JPH11308003A - 非放射性誘電体線路、モード変換回路、高周波回路 - Google Patents
非放射性誘電体線路、モード変換回路、高周波回路Info
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- JPH11308003A JPH11308003A JP10115236A JP11523698A JPH11308003A JP H11308003 A JPH11308003 A JP H11308003A JP 10115236 A JP10115236 A JP 10115236A JP 11523698 A JP11523698 A JP 11523698A JP H11308003 A JPH11308003 A JP H11308003A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 ＮＲＤガイドに搭載されるデバイスの、調整
および固定を容易にする。 【解決手段】 ＮＲＤガイドの誘電体ストリップ１を、
一部の区間において上側半分が省かれた形状に形成し、
残る誘電体ストリップの上面に複数のテーパー導体２
ａ、２ｂを並設する。
および固定を容易にする。 【解決手段】 ＮＲＤガイドの誘電体ストリップ１を、
一部の区間において上側半分が省かれた形状に形成し、
残る誘電体ストリップの上面に複数のテーパー導体２
ａ、２ｂを並設する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、素子の搭載に好適
な非放射性誘電体線路、非放射性誘電体線路と並行線路
との接続のためのモード変換器、非放射性誘電体線路を
用いた高周波回路に関する。
な非放射性誘電体線路、非放射性誘電体線路と並行線路
との接続のためのモード変換器、非放射性誘電体線路を
用いた高周波回路に関する。
【０００２】
【従来の技術】周波数が高い電磁波の伝送に際し、伝送
損が少なく、かつ、線路の曲がりや不連続があっても放
射を避けることができる線路として、図２に示すよう
な、非放射性誘電体線路(Non-Radiative Dielectric Wa
veguide；以下ＮＲＤガイドという）が考案され、例え
ば、米山務：“非放射性誘電体線路を用いたミリ波集積
回路”，信学論，Ｊ７３−Ｃ−Ｉ，３，ｐｐ．８７−９
４（‘９０−０３）に開示されている。
損が少なく、かつ、線路の曲がりや不連続があっても放
射を避けることができる線路として、図２に示すよう
な、非放射性誘電体線路(Non-Radiative Dielectric Wa
veguide；以下ＮＲＤガイドという）が考案され、例え
ば、米山務：“非放射性誘電体線路を用いたミリ波集積
回路”，信学論，Ｊ７３−Ｃ−Ｉ，３，ｐｐ．８７−９
４（‘９０−０３）に開示されている。
【０００３】ＮＲＤガイドは、使用する電磁波の半波長
以下の間隔で対向する２枚の平行平板導体１０と、その
間に設けられた誘電体ストリップ１とを有して構成され
る。ＮＲＤガイドにおいて、電磁波は、誘電体ストリッ
プに沿って伝播し、かつ、誘電体ストリップからの放射
波は、平行平板導波路の遮断効果により完全に抑圧され
る。従って、ＮＲＤガイドを伝播する電磁波は、誘電体
ストリップの内部にのみ、限定して存在し得る。
以下の間隔で対向する２枚の平行平板導体１０と、その
間に設けられた誘電体ストリップ１とを有して構成され
る。ＮＲＤガイドにおいて、電磁波は、誘電体ストリッ
プに沿って伝播し、かつ、誘電体ストリップからの放射
波は、平行平板導波路の遮断効果により完全に抑圧され
る。従って、ＮＲＤガイドを伝播する電磁波は、誘電体
ストリップの内部にのみ、限定して存在し得る。
【０００４】ＮＲＤガイドの伝送モードは、図３の
（ａ）に示すように、磁界が誘電体Iと空気IIとの境界
面に平行なＬＳＭモードと、図３の（ｂ）に示すよう
に、電界がこの境界面に平行なＬＳＥモードとが存在す
る。動作モードとしては、低損失で伝送されることから
ＬＳＭモードが選ばれる。
（ａ）に示すように、磁界が誘電体Iと空気IIとの境界
面に平行なＬＳＭモードと、図３の（ｂ）に示すよう
に、電界がこの境界面に平行なＬＳＥモードとが存在す
る。動作モードとしては、低損失で伝送されることから
ＬＳＭモードが選ばれる。
【０００５】ＮＲＤ回路に半導体デバイスが実装された
回路としては、例えば、図７に示すように構成されるも
のが挙げられる。図７において、誘電体ストリップ１に
おける、電磁波の電波方向に垂直な断面に、回路基板６
０が配置される。回路基板６０は、誘電体基板に、銅箔
によってＲＦチョークパターンが形成され、半導体デバ
イス６１（例えば、ビームリードダイオード）が、２の
銅箔にまたがって搭載される。
回路としては、例えば、図７に示すように構成されるも
のが挙げられる。図７において、誘電体ストリップ１に
おける、電磁波の電波方向に垂直な断面に、回路基板６
０が配置される。回路基板６０は、誘電体基板に、銅箔
によってＲＦチョークパターンが形成され、半導体デバ
イス６１（例えば、ビームリードダイオード）が、２の
銅箔にまたがって搭載される。
【０００６】このような回路構造とすることによって、
ＮＲＤガイドにおけるＬＳＭモードの電界は、半導体デ
バイス６１に直接印加される。
ＮＲＤガイドにおけるＬＳＭモードの電界は、半導体デ
バイス６１に直接印加される。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来の
構造では、ＮＲＤ導波路に対して基板が垂直になってい
るので回路基板面を実装したままでは直接目視すること
が困難である。このため回路の調整が難しく、また、基
板の固定が難しいという問題がある。
構造では、ＮＲＤ導波路に対して基板が垂直になってい
るので回路基板面を実装したままでは直接目視すること
が困難である。このため回路の調整が難しく、また、基
板の固定が難しいという問題がある。
【０００８】さらに、振動などに対する信頼性が劣るこ
と、および、製造上作業性が悪いので生産性を上げるこ
とが難しいこと等の問題点がある。
と、および、製造上作業性が悪いので生産性を上げるこ
とが難しいこと等の問題点がある。
【０００９】本発明は、デバイスをＮＲＤガイドに実装
するに際し、回路の調整、および、固定を容易にする構
造を提供することを目的とする。
するに際し、回路の調整、および、固定を容易にする構
造を提供することを目的とする。
【００１０】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明の第１の態様によれば、誘電体ストリップ、
および、これを挟む対向面が形成された導体を有する非
放射性誘電体線路であって、上記対向面に挟まれる領域
に、複数の導体が伝播方向に沿って並設される区間を有
することを特徴とする非放射性誘電体線路が提供され
る。
に、本発明の第１の態様によれば、誘電体ストリップ、
および、これを挟む対向面が形成された導体を有する非
放射性誘電体線路であって、上記対向面に挟まれる領域
に、複数の導体が伝播方向に沿って並設される区間を有
することを特徴とする非放射性誘電体線路が提供され
る。
【００１１】本発明の第２の態様によれば、非放射性誘
電体線路におけるＬＳＭモードと、並行導体におけるＴ
Ｅモードとの変換を行うことを特徴とするモード変換回
路が提供される。
電体線路におけるＬＳＭモードと、並行導体におけるＴ
Ｅモードとの変換を行うことを特徴とするモード変換回
路が提供される。
【００１２】本発明の第３の態様によれば、誘電体スト
リップ、および、これを挟む対向面が形成された導体を
有する非放射性誘電体線路と、誘電体ストリップ、およ
び、この上に並設される複数の導体を有する線路とが接
続されて構成されることを特徴とするモード変換回路が
提供される。
リップ、および、これを挟む対向面が形成された導体を
有する非放射性誘電体線路と、誘電体ストリップ、およ
び、この上に並設される複数の導体を有する線路とが接
続されて構成されることを特徴とするモード変換回路が
提供される。
【００１３】本発明の第４の態様によれば、誘電体スト
リップ、および、これを挟む対向面が形成された導体が
配設される非放射性誘電体線路を有し、上記誘電体スト
リップは、一部の区間において、上記対向面の少なくと
も一方の面との間に空隙を残して形成され、当該空隙を
残して形成された面のいずれかに複数の導体が並設され
ることを特徴とするモード変換回路が提供される。
リップ、および、これを挟む対向面が形成された導体が
配設される非放射性誘電体線路を有し、上記誘電体スト
リップは、一部の区間において、上記対向面の少なくと
も一方の面との間に空隙を残して形成され、当該空隙を
残して形成された面のいずれかに複数の導体が並設され
ることを特徴とするモード変換回路が提供される。
【００１４】本発明の第５の態様によれば、誘電体スト
リップ、および、これを挟む対向面が形成された導体を
有する非放射性誘電体線路を有し、上記非放射性誘電体
線路の一部の区間において、誘電体の上側半分が省か
れ、残る誘電体の上面に複数の導体が並設されることを
特徴とするモード変換回路が提供される。
リップ、および、これを挟む対向面が形成された導体を
有する非放射性誘電体線路を有し、上記非放射性誘電体
線路の一部の区間において、誘電体の上側半分が省か
れ、残る誘電体の上面に複数の導体が並設されることを
特徴とするモード変換回路が提供される。
【００１５】本発明の第６の態様によれば、上記第２か
ら５のいずれかの態様におけるモード変換回路におい
て、上記並設される複数の導体のうち少なくとも１つの
導体は、伝播方向に並ぶ区間を複数有し、上記導体は、
区間相互に絶縁されることを特徴とするモード変換回路
が提供される。
ら５のいずれかの態様におけるモード変換回路におい
て、上記並設される複数の導体のうち少なくとも１つの
導体は、伝播方向に並ぶ区間を複数有し、上記導体は、
区間相互に絶縁されることを特徴とするモード変換回路
が提供される。
【００１６】本発明の第７の態様によれば、上記第２か
ら５のいずれかの態様におけるモード変換回路を有し、
上記誘電体上の導体間に二端子デバイスが接続されるこ
とを特徴とする高周波回路が提供される。
ら５のいずれかの態様におけるモード変換回路を有し、
上記誘電体上の導体間に二端子デバイスが接続されるこ
とを特徴とする高周波回路が提供される。
【００１７】本発明の第８の態様によれば、上記第６の
対応におけるモード変換回路を有し、上記誘電体上の導
体間に三端子デバイスが接続されることを特徴とする高
周波回路。
対応におけるモード変換回路を有し、上記誘電体上の導
体間に三端子デバイスが接続されることを特徴とする高
周波回路。
【００１８】
【発明の実施の形態】以下、図面を参照して、本発明の
実施の形態について説明する。
実施の形態について説明する。
【００１９】まず、図１を参照して、本発明の第１の実
施の形態について説明する。
施の形態について説明する。
【００２０】図１において、本実施の形態の非放射性誘
電体線路（ＮＲＤガイドという）は、誘電体ストリップ
１の一部が切り取られて、そこに複数の導体２ａ，２ｂ
が並設された誘電体基板１０１が配設されて構成され
る。なお、図１において、誘電体ストリップ１を挟む導
体板１０（図２参照）は省略されている。
電体線路（ＮＲＤガイドという）は、誘電体ストリップ
１の一部が切り取られて、そこに複数の導体２ａ，２ｂ
が並設された誘電体基板１０１が配設されて構成され
る。なお、図１において、誘電体ストリップ１を挟む導
体板１０（図２参照）は省略されている。
【００２１】次に、図３を参照して、本実施の形態のＮ
ＲＤガイドにおけるモード変換機能について説明する。
ＲＤガイドにおけるモード変換機能について説明する。
【００２２】ＮＲＤガイドにおけるＬＳＭモードは、図
３（ａ）に示す様に上下導体板の中央付近横向きの電界
成分が最も大きい。従って、図１に示すようなＮＲＤガ
イドでは、ＮＲＤガイドを伝搬する電磁界（ＬＳＭモー
ド）は、複数の導体２ａ，２ｂが並設された誘電体基板
１０１において、電極２ａ，２ｂのテーパー部分に沿っ
て伝播し、電磁界エネルギーは準ＴＥモードとして電極
間に集中する様になる。誘電体基板１０１上の準ＴＥモ
ード電磁波は、さらに電極２ａ，２ｂのテーパー部分を
伝播してＮＲＤガイドに再入射する。
３（ａ）に示す様に上下導体板の中央付近横向きの電界
成分が最も大きい。従って、図１に示すようなＮＲＤガ
イドでは、ＮＲＤガイドを伝搬する電磁界（ＬＳＭモー
ド）は、複数の導体２ａ，２ｂが並設された誘電体基板
１０１において、電極２ａ，２ｂのテーパー部分に沿っ
て伝播し、電磁界エネルギーは準ＴＥモードとして電極
間に集中する様になる。誘電体基板１０１上の準ＴＥモ
ード電磁波は、さらに電極２ａ，２ｂのテーパー部分を
伝播してＮＲＤガイドに再入射する。
【００２３】誘電体基板１０１上の電磁波は近接並行す
る導体間の準ＴＥモードであり、電界は電極間に水平に
集中している。このため、この導体間にトランジスタお
よびダイオード等の、半導体素子を接続すれば増幅器や
ミキサ等の能動回路を構成できる。また、誘電体基板は
水平に置かれているので回路を容易に目視することが可
能となる。従って、回路をＮＲＤガイドから取り外すこ
となく調整することが可能になり、かつ下側の接地導体
板に固定しやすくなる。またＮＲＤガイドの一部の誘電
体基板を削って構成することが可能であるから一体化が
容易になる。本実施の形態のＮＲＤガイドを適用するこ
とによって、ＮＲＤ回路で能動回路を構成することが容
易になり、かつ信頼性および生産性を向上させることが
可能になる。
る導体間の準ＴＥモードであり、電界は電極間に水平に
集中している。このため、この導体間にトランジスタお
よびダイオード等の、半導体素子を接続すれば増幅器や
ミキサ等の能動回路を構成できる。また、誘電体基板は
水平に置かれているので回路を容易に目視することが可
能となる。従って、回路をＮＲＤガイドから取り外すこ
となく調整することが可能になり、かつ下側の接地導体
板に固定しやすくなる。またＮＲＤガイドの一部の誘電
体基板を削って構成することが可能であるから一体化が
容易になる。本実施の形態のＮＲＤガイドを適用するこ
とによって、ＮＲＤ回路で能動回路を構成することが容
易になり、かつ信頼性および生産性を向上させることが
可能になる。
【００２４】次に、図５を参照して、本発明の第２の実
施の形態について説明する。本実施の形態では、ＮＲＤ
ガイドにダイオードを実装する例について説明する。
施の形態について説明する。本実施の形態では、ＮＲＤ
ガイドにダイオードを実装する例について説明する。
【００２５】図５において、誘電体基板１０１は、誘電
体ストリップ１の一部の誘電体を削ぎ取ることによって
形成し、その平面上に２枚のテーパーストリップ導体電
極２ａ，２ｂを形成する。電極が最も接近した中央部付
近にダイオード３を実装する。ＮＲＤガイドのＬＳＭモ
ードの電磁波はテーパーストリップ導体電極２ａ，２ｂ
を伝播してダイオード３に印加される。
体ストリップ１の一部の誘電体を削ぎ取ることによって
形成し、その平面上に２枚のテーパーストリップ導体電
極２ａ，２ｂを形成する。電極が最も接近した中央部付
近にダイオード３を実装する。ＮＲＤガイドのＬＳＭモ
ードの電磁波はテーパーストリップ導体電極２ａ，２ｂ
を伝播してダイオード３に印加される。
【００２６】このような、ダイオード３を搭載したＮＲ
Ｄガイドを適用して、変調器、検波器、ミキサ、および
スイッチ等のＮＲＤ回路を構成することが可能となる。
Ｄガイドを適用して、変調器、検波器、ミキサ、および
スイッチ等のＮＲＤ回路を構成することが可能となる。
【００２７】次に、図６を参照して、本発明の第３の実
施の形態について説明する。本実施の形態は、ＮＲＤ導
波路にトランジスタを実装する例である。
施の形態について説明する。本実施の形態は、ＮＲＤ導
波路にトランジスタを実装する例である。
【００２８】図６において、誘電体基板１０１は、誘電
体ストリップ１の一部の誘電体を削ぎ取ることによって
形成し、その平面上に３枚のテーパーストリップ導体電
極７ａ，７ｂ，７ｃを形成する。電極が最も接近した中
央部付近にダイオード３を実装する。ＮＲＤガイドのＬ
ＳＭモードの電磁波はテーパーストリップ導体電極７
ａ，７ｂ，７ｃを伝播してトランジスタ８に印加され
る。
体ストリップ１の一部の誘電体を削ぎ取ることによって
形成し、その平面上に３枚のテーパーストリップ導体電
極７ａ，７ｂ，７ｃを形成する。電極が最も接近した中
央部付近にダイオード３を実装する。ＮＲＤガイドのＬ
ＳＭモードの電磁波はテーパーストリップ導体電極７
ａ，７ｂ，７ｃを伝播してトランジスタ８に印加され
る。
【００２９】次に、図７を参照して、本発明の第４の実
施の形態について説明する。
施の形態について説明する。
【００３０】半導体基板１０１は、第３の実施の形態と
同様に構成することができる。
同様に構成することができる。
【００３１】搭載すべき半導体デバイスが電界効果トラ
ンジスタである場合には、図７に示すように、８の場
合、７ａをゲート電極、７ｂをソース電極、および７ｃ
をドレイン電極と接続する。
ンジスタである場合には、図７に示すように、８の場
合、７ａをゲート電極、７ｂをソース電極、および７ｃ
をドレイン電極と接続する。
【００３２】第３および第４の実施例を適用することに
より、ＮＲＤガイドを用いた能動回路を構成することが
できる。具体的には、例えば、増幅器を構成することが
できる。
より、ＮＲＤガイドを用いた能動回路を構成することが
できる。具体的には、例えば、増幅器を構成することが
できる。
【００３３】なお、上述した各実施の形態において、テ
ーパーストリップ導体のテーパー形状は、インピーダン
スが滑らかに接続される形状であればよく、その幅の変
化は、直線的な変化であっても、指数関数的な変化であ
ってもよい。
ーパーストリップ導体のテーパー形状は、インピーダン
スが滑らかに接続される形状であればよく、その幅の変
化は、直線的な変化であっても、指数関数的な変化であ
ってもよい。
【００３４】また、必要に応じて、チョーク構造を導体
パターンよって形成してもよい。これによって、上下の
導体板１０と結合して伝播可能となるＴＥＭモードを抑
制するたことが可能となる。
パターンよって形成してもよい。これによって、上下の
導体板１０と結合して伝播可能となるＴＥＭモードを抑
制するたことが可能となる。
【００３５】さらに、誘電体基板１０１は、誘電体スト
リップ１と一体化している必要はなく、異なる誘電体基
板１０１上に構成した回路を、切断された誘電体ストリ
ップ１同士の間に挿入してもよい。
リップ１と一体化している必要はなく、異なる誘電体基
板１０１上に構成した回路を、切断された誘電体ストリ
ップ１同士の間に挿入してもよい。
【００３６】より具体的には、ミキサにおけるＩＦ回
路、検波器における出力回路、ならびに、スイッチおよ
び増幅器におけるバイアス回路などは、図５の符号５、
図６の符号７に示すように、異なる誘電体基板上に適当
に構成した回路を、金リボン４等によって接続するによ
って実現することができる。また、上下どちらかの導体
板１０に穴を開け、貫通コンデンサ９を介して近接位置
から直接バイアスすることもできる。
路、検波器における出力回路、ならびに、スイッチおよ
び増幅器におけるバイアス回路などは、図５の符号５、
図６の符号７に示すように、異なる誘電体基板上に適当
に構成した回路を、金リボン４等によって接続するによ
って実現することができる。また、上下どちらかの導体
板１０に穴を開け、貫通コンデンサ９を介して近接位置
から直接バイアスすることもできる。
【００３７】
【発明の効果】本発明によれば、非放射性誘電体線路に
おけるＬＳＭモードを、近接並行する導体間の準ＴＥモ
ードに変換することができる。準ＴＥモードでは、電界
は電極間に水平に集中している。
おけるＬＳＭモードを、近接並行する導体間の準ＴＥモ
ードに変換することができる。準ＴＥモードでは、電界
は電極間に水平に集中している。
【００３８】従って、この導体間にトランジスタおよび
ダイオード等の、半導体素子を接続すれば増幅器やミキ
サ等の能動回路を構成できる。
ダイオード等の、半導体素子を接続すれば増幅器やミキ
サ等の能動回路を構成できる。
【００３９】また、誘電体基板は、上下の導体板におけ
る対向面を基準として水平に配置することができる。こ
のため、回路を容易に目視することができる。従って、
回路をＮＲＤ導波路から取り外すことなく調整すること
が可能になる。また、下側導体板に固定することも容易
となる。
る対向面を基準として水平に配置することができる。こ
のため、回路を容易に目視することができる。従って、
回路をＮＲＤ導波路から取り外すことなく調整すること
が可能になる。また、下側導体板に固定することも容易
となる。
【００４０】またＮＲＤ導波路における、誘電体ストリ
ップの一部を削って構成することが可能であるから、一
体化が容易になる。本構造により、ＮＲＤ回路で能動回
路を構成することが容易になり、かつ信頼性および生産
性を向上させることが可能になる。
ップの一部を削って構成することが可能であるから、一
体化が容易になる。本構造により、ＮＲＤ回路で能動回
路を構成することが容易になり、かつ信頼性および生産
性を向上させることが可能になる。
【図１】 本発明の第１の実施の形態におけるＮＲＤガ
イドを示す説明図であって、（ａ）誘電体ストリップの
上面図、（ｂ）（ａ）の＃１−＃１’断面図、（ｃ）側
面図である。
イドを示す説明図であって、（ａ）誘電体ストリップの
上面図、（ｂ）（ａ）の＃１−＃１’断面図、（ｃ）側
面図である。
【図２】 非放射性誘電体線路の構成を示す斜視図であ
る。
る。
【図３】 非放射性誘電体線路の電磁界を示す説明図で
あって、（ａ）ＬＳＭ０１モード、（ｂ）ＬＳＥ０１モ
ードを示す説明図である。
あって、（ａ）ＬＳＭ０１モード、（ｂ）ＬＳＥ０１モ
ードを示す説明図である。
【図４】 本発明の第２の実施の形態におけるモード変
換回路を示す説明図である。
換回路を示す説明図である。
【図５】 本発明の第３の実施の形態におけるモード変
換回路を示す説明図である。
換回路を示す説明図である。
【図６】 本発明の第４の実施の形態におけるモード変
換回路を示す説明図である。
換回路を示す説明図である。
【図７】 従来の高周波回路を示す説明図である。
１…誘電体ストリップ、２，２ａ，２ｂ…導体、３…ダ
イオード、５…ＩＦ回路、バイアス回路、６…ＤＣバイ
アス回路、７ａ，７ｂ，７ｃ…電極、８…トランジス
タ、９…貫通コンデンサ、１０…導体板、１０１…誘電
体基板。
イオード、５…ＩＦ回路、バイアス回路、６…ＤＣバイ
アス回路、７ａ，７ｂ，７ｃ…電極、８…トランジス
タ、９…貫通コンデンサ、１０…導体板、１０１…誘電
体基板。
Claims (11)
- 【請求項１】 誘電体ストリップ、および、これを挟む
対向面が形成された導体を有する非放射性誘電体線路で
あって、 上記対向面に挟まれる領域に、複数の導体が伝播方向に
沿って並設される区間を有することを特徴とする非放射
性誘電体線路。 - 【請求項２】 請求項１記載の非放射性誘電体線路にお
いて、 上記複数の導体は、それらにおけるＴＥモードの電界
が、非放射性誘電体線路におけるＬＳＭモードの電界に
対応する位置関係に配設されることを特徴とする非放射
性誘電体線路。 - 【請求項３】 請求項１および２のいずれか一項に記載
の非放射性誘電体線路において、 上記並設される複数の導体のうち少なくとも１つの導体
は、伝播方向に並ぶ区間を複数有し、 上記導体は、区間相互に絶縁されることを特徴とする非
放射性誘電体線路。 - 【請求項４】非放射性誘電体線路におけるＬＳＭモード
と、並行導体におけるＴＥモードとの変換を行うことを
特徴とするモード変換回路。 - 【請求項５】誘電体ストリップ、および、これを挟む対
向面が形成された導体を有する非放射性誘電体線路と、 誘電体ストリップ、および、この上に並設される複数の
導体を有する線路とが接続されて構成されることを特徴
とするモード変換回路。 - 【請求項６】誘電体ストリップ、および、これを挟む対
向面が形成された導体が配設される非放射性誘電体線路
を有し、 上記誘電体ストリップは、一部の区間において、上記対
向面の少なくとも一方の面との間に空隙を残して形成さ
れ、当該空隙を残して形成された面のいずれかに複数の
導体が並設されることを特徴とするモード変換回路。 - 【請求項７】誘電体ストリップ、および、これを挟む対
向面が形成された導体を有する非放射性誘電体線路を有
し、 上記非放射性誘電体線路の一部の区間において、誘電体
の上側半分が省かれ、残る誘電体の上面に複数の導体が
並設されることを特徴とするモード変換回路。 - 【請求項８】 請求項５から７のいずれか一項に記載の
モード変換回路において、 非放射性誘電体線路におけるＬＳＭモードと、並設され
る複数の導体におけるＴＥモードとの変換を行うことを
特徴とするモード変換回路。 - 【請求項９】 請求項４から８のいずれか一項に記載の
モード変換回路において、 上記並設される複数の導体のうち少なくとも１つの導体
は、伝播方向に並ぶ区間を複数有し、 上記導体は、区間相互に絶縁されることを特徴とするモ
ード変換回路。 - 【請求項１０】 請求項４から８のいずれか一項に記載
のモード変換回路を有し、 上記誘電体上の導体間に二端子デバイスが接続されるこ
とを特徴とする高周波回路。 - 【請求項１１】 請求項９に記載のモード変換回路を有
し、 上記誘電体上の導体間に三端子デバイスが接続されるこ
とを特徴とする高周波回路。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10115236A JPH11308003A (ja) | 1998-04-24 | 1998-04-24 | 非放射性誘電体線路、モード変換回路、高周波回路 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10115236A JPH11308003A (ja) | 1998-04-24 | 1998-04-24 | 非放射性誘電体線路、モード変換回路、高周波回路 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11308003A true JPH11308003A (ja) | 1999-11-05 |
Family
ID=14657721
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10115236A Pending JPH11308003A (ja) | 1998-04-24 | 1998-04-24 | 非放射性誘電体線路、モード変換回路、高周波回路 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH11308003A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1263078A2 (en) * | 2001-05-28 | 2002-12-04 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Transmission line, integrated circuit and transmitter-receiver |
-
1998
- 1998-04-24 JP JP10115236A patent/JPH11308003A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1263078A2 (en) * | 2001-05-28 | 2002-12-04 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Transmission line, integrated circuit and transmitter-receiver |
| EP1263078A3 (en) * | 2001-05-28 | 2003-09-10 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Transmission line, integrated circuit and transmitter-receiver |
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