JP3289694B2 - 高周波回路装置および通信装置 - Google Patents

高周波回路装置および通信装置

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Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明は、２つの平行平面
導体を有する導波路や共振器などの高周波回路装置およ
びそれを用いた通信装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】誘電体板の一方の面にほぼ全面の接地電
極を形成し、他方の面にコプレーナを形成したグラウン
デッドコプレーナ線路や、誘電体板の一方の面に接地電
極を形成し、他方の面にスロットを形成したグラウンデ
ッドスロット線路や、誘電体板の両面に、誘電体板を挟
んで対向するスロットを形成した平面誘電体線路などの
各種伝送線路がマイクロ波帯やミリ波帯における伝送線
路として用いられている。
【０００３】これらの伝送線路は、いずれも２つの平行
な平面導体を含む構造であるため、たとえば線路の入出
力部やベンドなどで電磁界が乱れると、いわゆるパラレ
ルプレートモード等のスプリアスモードの波が２つの平
行な平面導体間（平行平面導体間）に誘起され、そのス
プリアスモードの波（以下単に「スプリアスモード」と
いう。）が平面導体間を伝搬するという問題があった。
そのため隣接する線路間で上記スプリアスモードの漏洩
波で干渉が生じて、信号のリークなどの問題が生じる場
合がある。
【０００４】図３８はグラウンデッドコプレーナ線路の
主伝搬モードとそれに付随して発生するパラレルプレー
トモードの電磁界分布の例を示している。図３８におい
て２０は誘電体板であり、その下面のほぼ全面に電極２
１を形成し、上面にストリップ導体１９と電極２２を形
成している。ここで電極２１，２２は接地電極として用
い、これらの電極と誘電体板２０およびストリップ導体
１９によってグラウンデッドコプレーナ線路を構成して
いる。このようなグラウンデッドコプレーナ線路では、
その端部において電磁界の乱れが生じ、誘電体板２０の
上下面の電極２１，２２を縦方向に走る電界を誘起し、
これにより図に示すようにパラレルプレートモードの電
磁界が生じる。図中実線の矢印は電界、破線は磁界、２
点鎖線は電流の分布を示している。
【０００５】このような不要モードの伝搬を防ぐため
に、従来は、伝送線路の両脇に伝送線路に沿って伝搬モ
ードの波長に対して充分短い間隔で、誘電体板の上下面
の電極を導通させるスルーホールを設けるようにしてい
た。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】このように導波路の伝
搬方向に沿って、上下面の電極を導通させるスルーホー
ルを設けることによって、スルーホール部分が電気的壁
（以下「電気壁」という。）として作用し、その部分で
パラレルプレートモードの伝搬が阻止される。しかし、
たとえばミリ波帯などの高周波領域になると、高次モー
ドの発生を抑えるために、誘電体板の厚みを薄くしなけ
ればならず、しかもスルーホールの間隔が非常に狭くな
るため、製造プロセス上高い精度が要求される。
【０００７】また、誘電体板にスルーホールを設けない
場合は、電極を形成した誘電体板全体を遮断導波管の中
に実装する方法も採れるが、その場合には、遮断導波管
の寸法を管内波長の１／２以下にしなければならず、寸
法上の制約が厳しくなる。
【０００８】さらに、スプリアスモードが漏洩する部分
の電極を部分的に取り除いて磁気的壁（以下「磁気壁」
という。）を構成することによって、スプリアスモード
の伝搬を阻止する方法も考えられるが、その電極を取り
除いた部分が一種の共振器として作用するという新たな
問題が生じる。
【０００９】この発明の目的は、スルーホールによる電
気壁を設けたり、電極の部分除去による磁気壁を設けた
りすることによる上述の問題を回避し、且つパラレルプ
レートモードなどのスプリアスモードの伝搬を阻止する
ようにした高周波回路装置を提供することにある。
【００１０】
【課題を解決するための手段】たとえば、グラウンデッ
ドコプレーナ線路のストリップ導体とその脇に設けられ
た電極部の電磁界の乱れによりパラレルプレートモード
等のスプリアスモードの電磁波が２つの平行な電極間を
伝搬していき、或る電極パターンの境界面に到達する
と、その境界面より先では伝搬路形状が異なるため、一
部の電磁波は境界面で反射する。それと同時に伝送路と
しての上記電極パターンの不連続部では電磁界が乱れ、
その伝搬路形状に対して伝搬可能なモードを経由するよ
うにモード変換が行われて伝搬していくことになる。本
願発明はこの作用を逆に利用して、パラレルプレートモ
ード等のスプリアスモードから変換された後のモードに
対して、それを反射させるような回路を構成することに
よって、その回路の形成位置を超えてスプリアスモード
が伝搬するのを阻止するものである。
【００１１】すなわち、この発明は、平行な少なくとも
２つの平面導体を有し、該２つの平面導体間に電磁波を
励振させる回路を備えた高周波回路装置において、上記
２つの平面導体間を伝搬するスプリアスモードと結合し
て当該スプリアスモードの伝搬を阻止する導体パターン
から成るスプリアスモード伝搬阻止回路を前記２つの平
面導体のうちいずれか一方または両方に形成してなり、
前記導体パターンを前記電磁波の波長より短い間隔を隔
てた複数のマイクロストリップ状線路で構成する。これ
により、２つの平面導体間を伝搬するスプリアスモード
の波がスプリアスモード伝搬阻止回路に結合して、この
スプリアスモード伝搬阻止回路部分で、スプリアスモー
ドの伝搬が阻止される。しかも、このスプリアスモード
伝搬阻止回路は上記平面導体に形成するものであるた
め、電極をパターンニングするだけでよく、従来のよう
にスルーホールを形成する場合のような問題が生じな
い。
【００１２】
【００１３】上記スプリアスモード伝搬阻止回路のマイ
クロストリップ状線路は、高インピーダンス線路と低イ
ンピーダンス線路とを交互に直列接続したものとする。
このことによりパラレルプレートモードなどのスプリア
スモードをマイクロストリップ状線路により他のモード
に変換すると共に、所定の周波数においてそれらのモー
ドの信号を反射させる。これによりスプリアスモードの
伝搬を阻止する。
【００１４】また、上記マイクロストリップ状線路は、
それぞれの終端を開放させた複数のマイクロストリップ
線路を配列したものとする。これによりスプリアスモー
ドをマイクロストリップのモードに変換して、その信号
を開放端で反射させる。これによりスプリアスモードの
伝搬を阻止する。
【００１５】また、前記スプリアスモード伝搬阻止回路
の導体パターンは、多角形または円形で、当該導体パタ
ーンを形成した平面導体とは異なる他方の平面導体との
間に静電容量を生じさせる電極と、該電極に接続された
複数の線路とを基本パターンとし、前記電磁波の波長よ
り短い間隔を隔てて、該基本パターンを複数個配置する
とともに、近接する基本パターンの一方の線路を他方の
基本パターンの線路に接続して成る。これによりスプリ
アスモードが多重反射する場合でも、スプリアスモード
の伝搬方向に対して垂直な方向だけでなく、平行な方向
や斜方向に対しても結合して、その伝搬が阻止される。
【００１６】上記基本パターンの線路同士の接続位置に
は、当該基本パターンを形成した平面導体とは異なる他
方の平面導体との間で静電容量を生じさせる電極を必要
に応じて設ける。これにより、回路定数の設定により、
スプリアスモードのより大きな抑圧効果が得られる。
【００１７】上記静電容量を生じさせる電極に対する複
数の線路のうち任意の２本の線路の接続位置および向き
は一直線上に配置されないようにする。このことによ
り、或る線路（ポート）からの入射が他の線路（ポー
ト）へ等しく分配されることになり、上記２つのポート
間での伝送損失を高めることができる。
【００１８】また、前記スプリアスモード伝搬阻止回路
の導体パターンとしては、中央の線路と、その両端の線
路との間の結合より、両端の線路同士の結合を強めた、
直列接続された３つのストリップ状導体による２端子対
回路を基本パターンとし、当該基本パターンを複数個配
置して構成する。これにより、ストリップ状線路の線路
幅を変えてもインピーダンスのあまり変化しない低誘電
率基板や厚みの厚い基板を用いる場合でも、スプリアス
モードと結合して変換されたマイクロストリップのモー
ドを充分に反射させることができる。
【００１９】また、この発明は、前記電磁波を励振させ
る回路を伝送線路とし、その伝送線路と他の伝送線路ま
たは共振器との間に前記スプリアスモード伝搬阻止回路
を設ける。これにより、隣接する伝送線路間での漏洩波
の干渉や伝送線路と共振器との間での漏洩波の干渉を防
止する。
【００２０】前記伝送線路はグラウンデッドコプレーナ
線路、グラウンデッドスロット線路、ストリップ線路、
平面誘電体線路または誘電体線路とする。
【００２１】また、この発明は、前記電磁波を励振させ
る回路を共振器とし、この共振器の周囲に前記スプリア
スモード伝搬阻止回路を設ける。これにより共振器と他
の伝送線路との間、または共振器と他の共振器との間で
の漏洩波の干渉を防止する。
【００２２】前記共振器は、前記平行平面導体の一部に
設けた導体非形成部を磁気壁として、その導体非形成部
間に電磁界を閉じ込める共振器や、前記平行平面導体の
一部を電気壁として、その導体非形成部間に電磁界を閉
じ込める共振器である。
【００２３】また、この発明は、前記高周波回路装置
を、通信信号を伝搬する伝搬部や、通信信号の所定周波
数帯域を通過させたり、阻止するフィルタ等の信号処理
部に用いて通信装置を構成する。
【００２４】
【発明の実施の形態】請求項１，２，７，８，１４に記
載の発明の実施形態として、高周波回路装置の構成を図
１〜図１１を参照して説明する。
【００２５】図１は高周波回路装置の主要部の上面図で
ある。誘電体板の上面に、図１の（Ａ）に示すように平
行な２つのコプレーナ線路１，２を形成していて、その
中央にスプリアスモード伝搬阻止回路３を、誘電体板上
面の電極をパターンニングすることによって構成してい
る。（Ｂ）はスプリアスモード伝搬阻止回路の部分拡大
図である。
【００２６】このようなグラウンデッドコプレーナ線路
の場合、その中央のストリップ導体とその両脇の電極と
の間の電磁界の乱れによりパラレルプレートモード等の
スプリアスモードが誘電体板の上下の電極間を伝搬し、
これがスプリアスモード伝搬阻止回路３により各種モー
ドに変換される。図２はこれを等価回路として示したも
のである。グラウンデッドコプレーナ線路の不連続部な
どでパラレルプレートモードが誘起され、スプリアスモ
ード伝搬阻止回路でＴＥ０１０モード、スロットモー
ド、マイクロストリップモードなどの各種モードに変換
される。
【００２７】上記スプリアスモード伝搬阻止回路を伝搬
するモードの１つはマイクロストリップの準ＴＥＭモー
ドである。図１に示したようなスプリアスモード伝搬阻
止回路におけるパラレルプレートモードからのモード変
換を考察するにあたり、まず境界部分でのモード変換量
について考える。図３は計算のために用いたＴＥ１０導
波管とマイクロストリップ線路との線路変換部の構造を
示す斜視図である。ＴＥ１０の導波管モードはモードの
形状としてはパラレルプレートモードと等価であるた
め、ここではＴＥ１０モードの導波管をパラレルプレー
トモードの伝送路として扱っている。ここで導波管の幅
Ｗ１を３．４ｍｍ（マイクロストリップの線路上の波長
の１／２）、誘電体板部分の厚みｔを０．３ｍｍ、比誘
電率εｒを３．２としてマイクロストリップの幅Ｗ２を
０．７２ｍｍとしてマイクロストリップ線路の特性イン
ピーダンスを５０Ωとしている。
【００２８】上記ＴＥ１０導波管とマイクロストリップ
線路との線路変換部の３次元の電磁界解析シミュレータ
を用いて各周波数におけるＳ１１特性とＳ２１特性を求
めた結果を図４に示す。このように、３０ＧＨｚにおい
て順方向伝送係数Ｓ２１は−１．５ｄＢ以下であり、入
力反射係数Ｓ１１は−１５ｄＢと非常に小さく、入射し
たＴＥ波は殆ど反射することなく、その大部分がマイク
ロストリップの準ＴＥＭモードに変換される。
【００２９】上記マイクロストリップの準ＴＥＭモード
は遮断周波数が存在しないため、どのような周波数に対
しても伝搬モードとなり得る。そこで、図１の（Ｂ）に
示したように所望の周波数（ここでは３０ＧＨｚ）で全
反射するようなパターンにする。図１の（Ｂ）におい
て、Ｗａ＝０．３ｍｍ、Ｗｂ＝１．５ｍｍ、Ｗｓ＝１．
５ｍｍ、基板厚みは０．３ｍｍである。ここで線路幅Ｗ
ｂの部分が低インピーダンス線路、線路幅Ｗａの部分が
高インピーダンス線路である。このスプリアスモード伝
搬阻止回路の１つのマイクロストリップ線路は、等価回
路的には、一定の電気長を有する２種の異なる特性イン
ピーダンスの繰り返しによる回路である。図５はこれを
等価回路として示したものである。ここでＺａ，Ｚｂは
線路の特性インピーダンスであり、図５の（Ａ）は高イ
ンピーダンスの線路から始まって高インピーダンスの線
路で終わるマイクロストリップ線路の等価回路、（Ｂ）
は低インピーダンスの線路から始まって低インピーダン
スの線路で終わるマイクロストリップ線路の等価回路
（Ｚａ＞Ｚｂ）である。図１の（Ｂ）においてＷｓは
１．５ｍｍとして、マイクロストリップ線路上での波長
の１／４（３０ＧＨｚ）としている。したがって図５に
おける等価回路上で電気長θａ，θｂはそれぞれπ／２
である。
【００３０】このようにそれぞれのマイクロストリップ
線路を構成したことにより、図６に示すように、その所
望の周波数の信号が全反射するという特性を示す。上記
複数のマイクロストリップ線路を配列する場合、隣接す
るマイクロストリップ線路の間隔Ｗｐがパラレルプレー
トモードの波長に比べて十分に短い間隔となるようにし
ている。この例では、Ｗｐ＝１．５としている。このこ
とにより、これらのマイクロストリップ線路の間をすり
抜けてパラレルプレートモードが漏洩することがない。
【００３１】さて、このような所定電気長の高インピー
ダンス線路と低インピーダンス線路とを交互に直列接続
したマイクロストリップ線路により、所定の周波数の信
号を全反射させるようにしたスプリアスモード伝搬阻止
回路においては、マイクロストリップモードである準Ｔ
ＥＭモード以外に、ＴＥモードとスロットモードが伝搬
する可能性が考えられる。図７の（Ａ）はＴＥ０１モー
ド（Ｂ）はスロットモードについてそれぞれ示してい
る。
【００３２】まずＴＥモードについて考える。図７の
（Ａ）において実線は電界、破線は磁界、２点鎖線は電
流の分布を示している。このように、ＴＥモードの姿態
形状は、電界が平行平面導体間に垂直な向きで、磁界が
電極面に平行にループを描く形状となる。
【００３３】ここで、スプリアスモード伝搬阻止回路の
境界面の電磁界を図８に示す。（Ａ）は境界面部分の斜
視図、（Ｂ）はその断面図である。同図において破線は
磁界、２点鎖線は電流の分布を示している。この図から
明らかなように、上記高インピーダンス線路と低インピ
ーダンス線路とを交互に直列接続した線路と、それに隣
接する他の線路とは同位相の電流が励起されることにな
るので、その隣接２線路の中央の面を電気壁としてみな
すことができる。従って、隣接２線路の境界面が金属壁
で被われた導波管として近似できる。この例では１．５
ｍｍ角の正方形電極部分がＴＥ１１０モードの共振器と
して動作する懸念がある。しかし、このＴＥ１１０モー
ドの共振器の共振周波数は計算により求めることがで
き、この例では７９ＧＨｚとなる。また、共振器として
ではなく、導波路とした場合のカットオフ周波数は５８
ＧＨｚとなり、所望の周波数（３０ＧＨｚ）に対して十
分高い。したがってＴＥモードは非伝搬モードとなる。
【００３４】次にスロットモードの伝搬について考え
る。図７の（Ｂ）に示したように、スプリアスモード伝
搬阻止回路では、隣接する２線路間にスロットが構成さ
れるが、既に図８に示したように、このスプリアスモー
ド伝搬阻止回路の境界面で発生する電磁界の乱れは、隣
接２線路を同相で励振する。そのため、基本的にスロッ
トモードは生じない。
【００３５】したがって、上記スプリアスモード伝搬阻
止回路を伝搬する電磁波のモードはマイクロストリップ
線路の準ＴＥＭモードのみであり、このモードに対して
全反射するようなパターンを設計すればパラレルプレー
トモードの伝搬を阻止できることになる。
【００３６】次に評価用の回路パターンを図９および図
１０に示す。図９の（Ａ）はスプリアスモード伝搬阻止
回路を設けた評価用回路、（Ｂ）はそのスプリアスモー
ド伝搬阻止回路を形成していない場合の評価回路であ
る。また図１０は図９（Ａ）の上面図である。図におい
て１１，１２は入出力線路としてのマイクロストリップ
線路であり、その脇に電極２２を形成し、誘電体板２０
の下面に電極２１を形成することによってグラウンデッ
ドコプレーナ線路を構成している。但し、通常のグラウ
ンデッドコプレーナ線路とは異なり、片側の電極を取り
除くことによって左右対称性をくずし、パラレルプレー
トモードの発生を促すようにしている。なお、入出力を
同形状のパターンとしてパラレルプレートモードを拾え
るようにしている。このことはグリーンの定理により導
かれる回路の可逆定理に基づくものである。
【００３７】図１０に示すように、マイクロストリップ
導体１１，１２と電極２２との間隔は０．１ｍｍと極短
くして、この電極パターンによって、導波路中を伝搬す
る主伝搬モード（ＴＥＭモード）の電磁界が乱れ、パラ
レルプレートモードに変換されて誘電体板上下の電極２
１−２２間を伝搬していく。この様子は漏れ波アンテナ
の放射モードの伝搬と同様である。
【００３８】図１１は図９に示した２つの評価回路のＳ
２１特性を示している。スプリアスモード伝搬阻止回路
を設けていない場合には、（Ｂ）に示すように２５〜３
５ＧＨｚにおいて−２〜−３ｄＢ以上のパラレルプレー
トモードが伝搬する。これに対しスプリアスモード伝搬
阻止回路３を設けた評価回路の場合、（Ａ）に示すよう
に２５〜３５ＧＨｚにおいて−３０ｄＢ以下に減衰す
る。
【００３９】次に他のいくつかの高周波回路装置の構成
例を図１２〜図１６を参照して説明する。
【００４０】図１２の（Ａ）は斜視図、（Ｂ）は部分拡
大下面図である。この例では、誘電体板２０の下面に電
極２１、上面に電極２２およびストリップ導体１９を形
成して、その一部をグラウンデッドコプレーナ線路１と
している。誘電体板２０の下面には、電極２１をパター
ニングすることにより、グラウンデッドコプレーナ線路
の両側に、スプリアスモード伝搬阻止回路３を形成して
いる。このようにストリップ導体１９を形成する面に限
らず、その裏面側にスプリアスモード伝搬阻止回路を形
成しても、電極２１−２２間を伝搬するパラレルプレー
トモードがスプリアスモード伝搬阻止回路３のマイクロ
ストリップの準ＴＥＭモードにモード変換されて、全反
射する。このことにより、スプリアスモード伝搬阻止回
路３より先にパラレルプレートモードが殆ど伝搬しな
い。
【００４１】図１３に示す例では、誘電体板２０の下面
に全面の電極２１を形成し、上面に電極２２，２２を形
成し、所定位置にスロットを形成してグラウンデッドス
ロット線路４を構成している。そして、電極２２，２２
をパターニングすることによって、スロットの両側にス
プリアスモード伝搬阻止回路３，３を構成している。
【００４２】図１４に示す例では、図１３の場合とは逆
に、誘電体板２０の下面に電極２１、上面に電極２２，
２２を形成して、グラウンデッドスロット線路４を構成
するとともに、下面の電極２１に、線路の両側に相当す
る位置にスプリアスモード伝搬阻止回路３，３を構成し
ている。
【００４３】このように、グラウンデッドスロット線路
に適用した場合も、パラレルプレートモードの伝搬が同
様に阻止される。
【００４４】図１５に示す例では、平面誘電体線路（Ｐ
ＤＴＬ）に適用した例であり、（Ａ）はその斜視図、
（Ｂ）は誘電体板部分の下面図である。誘電体板２０の
上下面には誘電体板２０を挟んで対向するスロットを有
する電極２３，２４を形成している。誘電体板２０の上
下には所定間隔を隔てて導体板２７，２８を平行に配置
している。この構成によって平面誘電体線路を構成して
いる。なお、平面誘電体線路については特願平７−６９
８６７号にて出願している。
【００４５】誘電体板２０には、その上面の電極２４，
２４をパターンニングすることによって、図１などに示
したものと同様のスプリアスモード伝搬阻止回路３，３
をスロット２６の両脇に設けている。
【００４６】この構成により、誘電体板２０の上下の電
極２３−２４間を伝搬するパラレルプレートモード、電
極２４と導体板２８との間の空間を伝搬するパラレルプ
レートモード、電極２３と導体板２７との間の空間を伝
搬するパラレルプレートモードのいずれのモードについ
ても、スプリアスモード伝搬阻止回路でマイクロストリ
ップの準ＴＥＭモードにモード変換されて、それが全反
射される。このことによって、スプリアスモードの伝搬
が阻止される。
【００４７】図１６は誘電体線路に適用した例であり、
同図の（Ａ）は主要部の部分破断斜視図、（Ｂ）は断面
図である。図において３５，３６はそれぞれ誘電体スト
リップ、３３は上面に電極３４を設けた誘電体板であ
り、これらを導体板３１，３２の間に設けることによっ
て、誘電体ストリップ３５，３６部分に電磁界エネルギ
ーを閉じ込めて電磁波の伝搬を行う非放射性誘電体線路
（ＮＲＤガイド）を構成している。
【００４８】一般に、誘電体線路においては、誘電体ス
トリップのつなぎ目部分やベンドなどの不連続部分にお
いて電磁界が乱れて、上下の導体板間にパラレルプレー
トモードなどのスプリアスモードが伝搬する。
【００４９】誘電体板３３には、その上面の電極３４を
パターンニングすることによって、誘電体ストリップ３
５，３６の両脇にスプリアスモード伝搬阻止回路３を設
けている。これにより、同図の（Ｂ）に示すように、電
極３４と上部の導体板３２との間（Ａ１）、および電極
３４と下部の導体板３１との間（Ａ２）をそれぞれ伝搬
するパラレルプレートモードの電磁波がスプリアスモー
ド伝搬阻止回路３のマイクロストリップ線路により準Ｔ
ＥＭモードに変換されて全反射される。したがってこの
誘電体線路と、隣接する他の誘電体ストリップによる誘
電体線路とが漏洩波によって干渉することがない。
【００５０】次に、請求項１５に記載の発明の実施形態
として、スプリアスモード伝搬阻止回路の他の例を図１
７に示す。この回路はそれぞれの終端を開放させた複数
のマイクロストリップ線路を平行に配列したものであ
り、この例では図において左から右方向への伸びるマイ
クロストリップ線路１７と右から左方向への伸びるマイ
クロストリップ１８とが交互に配列されるように向かい
合わせに配置している。図１７においてスプリアスモー
ド伝搬阻止回路３の左右の縦方向にグラウンデッドコプ
レーナ線路などの線路（不図示）を形成していて、その
線路の電磁波伝搬方向に垂直な方向（図中矢印で示す向
き）に広がるスプリアスモードの伝搬を阻止する。
【００５１】隣接するマイクロストリップ線路の間隔Ｗ
ｐはパラレルプレートモードの波長に比べて十分に短い
間隔としている。このようにＷｐを定めたことにより、
これらのマイクロストリップ線路の間をすり抜けてパラ
レルプレートモードが漏洩することがない。また、各マ
イクロストリップ線路の線路長Ｗｓは所望の周波数（隣
接するマイクロストリップ線路間に誘起されるスロット
モードの周波数）における波長の１／２より短くしてい
る。これによりスロットモードのカットオフ周波数が十
分に高くなり、パラレルプレートモードなどのスプリア
スモードがスロットモードに変換されることがない。そ
のため、スロットモードを経由して再びパラレルプレー
トモードにモード変換されてパラレルプレートモードが
伝搬されていくようなことがない。
【００５２】したがって、誘電体板の上下の電極間を伝
搬するパラレルプレートモード等のスプリアスモードの
電磁波がマイクロストリップ線路部分でマイクロストリ
ップの準ＴＥＭモードにモード変換されて伝搬するが、
各マイクロストリップ線路の終端は開放されているた
め、その部分で全反射する。その結果、パラレルプレー
トモード等のスプリアスモードは、このスプリアスモー
ド伝搬阻止回路を超えて先へは殆ど伝搬されない。図１
７に示した例では、右方向に延びるマイクロストリップ
線路１７と左方向に延びるマイクロストリップ線路１８
とを設けているので、右方向へ伝搬しようとするパラレ
ルプレートモードはマイクロストリップ線路１７で阻止
され、左方向へ伝搬しようとするパラレルプレートモー
ドはマイクロストリップ線路１８で阻止される。
【００５３】次に共振器を備えた高周波回路装置の例を
図１８〜図２０を参照して説明する。図１８の例では、
誘電体板２９の上下面の電極に、誘電体板２９を挟んで
互いに対向する円形の電極非形成部を設けている。３０
は図における上面の電極に設けた電極非形成部である。
この構造により、電極非形成部を磁気壁とする誘電体共
振器を構成している。この例ではＴＥ０１０モードの共
振器として作用する。誘電体板２９の上面の電極にはス
プリアスモード伝搬阻止回路３をパターンニングしてい
る。このスプリアスモード伝搬阻止回路は図１に示した
ような高インピーダンス線路と低インピーダンス線路と
を交互に直列接続したマイクロストリップ線路を共振器
を中心として放射状に配列したものである。すなわち、
図１８におけるスプリアスモード伝搬阻止回路３のパタ
ーンは、図１に示したスプリアスモード伝搬阻止回路の
パターンを直角座標とした場合に、これを極座標に座標
変換したパターンに相当する。但し、各マイクロストリ
ップ線路の線路幅の広い部分と狭い部分の寸法は、１つ
のマイクロストリップ線路上で同一となるようにしても
よい。図においてはその一部を表していて他の部分を省
略している。
【００５４】誘電体共振器部分に閉じ込められる電磁界
エネルギーの一部はパラレルプレートモードとして誘電
体板２９の上下の電極間を、誘電体共振器を中心として
放射方向に広がるが、そのパラレルプレートモードはス
プリアスモード伝搬阻止回路３によって準ＴＥＭモード
にモード変換され全反射する。そのため、このスプリア
スモード伝搬阻止回路３より外側へはスプリアスモード
が殆ど漏洩することがない。また、逆にスプリアスモー
ド伝搬阻止回路３の外側から内部（共振器方向）へもス
プリアスモードが殆ど漏洩することがない。したがっ
て、このスプリアス伝搬阻止回路３の外側に伝送線路や
他の共振器が存在していても、それらとの間で漏洩波の
結合による干渉が生じない。
【００５５】図１９は図１８に示した高周波回路装置に
おけるスプリアスモード伝搬阻止回路３を他のパターン
のスプリアスモード伝搬阻止回路に代えたものである。
このように、スプリアスモード伝搬阻止回路３として、
それぞれの終端を開放させた複数のマイクロストリップ
線路を、共振器を中心として放射方向に向けて、各マイ
クロストリップ線路を円周方向に配列させている。図に
おいてはその一部を表していて他の部分を省略してい
る。これは直角座標で表した図１７のスプリアスモード
伝搬阻止回路のパターンを極座標に座標変換したパター
ンに相当する。但し、各マイクロストリップ線路の線路
幅は一定である。
【００５６】図２０に示す例では、誘電体２９の下面に
全面電極を形成していて、上面に円形の共振器用電極３
７を形成している。これにより平面回路型の共振器を構
成している。この例では共振器用電極３７を電気壁とす
るＴＭ０１１モードの誘電体共振器として作用する。こ
の場合についても、誘電体板２９の上面の電極にスプリ
アスモード伝搬阻止回路３をパターニングしている。
【００５７】なお、誘電体板２９の下面の全面電極側に
スプリアスモード伝搬阻止回路を形成してもよい。ま
た、図１９に示したものと同様に、それぞれの終端を開
放させた複数のマイクロストリップ線路を共振器を中心
として放射方向に向けて、各マイクロストリップ線路を
円周方向に配列させてもよい。
【００５８】次に、電圧制御発振器の構成例を図２１お
よび図２２を参照して説明する。図２１は電圧制御発振
器の構成を示す分解斜視図である。４１、４４は上下の
導体板であり、その間に誘電体板２０を配置している。
（上部の導体板４１は誘電体板２０から離して表してい
る。）誘電体板２０にはその上下面に各種導電体パター
ンを形成している。この誘電体板２０の上面にはスロッ
ト線路入力型のＦＥＴ（ミリ波ＧａＡｓＦＥＴ）５０を
実装している。６２，６３はそれぞれ２つの電極を一定
間隔で配してなる誘電体板２０上面のスロットであり、
誘電体板２０の下面のスロットとともに平面誘電体線路
を構成する。また４５はコプレーナ線路であり、ＦＥＴ
５０に対してゲートバイアス電圧およびドレインバイア
ス電圧を供給する。
【００５９】６１は薄膜抵抗であり、誘電体板２０の上
面に形成したスロット６２の終端部分を先細り形状にす
るとともに、その上部にこの薄膜抵抗６１を設けてい
る。６５は誘電体板２０の上面に設けた他のスロットで
あり、誘電体板２０を挟んでその裏面側にもスロットを
設けて平面誘電体線路を構成している。６０はスロット
６５を跨ぐように実装した可変容量素子であり、印加電
圧に応じてキャパシタンスが変化する。また図中６４は
誘電体板２０の上面に設けた誘電体共振器用導体非形成
部であり、誘電体板２０を挟んでその裏面側に対向する
誘電体共振器用導電体非形成部とによって、この部分に
ＴＥ０１０モードの誘電体共振器を構成する。
【００６０】図２１においてクロスハッチングで示す部
分にスプリアスモード伝搬阻止回路３を形成している。
誘電体板２０の下面側にも、上面と対称のスプリアスモ
ード伝搬阻止回路を形成している。このように、スプリ
アスモード伝搬阻止回路３を形成することにより、たと
えばスロット６３による平面誘電体線路とスロット６５
による平面誘電体線路や６４部分の誘電体共振器との間
での漏洩波による干渉を防止する。
【００６１】図２２は、上記電圧制御発振器を用いた通
信機の構成例を示すブロック図である。図２２において
ＤＰＸはアンテナ共用器であり、パワーアンプＰＡから
送信信号が入力される。またＤＰＸから受信信号がロー
ノイズアンプＬＮＡおよびＲＸフィルタ（受信フィル
タ）をとおってミキサへ与えられる。一方、ＰＬＬによ
る局部発振器はオシレータＯＳＣと、その発振信号を分
周する分周器ＤＶから成り、ローカル信号が上記ミキサ
へ与えられる。ここで、ＯＳＣとして上記電圧制御発振
器を用いる。
【００６２】次に、スプリアスモードの多重反射を考慮
して、スプリアスモードの基本伝搬方向に対して垂直な
方向以外の方向についても、スプリアスモードの抑圧効
果の高い高周波回路装置の例を図２３〜図２６を参照し
て説明する。
【００６３】先ず、ＬＰＦ（低域通過フィルタ）の基本
回路である直列インダクタＬと並列容量Ｃを直列接続し
た回路を基本回路パターンとして、これを複数個接続す
るとともに、どの方向に対しても機能する多開口回路を
考える。
【００６４】図２３の（Ａ）は上記ＬＰＦの基本回路、
（Ｂ）はそれを３方向に３つ接続したものである。この
回路は、並列容量Ｃを１つにして（Ｃ）のように表すこ
とができる。
【００６５】図２４は図２３の（Ｃ）に示した回路の電
気特性を示すものである。この図から明らかなように、
任意のポートでの反射係数は周波数の上昇とともに大き
くなる。
【００６６】図２５は請求項３に記載の発明の実施形態
であり、図２３の（Ｃ）に示した回路を基本回路とし
て、これを２次元状に配列した例である。図２５の
（Ａ）は基本パターンであり、（Ｂ）はこれを複数個配
列した導体パターンの一部を示している。図２５の
（Ａ）において、Ｃで示す導体パターンは、誘電体板を
挟んで他方の面に形成している接地電極との間で上記並
列容量を構成する。また、Ｌで示す導体パターンは上記
直列インダクタＬを構成する。上記導体パターンＣおよ
びＬの細かさは、波長に対して充分小さければ（例えば
１／８波長以下であれば）、集中定数回路として取り扱
うことが可能である。但し、それより大きな寸法であっ
ても、ＬＰＦとして作用する。また、本願発明はこの寸
法に限定するものでもない。
【００６７】なお、上記並列容量を形成する三角形状の
導体パターンの頂点は、近接する他の三角形状の導体パ
ターンの頂点とは接してはおらず、電気的には絶縁状態
としている。
【００６８】このように、インダクタを構成する導体パ
ターンＬを互いに１２０度異なった角度の関係で３方向
に延びるように配置することによって、導体パターンＬ
の延びる方向に伝搬するスプリアスモードと結合して、
その伝搬を阻止することができる。この導体パターンＬ
の延びる方向以外の方向についても、導体パターンＬの
延びる方向成分で結合するので、結局あらゆる方向に伝
搬するスプリアスモードとも結合して、その伝搬を阻止
することができる。
【００６９】図２６は、図２５に示した回路の電気特性
を示すものである。図２４に比較しても明らかなよう
に、上記基本回路（基本パターン）を平面上に２次元配
列することによって、より低い周波数から全反射するこ
とになり、さらに大きなスプリアスモード伝搬阻止効果
が得られることが分かる。
【００７０】次に、他のＬＰＦ基本回路を用いた例を図
２７〜図３２を参照して説明する。図２７に示した回路
は１つの並列容量Ｃと４つの直列インダクタＬから成る
ＬＰＦ基本回路、図２８の（Ａ）は、これを２次元状に
配列した例である。図２８の（Ａ）は基本パターンであ
り、（Ｂ）はこれを複数個配列した導体パターンの一部
を示している。図２８の（Ａ）において、Ｃで示す導体
パターンは、誘電体板は挟んで他方の面に形成している
接地電極との間で上記並列容量を構成する。また、Ｌで
示す導体パターンは上記直列インダクタＬを構成する。
【００７１】図２９は図２８の（Ｂ）に示した回路の電
気特性を示すものである。この図から明らかなように、
任意のポートでの反射係数は周波数の上昇とともに大き
くなり、その反射係数の大きな周波数領域のスプリアス
モードに結合して、その伝搬を阻止することが可能とな
ることが分かる。
【００７２】ところで、平面回路の理論によれば、図２
８の（Ａ）に示した導体パターンの場合、或るポートか
らの入射波は他の３つのポートへ等しく分配されない。
これは、図３０の（Ａ）に示すように、ポート＃１から
のポインティングベクトルの向きがポート＃３とは一致
するのに対し、ポート＃２，４とは直交するためであ
る。そこで、例えば図３０の（Ｂ）に示すように、ポー
ト＃１，３とポート＃２，４とが正対しないように導体
パターンを定める。このことにより、回路の効果を上げ
ることができる。この図３０の（Ｂ）が請求項５に対応
する。
【００７３】図３０の（Ｃ），（Ｄ）は実際の回路解析
に用いた導体パターンであり、図中の寸法はμｍであ
る。
【００７４】図３１は図３０の（Ｃ）の解析結果、図３
２は図３０の（Ｄ）の解析結果である。このように、ポ
ート＃１，３とポート＃２，４とが正対しないように導
体パターンを定めることによって、Ｓ３１特性を改善
（伝送量を抑える）ことができる。
【００７５】ここで、図３０の（Ｂ）に示した導体パタ
ーンを、同図の（Ａ）のように２次元配列したスプリア
スモード伝搬阻止回路を用いた高周波モジュールの例を
図３３に示す。（Ａ）は全体の斜視図である。この高周
波モジュールは、基板７０上にチップ状の複数の集積回
路部品を実装して、例えば２〜３０ＧＨｚの周波数帯に
適用される高周波モジュールを構成している。（Ｂ）
は、その１つの集積回路部品の拡大平面図である。この
集積回路部品は、基板上にスパイラルインダクタとスロ
ット線路等を形成して、等価的には線路にインダクタを
並列接続して成る整合回路を構成している。このスロッ
ト線路およびスパイラルスロットインダクタの形成領域
以外の領域に上記スプリアスモード伝搬阻止回路を形成
している。
【００７６】このように、スロット線路に分岐部やベン
ド部が有ると、それらの箇所でスプリアスモードが発生
する。もし、上記スプリアスモード伝搬素子回路を設け
ずに、単なる平面導体とすれば、上記スプリアスモード
の波は平行平面導体間を伝搬し、スパイラルインダクタ
と結合したり、寄生容量を増加させる原因となる。その
結果、例えば通信モジュールにおいて混信などの現象を
引き起こしたり、各部品の特性が設計値から大きくずれ
て、全体の設計が困難になるといった問題を生む。
【００７７】これに対し、図３３に示したように、スロ
ット線路およびスパイラルスロットインダクタの形成領
域以外の領域に上記スプリアスモード伝搬阻止回路を形
成すれば、スロット線路の分岐部やベンド部で発生する
スプリアスモードがスプリアスモード伝搬阻止回路で吸
収されるため、スプリアスモードの波がスパイラルイン
ダクタと結合したり、寄生容量が増加することがなく、
上記の問題が解消される。
【００７８】次に、他の３開口回路を用いた例を、請求
項４に記載の発明の実施形態として図３４および図３５
を参照して説明する。図３４は３開口回路の基本回路で
ある。この回路は図２３の（Ｃ）のインダクタＬの入出
力ポート側に並列容量Ｃ２を接続したものに相当する。
【００７９】図３５の（Ａ）は、その導体パターンの基
本パターンであり、（Ｂ）はこれを複数個配列した導体
パターンの一部を示している。図３５の（Ａ）におい
て、Ｃ１，Ｃ２で示す導体パターンは、誘電体板を挟ん
で他方の面に形成している接地電極との間で、図３４に
示す並列容量Ｃ１，Ｃ２をそれぞれ構成し、Ｌで示す導
体パターンは図３４に示す直列インダクタＬを構成す
る。
【００８０】なお、上記並列容量Ｃ１を形成する三角形
状の導体パターンの頂点は、近接する他の三角形状の導
体パターンの頂点とは接してはおらず、電気的には絶縁
状態としている。
【００８１】このように、近接する基本パターンの線路
同士の接続位置に、並列容量Ｃ２を設けることにより、
ＬＣはしご形回路の段数を増すことができ、スプリアス
モードの伝搬阻止効果をさらに大きくすることができ
る。
【００８２】次に、請求項６に記載の発明の実施形態と
して、スプリアスモード伝搬阻止回路の他のパターンの
例を図３６および図３７を参照して説明する。図３６の
（Ａ）はその導体パターンの１単位であり、これはさら
に４つの基本パターンに区分できる。１つの基本パター
ンは、低インピーダンス線路−高インピーダンス線路−
低インピーダンス線路の順に接続した２端子対回路（４
端子網）であり、両側の低インピーダンス線路を互いに
近接配置していて、両者間の結合を強めている。この低
インピーダンスー線路は、マイクロストリップライン上
での伝搬波長をλｇで表せば、長さλｇ／４の線路であ
り、或る周波数においてスプリアスモードの伝搬を阻止
している。
【００８３】図３７は上記導体パターンから成るスプリ
アスモード伝搬阻止回路の特性図である。同図のＳ１１
特性に表れているように、所定の周波数以上で反射係数
が大きくなり、スプリアスモードの伝搬を有効に阻止で
きることが分かる。
【００８４】
【発明の効果】請求項１〜１６に記載の発明によれば、
２つの平行平面導体間を伝搬するスプリアスモードの波
がスプリアスモード伝搬阻止回路に結合して、このスプ
リアスモード伝搬阻止回路部分で、スプリアスモードの
伝搬が阻止される。しかも、このスプリアスモード伝搬
阻止回路は前記平行平面導体に形成するものであるた
め、電極をパターンニングするだけでよく、従来のよう
にスルーホールを形成する場合のような問題が生じな
い。
【００８５】また、スプリアスモードが多重反射する場
合でも、スプリアスモードの伝搬方向に対して垂直な方
向だけでなく、平行な方向や斜方向に対しても結合し
て、その伝搬が阻止される。
【００８６】
【００８７】また、請求項６〜１１に記載の発明によれ
ば、伝送線路と他の伝送線路との間での漏洩波による干
渉や、伝送線路と共振器との間での漏洩波による干渉が
防止される。
【００８８】請求項１２に記載の発明によれば、共振器
と他の伝送線路との間、または共振器と他の共振器との
間での漏洩波による干渉が防止される。
【００８９】請求項１７に記載の発明によれば、通信信
号を伝搬する伝搬部や、通信信号の所定周波数帯域を通
過または阻止するフィルタ等の信号処理部において、線
路や共振器の配置間隔を狭めても、線路間または線路と
共振器との間における干渉が確実に防止されるので、全
体に小型化された通信装置を構成することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】第１の実施形態に係る高周波回路装置の構成を
示す上面図
【図２】伝送線路とスプリアスモード伝搬阻止回路とを
備えた高周波回路装置の等価回路図
【図３】導波管モードとマイクロストリップモードとの
モード変換器部分の構成を示す斜視図
【図４】同モード変換器部分の特性を示す図
【図５】スプリアスモード伝搬阻止回路の等価回路図
【図６】同回路の特性図
【図７】スプリアスモード伝搬阻止回路の部分における
各モードの例を示す図
【図８】パラレルプレートモードによるスプリアスモー
ド伝搬阻止回路の励振の様子を示す図
【図９】スプリアスモード伝搬阻止回路の特性評価用装
置の斜視図
【図１０】同回路の上面図
【図１１】図９に示した回路の特性図
【図１２】グラウンデッドコプレーナ線路に適用した例
を示す図
【図１３】グラウンデッドスロット線路に適用した例を
示す図
【図１４】グラウンデッドスロット線路に適用した他の
例を示す図
【図１５】平面誘電体線路に適用した例を示す図
【図１６】誘電体線路に適用した例を示す図
【図１７】他のスプリアスモード伝搬阻止回路の構成を
示す上面図
【図１８】共振器を備えた高周波回路装置に適用した例
を示す図
【図１９】共振器を備えた高周波回路装置に適用した例
を示す図
【図２０】共振器を備えた高周波回路装置に適用した例
を示す図
【図２１】電圧可変発振器の構成例を示す図
【図２２】通信装置の構成例を示す図
【図２３】スプリアスモード伝搬阻止回路の基本回路図
【図２４】図２３の（Ｃ）に示した回路の電気特性を示
す図
【図２５】図２３の（Ｃ）に示した基本回路を２次元状
に配列した例を示す図
【図２６】図２５に示した回路の電気特性を示す図
【図２７】スプリアスモード伝搬阻止回路の基本回路図
【図２８】図２７に示した基本回路を２次元状に配列し
た例を示す図
【図２９】図２８に示した回路の電気特性を示す図
【図３０】図２８に示した基本回路とその変形例を示す
図
【図３１】図３０の（Ｃ）に示した回路の電気特性を示
す図
【図３２】図３０の（Ｄ）に示した回路の電気特性を示
す図
【図３３】スプリアスモード伝搬阻止回路を設けた高周
波モジュールの例を示す図
【図３４】スプリアスモード伝搬阻止回路の基本回路図
【図３５】図３４に示した基本回路を２次元状に配列し
た例を示す図
【図３６】スプリアスモード伝搬阻止回路の基本パター
ンを示す図
【図３７】図３６に示した回路の電気特性を示す図
【図３８】パラレルプレートモードの様子を示す一部破
断斜視図
【符号の説明】
１，２−グラウンデッドコプレーナ線路 ３−スプリアスモード伝搬阻止回路 ４−グラウンデッドスロット線路 １１，１２−マイクロストリップ線路 １９−ストリップ導体 ２０−誘電体板 ２１〜２４−電極 ２５，２６−スロット ２７，２８−導体板 ２９−誘電体板 ３０−電極非形成部 ３１，３２−導体板 ３３−誘電体板 ３４−電極 ３５，３６−誘電体ストリップ ３７−共振器用電極 ５０−ＦＥＴ ６０−可変容量素子 ６１−薄膜抵抗 ６２，６３−スロット ６４−誘電体共振器用導体非形成部 ７０−基板 Ｃ，Ｃ１，Ｃ２−並列容量 Ｌ−直列インダクタ
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 坂本 孝一 京都府長岡京市天神二丁目26番10号 株 式会社村田製作所内 (56)参考文献 特開 平９−232820（ＪＰ，Ａ) 特開 平10−13105（ＪＰ，Ａ) 特開 平10−209718（ＪＰ，Ａ) 特開 昭63−185101（ＪＰ，Ａ) 特開 平９−18201（ＪＰ，Ａ) 特開 平９−266401（ＪＰ，Ａ) 特開 昭61−290794（ＪＰ，Ａ) 特公 昭51−12386（ＪＰ，Ｂ１) 実公 昭50−40910（ＪＰ，Ｙ１) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) H01P 1/212 H01P 3/02 H01P 3/08 H01P 3/16 H01P 1/16

Claims (17)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 平行な少なくとも２つの平面導体を有
    し、該２つの平面導体間に電磁波を励振させる回路を備
    えた高周波回路装置において、 前記２つの平面導体間を伝搬するスプリアスモードと結
    合して当該スプリアスモードの伝搬を阻止する、前記平
    面導体の面方向にパターン変化を与えた導体パターンか
    ら成るスプリアスモード伝搬阻止回路を、前記２つの平
    面導体のうちいずれか一方または両方に形成してなり、
    前記導体パターンを前記電磁波の波長より短い間隔を隔
    てた複数のマイクロストリップ状線路で構成したことを
    特徴とする高周波回路装置。
  2. 【請求項２】 平行な少なくとも２つの平面導体を有
    し、該２つの平面導体間に電磁波を励振させる回路を備
    えた高周波回路装置において、 前記２つの平面導体間を伝搬するスプリアスモードと結
    合して当該スプリアスモードの伝搬を阻止する、前記平
    面導体の面方向にパターン変化を与えた導体パターンか
    ら成るスプリアスモード伝搬阻止回路を、前記２つの平
    面導体のうちいずれか一方または両方に形成してなり、
    前記導体パターンを多角形または円形で、当該導体パタ
    ーンを形成した平面導体とは異なる他方の平面導体との
    間に静電容量を生じさせる電極と、該電極に接続された
    複数の線路とを基本パターンとし、前記電磁波の波長よ
    り短い間隔を隔てて、該基本パターンを複数個配置する
    とともに、近接する基本パターンの一方の線路を他方の
    基本パターンの線路に接続して構成したことを特徴とす
    る高周波回路装置。
  3. 【請求項３】 平行な少なくとも２つの平面導体を有
    し、該２つの平面導体間に電磁波を励振させる回路を備
    えた高周波回路装置において、 前記２つの平面導体間を伝搬するスプリアスモードと結
    合して当該スプリアスモードの伝搬を阻止する、前記平
    面導体の面方向にパターン変化を与えた導体パターンか
    ら成るスプリアスモード伝搬阻止回路を、前記２つの平
    面導体のうちいずれか一方または両方に形成してなり、
    前記導体パターンは、中央の線路と、その両端の線路と
    の間の結合より、両端の線路同士の結合を強めた、直列
    接続された３つのストリップ状導体による２端子対回路
    を基本パターンとし、当該基本パターンを複数個配置し
    て成ることを特徴とする高周波回路装置。
  4. 【請求項４】 前記近接する基本パターンの線路同士の
    接続位置に、当該基本パターンを形成した平面導体とは
    異なる他方の平面導体との間で静電容量を生じさせる電
    極を設けたことを特徴とする請求項２に記載の高周波回
    路装置。
  5. 【請求項５】 前記静電容量を生じさせる電極に対する
    複数の線路のうち任意の２本の線路の接続位置および向
    きが一直線上に配置されないようにしたことを特徴とす
    る請求項２または４に記載の高周波回路装置。
  6. 【請求項６】 前記電磁波を励振させる回路は伝送線路
    であり、該伝送線路と他の伝送線路または共振器との間
    に前記スプリアスモード伝搬阻止回路を設けたことを特
    徴とする請求項１〜５のうちいずれかに記載の高周波回
    路装置。
  7. 【請求項７】 前記伝送線路はグラウンデッドコプレー
    ナ線路である請求項６に記載の高周波回路装置。
  8. 【請求項８】 前記伝送線路はグラウンデッドスロット
    線路である請求項６に記載の高周波回路装置。
  9. 【請求項９】 前記伝送線路はストリップ線路である請
    求項６に記載の高周波回路装置。
  10. 【請求項１０】 前記伝送線路は平面誘電体線路である
    請求項６に記載の高周波回路装置。
  11. 【請求項１１】 前記伝送線路は誘電体線路である請求
    項６に記載の高周波回路装置。
  12. 【請求項１２】 前記電磁波を励振させる回路は共振器
    であり、該共振器の周囲に前記スプリアスモード伝搬阻
    止回路を設けたことを特徴とする請求項１〜５のうちい
    ずれかに記載の高周波回路装置。
  13. 【請求項１３】 前記電磁波を励振させる回路は伝送線
    路であり、前記マイクロストリップ状線路は、前記伝送
    線路の電磁波伝搬方向に垂直な向きに高インピーダンス
    線路と低インピーダンス線路とを交互に直列接続したも
    のである請求項１に記載の高周波回路装置。
  14. 【請求項１４】 前記電磁波を励振させる回路は伝送線
    路であり、前記マイクロストリップ状線路は、前記伝送
    線路の電磁波伝搬方向に垂直な向きに互いに平行に配列
    するとともに、それぞれの終端を開放させたマイクロス
    トリップ線路 である請求項１に記載の高周波回路装置。
  15. 【請求項１５】 前記電磁波を励振させる回路は共振器
    であり、前記マイクロストリップ状線路は、前記共振器
    を中心とする略放射方向に高インピーダンス線路と低イ
    ンピーダンス線路とを交互に直列接続したものである請
    求項１に記載の高周波回路装置。
  16. 【請求項１６】 前記電磁波を励振させる回路は共振器
    であり、前記マイクロストリップ状線路は、前記共振器
    を中心とする略放射方向に配列するとともに、それぞれ
    の終端を開放させたマイクロストリップ線路である請求
    項１に記載の高周波回路装置。
  17. 【請求項１７】 請求項１〜１６のうちいずれかに記載
    の高周波回路装置を通信信号の伝搬部または通信信号の
    信号処理部に用いた通信装置。
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