JP2003174305A - 伝送線路および送受信装置 - Google Patents
伝送線路および送受信装置Info
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- H—ELECTRICITY
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- H01P5/00—Coupling devices of the waveguide type
- H01P5/08—Coupling devices of the waveguide type for linking dissimilar lines or devices
- H01P5/10—Coupling devices of the waveguide type for linking dissimilar lines or devices for coupling balanced lines or devices with unbalanced lines or devices
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Abstract
に接続することができる伝送線路および送受信装置を提
供する。 【解決手段】 誘電体基板1の裏面1Bには隆起部2を
設けると共に、その表面1A,裏面1Bに導体層3,4
を形成する。また、隆起部2の左,右両側には、隆起部
2に沿って複数個のスルーホール5を設ける。さらに、
誘電体基板1の表面1Aには、2本の溝6Aに挟まれた
中央電極6Bからなるコプレーナ線路6を設けると共
に、コプレーナ線路6の先端には隆起部2に対応した位
置に2個のスロット孔7を形成する。これにより、スロ
ット孔7を通じて隆起部2による導波路とコプレーナ線
路6との間を接続することができる。
Description
波、ミリ波等の高周波信号を伝送する伝送線路および該
伝送線路を用いて構成されるレーダ装置、通信装置等の
送受信装置に関する。
伝送線路として、例えば、2層以上の導体層を有する誘
電体基板に導体層間を結ぶ複数個のスルーホールを2列
に亘って設けたものが知られている(例えば、特開20
00−196301号公報等)。また、従来技術による
伝送線路では、誘電体基板の表面には導体層を開口した
設けた結合部が形成されると共に、該結合部を取囲んで
方形導波管を接続している。そして、このような従来技
術による伝送線路では、2列のスルーホール間を導波路
として作用させると共に、結合部を介して誘電体基板中
の導波路と方形導波管とを接続している。
来技術による伝送線路では、導波路の垂直方向(誘電体
基板の厚さ方向)に沿った面として作用する電流経路は
スルーホールのみであるから、高周波信号の伝搬に伴っ
てスルーホールに電流が集中して流れる。この結果、ス
ルーホール内の電流密度が高くなり、導体損が増大する
という問題があった。
では、誘電体基板の表面に実装されるMMIC(Microw
ave Monolithic Integrated Circuit)等の半導体素子
に対する接続性が悪く、接続部位での損失等が大きいと
いう問題もある。
されたもので、導体損の低減すると共に、半導体素子に
容易に接続することができる伝送線路および送受信装置
を提供することにある。
ために、請求項1の発明による伝送線路は、誘電体基板
と、該誘電体基板の裏面に設けられ高周波信号の伝送方
向に沿って断面凸形状で連続して延びる隆起部と、該隆
起部の外面を含めて前記誘電体基板の表面と裏面とにそ
れぞれ設けられた導体層と、前記隆起部を挟んだ両側に
配置され前記誘電体基板を貫通して該導体層間を導通さ
せる複数のスルーホールと、前記誘電体基板の表面の導
体層を貫通して平行に延びる2本の溝と該溝間に挟まれ
た中心電極からなるコプレーナ線路と、前記隆起部に対
応した位置で前記誘電体基板の表面の導体層を開口して
設けられ該コプレーナ線路の溝にそれぞれ接続された2
個のスロット孔とによって構成している。
沿って設けられた導波路内の高周波信号をスロット孔を
通じてコプレーナ線路の溝に導くことができ、誘電体基
板の導波路とコプレーナ線路との間で高周波信号を効率
良く変換することができる。また、隆起部の外面にも電
流を流すことができるから、スルーホールへの電流の集
中を緩和でき、伝送線路全体での高周波信号の伝搬損失
を低減することができる。
は、該溝から分岐して延び終端が短絡されたスタブを接
続したことにある。
ダンスをスロット孔のインピーダンスに近付けることが
できるから、スロット孔とコプレーナ線路との間の反射
を低減でき、これらの間で高周波信号を効率良く変換す
ることができる。
ナ線路の溝には、該溝から分岐して延び終端が開放され
たスタブを接続してもよい。
扇形状をなす構成としている。これにより、広帯域に亘
って誘電体基板の導波路とコプレーナ線路との間で高周
波信号を効率良く変換することができる。
孔を扇形状に開口する構成としてもよい。
体基板の表面に設けた半導体素子に接続する構成とした
ことにある。
表面に線路導体をなす中心電極と接地導体をなす導体層
とが設けられているから、誘電体基板の表面だけで半導
体素子とコプレーナ線路とを接続することができ、半導
体素子を容易に実装することができる。
送線路を用いて送受信装置を構成してもよい。
伝送線路を、添付図面を参照しつつ詳細に説明する。
による伝送線路を示し、図において、1は樹脂材料、セ
ラミックス材料等からなる誘電体基板で、該誘電体基板
1は、例えば7.0程度の比誘電率εrで0.3mm程
度の厚さ寸法H1をもった平板状に形成され、その表面
1Aには後述のコプレーナ線路6が設けられると共に、
裏面1Bには断面凸形状をなして例えばマイクロ波、ミ
リ波等の高周波信号の伝送方向(矢示A方向)に沿って
延びる隆起部2が形成されている。
て例えば0.45mm程度の幅寸法Wを有し、この幅寸
法Wは例えば高周波信号の誘電体基板1内の波長λgに
対してλg/2以下に設定されている。さらに、隆起部
2は、例えば0.6mm程度の突出寸法H2をもって誘
電体基板1の裏面1Bから突出し、その底面と誘電体基
板1の表面1Aとの間の高さ寸法H(H=H1+H2)は
例えば高周波信号の誘電体基板1内の波長λgに対して
λg/2以上に設定されている。そして、隆起部2の終
端2Aは、後述の導体層4によって短絡された短絡位置
をなすと共に、誘電体基板1の中央部近傍に配置されて
いる。
Bにそれぞれ形成された導体層で、該導体層3,4は、
誘電体基板1に対して導電性金属材料をスパッタ、真空
蒸着等の手段を用いて薄膜状に形成されている。また、
導体層4は、隆起部2の外面(左,右の側面、底面およ
び終端面)を含めて誘電体基板1の裏面1Bを略全面に
亘って覆っている。
脇)に位置して隆起部2の延びる方向に沿って設けられ
たスルーホールで、該スルーホール5は、例えば0.1
mm程度の内径寸法φをもった略円形の貫通孔からな
り、レーザ加工、パンチング加工等によって形成されて
いる。そして、スルーホール5は、高周波信号の伝送方
向(矢示A方向)に沿って左,右の片側に2列ずつ、合
計4列をなして互いに平行に配置されている。また、隆
起部2に近いスルーホール5と隆起部2から離れたスル
ーホール5とは、矢示A方向に位置ずれした千鳥状(互
い違い)に配置されている。さらに、スルーホール5
は、誘電体基板1を貫通すると共に、その内壁面が導電
性の金属材料によって覆われ、導体層3,4間を導通し
ている。そして、高周波信号の伝送方向に対して隣合う
2つのスルーホール5の間隔Dは、例えば高周波信号の
誘電体基板1内の波長λgのλg/4以下に設定されてい
る。
コプレーナ線路で、該コプレーナ線路6は、表面1A側
の導体層3を貫通した状態で延びる2本の溝6Aと、こ
れらの溝6A間に挟まれた帯状の中心電極6Bとによっ
て構成されている。そして、中心電極6Bは高周波信号
を伝搬する線路導体を構成すると共に、中心電極6Bを
挟む導体層3は接地導体を構成している。
mに設定され、中心電極6Bの幅寸法は例えば0.1m
m程度に設定されている。さらに、コプレーナ線路6
は、例えば隆起部2の長さ方向に対して直交する方向に
延びると共に、その先端が隆起部2と対応した位置に達
している。そして、コプレーナ線路6は、中心電極6B
と導体層3との間の溝6Aに電界が形成されることによ
り、中心電極6Bに沿って高周波信号を伝送するもので
ある。
誘電体基板1の表面1Aに設けられた2個のスロット孔
で、該各スロット孔7は、表面1A側の導体層3を開口
して設けられ、その基端側がコプレーナ線路6の溝6A
に接続されている。また、スロット孔7は、コプレーナ
線路6と直交して隆起部2の長さ方向(矢示A方向)に
沿って延びる略四角形の長穴によって形成され、その長
さ寸法L1は例えば高周波信号の誘電体基板1内の波長
λgのλg/2程度に設定されている。これにより、各ス
ロット孔7は、その長さ方向の両端が短絡端をなしてい
る。
置(終端2A)近傍に配置されている。そして、スロッ
ト孔7は、隆起部2、スルーホール5によって構成され
る導波路とコプレーナ線路6とを接続し、これらの間で
高周波信号を相互に変換している。
構成を有するもので、次にその作動について説明する。
と、配列された複数のスルーホール5が等価的に導波路
の壁面を構成するから、隆起部2の互いに対向する2つ
の側面をH面、隆起部2の底面および誘電体基板1の表
面1AをE面とするTE10モードに準じたモードで電
磁波(高周波信号)が伝搬する。そして、高周波信号
は、スロット孔7に到達すると、該スロット孔7を通じ
てコプレーナ線路6の溝6Aに導かれ、中心電極6Bに
沿ってコプレーナ線路6を伝搬する。
信号をスロット孔7を介してコプレーナ線路6内の高周
波信号に変換する変換部は、図5に示す等価回路で表す
ことができる。このとき、Znは誘電体基板1の導波路
のインピーダンス、Zcはコプレーナ線路6のインピー
ダンス、Zssはスロット孔7による短絡スタブのインピ
ーダンス、θssはスロット孔7による短絡スタブの電気
角、nsは誘電体基板1の導波路とスロット孔7との間
の相互インダクタンスの比、ncはコプレーナ線路6と
スロット孔7との間の相互インダクタンスの比をそれぞ
れ示している。また、図5中では、コプレーナ線路6に
発振器8を接続した場合を示している。そして、スロッ
ト孔7の長さ寸法L1に応じて電気角θssが変化する。
は、スロット孔7の長さ寸法L1等を適宜設定すること
によって、2つのコイルと2つの短絡スタブからなるス
ロット孔7の回路全体のインピーダンスを、誘電体基板
1の導波路のインピーダンスZn、コプレーナ線路6の
インピーダンスZcに近付けることができ、例えば図6
に示す伝送特性を得ることができる。この結果、誘電体
基板1の導波路とコプレーナ線路6との間の反射係数S
11、透過係数S21は、高周波信号の周波数に応じて変化
し、例えば88GHz程度の高周波信号で反射係数S11
が低下し、透過係数S21が上昇していずれも−3dB程
度となるので、このときの高周波信号を誘電体基板1の
導波路とコプレーナ線路6との間で損失が少ない状態で
効率良く変換することができる。
1の表面にはコプレーナ線路6を形成すると共に、コプ
レーナ線路6の先端には隆起部2に対応した位置にスロ
ット孔7を設けたから、隆起部2に沿って設けられた導
波路内の高周波信号をスロット孔7を通じてコプレーナ
線路6の溝6Aに導くことができ、誘電体基板1の導波
路とコプレーナ線路6との間で高周波信号を効率良く変
換することができる。
凸形状で高周波信号の伝送方向に向けて延びる隆起部2
を設け、該隆起部2の外面を含めて誘電体基板1の裏面
1Bに導体層4を設けたから、スルーホール5に加えて
隆起部2の側面にも電流を流すことができる。さらに、
隆起部2は高周波信号の伝送方向に連続して設けられて
いるから、誘電体基板1の厚さ方向のみならず、斜め方
向に対しても電流を流すことができる。このため、隆起
部2を省いた場合に比べて、スルーホール5内の電流集
中を緩和でき、コプレーナ線路6を含めた伝送線路全体
の伝送損失を低減することができる。
実施の形態による伝送線路を示し、本実施の形態の特徴
は、コプレーナ線路の先端にはスロット孔を接続すると
共に、短絡スタブを接続する構成としたことにある。な
お、本実施の形態では、第1の実施の形態と同一の構成
要素に同一の符号を付し、その説明を省略するものとす
る。
孔で、該各スロット孔11は、コプレーナ線路6の先端
側に位置して導体層3に開口して設けられ、その基端側
がコプレーナ線路6の溝6Aに接続されている。また、
スロット孔11は、隆起部2の長さ方向に沿って延びる
略四角形の長穴によって形成され、その長さ寸法L2は
例えば高周波信号の誘電体基板1内の波長λgのλg/4
程度に設定されている。これにより、各スロット孔11
は、その長さ方向の先端が短絡端をなし、基端側が開放
端をなしている。そして、スロット孔11は、隆起部2
の短絡位置(終端2A)近傍に配置されている。
た2つの短絡スタブで、該短絡スタブ12は、例えばコ
プレーナ線路6の溝6Aと同一の幅寸法をもって溝6A
を直線状に延長することによって形成され、その基端側
がスロット孔11の基端側に接続されている。また、短
絡スタブ12は、その長さ寸法L3が例えば高周波信号
の誘電体基板1内の波長λgのλg/4程度に設定されて
いる。これにより、各短絡スタブ12は、その長さ方向
の先端が短絡端をなし、基端側が開放端をなしている。
構成を有するもので、誘電体基板1の導波路内の高周波
信号をスロット孔11を介してコプレーナ線路6内の高
周波信号に変換する変換部は、図5と同様に図9に示す
等価回路で表すことができる。ここで、Zcsは短絡スタ
ブ12のインピーダンス、θcsは短絡スタブの電気角を
示している。そして、スロット孔11の長さ寸法L2に
応じて電気角θssが変化すると共に、短絡スタブ12の
長さ寸法L3に応じて電気角θcsが変化する。
は、スロット孔11の長さ寸法L2、短絡スタブ12の
長さ寸法L3等を適宜設定することによって、2つのコ
イルと2つの短絡スタブからなるスロット孔11の回路
全体のインピーダンスを調整できると共に、短絡スタブ
12の長さ寸法を適宜設定することによって、短絡スタ
ブ12とコプレーナ線路6の回路全体のインピーダンス
を調整することができる。従って、スロット孔11側の
回路のインピーダンスとコプレーナ線路6側の回路のイ
ンピーダンスとの差を小さくし、これらの間での反射に
よる損失を軽減でき、例えば図10に示す伝送特性を得
ることができる。
ーナ線路6との間の反射係数S11、透過係数S21は、例
えば75GHz程度の高周波信号で反射係数S11が低下
して−18dB程度となり、透過係数S21が上昇して−
1dB程度となるから、短絡スタブ12を設けない場合
に比べて、高周波信号の損失を低減でき、誘電体基板1
の導波路とコプレーナ線路6との間で高周波信号を効率
良く変換することができる。
形態と同様の作用効果を得ることができるが、本実施の
形態では、コプレーナ線路6の先端にはスロット孔11
を接続すると共に、短絡スタブ12を接続する構成とし
たから、スロット孔11とコプレーナ線路6との間の反
射を低減でき、これらの間で高周波信号を効率良く変換
することができる。
ーナ線路6の先端には短絡スタブ12を接続する構成と
したが、図11および図12に示す第1の変形例のよう
に短絡スタブ12に代えて開放スタブ13を接続する構
成としてもよい。この場合、開放スタブ13は、短絡ス
タブ12と同様にコプレーナ線路6の溝6Aを直線状に
延長することによって形成されるものの、その先端が連
結されて全体として略コ字形状をなしている。そして、
このような変形例であっても、開放スタブ13の長さ寸
法を適宜設定することによって、第2の実施の形態と同
様の作用効果を得ることができる。
の実施の形態による伝送線路を示し、本実施の形態の特
徴は、スロット孔を扇形状に開口させる構成としたこと
にある。なお、本実施の形態では、第1の実施の形態と
同一の構成要素に同一の符号を付し、その説明を省略す
るものとする。
孔で、該各スロット孔21は、コプレーナ線路6の先端
側に位置して導体層3に開口して設けられ、その基端側
がコプレーナ線路6の溝6Aに接続されている。また、
スロット孔21は、基端側から先端側に向けて角度θを
もって漸次拡開する扇形状をなし、隆起部2の長さ方向
に沿って延びている。そして、スロット孔21の長さ寸
法L4は、例えば高周波信号の誘電体基板1内の波長λg
のλg/4程度に設定されている。これにより、各スロ
ット孔21は、その長さ方向の先端が短絡端をなし、基
端側が開放端をなしている。そして、スロット孔21
は、隆起部2の短絡位置(終端2A)近傍に配置されて
いる。
た2つの短絡スタブで、該短絡スタブ22は、例えばコ
プレーナ線路6の溝6Aと同一の幅寸法をもって溝6A
を直線状に延長することによって形成され、その基端側
がスロット孔21の基端側に接続されている。また、短
絡スタブ22は、その長さ寸法L5が例えば高周波信号
の誘電体基板1内の波長λgのλg/4程度に設定されて
いる。これにより、各短絡スタブ22は、その長さ方向
の先端が短絡端をなし、基端側が開放端をなしている。
構成を有するもので、誘電体基板1の導波路とコプレー
ナ線路6との間の変換部は、第2の実施の形態と同様の
等価回路(図9参照)で表すことができる。そして、本
実施の形態では、スロット孔21が拡開する角度θに応
じてスロット孔21による短絡スタブのインピーダンス
Zssを変化させることができる。
は、短絡スタブ22の長さ寸法L5、スロット孔21の
長さ寸法L4、角度θ等を適宜設定することによって、
2つのコイルと2つの短絡スタブからなるスロット孔2
1の回路全体のインピーダンスを調整できると共に、短
絡スタブ22の長さ寸法L5を適宜設定することによっ
て、短絡スタブ22とコプレーナ線路6の回路全体のイ
ンピーダンスを調整することができる。従って、スロッ
ト孔21側の回路のインピーダンスとコプレーナ線路6
側の回路のインピーダンスとの差をさらに小さくするこ
とができると共に、広帯域の高周波信号に対して反射に
よる損失を軽減でき、例えば図15に示す伝送特性を得
ることができる。
ーナ線路6との間の反射係数S11、透過係数S21は、例
えば72〜82GHz程度の高周波信号で反射係数S11
が低下して−10〜−25dB程度となり、透過係数S
21が上昇して−0.2dB程度となるから、10GHz
の帯域幅に亘って高周波信号の損失を低減でき、誘電体
基板1の導波路とコプレーナ線路6との間で高周波信号
を効率良く変換することができる。
形態と同様の作用効果を得ることができるが、本実施の
形態では、コプレーナ線路6の先端には扇形状のスロッ
ト孔21を接続すると共に、短絡スタブ22を接続する
構成としたから、スロット孔21とコプレーナ線路6と
の間の反射を低減でき、これらの間で高周波信号を効率
良く変換することができる。
ト孔21を扇形状に形成するものとしたが、短絡スタブ
22に代えてスロット孔21と同様な扇形状をなす短絡
スタブを形成する構成としてもよい。
短絡スタブ22に代えて全体として扇形状をなして延び
る開放スタブ23を接続する構成としてもよい。この場
合、スロット孔21、開放スタブ23の先端側は円弧状
をなす構成としてが、例えば図17に示す第3の変形例
のように先端側が直線状をなすスロット孔21′、開放
スタブ23′を用いる構成としてもよい。
に、コプレーナ線路6には略四角形状のスロット孔24
と略円形状の開放スタブ25を接続する構成としてもよ
く、図19に示す第5の変形例のように、いずれも略円
形状をなすスロット孔26、開放スタブ27を接続する
構成としてもよい。また、これら各種形状のスロット
孔、スタブを適宜組合せる構成としてもよい。このよう
な構成としても、第3の実施の形態と同様の作用効果を
得ることができる。
を示し、本実施の形態の特徴は、誘電体基板の表面には
コプレーナ線路に接続された半導体素子を実装する構成
としたことにある。なお、本実施の形態では、第1の実
施の形態と同一の構成要素に同一の符号を付し、その説
明を省略するものとする。
該誘電体基板31には、平行に延びる2つの隆起部2が
形成されると共に、これらの隆起部2は、その終端が誘
電体基板31の中央近傍に配置されている。そして、誘
電体基板31は、その表面は導体層3で覆われると共
に、裏面も導体層(図示せず)によって覆われている。
また、誘電体基板31には、隆起部2に沿って多数のス
ルーホール5が配設されている。
2つのコプレーナ線路で、該各コプレーナ線路32は2
つの隆起部2間に亘って延び、基端側が誘電体基板31
の中央に位置すると共に、先端側が隆起部2の終端2A
近傍に位置している。そして、コプレーナ線路32の先
端には、隆起部2と対応した位置に一対のスロット孔3
3が形成されると共に、短絡スタブ34が接続して設け
られている。
たMMIC等の半導体素子で、該半導体素子35は、2
つのコプレーナ線路32の間に位置して、各コプレーナ
線路32の基端側にそれぞれ接続されている。
形態と同様の作用効果を得ることができるが、本実施の
形態では、コプレーナ線路32を誘電体基板31の表面
に設けた半導体素子35に接続する構成としたから、誘
電体基板31の表面だけで半導体素子35とコプレーナ
線路32とを接続することができ、半導体素子35を容
易に実装することができる。
の実施の形態を示し、本実施の形態の特徴は、伝送線路
を用いてレーダ装置を構成したことにある。
てのレーダ装置で、該レーダ装置41は、両面に導体層
3(表面側のみ図示)が形成された誘電体基板42を用
いて形成され、誘電体基板42の表面に設けた電圧制御
発振器43と、該電圧制御発振器43に増幅器44、サ
ーキュレータ45を介して接続されたスロットをなす開
口部46と、該開口部46から受信した信号を中間周波
信号IFにダウンコンバートするためにサーキュレータ
45に接続されたミキサ47とによって概略構成されて
いる。また、増幅器44とサーキュレータ45との間に
は方向性結合器48が接続して設けられ、この方向性結
合器48によって電力分配された信号は、ミキサ47に
ローカル信号として入力される。
器44、サーキュレータ45、ミキサ47等の間は、第
1ないし第3の実施の形態と同様に誘電体基板42の裏
面に設けた隆起部2と該隆起部2に沿って設けられた複
数のスルーホール5とからなる導波路49が延びると共
に、導波路49と電圧制御発振器43、ミキサ47とは
コプレーナ線路6とスロット孔7とを用いて接続され、
これらのレーダ装置41は1枚の誘電体基板42に形成
されるものである。
き構成を有するもので、電圧制御発振器43から出力さ
れた発振信号は増幅器44によって増幅され、方向性結
合器48およびサーキュレータ45を経由して、送信信
号として開口部46から送信される。一方、開口部46
から受信された受信信号はサーキュレータ45を通じて
ミキサ47に入力されると共に、方向性結合器48によ
るローカル信号を用いてダウンコンバートされ、中間周
波信号IFとして出力される。
基板42には隆起部2とスルーホール5からなる導波路
49を形成すると共に、該導波路49と電圧制御発振器
43、ミキサ47との間をコプレーナ線路6とスロット
孔7とによって接続したから、これらの導波路49と電
圧制御発振器43等との間を低損失で接続することがで
き、レーダ装置全体の電力効率を高め、消費電力を低減
することができる。
による伝送線路をレーダ装置に適用した場合を例を挙げ
て説明したが、例えば送受信装置として通信装置等に適
用してもよい。
は、誘電体基板1には隆起部2の両脇に2列ずつ合計4
列に亘って複数のスルーホール5を配置するものとした
が、第5の実施の形態のように隆起部の両脇に1列ずつ
合計2列に亘って複数のスルーホールを設ける構成とし
てもよく、合計6列以上に亘ってスルーホールを配置す
る構成としてもよい。
では、隆起部2に近いスルーホール5と隆起部2から離
れたスルーホール5とは千鳥状に配置する構成とした
が、例えばこれらのスルーホールを平行に配置する構成
としてもよい。
れば、誘電体基板には、裏面に隆起部を形成し、表面に
コプレーナ線路を設けると共に、隆起部に対応した位置
に該コプレーナ線路に接続したスロット孔を設ける構成
としたから、スロット孔を通じて誘電体基板内の導波路
とコプレーナ線路とを効率良く接続することができる。
また、隆起部の外面は導体層で覆うから、隆起部の外面
にも電流を流すことができ、スルーホールへの電流の集
中を緩和して導体損を軽減することができ、伝送線路全
体の損失を低減することができる。
の溝には、該溝から分岐して延び終端が短絡されたスタ
ブを接続したから、スタブを用いてコプレーナ線路側の
インピーダンスをスロット孔のインピーダンスに近付け
ることができ、スロット孔とコプレーナ線路との間の反
射を低減でき、これらの間で高周波信号を効率良く変換
することができる。
ナ線路の溝には該溝から分岐して延び終端が開放された
スタブを接続しても、請求項2と同様の作用効果を得る
ことができる。
して扇形状をなす構成としたから、広帯域に亘って誘電
体基板の導波路とコプレーナ線路との間で高周波信号を
効率良く変換することができる。
孔を扇形状に開口する構成としても、請求項4と同様の
作用効果を得ることができる。
を誘電体基板の表面に設けた半導体素子に接続する構成
としたから、誘電体基板の表面だけで半導体素子とコプ
レーナ線路とを接続することができ、半導体素子を容易
に実装することができる。
による伝送線路を用いて送受信装置を構成したから、送
受信装置全体の損失を低減することができ、電力効率を
高めて消費電力を低減することができる。
である。
からみた斜視図である。
す拡大断面図である。
示す電気回路図である。
高周波信号の周波数との関係を示す特性線図である。
である。
示す要部拡大平面図である。
示す電気回路図である。
と高周波信号の周波数との関係を示す特性線図である。
ある。
して示す要部拡大平面図である。
図である。
して示す要部拡大平面図である。
数と高周波信号の周波数との関係を示す特性線図であ
る。
等を拡大して示す要部拡大平面図である。
等を拡大して示す要部拡大平面図である。
等を拡大して示す要部拡大平面図である。
等を拡大して示す要部拡大平面図である。
図である。
面図である。
ロック図である。
孔 12,34 短絡スタブ(スタブ) 13,23,23′,25,27 開放スタブ(スタ
ブ) 41 レーダ装置(送受信装置)
Claims (7)
- 【請求項1】 誘電体基板と、該誘電体基板の裏面に設
けられ高周波信号の伝送方向に沿って断面凸形状で連続
して延びる隆起部と、該隆起部の外面を含めて前記誘電
体基板の表面と裏面とにそれぞれ設けられた導体層と、
前記隆起部を挟んだ両側に位置して配置され前記誘電体
基板を貫通して該導体層間を導通させる複数のスルーホ
ールと、前記誘電体基板の表面の導体層を貫通して平行
に延びる2本の溝と該溝間に挟まれた中心電極からなる
コプレーナ線路と、前記隆起部に対応した位置で前記誘
電体基板の表面の導体層を開口して設けられ該コプレー
ナ線路の溝にそれぞれ接続された2個のスロット孔とに
よって構成してなる伝送線路。 - 【請求項2】 前記コプレーナ線路の溝には、該溝から
分岐して延び終端が短絡されたスタブを接続してなる請
求項1に記載の伝送線路。 - 【請求項3】 前記コプレーナ線路の溝には、該溝から
分岐して延び終端が開放されたスタブを接続してなる請
求項1に記載の伝送線路。 - 【請求項4】 前記スタブは、全体として扇形状をなす
構成としてなる請求項2または3に記載の伝送線路。 - 【請求項5】 前記スロット孔は、扇形状に開口してな
る請求項1,2,3または4に記載の伝送線路。 - 【請求項6】 前記コプレーナ線路は、前記誘電体基板
の表面に設けた半導体素子に接続する構成としてなる請
求項1,2,3,4または5に記載の伝送線路。 - 【請求項7】 前記請求項1ないし6のうちいずれかに
記載の伝送線路を用いた送受信装置。
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