KR100780419B1

KR100780419B1 - 고주파 스위치

Info

Publication number: KR100780419B1
Application number: KR1020060094285A
Authority: KR
Inventors: 문영찬; 이강현
Original assignee: 주식회사 케이엠더블유
Priority date: 2006-09-27
Filing date: 2006-09-27
Publication date: 2007-11-29
Also published as: US8175013B2; EP2067264A4; JP2010505325A; US20100008267A1; EP2067264A1; WO2008038861A1; ES2721629T3; EP2738947B1; CN101517907A; CN101517907B; JP4949475B2; EP2738947A1

Abstract

본 발명은 고주파 스위치에 있어서, 제1 내지 제3포트와 각각 단자가 연결되는 서큘레이터와, 서큘레이터의 제3포트와의 연결단에 설치되어 신호전달 및 차단을 구현하는 슬롯라인 패턴부가 구비되며, 이때 슬롯라인 패턴부에는 미리 설정된 위치에 설치되어 외부 스위칭 제어 신호에 따라 해당 설치된 위치의 슬롯라인의 갭을 연결 및 단락시킴으로써 신호 전달 및 차단하는 스위칭 회로를 구비한다.

고주파, 스위치, TDD, 슬롯라인, 마이크로스트립라인, 서큘레이터

Description

고주파 스위치{RADIO FREQUENCY SWITCH}

도 1은 일반적인 TDD 시스템의 송수신 종단부의 일 예시 블록 구성도

도 2는 본 발명의 제1실시예에 따른 TDD 시스템용 송수신 전환을 위한 고주파 스위치의 회로 패턴 평면 구조도

도 3, 4, 5, 6, 7은 각각 도 2의 고주파 스위치의 변형 예시도

도 8, 9는 종래의 고주파 스위치의 예시 구조도

본 발명은 고주파(RF) 스위치에 관한 것으로, 특히, 시분할 이중화(TDD: Time Division Duplexing)방식의 시스템의 신호 송수신 단부의 송수신 신호 전환을 위한 스위치에 적용됨이 바람직한 RF 스위치에 관한 것이다.

제2, 3세대 이동통신 시스템은 주로 FDD(Frequency Division Duplexing) 방식을 사용하였다. FDD 방식에 있어서 송신신호와 수신신호의 분리는 듀플렉서(Duplexer) 필터에 의하여 이루어진다. 그러나 최근 3.5세대, 4세대용 이동통신 시스템은 TDD 방식을 주로 사용할 것으로 예상된다.

TDD 방식을 비롯한 시분할 전송 방식은 송수신용으로 동일한 주파수를 이용 시분할하여 송수신용으로 구분하여 사용하는 것으로, 1개의 프레임 내부를 송신용과 수신용으로 구분 분할하여 1개의 주파수를 양방향 통신을 하는 방식이다.

도 1에는 일반적인 TDD 시스템의 송수신 종단부의 불록 구성이 도시되고 있는데, 도 1에 도시된 바와 같이, 송신 신호(TX)는 전력증폭기(40)에서 적절히 설정된 전력으로 증폭된 후, 송수신 전환 스위치(10) 및 전대역 필터(50)를 거쳐 안테나(60)를 통해 방사된다. 반대로 안테나(60)로부터 수신된 수신 신호(RX)는 전대역 필터(50)를 및 송수신 전환 스위치(10)를 통과한 후, 적절히 설정된 수신 신호용 전력증폭기(예를 들어 LNA)(20)를 거쳐 증폭된다. 이때의 전환 스위치(10)는 송신 및 수신 동작에 따라 제어부(미도시)에서 제공되는 스위칭 제어 신호에 따라 스위칭 동작을 수행할 수 있다.

이와 같이 TDD 시스템에서는 동일한 주파수를 사용하여 정해진 시간 주기로 송신과 수신을 분리하기 때문에 고전력 송신전력과 고속의 송수신 전환용 RF 스위치가 반드시 필요하다.

상기 RF 스위치는 고속의 스위칭동작이 가능해야 하기 때문에 기계적 스위치(Mechanical Switch) 보다는 핀 다이오드(PIN Diode) 또는 FET(Field Effect Transistor) 등의 반도체 소자를 이용한 스위치를 사용한다. 그런데, 이러한 반도체 소자를 이용한 스위치는 반도체의 대전력 취약성 때문에 하이파워용으로 사용하기가 어려웠다.

다시 말하면 대전력이 인가될 경우 많은 열이 발생하고 충분한 방열이 보장 되지 않으면 종국에는 스위치가 파괴된다. 이에 따라 대전력을 견딜 수 있도록 개발되는 RF 스위치는 별도의 냉각기 등을 구비하는 등 그 비용이 무척 고가이며 제작이 용이하지 않으므로, 군사용으로만 제한적으로 사용되고 있는 실정이다.

이를 해결하기 위해 통상 상기 TDD 시스템에서는 RF스위치 대신 도 8, 및 도 9에 도시된 바와 같은 서큘레이터(10)를 이용하여 고정적으로 송신신호와 수신신호를 분리하는 방안을 채용하기도 하였다. 그런데, 이러한 서큘레이터(10)를 사용하는 스위치의 경우에는 수신 구간동안 송신신호를 차단하기 위한 격리도(Isolation)를 충분하게 확보하기 어렵고 송신전력 전송시 안테나에 문제가 발생하여 오픈상태 및 VSWR 값이 나빠질 경우 및 스위치의 동작전원 공급이 차단 될 경우에는 송신신호가 수신기에 유입되어 시스템에 장애 발생 및 시스템 장비에 치명적인 고장이 발생되어 전파품질에 영향을 주게 된다.

따라서, 본 발명의 목적은 상기와 같은 종래의 문제점을 해결하기 위해 창안한 것으로, 고 전력 송신신호에 대하여 송신단과 수신단 사이의 높은 아이솔레이션을 확보 및 시스템 보호를 하기 위한 TDD 송수신 전환용으로 채용되기에 바람직한 고주파 스위치를 제공하는데 있다.

본 발명의 다른 목적은 안테나 오픈 시, 제어 동작용 DC 전원에 이상이 발생시 등에도 고 전력 송신전력이 수신단으로 유입되는 것을 현저히 방지 및 시스템 이상발생에 대한 보호를 위한 TDD 시스템용 송수신 전환용으로 채용되기에 바람직 한 고주파 스위치를 제공하는데 있다.

본 발명의 또 다른 목적은 반도체 소자를 사용하되 충분한 방열조건을 확보하여 대전력에서도 안정적으로 동작상태를 유지할 수 있으며 고속 스위칭을 통한 통화품질 및 용량 증대를 하기 위한 고주파 스위치를 제공하는데 있다.

본 발명의 또 다른 목적은 MIC(Microwave Integrated Circuit) 형태로도 쉽게 제작하기 위한 고주파 스위치를 제공하는데 있다.

본 발명의 또 다른 목적은 이동통신 주파수 대역 뿐만 아니라 수 십 GHz 이상의 고주파 대역에서도 사용가능한 고주파 스위치를 제공하는데 있다.

상기 본 발명의 목적을 달성하기 위하여 본 발명은 고주파 스위치에 있어서, 제1 내지 제3포트와 각각 단자가 연결되는 서큘레이터와, 상기 서큘레이터의 제3포트와의 연결단에 설치되어 신호전달 및 차단을 구현하는 슬롯라인 패턴부가 구비되며, 이때 슬롯라인 패턴부에는 미리 설정된 위치에 설치되어 외부 스위칭 제어 신호에 따라 해당 설치된 위치의 슬롯라인의 갭을 연결 및 단락시킴으로써 신호 전달 및 차단하는 스위칭 회로를 구비함을 특징으로 한다.

이하 본 발명에 따른 바람직한 실시예를 첨부한 도면을 참조하여 상세히 설명한다. 하기 설명에서는 구체적인 구성 소자 등과 같은 특정 사항들이 나타나고 있는데 이는 본 발명의 보다 전반적인 이해를 돕기 위해서 제공된 것일 뿐 이러한 특정 사항들이 본 발명의 범위 내에서 소정의 변형이나 혹은 변경이 이루어질 수 있음은 이 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게는 자명하다 할 것이다.

도 2는 본 발명의 대표적인 구성도로서, TDD시스템의 송수신 전환을 위한 고주파 스위치의 인쇄 회로 기판상에서의 회로 패턴의 구조도이며, 각 부분의 크기 및 형상은 설명의 편의를 위해 다소 과장 또는 단순화하였다. 도 2를 참조하면, 본 발명에 따른 고주파 스위치는 제1 내지 제3포트와 각각 1내지 3번 단자가 연결되는 서큘레이터(11)와, 상기 서큘레이터(11)의 제3포트와의 연결단에 설치되어 신호전달 및 차단을 구현하는 슬롯라인 패턴부(300)가 구비되며, 이때 슬롯라인 패턴부(300)에는 미리 설정된 위치에 설치되어 외부 스위칭 제어 신호에 따라 해당 설치된 위치의 슬롯라인의 갭을 연결 및 단락시킴으로써 신호 전달 및 차단하는 스위칭 회로를 구비한다.

이때 슬롯라인 패턴부(300)는 하나의 인쇄 회로 기판 상하부에 적절한 패턴을 가지도록 형성된 마이크로스트립라인들 및 슬롯라인들로 구성된다. 즉, 도 2에서 슬롯라인 패턴부(300)는 적절한 유전율을 가진 유전체 기판을 가지며, 이때 유전체 기판의 상부(평면)에 적절한 패턴의 마이크로스트립라인들(111, 112, 113, 114)이 형성되며, 유전체 기판의 하부(저면)에는 적절한 패턴의 슬롯라인들(212, 213 등)이 형성됨을 유의하여야 한다. 이러한 마이크로스트립라인들과 슬롯라인들은 마이크로스트립-슬롯라인 커플링에 의해 적소에서 상호간 신호 전이가 이루어지도록 구성된다.

도 2를 참조하여, 이러한 슬롯라인 패턴부(300)의 상세 구성을 보다 상세히 설명하면, 먼저 고주파 스위치의 제1 내지 제3포트를 각각 제1 내지 제3마이크로스 트립라인(111, 112, 113)으로 형성할 경우에, 슬롯라인 패턴부(300)는 일단에 개방형 슬롯(211)이 형성되어 상기 서큘레이터(11)의 3번 단자와 연결되는 제4마이크로스트립라인(114)과 신호전이가 이루어지는 제1슬롯라인(212)을 가진다. 제1슬롯라인(212)의 타단에는 루프형 슬롯라인 패턴부(213)가 형성되며, 루프형 슬롯라인패턴부(213)가 상기 제1슬롯라인(212)과 연결되는 지점과 대향하는 반대측 지점에서 상기 제3마이크로스트립라인(113)과 신호 전이가 이루어지도록 구성된다.

이때 제2마이크로스트립라인(112)의 종단은 기판을 사이에 두고 교차되는 위치에 설치되는 제1슬롯라인(212)과의 효율적인 신호 전이가 이루어지도록 하기 위해 개방 또는 단락종단회로를 형성한다. 도 2에서는 단락종단회로를 형성한 예가 도시되고 있는데, 이와 같이 단락종단회로를 형성할 경우에는 그 종단에는 기판을 관통하는 원형의 홀을 형성하고 그 내부를 적절한 전도성 금속으로 도금처리함으로써, 하면의 슬롯라인 패턴들이 형성된 그라운드판과 연결되도록 구성할 수 있다. 또한 도 2에서는 상기 제3마이크로스트립라인(113)은 개방종단회로를 형성함이 도시되고 있는데, 이는 상기 루프형 슬롯라인 패턴부(213)와의 교점에서부터 λ/8 길이를 가지는 개방단이 연장되어 있어서 이 교점에서 신호 전이를 위한 자계가 최대가 되도록 한다.

또한, 슬롯라인 패턴부(300)에는 루프형 슬롯라인 패턴부(213) 중 적소에서 설치되어 외부 스위칭 제어 신호에 따라 해당 설치된 위치의 슬롯라인의 갭을 단락시킴으로써 신호 전달을 차단하는 구성을 가지는 스위칭 소자(예를 들어 제1다이오드 D1, 제1커패시터 C1)를 구비한다. 이때 스위칭 소자들은 루프형 슬롯라인 패턴 부(213)가 제1슬롯라인(212)과의 연결 부위의 일측 및 타측에 각각 설치되어, 해당 위치에서 슬롯라인의 갭을 단락시키도록 구성된다.

이러한 루프형 슬롯라인 패턴부(213)에 제1슬롯라인(212)으로부터 유입되는 신호는 제1다이오드(D1)가 온 상태일 경우에는 제3마이크로스트립라인(113)으로 신호 전이가 이루어지게 되나, 제1다이오드(D1)가 오프상태일 경우에, 제1슬롯라인(212)과의 연결지점에서 각각의 반원형 슬롯라인을 따라 각각 180도의 위상차를 가지며 분배되어 전달되며, 분배된 신호가 합쳐지는 지점, 즉 제1-2, 제1-3연결 마이크로스트립라인(142, 143)과의 전이 지점에서 서로간 180도의 위상차에 의해 상쇄된다.

또한, 상기 스위칭 소자에 제공되는 스위칭 제어신호는 각 스위칭 소자에 개별적으로, 또는 적절히 전기적으로 분리된 그라운드 기판을 통해 예를 들어 +5V/-5V의 바이어스 전압을 인가함으로써 스위칭 소자의 동작을 온/오프 제어하도록 구성할 수 있다.

상기와 같이 구성되는 본 발명의 고주파 스위치에서 상기 제1 내지 제3마이크로스트립라인(111, 112, 113)의 제1 내지 제3포트를 각각 송신단(Tx), 안테나단(Ant) 및 수신단(Rx)과 연결하여 TDD 시스템용 송수신 전환을 위한 스위치 장치로서 사용할 수 있게 된다. 이하, 상기 도 2와 같이 구성되는 본 발명의 고주파 스위치의 동작을 TDD 시스템용 송수신 전환을 위한 스위치 장치로서의 동작을 예로 들어 설명하기로 한다.

먼저, 송신 모드에는 제1다이오드(D1)를 오프 상태로 유지하며, 송신단(Tx) 을 통해 제1포트에 RF 송신신호를 인가시키면, 송신신호는 제1마이크로스트립라인(111)을 거쳐 서큘레이터(11)의 1번 단자로 입력되고 이후 2번 단자로 출력되어 제2포트인 제2마이크로스트립라인(112)을 거쳐 안테나단(Ant)으로 출력된다.

이때, 서큘레이터(11)의 3번 단자를 통해 출력되어 제4마이크로스트립라인(114)측으로 유입될 가능성이 있는 신호는 제1슬롯라인(212)과 루프형 슬롯라인 패턴부(213)로 유입되며, 이때 루프형 슬롯라인 패턴부(213)에서 제1다이오드(D1)와 제1커패시터(C1)의 부착 위치의 슬롯라인에 의해 분기되어 전달된다. 이후 분기된 신호가 합쳐지는 지점, 즉 제3마이크로스트립라인(113)과의 전이 지점에서 서로간 180도의 위상차에 의해 상쇄됨으로써 신호차단이 이루어져 높은 아이솔레이션을 특성을 갖게 된다.

수신 모드에서는 제1다이오드(D1)를 온 상태로 동작시키며, 안테나단(Ant)을 통해 제2포트에 RF 수신신호가 인가되면, 수신신호는 제2마이크로스트립라인(112)을 거쳐 서큘레이터(11)의 2번 단자로 입력되고 이후 3번 단자로 출력되어 본 발명의 슬롯라인 패턴부(300)를 거치게 되며, 이후 제3포트인 제3마이크로스트립라인(113)을 거쳐 수신단(Rx)으로 출력된다. 이때 루프형 슬롯라인 패턴부(213)에서 제1다이오드(D1)는 온 상태로 동작하므로 다이오드 밑의 슬롯라인은 도통 상태를 유지하여 신호흐름을 차단하며, 제1커패시터(C1)의 부착위치의 밑면의 슬롯라인을 통하여 신호의 흐름이 이어진다. 이후 상기 λ/8 길이를 가지는 제3스트립라인(113)에 의해 수신신호가 전이되어 수신신호를 전송한다.

상기와 같이 본 발명의 실시 예에 따른 고주파 스위치의 구성 및 동작이 이 루어질 수 있으며, 한편 상기한 본 발명의 설명에서는 구체적인 실시예에 관해 설명하였으나 여러 가지 변형이 본 발명의 범위를 벗어나지 않고 실시될 수 있다. 이러한 변형 예들을 도 3, 4, 5, 6, 7을 참조하여, 이하 보다 상세히 설명하기로 한다.

먼저, 도 3에 도시된 고주파 스위치는 도 2에 도시된 구성과 거의 동일하나, 슬롯라인 패턴부(300)에서 루프형 슬롯라인 패턴부(213)에 설치되는 스위칭 소자에서 차이가 있다. 도 3에 도시된 바와 같이, 이때 스위칭 소자는 도 2에 도시된 제1커패시터(C1) 대신에 제2다이오드(D2)가 설치되어 있음을 알 수 있다. 이러한 구조에서는 송신모드시에는 제1, 제2다이오드(D1, D2)가 모두 오프 상태가 되도록 구성되며, 수신모드시에는 이들 중 하나는 온 상태로 다른 하나는 오프 상태로 설정된다.

도 4에 도시된 고주파 스위치는 도 3에 도시된 구성과 거의 동일하나, 슬롯라인 패턴부(300) 중 제4마이크로스트립라인(112)의 종단부에서 차이가 있다. 즉, 도 4에서는 제4마이크로스트립라인(112)의 종단에는 제1슬롯라인(212)과의 교점에서부터 λ/4 길이를 가지는 연장된 개방단을 가지는 개방종단회로로 형성된다.

도 5에 도시된 고주파 스위치는 도 2에 도시된 구성과 거의 동일하나, 도 4에 도시된 구성과 유사하게, 슬롯라인 패턴부(300) 중 제4마이크로스트립라인(112)의 종단부가 제1슬롯라인(212)과의 교점에서부터 λ/4 길이를 가지는 연장된 개방단을 가지는 개방종단회로로 형성된다.

도 6에 도시된 고주파 스위치는 도 4에 도시된 구성과 거의 동일하나, 제3마 이크로스트립라인(113)의 종단부가 단락종단회로로 형성된다. 마찬가지로 도 7에 도시된 고주파 스위치는 도 5에 도시된 구성과 거의 동일하나, 제3마이크로스트립라인(113)의 종단부가 단락종단회로로 형성된다.

이와 같이, 도 3 내지 도 7에 도시된 바와 같은 본 발명의 다양한 변형예가 있을 수 있으며, 이외에도 상기의 설명에서는 언급한 마이크로스트립라인은 스트립라인, 동축선로 및 CPW(Coplanar Waveguide) 등으로도 이의 대체 구현이 가능하다. 또한 상기 슬롯라인 대신에 CPS(Coplanar Strip)로도 구현이 가능하다. 그리고 상기의 본 발명의 실시예에서는 스위칭 소자로서 다이오드를 사용하였으나 스위칭 기능을 갖는 다른 반도체 소자(예를 들어 FET)를 사용할 수도 있다.

이와 같이, 본 발명의 다양한 변경 및 변형이 있을 수 있으며, 따라서 본 발명의 범위는 설명된 실시예에 의하여 정할 것이 아니고 청구범위와 청구범위의 균등한 것에 의하여 정하여져야 할 것이다.

이상에서 상세히 설명한 바와 같이 본 발명의 시분할 전송 시스템의 송수신 전환 스위치 장치는 송수신 경로간 아이솔레이션을 충분히 확보할 수 있는 효과가 있다.

그리고 안테나 오픈, 제어 동작용 DC 전원에 이상이 발생시 등에도 송신전력이 수신단으로 전반사되어 유입되는 것을 현저히 줄일 수 있고 수신단의 ACTIVE 소자를 보호할 수 있다.

그리고 충분한 그라운드판을 갖는 슬롯라인을 통해 송신신호가 전달되도록 함으로써 반도체 소자를 사용하여 고속의 스위칭이 가능하면서도 대전력에 사용할 수 있는 효과가 있다.

그리고 MIC형태로도 쉽게 적용될 수 있으므로 반도체 일반 공정상에서 동시제작이 가능한 효과가 있다.

그리고 이동통신 주파수 대역뿐만 아니라 수십 GHz 이상의 고주파 대역에서도 사용 가능하여 위성통신, 군사용 레이더 등에 용이하게 적용할 수 있는 효과가 있다.

Claims

고주파 스위치에 있어서,

제1 내지 제3포트 측으로 각각 1내지 3번 단자가 연결되는 서큘레이터와,

상기 서큘레이터의 3번 단자와 상기 제3포트와의 연결단 사이에 설치되어 신호전달 및 차단을 구현하는 슬롯라인 패턴부를 포함하며,

상기 슬롯라인 패턴부에는 미리 설정된 위치에 설치되어 외부 스위칭 제어 신호에 따라 해당 설치된 위치의 슬롯라인의 갭을 연결 및 단락시킴으로써 신호 전달 및 차단하는 스위칭 회로를 구비함을 특징으로 하는 고주파 스위치.
제1항에 있어서, 상기 슬롯라인 패턴부는 일단에 개방형 슬롯이 형성되며, 상기 서큘레이터의 3번 단자와 연결되는 전송라인과 신호전이가 이루어지는 제1슬롯라인과, 상기 제1슬롯라인의 타단과 연결되며 상기 제1슬롯라인과 연결되는 지점과 대향하는 반대측 지점에서 상기 제3포트를 형성하는 전송라인과 신호 전이가 이루어지도록 구성되는 루프형 슬롯라인 패턴부를 포함하며;

상기 스위칭 회로는 상기 루프형 슬롯라인 패턴부에서 상기 제1슬롯라인과의 연결 지점의 일측 및 타측에 각각 설치되어, 해당 위치에서 슬롯라인의 갭을 단락시키도록 구성되는 제1, 제2스위칭 소자를 포함하여 구성됨을 특징으로 하는 고주파 스위치.
제2항에 있어서, 제1, 제2스위칭 소자 중 적어도 하나는 다이오드로 구성되며, 다른 하나는 커패시터로 구성됨을 특징으로 하는 고주파 스위치.
제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 전송라인들의 종단부는 개방 또는 단락종단회로로 형성됨을 특징으로 하는 고주파 스위치.
제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 전송라인들은 마이크로스트립라인, 스트립라인, 동축선로. CPW(Coplanar Waveguide) 중 어느 하나임을 특징을 하는 고주파 스위치.
시분할 이중/다중화 시스템의 송수신 전환용 고주파 스위치에 있어서,

송신단, 안테나단 및 수신단과 각각 연결되는 제1 내지 제3포트측으로 각각 1내지 3번 단자가 연결되어, 상기 송신단으로 상기 1번 단자를 통해 입력되는 송신신호는 상기 2번 단자를 통해 상기 안테나단으로 출력하며, 상기 안테나단으로 상기 2번 단자를 통해 입력되는 수신신호는 상기 3번 단자를 통해 상기 수신단으로 출력하는 서큘레이터와,

상기 서큘레이터의 3번 단자와 상기 제3포트와의 연결단 사이에 설치되어 신호전달 및 차단을 구현하는 슬롯라인 패턴부를 포함하며,

상기 슬롯라인 패턴부에는 미리 설정된 위치에 설치되어 외부 스위칭 제어 신호에 따라 해당 설치된 위치의 슬롯라인의 갭을 연결 및 단락시킴으로써 신호 전달 및 차단하는 스위칭 회로를 구비함을 특징으로 하는 고주파 스위치.
제6항에 있어서, 상기 슬롯라인 패턴부는 일단에 개방형 슬롯이 형성되며, 상기 서큘레이터의 3번 단자와 연결되는 전송라인과 신호전이가 이루어지는 제1슬롯라인과, 상기 제1슬롯라인의 타단과 연결되며 상기 제1슬롯라인과 연결되는 지점과 대향하는 반대측 지점에서 상기 제3포트를 형성하는 전송라인과 신호 전이가 이루어지도록 구성되는 루프형 슬롯라인 패턴부를 포함하며;

상기 스위칭 회로는 상기 루프형 슬롯라인 패턴부에서 상기 제1슬롯라인과의 연결 지점의 일측 및 타측에 각각 설치되어, 해당 위치에서 슬롯라인의 갭을 단락시키도록 구성되는 제1, 제2스위칭 소자를 포함하여 구성됨을 특징으로 하는 고주파 스위치.
제7항에 있어서, 제1, 제2스위칭 소자 중 적어도 하나는 다이오드로 구성되며, 다른 하나는 커패시터로 구성됨을 특징으로 하는 고주파 스위치.
제6항 내지 제8항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 전송라인들의 종단부는 개방 또는 단락종단회로로 형성됨을 특징으로 하는 고주파 스위치.
제6항 내지 제8항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 전송라인들은 마이크로스트립라인, 스트립라인, 동축선로. CPW(Coplanar Waveguide) 중 어느 하나임을 특징을 하는 고주파 스위치.