JPS60172864A - 高周波信号スイツチ回路 - Google Patents
高周波信号スイツチ回路Info
- Publication number
- JPS60172864A JPS60172864A JP1591684A JP1591684A JPS60172864A JP S60172864 A JPS60172864 A JP S60172864A JP 1591684 A JP1591684 A JP 1591684A JP 1591684 A JP1591684 A JP 1591684A JP S60172864 A JPS60172864 A JP S60172864A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- high frequency
- frequency signal
- line
- slot
- switch circuit
- Prior art date
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- Pending
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01P—WAVEGUIDES; RESONATORS, LINES, OR OTHER DEVICES OF THE WAVEGUIDE TYPE
- H01P1/00—Auxiliary devices
- H01P1/10—Auxiliary devices for switching or interrupting
- H01P1/15—Auxiliary devices for switching or interrupting by semiconductor devices
Landscapes
- Waveguide Switches, Polarizers, And Phase Shifters (AREA)
- Digital Transmission Methods That Use Modulated Carrier Waves (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
この発明は準ミリ波帯のような超高周波帯において直接
変調を行うＴＤ、ＭＡ（時分割多元接続）用変調器の搬
送波スイッチ回路、あるいはＡＳＫ（Ａｍｐｌｉｔｕｄ
ｅ ５ｈｉｆｔ ｌ（ｅｙｉｎｇ）変調器への適用を目
的とし、形状が小さく、かつ大きなオンオフ比の得られ
る高周波信号スイッチ回路に関するものでろる。
変調を行うＴＤ、ＭＡ（時分割多元接続）用変調器の搬
送波スイッチ回路、あるいはＡＳＫ（Ａｍｐｌｉｔｕｄ
ｅ ５ｈｉｆｔ ｌ（ｅｙｉｎｇ）変調器への適用を目
的とし、形状が小さく、かつ大きなオンオフ比の得られ
る高周波信号スイッチ回路に関するものでろる。
〈従来技術〉
第１図は従来の高周波信号スイッチ回路を示し、暢４→
判一本これはマイクロ波集積回路で構成された一重平衡
形スイッチ回路である。誘電体基板のようなマイクロ波
集積回路基板１１の表面に高周波信号の入力されるスト
’ＩＪツブ憩路１２が形成され、そのストリップ線路１
２の開放端からλｇ／４（λｇは波長を示す）の点で基
板１１を介して交さするλｇ／２以上の閉じたスロット
１尿路１３が基板１１の裏面に形成されている。ストリ
ップ線路１２とスロット線路１３との交点１４から等距
離の点１５にスロット線路１６の一端が接続形成される
。
判一本これはマイクロ波集積回路で構成された一重平衡
形スイッチ回路である。誘電体基板のようなマイクロ波
集積回路基板１１の表面に高周波信号の入力されるスト
’ＩＪツブ憩路１２が形成され、そのストリップ線路１
２の開放端からλｇ／４（λｇは波長を示す）の点で基
板１１を介して交さするλｇ／２以上の閉じたスロット
１尿路１３が基板１１の裏面に形成されている。ストリ
ップ線路１２とスロット線路１３との交点１４から等距
離の点１５にスロット線路１６の一端が接続形成される
。
ストリップ線路１２とスロツ）＋ｌ回路３との交さ点１
４からそれぞれ２ｇ７４０点上の一スロットｉ路１３上
にダイオード１７．１８が互に逆極性で設置シされる。
４からそれぞれ２ｇ７４０点上の一スロットｉ路１３上
にダイオード１７．１８が互に逆極性で設置シされる。
スロット線路１６の他端は短絡端１９とされ、その短絡
端からλｇ／４の点２１で基板１１を介して交さするよ
う□に基板１１の表面にストリップ線路２２が形成され
る。ストリップ線路２２の一端２３は交さ点２１からλ
ｇ／４の点で開放端とされる。端子２４を通じてダイオ
ード１７．１８にバイアスを与える。
端からλｇ／４の点２１で基板１１を介して交さするよ
う□に基板１１の表面にストリップ線路２２が形成され
る。ストリップ線路２２の一端２３は交さ点２１からλ
ｇ／４の点で開放端とされる。端子２４を通じてダイオ
ード１７．１８にバイアスを与える。
まず、バイアス供給端子２４に正のバイアス電圧が加え
られた場合について説明する。この時、ダイオード１７
はオン、すなわち短絡となシ、ダイオード１８はオフ、
すなわち開放となる。ストリップ線路１２に入力された
高周波信号は交さ点１４における線路交さによシストリ
ップ線路１２からスロット線路１３に変換され、オフの
ダイオード１８側を通り、スロット線路１６に導かれる
。
られた場合について説明する。この時、ダイオード１７
はオン、すなわち短絡となシ、ダイオード１８はオフ、
すなわち開放となる。ストリップ線路１２に入力された
高周波信号は交さ点１４における線路交さによシストリ
ップ線路１２からスロット線路１３に変換され、オフの
ダイオード１８側を通り、スロット線路１６に導かれる
。
スロット線路１６に導かれた高周波信号はストリップ線
路２２との交さによりストリップ線路２２に変換されて
出力される。この時１．第１図の平衡形スイッチ回路は
導通状態、すなわちオンとなる。
路２２との交さによりストリップ線路２２に変換されて
出力される。この時１．第１図の平衡形スイッチ回路は
導通状態、すなわちオンとなる。
一方、バイアス供給端子２４のバイアスをゼロバイアス
近辺にするとダイオード１７．１８のインピーダンスは
はソ等しくオフ状態になる。ストリップ線路１２に入力
された高周波信号はスロット線路１３に同相で分配され
、スロツｌｉ路１３．１６の接続点１５においてはソ等
しいレベルで逆相で合成されるため、スロット線路１６
には高周波信号は出力されないことになる。この時、第
１図の平衡形スイッチ回路は非導通状態、すなわちオフ
となる。
近辺にするとダイオード１７．１８のインピーダンスは
はソ等しくオフ状態になる。ストリップ線路１２に入力
された高周波信号はスロット線路１３に同相で分配され
、スロツｌｉ路１３．１６の接続点１５においてはソ等
しいレベルで逆相で合成されるため、スロット線路１６
には高周波信号は出力されないことになる。この時、第
１図の平衡形スイッチ回路は非導通状態、すなわちオフ
となる。
この従来の回路においてはダイオード１７．１８のイン
ピーダンスの偏差、あるいは経路差のため、高周波信号
が十分抑圧されないことから、オンオフ比が約２０ｄＢ
Ｌか得られず、十分なオンオフ比が得られないという欠
点があった。
ピーダンスの偏差、あるいは経路差のため、高周波信号
が十分抑圧されないことから、オンオフ比が約２０ｄＢ
Ｌか得られず、十分なオンオフ比が得られないという欠
点があった。
大きなオンオフ比を得るため平衡形スイッチ回路を縦続
接続することが従来よシ知られている。
接続することが従来よシ知られている。
第２図は第１図の一重平衡形スイッチ回路を２段に縦続
接続した従来の高周波信号スイッチ回路を示したもので
ある。第２図において第１図に示した回路のストリップ
線路２２に基板１１を介してλｇ／２以上の閉じたスロ
ットａ路２５が交さされ、その交さ点２６から同一距離
の点でスロット線路２５に、スロツ） ＫＭ路２７の一
端が接続される。
接続した従来の高周波信号スイッチ回路を示したもので
ある。第２図において第１図に示した回路のストリップ
線路２２に基板１１を介してλｇ／２以上の閉じたスロ
ットａ路２５が交さされ、その交さ点２６から同一距離
の点でスロット線路２５に、スロツ） ＫＭ路２７の一
端が接続される。
スロット線路２７に基板１１を介してストリップ巌路２
８が交さされる。交さ点２６からλｇ／４の位置でスロ
ット線路２５にダイオード２９．３１が設けられ、スロ
ット線路２５の内側にバイアス供給端子３２が接続され
る。
８が交さされる。交さ点２６からλｇ／４の位置でスロ
ット線路２５にダイオード２９．３１が設けられ、スロ
ット線路２５の内側にバイアス供給端子３２が接続され
る。
ストリップ線路１２に入力された高周波信号はオン状態
でストリップ線路２８に出力される。第２図の構成では
一重平衡形スイッチ回路を２段縦続しているため、大き
なオンオフ比が得られるが平衡形スイッチ回路を縦続す
るには、スロットストリップの線路変換のためのス）
ＩＪツブ線路２２が必要となり、ストリップ線路２２と
スロット線路１６とは変換のために直角に交さしている
必要があることから、形状が大きく回路配置上制約を受
けるという欠点があった。
でストリップ線路２８に出力される。第２図の構成では
一重平衡形スイッチ回路を２段縦続しているため、大き
なオンオフ比が得られるが平衡形スイッチ回路を縦続す
るには、スロットストリップの線路変換のためのス）
ＩＪツブ線路２２が必要となり、ストリップ線路２２と
スロット線路１６とは変換のために直角に交さしている
必要があることから、形状が大きく回路配置上制約を受
けるという欠点があった。
〈発明の目的〉
、この発明はこれらの欠点を解決するだめ、−重平衡形
スイッチ回路の縦続ＷＮにおいてスロット線路を接続す
ることを特徴とし、大きなオンオフ比が得られ、かつ形
状の小さな高周波信号スイッチ回路を提供することを目
的とする。
スイッチ回路の縦続ＷＮにおいてスロット線路を接続す
ることを特徴とし、大きなオンオフ比が得られ、かつ形
状の小さな高周波信号スイッチ回路を提供することを目
的とする。
〈実施例〉
ゐ３図はこの発明の実施例を示し、第１図、第２図と対
応する部分に同一符号を付けである。第１図と同様に筒
周波信号の入力されるストリップ線路１２、λｇ／２以
上の閉じたスロット線路１３、そのスロット線路１３に
一端が接続されたスロット線路１６、ダイオード１７．
１８、バイアス供給端子、２４が設けられる。この実施
例ではスロット１糧路１６の他端にλｇ／２以上の閉じ
たスロット線路２５が接続され、そのスロット線路２５
に、スロット線路１６．２５の接続点３４から等距離の
点で基板１１を介して、高周波信号の出力されるストリ
ップ線路２８が交さして設けられる。スロット線路２５
、ストリップ線路２８の交さ点３５からλｇ／４離れた
スロット線路２５上に互いに逆極性でダイオード２９．
３１が設置される。ダイオード２９．３１に対するバイ
アス供給端子３２がスロットａ路２５の内側に接続され
る。ストリップ線路２８の一端は交さ点３５からλｇ／
４の点で開放端とされている。
応する部分に同一符号を付けである。第１図と同様に筒
周波信号の入力されるストリップ線路１２、λｇ／２以
上の閉じたスロット線路１３、そのスロット線路１３に
一端が接続されたスロット線路１６、ダイオード１７．
１８、バイアス供給端子、２４が設けられる。この実施
例ではスロット１糧路１６の他端にλｇ／２以上の閉じ
たスロット線路２５が接続され、そのスロット線路２５
に、スロット線路１６．２５の接続点３４から等距離の
点で基板１１を介して、高周波信号の出力されるストリ
ップ線路２８が交さして設けられる。スロット線路２５
、ストリップ線路２８の交さ点３５からλｇ／４離れた
スロット線路２５上に互いに逆極性でダイオード２９．
３１が設置される。ダイオード２９．３１に対するバイ
アス供給端子３２がスロットａ路２５の内側に接続され
る。ストリップ線路２８の一端は交さ点３５からλｇ／
４の点で開放端とされている。
つまシこの第３図に示す回路はストリップ線路１２、ス
ロット線路１３，１６、ダイオード１７．１８よシなる
一重平衡形スイッチ回路４１と、ストリップ−路２８、
スロット線路２５．１６、ダイオード２９．３１よシな
る同様構成の一重平衡形スイッチ回路４２とがそのスロ
ツ） 線ＩＭ １６により互に縦続接続されている。
ロット線路１３，１６、ダイオード１７．１８よシなる
一重平衡形スイッチ回路４１と、ストリップ−路２８、
スロット線路２５．１６、ダイオード２９．３１よシな
る同様構成の一重平衡形スイッチ回路４２とがそのスロ
ツ） 線ＩＭ １６により互に縦続接続されている。
このｋＤｉにおいてバイアス供給端子２４．３２に正の
バイアス電圧を加えた場合、ダイオード１７．２９はオ
ン、すなわち短絡となシ、ダイオード１８．３１はオフ
、すなわち開放となる。この時ス） ＩＪツブ線路１２
に入力された高周波信号はストリップ線路１２とスロッ
ト線路１３との交さによりスロット線路に変換され、ス
ロット線路１３のダイオード１８側を通９、更にスロッ
トｍ路１６を介してスロット線路２５に尋かれる。この
ｉＮ周波信号はスロット線路２５のダイオード３１側を
通シ、スロット線路２５とストリップ線路２８とめ交さ
によシ、ストリップ線路２８に変換されて出力される。
バイアス電圧を加えた場合、ダイオード１７．２９はオ
ン、すなわち短絡となシ、ダイオード１８．３１はオフ
、すなわち開放となる。この時ス） ＩＪツブ線路１２
に入力された高周波信号はストリップ線路１２とスロッ
ト線路１３との交さによりスロット線路に変換され、ス
ロット線路１３のダイオード１８側を通９、更にスロッ
トｍ路１６を介してスロット線路２５に尋かれる。この
ｉＮ周波信号はスロット線路２５のダイオード３１側を
通シ、スロット線路２５とストリップ線路２８とめ交さ
によシ、ストリップ線路２８に変換されて出力される。
この時、高周波信号スイッチ回路は導通状態、すなわち
オンとなる。
オンとなる。
一方、バイアス供給端子２４．３２のバイアス電圧をゼ
ロバイアスとすると、ダイオード１７゜１８．２９．３
１のインピーダンスははソ等しくオフ状態となる。この
時ストリップ線路１２に入力された高周波信号はスロッ
トｍ路１３との交さによシ同相で分配され、スロット線
路１３．１６の接続点１５にてハソ等しいレベルで逆相
に合成されるため、スロット線路１６へは抑圧されきれ
ずに漏れた高周波信号が出力される。このイ禰れた高周
波信号はスロット線路１６．２５の接続点３４にて逆相
に分配され、スロット藏ｗＪ２５とストリップ線路２８
との交さ点３５において、逆相の高周波信号が同相で合
成されるため、漏れた高周波信号はさらに抑圧される。
ロバイアスとすると、ダイオード１７゜１８．２９．３
１のインピーダンスははソ等しくオフ状態となる。この
時ストリップ線路１２に入力された高周波信号はスロッ
トｍ路１３との交さによシ同相で分配され、スロット線
路１３．１６の接続点１５にてハソ等しいレベルで逆相
に合成されるため、スロット線路１６へは抑圧されきれ
ずに漏れた高周波信号が出力される。このイ禰れた高周
波信号はスロット線路１６．２５の接続点３４にて逆相
に分配され、スロット藏ｗＪ２５とストリップ線路２８
との交さ点３５において、逆相の高周波信号が同相で合
成されるため、漏れた高周波信号はさらに抑圧される。
以上述べたようにこの発明によれば、−重平衡形スイッ
チを縦続接続して大きなオンオフ比を得る高周波信号ス
イッチ回路を構成する場合、第２図のストリップ線路２
２のような余分なストリップ−スロット変換部分が不要
となシ、形状が小さく、かつ大きなオンオフ比の得られ
る高周波信号スイッチ回路が実現できる。
チを縦続接続して大きなオンオフ比を得る高周波信号ス
イッチ回路を構成する場合、第２図のストリップ線路２
２のような余分なストリップ−スロット変換部分が不要
となシ、形状が小さく、かつ大きなオンオフ比の得られ
る高周波信号スイッチ回路が実現できる。
第４図はさらに大きなオンオフ比を得るためにこの発明
による高周波信号スイッチ回路を縦続接続した例を示し
たもので、余分な線路を付加することなくストリップ線
路を接続するだけで容易に縦続接続が可能となる。すな
わち第３図に示した縦続回路３７の出力側のストリップ
線路２８に第３図に示した縦続回路３８の入力側のスト
リップ線路１２を直接接続している。
による高周波信号スイッチ回路を縦続接続した例を示し
たもので、余分な線路を付加することなくストリップ線
路を接続するだけで容易に縦続接続が可能となる。すな
わち第３図に示した縦続回路３７の出力側のストリップ
線路２８に第３図に示した縦続回路３８の入力側のスト
リップ線路１２を直接接続している。
く効 果〉
以上説明したようにこの発明によれば余分なストリップ
−スロット変換部分を付加することなく、形状の小さな
オンオフ比の大きい高周波信号スイッチ回路を実現する
ことができる利点がある。
−スロット変換部分を付加することなく、形状の小さな
オンオフ比の大きい高周波信号スイッチ回路を実現する
ことができる利点がある。
第１図は従来の一重平衡形スイッチ回路を示す平面図、
第２図は従来の一乗平衡形スイッチ回路を縦続しだ高周
波信号スイッチ（ロ）路を示す平面図、紀３図はこの発
明の実施例を示す平面図、第４図はこの発明の一周波信
号スイッチ（ロ）路を縦続接続した例を示す平面図であ
る。 １１：マイクロ波集槓回路基板、１２．２８ニストリツ
プ線路、１３，１６，２５ニスロツト線路、２４．３２
：バイアス供給端子、４１゜４２ニ一重平衡形スイッチ
回路。 特許出願人 日本亀ｆ、ｉ電話公社 代 理 人 草 野 卓 オ １ 図 １１ 生 ３医 １ 坩４図 １２ １．５ ２５２８
第２図は従来の一乗平衡形スイッチ回路を縦続しだ高周
波信号スイッチ（ロ）路を示す平面図、紀３図はこの発
明の実施例を示す平面図、第４図はこの発明の一周波信
号スイッチ（ロ）路を縦続接続した例を示す平面図であ
る。 １１：マイクロ波集槓回路基板、１２．２８ニストリツ
プ線路、１３，１６，２５ニスロツト線路、２４．３２
：バイアス供給端子、４１゜４２ニ一重平衡形スイッチ
回路。 特許出願人 日本亀ｆ、ｉ電話公社 代 理 人 草 野 卓 オ １ 図 １１ 生 ３医 １ 坩４図 １２ １．５ ２５２８
Claims (1)
- （１）基板上の表面に形成されたストリップ線路と、上
記基板の裏面に形成され、上記ス） ＩＪツブ線路の開
放端から４分の１波長の点で交さする２分の１波長以上
の閉じた第１のスロット線路と、そのストリップ線路及
び第１のスロット線路の交さ点からそれぞれ４分の１波
長の点でその第１のスロット線路上に互いに逆極性で設
置された２つのダイオードと、上記ストリップ線路及び
第１のスロット線路の交さ点から互いに等距離にある第
１のスロット線路上の点に接続されて上記基板の裏面に
形成された第２のスロット線路とからなる一重平衡形ス
イッチ回路が構成され、その−重平衡形スイッチの二つ
が、これらの第２のスロット線路が互に接続されて縦続
接続されている高周波信号スイッチ回路。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1591684A JPS60172864A (ja) | 1984-01-30 | 1984-01-30 | 高周波信号スイツチ回路 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1591684A JPS60172864A (ja) | 1984-01-30 | 1984-01-30 | 高周波信号スイツチ回路 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60172864A true JPS60172864A (ja) | 1985-09-06 |
Family
ID=11902097
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1591684A Pending JPS60172864A (ja) | 1984-01-30 | 1984-01-30 | 高周波信号スイツチ回路 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60172864A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2007083861A1 (en) | 2006-01-20 | 2007-07-26 | Kmw Inc. | Radio frequency switch |
| KR100851896B1 (ko) | 2006-09-26 | 2008-08-13 | (주)이필드 | 마이크로스트립라인과 슬롯라인의 결합에 의한 고주파스위치 및 이를 이용한 스위치 모듈 |
| EP2062325A1 (en) * | 2006-09-15 | 2009-05-27 | KWM Inc. | Dpdt rf switch and tma using the same |
| EP2067264A1 (en) * | 2006-09-27 | 2009-06-10 | KWM Inc. | Radio frequency switch |
| JP2009253800A (ja) * | 2008-04-09 | 2009-10-29 | Mitsubishi Electric Corp | ミリ波帯スイッチ |
-
1984
- 1984-01-30 JP JP1591684A patent/JPS60172864A/ja active Pending
Cited By (18)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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| JP4717930B2 (ja) * | 2006-01-20 | 2011-07-06 | ケーエムダブリュ・インコーポレーテッド | 高周波スイッチ |
| EP1982414A1 (en) * | 2006-01-20 | 2008-10-22 | KMW Inc. | Radio frequency switch |
| EP1982414A4 (en) * | 2006-01-20 | 2009-01-14 | Kmw Inc | HIGH FREQUENCY SWITCH |
| WO2007083861A1 (en) | 2006-01-20 | 2007-07-26 | Kmw Inc. | Radio frequency switch |
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| JP2010504020A (ja) * | 2006-09-15 | 2010-02-04 | ケーエムダブリュ・インコーポレーテッド | 二重双投高周波スイッチ及びそれを用いる塔設増幅器 |
| US7924115B2 (en) | 2006-09-15 | 2011-04-12 | Kmw Inc. | DPDT RF switch and TMA using the same |
| KR100851896B1 (ko) | 2006-09-26 | 2008-08-13 | (주)이필드 | 마이크로스트립라인과 슬롯라인의 결합에 의한 고주파스위치 및 이를 이용한 스위치 모듈 |
| JP2010505325A (ja) * | 2006-09-27 | 2010-02-18 | ケーエムダブリュ・インコーポレーテッド | 高周波スイッチ |
| EP2067264A4 (en) * | 2006-09-27 | 2010-06-16 | Kmw Inc | HIGH FREQUENCY SWITCH |
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| US8175013B2 (en) | 2006-09-27 | 2012-05-08 | Kmw Inc. | Radio frequency switch |
| JP4949475B2 (ja) * | 2006-09-27 | 2012-06-06 | ケーエムダブリュ・インコーポレーテッド | 高周波スイッチ |
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| JP2009253800A (ja) * | 2008-04-09 | 2009-10-29 | Mitsubishi Electric Corp | ミリ波帯スイッチ |
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