JP3531624B2 - 伝送線路、集積回路および送受信装置 - Google Patents

伝送線路、集積回路および送受信装置

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Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明は、誘電体基板に構
成した伝送線路、その誘電体基板を備えた集積回路また
は、その集積回路を含んで構成されるレーダ装置や通信
装置などの送受信装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来、誘電体基板に導波管型の伝送線路
を構成し、誘電体基板と一体化を図ったものとして、
特開平６−５３７１１および特開平１０−７５１０８
が開示されている。
【０００３】の導波管線路は、２層以上の導体層を有
する誘電体基板に導体層間を結ぶ複数の導通孔（スルー
ホール）を２列設けて、この２層の導体層および導通孔
の２列の間を導波管（誘電体充填導波管）として作用さ
せるものである。の誘電体導波管線路および配線基板
は、前記の構成に加えて、２つの主導体層の間で、かつ
バイアホール（導通孔）の両外側に、バイアホールと電
気的に接続された副導体層を形成したものである。
【０００４】これらの伝送線路に複数の箇所で結合する
ように、誘電体基板の導体層、および導体層上に構成し
た誘電体膜上に表面電極回路を形成し、この表面電極回
路に電子部品を実装することにより、誘電体導波管線路
を入出力部の伝送路とする集積回路を構成している。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】ところが、共に、
導波管の垂直方向（誘電体基板の面に対して垂直な方
向）に沿った面における壁として作用する電流経路は、
スルーホールまたはバイアホールのみであるため、スル
ーホールまたはバイアホール部分に電流が集中し、導体
損失が増大するという問題があった。また、誘電体基板
の面に対して垂直方向に形成されたスルーホールまたは
バイアホールにより、誘電体基板の面に対して垂直方向
にしか電流が流れず、斜め方向には電流が流れないた
め、一般的な導波管または誘電体充填導波管に比較して
良好な伝送特性が得られないという問題があった。
【０００６】また、入力部となる誘電体導波管の部分か
ら出力部となる誘電体導波管の部分に直接信号が伝搬し
てしまうため、表面電極回路へ必要な信号を伝送するこ
とできず、表面電極回路に実装された回路素子は、必要
な出力特性を得ることができない。
【０００７】また、表面電極回路からの出力信号に入力
部の誘電体導波路から出力部の誘電体導波路に直接伝搬
した信号が干渉してしまい、これらを包括した集積回路
としての伝送特性が十分得られないという問題があっ
た。
【０００８】この発明の目的は、誘電体基板に導波管型
の伝送線路を構成し、この表面に電極回路を構成して電
子部品を実装することにより、集積化し、且つ伝送特性
の向上を図った伝送線路、それを備えた集積回路および
送受信装置を構成することにある。
【０００９】
【課題を解決するための手段】この発明は、誘電体基板
の少なくとも一方の面に、断面凸形状で連続する隆起部
を備え、隆起部の外面を含めて、誘電体基板の両面に電
極を形成し、隆起部の両脇に、誘電体基板の両面に形成
された電極間をそれぞれ導通させる複数のスルーホール
を配列形成し、伝送線路の一部に伝送信号を遮断する手
段を備え、遮断する手段により分離された伝送線路間を
結合する回路を誘電体基板の表面に形成して伝送線路を
構成する。これにより、誘電体基板の表面に形成した回
路を介さずに伝送される信号を抑制する。
【００１０】また、この発明は、伝送信号を遮断する手
段として、隆起部の高さを所定の長さに亘り低くして伝
送線路を構成する。これにより、誘電体導波管の間でＴ
Ｅ10モードなどが伝送することを抑制する。
【００１１】また、この発明は、伝送信号を遮断する手
段として、隆起部の幅を所定の長さに亘り狭くして伝送
線路を構成する。これにより、誘電体導波管の間でＴＥ
01モードなどが伝送することを抑制する。
【００１２】また、この発明は、伝送信号を遮断する領
域に誘電体基板の両面に形成された電極間を導通させる
スルーホールを形成して伝送線路を構成する。これによ
り、誘電体導波管の間での信号の伝送を抑制する効果を
高める。
【００１３】また、この発明は、分離された伝送線路に
おけるそれぞれの隆起部の高さを異ならせて伝送線路を
構成する。これにより、誘電体の表面に形成された電極
回路に入力する信号と出力する信号の周波数が異なって
いても入力側の誘電体導波管から出力側の誘電体導波管
への信号の漏洩を抑制する。
【００１４】また、この発明は、前記いずれかの伝送線
路を備え、誘電体板の表面に形成された回路に接続する
電子部品を実装して集積回路を構成する。これにより、
入出力特性の優れた集積回路を構成する。
【００１５】また、この発明は、前記いずれかの伝送線
路、または集積回路を備えて送受信装置を構成する。こ
れにより、伝送特性の優れた送受信装置を構成する。
【００１６】
【発明の実施の形態】第１の実施形態に係る伝送線路の
構成について、図１〜図４を参照して説明する。図１は
伝送線路の外観斜視図であり、（ａ）は下面側、（ｂ）
は上面側を表している。図１において、１は誘電体基
板、２は下面電極、３は上面電極、４はスルーホール、
５はコプレーナライン、６は回路素子、１０１は誘電体
基板の隆起部、１０２は隆起部の不連続部である。
【００１７】誘電体基板１の一部に、断面凸形状で、そ
の断面に垂直方向に連続する隆起部１０１が、隆起部の
不連続部１０２を挟んで形成されている。この誘電体基
板１の隆起部１０１が形成されている面には、隆起部１
０１の外面（側面および上面）を含めて下面電極２が形
成されており、これに対向する面には略全面に上面電極
３が形成されている。また、隆起部１０１の延びる方向
に沿って、その隆起部１０１の両脇に、誘電体基板１の
両面に形成された下面電極２と上面電極３とを導通させ
る、複数のスルーホール４が配列形成されている。ここ
で、隆起部１０１の幅は使用周波数における誘電体中で
の波長の１／２以下であり、誘電体の上面から隆起部の
下面までの高さは、使用周波数における誘電体中での波
長の１／２以上である。
【００１８】この構造により、配列された複数のスルー
ホール４が等価的に導波路の壁面を構成するため、隆起
部１０１の互いに対向する二つの側面をＨ面、隆起部１
０１の下面および誘電体基板１の上面をＥ面とするＴＥ
10モードに準じたモードで電磁波が伝搬する。しかし、
不連続部１０２では、隆起部が存在しないため、Ｈ面の
高さが誘電体基板の厚み分となり、伝送路としての遮断
周波数が高くなり、使用周波数における電磁波は伝搬さ
れずに遮断される。
【００１９】一方、図１の（ｂ）に示すように、不連続
部１０２により離間された隆起部１０１の端部に対向す
る位置を端として、上面電極３にコプレーナライン５が
形成されている。また、このコプレーナライン５に接続
する回路素子６が誘電体基板１上に実装されている。
【００２０】図２は隆起部の延びる方向に切った誘電体
基板の断面図である。図２において、１は誘電体基板、
２は下面電極、３は上面電極、５はコプレーナライン、
１０１は誘電体基板の隆起部、１０２は隆起部の不連続
部である。また、破線はＴＥ10モードによる磁界分布を
示している。
【００２１】図２に示すように、隆起部１０１からなる
誘電体導波路を伝搬するＴＥ10モードにより、誘電体基
板１の表面に形成されているコプレーナライン５に電磁
界が誘導される。このように、誘電体基板１の隆起部１
０１からなる誘電体導波路と上面電極３に形成されてい
るコプレーナライン５とが電磁界結合している。
【００２２】よって、一方の隆起部１０１からなる誘電
体導波路を伝送してきた信号は、不連続部１０２によ
り、誘電体基板内での伝送は遮断されるが、コプレーナ
ライン５に伝送される。
【００２３】次に、コプレーナライン５により伝送され
た信号は回路素子６に入力され、出力信号を得る。回路
素子６から出力信号は、コプレーナライン５を介し、こ
のコプレーナライン５に電磁結合する他方の隆起部１０
１からなる誘電体導波路に伝送されて、外部回路に出力
される。
【００２４】例えば、回路素子がＦＥＴであれば、誘電
体導波路を入出力端子し、誘電体導波路に実装された簡
素な形状の増幅器を構成することができる。
【００２５】ここで、不連続部１０２が存在することに
より、入力側の誘電体導波路と出力側の誘電体導波路と
の間での、線路透過（アイソレーション）特性は大きな
減衰を得ることができる。
【００２６】図３の（ａ）は伝送線路の複数のパラメー
タを表した表であり、（ｂ）は各パラメータの意味を示
した外観斜視図である。また、図４は、図３のパラメー
タで構成された伝送線路において、不連続部の長さ（ｇ
ａｐ）を変更した場合の、回路のアイソレーション特性
を示した図である。この結果は周波数が７６．５ＧＨｚ
の場合を示している。
【００２７】図４に示すように、不連続部の長さ（ｇａ
ｐ）を長くする程、アイソレーション特性は向上する。
このように、ｇａｐを大きく取ることで大きな減衰量を
得られるため、大きなゲインを持った増幅器を回路素子
として実装しても、正帰還による異常発振現象を防止す
ることができ、増幅率の大きい増幅器を容易に構成する
ことができる。次に、第２の実施形態に係る伝送線路の
構成について、図５を参照して説明する。図５は伝送線
路の外観斜視図である。図５において、１は誘電体基
板、２は下面電極、３は上面電極、４はスルーホール、
１０１、１０３は隆起部である。
【００２８】図５に示す伝送線路は、連続する隆起部１
０１の途中に、隆起部１０１よりも高さの低い隆起部１
０３を設けたものであり、他の構成は図１に示した伝送
線路と同じである。ここで、誘電体基板１の上面電極か
ら隆起部１０３の下面までの高さを、伝送信号の波長の
１／２未満として隆起部１０３を形成する。このことに
より、Ｈ面の高さが低くなり、伝送路としての遮断周波
数が高くなり、ＴＥ10モードは隆起部１０３では遮断さ
れ、これを挟む両端の隆起部１０１間で隆起部１０３を
介して電磁波は伝送されない。
【００２９】このような構造とすることにより、隆起部
１０１からなる誘電体導波路間での漏洩を抑え、誘電体
基板上に実装した回路素子と伝送線路とからなる回路の
透過特性を向上することができる。
【００３０】次に、第３の実施形態に係る伝送線路の構
成について、図６を参照して説明する。図６は伝送線路
の外観斜視図である。図６において、１は誘電体基板、
２は下面電極、３は上面電極、４はスルーホール、１０
１は隆起部、１０４は凹部である。
【００３１】図６に示す伝送線路では、連続する隆起部
１０１の途中に、隆起部１０１の幅方向に両側面から凹
む凹部１０４が設けられており、他の構成は図１に示す
伝送線路と同じである。
【００３２】このような構造では、電磁界が９０°回転
したＴＥ01モードに対して、図５に示した場合と同様な
動作となり、凹部１０４が設けられることにより、前後
の隆起部１０１間での漏洩を抑え、誘電体基板上に実装
した回路素子と伝送線路とからなる回路の通過特性を向
上することができる。
【００３３】次に、第４の実施形態に係る伝送線路の構
成について、図７を参照して説明する。図７は伝送線路
の外観斜視図である。図７において、１は誘電体基板、
２は下面電極、３は上面電極、４はスルーホール、１０
１は隆起部、１０２は隆起部の不連続部である。
【００３４】図７に示す伝送線路は、誘電体基板１の隆
起部の不連続部１０２の位置に、スルーホール４を設け
たものであり、他の構成は図１に示す伝送線路と同じで
ある。
【００３５】このような構造とすることにより、不連続
部１０２に設けられたスルーホール４が等価的に導体壁
の役割を果たすため、電磁波の遮断効果をさらに向上さ
せることができる。
【００３６】次に、第５の実施形態に係る伝送線路の構
成について、図８を参照して説明する。図８は伝送線路
の外観斜視図である。図８において、１は誘電体基板、
２は下面電極、３は上面電極、４はスルーホール、１０
１ａ，１０１ｂは隆起部、隆起部の不連続部１０２であ
る。
【００３７】図８に示す伝送線路は、隆起部の不連続部
１０２により離間された隆起部１０１ａと隆起部１０１
ｂとの高さが異なるように形成されているものであり、
他の構成は図１に示す伝送線路と同じである。
【００３８】このような構造とすることにより、隆起部
１０１ａからなる誘電体導波路と隆起部１０１ｂからな
る誘電体導波路とで異なる遮断周波数を得ることができ
る。例えば、逓倍器のように入力信号の周波数と出力信
号の周波数が異なる場合には、出力側の遮断周波数を入
力信号の周波数より高く設定するように、出力側の隆起
部の高さを低く形成すれば、入力側の誘電体導波路から
出力側の誘電体導波路への直接波の漏洩を防止すること
ができ、且つ入力信号周波数の伝搬を阻止することがで
きる。
【００３９】次に、第６の実施形態に係る伝送線路の構
成について、図９を参照して説明する。図９は伝送線路
の外観斜視図である。図９において、１は誘電体基板、
２は下面電極、３は上面電極、４はスルーホール、１０
１ａ，１０１ｂ，１０５は隆起部である。
【００４０】図９に示す伝送線路は、高さの異なる隆起
部１０１ａと１０１ｂとの間に、二つの隆起部１０１
ａ，１０１ｂよりも、高さが低く、幅が狭い隆起部１０
５を設けたものであり、他の構成は図８に示す伝送線路
と同じである。
【００４１】このような構造を用いても、第７の実施形
態と同様の効果を得ることができる。
【００４２】なお、前述の本実施形態では、コプレーナ
ラインを用いたが、図１０に示すようなスロットライン
を用いても良い。図１０は伝送線路の外観斜視図であ
り、１は誘電体基板、２は下面電極、３は上面電極、４
はスルーホール、７はスリット、８は回路素子である。
【００４３】また、別体の回路基板上または上面電極上
に構成した誘電体膜上にパターン（コプレーナライン、
スロットライン、マイクロストリップライン等）を形成
し、これを誘電体基板の表面の所定位置に搭載して、隆
起部からなる誘電体導波路と結合させてもよい。
【００４４】次に、集積回路およびそれを用いた送受信
装置の例としてレーダ装置の構成を図１１および図１２
を参照して説明する。図１１は誘電体基板を電子部品実
装面側からみた外観斜視図であり、図１２はその等価回
路図である。
【００４５】誘電体基板１にはその図における下面側
に、断面凸形状で連続する隆起部を形成し、誘電体基板
の両面に電極を形成するとともに、隆起部に沿って隆起
部の両脇に複数のスルーホールを配列することによって
伝送線路を構成している。
【００４６】図１１は、誘電体基板１における電子部品
の実装面側を示しているので、隆起部は現れていない
が、スルーホールの配列パターンによって、伝送線路の
配置形状が判る。すなわち、大まかにＧ１，Ｇ２，Ｇ
３，Ｇ４，Ｇ５，Ｇ７で示す６つの伝送線路が形成され
ている。また、Ｇ６はＧ１とＧ２とをつなぐ部分である
が、下面側には隆起部が形成されていない。
【００４７】誘電体基板１の図における上面には、コプ
レーナ線路に接続したＶＣＯ（電圧制御発振器）を設け
ている。上記コプレーナ線路はＧ１で示す伝送線路と結
合する。伝送線路Ｇ１とＧ２との間には、上面に設けら
れたコプレーナ線路によって接続されたＦＥＴによる増
幅回路を設けている。ここで、このＧ１とＧ２との間で
あるＧ６には隆起部が存在しないため、信号はＧ１から
Ｇ２に漏洩せずにコプレーナ線路を伝搬する。そして、
ＦＥＴにより増幅された信号はコプレーナ線路からＧ２
に伝送される。また、伝送線路Ｇ３の先端部分には、ス
ロットアンテナを形成していて、このスロットアンテナ
から送信信号が誘電体基板１に対し垂直方向に放射され
る。伝送線路Ｇ２とＧ５の近接している部分により方向
性結合器を構成している。この方向性結合器で電力分配
された信号は、ミキサー回路の一方のダイオードが接続
されているコプレーナ線路にローカル信号として結合す
る。他方の線路Ｇ７はコプレーナ線路と結合し、さらに
抵抗器に接続され、方向性結合器の終端器となる。ま
た、伝送線路Ｇ２，Ｇ３，Ｇ４のＹ型に分岐している中
央部にはサーキュレータを構成している。このサーキュ
レータは、円板形状のフェライト板による共振器を配
し、そのフェライト板に対し垂直方向に静磁界を印加す
る永久磁石を配置することによって構成しているが、図
１１ではそれらを省略している。このサーキュレータを
介して、スロットアンテナからの受信信号は伝送線路Ｇ
４を介し、ミキサー回路の他方のダイオードが接続され
ているコプレーナ線路に結合する。ミキサー回路の２つ
のダイオードは平衡型ミキサー回路として作用し、ＩＦ
信号は外部回路へ出力される。
【００４８】図１２は、前記レーダ装置のブロック図で
ある。図１２において、ＶＣＯによる発振信号はＡＭＰ
により増幅され、方向性結合器ＣＰＬおよびサーキュレ
ータＣＩＲを経て、送信信号としてアンテナＡＮＴへ与
えられる。サーキュレータＣＩＲからの受信信号と方向
性結合器ＣＰＬからのローカル信号は、ミキサＭＩＸに
与えられ、ミキサは中間周波信号ＩＦを出力する。
【００４９】このように、優れた伝送特性を有する伝送
線路を用いることによって、電力効率が高まり、低消費
電力で且つ物標の探知能力の高いレーダ装置が得られ
る。
【００５０】なお、前述の例では、レーダ装置を例に挙
げたが、送信信号を相手側の通信装置へ送信し、相手側
の通信装置からの送信信号を受信するようにすれば、同
様にして通信装置を構成することができる。
【００５１】
【発明の効果】この発明によれば、誘電体基板の少なく
とも一方の面に、断面凸形状で連続する隆起部を備え、
隆起部の外面を含めて、誘電体基板の両面に電極を形成
し、隆起部の両脇に、誘電体基板の両面に形成された電
極間をそれぞれ導通させる複数のスルーホールを配列形
成し、伝送線路の一部に伝送信号を遮断する手段を備
え、遮断する手段により分離された伝送線路間を結合す
る回路を誘電体基板の表面に形成して伝送線路を構成す
ることにより、誘電体基板の表面に形成した回路を介さ
ずに、離間された隆起部間を漏洩する信号を抑制するこ
とができる。
【００５２】また、この発明によれば、伝送信号を遮断
する手段として、隆起部の高さを所定の長さに亘り低く
して伝送線路を構成することにより、誘電体導波管の間
でＴＥ10モードが伝送することを抑制することができ
る。
【００５３】また、この発明によれば、伝送信号を遮断
する手段として、隆起部の幅を所定の長さに亘り狭くし
て伝送線路を構成することにより、誘電体導波管の間で
ＴＥ 01モードなどが伝送することを抑制することができ
る。
【００５４】また、この発明によれば、伝送信号を遮断
する領域に誘電体基板の両面に形成された電極間を導通
させるスルーホールを形成して伝送線路を構成すること
により、誘電体導波管の間での信号の伝送を抑制する効
果を高めることができる。
【００５５】また、この発明によれば、分離された伝送
線路におけるそれぞれの隆起部の高さを異ならせて伝送
線路を構成することにより、誘電体の表面に形成された
電極回路に入力する信号と出力する信号の周波数が異な
っていても、入力側の誘電体導波管から出力側の誘電体
導波管への信号の漏洩を抑制することができる。
【００５６】また、この発明によれば、前記いずれかの
伝送線路を備え、誘電体板の表面に形成された回路に接
続する電子部品を実装して集積回路を構成することによ
り、優れた伝送特性を備えた集積回路が得られる。
【００５７】また、この発明によれば、前記いずれかの
伝送線路、または集積回路を備えて送受信装置を構成す
ることにより、優れた伝送特性の送受信装置が得られ
る。
【図面の簡単な説明】
【図１】第１の実施形態に係る伝送線路の外観斜視図
【図２】第１の実施形態に係る伝送線路の断面図
【図３】伝送線路のパラメータを示した表、および外観
斜視図
【図４】第１の実施形態に係る伝送線路を用いた回路の
アイソレーション特性を示した図
【図５】第２の実施形態に係る伝送線路の外観斜視図
【図６】第３の実施形態に係る伝送線路の外観斜視図
【図７】第４の実施形態に係る伝送線路の外観斜視図
【図８】第５の実施形態に係る伝送線路の外観斜視図
【図９】第６の実施形態に係る伝送線路の外観斜視図
【図１０】スロットラインを結合線路とした伝送線路の
外観斜視図
【図１１】複数の電子部品を搭載した誘電体基板からな
る集積回路を電子部品実装面からみた外観斜視図
【図１２】図１１に示す集積回路の等価回路図
【符号の説明】
１−誘電体基板 ２−下面電極 ３−上面電極 ４−スルーホール ５−コプレーナ線路 ６，８−回路素子 ７−スリット １０１，１０１ａ，１０１ｂ，１０３，１０５−隆起部 １０２−隆起部の不連続部 １０４−凹部
フロントページの続き (72)発明者 岡野 健 京都府長岡京市天神二丁目26番10号 株 式会社村田製作所内 (56)参考文献 特開2000−252712（ＪＰ，Ａ) 特開 昭61−43001（ＪＰ，Ａ) 特開2002−217613（ＪＰ，Ａ) 特開 昭61−48201（ＪＰ，Ａ) 特開 昭50−121791（ＪＰ，Ａ) 実開 平１−13802（ＪＰ，Ｕ) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) H01P 3/16 H01P 3/123 H01P 5/02 607 H01P 5/08

Claims (7)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 誘電体基板の少なくとも一方の面に、断
    面凸形状で連続する隆起部を備え、該隆起部の外面を含
    めて、前記誘電体基板の両面に電極が形成され、前記隆
    起部の両脇に、前記誘電体基板の両面に形成された前記
    電極間をそれぞれ導通させる複数のスルーホールが配列
    形成され、前記隆起部を主な伝送路とする誘電体導波管
    型の伝送線路であって、 該伝送線路の一部に伝送信号を遮断する手段を備え、該
    遮断する手段により分離された前記伝送線路間を結合す
    る回路を前記誘電体基板の表面に形成してなる伝送線
    路。
  2. 【請求項２】 前記伝送信号を遮断する手段は、前記隆
    起部の高さを所定の長さに亘り低くした請求項１に記載
    の伝送線路。
  3. 【請求項３】 前記伝送信号を遮断する手段は、前記隆
    起部の幅を所定の長さに亘り狭くした請求項１または請
    求項２に記載の伝送線路。
  4. 【請求項４】 前記伝送信号を遮断する領域に前記誘電
    体基板の両面に形成された電極間を導通させるスルーホ
    ールを形成してなる請求項１〜３のいずれかに記載の伝
    送線路。
  5. 【請求項５】 前記分離された一方の伝送線路と他方の
    伝送線路とで、前記隆起部の高さが異なる請求項１〜４
    のいずれかに記載の伝送線路。
  6. 【請求項６】 請求項１〜５のいずれかに記載の伝送線
    路を備え、前記誘電体板の表面に形成された回路に接続
    する電子部品を実装してなる集積回路。
  7. 【請求項７】 請求項１〜５のいずれかに記載の伝送線
    路、または、請求項６に記載の集積回路を備えてなる送
    受信装置。
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2006027828A1 (ja) * 2004-09-07 2006-03-16 Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha 電力分配装置、電力合成装置、モノパルス信号合成回路、アレーアンテナ給電回路およびビーム形成回路

Families Citing this family (17)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100450376B1 (ko) * 2001-01-12 2004-09-30 가부시키가이샤 무라타 세이사쿠쇼 전송 선로, 집적회로 및 송수신 장치
JP3678194B2 (ja) * 2001-12-04 2005-08-03 株式会社村田製作所 伝送線路および送受信装置
JP3695395B2 (ja) * 2002-01-09 2005-09-14 株式会社村田製作所 伝送線路および送受信装置
US7109823B1 (en) 2005-01-07 2006-09-19 Hrl Lab Llc Image guide coupler switch
JP4345850B2 (ja) 2006-09-11 2009-10-14 ソニー株式会社 通信システム及び通信装置
KR100780419B1 (ko) * 2006-09-27 2007-11-29 주식회사 케이엠더블유 고주파 스위치
US20080242331A1 (en) * 2007-03-26 2008-10-02 Broadcom Corporation High frequency testing infrastructure
JP5179570B2 (ja) * 2008-03-31 2013-04-10 京セラ株式会社 高周波モジュールおよびその製造方法ならびに該高周波モジュールを備えた送信器、受信器、送受信器およびレーダ装置
US8598961B2 (en) * 2008-04-16 2013-12-03 Telefonaktiebolaget L M Ericsson (Publ) Waveguide transition for connecting U-shaped surface mounted waveguide parts through a dielectric carrier
JP5123154B2 (ja) * 2008-12-12 2013-01-16 東光株式会社 誘電体導波管‐マイクロストリップ変換構造
US10343535B2 (en) * 2010-04-08 2019-07-09 Witricity Corporation Wireless power antenna alignment adjustment system for vehicles
US9561730B2 (en) 2010-04-08 2017-02-07 Qualcomm Incorporated Wireless power transmission in electric vehicles
CN105144467B (zh) * 2013-04-18 2018-10-30 索尼半导体解决方案公司 连接器装置和无线传输系统
CN104882656B (zh) * 2015-04-27 2017-12-29 南通大学 一种微带到基片集成波导的平衡式过渡电路
EP3147994B1 (en) * 2015-09-24 2019-04-03 Gapwaves AB Waveguides and transmission lines in gaps between parallel conducting surfaces
JP2019047141A (ja) * 2016-03-29 2019-03-22 日本電産エレシス株式会社 マイクロ波ｉｃ導波路装置モジュール、レーダ装置およびレーダシステム
CN111668584B (zh) * 2020-06-15 2022-01-28 北京无线电测量研究所 一种波导魔t结构及含有该结构的波导魔t

Family Cites Families (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5262739A (en) * 1989-05-16 1993-11-16 Cornell Research Foundation, Inc. Waveguide adaptors
JPH0653711A (ja) 1992-07-28 1994-02-25 Fukushima Nippon Denki Kk 導波管線路
JP3166897B2 (ja) * 1995-08-18 2001-05-14 株式会社村田製作所 非放射性誘電体線路およびその集積回路
JP2998614B2 (ja) * 1995-10-04 2000-01-11 株式会社村田製作所 誘電体線路
JP3686736B2 (ja) 1996-08-30 2005-08-24 京セラ株式会社 誘電体導波管線路および配線基板
JP3493265B2 (ja) * 1996-09-30 2004-02-03 京セラ株式会社 誘電体導波管線路および配線基板
JP3120757B2 (ja) * 1997-06-17 2000-12-25 株式会社村田製作所 誘電体線路装置
JP3269448B2 (ja) * 1997-07-11 2002-03-25 株式会社村田製作所 誘電体線路
US6515562B1 (en) * 1998-04-23 2003-02-04 Kyocera Corporation Connection structure for overlapping dielectric waveguide lines
JPH11308003A (ja) * 1998-04-24 1999-11-05 Tokimec Inc 非放射性誘電体線路、モード変換回路、高周波回路
KR100450376B1 (ko) * 2001-01-12 2004-09-30 가부시키가이샤 무라타 세이사쿠쇼 전송 선로, 집적회로 및 송수신 장치

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2006027828A1 (ja) * 2004-09-07 2006-03-16 Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha 電力分配装置、電力合成装置、モノパルス信号合成回路、アレーアンテナ給電回路およびビーム形成回路
JPWO2006027828A1 (ja) * 2004-09-07 2008-05-08 三菱電機株式会社 電力分配装置、電力合成装置、モノパルス信号合成回路、アレーアンテナ給電回路およびビーム形成回路

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