JP5440898B2 - 高周波伝送線路およびそれを用いた回路基板 - Google Patents

Description

本発明は、準ミリ波帯域やミリ波帯域等の高周波信号を取り扱う伝送線路構造およびそれを用いた高周波部品に関する。

準ミリ波帯域（１０GHｚ〜３０GHｚ）やミリ波帯域（３０GHｚ〜３００GHｚ）の高周波信号を取り扱う回路部品に用いられる伝送線路には、従来から図１３に示すマイクロストリップ線路、コプラーナ線路などが用いられてきた。図１３に示すようにマイクロストリップ線路では、線路導体４３が誘電体層４１を介して接地導体４２に対向している。かかる構造はセラミックス、樹脂等の基板の一方の主面に信号線路、他方の主面に接地導体を形成して得られる。送受信システムの配線基板、フロントエンドモジュールなどのように、設置空間が限られる用途に用いられる回路部品には小型化・高集積化が要求され、それに用いられる伝送線路構造も小型化・高集積化に対応したものが要求されている。

しかしながら伝送線路の小型化が進むと、直流抵抗の増加等によって伝送損失が増加してしまう。これに対して、特許文献１には、伝送損失の抑制を目的として、第１の誘電体層と、第１の誘電体層よりも誘電率の高い第２の誘電体層を用い、第２の誘電体層を地導体側に配置した構成が開示されている。

特開平１１−２６１３０６号公報

準ミリ波帯域やミリ波帯域用の伝送線路では、信号線路の寸法誤差や形状の不均一性が伝送損失に大きく影響する。例えば、電界は信号線路のエッジ部分に集中するため、該エッジ部分の影響が大きいため、信号線路と接地導体に挟まれる誘電体層の構成を変更するだけでは伝送損失の低減は十分ではない。特に、基板表面に設けられた信号線路を、めっき等によって複層の導体層として形成すると、複層化によって信号線路のエッジ部分の性状が変わってしまい、伝送損失が大きくなってしまう。また、基板表面に設けられた信号線路全体にめっき膜等を形成すると、成膜に関するコストが増加してしまう。

本発明は上述の問題点に鑑み、準ミリ波帯域やミリ波帯域用の伝送線路において、コスト的に有利であり、伝送損失の低減にも好適な構成を提供することを目的とする。

本発明の高周波伝送線路は、第１の誘電体層に形成された線路導体と、前記第１の誘電体層を介して前記線路導体に対向する接地導体とを備える準ミリ波帯またはミリ波帯用の高周波伝送線路であって、前記線路導体を挟んで前記第１の誘電体層とは反対側に前記線路導体を被覆する第２の誘電体層が設けられ、前記線路導体は、前記接地導体と対向する方向に垂直な方向の異なる位置に他の導体との接続部を複数有し、前記複数の接続部のうち少なくとも一つは、前記第２の誘電体層の非形成部を用いて構成され、前記第２の誘電体層の比誘電率をεｒとしたとき、前記第２の誘電体層の厚さｄ２（μｍ）が、 ｄ２＜−１２５×εｒ＋１７５ を満たすことを特徴とする。該構成では、線路導体の大部分を誘電体層で覆うために、該線路導体部分には保護等の目的で導体層を形成する必要がない。さらに、例えば電気抵抗率の高い他の導体が形成されることがないため、電気抵抗率の高い他の導体が接地導体に対向すること、およびそれによって伝送損失が増加することを抑制することができる。また、第２の誘電体層を設けることの損失低減への実効を確保するためには、第２の誘電体層の厚さｄ２を、かかる構成とするのが好ましい。

また、前記高周波伝送線路において、前記非形成部は、前記線路導体上に形成された、前記第２の誘電体層の開口部であるとともに、前記開口部は前記線路導体の外縁よりも内側に形成されていることが好ましい。かかる構成は、開口部内に位置する線路導体上にさらに導体層を設けても、線路導体の方が大きいため、該導体層が接地導体と対向することを防ぐうえで好ましい。また、接続部に用いるはんだ等が接地導体と対向することを抑制することができる。

さらに、前記高周波伝送線路において、前記開口部内に位置する前記線路導体上には、前記線路導体よりも電気抵抗率の高い導体層が設けられ、前記開口部の深さ方向において、前記導体層の表面の高さが前記第２の誘電体層の表面の高さと同じか、それよりも低いことが好ましい。かかる構成によれば、電気抵抗率が高い導体層が開口部からはみ出て接地導体と対向することを防ぐことができる。

さらに、前記高周波伝送線路において、前記線路導体は、前記開口部よりも末端側に、他の部分よりも幅の大きい拡張部を有することが好ましい。かかる構成によれば、線路導体と他の導体とをボンディングワイヤで接続する際のインピーダンス整合が容易になる。

さらに、前記高周波伝送線路において、前記第２の誘電体層の比誘電率は、前記第１の誘電体層の比誘電率よりも低いことが好ましい。かかる構成によれば、第２の誘電体層に起因する損失を抑制し、第２の誘電体層を設けることの実効を高めることができる。

本発明の回路基板は、準ミリ波帯またはミリ波帯の信号を取り扱う回路を誘電体基板に構成した回路基板であって、前記回路の少なくとも一部に前記高周波伝送線路を用いたことを特徴とする。前記高周波伝送線路を用いて構成した回路基板は、準ミリ波帯またはミリ波帯の信号を取り扱う際の線路損失を低減するうえ好適である。

本発明によれば、準ミリ波帯域やミリ波帯域用の伝送線路において、コスト的に有利な構成、さらには伝送損失の低減に好適な構成を提供することが可能となる。

本発明に係る高周波伝送線路の一実施形態を示す図である。 本発明に係る高周波伝送線路の他の実施形態を示す図である。 本発明に係る高周波伝送線路の一実施形態における開口部の拡大図である。 本発明に係る高周波伝送線路の一実施形態における誘電体層の寸法関係を示す図である。 本発明に係る高周波伝送線路における誘電体層の厚さと線路損失との関係を示す図である。 比誘電率と第２の誘電体層の厚さとの関係を示す図である。 本発明に係る高周波伝送線路における誘電体層の厚さと線路損失との関係を示す図である。 本発明に係る高周波伝送線路における誘電体層の厚さと線路損失との関係を示す図である。 本発明に係る回路基板の一実施形態を示す図である。 本発明に係る回路基板の他の実施形態を示す図である。 本発明に係る高周波伝送線路の他の実施形態を示す図である。 本発明に係る回路基板の他の実施形態を示す図である。 従来の高周波伝送線路を示す図である。 従来の高周波伝送線路を示す図である

以下、本発明の実施形態について図面を参照して説明する。図１は本発明に係る準ミリ波帯またはミリ波帯用高周波伝送線路の第１の実施形態を示す。図１（ａ）は高周波伝送線路の構造のうち、第１の誘電体層に設けられた線路導体と、それを被覆する第２の誘電体層を、第２の誘電体層側から見た平面図であり、図１（ｂ）は図１（ａ）のＡ−Ａ’の部分での断面構造を拡大して示した図である。図１に示す実施形態は、第１の誘電体層５に形成され、帯状に延設された線路導体１と、第１の誘電体層５を介して線路導体１に対向する接地導体６とを備えるマイクロストリップライン構造である。また、比較のために従来例としての高周波伝送線路を図１３に示す。

図１３に示す従来の高周波伝送線路では、誘電体層４１を介して接地導体４２と対向して配置された線路導体４３は回路基板等の表面に露出している。該線路導体の酸化防止や端子電極の電気的接続性向上を目的として回路基板をめっき処理すると、めっき膜４４は被めっき物表面全体に形成されてしまう。このため、めっき膜に高価なＡｕ等を使う場合、材料コストが増加してしまう。さらに、めっき膜４４は被めっき物表面に等方的に析出するため、線路導体４３の縁端部の側面側にもめっき膜４４が回り込み、めっき膜４４の一部が接地導体４２に対向する構造となってしまう（図１４）。導体損失を抑えるために、線路導体としてはＡｇなどの電気抵抗率の低い材料が使用される一方、めっき膜には上述の目的から下地にＮｉ膜および表層にＡｕ膜が用いられることが多い。そのため、電気抵抗率の高いＮｉ膜が、高周波電流の電流密度が高くなる、線路導体４３の縁端部に形成されるとともに、接地導体４２に対して対向する構成となるため、線路損失が大きくなる。

これに対して、図１に示す実施形態は、線路導体１を挟んで第１の誘電体層５とは反対側に線路導体１を被覆する第２の誘電体層２が設けられている。線路導体１を被覆する第２の誘電体層２を設けることで、被覆された部分では図１４に示すようなめっき等の保護膜を形成する必要がなくなる。そのため、めっき等の導体膜の材料コストが低減されるとともに、伝送損失が低減される。線路導体１は、接地導体６に対向する方向に垂直な方向、すなわち線路導体の延設方向の異なる位置に、他の導体との接続部を複数（接続部３、４）有する。複数の接続部３、４は、第２の誘電体層２の非形成部を用いて構成されている。接続部、すなわち該非形成部に露出した線路導体１を用いて、他の回路素子、基板等の導体との接続を行う。図１に示す実施形態では、接続部３、４は線路導体１の両端に形成されており、線路導体の大部分は第２の誘電体層２によって被覆されている。

図１に示す実施形態では、接続部３、４は二つとも第２の誘電体層２の非形成部を用いて構成されているが、接続部の構成はかかる構成に限定されるものではない。接続部のうち少なくとも一つが、第２の誘電体層２の非形成部を用いて構成されていればよい。接続部に係る他の構成として、例えば、第１の誘電体層５にビアホールを設け、該ビアホールに設けたビア電極と、線路導体１の第１の誘電体層側とを接続することもできる。この場合、線路導体１のうち該ビア電極に接続される部分が接続部となる。また、接続部を三つ以上形成してもよい。第２の誘電体層２の非形成部の構成としては、図１に示すように、線路導体１の先端全体が被覆されていない構成の他、最先端部は被覆して線路導体１の中途に非形成部を設ける構成を用いることもできる。

第２の誘電体層２の非形成部の構成が異なる、他の実施形態を図２に示す。図２（ａ）は、高周波伝送線路の構造のうち、第１の誘電体層に設けられた線路導体と、それを被覆する第２の誘電体層を、第２の誘電体層側から見た平面図であり、図２（ｂ）は、図２（ａ）のＢ−Ｂ’の部分での断面構造を拡大して示した図である。図２に示す実施形態は、第１の誘電体層１１に形成され、帯状に延設された線路導体７と、第１の誘電体層１１を介して線路導体７に対向する接地導体１２とを備える点、線路導体７を挟んで第１の誘電体層１１とは反対側に線路導体７を被覆する第２の誘電体層８が設けられている点は、図１に示す実施形態と同様である。線路導体７は、接地導体１２に対向する方向に垂直な方向、すなわち線路導体の延設方向の異なる位置に、他の導体との接続部を複数（接続部９、１０）有する。該接続部の構成が図１の実施形態と異なる。図２の実施形態では、第２の誘電体層８の非形成部は、線路導体７上に形成された第２の誘電体層８の開口部であるとともに、該開口部は線路導体７の外縁よりも内側に形成されている。図2に示すように、矩形の開口部の各辺は帯状の線路導体７の幅よりも小さくしてあり、図２（ｂ）に示すように、線路導体７はその接続部において縁の部分は第２の誘電体層８に覆われている。図２に示す構成では、開口部内には線路導体７の縁端部は配置されていない。したがって、線路導体７の縁端部全体が第２の誘電体層８に被覆されるので、上述のような線路導体の縁端部側面側へのめっき膜の回り込みの影響をより確実に防ぐことができる。また、接続部が線路導体７の外縁よりも内側に形成されているので、はんだ等を用いて他の導体と接続する際も、はんだ等が線路導体７の外縁からはみ出ることが抑制される。

図２に示す実施形態において、開口部内の位置する線路導体上にめっき等によって導体層を形成する場合、図３に示す構成を備えることが好ましい。図３は第２の誘電体層の開口部近傍の拡大図である。第２の誘電体層１４の開口部に露出した線路導体１３上に、線路導体１３よりも電気抵抗率が高い導体層１５および１６が設けられている。線路導体にはＡｇやＣｕなど電気抵抗率が低い金属材料が用いられる。さらに、これらの材料で構成された線路導体の保護等の目的で、耐酸化性等の安定性がより優れるＮｉ、Ａｕなどが被覆される。被覆として形成されるＮｉなどの材料は、線路導体の材料よりも電気抵抗率が高い。図３に示す構成は、例えば、Ａｇの線路導体１３に対して、下地膜である導体層１５としてＮｉを、表層である導体層１６としてＡｕをめっきで成膜して得られる。めっきされる線路導体の接続部は周囲を開口の内面で囲まれているため、電界めっきおよび無電界めっきの場合とも、下地膜およびそれを被覆する表層は開口を埋めるように上方の堆積していく。そのため、開口部の深さ方向において、線路導体１３よりも電気抵抗率が高い導体層１５、１６の表面の高さが第２の誘電体層１４の表面の高さと同じか、それよりも低くなるようにすれば、電気抵抗率が高い導体層が線路導体１３の接続部からはみ出すことを防ぐことができる。図３に示す構成では、表層のめっき膜である導体層１６の高さが第２の誘電体層１４の表面の高さよりも低くなるようにしてある。

なお、線路導体１３よりも電気抵抗率が高い導体層は二層に限定されるものではなく、一層でもよいし、三層以上でもよい。また、線路導体１３よりも電気抵抗率が高い導体層の他に、電気抵抗率が同じ導体層や電気抵抗率が低い導体層が形成されていてもよい。これら線路導体１３の材料と電気抵抗率が同じか、それ以下の材料を用いた導体層が表層に形成される場合、かかる電気抵抗率が低い導体層部分については、第２の誘電体層の高さよりも高くなってもよい。但し、接続部に他の導体を接続する際に用いられるはんだ等のはみ出しを抑えるためには、開口部に設けられる導体全体の高さが第２の誘電体層の高さと同じか、それよりも低いことが好ましく、低い方が特に好ましい。

開口部の形状はこれを特に限定するものではなく、例えば矩形や円形を用いることができる。開口部の大きさは、例えば、搭載部品と線路をワイヤボンディングで接続する場合であれば、製造歩留まりを確保し、かつ、実装面積を小面積とするために、縦３００μｍ以下、横３００μｍ以下の矩形形状または直径３００μｍ以下の円形形状であることが好ましい。ただし、開口部寸法の形状安定性の観点からは、縦５０μｍ以上、横５０μｍ以上の矩形形状または直径５０μｍ以上の円形形状であることが好ましい。

第１の誘電体層および第２の誘電体層には、絶縁体との区別を要さず、広く誘電体材料を用いることができる。例えば、樹脂やセラミックス等を用いることができる。セラミックスを用いる場合は、例えば、導体パターンが形成された誘電体シートを用いる通常のＬＴＣＣ（Ｌｏｗ Ｔｗｍｐｅｒａｔｕｒｅ Ｃｏ−ｆｉｒｅｄ Ｃｅｒａｍｉｃｓ）技術を用いればよい。第２の誘電体層は、シートで構成してもよいし、印刷等によるオーバーコートで構成してもよい。第１の誘電体層と第２の誘電体層とで同じ組成の材料を用いてもよいし、異なる組成の材料を用いてもよい。準ミリ波帯やミリ波帯のような高周波帯域では、誘電損失の影響が大きくなる。そのため、本発明に係る構成において、第２の誘電体層の比誘電率は、第１の誘電体層の比誘電率以下であることが好ましく、第２の誘電体層の比誘電率が第１の誘電体層の比誘電率よりも低いことが特に好ましい。これは第２の誘電体層を設けることによる特性の変動を抑えるためである。比誘電率は、例えば８以下が好ましく、４以下がさらに好ましい。なお、比誘電率は便宜的に１３ＧＨｚ近辺での値を用いる。

図４に示すように第２の誘電体層２の厚さｄ２は、第１の誘電体層５の厚さｄ１よりも小さいことが好ましい。第２の誘電体層を薄くすることで線路損失を低減することができる。なお、ここで、第２の誘電体層２の厚さｄ２は、線路導体１上での厚さであり、該厚さが線路導体上で一定でない場合は、最もｄ２が小さくなる部分での値を用いる。一方、第１の誘電体層の厚さｄ１は、回路基板を構成する場合の強度を確保する観点から、１００μｍ以上であることが好ましい。また、線路損失を減らすためにも、より厚い方が好ましい。第１の誘電体層の厚さｄ１の上限は特に限定する必要はないが、回路基板の大型化を防ぐため、およびパターン設計を容易にするためには５００μｍ以下が好ましい。図５には、第２の誘電体層２の厚さｄ２に対する線路損失の変化を示す。第１、第２の誘電体層には同じ比誘電率ε_ｒを有する誘電体を用い、比誘電率ε_ｒを４、６および８と変えた場合の線路損失を示した。比誘電率４、６および８に対して、線路導体の線幅は１８０μｍ、１３０μｍおよび１００μｍとした。なお、第１の誘電体層の厚さｄ１は１００μｍ、線路導体の厚さは１０μｍとした。ここで示した線路損失は８０ＧＨｚにおける線路長１ｃｍ当たりの線路損失である。第２の誘電体層の厚さｄ２を小さくすることで、線路損失が改善される。一方、第２の誘電体層を設けずに８μｍのＮｉ膜を設けた構成で評価した線路損失は、比誘電率を４、６および８の場合で、それぞれ−１.２６ｄＢ／ｃｍ、−１.６５ｄＢ／ｃｍおよび−１.９０ｄＢ／ｃｍであった。図５のグラフから、比誘電率ε_ｒが４、６および８の場合で、第２の誘電体層の厚さｄ２が１２５μｍ、１００μｍおよび７５μｍのとき、線路損失はそれぞれ上記Ｎｉ膜を設けた場合と同じ−１.２６ｄＢ／ｃｍ、−１.６５ｄＢ／ｃｍおよび−１.９０ｄＢ／ｃｍになっている。かかる臨界的なｄ２を第２の誘電体層の比誘電率をε_ｒに対してプロットした結果を図６に示す。図中の点を結んだ直線の傾きは−１２.５、切片は１７５である。したがって、第２の誘電体層の厚さｄ２（μｍ）がｄ２＜−１２５×ε_ｒ＋１７５（式１）を満たせば、Ｎｉ膜を設けた場合よりも線路損失が低くなる。

図７には、第１の誘電体層５の厚さｄ１を１００μｍから１２５μｍへと変更した際の線路損失の変化を示した。なお、線路導体の線幅も１００μｍから１２０μｍへ変更した。第１、第２の誘電体層の誘電率はそれぞれ8である。図７に示すように第１の誘電体層５の厚さｄ１を大きくすることによって線路損失が低減される。したがって、第１の誘電体層５の厚さｄ１を１００μｍ以上とすれば、上記式１を満たしつつ、いっそうの線路損失の低減が可能となる。

また、図８には、第１の誘電体層の比誘電率を８とし、第２の誘電体層の比誘電率を４、５、７、８と変化させたときの、線路損失のｄ２依存性を示した。第１の誘電体層５の厚さｄ１を１００μｍ、線路導体の線幅は１００μｍである。第２の誘電体層の比誘電率を第１の誘電体層の比誘電率よりも小さくすることで、線路損失の低減が図れることがわかる。また、線路導体の形成精度が特性に与える影響を抑えるとともに、線路導体の密着性を確保する観点からは、１００μｍ以上の線幅を有することが好ましい。また、線幅を大きくすることによって、線路損失の低減することもできる。

準ミリ波帯またはミリ波帯の信号を取り扱う回路を誘電体基板に構成した回路基板に、本発明に係る高周波伝送線路を構成した例を図９および図１０に示す。図９および図１０は線路導体の接続部等の構成の概略を示す回路基板の断面図である。図９に示す実施形態は、誘電体基板１９に形成された線路導体１７と、誘電体基板１９を介して線路導体１７に対向する接地導体２０と、線路導体１７を挟んで誘電体基板１９とは反対側に線路導体１７を被覆する誘電体層１８を有する実施形態である。誘電体基板１９が上述の高周波伝送線路における第１の誘電体層に相当する。図９に示す実施形態では、平面状の接地導体２０が基板主面全体に渡って形成され、誘電体層１８は他方の主面全体に渡って形成されて線路導体１７を被覆している。誘電体層１８の、線路導体１７上の二箇所には、非形成部として開口部が形成されている。該開口部は線路導体１７の外縁よりも内側に形成されている。かかる開口部に構成された接続部２１および２２を用いて、基板上の回路素子や他の基板等の導体との電気的接続を行う。なお、接地導体２０の、誘電体基板１９とは反対側に、さらに誘電体層を設けてもよい。

図１０に示す実施形態は、複数の誘電体層を積層した誘電体基板２７を用いている。図１０に示す構成は図９に示す実施形態と同様に、誘電体基板２７の一方の主面側に形成された線路導体２３と、誘電体基板２７を構成する誘電体層を介して線路導体２３に対向する接地導体２８と、線路導体２３を挟んで誘電体基板２７とは反対側に、線路導体２３を被覆する誘電体層２４を有する。さらに、図１０に示す構成は、誘電体基板２７の他方の主面側に形成された線路導体３０を有し、該線路導体３０は誘電体基板２７を構成する他の誘電体層を介して接地導体２８と対向する。また、線路導体３０を挟んで誘電体基板２７とは反対側に、線路導体３０を被覆する誘電体層３１が形成されている。誘電体層２４および３１は各主面全体に渡って形成されて、それぞれ線路導体２３および３０を被覆している。誘電体層２４の、線路導体２３の一端側の一箇所には非形成部として開口部が形成されて、該開口部が接続部２６を構成している。一方、誘電体層３１の、線路導体３０の一端側の一箇所には非形成部として開口部が形成されて、該開口部が接続部３２を構成している。線路導体２３の他端側の一箇所は、誘電体基板２７に形成されたビア電極２９に接続されている。この場合、該ビア電極２９との接続に係る部分が他の接続部２５となる。同様に、線路導体３０の他端側の一箇所は誘電体基板２７に形成されたビア電極２９に接続されている。この場合、該ビア電極２９との接続に係る部分が他の接続部３３となる。異なる主面側に形成された線路導体２３と線路導体３０が、ビア電極２９を介して接続されている。なお、接地導体２８はビア電極２９が配置されている部分の周辺は形成されていない。なお、線路導体と接地導体とに挟まれる誘電体層を複数で構成し、接地導体の片側において、線路導体を複数の誘電体層に形成することも可能である。該複数の誘電体層の層間であって、線路導体と接地導体が対向する領域以外の部分を使って、他の信号用の線路導体や電源用の線路導体を形成する。但し、準ミリ波帯またはミリ波帯の用途において、特に線路間の干渉や損失の低減を図るためには、接地導体の片側において導体線路は一つの誘電体層の主面に形成されることがより好ましい。

本発明に係る回路基板は、例えば、通信モジュール用基板、アンテナ基板、各種センサ基板のような用途に用いることができる。但し、その用途はこれらに限らず、準ミリ波帯またはミリ波帯の信号を取り扱う回路を誘電体基板に構成した回路基板に広く適用できる。

次に、図２に示す構成とは帯状に延設された線路導体の構成が異なる、他の実施形態を図１１に示す。図１１（ａ）は高周波伝送線路の線路導体を示す図であり、図１１（ｂ）は、高周波伝送線路の構造のうち、第１の誘電体層に設けられた線路導体と、それを被覆する第２の誘電体層を、第２の誘電体層側から見た平面図である。図１１（ａ）に示す線路導体３４は、その末端側に他の部分よりも幅の大きい拡張部３５を有する。図１１（ｂ）に示すように、線路導体３４は第２の誘電体層３６によって被覆され、線路導体の延設方向の異なる位置に、他の導体との接続部を複数（接続部３７、３８）有する。線路導体３４の末端側の構成が図２に示す構成と異なる。かかる異なる部分について説明し、図２に示す実施形態と同様の部分については説明を省略する。線路導体３４は、開口部３８よりも末端側に、他の部分よりも幅の大きい拡張部３５を有する。拡張部３５は略矩形の形状を有し、その全体が第２の誘電体層３６によって覆われている。したがって、図１１に示す構成の場合、かかる拡張部３５は、ＩＣチップなどに形成された他の導体との接続部としては用いない。ＩＣチップなどに形成された他の導体と、高周波伝送線路とをボンディングワイヤで接続する場合、ボンディングワイヤのインダクタンス成分によってインピーダンスのずれが生じてしまう。これに対して拡張部３５を設け、その容量成分を利用して前記インダクタンス成分を補償するようにしてインピーダンス整合を取ることができる。図１１に示す実施形態では、拡張部３５は矩形であるが、拡張部の形状はこれに限らず、例えば末端側に広がりを持つ五角形（ホームベース形状）や三角形でもよい。また、図１１に示す拡張部３５は線路導体３４の幅方向の両側に突出しているが、片側に突出させてもよい。

図１２には、図１１に示す高周波伝送線路を用いた回路基板の、ＩＣチップと接続した部分を拡大して示した図である。ＩＣチップ４０に形成された電極４１と線路導体３４とは、ボンディングワイヤ３９によって接続されている。線路導体３４側では、ボンディングワイヤ３９は第２の誘電体層３６の開口部である接続部３８に接続されている。すなわち、線路導体３４の拡張部３５から外れた部分でボンディングワイヤ３９は接続されている。なお、拡張部の形成およびボンディングワイヤの接続位置によってインピーダンス整合を図る構成は、図１１および図１２に示した実施形態に限らず、ボンディングワイヤによる高周波伝送線路の接続に対して広く適用できるものである。例えば、第２の誘電体層を設けない高周波伝送線路の構成にも適用することができる。

１、７、１３、１７、２３、３０、３４、４３：導体線路
２、８、１４、１８、２４、３１、３６：第２の誘電体層
３、４、９、１０、２１、２２、２５、２６、３２、３３、３７、３８：接続部
５、１１、４１：第１の誘電体層
６、１２、２０、２８、４２：接地導体
１５、１６：導体層
１９、２７：誘電体基板
２９：ビア電極
３５：拡張部
３９：ボンディングワイヤ
４０：ＩＣチップ
４１：電極
４４：めっき膜

Claims (6)

1. 第１の誘電体層に形成された線路導体と、前記第１の誘電体層を介して前記線路導体に対向する接地導体とを備える準ミリ波帯またはミリ波帯用の高周波伝送線路であって、
   前記線路導体を挟んで前記第１の誘電体層とは反対側に前記線路導体を被覆する第２の誘電体層が設けられ、
   前記線路導体は、前記接地導体と対向する方向に垂直な方向の異なる位置に他の導体との接続部を複数有し、
   前記複数の接続部のうち少なくとも一つは、前記第２の誘電体層の非形成部を用いて構成され、
   前記第２の誘電体層の比誘電率をεｒとしたとき、前記第２の誘電体層の厚さｄ２（μｍ）が、 ｄ２＜−１２５×εｒ＋１７５ を満たすことを特徴とする高周波伝送線路。
2. 前記非形成部は、前記線路導体上に形成された、前記第２の誘電体層の開口部であるとともに、前記開口部は前記線路導体の外縁よりも内側に形成されていることを特徴とする請求項１に記載の高周波伝送線路。
3. 前記開口部内に位置する前記線路導体上には、前記線路導体よりも電気抵抗率の高い導体層が設けられ、
   前記開口部の深さ方向において、前記導体層の表面の高さが前記第２の誘電体層の表面の高さと同じか、それよりも低いことを特徴とする請求項２に記載の高周波伝送線路。
4. 前記線路導体は、前記開口部よりも末端側に、他の部分よりも幅の大きい拡張部を有することを特徴とする請求項２または３に記載の高周波伝送線路。
5. 前記第２の誘電体層の比誘電率は、前記第１の誘電体層の比誘電率よりも低いことを特徴とする請求項１〜４のいずれかに記載の高周波伝送線路。
6. 準ミリ波帯またはミリ波帯の信号を取り扱う回路を誘電体基板に構成した回路基板であって、前記回路の少なくとも一部に請求項１〜５のいずれかに記載の高周波伝送線路を用いたことを特徴とする回路基板。

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