SU1688385A1 - Монолитный усилитель мощности - Google Patents
Монолитный усилитель мощности Download PDFInfo
- Publication number
- SU1688385A1 SU1688385A1 SU894664536A SU4664536A SU1688385A1 SU 1688385 A1 SU1688385 A1 SU 1688385A1 SU 894664536 A SU894664536 A SU 894664536A SU 4664536 A SU4664536 A SU 4664536A SU 1688385 A1 SU1688385 A1 SU 1688385A1
- Authority
- SU
- USSR - Soviet Union
- Prior art keywords
- electrodes
- layer
- divider
- adder
- gate
- Prior art date
Links
Landscapes
- Microwave Amplifiers (AREA)
Abstract
Изобретение относитс к СВЧ-электро- нике. Цель изобретени - увеличение рабочей частоты. Усилитель содержит отрезок волновода, изолирующую подложку с активным слоем 5 полупроводника, делитель и сумматор, образованные полосковыми проводниками 6 и 7 и заземленными обкладками 8 и 9, слой диэлектрика, выполненный встык с активным слоем имеющий равную с ним толщину, полевые транзисторы, образованные электродами 11 и 12 затвора и истока, выполненными на первой стороне 13 сло 5, электроды 14 стока, выполненные на второй стороне 15 сло 5. Электроды 11 подключены к проводникам 6 делител , электроды 12 - к обкладке 9 сумматора, а электроды 14 - к проводникам 7 сумматора. Волна Hoi отрезка 1 волновода трансформируетс делителем в множество Т волн, кажда из которых усиливаетс своим полевым транзистором, далее усиленные волны суммируютс и транспортируютс оп ть в волну Нем. За счет малого рассто ни между истоком и стоком, обусловленного малой толщиной сло 5, достигаетс усиление при увеличении рабочей частоты. 2 ил. J 5 / / / СО С
Description
Фиг /
Изобретение относитс к электротехнике СВЧ и может быть использовано в усили- тел х высокочастотной мощности коротковолновой части СВЧ-диапазона.
Цель изобретени - увеличение рабочей частоты.
На фиг.1 изображен монолитный усилитель мощности, общий вид; на фиг.2 - топологи его схемы.
Монолитный усилитель мощности содержит отрезок 1 пр моугольного волновода , изолирующую подложку 2, установленную в Е-плоскости, теплоотвод 3, изолирующий слой 4 диэлектрика, активный слой 5 полупроводника, установленный на изолирующей подложке 2, делитель и сумматор, образованные полосковыми проводниками 6,7 и заземл ющими обкладками 8, 9, слой 10 диэлектрика установлен на изолирующей подложке 2 встык с активным слоем 5, имеет равную с ним толщину, структуры полевых транзисторов, образованные электродами 11 и 12 затвора и истока , выполненными на первой стороне 13 активного сло 5, электроды 14 стока - на второй стороне 15 активного сло 5, электроды 11 затвора подключены к полосковым проводникам б делител , электроды 12 истока - к заземленной обкладке 9 сумматора, а электроды 14 стока к полосковым проводникам 7 сумматора, причем электроды 14 расположены в вырезах 16 заземленной обкладки 8 делител параллельно кромкам электродов 11 затвора и имеют длину I вА/2 , где А - длина волны.
Монолитный усилитель мощности работает следующим образом.
Входной сигнал колебани типа HOI в отрезке 1 пр моугольного волновода трансформируетс в множество колебаний типа Т, подводимых полосковыми проводниками 6 и заземленной обкладкой 8 делител к электродам 13 затвора полевого транзистора , который осуществл ет модул цию плотности СВЧ-зар да поперек активного сло 3 полупроводника между электродами .12 истока и 15 стока, рассто ние между которыми , за счет уменьшени толщины активного сло 3, может быть сделано минимальным , за счет чего уменьшаетс длина пробега носителей, а следовательно, увеличиваетс рабоча частота. Тем самым
осуществл етс усиление входного сигнала , который далее поступает на полосковые проводники 7 и заземленную обкладку 9 сумматора, который осуществл ет обратную трансформацию множества колебаний
типа Т в одно колебание типа Hoi распростран ющемус по отрезку 1 пр моугольного волновода,
Claims (1)
- Формула изобретени Монолитный усилитель мощности, содержащий отрезок пр моугольного волновода , в Е-плоскости которого установлена изолирующа подложка с активным слоем полупроводника, расположенным между микрополосковыми делител ми и сумматором , которые образованы полосковыми проводниками и заземленными обкладками , теплоотвод, св занный с активным слоем полупроводника через изолирующий слой диэлектрика и структуру полевыхтранзисторов, электроды затвора и истока которых, расположены на первой стороне активного сло , отличающийс тем, что, с целью увеличени рабочей частоты, электроды стока расположены на второйстороне активного сло напротив электродов истока, электроды затвора и истока под- ключены к полосковым проводникам, которые размещены на введенном слое диэлектрика , который размещен на изолирующей подложке и толщина которого выбрана равной толщине активного сло , при этом электроды затвора подключены к полосковым проводникам делител , электроды истока - к заземленной обкладке сумматора,выполненной на введенном слое диэлектрика , электроды стока подключены к полосковым проводникам сумматора, расположенным на границе раздела введенного сло диэлектрика и изолирующейподложки, а сток размещен в вырезе заземленной обкладки делител с кромками, параллельными затвору и длиной I А/2 , где А -длина волны./7 1616ЯФиг..
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
SU894664536A SU1688385A1 (ru) | 1989-03-20 | 1989-03-20 | Монолитный усилитель мощности |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
SU894664536A SU1688385A1 (ru) | 1989-03-20 | 1989-03-20 | Монолитный усилитель мощности |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
SU1688385A1 true SU1688385A1 (ru) | 1991-10-30 |
Family
ID=21435143
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
SU894664536A SU1688385A1 (ru) | 1989-03-20 | 1989-03-20 | Монолитный усилитель мощности |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
SU (1) | SU1688385A1 (ru) |
-
1989
- 1989-03-20 SU SU894664536A patent/SU1688385A1/ru active
Non-Patent Citations (1)
Title |
---|
Патент US № 4430623, кл. Н 03 F 3/60. 1984, Патент US №4291278, кл. Н 03 F 3/60, 1981. * |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
KR100306571B1 (ko) | 유전체 선로 | |
US6717492B2 (en) | Planar dielectric integrated circuit with line conversion conductor patterns | |
SU1688385A1 (ru) | Монолитный усилитель мощности | |
Martin et al. | An eight-device extended-resonance power-combining amplifier | |
US6169301B1 (en) | Planar dielectric integrated circuit | |
Mirshekar-Syahkal | An accurate determination of dielectric loss effect in monolithic microwave integrated circuits including microstrip and coupled microstrip lines | |
US3464020A (en) | Microwave semi-conductor device | |
JP3168964B2 (ja) | 高出力電界効果トランジスタ | |
KR100267816B1 (ko) | 고주파반도체장치 | |
US3842359A (en) | Balanced parametric amplifier | |
JP2000031708A (ja) | モノリシックマイクロ波集積回路 | |
DE69907595D1 (de) | Mikrowellenkoppler für monolitisch integrierten Schaltkreis | |
JP2654248B2 (ja) | 共平面アンテナ | |
JPH03211870A (ja) | モノリシックマイクロ波集積回路 | |
JPH0763121B2 (ja) | モノリシツクマイクロ波集積回路 | |
RU2099853C1 (ru) | Твердотельный приемный модуль | |
SU1748220A1 (ru) | Управл емый генератор СВЧ | |
SU849426A1 (ru) | Устройство дл возбуждени и передачиСпиНОВыХ ВОлН | |
GB1193575A (en) | High Power Solid State Microwave Device. | |
SU1193768A1 (ru) | СВЧ-усилитель | |
JPS5835366B2 (ja) | 高出力高周波用半導体装置 | |
JPH0621705A (ja) | 半導体装置 | |
JPH11308003A (ja) | 非放射性誘電体線路、モード変換回路、高周波回路 | |
JPH0213008A (ja) | 周波数可変発振器 | |
JPS6388908A (ja) | モノリシツク集積回路 |