind so ausgebildet, dass das von der Mikrowellenschaltung 14-2 verarbeitete und über die Leitung 41 übertragene Mikrowellensignal durch das Kopplungsfenster 47 zu der Leitung 43 in Form einer elektromagnetischen Welle abgezweigt werden kann, um die Leitung 43 zu erreichen. Mit anderen Worten, die Größe, die Form und die Position des Kopplungsfensters 47 sind so ausgebildet, dass das Kopplungsfenster 47 als ein Typ eines lokalen Strahlungselements wirkt. Für diese Ausbildung ist es bevorzugt, den Kopplungskoeffizienten zwischen den Leitungen 41 und 43 durch das Kopplungsfenster 47 hindurch ausreichend zu berücksichtigen.
  • Wie in den 1 und 6 gezeigt ist, hat die Leitung 43 ein Muster, das sich von nahe dem Kopplungsfenster 47 bis nahe dem Durchgangsloch 61 der dielektrischen Schicht 35 erstreckt. Ein innerer Leiter 18B ist eingebettet oder ein anderer Leiter, der elektrisch mit dem inneren Leiter 18B verbunden ist, ist in das Durchgangsloch eingebettet oder gefüllt. Ein Ende des inneren Leiters 18B erstreckt sich bis über die dielektrische Schicht 35, so dass er als ein innerer Leiter des HF-Verbinders 16B verwendet werden kann. Der äußere Leiter des HF-Verbinders 16B ist mit einer geerdeten Leitung 44 verbunden. Somit erscheint das in der Mikrowellenschaltung 14-2 verarbeitete Mikrowellensignal in dem HF-Verbinder 16B durch den Draht 51, die Leitung 41, das Kopplungsfenster 47, die Leitung 43 und den Leiter in dem Durchgangsloch 61.
  • Wie in 6 gezeigt ist, ist eine Folge von Durchgangslöchern 62 um das die dielektrische Schicht 35 durchdringende Durchgangsloch 61 herum ausgebildet, um die dielektrischen Schichten 34 und 35 zu durchdringen. In dem Durchgangsloch 61 ist ein Leiter eingebettet oder gefüllt zur Verbindung mit der Leitung 42, die das Erdpotential liefert. Durch Einstellen eines konstanten Abstands jedes der Durchgangslöcher 62 zu dem Durchgangsloch 61 gemäß der erforderlichen charakteristischen Impedanz und durch Sicherstellen einer so großen Anzahl von Durchgangslöchern 62 wie möglich wird eine pseudokoaxiale Struktur gebildet, bei der der Leiter in dem Durchgangsloch 61 als ein innerer Leiter wirkt, die Leiter in den Durchgangslöchern 62 als äußerer Leiter und die dielektrische Schicht 35 als ein Dielektrikum. Mit anderen Worten, die Charakteristiken der Übertragungsleitung von der Leitung 43 zu dem HF-Verbinder 16B können so konfiguriert sein, dass sie vorbestimmte Charakteristiken oder eine Charakteristik ähnlich den vorbestimmten Charakteristiken sind. Um einen Konflikt zwischen den Durchgangslöchern 62 und der Leiterschicht 43 zu vermeiden, ist die Anordnung der Durchgangslöcher 62 vorzugsweise hufeisen- oder bogenförmig.
  • Wie beschrieben ist, können bei dem Ausführungsbeispiel, in dem das Kopplungsfenster 46 in der Leitung 40 als Mittel zum Koppeln der Leitungen 39 und 41 vorgesehen wird, die Befestigungsebenen der Mikrowellenschaltungen 14-1 und 14-2 als getrennte Oberflächen konfiguriert werden. Da die geerdete Leitung 40 und ein Loch in der dielektrischen Schicht 31 zwischen den Mikrowellenschaltungen 14-1 und 14-2 vorhanden sind, wird eine Kopplung zwischen den Mikrowellenschaltungen 14-1 und 14-2 in der vertikalen Richtung von 1 nicht hergestellt. Daher können die Mikrowellenschaltung 14-1 und 14-2 so angeordnet werden, dass sich Teile der Projektionen der Mikrowellenschaltungen 14-1 und 14-2, gesehen von der oberen Seite in 1 zumindest teilweise überlappen. Durch Verwenden dieser grundsätzlichen Struktur kann die Projektionsfläche des gesamten Mikrowellen-Schaltungsmoduls kleiner als die Summe der Projektionsflächen der Mikrowellenschaltungen 14-1 und 14-2 gemacht werden. Mit anderen Worten, gemäß dem ersten Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung können durch Einführung des Kopplungsfensters 46 eine Zunahme der Anzahl der Befestigungsebenen der Mikrowellenschaltungen und eine Abnahme der Projektionsfläche des Mikrowellen-Schaltungsmoduls gleichzeitig erzielt werden. Darüber hinaus kann das Kopplungsfenster 46 durch einen einfachen Schritt entweder des Entfernens oder des Nichtausbildens eines Teils des Leiters auf der Leitung 40, die als eine geerdete Leitung wirkt, realisiert werden. Dieses Kopplungsfenster 46 hat auch eine hohe Zuverlässigkeit.
  • Bei dem ersten Ausführungsbeispiel ist es möglich, da die Leitungen 41 und 43 durch Vorsehen des Kopplungsfensters 47 in der Leitung 42 verbunden sind, den HF-Verbinder 16B auf einer Seite vorzusehen, die verschieden von der ist, auf der der HF-Verbinder 16A vorgesehen ist. Da der Freiheitsgrad mit Bezug auf die Position des HF-Verbinders im Vergleich zu der herkömmlichen Struktur erhöht ist, wird die Beschränkung hinsichtlich der Ausrichtung der um das Mikrowellen-Schaltungsmodul anzuordnenden Schaltungen und Vorrichtungen herabgesetzt und die Größe der gesamten Struktur enthaltend die peripheren Schaltungen und Vorrichtungen kann verringert werden. Beispielsweise besteht, wie in 7 gezeigt ist, wenn ein Teil der Schaltungen für eine phasengesteuerte Antennenanordnung 68 als ein Mikrowellen-Schaltungsmodul 69 gemäß dem Ausführungsbeispiel ausgebildet ist und in eine Antennenanordnung 68 mit einem entsprechenden Antennenelement 70 eingebaut ist, da der Steuersignalstift 17 und der HF-Verbinder 16A des Mikrowellen-Schaltungsmoduls 69 auf einer Ebene angeordnet sind, die entgegengesetzt zu der ist, auf der der HF-Verbinder 16B angeordnet ist, keine Notwendigkeit, die Zuführungsschaltung auf der Seite des HF-Verbinders 16B, gesehen von dem Mikrowellen-Schaltungsmodul 69 aus, vorzusehen. Die Zuführungsschaltung kann, obgleich nicht gezeigt, auf der Seite des Steuersignalstifts 17 und des HF-Verbinders 16A, gesehen von dem Mikrowellen-Schaltungsmodul 69 aus, angeordnet werden. Darüber hinaus ist, da ein Verfahren zum direkten Verbinden eines HF-Verbinders 71 des Antennenelements 70 mit dem HF-Verbinder 16B des Mikrowellen-Schaltungsmoduls 69, d.h. ein Einsteckverfahren angewendet werden kann, die Größe der Reflexion an dem Verbindungsabschnitt zwischen dem Mikrowellen-Schaltungsmodul 69 und dem Antennenelement 70 klein, was zu einer Zunahme des Leistungsvermögens führt. Die Bezugszahl 72 in den Figuren stellt den Strahlungsabschnitt des Antennenelements 70 dar, und der HF-Verbinder 71 ist auf der entgegengesetzten Seite von dem Strahlungsabschnitt 72 angeordnet.
  • (b) Zweites Ausführungsbeispiel
  • 8 zeigt einen Querschnitt eines Mikrowellen-Schaltungsmoduls gemäß einem zweiten Ausführungsbei spiel der vorliegenden Erfindung. Bei dem ersten Ausführungsbeispiel wird die Adhäsion als ein Verfahren zum Befestigen der Mikrowellenschaltungen 14-1 und 14-2 und der Steuerschaltung 15 verwendet, und Drahtverbindung wird als ein Verfahren zum elektrischen Verbinden der Leiter auf den Mikrowellenschaltungen 14-1 und 14-2 und auf der Steuerschaltung 15 mit den Leitungen (Anschlussstellen) oder dergleichen angewendet. Bei dem zweiten Ausführungsbeispiel werden andererseits das Befestigen und die elektrische Verbindung der Mikrowellenschaltungen 14-1 und 14-2 und der Steuerschaltung 15 durch Verwendung von Kontaktwarzen 62 bis 67 realisiert. Die Befestigungsebene der Mikrowellenschaltungen 14-1 und 14-2 wird in die obere Oberfläche der dielektrischen Schichten 30 und 32 geändert, um der Kontaktwarzenverbindung angepasst zu sein.
  • Die Kontaktwarzen 62 bis 67 werden durch ein Material mit hoher elektrischer Leitfähigkeit wie Gold gebildet. Wenn die Befestigung und elektrische Verbindung unter Verwendung der Kontaktwarzen 62 bis 67 erfolgt, werden zuerst kugelförmige Kontaktwarzen 62 bis 67 auf vorbestimmten Abschnitten des Leiters, der auf den Oberflächen der Mikrowellenschaltungen 14-1 und 14-2 und der Steuerschaltung 15 erscheint, angeordnet. Dann werden die Mikrowellenschaltungen 14-1 und 14-2 und die Steuerschaltung 15 gedreht und so positioniert, dass die Kontaktwarzen 62 bis 67 vor bestimmten Abschnitten der Leitungen 36, 39 und 41 gegenüber liegen. Druck, Ultraschall oder dergleichen wird dann ausgeübt. Auf diese Weise werden die Leiter, die auf den Oberflächen der Mikrowellenschaltungen 14-1 und 14-2 und der Steuerschaltung 15 erscheinen, befestigt und mit den Kontaktwarzen 62 bis 67 verbunden, und die Kontaktwarzen 62 bis 67 und die Leiter 36, 39 und 41 werden befestigt und miteinander verbunden. In 8 sind die Kontaktwarzen 62 bis 67 nicht kugelförmig, da die Kontaktwarzen während der Ausübung des Drucks oder Ultraschalls abgeflacht werden.
  • Wie beschrieben ist, besteht bei dem zweiten Ausführungsbeispiel, da die Kontaktwarzen 62 bis 67 zum Befestigen und elektrischen Verbinden verwendet werden, keine Notwendigkeit, Verbindungsanschlussstellen auf den Leitungen 36, 39 und 41 zum Drahtverbinden vorzusehen oder Durchgangslöcher als eine Alternative oder zusätzliche Struktur zu diesen Anschlussstellen vorzusehen. Daher kann der zum Ausrüsten und Aufnehmen der Mikrowellenschaltungen 14-1 und 14-2 und der Steuerschaltung 15 erforderliche Raum verringert werden im Vergleich zu dem ersten Ausführungsbeispiel, das das Drahtverbinden anwendet. Hierdurch kann ein noch kleineres Mikrowellen-Schaltungsmodul erhalten werden. Darüber hinaus können, da Klebstoffe zum Befestigen der Mikrowellenschaltungen 14-1 und 14-2 und der Steuerschaltung 15 und Drahtverbinder, Vorrichtungen zum Anwenden des Drahtverbindens, nicht länger erforderlich sind, Vorteile wie eine Erhöhung des Leistungsvermögens, der Zuverlässigkeit und der Stabilität des Mikrowellen-Schaltungsmoduls oder die Abnahme der Herstellungskosten erhalten werden. Zusätzlich ist es bevorzugt, dass das Muster der Leitungen wie der Leitungen 39 usw., die der Gegenstand der Befestigung und Verbindung durch die Kontaktwarzen sind, in eine koplanare Leitung geformt ist, so dass der Abschnitt zum Befestigen und Verbinden durch die Kontaktwarzen leicht gesichert werden kann.
  • (c) Drittes Ausführungsbeispiel
  • Dieses Ausführungsbeispiel zeigt nicht die vorliegende Erfindung insgesamt, sondern Aspekte der Erfindung, und es ist nützlich zum Verständnis des Hintergrunds der Erfindung.
  • Ein Querschnitt eines Mikrowellen-Schaltungsmoduls gemäß dem dritten Ausführungsbeispiel ist in 9 gezeigt. Bei dem dritten Ausführungsbeispiel sind Durchgangslöcher 73 und 74 anstelle der bei dem ersten Ausführungsbeispiel vorgesehen Kopplungsfenster 46 und 47 vorgesehen. Leiter sind in den Durchgangslöchern 73 und 74 für eine Verbindung eingebettet oder gefüllt. Obgleich das dritte Ausführungsbeispiel einen Nachteil dahingehend hat, dass die Anzahl von Durchgangslöchern größer als bei dem ersten Ausführungsbeispiel ist, da keine Notwendigkeit besteht, die mit der Leitung 41 durch das Kopplungsfenster 47 zu koppelnde Leitung 43 vorzusehen, können zwei dielektrische Schichten 34 und 35 bei dem ersten Ausführungsbeispiel durch eine dielektrische Schicht 34 ersetzt werden, wodurch sowohl die Höhe als auch die Herstellungskosten verringert werden. In der Figur stellt die Bezugszahl 75 ein Durchgangsloch dar, das zum Verbinden der Steuerschaltung 15 und der Mikrowellenschaltung 14-2 verwendet werden, welches in 1 nicht gezeigt ist. Die Bezugszahl 44A stellt einen mit dem äußeren Leiter des HF-Verbinders 16B zu verbindenden Leiter dar und ist auf der oberen Oberfläche der dielektrischen Schicht 34 vorgesehen, die als ein oberer Deckel wirkt. Zusätzlich sind, obgleich eine Notwendigkeit besteht, ein Loch mit einem größeren Radius als jeden der Durchgangslöcher vorzusehen, entsprechend jedem der Durchgangslöcher in jeder der Erdleitungen zum Vermeiden eines Kontakts o der einer Kopplung der Leiter in jedem der Durchgangslöcher und jeder der Erdleitung, diese Löcher in der Figur nicht gezeigt.
  • (d) Viertes Ausführungsbeispiel
  • Dieses Ausführungsbeispiel zeigt nicht die vorliegende Erfindung insgesamt, sondern Aspekte der Erfindung, und es ist nützlich zum Verständnis des Hintergrunds der Erfindung.
  • 10 zeigt ein Mikrowellen-Schaltungsmodul 76 gemäß dem vierten Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung, und seine Verwendung. Das Mikrowellen-Schaltungsmodul 76 gemäß dem vierten Ausführungsbeispiel enthält ein Antennenelement einer phasengesteuerten Antennenanordnung 68 und eine Mikrowellenschaltung zum Verarbeiten eines Mikrowellensignals und zum Zuführen zu dem Antennenelement, integriert als ein einzelnes Modul. Bei dem gezeigten Beispiel ist das Modul so gezeigt, dass es vier Strahlungsabschnitte 72 aufweist, aber es ist auch möglich, eine größere Anzahl oder kleinere Anzahl von Strahlungsabschnitten 72 durch ein Mikrowellen-Schaltungsmodul 76 vorzusehen. Der Strahlungsabschnitt 72 kann als eine Druckantenne ausgebildet sein.
  • 11 zeigt einen Querschnitt des Mikrowellen-Schaltungsmoduls 76 gemäß dem vierten Ausführungsbeispiel, und die 12A, 12B und 12C zeigen die äußere Erscheinung des Mikrowellen-Schaltungsmoduls 76. Das Mikrowellen-Schaltungsmodul 76 hat eine rechteckige flache Plattenform. Vier Strahlungsabschnitte 72 sind auf der auf der oberen Seite in 11 gezeigten Oberfläche vorgesehen, d.h. in 12A, und zwölf Steuersignalstifte 17 und ein HF- Verbinder 16A sind auf der unteren Seite von 12, d.h. in 12C gezeigten Oberfläche vorgesehen. In 11 sind zwei Mikrowellenschaltungen 14-1, zwei Mikrowellenschaltungen 14-2, eine Steuerschaltung 15 und ein HF-Verbinder 16A ebenfalls gezeigt. Die Steuersignalstifte 17 sind nicht gezeigt. Daher zeigt, da 11 zur Beschreibung der Struktur des vierten Ausführungsbeispiels in detaillierterer Weise dient, diese Figur nicht den gesamten VV-Querschnitt, der in 12C illustriert ist. Teile oder Strukturen wie die Leitungen, Durchgangslöcher und Verbindungsdrähte sind weder gezeigt noch beschrieben, mit Ausnahme zur Erläuterung des Merkmals dieses Ausführungsbeispiels. Ein Fachmann ist in der Lage, die Struktur des vierten Ausführungsbeispiels durch Bezugnahme auf die Beschreibung der vorliegenden Erfindung einfach zu versehen.
  • Die Struktur des Mikrowellen-Schaltungsmoduls 76 gemäß dem vierten Ausführungsbeispiel unterscheidet sich geringfügig von der der anderen Ausführungsbeispiele.
  • Zuerst nehmen die Mikrowellenschaltungen gemäß jedem der vorstehenden Ausführungsbeispiele eine Mikrowellenschaltung 14-1 der ersten Stufe, eine Mikrowellenschaltung 14-2 der zweiten Stufe und eine Steuerschaltung zum Steuern dieser Mikrowellenschaltungen auf. Demgegenüber nimmt das Mikrowellen-Schaltungsmodul 76 gemäß dem vierten Ausführungsbeispiel, wie in 13 gezeigt ist, die den Querschnitt mit einem ausgeschnittenen Bereich zeigt, vier Mikrowellenschaltungen 14-1, vier Mikrowellenschaltungen 14-2 und eine Steuerschaltung 15 zum Steuern der Mikrowellenschaltungen auf. Jede der vier Mikrowellenschaltungen 14-1 und 14-2 ist entsprechend jedem der vier Strahlungsabschnitt 72 vorgesehen. Somit kann, wenn die Anzahl von Strahlabschnitten 72 geändert wird, die Anzahl von Mikrowellenschaltungen 14-1 und 14-2 entsprechend geändert werden. Wenn weder ein Hindernis im Zuführungspfad noch eine funktionelle Behinderung vorliegen, ist es auch möglich, eine Mikrowellenschaltung 14-1 oder 14-2 vorzusehen, die von mehreren Strahlungsabschnitten 72 geteilt wird. Die vorliegende Erfindung ermöglicht eine derartige Abwandlung.
  • Zweitens unterscheidet sich, obgleich das Gehäuse zur Aufnahme der Mikrowellenschaltungen 14-1 und 14-2 und der Steuerschaltung 15 durch ähnliche Laminierung mehrerer dielektrischer Schichten und der Metallleiterschicht 13 wie bei dem ersten bis dritten Ausführungsbeispiel realisiert wird, insbesondere bei dem dritten Ausführungsbeispiel, dass dieselbe Anzahl von dielektrischen Schichten hat, die Funktion von jeder der dielektrischen Schichten geringfügig von den Funktionen der entsprechenden Schichten bei den vorhergehenden Ausführungsbeispielen. Beispielsweise wird die dielektrische Schicht 34, die sich an der oberen Seite der Mehrschichtstruktur befindet, verwendet, um eine Ebene zum Vorsehen eines HF-Verbinders 16B bei dem dritten Ausführungsbeispiel vorzusehen. Bei dem vierten Ausführungsbeispiel sieht diese dielektrische Schicht eine Ebene zum Vorsehen der Strahlungsabschnitte 72 vor. Darüber hinaus wird die Leitung 37 ebenfalls als eine Leitung zum Vorsehen von Verteilern 77 vom Verzweigungsleitungstyp verwendet.
  • Der Steuersignal-Übertragungspfad in dem Mikrowellen-Schaltungsmodul 76 gemäß dem vierten Ausführungsbeispiel ist wie folgt. Das von außen an den Steuersig nalstift 17 angelegte Signal wird verbunden und durch ein in der dielektrischen Schicht 27 vorgesehenes Durchgangsloch (nicht gezeigt), einen Teil der Leitung 36 und einen Verbindungsdraht 54 (nicht gezeigt) in die Steuerschaltung 15 eingegeben. Auf der Grundlage dieses Signals erzeugt die Steuerschaltung 15 zu den Mikrowellenschaltungen 14-1 und 14-2 zu liefernde Steuersignale. Von den in der Steuerschaltung 15 erzeugten Steuersignalen wird das Steuersignal für die Mikrowellenschaltungen 14-1 durch einen Draht 55, einen Leiter innerhalb eines Durchgangslochs 58, einen Teil der Leitung 39 (ein Teil von dieser ist nicht gezeigt) und einen Draht (nicht gezeigt) zu den vier Mikrowellenschaltungen 14-1 geliefert. Die anderen Steuersignale für die Mikrowellenschaltungen 14-2 werden durch einen Draht 55, einen Leiter in einem Durchgangsloch 75, einen Teil der Leitung 41 (ein Teil von dieser ist nicht gezeigt) und einen Draht 52 zu den vier Mikrowellenschaltungen 14-2 geliefert.
  • Der Mikrowellensignal-Übertragungspfad in dem Mikrowellen-Schaltungsmodul 76 gemäß dem vierten Ausführungsbeispiel ist wie folgt. Der HF-Verbinder 16A hat eine pseudokoaxiale Struktur, bei der ein Leiter in mehrere Durchgangslöcher 62 eingebettet oder gefüllt ist, die eine Bogen- oder Hufeisenform mit einem inneren Leiter 18A in der Mitte haben, ähnlich dem HF-Verbinder 16B bei dem ersten und zweiten Ausführungsbeispiel. Die Bezugszahl 61 in 11 stellt ein Durchgangsloch dar, in das der innere Leiter 18A einzusetzen ist, oder ein mit dem inneren Leiter 18A verbundener Leiter ist einzubetten oder zu füllen. In 11 scheint ein Durchgangsloch 62 den Verteiler 77 vom Verzweigungsleitungstyp zu berühren, der ein Teil der Leitung 37 ist, aber dies ergibt sich nur aus der Zeichnung und sie berühren sich tatsächlich nicht, wie in 14 gezeigt ist.
  • Ein von außen an den HF-Verbinder 16A angelegtes Mikrowellensignal wird durch die pseudoaxiale Struktur zu dem Muster auf dem Leiter 37 geliefert. Wie in 14 gezeigt ist, hat die zwischen den dielektrischen Schichten 28 und 29 vorhandene Leitung 37 eine Anschlussstruktur 77, drei Verteiler 78 vom Verzweigungsleitungstyp, drei Abschlusswiderstände 79, vier Anschlussstrukturen 79 und einen Musterleiter zum gegenseitigen Verbinden dieser Komponenten. Die Anschlussstruktur 77 ist eine Struktur, bei der Leiter in den Durchgangslöchern 62 in einer Bogenform mit einem Leiter in dem Durchgangsloch 61 als ihre Mitte angeordnet sind, und die als ein Anschluss zum Eingeben des Mikrowellensignals von dem HF-Verbinder 16A zu der Leitung 37 verwendet wird.
  • Drei Verteiler 78 vom Verzweigungsleitungstyp sind so in Kaskade, dass das Mikrowellensignal durch den Verteiler 78 vom Verzweigungsleitungstyp der ersten Stufe in zwei verzweigt wird und diese durch die zwei Verteiler 78 vom Verzweigungsleitungstyp der zweiten Stufe weiterhin in zwei verzweigt werden. Die Anschlussstruktur 77 ist mit dem vorderen Verteiler 78 vom Verzweigungsleitungstyp verbunden, und somit wird das durch die Anschlussstruktur 77 gelieferte Mirkowellensignal am Ende in vier verzweigt. Die Anschlüsse, unter vier Anschlüssen, die jeder Verteiler 78 vom Verzweigungsleitungstyp enthält, die nicht für die Signaleingabe/-ausgabe verwendet werden, werden durch einen Abschlusswiderstand 79 abgeschlossen. Jedes der Mikrowellensignale, die in vier verzweigt wurden, wird an die Anschlussstruktur 80 angelegt. Die Anschlussstrukturen 80 sind entsprechend den vier Mikrowellenschaltungen 14-1 vorgesehen und haben eine pseudokoaxiale Struktur ähnlich der Anschlussstruktur 77. Die als der äußere Leiter wirkenden Durchgangslöcher sind in 11 nicht gezeigt.
  • Jede der Anschlussstrukturen 80 ist durch ein Durchgangsloch 81 mit einer entsprechenden Schaltung unter den vier Mikrowellenschaltungen 14-1, einen Teil der Leitung 39 und einen Draht 49 verbunden. Die Mikrowellenschaltung 14-1 verarbeitet das über diese Route gelieferte Mikrowellensignal auf der Grundlage des über die vorbeschriebene Route gelieferten Steuersignals und liefert zu der entsprechenden Mikrowellenschaltung 14-2 durcheinen Draht 50, einen Teil der Leitung 39, einen Leiter in dem Durchgangsloch 73, einen Teil der Leitung 41 (ein Teil von der nicht gezeigt ist) und einen Draht 52. Das Durchgangsloch 73 hat vorzugsweise eine pseudokoaxiale Struktur, ähnlich dem Durchgangsloch 81 und die auf das Durchgangsloch 81 bezogene Anschlussstruktur 80. Die Mikrowellenschaltung 14-2 verarbeitet ein Mikrowellensignal auf der Grundlage eines über die vorbeschriebene Route gelieferten Steuersignals und liefert es zu einem entsprechenden Strahlungsabschnitt 72 durch einen Draht 51, einen Teil der Leitung 41 (ein Teil von der ist nicht gezeigt), ein Durchgangsloch 74, einen Teil der Leitung 42 (ein Teil von der ist nicht gezeigt) und ein Durchgangsloch 82. Die Durchgangslöcher 74 und 82 können auch als eine pseudokoaxiale Struktur ausgebildet sein.
  • Daher kann gemäß dem vierten Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung ein Mikrowellen-Schaltungsmodul 76 realisiert werden, bei dem selbst die Strahlungsabschnitte 72 integriert sind. Bei einem Beispiel, bei dem das Mikrowellen-Schaltungsmodul und die Antennenelemente getrennt strukturiert sind, bei spielsweise einem in 7 gezeigten Beispiel, ist ein HF-Verbinder zum Verbinden des Mikrowellen-Schaltungsmoduls und des Antennenelements erforderlich. Aber dieser HF-Verbinder wird nicht für die Struktur nach dem vierten Ausführungsbeispiel benötigt. Somit können die Herstellungskosten durch Verringern der Anzahl von HF-Verbindern herabgesetzt werden. Darüber hinaus muss, um den Schritt des Verbindens durch den HF-Verbinder auszuführen, im allgemeinen die Größe der Vorrichtung etwas Raum für die Ausführung des Verbindungsschritts haben. Bei dem vierten Ausführungsbeispiel ist dieser erforderliche Raum für die Verbindung durch den HF-Verbinder nicht länger erforderlich, was die Anordnung der Strahlungsabschnitte mit verringerten Abständen zwischen diesen ermöglicht. Dieser Umstand und der Umstand, dass mehrere Strahlungsabschnitte 72 auf einem einzelnen Modul vorgesehen sein können, indem Verteiler 77 zusammen enthalten sind, ergibt einen Vorteil, dass die Anordnungsdichte der Strahlungsabschnitte verbessert wird. Da die Größe des Antennenelements, insbesondere seines Strahlungsabschnitts, im allgemeinen bestimmt wird auf der Grundlage der Strahlungswellenlänge, sind sowohl kleinere Strahlungsabschnitte als auch kleinere Abstände zwischen den Strahlungsabschnitten erforderlich, wenn die verwendete Frequenz höher wird. Das Mikrowellen-Schaltungsmodul gemäß dem vierten Ausführungsbeispiel kann diesem Erfordernis ausreichend genügen.
  • (e) Fünftes Ausführungsbeispiel
  • Dieses Ausführungsbeispiel zeigt nicht die vorliegende Erfindung insgesamt sondern Aspekte der Erfindung, und es ist nützlich zum Verständnis des Hintergrunds der Erfindung.
  • 15 zeigt eine Teilstruktur eines Mikrowellen-Schaltungsmoduls gemäß dem fünften Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung. Bei dem Mikrowellen-Schaltungsmodul gemäß dem fünften Ausführungsbeispiel sind die Verteiler 77 vom Verzweigungsleitungstyp nach dem vierten Ausführungsbeispiel ersetzt durch Wilkinson-Verteiler 83. Wie bei dem vorhergehenden Ausführungsbeispiel können, wenn die vorliegende Erfindung als ein integriertes Antennenelementmodul angewendet wird, verschiedene Strukturen als der Verteiler verwendet werden. Der Verteiler kann selbst ein aktives Element anstelle eines passiven Elements sein. In gleicher Weise können beide Mikrowellenschaltungen 14-1 und 14-2 auch als passive Schaltungen verwendet werden. Es ist auch möglich, die Steuerschaltung 15 außerhalb des Moduls vorzusehen oder sogar die Steuerschaltung 15 insgesamt wegzulassen.
  • (f) Sechstes Ausführungsbeispiel
  • Dieses Ausführungsbeispiel zeigt nicht die vorliegende Erfindung insgesamt sondern Aspekte der Erfindung, und es ist nützlich für das Verständnis des Hintergrunds der Erfindung.
  • 16 zeigt einen Querschnitt eines Mikrowellen-Schaltungsmoduls gemäß dem sechsten Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung. Das sechste Ausführungsbeispiel ist eine Abwandlung des vierten Ausführungsbeispiels auf der Grundlage des dritten Ausführungsbeispiels. Es ist auch möglich, die vorliegende Erfindung anzuwenden, indem das fünfte Ausführungsbeispiel auf der Grundlage des dritten Ausführungsbeispiels modifiziert wird. Die Mikrowellenschaltung 14-1 kann auch mit Kontaktwarzen verbunden sein.

Claims (22)

  1. Hochfrequenz-Schaltungsmodul, welches aufweist: eine erste und eine zweite Hochfrequenz-Schaltungseinheit (14-1, 14-2) zum Verarbeiten eines Hochfrequenzsignals; ein Gehäuse zum Aufnehmen der ersten und der zweiten Hochfrequenz-Schaltungseinheit (14-1, 14-2) mit einem ersten und einem zweiten Hochfrequenz-Schaltungseinheit-Speicherraum zum jeweiligen Aufnehmen der ersten und der zweiten Hochfrequenz-Schaltungseinheit (14-1, 14-2), und mit einer ersten und einer zweiten Übertragungsleitungsebene, die parallel zueinander sind; eine Zwischeneinheits-Signalübertragungsleitung (39, 41, 46) zum Verbinden der ersten mit der zweiten Hochfrequenz-Schaltungseinheit zum Übertragen eines Hochfrequenzsignals von der ersten Hochfrequenz-Schaltungseinheit (14-1) zu der zweiten Hochfrequenz-Schaltungseinheit (14-2), mit einem ersten Bereich (39), der sich von dem ersten Hochfrequenz-Schaltungseinheit-Speicherraum entlang der ersten Übertragungsleitungsebene erstreckt, einem zweiten Bereich (41), der sich von dem zweiten Hochfrequenz-Schaltungseinheit-Speicherraum entlang der zweiten Übertragungsleitungsebene erstreckt, und einem dritten Bereich zum elektrischen Verbinden des ersten und des zweiten Bereichs; einen ersten HF-Verbinder (16A), der an der äußeren Oberfläche des Gehäuses vorgesehen ist, und eine erste Verbinder/Einheits-Signalübertragungsleitung, die die erste Hochfrequenz-Schaltungseinheit mit dem ersten HF-Verbinder verbindet für die Übertragung eines Hochfrequenzsignals von dem ersten HF-Verbinder zu der ersten Hochfrequenz-Schaltungseinheit (14-1); und einen zweiten HF-Verbinder (16B), der an der äußeren Oberfläche des Gehäuses vorgesehen ist; und eine zweite Verbinder/Einheits-Signalübertragungsleitung, die die zweite Hochfrequenz-Schaltungseinheit mit dem zweiten HF-Verbinder verbindet für die Übertragung eines Hochfrequenzsignals von der zweiten Hochfrequenz-Schaltungseinheit zu dem zweiten HF-Verbinder (16B), dadurch gekennzeichnet, dass der erste und der zweite HF-Verbinder auf verschiedenen Ebenen der die äußere Oberfläche des Gehäuses bildenden Ebenen angeordnet sind, und dass zumindest eine der ersten und zweiten Verbinder/Einheits-Signalübertragungsleitungen ein zweites Kupplungsfenster (47) als eine Öffnung, das bei einer Erdleitung (42), die auf einem vorbestimmten Potential gehalten wird, und parallel zu der ersten und der zweiten Übertragungsleitungsebene vorgesehen ist, sowie einheitsseitige und verbinderseitige Leiter, die elektromagnetisch durch das zweite Kupplungsfenster gekoppelt und jeweils mit einer Hochfrequenz-Schaltungseinheit und einem HF-Verbinder, die das Verbindungsziel sind, verbunden sind, hat.
  2. Hochfrequenz-Schaltungsmodul nach Anspruch 1, bei dem der dritte Bereich eine dreidimensionale Struktur für die gegenseitige Kopplung des ersten und des zweiten Bereichs entlang einer Richtung, die die erste und die zweite Übertragungsleitungsebene schneidet, hat.
  3. Hochfrequenz-Schaltungsmodul nach Anspruch 2, bei dem die dreidimensionale Struktur ein erstes Kopplungsfenster als eine Öffnung, das bei einer Erdleitung, die auf einem vorbestimmten Potential gehalten wird, und parallel zu und zwischen der ersten und der zweiten Übertragungsleitungsebene angeordnet ist, sowie eine dielektrische Schicht, die für einen elektromagnetischen Kupplungspfad zwischen dem ersten Kupplungsfenster und dem ersten und dem zweiten Bereich vorhanden ist, enthält.
  4. Hochfrequenz-Schaltungsmodul nach Anspruch 2, bei dem die dreidimensionale Struktur eine dielektrische Schicht, die zwischen dem ersten und dem zweiten Bereich vorhanden ist, und einen Leiter, der von dem ersten Bereich zu dem zweiten Bereich durch dielektrische Schicht hindurchgeht, hat.
  5. Hochfrequenz-Schaltungsmodul nach Anspruch 1, bei dem der erste und der zweite Hochfrequenz-Schaltungseinheits-Speicherraum so ausgebildet sind, dass zumindest ein Teil der Projektion der ersten Hochfrequenz-Schaltungseinheit entlang der Projektionsrichtung senkrecht zu der ersten und der zweiten Übertragungsleitungsebene mit einem Teil der Projektion der zweiten Hochfrequenz-Schaltungseinheit entlang dieser Projektionsrichtung überlappt.
  6. Hochfrequenz-Schaltungsmodul nach Anspruch 1, bei dem die erste Verbinder/Einheits-Signalübertragungsleitung eine Koaxialleitung ist.
  7. Hochfrequenz-Schaltungsmodul nach Anspruch 6, bei dem die Koaxialleitung eine Pseudo-Koaxialleitung mit einem inneren Leiter und mehreren Leitern, die von dem inneren Leiter durch einen vorbestimmten Abstand getrennt sind, aufweist.
  8. Hochfrequenz-Schaltungsmodul nach Anspruch 1, bei dem die zweite Verbinder/Einheits-Signalübertragungsleitung eine Koaxialleitung ist.
  9. Hochfrequenz-Schaltungsmodul nach Anspruch 8, bei dem die Koaxialleitung eine Pseudo-Koaxialleitung ist, die einen inneren Leiter und mehrere Leiter, die von dem inneren Leiter durch einen vorbestimmten Abstand getrennt sind, aufweist.
  10. Hochfrequenz-Schaltungsmodul nach Anspruch 1, das weiterhin aufweist: einen Radiatorabschnitt (72), der an der äußeren Oberfläche des Gehäuses vorgesehen ist, und eine Einheits-/Radiatorabschnitts-Übertragungsleitung, die innerhalb des Gehäuses vorgesehen ist für die Verbindung der zweiten Hochfrequenz-Schaltungseinheit mit dem Radiatorabschnitt.
  11. Hochfrequenz-Schaltungsmodul nach Anspruch 10, bei dem der Radiatorabschnitt (72) und der erste HF-Verbinder (16A) auf verschiedenen Oberflächen der die äußere Oberfläche des Gehäuses bildenden Oberflächen vorgesehen sind.
  12. Hochfrequenz-Schaltungsmodul nach Anspruch 1, das weiterhin aufweist: mehrere Radiatorabschnitte (72), die auf der Oberfläche des Gehäuses vorgesehen sind, und mehrere der zweiten Hochfrequenz-Schaltungseinheiten, die vorgesehen sind, um den mehreren Radiatorabschnitten zu entsprechen.
  13. Hochfrequenz-Schaltungsmodul nach Anspruch 12, das weiterhin aufweist: mehrere der ersten Hochfrequenz-Schaltungseinheiten, die vorgesehen sind, um den mehreren Radiatorabschnitten zu entsprechen.
  14. Hochfrequenz-Schaltungsmodul nach Anspruch 13, bei dem die erste Verbinder/Einheits-Signalübertragungsleitung jede der mehreren ersten Hochfrequenz-Schaltungseinheiten mit dem ersten HF-Verbinder verbindet für die Übertragung eines Hochfrequenzsignals von dem ersten HF-Verbinder zu jeder der mehreren ersten Hochfrequenz-Schaltungseinheiten, und bei dem die erste Verbinder/Einheits-Signalübertragungsleitung ein Verzweigungsglied zum Verzweigen des von dem ersten HF-Verbinder eingegebenen Hochfrequenzsignals entsprechend den mehreren ersten Hochfrequenz-Schaltungseinheiten hat.
  15. Hochfrequenz-Schaltungsmodul nach Anspruch 14, bei dem das Verzweigungsglied m Verteiler hat, wobei m eine natürliche Zahl größer als 1 ist, jeweils zum Verteilen des Hochfrequenzsignals in n Zweige, wobei n eine natürliche Zahl größer als 1 ist, und die m Verteiler so miteinander verbunden sind, dass das von dem ersten HF-Verbinder eingegebene Hochfrequenzsignal in die Anzahl der ersten Hochfrequenz-Schaltungseinheiten verzweigt wird.
  16. Hochfrequenz-Schaltungsmodul nach Anspruch 15, bei dem der Verteiler eine planare Schaltung ist.
  17. Hochfrequenz-Schaltungsmodul nach Anspruch 16, bei dem der Verteiler entweder vom Verzweigungsleitungstyp oder vom Wilkinson-Typ ist.
  18. Hochfrequenz-Schaltungsmodul nach Anspruch 1, das weiterhin aufweist: mehrere geschichtete dielektrische Schichten und mehrere Leitungen, die auf den Oberflächen der mehreren dielektrischen Schichten vorgesehen sind, wobei die mehreren dielektrischen Schichten so geformt und geschichtet sind, dass der erste und der zweite Hochfrequenz-Schaltungseinheits-Speicherraum gebildet sind, die mehreren Leitungen die erste und die zweite Übertragungsleitungsebene vorsehen und der dritte Bereich zumindest eine der mehreren dielektrischen Schichten durchdringt.
  19. Hochfrequenz-Schaltungsmodul nach Anspruch 18, das weiterhin aufweist: eine Steuerschaltung (15), die in dem Gehäuse aufgenommen ist, zum Steuern der ersten und der zweiten Hochfrequenz-Schaltungseinheit.
  20. Hochfrequenz-Schaltungsmodul nach Anspruch 19, bei dem die Steuerschaltung (15) in einem Loch aufgenommen ist, das in einer dielektrischen Schicht, die sich an dem Ende der mehreren dielektrischen Schichten befindet, vorgesehen ist, und das Hochfrequenz-Schaltungsmodul einen Deckel (48) hat, um das Loch für die Aufnahme der Steuerschaltung zu schließen.
  21. Hochfrequenz-Schaltungsmodul nach Anspruch 1, das weiterhin aufweist: Anschlüsse (62–67) zum Befestigen zumindest einer von der ersten und der zweiten Hochfrequenz-Schaltungseinheit am Gehäuse und zum elektrischen Verbinden mit einem Verbindungszielleiter, der in dem Gehäuse vorhanden ist.
  22. Hochfrequenz-Schaltungsmodul nach Anspruch 21, bei dem der Verbindungszielleiter eine koplanare Leitung ist.
DE60027509T 1999-06-29 2000-06-27 Modul mit einer Hochfrequenzschaltung Expired - Lifetime DE60027509T2 (de)

Applications Claiming Priority (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP18325099 1999-06-29
JP18325099A JP4154806B2 (ja) 1999-06-29 1999-06-29 高周波モジュール
JP2000072943A JP4211187B2 (ja) 2000-03-15 2000-03-15 マイクロ波モジュール
JP2000072943 2000-03-15

Publications (2)

Publication Number Publication Date
DE60027509D1 DE60027509D1 (de) 2006-06-01
DE60027509T2 true DE60027509T2 (de) 2007-05-10

Family

ID=26501767

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE60027509T Expired - Lifetime DE60027509T2 (de) 1999-06-29 2000-06-27 Modul mit einer Hochfrequenzschaltung

Country Status (3)

Country Link
US (1) US6597902B1 (de)
EP (2) EP1484815A1 (de)
DE (1) DE60027509T2 (de)

Families Citing this family (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3662219B2 (ja) * 2001-12-27 2005-06-22 三菱電機株式会社 積層高周波モジュール
US7131867B1 (en) 2005-05-06 2006-11-07 Pacific Aerospace & Electronics, Inc. RF connectors having ground springs
US8587106B2 (en) 2006-06-09 2013-11-19 Massachusetts Institute Of Technology Wide band and radio frequency waveguide and hybrid integration in a silicon package
US7889147B2 (en) * 2007-02-23 2011-02-15 Northrop Grumman Systems Corporation Modular active phased array
US8706049B2 (en) * 2008-12-31 2014-04-22 Intel Corporation Platform integrated phased array transmit/receive module
CN106535497B (zh) * 2016-11-04 2019-04-30 安徽华东光电产业研究院有限公司 一种t/r接收前端模块加工方法
US10037951B2 (en) * 2016-11-29 2018-07-31 Cyntec Co., Ltd. Semiconductor package with antenna
KR102423296B1 (ko) * 2017-09-14 2022-07-21 삼성전자주식회사 Pcb를 포함하는 전자 장치
CN110991137A (zh) * 2019-12-19 2020-04-10 西安电子工程研究所 一种三维射频电路设计方法

Family Cites Families (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH03129903A (ja) 1989-10-14 1991-06-03 Mitsubishi Electric Corp 多層マイクロストリップ線路
JPH07105608B2 (ja) 1990-03-01 1995-11-13 三菱電機株式会社 マイクロ波集積回路収納ケース
JP2560001Y2 (ja) * 1991-09-04 1998-01-21 三菱電機株式会社 送受信モジュール
US5309122A (en) * 1992-10-28 1994-05-03 Ball Corporation Multiple-layer microstrip assembly with inter-layer connections
JPH07221211A (ja) * 1994-02-03 1995-08-18 Sumitomo Electric Ind Ltd 半導体装置
US5471181A (en) * 1994-03-08 1995-11-28 Hughes Missile Systems Company Interconnection between layers of striplines or microstrip through cavity backed slot
US5766975A (en) * 1995-01-09 1998-06-16 Integrated Device Technology, Inc. Packaged integrated circuit having thermal enhancement and reduced footprint size
US5629241A (en) * 1995-07-07 1997-05-13 Hughes Aircraft Company Microwave/millimeter wave circuit structure with discrete flip-chip mounted elements, and method of fabricating the same
EP0795907A1 (de) * 1996-03-14 1997-09-17 Dassault Electronique Mehrlagige Hochfrequenzschaltung mit integrierten aktiven Elementen
FR2747239B1 (fr) * 1996-04-04 1998-05-15 Alcatel Espace Module hyperfrequence compact
JP3278348B2 (ja) 1996-05-01 2002-04-30 三菱電機株式会社 マイクロ波半導体装置
US5796315A (en) * 1996-07-01 1998-08-18 Tracor Aerospace Electronic Systems, Inc. Radio frequency connector with integral dielectric coating for direct current blockage
EP0943157A4 (de) * 1996-10-31 2000-05-24 Sarnoff Corp Integrierte elektronische schaltung
JP3610715B2 (ja) * 1997-01-17 2005-01-19 株式会社日立製作所 多層実装ｍｍｉｃ回路

Also Published As

Publication number Publication date
EP1069639A3 (de) 2002-05-22
DE60027509D1 (de) 2006-06-01
EP1069639A2 (de) 2001-01-17
EP1484815A1 (de) 2004-12-08
US6597902B1 (en) 2003-07-22
EP1069639B1 (de) 2006-04-26

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE69413601T2 (de) Halbleiteranordnung mit einem Halbleiterelement von Flip-Chip-Typ
DE69628253T2 (de) Ultrahochfrequenzfunkgerät
DE60208323T2 (de) Gestapeltes HF-Modul
DE3853135T2 (de) Übergang zwischen zwei Streifenleitungen.
DE60029962T2 (de) Anordnung für die montage von chips auf leiterplatten
DE69324112T2 (de) Verfahren und Gerät zur Verbindung von radiofrequenten (RF) monolithisch integrierten Mikrowellenschaltungen
DE60208294T2 (de) Übergangsstruktur zwischen einer Übertragungsleitung und einem Hohlleiter
DE602004008653T2 (de) Flexible konforme antenne
DE69738013T2 (de) Übertragungsschaltung mit dreidimensionaler Streifenleitung
DE69322930T2 (de) Modulare Mikrowellen-Anordnungseinheit und ihre Verbindungsstruktur
DE102006023123B4 (de) Abstandserfassungsradar für Fahrzeuge mit einem Halbleitermodul mit Komponenten für Höchstfrequenztechnik in Kunststoffgehäuse und Verfahren zur Herstellung eines Halbleitermoduls mit Komponenten für ein Abstandserfassungsradar für Fahrzeuge in einem Kunststoffgehäuse
DE69119280T2 (de) Systemstruktur einer Gruppenantenne
DE19818019B4 (de) Mikrowellenschaltungsgehäuse
DE69823591T2 (de) Geschichtete Aperturantenne und mehrschichtige Leiterplatte damit
DE60034421T2 (de) Isolator mit eingebauter leistungsverstärker
DE102019105487A1 (de) Mikrowellenantennenvorrichtung und Mikrowellenantennenbaugruppe
DE3436227C2 (de) Mikrostreifenleiter-Antennenanordnung
DE602004003191T2 (de) Mehrschichtige Hochfrequenzvorrichtung mit Planarantenne und Herstellungsverfahren
DE60203150T2 (de) Antenne mit einem integrierten HF-Schaltkreis , Antennenmodul und Kommunikationsgerät mit derartigen Elementen
DE102008040900B4 (de) Gestapelte IC-Struktur und Verfahren zum Bilden einer gestapelten IC-Struktur
DE69613565T2 (de) Phasengesteuerte gruppenantenne mit einem kalibrierungsnetzwerk
DE112010000886B4 (de) Hochfrequenzmodul
DE19648728A1 (de) Halbleiteranordnung und Verfahren zu ihrer Herstellung
DE69711327T2 (de) Gerät mit dielektrischem Resonator und Hochfrequenzmodul
DE60105725T2 (de) Wellenleiterkopplung

Legal Events

Date Code Title Description
8364 No opposition during term of opposition
8320 Willingness to grant licences declared (paragraph 23)