JP3278348B2 - マイクロ波半導体装置 - Google Patents
マイクロ波半導体装置Info
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Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明は、マイクロ波及び
ミリ波等の超高周波数帯で使用されるマイクロ波回路を
備えたマイクロ波半導体装置に関するものである。
ミリ波等の超高周波数帯で使用されるマイクロ波回路を
備えたマイクロ波半導体装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】図１６は二枚の誘電体基板に構成された
マイクロストリップ線路の層間接続状態を示す従来のマ
イクロ波回路の一例であり、図１６（ａ）は上面から見
た平面図、図１６（ｂ）は断面図である。図１６におい
て、１は第１の誘電体基板、２は第２の誘電体基板、３
は第１の誘電体基板１と第２の誘電体基板２に共通の地
導体、４は誘電体基板１の地導体３の形成面とは反対側
の面に形成された第１のストリップ導体、５は誘電体基
板２の地導体３の形成面とは反対側の面に形成された第
２のストリップ導体であり、これら第１及び第２のスト
リップ導体４及び５は上記地導体３と共に第１のマイク
ロストリップ線路６及び第２のマイクロストリップ線路
７を構成している。
マイクロストリップ線路の層間接続状態を示す従来のマ
イクロ波回路の一例であり、図１６（ａ）は上面から見
た平面図、図１６（ｂ）は断面図である。図１６におい
て、１は第１の誘電体基板、２は第２の誘電体基板、３
は第１の誘電体基板１と第２の誘電体基板２に共通の地
導体、４は誘電体基板１の地導体３の形成面とは反対側
の面に形成された第１のストリップ導体、５は誘電体基
板２の地導体３の形成面とは反対側の面に形成された第
２のストリップ導体であり、これら第１及び第２のスト
リップ導体４及び５は上記地導体３と共に第１のマイク
ロストリップ線路６及び第２のマイクロストリップ線路
７を構成している。
【０００３】このような異なる誘電体基板１及び２に構
成されたマイクロストリップ線路６及び７同士を接続す
る場合、地導体３の一部の金属を取り去って丸穴８が設
けられ、その間に接続導体９を貫通させることにより、
異なる二つの誘電体基板１及び２に構成されたマイクロ
ストリップ線路６及び７を接続するマイクロ波回路を構
成することができる。なお、図１６において、１３と１
４は入力端と出力端を示す。
成されたマイクロストリップ線路６及び７同士を接続す
る場合、地導体３の一部の金属を取り去って丸穴８が設
けられ、その間に接続導体９を貫通させることにより、
異なる二つの誘電体基板１及び２に構成されたマイクロ
ストリップ線路６及び７を接続するマイクロ波回路を構
成することができる。なお、図１６において、１３と１
４は入力端と出力端を示す。
【０００４】しかしながら、このような構成のマイクロ
波回路では、共通の地導体３に丸穴８を設けた後、二枚
の誘電体基板１及び２を張り合わせ、その後、接続導体
９を両誘電体基板１及び２に設けた穴８を通して接続す
るという工程が必要で、多数の層間接続からなるフエー
ズドアレーアンテナ用マイクロ波回路では加工が複雑と
なるため、簡略化が強く望まれていた。
波回路では、共通の地導体３に丸穴８を設けた後、二枚
の誘電体基板１及び２を張り合わせ、その後、接続導体
９を両誘電体基板１及び２に設けた穴８を通して接続す
るという工程が必要で、多数の層間接続からなるフエー
ズドアレーアンテナ用マイクロ波回路では加工が複雑と
なるため、簡略化が強く望まれていた。
【０００５】本出願人は、この課題を解決されるための
「多層マイクロストリップ線路」を特願平１−２６６５
７８号によって提案している。図１７は特願平１−２６
６５７８号によって提案された「多層マイクロストリッ
プ線路」の構成図を示し、図１７（ａ）は平面図、図１
７（ｂ）は断面図である。図１７に示すように、第１の
誘電体基板１に第１のストリップ導体４、第２の誘電体
基板２に第２のストリップ導体５が形成され、これらの
二枚の誘電体基板１及び２に地導体３を挟んで第１及び
第２のマイクロストリップ線路６、７が構成され、両マ
イクロストリップ線路６及び７の開放端１０及び１１か
ら中心周波数で概略１／４波長の位置において、地導体
３にスロット１２が設けられている。この構成により、
異なる誘電体基板１及び２に構成したマイクロストリッ
プ線路６及び７の層間を電磁結合した構成となってい
る。
「多層マイクロストリップ線路」を特願平１−２６６５
７８号によって提案している。図１７は特願平１−２６
６５７８号によって提案された「多層マイクロストリッ
プ線路」の構成図を示し、図１７（ａ）は平面図、図１
７（ｂ）は断面図である。図１７に示すように、第１の
誘電体基板１に第１のストリップ導体４、第２の誘電体
基板２に第２のストリップ導体５が形成され、これらの
二枚の誘電体基板１及び２に地導体３を挟んで第１及び
第２のマイクロストリップ線路６、７が構成され、両マ
イクロストリップ線路６及び７の開放端１０及び１１か
ら中心周波数で概略１／４波長の位置において、地導体
３にスロット１２が設けられている。この構成により、
異なる誘電体基板１及び２に構成したマイクロストリッ
プ線路６及び７の層間を電磁結合した構成となってい
る。
【０００６】図１７に示す構成でなる多層マイクロスト
リップ線路において、入力側の線路例えば第１のマイク
ロストリップ線路６の入力端１３から入射した電波は先
端が開放端１０となっているため、先端から概略１／４
波長のスロット１２上で電流が最大になり、磁界が強く
スロット１２と結合する。さらに、このとき、第２のマ
イクロストリップ線路７も先端が開放端１１となってい
るため、先端から概略１／４波長のスロット１２上で電
流が最大になりうるため、磁界で強く電波が励振され、
出力側線路の第２のマイクロストリップ線路７の出力端
１４に現れる。
リップ線路において、入力側の線路例えば第１のマイク
ロストリップ線路６の入力端１３から入射した電波は先
端が開放端１０となっているため、先端から概略１／４
波長のスロット１２上で電流が最大になり、磁界が強く
スロット１２と結合する。さらに、このとき、第２のマ
イクロストリップ線路７も先端が開放端１１となってい
るため、先端から概略１／４波長のスロット１２上で電
流が最大になりうるため、磁界で強く電波が励振され、
出力側線路の第２のマイクロストリップ線路７の出力端
１４に現れる。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】上述した図１７に示す
多層マイクロストリップ線路では、ストリップ導体４及
び５間は非接触でありながら線路間接続が可能である
が、非常に広帯域な伝搬特性を必要とする広帯域フェー
ズドアレーアンテナ用の給電回路に用いるような場合に
は、帯域が十分とれないという問題があった。すなわ
ち、異なる誘電体層に構成されたマイクロ波回路を電磁
結合で接続する際に広帯域な周波数帯域で整合を得るこ
とが困難であった。
多層マイクロストリップ線路では、ストリップ導体４及
び５間は非接触でありながら線路間接続が可能である
が、非常に広帯域な伝搬特性を必要とする広帯域フェー
ズドアレーアンテナ用の給電回路に用いるような場合に
は、帯域が十分とれないという問題があった。すなわ
ち、異なる誘電体層に構成されたマイクロ波回路を電磁
結合で接続する際に広帯域な周波数帯域で整合を得るこ
とが困難であった。
【０００８】この発明は上述した従来例に係る問題点を
解消するためになされたもので、異なる基板に構成した
マイクロストリップ線路の層間を電磁結合で接続する際
に広帯域な周波数で整合を得ることができるマイクロ波
回路を備えたマイクロ波半導体装置を提供することを目
的とするものである。
解消するためになされたもので、異なる基板に構成した
マイクロストリップ線路の層間を電磁結合で接続する際
に広帯域な周波数で整合を得ることができるマイクロ波
回路を備えたマイクロ波半導体装置を提供することを目
的とするものである。
【０００９】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、この発明に係るマイクロ波半導体装置は、地導体を
挟み層状に重ねた第１及び第２の誘電体基板の該地導体
との対向面とは反対側の表面にそれぞれ形成した特性イ
ンピーダンスＺ0 のマイクロストリップ線路の一端に、
スタブ長を中心周波数で概略１／４波長とする特性イン
ピーダンスＺmの先端開放のスタブ線路をそれぞれ接続
すると共に、上記地導体に、上記両マイクロストリップ
線路と立体的に交差する位置で該地導体を貫通するよう
にして上記両マイクロストリップ線路の層間を電磁結合
させる線路長を中心周波数で概略１／２波長とする特性
インピーダンスＺs のスロット線路を設けて、使用する
周波数帯域の上端周波数をｆH 、下端周波数をｆL 、中
心周波数をｆ0 ｛＝（ｆH＋ｆL）／２｝としたときに、
に、この発明に係るマイクロ波半導体装置は、地導体を
挟み層状に重ねた第１及び第２の誘電体基板の該地導体
との対向面とは反対側の表面にそれぞれ形成した特性イ
ンピーダンスＺ0 のマイクロストリップ線路の一端に、
スタブ長を中心周波数で概略１／４波長とする特性イン
ピーダンスＺmの先端開放のスタブ線路をそれぞれ接続
すると共に、上記地導体に、上記両マイクロストリップ
線路と立体的に交差する位置で該地導体を貫通するよう
にして上記両マイクロストリップ線路の層間を電磁結合
させる線路長を中心周波数で概略１／２波長とする特性
インピーダンスＺs のスロット線路を設けて、使用する
周波数帯域の上端周波数をｆH 、下端周波数をｆL 、中
心周波数をｆ0 ｛＝（ｆH＋ｆL）／２｝としたときに、
【００１０】
【数２】 を満たす関係に設定してなるマイクロ波回路を備えたも
のである。
のである。
【００１１】また、上記第１及び第２の誘電体基板のい
ずれか一方の基板上に形成したマイクロストリップ線路
にマイクロ波半導体回路を挿入し、該マイクロ波半導体
回路の出力を、他方の基板上に形成されて上記マイクロ
波回路を介して層間が電磁結合されたマイクロストリッ
プ線路の出力端子から送出することを特徴とするもので
ある。
ずれか一方の基板上に形成したマイクロストリップ線路
にマイクロ波半導体回路を挿入し、該マイクロ波半導体
回路の出力を、他方の基板上に形成されて上記マイクロ
波回路を介して層間が電磁結合されたマイクロストリッ
プ線路の出力端子から送出することを特徴とするもので
ある。
【００１２】また、上記マイクロ波半導体回路への入力
を、上記他方の基板上に形成されて他のマイクロ波回路
を介して層間が電磁結合された他のマイクロストリップ
線路の入力端子から得ることを特徴とするものである。
を、上記他方の基板上に形成されて他のマイクロ波回路
を介して層間が電磁結合された他のマイクロストリップ
線路の入力端子から得ることを特徴とするものである。
【００１３】また、上記一方の基板上に複数のマイクロ
波半導体回路を形成すると共に、上記他方の基板上に形
成されてそれぞれ上記マイクロ波回路を介して層間が電
磁結合されるマイクロストリップ線路により上記複数の
マイクロ波半導体回路への電力の分配及び上記複数のマ
イクロ波半導体回路からの出力電力の合成を行う電力分
配／合成手段を形成するように構成したことを特徴とす
るものである。
波半導体回路を形成すると共に、上記他方の基板上に形
成されてそれぞれ上記マイクロ波回路を介して層間が電
磁結合されるマイクロストリップ線路により上記複数の
マイクロ波半導体回路への電力の分配及び上記複数のマ
イクロ波半導体回路からの出力電力の合成を行う電力分
配／合成手段を形成するように構成したことを特徴とす
るものである。
【００１４】また、上記一方の基板上に形成された複数
のマイクロ波半導体回路をそれぞれ金属板で仕切ると共
に全体を金属筺体で覆ったことを特徴とするものであ
る。
のマイクロ波半導体回路をそれぞれ金属板で仕切ると共
に全体を金属筺体で覆ったことを特徴とするものであ
る。
【００１５】また、上記第１及び第２の誘電体基板のい
ずれか一方の基板上に形成したマイクロストリップ線路
の先端にプリントアンテナを形成し、該プリントアンテ
ナを、他方の基板上に形成されて上記マイクロ波回路を
介して層間が電磁結合されたマイクロストリップ線路の
入出力端子を介して外部回路と接続するようにしたこと
を特徴とするものである。
ずれか一方の基板上に形成したマイクロストリップ線路
の先端にプリントアンテナを形成し、該プリントアンテ
ナを、他方の基板上に形成されて上記マイクロ波回路を
介して層間が電磁結合されたマイクロストリップ線路の
入出力端子を介して外部回路と接続するようにしたこと
を特徴とするものである。
【００１６】また、上記第１及び第２の誘電体基板のい
ずれか一方の基板上に複数の進行波形マイクロストリッ
プアンテナを形成すると共に、他方の基板上に形成され
て上記複数の進行波形マイクロストリップアンテナとそ
れぞれ上記マイクロ波回路を介して層間が電磁結合され
るマイクロストリップ線路により電力の分配／合成を行
う電力分配／合成手段を形成するように構成したことを
特徴とするものである。
ずれか一方の基板上に複数の進行波形マイクロストリッ
プアンテナを形成すると共に、他方の基板上に形成され
て上記複数の進行波形マイクロストリップアンテナとそ
れぞれ上記マイクロ波回路を介して層間が電磁結合され
るマイクロストリップ線路により電力の分配／合成を行
う電力分配／合成手段を形成するように構成したことを
特徴とするものである。
【００１７】また、上記他方の基板上に形成した電力分
配／合成手段の給電点にマイクロ波半導体回路を挿入し
たことを特徴とするものである。
配／合成手段の給電点にマイクロ波半導体回路を挿入し
たことを特徴とするものである。
【００１８】また、上記一方の基板上に上記複数の進行
波形マイクロストリップアンテナを１／２波長以下の間
隔で並列に配置すると共に、上記他方の基板上にマイク
ロストリップ線路により構成される電力分配／合成手段
の分配／合成端子に移相器を備えるマイクロ波半導体回
路を挿入したことを特徴とするものである。
波形マイクロストリップアンテナを１／２波長以下の間
隔で並列に配置すると共に、上記他方の基板上にマイク
ロストリップ線路により構成される電力分配／合成手段
の分配／合成端子に移相器を備えるマイクロ波半導体回
路を挿入したことを特徴とするものである。
【００１９】また、上記第１及び第２の誘電体基板のい
ずれか一方の基板上にマイクロストリップ線路を介して
電力の分配／合成が行われる複数のマイクロストリップ
サブアレーアンテナを形成すると共に、他方の基板上に
上記マイクロ波回路を介して層間が電磁結合されるマイ
クロストリップ線路にマイクロ波半導体回路を挿入した
ことを特徴とするものである。
ずれか一方の基板上にマイクロストリップ線路を介して
電力の分配／合成が行われる複数のマイクロストリップ
サブアレーアンテナを形成すると共に、他方の基板上に
上記マイクロ波回路を介して層間が電磁結合されるマイ
クロストリップ線路にマイクロ波半導体回路を挿入した
ことを特徴とするものである。
【００２０】また、上記第１及び第２の誘電体基板のい
ずれか一方の基板上に１／２波長以下の間隔で並列に複
数の進行波形マイクロストリップアンテナを配置して形
成すると共に、他方の基板上に形成されて上記マイクロ
波回路を介して層間が電磁結合されるマイクロストリッ
プ線路と該マイクロ波回路との間に、複数のマイクロ波
半導体回路と、この複数のマイクロ波半導体回路の各出
力端子にそれぞれ波面形成端子が接続されたバトラーマ
トリクスと、該バトラーマトリクスの他端に接続された
多極単投スイッチとを挿入したことを特徴とするもので
ある。
ずれか一方の基板上に１／２波長以下の間隔で並列に複
数の進行波形マイクロストリップアンテナを配置して形
成すると共に、他方の基板上に形成されて上記マイクロ
波回路を介して層間が電磁結合されるマイクロストリッ
プ線路と該マイクロ波回路との間に、複数のマイクロ波
半導体回路と、この複数のマイクロ波半導体回路の各出
力端子にそれぞれ波面形成端子が接続されたバトラーマ
トリクスと、該バトラーマトリクスの他端に接続された
多極単投スイッチとを挿入したことを特徴とするもので
ある。
【００２１】さらに、上記マイクロ波半導体回路と上記
バトラーマトリクス及び上記多極単投スイッチをモノリ
シックマイクロ波集積回路で構成したことを特徴とする
ものである。
バトラーマトリクス及び上記多極単投スイッチをモノリ
シックマイクロ波集積回路で構成したことを特徴とする
ものである。
【００２２】
実施の形態１．以下、この発明を図示される実施の形態
に従って説明する。図１は実施の形態１に係るマイクロ
波半導体装置に備えられるマイクロ波回路の構成を示す
概略図であり、図１（ａ）は斜視図、図１（ｂ）は図１
（ａ）のＡＡ’断面図を示す。図１に示すマイクロ波回
路は、第１の誘電体基板１に第１のストリップ導体４
が、第２の誘電体基板２に第２のストリップ導体５がそ
れぞれ形成され、これらの二枚の誘電体基板１及び２間
に地導体３を挟んで特性インピーダンスがＺ0 の第１及
び第２のマイクロストリップ線路６及び７が構成され、
両マイクロストリップ線路６及び７の先端には所用の周
波数帯域で必要な特性インピーダンスが決まる特性イン
ピーダンスＺm の線路である先端開放の第１及び第２の
スタブ線路１５及び１６が形成され、両スタブ線路１５
及び１６のスタブ長さは中心周波数で概略１／４波長と
し、両マイクロストリップ線路６及び７との接続位置
に、地導体３に所用の周波数帯域で決まる固有の特性イ
ンピーダンスＺs のスロット線路１７が設けられてい
る。このスロット線路１７の長さは中心周波数で概略１
／２波長とする。この構成により、異なる誘電体基板１
及び２上に形成されたマイクロストリップ線路６及び７
の層間を電磁結合する構成としている。
に従って説明する。図１は実施の形態１に係るマイクロ
波半導体装置に備えられるマイクロ波回路の構成を示す
概略図であり、図１（ａ）は斜視図、図１（ｂ）は図１
（ａ）のＡＡ’断面図を示す。図１に示すマイクロ波回
路は、第１の誘電体基板１に第１のストリップ導体４
が、第２の誘電体基板２に第２のストリップ導体５がそ
れぞれ形成され、これらの二枚の誘電体基板１及び２間
に地導体３を挟んで特性インピーダンスがＺ0 の第１及
び第２のマイクロストリップ線路６及び７が構成され、
両マイクロストリップ線路６及び７の先端には所用の周
波数帯域で必要な特性インピーダンスが決まる特性イン
ピーダンスＺm の線路である先端開放の第１及び第２の
スタブ線路１５及び１６が形成され、両スタブ線路１５
及び１６のスタブ長さは中心周波数で概略１／４波長と
し、両マイクロストリップ線路６及び７との接続位置
に、地導体３に所用の周波数帯域で決まる固有の特性イ
ンピーダンスＺs のスロット線路１７が設けられてい
る。このスロット線路１７の長さは中心周波数で概略１
／２波長とする。この構成により、異なる誘電体基板１
及び２上に形成されたマイクロストリップ線路６及び７
の層間を電磁結合する構成としている。
【００２３】上記構成でなるマイクロ波回路の等価回路
は図２で表される。図１に示すマイクロ波回路は、図２
に示すように、マイクロストリップ線路６とスロット線
路１７とが変成比Ｎ1 ：１の変成器１８を、スロット線
路１７とマイクロストリップ線路７とが変成比１：Ｎ2
の変成器１８を介して結合されるようになされており、
このマイクロ波回路の等価回路において、使用する周波
数帯域の上端周波数をｆH 、下端周波数をｆL 、中心周
波数をｆ0 ｛＝（ｆH＋ｆL）／２｝としたとき、広帯域
な周波数帯域で整合されて、マイクロストリップ線路６
及び７の特性インピーダンスＺ0 で決まる反射とスロッ
ト線路１７の特性インピーダンスＺs で決まる反射とが
打ち消し合い低反射な特性を得るための回路解析及び整
合条件を求めると次のようになる。
は図２で表される。図１に示すマイクロ波回路は、図２
に示すように、マイクロストリップ線路６とスロット線
路１７とが変成比Ｎ1 ：１の変成器１８を、スロット線
路１７とマイクロストリップ線路７とが変成比１：Ｎ2
の変成器１８を介して結合されるようになされており、
このマイクロ波回路の等価回路において、使用する周波
数帯域の上端周波数をｆH 、下端周波数をｆL 、中心周
波数をｆ0 ｛＝（ｆH＋ｆL）／２｝としたとき、広帯域
な周波数帯域で整合されて、マイクロストリップ線路６
及び７の特性インピーダンスＺ0 で決まる反射とスロッ
ト線路１７の特性インピーダンスＺs で決まる反射とが
打ち消し合い低反射な特性を得るための回路解析及び整
合条件を求めると次のようになる。
【００２４】始めに、回路解析を行う。今、図２におい
て、マイクロストリップ線路６及び７の先端開放スタブ
を結合部から見たインピーダンスをＺimj （ｊ＝１，
２）、スロット線路１７の先端短絡スタブを結合部から
見たインピーダンスをＺisj （ｊ＝１，２）とすると、
図２の等価回路は図３（ａ）に示す等価回路で表すこと
ができ、インピーダンスＺimj （ｊ＝１，２）は伝送線
路に直列接続され、インピーダンスＺisj （ｊ＝１，
２）は伝送線路に並列接続される。
て、マイクロストリップ線路６及び７の先端開放スタブ
を結合部から見たインピーダンスをＺimj （ｊ＝１，
２）、スロット線路１７の先端短絡スタブを結合部から
見たインピーダンスをＺisj （ｊ＝１，２）とすると、
図２の等価回路は図３（ａ）に示す等価回路で表すこと
ができ、インピーダンスＺimj （ｊ＝１，２）は伝送線
路に直列接続され、インピーダンスＺisj （ｊ＝１，
２）は伝送線路に並列接続される。
【００２５】図３（ａ）における両変成器１８を含んだ
結合部間の伝搬特性をＦマトリクスで表現し、これを関
数Ｆ1 とすると、関数Ｆ1 を含めた等価回路は図３
（ｂ）で表される。このとき、関数Ｆ1 は式（１）で与
えられる。
結合部間の伝搬特性をＦマトリクスで表現し、これを関
数Ｆ1 とすると、関数Ｆ1 を含めた等価回路は図３
（ｂ）で表される。このとき、関数Ｆ1 は式（１）で与
えられる。
【００２６】
【数３】
【００２７】ここで、図３（ａ）、（ｂ）中の端子Ｔ
1 ，Ｔ2 の電圧、電流の関係は関数Ｆ1 を介して式
（２）のように関係付けられる。
1 ，Ｔ2 の電圧、電流の関係は関数Ｆ1 を介して式
（２）のように関係付けられる。
【００２８】
【数４】
【００２９】さらに、図３（ｂ）中の電圧ｖ1'、ｖ2'と
の関係は式（３）ないし（６）のように関係付けられ
る。 ｖ1'＝ｉ1Ｚim1 （３） ｖ2'＝−ｉ2Ｚim2 （４） ｖ01＝ｖ1＋ｖ1' ＝（Ｎ1／Ｎ2）ｖ2＋ｉ1Ｚim2 （５） ｖ02＝ｖ2−ｉ2Ｚm2 （６）
の関係は式（３）ないし（６）のように関係付けられ
る。 ｖ1'＝ｉ1Ｚim1 （３） ｖ2'＝−ｉ2Ｚim2 （４） ｖ01＝ｖ1＋ｖ1' ＝（Ｎ1／Ｎ2）ｖ2＋ｉ1Ｚim2 （５） ｖ02＝ｖ2−ｉ2Ｚm2 （６）
【００３０】これらの関係からｖ2 を消去し、図３
（ｃ）に示す関数Ｆ2 とｖ01、ｖ02、ｉ1 、ｉ2 の関係
を求めると、式（７）及び（８）が得られ、層間接続の
諸特性を計算することができる。
（ｃ）に示す関数Ｆ2 とｖ01、ｖ02、ｉ1 、ｉ2 の関係
を求めると、式（７）及び（８）が得られ、層間接続の
諸特性を計算することができる。
【００３１】
【数５】
【００３２】次に、整合条件と帯域について検討する。
まず、実施の形態１における層間接続に関する整合条件
を求める。特性と構造の関係の理解を容易にするため、
対象構造について考える。対称性を考慮すると、図２に
示した回路パラメータは、次のように簡略化できる。 Ｚis1＝Ｚis2＝Ｚis Ｚim1＝Ｚim2＝Ｚim Ｎ1＝Ｎ2＝Ｎ ここで、反射係数Ｓ11と透過係数Ｓ21は式（９）、（１
０）で与えられる。
まず、実施の形態１における層間接続に関する整合条件
を求める。特性と構造の関係の理解を容易にするため、
対象構造について考える。対称性を考慮すると、図２に
示した回路パラメータは、次のように簡略化できる。 Ｚis1＝Ｚis2＝Ｚis Ｚim1＝Ｚim2＝Ｚim Ｎ1＝Ｎ2＝Ｎ ここで、反射係数Ｓ11と透過係数Ｓ21は式（９）、（１
０）で与えられる。
【００３３】
【数６】
【００３４】さらに、ここで、線路を無損失と考える
と、マイクロストリップ線路６及び７とスロット線路１
７それぞれのスタブ線路を見込んだインピーダンスは純
リアクタンスとおけるから、 Ｚim＝ｊＸim （１１） Ｚis＝ｊＸis （１２） となり、Ｘim，Ｘisはそれぞれ先端短絡、先端開放のス
タブ線路で構成されるから、式（１３）、（１４）で示
される。 Ｘim＝−Ｚim／ｔａｎθm （１３） Ｘis＝Ｚsｔａｎθs （１４）
と、マイクロストリップ線路６及び７とスロット線路１
７それぞれのスタブ線路を見込んだインピーダンスは純
リアクタンスとおけるから、 Ｚim＝ｊＸim （１１） Ｚis＝ｊＸis （１２） となり、Ｘim，Ｘisはそれぞれ先端短絡、先端開放のス
タブ線路で構成されるから、式（１３）、（１４）で示
される。 Ｘim＝−Ｚim／ｔａｎθm （１３） Ｘis＝Ｚsｔａｎθs （１４）
【００３５】ここで、反射係数Ｓ11の大きさが０になる
無反射条件を求める。式（９）より次の２つの場合に分
けて求める。すなわち、分母が無限大でかつ分子が有限
の場合（Ａ）及び分子が０でかつ分母が有限の場合
（Ｂ）の条件を求める。 （Ａ）：反射係数Ｓ11を与える式（９）の分母が無限大
でかつ分子が有限となり、反射係数Ｓ11＝０の場合、中
心周波数ｆ0 で、Ｚim、Ｚisは−ｊ無限大から＋ｊ無限
大までの値を持ち得る。今、中心周波数ｆ0 にてＺim＝
±ｊ∞とすると、分母は無限大になるが、Ｚisが０の場
合も分子が無限大になり、Ｚimが０の条件で分子は有限
になる。したがって、中心周波数ｆ0 における整合条件
は、Ｚis＝±ｊ∞、Ｚim＝０になる。式（１３）、（１
４）よりこれらの条件は、 θm＝θs＝π／２ （１５） で与えられる。
無反射条件を求める。式（９）より次の２つの場合に分
けて求める。すなわち、分母が無限大でかつ分子が有限
の場合（Ａ）及び分子が０でかつ分母が有限の場合
（Ｂ）の条件を求める。 （Ａ）：反射係数Ｓ11を与える式（９）の分母が無限大
でかつ分子が有限となり、反射係数Ｓ11＝０の場合、中
心周波数ｆ0 で、Ｚim、Ｚisは−ｊ無限大から＋ｊ無限
大までの値を持ち得る。今、中心周波数ｆ0 にてＺim＝
±ｊ∞とすると、分母は無限大になるが、Ｚisが０の場
合も分子が無限大になり、Ｚimが０の条件で分子は有限
になる。したがって、中心周波数ｆ0 における整合条件
は、Ｚis＝±ｊ∞、Ｚim＝０になる。式（１３）、（１
４）よりこれらの条件は、 θm＝θs＝π／２ （１５） で与えられる。
【００３６】また、この実施の形態１に係るスロット線
路１７は所謂サンドイッチスロット線路であるから、０
次近似として波長短縮は１／√εr（εrは誘電体基板１
及び２の誘電率）で与えられる。すなわち、近似的にス
ロット線路１７の電気長の周波数特性はＴＥＭ線路と同
等として扱える。つまり、マイクロストリップ線路６及
び７と同じ電気長の周波数変化をし、周波数ｆにおける
値は式（１６）で与えられる。 θm＝θs＝θ＝（π／２）・（ｆ／ｆ0） （１６）
路１７は所謂サンドイッチスロット線路であるから、０
次近似として波長短縮は１／√εr（εrは誘電体基板１
及び２の誘電率）で与えられる。すなわち、近似的にス
ロット線路１７の電気長の周波数特性はＴＥＭ線路と同
等として扱える。つまり、マイクロストリップ線路６及
び７と同じ電気長の周波数変化をし、周波数ｆにおける
値は式（１６）で与えられる。 θm＝θs＝θ＝（π／２）・（ｆ／ｆ0） （１６）
【００３７】（Ｂ）：反射係数Ｓ11を与える式（９）の
分子が０でかつ分母が有限になる場合。ここでは、中心
周波数ｆ0 では式（１６）の電気長の関係が保たれると
する。中心周波数ｆ0 以外で分子が０かつ分母が有限に
なる場合の回路パラメータの間の条件を求める。まず、
式（１１）ないし（１４）を式（９）に代入し整理する
と、その分子は式（１７）となる。
分子が０でかつ分母が有限になる場合。ここでは、中心
周波数ｆ0 では式（１６）の電気長の関係が保たれると
する。中心周波数ｆ0 以外で分子が０かつ分母が有限に
なる場合の回路パラメータの間の条件を求める。まず、
式（１１）ないし（１４）を式（９）に代入し整理する
と、その分子は式（１７）となる。
【００３８】
【数７】
【００３９】すなわち、式（１７）より、電気長θと回
路パラメータが式（１８）で示す関係を持つとき整合関
係が満たされる。ただし、式（１８）はＮ2・Ｚm／Ｚ0
・Ｚs／Ｚ0＞１の条件下で成立する。つまり、Ｚs／Ｚ0
＞１／［Ｎ2（Ｚm／Ｚ0）］の場合、中心周波数以外の
周波数で整合が可能であることが判る。また、このと
き、分母は有限値を取ることは容易に示せる。
路パラメータが式（１８）で示す関係を持つとき整合関
係が満たされる。ただし、式（１８）はＮ2・Ｚm／Ｚ0
・Ｚs／Ｚ0＞１の条件下で成立する。つまり、Ｚs／Ｚ0
＞１／［Ｎ2（Ｚm／Ｚ0）］の場合、中心周波数以外の
周波数で整合が可能であることが判る。また、このと
き、分母は有限値を取ることは容易に示せる。
【００４０】
【数８】
【００４１】正接関数の周期性より、式（１８）のθの
正負値をそれぞれθ+ 、θ- とする。ｔａｎ（θ-）＝
ｔａｎ（π−θ+）であることに着目し、電気長として
正値を取るようにすると、式（１９）、（２０）を得
る。 θ+＝（π／２）・（ｆL／ｆ0） ＝θL （１９） θ-＝π−θ+ ＝（π／２）・（ｆH／ｆ0） ＝θH （２０） ここで、ｆL、ｆHはそれぞれ高域及び低域側の整合条件
を満たす周波数であり、式（１８）ないし（２０）から
式（２１）及び（２２）が与えられる。以上の整合条件
が満たされるとき、透過係数Ｓ21が１となることは容易
に示すことができる。
正負値をそれぞれθ+ 、θ- とする。ｔａｎ（θ-）＝
ｔａｎ（π−θ+）であることに着目し、電気長として
正値を取るようにすると、式（１９）、（２０）を得
る。 θ+＝（π／２）・（ｆL／ｆ0） ＝θL （１９） θ-＝π−θ+ ＝（π／２）・（ｆH／ｆ0） ＝θH （２０） ここで、ｆL、ｆHはそれぞれ高域及び低域側の整合条件
を満たす周波数であり、式（１８）ないし（２０）から
式（２１）及び（２２）が与えられる。以上の整合条件
が満たされるとき、透過係数Ｓ21が１となることは容易
に示すことができる。
【００４２】
【数９】
【００４３】（Ａ）、（Ｂ）で求めた整合条件式（１
５）及び（１８）はマイクロストリップ線路６及び７と
スロット線路１７の特性インピーダンスＺ0及びＺsとス
タブ線路の特性インピーダンスＺm との間の整合を可能
にする関係を規定するものであり、この関係を充たすこ
とにより、中心周波数での整合以外にも中心周波数の上
下二つの特定の周波数で整合が可能であることが判っ
た。このことがこの形式の層間接続を広帯域にする要因
である。式（２１）より、Ｚm は低域側整合周波数ｆ
L 、Ｚｓ、Ｎの関数として、式（２３）で与えられる。
５）及び（１８）はマイクロストリップ線路６及び７と
スロット線路１７の特性インピーダンスＺ0及びＺsとス
タブ線路の特性インピーダンスＺm との間の整合を可能
にする関係を規定するものであり、この関係を充たすこ
とにより、中心周波数での整合以外にも中心周波数の上
下二つの特定の周波数で整合が可能であることが判っ
た。このことがこの形式の層間接続を広帯域にする要因
である。式（２１）より、Ｚm は低域側整合周波数ｆ
L 、Ｚｓ、Ｎの関数として、式（２３）で与えられる。
【００４４】
【数１０】
【００４５】すなわち、あるＺs／Ｚ0に対しＺm／Ｚ0は
２値求まる。また、解を持つ条件よりＺs／Ｚ0の取り得
る範囲は式（２４）に示すものとなる。
２値求まる。また、解を持つ条件よりＺs／Ｚ0の取り得
る範囲は式（２４）に示すものとなる。
【００４６】
【数１１】
【００４７】上述したことから明らかなように、スロッ
ト線路１７とマイクロストリップ線路６及び７を接続す
る図２に示す変成器１８は、波長とマイクロストリップ
線路６及び７の線路幅との関係で決まり、通常のＴＥＭ
近似の成り立つ範囲で、マイクロストリップ線路６及び
７の縁端効果が無視できるマイクロ波回路では、Ｎ≒１
であることが容易に証明できる。この場合、このマイク
ロ波回路の反射が０になる条件は、使用周波数帯域の上
端周波数をｆH 、下端周波数をｆL 、中心周波数をｆ0
としたとき、中心周波数ｆ0 では常に無反射条件が満た
され、ｆH 、ｆL ではそれぞれ式（２５）、（２６）で
無反射条件が満たされる。
ト線路１７とマイクロストリップ線路６及び７を接続す
る図２に示す変成器１８は、波長とマイクロストリップ
線路６及び７の線路幅との関係で決まり、通常のＴＥＭ
近似の成り立つ範囲で、マイクロストリップ線路６及び
７の縁端効果が無視できるマイクロ波回路では、Ｎ≒１
であることが容易に証明できる。この場合、このマイク
ロ波回路の反射が０になる条件は、使用周波数帯域の上
端周波数をｆH 、下端周波数をｆL 、中心周波数をｆ0
としたとき、中心周波数ｆ0 では常に無反射条件が満た
され、ｆH 、ｆL ではそれぞれ式（２５）、（２６）で
無反射条件が満たされる。
【００４８】
【数１２】
【００４９】すなわち、このようなインピーダンス及び
長さの関係にスタブ線路とスロット線路の長さを選ぶ
と、ｆH を最高ｆ0 の２倍近い周波数にまで高められ
る。図４はＺm ／Ｚ0 ＝１、Ｚs ／Ｚ0 ＝２の場合の特
性の一例を示したもので、ｆH ／ｆ0 が３／２、ｆL ／
ｆ0 が１／２になり、この周波数で整合がとれる様子が
判る。
長さの関係にスタブ線路とスロット線路の長さを選ぶ
と、ｆH を最高ｆ0 の２倍近い周波数にまで高められ
る。図４はＺm ／Ｚ0 ＝１、Ｚs ／Ｚ0 ＝２の場合の特
性の一例を示したもので、ｆH ／ｆ0 が３／２、ｆL ／
ｆ0 が１／２になり、この周波数で整合がとれる様子が
判る。
【００５０】したがって、上記実施の形態１によれば、
層状に重ねた第１及び第２の誘電体基板１及び２の間に
地導体３をはさみ該第１及び第２の誘電体基板１及び２
それぞれに特性インピーダンスがＺ0 のマイクロストリ
ップ線路６及び７を構成し、該それぞれのマイクロスト
リップ線路の一端に一端が開放端となる特性インピーダ
ンスがＺm の線路を接続し、該開放端から中心周波数で
概略１／４波長のマイクロストリップ線路の位置におい
て、該マイクロストリップ線路と上記地導体に設けた中
心周波数で概略１／２波長の特性インピーダンスがＺs
のスロット線路１７とをスロット線路の中央付近で交差
させ、使用する帯域の上端をｆH 、下端をｆL 、中心周
波数をｆ0 ｛＝（ｆH＋ｆL）／２｝としたとき、これら
の関係を式（２５）、（２６）としたもので、これによ
り、中心周波数以外の上下の二点の周波数ｆH 、ｆL
で、マイクロストリップ線路６及び７の特性インピーダ
ンスで決まる反射とスロット線路１７の特性インピーダ
ンスで決まる反射とが打ち消し合い低反射な特性を得る
ことができ、中心周波数ｆ0 で整合がとれるだけでな
く、所望の帯域の上端ｆH 、下端ｆL でも整合が可能で
広帯域な性能を有することができる。
層状に重ねた第１及び第２の誘電体基板１及び２の間に
地導体３をはさみ該第１及び第２の誘電体基板１及び２
それぞれに特性インピーダンスがＺ0 のマイクロストリ
ップ線路６及び７を構成し、該それぞれのマイクロスト
リップ線路の一端に一端が開放端となる特性インピーダ
ンスがＺm の線路を接続し、該開放端から中心周波数で
概略１／４波長のマイクロストリップ線路の位置におい
て、該マイクロストリップ線路と上記地導体に設けた中
心周波数で概略１／２波長の特性インピーダンスがＺs
のスロット線路１７とをスロット線路の中央付近で交差
させ、使用する帯域の上端をｆH 、下端をｆL 、中心周
波数をｆ0 ｛＝（ｆH＋ｆL）／２｝としたとき、これら
の関係を式（２５）、（２６）としたもので、これによ
り、中心周波数以外の上下の二点の周波数ｆH 、ｆL
で、マイクロストリップ線路６及び７の特性インピーダ
ンスで決まる反射とスロット線路１７の特性インピーダ
ンスで決まる反射とが打ち消し合い低反射な特性を得る
ことができ、中心周波数ｆ0 で整合がとれるだけでな
く、所望の帯域の上端ｆH 、下端ｆL でも整合が可能で
広帯域な性能を有することができる。
【００５１】実施の形態２．次に、図５は実施の形態２
に係るマイクロ波半導体装置を示す。図５において、図
１に示す実施の形態１と同一部分は同一符号を付してそ
の説明は省略する。新たな符号として、１９は電界効果
トランジスタ等の半導体素子（以下、ＦＥＴと称す）、
２０及び２１はＦＥＴ１９にそれぞれ電気的に接続され
る入力側及び出力側整合回路、２２及び２３はＦＥＴ１
９のゲート電極及びドレイン電極にバイアス電圧を印加
するためのバイアス回路、２５は異なる誘電体基板１及
び２に形成したマイクロストリップ線路６及び７の層間
を電磁結合した実施の形態１に係るマイクロ波回路と同
様なマイクロ波回路で、図５では想像線で示す。これら
符号１９〜２３、２５は第１の誘電体基板１上に形成さ
れる。また、２４は第２の誘電体基板２上に形成された
出力端子である。
に係るマイクロ波半導体装置を示す。図５において、図
１に示す実施の形態１と同一部分は同一符号を付してそ
の説明は省略する。新たな符号として、１９は電界効果
トランジスタ等の半導体素子（以下、ＦＥＴと称す）、
２０及び２１はＦＥＴ１９にそれぞれ電気的に接続され
る入力側及び出力側整合回路、２２及び２３はＦＥＴ１
９のゲート電極及びドレイン電極にバイアス電圧を印加
するためのバイアス回路、２５は異なる誘電体基板１及
び２に形成したマイクロストリップ線路６及び７の層間
を電磁結合した実施の形態１に係るマイクロ波回路と同
様なマイクロ波回路で、図５では想像線で示す。これら
符号１９〜２３、２５は第１の誘電体基板１上に形成さ
れる。また、２４は第２の誘電体基板２上に形成された
出力端子である。
【００５２】すなわち、実施の形態２では、第１の誘電
体基板１上に形成したマイクロストリップ線路６に、Ｆ
ＥＴ１９、整合回路２０及び２１、バイアス回路２２及
び２３でなるマイクロ波半導体回路２６を挿入し、該マ
イクロ波半導体回路の出力を、第２の基板２上に形成さ
れてマイクロ波回路２５を介して層間が電磁結合された
マイクロストリップ線路７の出力端子２４から送出する
とうになされている。
体基板１上に形成したマイクロストリップ線路６に、Ｆ
ＥＴ１９、整合回路２０及び２１、バイアス回路２２及
び２３でなるマイクロ波半導体回路２６を挿入し、該マ
イクロ波半導体回路の出力を、第２の基板２上に形成さ
れてマイクロ波回路２５を介して層間が電磁結合された
マイクロストリップ線路７の出力端子２４から送出する
とうになされている。
【００５３】この構成により、入力端子１３から入射し
た電波は入力側整合回路２０を介してＦＥＴ１９で増幅
され、出力側整合回路２１を通って増幅された電波が現
れる。その後、図１に示すマイクロストリップ線路でな
るスタブ線路１５、１６及びスロット線路１７からなる
層間接続のマイクロ波回路２５を介して電波が電磁結合
で接続され、もう一方の第２の誘電体基板２に構成され
たマイクロストリップ線路の出力端子２４に現れる。
た電波は入力側整合回路２０を介してＦＥＴ１９で増幅
され、出力側整合回路２１を通って増幅された電波が現
れる。その後、図１に示すマイクロストリップ線路でな
るスタブ線路１５、１６及びスロット線路１７からなる
層間接続のマイクロ波回路２５を介して電波が電磁結合
で接続され、もう一方の第２の誘電体基板２に構成され
たマイクロストリップ線路の出力端子２４に現れる。
【００５４】したがって、上記実施の形態２によれば、
二つの誘電体基板１及び２の一方に構成される増幅器等
のマイクロ波半導体回路２６と他方に構成されるマイク
ロ波回路が地導体３を介して背中合わせに構成されるた
め、両者の回路間の干渉を低減できるだけでなく、広帯
域にわたって電気的な接続を保つことができる。
二つの誘電体基板１及び２の一方に構成される増幅器等
のマイクロ波半導体回路２６と他方に構成されるマイク
ロ波回路が地導体３を介して背中合わせに構成されるた
め、両者の回路間の干渉を低減できるだけでなく、広帯
域にわたって電気的な接続を保つことができる。
【００５５】実施の形態３．次に、図６は実施の形態３
に係るマイクロ波半導体装置を示す。図６において、実
施の形態３に係るマイクロ波半導体装置は、上述した実
施の形態２に対し、第２の誘電体基板２上に入力端子２
７を形成し、層間接続のマイクロ波回路２５を介して第
１の誘電体基板１上に形成したＦＥＴ１９、整合回路２
０及び２１、バイアス回路２２及び２３でなるマイクロ
波半導体回路２６に接続するようにしており、一方の誘
電体基板１上に形成したマイクロ波半導体回路２６への
入力を、他方の誘電体基板２上に形成されて他のマイク
ロ波回路２５を介して層間が電磁結合された他のマイク
ロストリップ線路６の入力端子１３から得るものであ
る。
に係るマイクロ波半導体装置を示す。図６において、実
施の形態３に係るマイクロ波半導体装置は、上述した実
施の形態２に対し、第２の誘電体基板２上に入力端子２
７を形成し、層間接続のマイクロ波回路２５を介して第
１の誘電体基板１上に形成したＦＥＴ１９、整合回路２
０及び２１、バイアス回路２２及び２３でなるマイクロ
波半導体回路２６に接続するようにしており、一方の誘
電体基板１上に形成したマイクロ波半導体回路２６への
入力を、他方の誘電体基板２上に形成されて他のマイク
ロ波回路２５を介して層間が電磁結合された他のマイク
ロストリップ線路６の入力端子１３から得るものであ
る。
【００５６】すなわち、この実施の形態３は、増幅器あ
るいは発振器等のアクティブ回路を一方の誘電体基板１
にのみ構成し、アクティブ回路の出力端子２４、入力端
子２７を他方の誘電体基板２に構成したもので、入出力
端子共に電磁結合による層間接続のマイクロ波回路２５
を備えたものである。二つの誘電体基板の一方の基板、
ここでは第１の誘電体基板１にのみにマイクロストリッ
プ線路６にマイクロ波半導体回路２６を挿入し、他方の
第２の誘電体基板２にはパッシブなマイクロ波回路だけ
を構成したため、増幅器あるいは発振器等のアクティブ
回路を一方の基板にのみ構成できる。
るいは発振器等のアクティブ回路を一方の誘電体基板１
にのみ構成し、アクティブ回路の出力端子２４、入力端
子２７を他方の誘電体基板２に構成したもので、入出力
端子共に電磁結合による層間接続のマイクロ波回路２５
を備えたものである。二つの誘電体基板の一方の基板、
ここでは第１の誘電体基板１にのみにマイクロストリッ
プ線路６にマイクロ波半導体回路２６を挿入し、他方の
第２の誘電体基板２にはパッシブなマイクロ波回路だけ
を構成したため、増幅器あるいは発振器等のアクティブ
回路を一方の基板にのみ構成できる。
【００５７】したがって、上記実施の形態３によれば、
増幅器あるいは発振器等のアクティブ回路を一方の基板
にのみ構成でき、これらをシールド板等で遮蔽しやす
く、また構成の簡単な非接触接続により広帯域なバイア
スカットが出来ると共に、地導体により入出力線路側回
路とマイクロ波半導体回路の干渉を低減することができ
る。
増幅器あるいは発振器等のアクティブ回路を一方の基板
にのみ構成でき、これらをシールド板等で遮蔽しやす
く、また構成の簡単な非接触接続により広帯域なバイア
スカットが出来ると共に、地導体により入出力線路側回
路とマイクロ波半導体回路の干渉を低減することができ
る。
【００５８】実施の形態４．次に、図７は実施の形態４
に係るマイクロ波半導体装置を示す。この実施の形態４
は、複数の増幅器あるいは発信器等のアクティブなマイ
クロ波半導体回路２６を一方の誘電体基板１にのみ構成
し、それぞれのアクティブ回路の入力端子１３及び出力
端子１４を他方の誘電体基板２に構成したもので、複数
の入出力端子共に電磁結合による層間接続のマイクロ波
回路２５を備えたものである。二つの誘電体基板の一方
の基板、ここでは、第１の誘電体基板１にのみマイクロ
波半導体回路２６を構成し、図中想像線で示すように、
裏面側の他方の第２の誘電体基板２上には、マイクロス
トリップ線路でなる電力分配／合成手段２８だけを形成
した構成である。
に係るマイクロ波半導体装置を示す。この実施の形態４
は、複数の増幅器あるいは発信器等のアクティブなマイ
クロ波半導体回路２６を一方の誘電体基板１にのみ構成
し、それぞれのアクティブ回路の入力端子１３及び出力
端子１４を他方の誘電体基板２に構成したもので、複数
の入出力端子共に電磁結合による層間接続のマイクロ波
回路２５を備えたものである。二つの誘電体基板の一方
の基板、ここでは、第１の誘電体基板１にのみマイクロ
波半導体回路２６を構成し、図中想像線で示すように、
裏面側の他方の第２の誘電体基板２上には、マイクロス
トリップ線路でなる電力分配／合成手段２８だけを形成
した構成である。
【００５９】すなわち、一方の基板１上に複数のマイク
ロ波半導体回路２６を形成すると共に、上記他方の基板
２上に形成されてそれぞれマイクロ波回路２５を介して
層間が電磁結合されるマイクロストリップ線路７により
上記複数のマイクロ波半導体回路２６への電力の分配及
び上記複数のマイクロ波半導体回路２６からの出力電力
の合成を行う電力分配／合成手段２８を形成するように
構成している。
ロ波半導体回路２６を形成すると共に、上記他方の基板
２上に形成されてそれぞれマイクロ波回路２５を介して
層間が電磁結合されるマイクロストリップ線路７により
上記複数のマイクロ波半導体回路２６への電力の分配及
び上記複数のマイクロ波半導体回路２６からの出力電力
の合成を行う電力分配／合成手段２８を形成するように
構成している。
【００６０】したがって、上記実施の形態４によれば、
増幅器あるいは発振器等のアクティブなマイクロ波半導
体回路２６を一方の基板１にのみ構成できるため、電力
分配／合成手段２８の配置に自由度が増すとともにマイ
クロ波半導体回路２６間を地導体３で遮蔽しやすくな
る。また、本構成では簡単な非接触接続により広帯域な
バイアスカットが出来る。
増幅器あるいは発振器等のアクティブなマイクロ波半導
体回路２６を一方の基板１にのみ構成できるため、電力
分配／合成手段２８の配置に自由度が増すとともにマイ
クロ波半導体回路２６間を地導体３で遮蔽しやすくな
る。また、本構成では簡単な非接触接続により広帯域な
バイアスカットが出来る。
【００６１】実施の形態５． 次に、図８は実施の形態５に係るマイクロ波半導体装置
を示す。この実施の形態５は、複数の増幅器あるいは発
振器等のアクティブなマイクロ波半導体回路２６を一方
の誘電体基板１にのみ構成し、それぞれのアクティブ回
路の入力端子１３及び出力端子１４を他方の誘電対２基
板に構成したもので、複数の入出力端子共に電磁結合に
よる層間接続のマイクロ波回路２５を備えたものであ
る。そして、二つの誘電体基板の一方の基板、ここで
は、第１の誘電体基板１にのみマイクロ波半導体回路２
６を構成し、他方の第２の誘電体基板２にはマイクロス
トリップ線路でなる電力分配／合成手段２８だけを形成
し、かつ、第１の誘電体基板１に構成したマイクロ波半
導体回路２６をシールドケース２９内に収納している。
を示す。この実施の形態５は、複数の増幅器あるいは発
振器等のアクティブなマイクロ波半導体回路２６を一方
の誘電体基板１にのみ構成し、それぞれのアクティブ回
路の入力端子１３及び出力端子１４を他方の誘電対２基
板に構成したもので、複数の入出力端子共に電磁結合に
よる層間接続のマイクロ波回路２５を備えたものであ
る。そして、二つの誘電体基板の一方の基板、ここで
は、第１の誘電体基板１にのみマイクロ波半導体回路２
６を構成し、他方の第２の誘電体基板２にはマイクロス
トリップ線路でなる電力分配／合成手段２８だけを形成
し、かつ、第１の誘電体基板１に構成したマイクロ波半
導体回路２６をシールドケース２９内に収納している。
【００６２】すなわち、一方の基板１上に形成された複
数のマイクロ波半導体回路２６をそれぞれ金属板で仕切
ると共に全体を金属筺体で覆ったシールドケース２９内
に収納するようにしている。
数のマイクロ波半導体回路２６をそれぞれ金属板で仕切
ると共に全体を金属筺体で覆ったシールドケース２９内
に収納するようにしている。
【００６３】したがって、この実施の形態５によれば、
複数の増幅器あるいは発振器等のマイクロ波半導体回路
２６を一方の基板１にのみ構成できる。そのため、電力
合成／分配手段２８と独立してマイクロ波半導体回路２
６を納めるシールドケース２９を設計できるため、基本
モード以外の伝搬を抑圧するシールドケース２９の構成
が可能になる。すなわち、各々共振を防ぐ寸法に設計さ
れたシールドケース２９に収納された複数のマイクロ波
半導体回路２６が電力分配／合成手段２８の構成と無関
係に構成できるようになり、不要共振の発生しない電力
合成形高出力マイクロ波半導体回路が実現できる。
複数の増幅器あるいは発振器等のマイクロ波半導体回路
２６を一方の基板１にのみ構成できる。そのため、電力
合成／分配手段２８と独立してマイクロ波半導体回路２
６を納めるシールドケース２９を設計できるため、基本
モード以外の伝搬を抑圧するシールドケース２９の構成
が可能になる。すなわち、各々共振を防ぐ寸法に設計さ
れたシールドケース２９に収納された複数のマイクロ波
半導体回路２６が電力分配／合成手段２８の構成と無関
係に構成できるようになり、不要共振の発生しない電力
合成形高出力マイクロ波半導体回路が実現できる。
【００６４】実施の形態６．次に、図９は実施の形態６
に係るマイクロ波半導体装置を示す。図中、３０はプリ
ント化アンテナの一例として取り上げたマイクロストリ
ップアンテナ、３１はマイクロストリップ線路６でなる
マイクロストリップアンテナへの給電線路である。これ
らが、第１の誘電体基板１に構成され、給電用マイクロ
ストリップ線路３１の一端には特性インピーダンスＺm
の線路で先端開放のスタブ線路１５が接続され、また、
他方の第２の誘電体基板２には特性インピーダンスＺm
の線路で先端開放のスタブ線路１６が形成され、両スタ
ブ長さは中心周波数で概略１／４波長とし、両マイクロ
ストリップ線路６、７との接続位置において、地導体３
に中心周波数で概略１／２波長の特性インピーダンスＺ
s のスロット線路１７が設けられている。
に係るマイクロ波半導体装置を示す。図中、３０はプリ
ント化アンテナの一例として取り上げたマイクロストリ
ップアンテナ、３１はマイクロストリップ線路６でなる
マイクロストリップアンテナへの給電線路である。これ
らが、第１の誘電体基板１に構成され、給電用マイクロ
ストリップ線路３１の一端には特性インピーダンスＺm
の線路で先端開放のスタブ線路１５が接続され、また、
他方の第２の誘電体基板２には特性インピーダンスＺm
の線路で先端開放のスタブ線路１６が形成され、両スタ
ブ長さは中心周波数で概略１／４波長とし、両マイクロ
ストリップ線路６、７との接続位置において、地導体３
に中心周波数で概略１／２波長の特性インピーダンスＺ
s のスロット線路１７が設けられている。
【００６５】すなわち、第１及び第２の誘電体基板のい
ずれか一方、ここでは基板１上に形成したマイクロスト
リップ線路６の先端にプリントアンテナ３０を形成し、
該プリントアンテナ３０を、他方の基板２上に形成され
てマイクロ波回路２５を介して層間が電磁結合されたマ
イクロストリップ線路７の出力端子２４または入力端子
２７を介して外部回路と接続するようにしたものであ
る。この構成により、異なる誘電体基板１及び２に構成
したマイクロストリップ線路の層間は電磁的に結合さ
れ、例えば入力端子２７から入射した電波は層間接続の
マイクロ波回路２５を介して電波が給電用マイクロスト
リップ線路３１に伝搬していきマイクロストリップアン
テナ３０を励振する。
ずれか一方、ここでは基板１上に形成したマイクロスト
リップ線路６の先端にプリントアンテナ３０を形成し、
該プリントアンテナ３０を、他方の基板２上に形成され
てマイクロ波回路２５を介して層間が電磁結合されたマ
イクロストリップ線路７の出力端子２４または入力端子
２７を介して外部回路と接続するようにしたものであ
る。この構成により、異なる誘電体基板１及び２に構成
したマイクロストリップ線路の層間は電磁的に結合さ
れ、例えば入力端子２７から入射した電波は層間接続の
マイクロ波回路２５を介して電波が給電用マイクロスト
リップ線路３１に伝搬していきマイクロストリップアン
テナ３０を励振する。
【００６６】したがって、上記実施の形態６では、プリ
ントアンテナ３０等の放射部を一方の誘電体基板に設
け、他方の誘電体基板には不要輻射の原因となる線路、
回路素子（図示せず）や能動デバイスからなるマイクロ
波半導体回路（図示せず）などを構成し、アンテナの放
射特性に与える回路素子、能動回路素子からの干渉波を
簡単で広帯域な層間接続を可能にするマイクロ波回路に
より低減することができる。
ントアンテナ３０等の放射部を一方の誘電体基板に設
け、他方の誘電体基板には不要輻射の原因となる線路、
回路素子（図示せず）や能動デバイスからなるマイクロ
波半導体回路（図示せず）などを構成し、アンテナの放
射特性に与える回路素子、能動回路素子からの干渉波を
簡単で広帯域な層間接続を可能にするマイクロ波回路に
より低減することができる。
【００６７】実施の形態７．次に、図１０は実施の形態
７に係るマイクロ波半導体装置を示す。この実施の形態
７は、複数の進行波形マイクロストリップアンテナ３２
を一方の誘電体基板１に設け、他方の誘電体基板２には
想像線で示すマイクロストリップ線路でなる電力分配／
合成手段２８を構成し、これらを実施の形態１によるマ
イクロ波回路２５で接続したものである。
７に係るマイクロ波半導体装置を示す。この実施の形態
７は、複数の進行波形マイクロストリップアンテナ３２
を一方の誘電体基板１に設け、他方の誘電体基板２には
想像線で示すマイクロストリップ線路でなる電力分配／
合成手段２８を構成し、これらを実施の形態１によるマ
イクロ波回路２５で接続したものである。
【００６８】すなわち、第１及び第２の誘電体基板１及
び２のいずれか一方の基板上に複数の進行波形マイクロ
ストリップアンテナ３２を形成すると共に、他方の基板
上に形成されて上記複数の進行波形マイクロストリップ
アンテナ３２とそれぞれ上記マイクロ波回路２５を介し
て層間が電磁結合されるマイクロストリップ線路により
電力の分配／合成を行う電力分配／合成手段２８を形成
するように構成したものである。
び２のいずれか一方の基板上に複数の進行波形マイクロ
ストリップアンテナ３２を形成すると共に、他方の基板
上に形成されて上記複数の進行波形マイクロストリップ
アンテナ３２とそれぞれ上記マイクロ波回路２５を介し
て層間が電磁結合されるマイクロストリップ線路により
電力の分配／合成を行う電力分配／合成手段２８を形成
するように構成したものである。
【００６９】したがって、実施の形態７によれば、アン
テナの放射特性に与える回路素子から放射される干渉波
による特性劣化を低減することができるだけでなく、ア
ンテナ構成面の裏面に電力分配／合成手段が構成できる
ため、全体の構成の小型化が図れる。
テナの放射特性に与える回路素子から放射される干渉波
による特性劣化を低減することができるだけでなく、ア
ンテナ構成面の裏面に電力分配／合成手段が構成できる
ため、全体の構成の小型化が図れる。
【００７０】実施の形態８．次に、図１１は実施の形態
８に係るマイクロ波半導体装置を示す。この実施の形態
８は、複数の進行波形マイクロストリップアンテナ３２
を一方の誘電体基板１に設け、他方の誘電体基板２には
想像線で示す電力分配／合成手段２８を構成し、電力分
配／合成用給電回路の所定の給電点において低雑音増幅
器等のマイクロ波半導体回路３３を挿入し、これら進行
波形マイクロストリップアンテナ３２と電力分配／合成
手段２８を実施の形態１によるマイクロ波回路２５で接
続している。
８に係るマイクロ波半導体装置を示す。この実施の形態
８は、複数の進行波形マイクロストリップアンテナ３２
を一方の誘電体基板１に設け、他方の誘電体基板２には
想像線で示す電力分配／合成手段２８を構成し、電力分
配／合成用給電回路の所定の給電点において低雑音増幅
器等のマイクロ波半導体回路３３を挿入し、これら進行
波形マイクロストリップアンテナ３２と電力分配／合成
手段２８を実施の形態１によるマイクロ波回路２５で接
続している。
【００７１】すなわち、一方の誘電体基板１に複数の進
行波形マイクロストリップアンテナ３２を設ける一方、
他方の基板２上に形成した電力分配／合成手段２８の給
電点にマイクロ波半導体回路３３を挿入したものであ
る。
行波形マイクロストリップアンテナ３２を設ける一方、
他方の基板２上に形成した電力分配／合成手段２８の給
電点にマイクロ波半導体回路３３を挿入したものであ
る。
【００７２】したがって、実施の形態８によれば、アン
テナ３２の放射特性に与える回路素子から放射される干
渉波による特性劣化を低減することができるだけでな
く、アンテナ構成面の裏面に電力分配／合成手段２８が
構成できるため、全体の構成の小型化が図れるととも
に、アンテナ３２からの線路による損失が少ない給電点
において低雑音増幅器等のマイクロ波半導体回路３３を
挿入できるため、アンテナ３２の雑音の低減を図ること
が出来る。
テナ３２の放射特性に与える回路素子から放射される干
渉波による特性劣化を低減することができるだけでな
く、アンテナ構成面の裏面に電力分配／合成手段２８が
構成できるため、全体の構成の小型化が図れるととも
に、アンテナ３２からの線路による損失が少ない給電点
において低雑音増幅器等のマイクロ波半導体回路３３を
挿入できるため、アンテナ３２の雑音の低減を図ること
が出来る。
【００７３】実施の形態９．次に、図１２は実施の形態
９に係るマイクロ波半導体装置を示す。この実施の形態
９は、複数の進行波形マイクロストリップアンテナ３２
を一方の誘電体基板１に設け、グレーティングロープの
発生を抑えるために１／２波長以下の間隔で進行波形マ
イクロストリップアンテナ３２を配列する。この一列の
進行波形マイクロストリップアンテナアレーのマイクロ
ストリップ線路でなる複数の入出力を実施の形態１によ
るマイクロ波回路２５を介して他層に設けた低雑音増幅
器あるいは高出力増幅器等のマイクロ波半導体回路３３
に接続するとともに、該半導体回路にはそれぞれ可変移
相器３４を備え、高効率なアンテナを実現するとともに
ビーム走査を可能にしている。
９に係るマイクロ波半導体装置を示す。この実施の形態
９は、複数の進行波形マイクロストリップアンテナ３２
を一方の誘電体基板１に設け、グレーティングロープの
発生を抑えるために１／２波長以下の間隔で進行波形マ
イクロストリップアンテナ３２を配列する。この一列の
進行波形マイクロストリップアンテナアレーのマイクロ
ストリップ線路でなる複数の入出力を実施の形態１によ
るマイクロ波回路２５を介して他層に設けた低雑音増幅
器あるいは高出力増幅器等のマイクロ波半導体回路３３
に接続するとともに、該半導体回路にはそれぞれ可変移
相器３４を備え、高効率なアンテナを実現するとともに
ビーム走査を可能にしている。
【００７４】すなわち、実施の形態９は、一方の誘電体
基板上に複数の進行波形マイクロストリップアンテナ３
２を１／２波長以下の間隔で並列に配置すると共に、他
方の誘電体基板上に想像線で示すマイクロストリップ線
路により構成される電力分配／合成手段２８の分配／合
成端子に移相器３４を備えるマイクロ波半導体回路３３
を挿入することにより、高効率なアンテナを実現すると
ともにビーム走査を可能にすることができる。
基板上に複数の進行波形マイクロストリップアンテナ３
２を１／２波長以下の間隔で並列に配置すると共に、他
方の誘電体基板上に想像線で示すマイクロストリップ線
路により構成される電力分配／合成手段２８の分配／合
成端子に移相器３４を備えるマイクロ波半導体回路３３
を挿入することにより、高効率なアンテナを実現すると
ともにビーム走査を可能にすることができる。
【００７５】実施の形態１０．次に、図１３は実施の形
態１０に係るマイクロ波半導体装置を示す。この実施の
形態１０は、一方の層の誘電体基板１にマイクロストリ
ップアンテナ３０を形成し、これらをクラスタ給電で電
力分配／合成したものである。給電回路はマイクロスト
リップアンテナ３０と同一基板面に形成したマイクロス
トリップ線路でなる。マイクロストリップ素子アンテナ
は約１／２波長間隔で配列されるため約１／２波長で共
振するアンテナ素子の間の間隔は狭い。２５は層間を接
続するマイクロ波回路であり、広いスペースを有する他
層の誘電体基板に構成した低雑音増幅器あるいは高出力
増幅器等マイクロ波半導体回路３３に接続が可能であ
る。
態１０に係るマイクロ波半導体装置を示す。この実施の
形態１０は、一方の層の誘電体基板１にマイクロストリ
ップアンテナ３０を形成し、これらをクラスタ給電で電
力分配／合成したものである。給電回路はマイクロスト
リップアンテナ３０と同一基板面に形成したマイクロス
トリップ線路でなる。マイクロストリップ素子アンテナ
は約１／２波長間隔で配列されるため約１／２波長で共
振するアンテナ素子の間の間隔は狭い。２５は層間を接
続するマイクロ波回路であり、広いスペースを有する他
層の誘電体基板に構成した低雑音増幅器あるいは高出力
増幅器等マイクロ波半導体回路３３に接続が可能であ
る。
【００７６】すなわち、実施の形態１０は、第１及び第
２の誘電体基板のいずれか一方の基板上にマイクロスト
リップ線路を介して電力の分配／合成が行われる複数の
マイクロストリップサブアレーアンテナを形成すると共
に、他方の基板上にマイクロ波回路２５を介して層間が
電磁結合されるマイクロストリップ線路に想像線で示す
マイクロ波半導体回路３３を挿入することにより、一方
の基板面だけではスペースが狭く構成出来ないマイクロ
波半導体回路３３を簡単な構成の非接触接続を用いるこ
とによりアンテナ面の裏面に構成でき、アンテナの高効
率化、低価格化が達成できる。
２の誘電体基板のいずれか一方の基板上にマイクロスト
リップ線路を介して電力の分配／合成が行われる複数の
マイクロストリップサブアレーアンテナを形成すると共
に、他方の基板上にマイクロ波回路２５を介して層間が
電磁結合されるマイクロストリップ線路に想像線で示す
マイクロ波半導体回路３３を挿入することにより、一方
の基板面だけではスペースが狭く構成出来ないマイクロ
波半導体回路３３を簡単な構成の非接触接続を用いるこ
とによりアンテナ面の裏面に構成でき、アンテナの高効
率化、低価格化が達成できる。
【００７７】実施の形態１１．次に、図１４は実施の形
態１１に係るマイクロ波半導体装置を示す。この実施の
形態１１は、複数の進行波形マイクロストリップアンテ
ナ３２を一方の誘電体基板１に設け、グレーティングロ
ープの発生を抑えるために１／２波長以下の間隔で配列
する。この一列の進行波形マイクロストリップアンテナ
アレーのマイクロストリップ線路でなる複数の入出力を
第１の発明のマイクロ波回路２５を介して他層に設けた
低雑音増幅器あるいは高出力増幅器等のマイクロ波半導
体回路３３に接続する。これら複数のマイクロ波半導体
回路３３の他方の入出力端子にはバトラーマトリクス３
５の波面形成端子を接続しバトラーマトリクスの給電端
子を多極単投スイッチ３６で切り替えてビーム走査を可
能にすることが出来る。なお、バトラーマトリクス及び
多極単投スイッチは一般的な回路構成で良いため回路詳
細の記述は省略する。この構成では、高効率、小型アン
テナを実現するとともにビーム走査を可能にすることが
できる。
態１１に係るマイクロ波半導体装置を示す。この実施の
形態１１は、複数の進行波形マイクロストリップアンテ
ナ３２を一方の誘電体基板１に設け、グレーティングロ
ープの発生を抑えるために１／２波長以下の間隔で配列
する。この一列の進行波形マイクロストリップアンテナ
アレーのマイクロストリップ線路でなる複数の入出力を
第１の発明のマイクロ波回路２５を介して他層に設けた
低雑音増幅器あるいは高出力増幅器等のマイクロ波半導
体回路３３に接続する。これら複数のマイクロ波半導体
回路３３の他方の入出力端子にはバトラーマトリクス３
５の波面形成端子を接続しバトラーマトリクスの給電端
子を多極単投スイッチ３６で切り替えてビーム走査を可
能にすることが出来る。なお、バトラーマトリクス及び
多極単投スイッチは一般的な回路構成で良いため回路詳
細の記述は省略する。この構成では、高効率、小型アン
テナを実現するとともにビーム走査を可能にすることが
できる。
【００７８】すなわち、実施の形態１１は、第１及び第
２の誘電体基板のいずれか一方の基板上に１／２波長以
下の間隔で並列に複数の進行波形マイクロストリップア
ンテナ３２を配置して形成すると共に、他方の基板上に
形成されて上記マイクロ波回路２５を介して層間が電磁
結合されるマイクロストリップ線路と該マイクロ波回路
２５との間に、想像線で示すように、複数のマイクロ波
半導体回路３３と、この複数のマイクロ波半導体回路３
３の各出力端子にそれぞれ波面形成端子が接続されたバ
トラーマトリクス３５と、該バトラーマトリクス３５の
他端に接続された多極単投スイッチ３６とを挿入するこ
とにより、高効率、小型アンテナを実現するとともにビ
ーム走査を可能にすることができる。
２の誘電体基板のいずれか一方の基板上に１／２波長以
下の間隔で並列に複数の進行波形マイクロストリップア
ンテナ３２を配置して形成すると共に、他方の基板上に
形成されて上記マイクロ波回路２５を介して層間が電磁
結合されるマイクロストリップ線路と該マイクロ波回路
２５との間に、想像線で示すように、複数のマイクロ波
半導体回路３３と、この複数のマイクロ波半導体回路３
３の各出力端子にそれぞれ波面形成端子が接続されたバ
トラーマトリクス３５と、該バトラーマトリクス３５の
他端に接続された多極単投スイッチ３６とを挿入するこ
とにより、高効率、小型アンテナを実現するとともにビ
ーム走査を可能にすることができる。
【００７９】実施の形態１２．次に、図１５は実施の形
態１２に係るマイクロ波半導体装置を示す。この実施の
形態１２は、実施の形態１１によるマイクロ波回路にお
いて、マイクロ波半導体回路３３、バトラーマトリクス
３５、多極単投スイッチ３６をモノリシックマイクロ波
集積回路（ＭＭＩＣ）で構成したもので、アンテナを構
成する一方の誘電体基板はテフロン系の基板、他方はＧ
ａＡｓ系の半導体基板の場合でも、実施の形態１による
非接触層間接続を実現するマイクロ波回路は可能であ
る。なぜならば、誘電率が層間で変わっても、インピー
ダンスは定義でき実効的な誘電率も定義されて電気長が
決まるため、実施の形態１で示した条件は満たすことが
出来るからである。この実施の形態１２による構成では
ミリ波帯のような小型回路での実現性が高まる。
態１２に係るマイクロ波半導体装置を示す。この実施の
形態１２は、実施の形態１１によるマイクロ波回路にお
いて、マイクロ波半導体回路３３、バトラーマトリクス
３５、多極単投スイッチ３６をモノリシックマイクロ波
集積回路（ＭＭＩＣ）で構成したもので、アンテナを構
成する一方の誘電体基板はテフロン系の基板、他方はＧ
ａＡｓ系の半導体基板の場合でも、実施の形態１による
非接触層間接続を実現するマイクロ波回路は可能であ
る。なぜならば、誘電率が層間で変わっても、インピー
ダンスは定義でき実効的な誘電率も定義されて電気長が
決まるため、実施の形態１で示した条件は満たすことが
出来るからである。この実施の形態１２による構成では
ミリ波帯のような小型回路での実現性が高まる。
【００８０】すなわち、実施の形態１２は、実施の形態
１１に示すマイクロ波半導体回路３３とバトラーマトリ
クス３５及び多極単投スイッチ３６をモノリシックマイ
クロ波集積回路で構成することにより、ミリ波帯のよう
な小型回路での実現性を高めることができる。
１１に示すマイクロ波半導体回路３３とバトラーマトリ
クス３５及び多極単投スイッチ３６をモノリシックマイ
クロ波集積回路で構成することにより、ミリ波帯のよう
な小型回路での実現性を高めることができる。
【００８１】
【発明の効果】以上のように、この発明のマイクロ波半
導体装置によれば、地導体を挟み層状に重ねた第１及び
第２の誘電体基板の該地導体との対向面とは反対側の表
面にそれぞれ形成した特性インピーダンスＺ0 のマイク
ロストリップ線路の一端に、スタブ長を中心周波数で概
略１／４波長とする特性インピーダンスＺm の先端開放
のスタブ線路をそれぞれ接続すると共に、上記地導体
に、上記両マイクロストリップ線路と立体的に交差する
位置で該地導体を貫通するようにして上記両マイクロス
トリップ線路の層間を電磁結合させる線路長を中心周波
数で概略１／２波長とする特性インピーダンスＺs のス
ロット線路を設けて、使用する周波数帯域の上端周波数
をｆH 、下端周波数をｆL 、中心周波数をｆ0 ｛＝（ｆ
H＋ｆL）／２｝としたときに、式（１２）を満たす関係
に設定してなるマイクロ波回路を備えたので、異なる基
板に構成したマイクロストリップ線路の層間を電磁結合
で接続する際に中心周波数ｆ0 で整合がとれるだけでな
く、所望の帯域の上端周波数ｆH 、下端周波数ｆL でも
整合が可能で、広帯域な周波数で整合を得ることができ
る。
導体装置によれば、地導体を挟み層状に重ねた第１及び
第２の誘電体基板の該地導体との対向面とは反対側の表
面にそれぞれ形成した特性インピーダンスＺ0 のマイク
ロストリップ線路の一端に、スタブ長を中心周波数で概
略１／４波長とする特性インピーダンスＺm の先端開放
のスタブ線路をそれぞれ接続すると共に、上記地導体
に、上記両マイクロストリップ線路と立体的に交差する
位置で該地導体を貫通するようにして上記両マイクロス
トリップ線路の層間を電磁結合させる線路長を中心周波
数で概略１／２波長とする特性インピーダンスＺs のス
ロット線路を設けて、使用する周波数帯域の上端周波数
をｆH 、下端周波数をｆL 、中心周波数をｆ0 ｛＝（ｆ
H＋ｆL）／２｝としたときに、式（１２）を満たす関係
に設定してなるマイクロ波回路を備えたので、異なる基
板に構成したマイクロストリップ線路の層間を電磁結合
で接続する際に中心周波数ｆ0 で整合がとれるだけでな
く、所望の帯域の上端周波数ｆH 、下端周波数ｆL でも
整合が可能で、広帯域な周波数で整合を得ることができ
る。
【００８２】また、上記第１及び第２の誘電体基板のい
ずれか一方の基板上に形成したマイクロストリップ線路
にマイクロ波半導体回路を挿入し、該マイクロ波半導体
回路の出力を、他方の基板上に形成されて上記マイクロ
波回路を介して層間が電磁結合されたマイクロストリッ
プ線路の出力端子から送出するようにしたので、二つの
誘電体基板の一方に構成されるマイクロ波半導体回路と
他方に構成されるマイクロ波回路が地導体を介して背中
合わせに構成されるため、両者の回路間の干渉を低減で
きるだけでなく、広帯域にわたって電気的な接続を保つ
ことができる。
ずれか一方の基板上に形成したマイクロストリップ線路
にマイクロ波半導体回路を挿入し、該マイクロ波半導体
回路の出力を、他方の基板上に形成されて上記マイクロ
波回路を介して層間が電磁結合されたマイクロストリッ
プ線路の出力端子から送出するようにしたので、二つの
誘電体基板の一方に構成されるマイクロ波半導体回路と
他方に構成されるマイクロ波回路が地導体を介して背中
合わせに構成されるため、両者の回路間の干渉を低減で
きるだけでなく、広帯域にわたって電気的な接続を保つ
ことができる。
【００８３】また、上記マイクロ波半導体回路への入力
を、上記他方の基板上に形成されて他のマイクロ波回路
を介して層間が電磁結合された他のマイクロストリップ
線路の入力端子から得るようにしたので、非接触接続に
よりバイアスカットが出来ると共に地導体板により入出
力線路側回路とマイクロ波半導体回路の干渉を低減する
ことができる。
を、上記他方の基板上に形成されて他のマイクロ波回路
を介して層間が電磁結合された他のマイクロストリップ
線路の入力端子から得るようにしたので、非接触接続に
よりバイアスカットが出来ると共に地導体板により入出
力線路側回路とマイクロ波半導体回路の干渉を低減する
ことができる。
【００８４】また、上記一方の基板上に複数のマイクロ
波半導体回路を形成すると共に、上記他方の基板上に形
成されてそれぞれ上記マイクロ波回路を介して層間が電
磁結合されるマイクロストリップ線路により上記複数の
マイクロ波半導体回路への電力の分配及び上記複数のマ
イクロ波半導体回路からの出力電力の合成を行う電力分
配／合成手段を形成するように構成したので、バイアス
カットが出来るためコンデンサが不要になる共に裏面に
電力分配／合成などのマイクロ波回路を構成できるため
省スペースの電力合成マイクロ波増幅器が実現できる。
波半導体回路を形成すると共に、上記他方の基板上に形
成されてそれぞれ上記マイクロ波回路を介して層間が電
磁結合されるマイクロストリップ線路により上記複数の
マイクロ波半導体回路への電力の分配及び上記複数のマ
イクロ波半導体回路からの出力電力の合成を行う電力分
配／合成手段を形成するように構成したので、バイアス
カットが出来るためコンデンサが不要になる共に裏面に
電力分配／合成などのマイクロ波回路を構成できるため
省スペースの電力合成マイクロ波増幅器が実現できる。
【００８５】また、上記一方の基板上に形成された複数
のマイクロ波半導体回路をそれぞれ金属板で仕切ると共
に全体を金属筺体で覆うことにより、各々共振を防ぐ寸
法に設計された金属筺体に収納された複数のマイクロ波
半導体増幅器回路が電力分配／合成手段の構成と無関係
に構成できるため、電力合成／分配手段と独立して増幅
器を納める金属匡体を設計でき、不要共振のない電力合
成形高出力マイクロ波増幅器が実現できる。
のマイクロ波半導体回路をそれぞれ金属板で仕切ると共
に全体を金属筺体で覆うことにより、各々共振を防ぐ寸
法に設計された金属筺体に収納された複数のマイクロ波
半導体増幅器回路が電力分配／合成手段の構成と無関係
に構成できるため、電力合成／分配手段と独立して増幅
器を納める金属匡体を設計でき、不要共振のない電力合
成形高出力マイクロ波増幅器が実現できる。
【００８６】また、上記第１及び第２の誘電体基板のい
ずれか一方の基板上に形成したマイクロストリップ線路
の先端にプリントアンテナを形成し、該プリントアンテ
ナを、他方の基板上に形成されて上記マイクロ波回路を
介して層間が電磁結合されたマイクロストリップ線路の
入出力端子を介して外部回路と接続するようにすること
により、プリントアンテナ等の放射部を一方の誘電体基
板に設け、他方の誘電体基板には不要輻射の原因となる
マイクロ波半導体回路などの能動デバイスからなる回路
を構成し、この二つの回路を非接触で接続することでア
ンテナの放射特性に与える能動素子からの干渉を簡単な
構成で低減することができる。
ずれか一方の基板上に形成したマイクロストリップ線路
の先端にプリントアンテナを形成し、該プリントアンテ
ナを、他方の基板上に形成されて上記マイクロ波回路を
介して層間が電磁結合されたマイクロストリップ線路の
入出力端子を介して外部回路と接続するようにすること
により、プリントアンテナ等の放射部を一方の誘電体基
板に設け、他方の誘電体基板には不要輻射の原因となる
マイクロ波半導体回路などの能動デバイスからなる回路
を構成し、この二つの回路を非接触で接続することでア
ンテナの放射特性に与える能動素子からの干渉を簡単な
構成で低減することができる。
【００８７】また、上記第１及び第２の誘電体基板のい
ずれか一方の基板上に複数の進行波形マイクロストリッ
プアンテナを形成すると共に、他方の基板上に形成され
て上記複数の進行波形マイクロストリップアンテナとそ
れぞれ上記マイクロ波回路を介して層間が電磁結合され
るマイクロストリップ線路により電力の分配／合成を行
う電力分配／合成手段を形成するように構成することに
より、複数の進行波形マイクロストリップアンテナを一
方の誘電体基板に設け、他方の誘電体基板には電力分配
／合成手段を構成し、この二つの回路をマイクロ波回路
で接続することでアンテナ構成面の裏面に電力分配／合
成手段が構成でき小型化が図れる。
ずれか一方の基板上に複数の進行波形マイクロストリッ
プアンテナを形成すると共に、他方の基板上に形成され
て上記複数の進行波形マイクロストリップアンテナとそ
れぞれ上記マイクロ波回路を介して層間が電磁結合され
るマイクロストリップ線路により電力の分配／合成を行
う電力分配／合成手段を形成するように構成することに
より、複数の進行波形マイクロストリップアンテナを一
方の誘電体基板に設け、他方の誘電体基板には電力分配
／合成手段を構成し、この二つの回路をマイクロ波回路
で接続することでアンテナ構成面の裏面に電力分配／合
成手段が構成でき小型化が図れる。
【００８８】また、上記他方の基板上に形成した電力分
配／合成手段の給電点にマイクロ波半導体回路を挿入す
ることにより、電力分配／合成用給電回路の損失が少な
い給電点において低雑音増幅器等のマイクロ波半導体回
路を挿入でき、アンテナ構成平面の裏面にマイクロ波半
導体回路が構成でき小型化が図れるとともに、アンテナ
の雑音の低減を図ることが出来る。
配／合成手段の給電点にマイクロ波半導体回路を挿入す
ることにより、電力分配／合成用給電回路の損失が少な
い給電点において低雑音増幅器等のマイクロ波半導体回
路を挿入でき、アンテナ構成平面の裏面にマイクロ波半
導体回路が構成でき小型化が図れるとともに、アンテナ
の雑音の低減を図ることが出来る。
【００８９】また、上記一方の基板上に上記複数の進行
波形マイクロストリップアンテナを１／２波長以下の間
隔で並列に配置すると共に、上記他方の基板上にマイク
ロストリップ線路により構成される電力分配／合成手段
の分配／合成端子に移相器を備えるマイクロ波半導体回
路を挿入することにより、一方の層の誘電体基板に形成
したマイクロストリップ平面アンテナの他層の誘電体基
板に設けた低雑音増幅器あるいは高出力増幅器等に接続
でき、一方の基板面だけではスペースが狭く構成出来な
いマイクロ波半導体回路を非接触接続でアンテナ面の裏
面に構成でき、アンテナの高効率化、低価格化が達成で
きる。
波形マイクロストリップアンテナを１／２波長以下の間
隔で並列に配置すると共に、上記他方の基板上にマイク
ロストリップ線路により構成される電力分配／合成手段
の分配／合成端子に移相器を備えるマイクロ波半導体回
路を挿入することにより、一方の層の誘電体基板に形成
したマイクロストリップ平面アンテナの他層の誘電体基
板に設けた低雑音増幅器あるいは高出力増幅器等に接続
でき、一方の基板面だけではスペースが狭く構成出来な
いマイクロ波半導体回路を非接触接続でアンテナ面の裏
面に構成でき、アンテナの高効率化、低価格化が達成で
きる。
【００９０】また、上記第１及び第２の誘電体基板のい
ずれか一方の基板上にマイクロストリップ線路を介して
電力の分配／合成が行われる複数のマイクロストリップ
サブアレーアンテナを形成すると共に、他方の基板上に
上記マイクロ波回路を介して層間が電磁結合されるマイ
クロストリップ線路にマイクロ波半導体回路を挿入する
ことにより、グレーティングの発生を抑えるとともに、
このサブアレーのマイクロストリップ線路でなる複数の
入出力をマイクロ波回路を介して他層に設けた低雑音増
幅器あるいは高出力増幅器等のマイクロ波半導体回路に
接続するとともに、半導体回路にはそれぞれ可変移相器
を備え、高効率なアンテナを実現するとともにビーム走
査を可能にする。
ずれか一方の基板上にマイクロストリップ線路を介して
電力の分配／合成が行われる複数のマイクロストリップ
サブアレーアンテナを形成すると共に、他方の基板上に
上記マイクロ波回路を介して層間が電磁結合されるマイ
クロストリップ線路にマイクロ波半導体回路を挿入する
ことにより、グレーティングの発生を抑えるとともに、
このサブアレーのマイクロストリップ線路でなる複数の
入出力をマイクロ波回路を介して他層に設けた低雑音増
幅器あるいは高出力増幅器等のマイクロ波半導体回路に
接続するとともに、半導体回路にはそれぞれ可変移相器
を備え、高効率なアンテナを実現するとともにビーム走
査を可能にする。
【００９１】また、上記第１及び第２の誘電体基板のい
ずれか一方の基板上に１／２波長以下の間隔で並列に複
数の進行波形マイクロストリップアンテナを配置して形
成すると共に、他方の基板上に形成されて上記マイクロ
波回路を介して層間が電磁結合されるマイクロストリッ
プ線路と該マイクロ波回路との間に、複数のマイクロ波
半導体回路と、この複数のマイクロ波半導体回路の各出
力端子にそれぞれ波面形成端子が接続されたバトラーマ
トリクスと、該バトラーマトリクスの他端に接続された
多極単投スイッチとを挿入することにより、複数の進行
波形マイクロストリップサブアレーアンテナの間隔を１
／２波長以下にし、特定の平面内でグレーティングの発
生を抑えるとともに、このサブアレーのマイクロストリ
ップ線路でなる複数の入出力をマイクロ波回路を介して
他層に設けた低雑音増幅器あるいは高出力増幅器等のマ
イクロ波半導体回路に接続するとともに、これら半導体
回路の複数の入力あるいは出力端子にはバトラーマトリ
クスの波面形成端子を接続しバトラーマトリクスの給電
端子を多極単投スイッチで切り替えてビーム走査を可能
にすることが出来る。この構成では高効率、小型アンテ
ナを実現するとともにビーム走査を可能にする。
ずれか一方の基板上に１／２波長以下の間隔で並列に複
数の進行波形マイクロストリップアンテナを配置して形
成すると共に、他方の基板上に形成されて上記マイクロ
波回路を介して層間が電磁結合されるマイクロストリッ
プ線路と該マイクロ波回路との間に、複数のマイクロ波
半導体回路と、この複数のマイクロ波半導体回路の各出
力端子にそれぞれ波面形成端子が接続されたバトラーマ
トリクスと、該バトラーマトリクスの他端に接続された
多極単投スイッチとを挿入することにより、複数の進行
波形マイクロストリップサブアレーアンテナの間隔を１
／２波長以下にし、特定の平面内でグレーティングの発
生を抑えるとともに、このサブアレーのマイクロストリ
ップ線路でなる複数の入出力をマイクロ波回路を介して
他層に設けた低雑音増幅器あるいは高出力増幅器等のマ
イクロ波半導体回路に接続するとともに、これら半導体
回路の複数の入力あるいは出力端子にはバトラーマトリ
クスの波面形成端子を接続しバトラーマトリクスの給電
端子を多極単投スイッチで切り替えてビーム走査を可能
にすることが出来る。この構成では高効率、小型アンテ
ナを実現するとともにビーム走査を可能にする。
【００９２】さらに、上記マイクロ波半導体回路と上記
バトラーマトリクス及び上記多極単投スイッチをモノリ
シックマイクロ波集積回路で構成することにより、一方
はテフロン系の誘電体基板、他方はＧａＡｓ系の半導体
基板の場合でも非接触層間接続は可能で、ミリ波帯のよ
うな小型回路での実現性が高まる。
バトラーマトリクス及び上記多極単投スイッチをモノリ
シックマイクロ波集積回路で構成することにより、一方
はテフロン系の誘電体基板、他方はＧａＡｓ系の半導体
基板の場合でも非接触層間接続は可能で、ミリ波帯のよ
うな小型回路での実現性が高まる。
【図１】 この発明の実施の形態１に係るマイクロ波半
導体装置の概略構成を示す斜視図及び断面図である。
導体装置の概略構成を示す斜視図及び断面図である。
【図２】 図１に示すマイクロ波半導体装置の等価回路
図である。
図である。
【図３】 図２に示す等価回路図の回路解析及び整合条
件と帯域を求めるための等価回路図である。
件と帯域を求めるための等価回路図である。
【図４】 図１に示す実施の形態１に係るマイクロ波半
導体装置による層間接続の反射特性を示す特性図であ
る。
導体装置による層間接続の反射特性を示す特性図であ
る。
【図５】 この発明の実施の形態２に係るマイクロ波半
導体装置の概略構成図である。
導体装置の概略構成図である。
【図６】 この発明の実施の形態３に係るマイクロ波半
導体装置の概略構成図である。
導体装置の概略構成図である。
【図７】 この発明の実施の形態４に係るマイクロ波半
導体装置の概略構成図である。
導体装置の概略構成図である。
【図８】 この発明の実施の形態５に係るマイクロ波半
導体装置の概略構成図である。
導体装置の概略構成図である。
【図９】 この発明の実施の形態６に係るマイクロ波半
導体装置の概略構成図である。
導体装置の概略構成図である。
【図１０】 この発明の実施の形態７に係るマイクロ波
半導体装置の概略構成図である。
半導体装置の概略構成図である。
【図１１】 この発明の実施の形態８に係るマイクロ波
半導体装置の概略構成図である。
半導体装置の概略構成図である。
【図１２】 この発明の実施の形態９に係るマイクロ波
半導体装置の概略構成図である。
半導体装置の概略構成図である。
【図１３】 この発明の実施の形態１０に係るマイクロ
波半導体装置の概略構成図である。
波半導体装置の概略構成図である。
【図１４】 この発明の実施の形態１１に係るマイクロ
波半導体装置の概略構成図である。
波半導体装置の概略構成図である。
【図１５】 この発明の実施の形態１２に係るマイクロ
波半導体装置の概略構成図である。
波半導体装置の概略構成図である。
【図１６】 従来の層間接続に用いるマイクロ波回路の
構成を示す平面図及び断面図である。
構成を示す平面図及び断面図である。
【図１７】 従来の電磁結合による層間接続のマイクロ
波回路の構成を示す平面図及び断面図である。
波回路の構成を示す平面図及び断面図である。
１ 第１の誘電体基板、２ 第２の誘電体基板、３ 地
導体、４ 第１のストリップ導体、５ 第２のストリッ
プ導体、６ 第１のマイクロストリップ線路、７ 第２
のマイクロストリップ線路、１５ 特性インピーダンス
Ｚm の第１のスタブ線路、１６ 特性インピーダンスＺ
m の第２のスタブ線路、１７ 特性インピーダンスＺs
のスロット線路、１９ 電界効果トランジスタ、２０
入力整合回路、２１ 出力整合回路、２４ 出力端子、
２５ 層間接続部、２６ 入力端子、２７ 入力端子、
２８ 電力分配／合成手段、２９ シールドケース、３
０ マイクロストリップアンテナ、３１ 給電線路、３
２ 進行波形マイクロストリップアンテナ、３３ マイ
クロ波半導体回路、３４ 移相器、３５ バトラーマト
リクス、３６ 多極単投スイッチ、３７ ＭＭＩＣ。
導体、４ 第１のストリップ導体、５ 第２のストリッ
プ導体、６ 第１のマイクロストリップ線路、７ 第２
のマイクロストリップ線路、１５ 特性インピーダンス
Ｚm の第１のスタブ線路、１６ 特性インピーダンスＺ
m の第２のスタブ線路、１７ 特性インピーダンスＺs
のスロット線路、１９ 電界効果トランジスタ、２０
入力整合回路、２１ 出力整合回路、２４ 出力端子、
２５ 層間接続部、２６ 入力端子、２７ 入力端子、
２８ 電力分配／合成手段、２９ シールドケース、３
０ マイクロストリップアンテナ、３１ 給電線路、３
２ 進行波形マイクロストリップアンテナ、３３ マイ
クロ波半導体回路、３４ 移相器、３５ バトラーマト
リクス、３６ 多極単投スイッチ、３７ ＭＭＩＣ。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) H01P 5/02 603 H01Q 3/40 H01Q 13/08 H01Q 13/20 ＪＩＣＳＴファイル（ＪＯＩＳ)
Claims (12)
- 【請求項１】 地導体を挟み層状に重ねた第１及び第２
の誘電体基板の該地導体との対向面とは反対側の表面に
それぞれ形成した特性インピーダンスＺ0 のマイクロス
トリップ線路の一端に、スタブ長を中心周波数で概略１
／４波長とする特性インピーダンスＺm の先端開放のス
タブ線路をそれぞれ接続すると共に、上記地導体に、上
記両マイクロストリップ線路と立体的に交差する位置で
該地導体を貫通するようにして上記両マイクロストリッ
プ線路の層間を電磁結合させる線路長を中心周波数で概
略１／２波長とする特性インピーダンスＺs のスロット
線路を設けて、使用する周波数帯域の上端周波数をｆ
H 、下端周波数をｆL 、中心周波数をｆ0 ｛＝（ｆH＋
ｆL）／２｝としたときに、 【数１】 を満たす関係に設定してなるマイクロ波回路を備えたマ
イクロ波半導体装置。 - 【請求項２】 請求項１記載のマイクロ波半導体装置に
おいて、上記第１及び第２の誘電体基板のいずれか一方
の基板上に形成したマイクロストリップ線路にマイクロ
波半導体回路を挿入し、該マイクロ波半導体回路の出力
を、他方の基板上に形成されて上記マイクロ波回路を介
して層間が電磁結合されたマイクロストリップ線路の出
力端子から送出することを特徴とするマイクロ波半導体
装置。 - 【請求項３】 請求項２記載のマイクロ波半導体装置に
おいて、上記マイクロ波半導体回路への入力を、上記他
方の基板上に形成されて他のマイクロ波回路を介して層
間が電磁結合された他のマイクロストリップ線路の入力
端子から得ることを特徴とするマイクロ波半導体装置。 - 【請求項４】 請求項３記載のマイクロ波半導体装置に
おいて、上記一方の基板上に複数のマイクロ波半導体回
路を形成すると共に、上記他方の基板上に形成されてそ
れぞれ上記マイクロ波回路を介して層間が電磁結合され
るマイクロストリップ線路により上記複数のマイクロ波
半導体回路への電力の分配及び上記複数のマイクロ波半
導体回路からの出力電力の合成を行う電力分配／合成手
段を形成するように構成したことを特徴とするマイクロ
波半導体装置。 - 【請求項５】 請求項４記載のマイクロ波半導体装置に
おいて、上記一方の基板上に形成された複数のマイクロ
波半導体回路をそれぞれ金属板で仕切ると共に全体を金
属筺体で覆ったことを特徴とするマイクロ波半導体装
置。 - 【請求項６】 請求項１記載のマイクロ波半導体装置に
おいて、上記第１及び第２の誘電体基板のいずれか一方
の基板上に形成したマイクロストリップ線路の先端にプ
リントアンテナを形成し、該プリントアンテナを、他方
の基板上に形成されて上記マイクロ波回路を介して層間
が電磁結合されたマイクロストリップ線路の入出力端子
を介して外部回路と接続するようにしたことを特徴とす
るマイクロ波半導体装置。 - 【請求項７】 請求項１記載のマイクロ波半導体装置に
おいて、上記第１及び第２の誘電体基板のいずれか一方
の基板上に複数の進行波形マイクロストリップアンテナ
を形成すると共に、他方の基板上に形成されて上記複数
の進行波形マイクロストリップアンテナとそれぞれ上記
マイクロ波回路を介して層間が電磁結合されるマイクロ
ストリップ線路により電力の分配／合成を行う電力分配
／合成手段を形成するように構成したことを特徴とする
マイクロ波半導体装置。 - 【請求項８】 請求項７記載のマイクロ波半導体装置に
おいて、上記他方の基板上に形成した電力分配／合成手
段の給電点にマイクロ波半導体回路を挿入したことを特
徴とするマイクロ波半導体装置。 - 【請求項９】 請求項７記載のマイクロ波半導体装置に
おいて、上記一方の基板上に上記複数の進行波形マイク
ロストリップアンテナを１／２波長以下の間隔で並列に
配置すると共に、上記他方の基板上にマイクロストリッ
プ線路により構成される電力分配／合成手段の分配／合
成端子に移相器を備えるマイクロ波半導体回路を挿入し
たことを特徴とするマイクロ波半導体装置。 - 【請求項１０】 請求項１記載のマイクロ波半導体装置
において、上記第１及び第２の誘電体基板のいずれか一
方の基板上にマイクロストリップ線路を介して電力の分
配／合成が行われる複数のマイクロストリップサブアレ
ーアンテナを形成すると共に、他方の基板上に上記マイ
クロ波回路を介して層間が電磁結合されるマイクロスト
リップ線路にマイクロ波半導体回路を挿入したことを特
徴とするマイクロ波半導体装置。 - 【請求項１１】 請求項１記載のマイクロ波半導体装置
において、上記第１及び第２の誘電体基板のいずれか一
方の基板上に１／２波長以下の間隔で並列に複数の進行
波形マイクロストリップアンテナを配置して形成すると
共に、他方の基板上に形成されて上記マイクロ波回路を
介して層間が電磁結合されるマイクロストリップ線路と
該マイクロ波回路との間に、複数のマイクロ波半導体回
路と、この複数のマイクロ波半導体回路の各出力端子に
それぞれ波面形成端子が接続されたバトラーマトリクス
と、該バトラーマトリクスの他端に接続された多極単投
スイッチとを挿入したことを特徴とするマイクロ波半導
体装置。 - 【請求項１２】 請求項１１記載のマイクロ波半導体装
置において、上記マイクロ波半導体回路と上記バトラー
マトリクス及び上記多極単投スイッチをモノリシックマ
イクロ波集積回路で構成したことを特徴とするマイクロ
波半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11094496A JP3278348B2 (ja) | 1996-05-01 | 1996-05-01 | マイクロ波半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11094496A JP3278348B2 (ja) | 1996-05-01 | 1996-05-01 | マイクロ波半導体装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09298409A JPH09298409A (ja) | 1997-11-18 |
| JP3278348B2 true JP3278348B2 (ja) | 2002-04-30 |
Family
ID=14548518
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11094496A Expired - Fee Related JP3278348B2 (ja) | 1996-05-01 | 1996-05-01 | マイクロ波半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3278348B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2004312364A (ja) * | 2003-04-07 | 2004-11-04 | Murata Mfg Co Ltd | アンテナ構造およびそれを備えた通信機 |
| EP3764459A4 (en) * | 2018-03-08 | 2021-12-01 | Nippon Telegraph And Telephone Corporation | WIRELESS CIRCUIT AND DEVICE |
Families Citing this family (14)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3140385B2 (ja) * | 1996-12-18 | 2001-03-05 | 京セラ株式会社 | 高周波用半導体装置 |
| JPH11150404A (ja) * | 1997-11-17 | 1999-06-02 | Nec Corp | 半導体実装部品ならびに実装方法 |
| JP3126694B2 (ja) * | 1998-02-03 | 2001-01-22 | 株式会社東芝 | マイクロ波回路装置 |
| SE518428C2 (sv) * | 1998-04-27 | 2002-10-08 | Ericsson Telefon Ab L M | Anpassat ledande skikt |
| JP2000091817A (ja) * | 1998-09-14 | 2000-03-31 | Toshiba Corp | アレイアンテナ装置 |
| JP4089043B2 (ja) * | 1998-10-20 | 2008-05-21 | 日立化成工業株式会社 | ビームスキャン用平面アンテナ |
| JP2000151267A (ja) * | 1998-11-17 | 2000-05-30 | Mitsubishi Electric Corp | アンテナ装置 |
| EP1069639B1 (en) | 1999-06-29 | 2006-04-26 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Radio-frequency circuit module |
| US6882239B2 (en) | 2001-05-08 | 2005-04-19 | Formfactor, Inc. | Electromagnetically coupled interconnect system |
| JP3917112B2 (ja) * | 2003-06-26 | 2007-05-23 | 日本電信電話株式会社 | マルチビームアンテナ |
| US7466157B2 (en) | 2004-02-05 | 2008-12-16 | Formfactor, Inc. | Contactless interfacing of test signals with a device under test |
| JP5440898B2 (ja) * | 2008-04-08 | 2014-03-12 | 日立金属株式会社 | 高周波伝送線路およびそれを用いた回路基板 |
| JP4996640B2 (ja) * | 2009-03-10 | 2012-08-08 | 株式会社東芝 | アンテナ装置、レーダ装置 |
| CN103401051B (zh) * | 2013-08-15 | 2015-03-04 | 东南大学 | 基于径向线和基片集成波导的宽带功率合成器 |
-
1996
- 1996-05-01 JP JP11094496A patent/JP3278348B2/ja not_active Expired - Fee Related
Non-Patent Citations (2)
| Title |
|---|
| ＩＥＥＥ Ｔｒａｎｓ．ＭＴＴ，Ｖｏｌ．４０，Ｎｏ．１，１９９２，ｐｐ．８１−８８ |
| ＩＥＥＥ Ｔｒａｎｓ．ＭＴＴ，Ｖｏｌ．４３，Ｎｏ．７，１９９５，ｐｐ．１５１６−１５２３ |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2004312364A (ja) * | 2003-04-07 | 2004-11-04 | Murata Mfg Co Ltd | アンテナ構造およびそれを備えた通信機 |
| EP3764459A4 (en) * | 2018-03-08 | 2021-12-01 | Nippon Telegraph And Telephone Corporation | WIRELESS CIRCUIT AND DEVICE |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH09298409A (ja) | 1997-11-18 |
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|---|---|---|---|
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