DE112010000886B4 - Hochfrequenzmodul - Google Patents

Hochfrequenzmodul Download PDF

Info

Publication number
DE112010000886B4
DE112010000886B4 DE112010000886.8T DE112010000886T DE112010000886B4 DE 112010000886 B4 DE112010000886 B4 DE 112010000886B4 DE 112010000886 T DE112010000886 T DE 112010000886T DE 112010000886 B4 DE112010000886 B4 DE 112010000886B4
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
slot
conductive wire
frequency module
signal
high frequency
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
DE112010000886.8T
Other languages
English (en)
Other versions
DE112010000886T5 (de
Inventor
Hiroshi Uchimura
Nobuki Hiramatsu
Kazuki Hayata
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Kyocera Corp
Original Assignee
Kyocera Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Kyocera Corp filed Critical Kyocera Corp
Publication of DE112010000886T5 publication Critical patent/DE112010000886T5/de
Application granted granted Critical
Publication of DE112010000886B4 publication Critical patent/DE112010000886B4/de
Expired - Fee Related legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01P—WAVEGUIDES; RESONATORS, LINES, OR OTHER DEVICES OF THE WAVEGUIDE TYPE
    • H01P5/00—Coupling devices of the waveguide type
    • H01P5/08—Coupling devices of the waveguide type for linking dissimilar lines or devices
    • H01P5/10—Coupling devices of the waveguide type for linking dissimilar lines or devices for coupling balanced with unbalanced lines or devices
    • H01P5/107—Hollow-waveguide/strip-line transitions
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/58—Structural electrical arrangements for semiconductor devices not otherwise provided for, e.g. in combination with batteries
    • H01L23/64—Impedance arrangements
    • H01L23/66—High-frequency adaptations
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L24/49—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of a plurality of wire connectors
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01P—WAVEGUIDES; RESONATORS, LINES, OR OTHER DEVICES OF THE WAVEGUIDE TYPE
    • H01P3/00—Waveguides; Transmission lines of the waveguide type
    • H01P3/12—Hollow waveguides
    • H01P3/121—Hollow waveguides integrated in a substrate
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01P—WAVEGUIDES; RESONATORS, LINES, OR OTHER DEVICES OF THE WAVEGUIDE TYPE
    • H01P5/00—Coupling devices of the waveguide type
    • H01P5/08—Coupling devices of the waveguide type for linking dissimilar lines or devices
    • H01P5/10—Coupling devices of the waveguide type for linking dissimilar lines or devices for coupling balanced with unbalanced lines or devices
    • H01P5/1015—Coplanar line transitions to Slotline or finline
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01Q—ANTENNAS, i.e. RADIO AERIALS
    • H01Q13/00—Waveguide horns or mouths; Slot antennas; Leaky-waveguide antennas; Equivalent structures causing radiation along the transmission path of a guided wave
    • H01Q13/10—Resonant slot antennas
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01Q—ANTENNAS, i.e. RADIO AERIALS
    • H01Q23/00—Antennas with active circuits or circuit elements integrated within them or attached to them
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2223/00—Details relating to semiconductor or other solid state devices covered by the group H01L23/00
    • H01L2223/58—Structural electrical arrangements for semiconductor devices not otherwise provided for
    • H01L2223/64—Impedance arrangements
    • H01L2223/66—High-frequency adaptations
    • H01L2223/6605—High-frequency electrical connections
    • H01L2223/6611—Wire connections
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2223/00—Details relating to semiconductor or other solid state devices covered by the group H01L23/00
    • H01L2223/58—Structural electrical arrangements for semiconductor devices not otherwise provided for
    • H01L2223/64—Impedance arrangements
    • H01L2223/66—High-frequency adaptations
    • H01L2223/6605—High-frequency electrical connections
    • H01L2223/6627—Waveguides, e.g. microstrip line, strip line, coplanar line
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/45001—Core members of the connector
    • H01L2224/4501—Shape
    • H01L2224/45012—Cross-sectional shape
    • H01L2224/45014—Ribbon connectors, e.g. rectangular cross-section
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/45001—Core members of the connector
    • H01L2224/4501—Shape
    • H01L2224/45012—Cross-sectional shape
    • H01L2224/45015—Cross-sectional shape being circular
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/45001—Core members of the connector
    • H01L2224/45099—Material
    • H01L2224/451—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
    • H01L2224/45117—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 400°C and less than 950°C
    • H01L2224/45124—Aluminium (Al) as principal constituent
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/45001—Core members of the connector
    • H01L2224/45099—Material
    • H01L2224/451—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
    • H01L2224/45138—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
    • H01L2224/45139—Silver (Ag) as principal constituent
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/45001—Core members of the connector
    • H01L2224/45099—Material
    • H01L2224/451—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
    • H01L2224/45138—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
    • H01L2224/45144—Gold (Au) as principal constituent
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/45001—Core members of the connector
    • H01L2224/45099—Material
    • H01L2224/451—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
    • H01L2224/45138—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
    • H01L2224/45147—Copper (Cu) as principal constituent
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481—Disposition
    • H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48225—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
    • H01L2224/48227—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation connecting the wire to a bond pad of the item
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/49—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of a plurality of wire connectors
    • H01L2224/491—Disposition
    • H01L2224/4912—Layout
    • H01L2224/49175—Parallel arrangements
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/49—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of a plurality of wire connectors
    • H01L2224/494—Connecting portions
    • H01L2224/4943—Connecting portions the connecting portions being staggered
    • H01L2224/49433—Connecting portions the connecting portions being staggered outside the semiconductor or solid-state body
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/12—Mountings, e.g. non-detachable insulating substrates
    • H01L23/13—Mountings, e.g. non-detachable insulating substrates characterised by the shape
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
    • H01L24/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L24/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
    • H01L2924/00014—Technical content checked by a classifier the subject-matter covered by the group, the symbol of which is combined with the symbol of this group, being disclosed without further technical details
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01005—Boron [B]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01013—Aluminum [Al]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/0102—Calcium [Ca]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01029—Copper [Cu]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01033—Arsenic [As]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01047—Silver [Ag]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01078—Platinum [Pt]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01079—Gold [Au]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01082—Lead [Pb]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/11—Device type
    • H01L2924/14—Integrated circuits
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/11—Device type
    • H01L2924/14—Integrated circuits
    • H01L2924/141—Analog devices
    • H01L2924/1423—Monolithic Microwave Integrated Circuit [MMIC]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/161—Cap
    • H01L2924/1615—Shape
    • H01L2924/16152—Cap comprising a cavity for hosting the device, e.g. U-shaped cap
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/181—Encapsulation
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/19—Details of hybrid assemblies other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/1901—Structure
    • H01L2924/1903—Structure including wave guides
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/19—Details of hybrid assemblies other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/1905—Shape
    • H01L2924/19051—Impedance matching structure [e.g. balun]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/20—Parameters
    • H01L2924/207—Diameter ranges
    • H01L2924/20752—Diameter ranges larger or equal to 20 microns less than 30 microns
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/20—Parameters
    • H01L2924/207—Diameter ranges
    • H01L2924/20758—Diameter ranges larger or equal to 80 microns less than 90 microns
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/30—Technical effects
    • H01L2924/301—Electrical effects
    • H01L2924/30105—Capacitance
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/30—Technical effects
    • H01L2924/301—Electrical effects
    • H01L2924/30107—Inductance
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/30—Technical effects
    • H01L2924/301—Electrical effects
    • H01L2924/3011—Impedance
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/30—Technical effects
    • H01L2924/301—Electrical effects
    • H01L2924/3011—Impedance
    • H01L2924/30111—Impedance matching
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/30—Technical effects
    • H01L2924/301—Electrical effects
    • H01L2924/3025—Electromagnetic shielding

Abstract

Hochfrequenzmodul, das umfasst:
eine Hochfrequenzschaltung (30) mit einem Signalanschluss (31), der für die Verwendung für die Eingabe und/oder Ausgabe eines Hochfrequenzsignals gestaltet ist, und mindestens einem Referenzpotentialanschluss (32), der mit einem Referenzpotential verbunden ist;
einen Leiter (21; 62) mit einem Schlitz (20a; 20Aa; 60b);
einen ersten leitenden Draht (41), der mit dem Signalanschluss (31) verbunden ist, wobei der erste leitende Draht (41) den Schlitz (20a; 20Aa; 60b) kreuzt; und
zumindest einen zweiten leitenden Draht (42, 43), der mit dem Referenzpotentialanschluss (32) verbunden ist und entlang des ersten leitenden Drahts (41) angeordnet ist, wobei der zweite leitende Draht (42, 43) den Schlitz (20a; 20Aa; 60b) nicht kreuzt,
wobei der erste leitende Draht (41) und der zweite leitende Draht (42, 43) ein Paar bilden und mit dem Schlitz (20a; 20Aa; 60b) elektromagnetisch gekoppelt sind,
dadurch gekennzeichnet, dass
eine Länge des ersten leitenden Drahts (41) ein ganzzahliges Vielfaches einer Länge ist, die gleich der Hälfte der Signalwellenlänge ist.

Description

  • Technisches Gebiet
  • Die vorliegende Erfindung bezieht sich auf ein Hochfrequenzmodul.
  • Stand der Technik
  • Für einen Fall, in dem eine Halbleitervorrichtung wie z. B. MMIC (monolithische integrierte Mikrowellenschaltung) an einer Hochfrequenz-Schaltungskarte montiert wird, entsteht, wenn ein leitender Draht wie z. B. ein Bonddraht verwendet wird, um die Verbindung für die Montage zu erreichen, eine Induktivitätskomponente in Abhängigkeit von der Leitungslänge des leitenden Drahts. Je höher die Frequenz ist, desto signifikanter ist die Verschlechterung der Übertragungscharakteristiken aufgrund dieser Induktivitätskomponente. Angesichts dessen war es üblich, eine Verbindung unter Verwendung eines so kurzen leitenden Drahts wie z. B. eines Bonddrahts wie möglich in einem Hochfrequenzbereich herzustellen. Es gibt eine Technik, um eine Halbleitervorrichtung innerhalb eines Hohlraums anzuordnen, der in einer Hochfrequenz-Schaltungskarte ausgebildet ist, und die Verbindung mit einer Signalleitung um den Hohlraum herzustellen. Diese Technik ist beispielsweise in der japanischen ungeprüften Patentveröffentlichung JP 2001-148457 A beschrieben. Außerdem gibt es eine Technik, um einen Impedanzfehlabgleich, der sich aus der Induktivitätskomponente ergibt, mit einer neu eingeführten Kapazitätskomponente aufzuheben. Diese Technik ist beispielsweise in der japanischen ungeprüften Patentveröffentlichung JP 2007-95838 A beschrieben. Bei den vorangehenden Techniken wird jedoch verursacht, dass die resultierende Induktivitätskomponente und die eingeführte Kapazitätskomponente selbst mit einer geringfügigen Maßänderung variieren. Schließlich ist bei den vorangehenden Techniken eine hohe Maßgenauigkeit erforderlich und das Problem besteht darin, dass ein korrekter Abgleich bei höheren Frequenzen schwierig wird oder ein Band von Frequenzen, in dem ein Abgleich erreicht werden kann, schmal ist.
  • DE 199 03 183 A1 offenbart eine Hochfrequenz-Abstandsmeßeinrichtung, welche eine als Sensor ausgebildete Antenne und einen einseitig offenen Hohlleiter aufweist, dessen offene Seite mit einem Dämpfungsglied abgeschlossen ist, um eine kontinuierliche Abstandsbestimmung, eine einfache Handhabung und vielseitige Einsatzmöglichkeiten zu erlauben.
  • DE 103 50 346 A1 offenbart einen Hochfrequenzleitungs-Wellenleiter-Konverter und ein Hochfrequenzpaket.
  • WO 2006/022836 A1 offenbart eine Vorrichtung und Verfahren zum Aufbauen von Antennen unter Verwendung von Bonddrähten als Abstrahlelemente.
  • Aufgabe der Erfindung
  • Die Erfindung wurde angesichts der mit dem Stand der Technik verbundenen Probleme, wie oben erwähnt, entwickelt und folglich besteht eine Aufgabe der Erfindung darin, ein Hochfrequenzmodul zu schaffen, das zu einer leichten Verbindung einer Hochfrequenzschaltung mittels eines leitenden Drahts in der Lage ist.
  • Zusammenfassung der Erfindung
  • Die vorliegende Erfindung stellt ein Hochfrequenzmodul gemäß Anspruch 1 bereit. Weitere vorteilhafte Ausführungsformen des Hochfrequenzmoduls der vorliegenden Erfindung sind in den abhängigen Ansprüchen offenbart.
  • Ein Hochfrequenzmodul gemäß der Erfindung umfasst: eine Hochfrequenzschaltung; einen Leiter; einen ersten leitenden Draht; und mindestens einen zweiten leitenden Draht. Die Hochfrequenzschaltung umfasst einen Signalanschluss und mindestens einen Referenzpotentialanschluss. Der Signalanschluss wird für die Eingabe und/oder Ausgabe eines Hochfrequenzsignals verwendet. Der mindestens eine Referenzpotentialanschluss ist mit einem Referenzpotential verbunden. Der Leiter umfasst einen Schlitz. Der erste leitende Draht ist mit dem Signalanschluss verbunden. Der erste leitende Draht überquert den Schlitz. Der mindestens eine zweite leitende Draht ist mit dem mindestens einen Referenzpotentialanschluss verbunden. Der mindestens eine zweite leitende Draht ist so angeordnet, dass zumindest ein Teil davon sich entlang des ersten leitenden Drahts erstreckt. Der mindestens eine zweite leitende Draht überquert den Schlitz nicht. Der erste leitende Draht und der mindestens eine zweite leitende Draht bilden ein Paar und sind mit dem Schlitz elektromagnetisch gekoppelt. Die Länge des ersten leitenden Drahts ist ein ganzzahliges Vielfaches einer Länge, die gleich der Hälfte der Signalwellenlänge ist.
  • Vorteilhafte Effekte der Erfindung
  • Gemäß der Erfindung ist es möglich, ein Hochfrequenzmodul zu schaffen, das zu einer leichten Verbindung einer Hochfrequenzschaltung mittels eines leitenden Drahts in der Lage ist.
  • Kurzbeschreibung der Zeichnungen
  • 1 ist eine äußere perspektivische Ansicht, die schematisch eine erste Ausführungsform eines Hochfrequenzmoduls gemäß der Erfindung zeigt;
  • 2 ist eine Draufsicht, die schematisch das in 1 gezeigte Hochfrequenzmodul zeigt;
  • 3 ist eine vergrößerte Draufsicht, die den Hauptteil des in 2 gezeigten Hochfrequenzmoduls zeigt;
  • 4 ist eine äußere perspektivische Ansicht, die schematisch eine zweite Ausführungsform des Hochfrequenzmoduls gemäß der Erfindung zeigt;
  • 5 ist eine Seitenansicht, die schematisch das in 4 gezeigte Hochfrequenzmodul zeigt;
  • 6 ist eine äußere perspektivische Ansicht, die schematisch eine dritte Ausführungsform des Hochfrequenzmoduls gemäß der Erfindung zeigt;
  • 7 ist eine Draufsicht, die schematisch das in 6 gezeigte Hochfrequenzmodul zeigt;
  • 8 ist eine äußere perspektivische Ansicht, die schematisch eine vierte Ausführungsform des Hochfrequenzmoduls gemäß der Erfindung zeigt;
  • 9 ist eine Seitenansicht, die schematisch das in 8 gezeigte Hochfrequenzmodul zeigt;
  • 10 ist eine vergrößerte Schnittansicht, die den Hauptteil der in 8 gezeigten zweiten Schlitzstruktur zeigt;
  • 11 ist eine Schnittansicht entlang der Linie XI-XI, die in 10 gezeigt ist;
  • 12 ist eine perspektivische Ansicht in auseinandergezogener Anordnung, die schematisch die Konfiguration der in 8 gezeigten zweiten Schlitzstruktur zeigt;
  • 13 ist eine äußere perspektivische Ansicht, die eine fünfte Ausführungsform des Hochfrequenzmoduls gemäß der Erfindung schematisch zeigt;
  • 14 ist eine Seitenansicht, die das in 13 gezeigte Hochfrequenzmodul schematisch zeigt;
  • 15 ist eine vergrößerte Schnittansicht, die den Hauptteil einer anderen Form der in 14 gezeigten zweiten Schlitzstruktur zeigt;
  • 16 ist eine Schnittansicht entlang der in 15 gezeigten Linie XVI-XVI;
  • 17 ist eine Schnittansicht entlang der in 15 gezeigten Linie XVII-XVII;
  • 18 ist eine perspektivische Ansicht in auseinandergezogener Anordnung, die schematisch die Konfiguration der in 13 gezeigten zweiten Schlitzstruktur zeigt;.
  • 19 ist eine äußere perspektivische Ansicht, die schematisch ein modifiziertes Beispiel des Hochfrequenzmoduls gemäß der Erfindung zeigt;
  • 20 ist eine äußere perspektivische Ansicht, die schematisch ein modifiziertes Beispiel des Hochfrequenzmoduls gemäß der Erfindung zeigt;
  • 21 ist eine äußere perspektivische Ansicht, die schematisch ein modifiziertes Beispiel des Hochfrequenzmoduls gemäß der Erfindung zeigt;
  • 22 ist eine äußere perspektivische Ansicht, die schematisch ein modifiziertes Beispiel des Hochfrequenzmoduls gemäß der Erfindung zeigt;
  • 23 ist eine äußere perspektivische Ansicht, die schematisch ein modifiziertes Beispiel des Hochfrequenzmoduls gemäß der Erfindung zeigt;
  • 24 ist eine äußere perspektivische Ansicht, die schematisch ein modifiziertes Beispiel des Hochfrequenzmoduls gemäß der Erfindung zeigt;
  • 25 ist eine Draufsicht, die schematisch ein modifiziertes Beispiel des in 24 gezeigten Hochfrequenzmoduls zeigt;
  • 26 ist ein Graph, der elektrische Charakteristiken des Hochfrequenzmoduls gemäß Beispiel 1 zeigt;
  • 27 ist ein Graph, der elektrische Charakteristiken des Hochfrequenzmoduls gemäß Beispiel 2 zeigt;
  • 28 ist ein Graph, der elektrisch Charakteristiken des Hochfrequenzmoduls gemäß Beispiel 3 zeigt;
  • 29 ist ein Graph, der elektrische Charakteristiken des Hochfrequenzmoduls gemäß Vergleichsbeispiel 1 zeigt; und
  • 30 ist ein Graph, der elektrische Charakteristiken des Hochfrequenzmoduls gemäß Vergleichsbeispiel 2 zeigt.
  • Beschreibung von Ausführungsformen
  • Nachstehend wird ein Hochfrequenzmodul gemäß der Erfindung im Einzelnen mit Bezug auf die begleitenden Zeichnungen beschrieben.
  • (Erste Ausführungsform)
  • Ein Hochfrequenzmodul 10 gemäß einer ersten Ausführungsform, wie in 1, 2 und 3 gezeigt, umfasst eine Schlitzstruktur 20, eine Hochfrequenzkomponente 30, einen leitenden Draht 40 und ein Schutzelement 50.
  • Die Schlitzstruktur 20 dieser Ausführungsform ist aus einer Leiterplatte 21 konstruiert. Die Leiterplatte 21 besteht aus einem elektrisch leitfähigen Leiter mit einer verbreiterten ebenen Oberfläche. Beispiele des ”elektrisch leitfähigen Leiters” umfassen Gold, Silber, Kupfer, Platin und Legierungen von solchen Metallmaterialien. Die in dieser Ausführungsform verwendete Leiterplatte 21 ist in Draufsicht rechteckförmig. Wie hier verwendet, bezieht sich der Begriff ”ebene Oberfläche” nicht nur auf eine flache Oberfläche, sondern auch auf eine gekrümmte Oberfläche.
  • Die Leiterplatte 21 weist ein Durchgangsloch 21a auf. Das Durchgangsloch 21a ist in Dickenrichtung die ganze Strecke zwischen den Hauptoberflächen der Leiterplatte 21 durchgebohrt. Die Leiterplatte 21 ist als Leiter mit einem ringförmigen Abschnitt mit dem Durchgangsloch 21a als sein Zentrum ausgelegt. Das Durchgangsloch 21a nimmt die Form eines Rechtecks an, das in einer Richtung innerhalb der Hauptoberfläche der Leiterplatte 21 langgestreckt ist. In dieser Konstruktion wird die eine Richtung, in der das Durchgangsloch 21a langgestreckt ist, als erste Richtung bezeichnet, und eine Richtung, die auf die relativ kurze Seite des Durchgangslochs 21a ausgerichtet ist, wird als zweite Richtung bezeichnet. In dieser Ausführungsform ist zur Erläuterung in 1 und so weiter die erste Richtung als x-Richtung definiert und die zweite Richtung ist als y-Richtung definiert. In dieser Ausführungsform fungiert das Durchgangsloch 21a als Schlitz 20a für den Durchgang eines Hochfrequenzsignals mit einer hohen Frequenz. Im Schlitz 20a entsteht ein elektrisches Feld entlang der zweiten Richtung. Der Schlitz 20a wird beispielsweise als Antenne für räumliche Strahlung verwendet. Das Hochfrequenzsignal ist beispielsweise größer als oder gleich 3 × 109 [Hz] in Bezug auf die Frequenz und folglich sind ein Mikrowellensignal, ein Millimeterwellensignal und ein Submillimeterwellensignal eingeschlossen. in einem Fall, in dem die Leiterplatte 21 eine gekrümmte Oberfläche aufweist, erstreckt sich der Schlitz 20a entsprechend in einer Kurve. Überdies ist die Länge des Schlitzes 20a in der ersten Richtung so festgelegt, dass sie etwa eine Hälfte der Wellenlänge des Hochfrequenzsignals ist, das durch den Schlitz 20a hindurchtritt. Obwohl der Schlitz 20a in dieser Ausführungsform rechteckförmig ist, kann er eine andere Form aufweisen, wie z. B. eine elliptische Form oder eine Hantelform.
  • Die Hochfrequenzkomponente 30 umfasst eine Hochfrequenzschaltung, in der eine Signalübertragung mittels eines Hochfrequenzsignals bewirkt wird. Die Hochfrequenzkomponente 30 dieser Ausführungsform ist an einer der Hauptoberflächen der Schlitzstruktur 20 angeordnet. Die Hochfrequenzkomponente 30 dieser Ausführungsform umfasst einen Signalanschluss 31 und einen Referenzpotentialanschluss 32. Der Signalanschluss 31 und der Referenzpotentialanschluss 32 sind als Verbindungsanschlüsse für die in die Hochfrequenzkomponente 30 eingebaute Hochfrequenzschaltung vorgesehen.
  • Der Signalanschluss 31 wird für die Eingabe und/oder Ausgabe eines Hochfrequenzsignals verwendet. Das heißt, der Signalanschluss 31 kann zur Verwendung entweder bei der Hochfrequenzsignaleingabe oder bei der Hochfrequenzsignalausgabe ausgelegt sein oder kann für die Verwendung bei der Hochfrequenzsignaleingabe und -ausgabe ausgelegt sein. Überdies ist der Signalanschluss 31 mit der in die Hochfrequenzkomponente 30 eingebauten Hochfrequenzschaltung elektrisch verbunden. Der Signalanschluss 31 dieser Ausführungsform ist an der oberen Oberfläche der Hochfrequenzkomponente 30 angeordnet.
  • Der Referenzpotentialanschluss 32 ist mit einem Referenzpotentialpunkt in der Hochfrequenzkomponente 30 elektrisch verbunden. Der Referenzpotentialanschluss 32 ist neben dem Signalanschluss 31 angeordnet. Der Referenzpotentialanschluss 32 ist vom Signalanschluss 31 isoliert. In dieser Ausführungsform sind zwei Referenzpotentialanschlüsse 32 vorgesehen, die beabstandet sind. Der Signalanschluss 31 ist zwischen den zwei Referenzpotentialanschlüssen 32 angeordnet.
  • Der leitende Draht 40 schafft eine elektromagnetische Kopplung zwischen der Schlitzstruktur 20 und der Hochfrequenzkomponente 30. Der leitende Draht 40 umfasst einen ersten leitenden Draht 41 und zweite leitenden Drähte 42 und 43. Ein Metallmaterial wie beispielsweise Gold und Aluminium kann für den ersten leitenden Draht 41 und die zweiten leitenden Drähte 42 und 43 verwendet werden. Der erste leitenden Draht 41 und die zweiten leitenden Drähte 42 und 43, die im Bereich von ca. 0,01 bis 0,05 [mm] in der Dicke liegen, werden beispielsweise verwendet. Der erste leitenden Draht 41 und die zweiten leitenden Drähte 42 und 43 können unter Verwendung beispielsweise eines Drahtbonders ausgebildet werden. Wie hier verwendet, bezieht sich der Begriff ”leitender Draht” auf einen linearen oder streifenartigen Leiter. Beispiele des streifenartigen Leiters umfassen einen Flachdraht und dergleichen. Überdies bezieht sich der Begriff ”elektromagnetische Kopplung” auf die Übertragung eines Hochfrequenzsignals mittels einer elektromagnetischen Welle.
  • Der erste leitende Draht 41 schafft eine elektrische Verbindung zwischen der Leiterplatte 21 und dem Signalanschluss 31. Wie hier verwendet, bezieht sich der Begriff ”elektrische Verbindung” auf einen Verbindungszustand, um eine Übertragung eines sich ausbreitenden Hochfrequenzsignals von einer Sendeseite zu einer Empfangsseite zu ermöglichen. Der Zustand der ”elektrischen Verbindung” ist ein Gesichtspunkt der Übertragung eines Hochfrequenzsignals, der so aufgefasst wird, dass er sowohl einen Fall, in dem ein physikalischer Kontakt zwischen der Sendeseite und der Empfangsseite besteht, als auch einen Fall, in dem kein physikalischer Kontakt zwischen der Sendeseite und der Empfangsseite hergestellt ist, umfasst. Der erste leitende Draht 41 dieser Ausführungsform schafft eine direkte Verbindung zwischen der Leiterplatte 21 und dem Signalanschluss 31. Der erste leitende Draht 41 ist an einem ersten Ende davon mit dem Signalanschluss 31 verbunden. Der erste leitende Draht 41 ist an einem zweiten Ende 41a davon mit der Leiterplatte 21 verbunden. Der Verbindungsteil am zweiten Ende 41a des ersten leitenden Drahts 41 liegt von der Hochfrequenzkomponente 30 aus betrachtet hinter dem Schlitz 20a. Der erste leitende Draht 41 ist in einer überspannenden Weise über dem Schlitz 20a angeordnet. Insbesondere überquert der erste leitende Draht 41 den Schlitz 20a oberhalb oder aufwärts von diesem mit Abstand vom Schlitz 20. Die ”Aufwärts”-Richtung entspricht der Richtung einer Normalen in Bezug auf den Schwerpunkt des Schlitzes 20a. Die senkrechte Richtung ist als z-Richtung in der Zeichnung wie z. B. 1 dargestellt.
  • Überdies entspricht der Zustand der ”Überquerung des Schlitzes” einem Fall, in dem der erste leitende Draht 41 so angeordnet ist, dass er vom Schlitz 20a beabstandet ist, während er den Schlitz 20a in einer Draufsicht in z-Richtung schneidet. Der erste leitende Draht 41 dieser Ausführungsform kreuzt den Schlitz 20a, wobei ein Raum zwischen ihnen belassen ist. In dem Fall der Anordnung des ersten leitenden Drahts 41 so, dass er den Schlitz 20a in dieser Weise überkreuzt, können der erste leitende Draht 41 und der Schlitz 20a durch ein zwischen ihnen erzeugtes Magnetfeld miteinander gekoppelt sein.
  • Ein Spitzenende des ersten leitenden Drahts 41 dieser Ausführungsform wird überdies mit der Leiterplatte 21 in Kontakt gehalten. Das Spitzenende kann folglich als kurzgeschlossenes Ende betrachtet werden. In dem Fall, in dem das Spitzenende als kurzgeschlossenes Ende betrachtet werden kann, sollte die Länge des ersten leitenden Drahts 41 vorzugsweise auf etwa ein ganzzahliges Vielfaches einer Länge, die gleich einer Hälfte der Signalwellenlänge ist, eingestellt werden. Die Längeneinstellung für den ersten leitenden Draht 41 wird durch Ausbilden des ersten leitenden Drahts 41 unter Verwendung eines Banddrahts möglich.
  • Der erste leitende Draht 41 schneidet überdies in einer Draufsicht in z-Richtung den Schlitz 20a am Mittelabschnitt des Schlitzes 20a in der ersten Richtung (x-Richtung). Der erste leitende Draht 41 dieser Ausführungsform schneidet in einer Draufsicht in z-Richtung die erste Richtung (x-Richtung), in der das Durchgangsloch 21a der Leiterplatte 21 langgestreckt ist. Durch Ausdehnen des ersten leitenden Drahts 41 in der obigen Weise ist es, selbst wenn der erste leitende Draht 41 im Verlauf der Herstellung mit einer Positionsabweichung montiert wird, möglich, seine Kopplung mit dem Schlitz 20a zu erreichen.
  • Der erste leitende Draht 41 dieser Ausführungsform erstreckt sich so, dass er zur ersten Richtung senkrecht ist. Selbst wenn sich der erste leitende Draht 41 in einem geneigten Winkel in Bezug auf die zur ersten Richtung des Schlitzes 20a senkrechte Richtung erstreckt, ist es möglich, eine elektromagnetische Kopplung zu erreichen. Durch Anordnen des ersten leitenden Drahts 41 in einer solchen Weise, dass die Erstreckungsrichtung des ersten leitenden Drahts 41 und die erste Richtung so genau wie möglich einen rechten Winkel bilden, kann eine Komponente des elektrischen Feldes, die zur zweiten Richtung parallel ist, die auf die relativ kurze Seite des Schlitzes 20a ausgerichtet ist, erhöht werden. Die Erhöhung der Komponente, die zur Richtung parallel ist, die auf die relativ kurze Seite des Schlitzes 20a ausgerichtet ist, hilft, die elektromagnetische Kopplung zwischen dem ersten. leitenden Draht 41 und dem Schlitz 20a zu verstärken.
  • Die zweiten leitenden Drähte 42 und 43 schaffen eine elektrische Verbindung zwischen der Leiterplatte 21 und dem Referenzpotentialanschluss 32. Die zweiten leitenden Drähte 42 und 43 dieser Ausführungsform schaffen eine direkte Verbindung zwischen der Leiterplatte 21 und dem Referenzpotentialanschluss 32. Die zweiten leitenden Drähte 42 und 43 sind an ersten Enden jeweils mit dem Referenzpotentialanschluss 32 verbunden. Die zweiten leitenden Drähte 42 und 43 sind an zweiten Enden 42a und 43a jeweils mit der Leiterplatte 21 verbunden. Die zweiten Enden 42a und 43a der zweiten leitenden Drähte 42 und 43 liegen von der Hochfrequenzkomponente 30 aus betrachtet vor dem Schlitz 20a. Das heißt, dass die zweiten leitenden Drähte 42 und 43 den Schlitz 20a nicht kreuzen.
  • Überdies sind die zweiten Enden 42a und 43a des zweiten leitenden Drahts 42 und 43 so angeordnet, dass, wenn der Schlitz 20a in einer Draufsicht betrachtet wird, Liniensegmente H12 und H13, die das zweite Ende 42a und 43a mit dem zweiten Ende 41a des ersten leitenden Drahts 41 verbinden, den Schlitz 20a überkreuzen. In dem Bereich um den ersten leitenden Draht 41 wird ein Magnetfeld erzeugt, wodurch eine Kopplung mit dem Schlitz 20a hergestellt wird.
  • Die zweiten leitenden Drähte 42 und 43 sind überdies in Draufsicht entlang des ersten leitenden Drahts 41 angeordnet. Indem die zwei zweiten leitenden Drähte 42 und 43 in dieser Weise in eine Linie mit dem ersten leitenden Draht 41 gebracht werden, ist es möglich, die elektromagnetische Kopplung mit dem ersten leitenden Draht 41 zu verstärken. Durch Verstärken der elektromagnetischen Kopplung zwischen dem ersten leitenden Draht 41 und den zweiten leitenden Drähten 42 und 43 wird eine Übertragungsleitung, die aus dem ersten leitenden Draht 41 und jedem der zweiten leitenden Drähte 42 und 43 besteht, die ein Paar bilden, gebildet. Die Bildung der Übertragungsleitung, die aus dem ersten leitenden Draht 41 und jedem der zweiten leitenden Drähte 42 und 43 besteht, die ein Paar bilden, macht es möglich, eine Induktivitätskomponente, die der Länge des ersten leitenden Drahts 41 zuzuschreiben ist, zu unterdrücken. Die Bildung der Signalleitung macht es überdies möglich, den Streuverlust eines Hochfrequenzsignals in Form einer elektromagnetischen Welle aus dem ersten leitenden Draht 41 zu verringern. Da der Signalanschluss 31 zwischen den zwei Referenzpotentialanschlüssen 32 liegt, ist es in dieser Ausführungsform möglich, eine weitere Erhöhung der Stärke der elektromagnetischen Kopplung zwischen dem ersten leitenden Draht 41, der mit dem Signalanschluss verbunden ist, und den zweiten leitenden Drähten 42 und 43 zu erreichen.
  • Der erste leitende Draht 41 und die zweiten leitenden Drähte 42 und 43 sind überdies mit dem Schlitz 20a mit einer Kapazitätskomponente elektrisch verbunden. Folglich kann die Induktivitätskomponente des ersten leitenden Drahts 41 durch die Kapazitätskomponenten des Schlitzes 20a aufgehoben werden. Die Kapazitätskomponente des Schlitzes 20a kann gesteuert werden, indem einfach eine Einstellung der Länge des Schlitzes in der zweiten Richtung durchgeführt wird. Im Hochfrequenzmodul 10 kann folglich der Schlitz an die Impedanz im zweiten Ende 41a des ersten leitenden Drahts 41 sowie in den zweiten Enden 42a und 43a der zweiten leitenden Drähte 42 und 43 angepasst sein. Im Gegensatz zu einer Blindleitung, die für den Impedanzabgleich nur bei spezifischen Wellenlängen ausgelegt ist, ist das Hochfrequenzmodul 10 in der Lage, über einen breiten Bereich von Frequenzen abzugleichen. Es ist zu beachten, dass die Impedanz des Schlitzes 20a durch Einstellen seiner Länge in der ersten Richtung gesteuert werden kann.
  • Die zweiten leitenden Drähte 42 und 43 dieser Ausführungsform erstrecken sich in z-Richtung betrachtet parallel zum ersten leitenden Draht 41. Es ist zu beachten, dass die zweiten leitenden Drähte 42 und 43 nicht notwendigerweise so angeordnet sein müssen, dass sie sich zum ersten leitenden Draht 41 parallel erstrecken.
  • Der Abstand zwischen den zweiten leitenden Drähte 42 und 43 kann in Richtung auf den Schlitz zu größer oder kleiner werden. Wenn der Abstand zwischen den zweiten leitenden Drähten 42 und 43 abnimmt, wird von den Komponenten des elektrischen Feldes, die mit dem ersten leitenden Draht 41 gekoppelt sind, die Komponente des elektrischen Feldes des Schlitzes 20a, die zur relativ kurzen Seite des Schlitzes 20a parallel ist, erhöht, mit einer daraus folgenden Erhöhung einer Magnetfeldkomponente, die mit dem Schlitz 20a gekoppelt ist. Die zweiten Enden 42a und 43a der zweiten leitenden Drähte 42 und 43 dieser Ausführungsform sind an der Leiterplatte 21 so angeordnet, dass sie bezüglich des Endes des Durchgangslochs 21a der Leiterplatte 21 in der ersten Richtung des Schlitzes 20a in einem einwärtigen Bereich liegen.
  • Der erste leitende Draht 41 und die zweiten leitenden Drähte 42 und 43 dieser Ausführungsform wirken zum Verbinden des Signalanschlusses 31 und des benachbarten Referenzpotentialanschlusses 32 mit der Schlitzstruktur 20 mit dem Schlitz 20a. Paare des ersten leitenden Drahts 41 und der jeweiligen zweiten leitenden Drähte 42 und 43 ermöglichen allmähliche Änderungen in der Richtung eines elektrischen Feldes, das zwischen dem ersten leitenden Draht 41 und den jeweiligen zweiten leitenden Drähten 42 und 43 in dem Bereich zwischen dem Signalanschluss 31 sowie dem Referenzpotentialanschluss 32 und dem Schlitz 20a erzeugt wird. Im ersten leitenden Draht 41 und in den zweiten leitenden Drähten 42 und 43 erleichtern die allmählichen Änderungen der Richtung des zwischen ihnen erzeugten elektrischen Feldes die Kopplung mit dem Schlitz 20a.
  • Das Schutzelement 50 ist in überspannender Weise über dem Schlitz 20a, der Hochfrequenzkomponente 30 und dem leitenden Draht 40 angeordnet. Das Schutzelement 50 überdeckt zumindest den Schlitz 20a, die Hochfrequenzkomponente 30 und den leitenden Draht 40. Das Schutzelement 50 schafft einen Schutz zumindest über dem Schlitz 20a, der Hochfrequenzkomponente 30 und dem leitenden Draht 40. Der Begriff ”Schutz” bezieht sich auf einen mechanischen Schutz. Der Schutz hilft beispielsweise, die Wahrscheinlichkeit eines Bruchs im leitenden Draht 40, der durch eine externe Kraft verursacht wird, zu verringern. Es ist zu beachten, dass das Schutzelement 50 in den Zeichnungen für die Darstellung des Schlitzes 20a, der Hochfrequenzkomponente 30 und des leitenden Drahts 40 imaginär durch gestrichelte Linien dargestellt ist. Das Schutzelement 50 ist in der Funktion nicht auf die Abdichtung des Schlitzes 20a, der Hochfrequenzkomponente 30 und des leitenden Drahts 40 begrenzt. Das Schutzelement 50 kann beispielsweise so konfiguriert sein, dass ein Teil der seitlichen Oberflächen fehlt, dass ein Durchgangsloch an der oberen Oberfläche ausgebildet ist oder dass die Oberseite auf mehreren Stützsäulen abgestützt ist. Als weitere Alternative des Schutzelements 50 können der Schlitz, die Hochfrequenzkomponente und der leitende Draht mit einem Harzmaterial bedeckt sein. In diesem Fall werden die Formen des leitenden Drahts 40 und des Schlitzes 20a unter Berücksichtigung der Dielektrizitätskonstante des Harzmaterials eingestellt.
  • Das Hochfrequenzmodul 10 dieser Ausführungsform umfasst die Hochfrequenzkomponente 30 mit einer Hochfrequenzschaltung, die Leiterplatte 21, die als Leiter wirkt, den ersten leitenden Draht 41 und die zwei zweiten leitenden Drähte 42 und 43. Die Hochfrequenzkomponente 30 weist den Signalanschluss 31 und die zwei Referenzpotentialanschlüsse 32 auf. Der Signalanschluss 31 wird für die Eingabe und/oder Ausgabe eines Hochfrequenzsignals verwendet. Die zwei Referenzpotentialanschlüsse 32 sind mit einem Referenzpotential verbunden. Die Leiterplatte 21 weist den Schlitz 20a auf. Der erste leitende Draht 41 ist mit dem Signalanschluss 31 elektrisch verbunden. Der erste leitende Draht 41 erstreckt sich und überkreuzt den Schlitz 20a oerhalb. Die zwei zweiten leitenden Drähte 42 und 43 sind jeweils mit den zwei Referenzpotentialanschlüssen 32 elektrisch verbunden. Die zwei zweiten leitenden Drähte 42 und 43 sind entlang des ersten leitenden Drahts 41 angeordnet. Die zwei zweiten leitenden Drähte 42 und 43 sind so angeordnet, dass sie den Schlitz 20a nicht überkreuzen. Der erste leitende Draht 41 und jeder der zwei zweiten leitenden Drähte 42 und 43 bilden ein Paar und sind mit dem Schlitz 20a elektromagnetisch gekoppelt.
  • Im Hochfrequenzmodul 10 dieser Ausführungsform überkreuzen in Draufsicht die Linien H12 und H13, die das zweite Ende 41a des ersten leitenden Drahts 41 auf der Seite des Schlitzes 20a mit den zweiten Enden 42a und 43a der zweiten leitenden Drähte 42 und 43 auf der Seite des Schlitzes 20a verbinden, den Schlitz 20a. In dieser Struktur überkreuzt ein elektrisches Feld, das vom ersten leitenden Draht 41 in Richtung der zweiten leitenden Drähte 42 und 43 verläuft, den Schlitz 20a. Mit einem resultierenden Magnetfeld ist es möglich, eine weitere Erhöhung der Stärke der elektromagnetischen Kopplung des ersten leitenden Drahts 41 und der zweiten leitenden Drähte 42 und 43 mit dem Schlitz 20a zu erreichen.
  • Im Hochfrequenzmodul 10 dieser Ausführungsform macht es eine Vergrößerung der Länge des ersten leitenden Drahts 41 möglich, den Frequenzpegel, bei dem die beste Kopplung mit dem Schlitz 20a erreicht werden kann, zu senken. Andererseits macht es eine Verringerung der Länge des ersten leitenden Drahts 41 möglich, den Frequenzpegel, bei dem die beste Kopplung mit dem Schlitz 20a erreicht werden kann, zu erhöhen. Im Hochfrequenzmodul 10 dieser Ausführungsform ist es folglich möglich, die Frequenz für die beste Kopplung mit dem Schlitz 20a einzustellen und dadurch eine Montageabweichung der Hochfrequenzkomponente 30 und eine Maß- oder Positionsabweichung des Schlitzes 20a bei der Konstruktion des Hochfrequenzmoduls zu berücksichtigen.
  • Im Hochfrequenzmodul 10 dieser Ausführungsform wird eine Übertragungsleitung aus dem ersten leitenden Draht 41 und jedem der zweiten leitenden Drähte 42 und 43, die in Paar bilden, gebildet, weshalb der leitende Draht 40 lang gemacht werden kann. Folglich kann im Hochfrequenzmodul 10 die Hochfrequenzkomponente 30 an der Schlitzstruktur 20 angeordnet werden. Das Hochfrequenzmodul 10 ist daher für den Fall der Verwendung der Hochfrequenzkomponente 30 mit einer großen Dicke geeignet.
  • Im Hochfrequenzmodul 10 dieser Ausführungsform ist die Hochfrequenzkomponente 30 an der Schlitzstruktur 20 angeordnet. Im Hochfrequenzmodul 10 kann im Gegensatz zu dem Fall, in dem ein Hohlraum in der Schlitzstruktur 20 ausgebildet ist, die Maßgenauigkeit der Schlitzstruktur 20 erhöht werden. Im Hochfrequenzmodul 10 kann folglich ein elektrisches Element in der Schlitzstruktur 20 in einer effizienten Weise ausgebildet werden.
  • Im Hochfrequenzmodul 10 dieser Ausführungsform ist die Hochfrequenzschaltung der Hochfrequenzkomponente 30 mit dem Schlitz 20a durch den leitenden Draht 40 elektromagnetisch gekoppelt. Daher leidet das Hochfrequenzmodul 10 unter einem niedrigeren Verlust als es der Fall wäre, wenn, nachdem eine Verbindung zwischen der Hochfrequenzschaltung und einer Signalleitung wie z. B. einer Mikrostreifenleitung hergestellt ist, während ein Impedanzabgleich bewirkt wird, die Signalleitung elektromagnetisch mit dem Schlitz gekoppelt wird. Im Hochfrequenzmodul 10 kann überdies die von einem Hochfrequenzsignal zurückgelegte Strecke verringert werden, wodurch eine Miniaturisierung erreicht wird.
  • Im Hochfrequenzmodul 10 dieser Ausführungsform ist es, da die Hochfrequenzschaltung der Hochfrequenzkomponente 30 und der Schlitz 20a elektromagnetisch miteinander gekoppelt sind, möglich, eine Gleichstromkomponente zwischen einem Hochfrequenzsignal, das sich durch die Hochfrequenzschaltung der Hochfrequenzkomponente 30 ausbreitet, und einem Hochfrequenzsignal, das durch den Schlitz 20a hindurchtritt, zu sperren. Folglich ist das Hochfrequenzmodul 10 für eine Hochfrequenzschaltung mit einer Diode geeignet.
  • Im Hochfrequenzmodul 10 dieser Ausführungsform ist es, da die Hochfrequenzschaltung der Hochfrequenzkomponente 30 und der Schlitz 20a elektromagnetisch miteinander gekoppelt sind, möglich, Flexibilität in den Positionen des zweiten Endes 41a des ersten leitenden Drahts 41 und des zweiten Endes 42a, 43a des zweiten leitenden Drahts 42, 43 zu schaffen. Folglich können im Hochfrequenzmodul 10 Herstellungsprozessvariationen, wie beispielsweise die Positionsabweichung der Hochfrequenzkomponente 30 mit der Hochfrequenzschaltung, die Positionsabweichung des Schlitzes 20a und die Maßabweichung des Schlitzes 20a, toleriert werden.
  • (Zweite Ausführungsform)
  • Ein Hochfrequenzmodul 10A gemäß einer zweiten Ausführungsform, wie in 4 und 5 gezeigt, unterscheidet sich vom Hochfrequenzmodul 10 insofern, als eine Schlitzstruktur 20A vorgesehen ist. Es ist zu beachten, dass die folgende Beschreibung über diese Ausführungsform nur die Punkte des Unterschiedes vom Hochfrequenzmodul 10 der ersten Ausführungsform behandelt und folglich solche Bestandteile, die dem Hochfrequenzmodul 10A und dem Hochfrequenzmodul 10 gemeinsam sind, nicht erläutert werden. In der Beschreibung, die die Patentbeschreibung betrifft, bezeichnen alphabetische Großbuchstaben verschiedene Ausführungsformen oder modifizierte Beispiele.
  • Wie in 4 und 5 gezeigt, umfasst die Schlitzstruktur 20A eine Leiterplatte 21, einen dielektrischen Körper 22 und einen Streifenleiter 23. Der dielektrische Körper 22 ist an der unteren Oberfläche der Leiterplatte 21 angeordnet. Der Streifenleiter 23 ist an der unteren Oberfläche des dielektrischen Körpers 22 angeordnet. Die Leiterplatte 21, der dielektrische Körper 22 und der Streifenleiter 23 bilden eine Mikrostreifenleitung, wobei die Leiterplatte 21 als Referenzpotential definiert ist.
  • Der Streifenleiter 23 ist gegenüber einem Schlitz 20Aa angeordnet, wobei der dielektrische Körper 22 zwischen ihnen liegt. Überdies erstreckt sich der Streifenleiter 23 so, dass er die erste Richtung des Schlitzes 20Aa schneidet. In der dielektrischen Struktur 20A sind folglich der Schlitz 20Aa und die Mikrostreifenleitung elektromagnetisch miteinander gekoppelt. Folglich ist die Hochfrequenzschaltung der Hochfrequenzkomponente 30 mit der Mikrostreifenleitung, die als Signalleitung wirkt, durch den Schlitz 20Aa elektromagnetisch gekoppelt. In dieser Ausführungsform ist die Impedanz des Schlitzes 20Aa an die Impedanz des zweiten Endes 41a des ersten leitenden Drahts 41 und der zweiten Enden 42a und 43a der zweiten leitenden Drähte 42 und 43 angepasst.
  • Obwohl diese Ausführungsform die Mikrostreifenleitung als Signalleitung verwendet, kann eine Signalleitung eines anderen Typs verwendet werden. Die Beispiele davon umfassen eine koplanare Leitung, eine Streifenleitung (Triplate-Leitung) eine Schlitzleitung, eine Bildleitung, einen H-Wellenleiter und einen NRD-Wellenleiter (nichtstrahlender dielektrischer Wellenleiter).
  • Im Hochfrequenzmodul 10A dieser Ausführungsform ist die Hochfrequenzschaltung der Hochfrequenzkomponente 30 zur Übertragung eines Hochfrequenzsignals mit dem Schlitz 20Aa über den ersten leitenden Draht 41 und jeden der zweiten leitenden Drähte 42 und 43, die ein Paar bilden, elektromagnetisch gekoppelt. Der Schlitz 20Aa ist mit der Mikrostreifenleitung elektromagnetisch gekoppelt. Ein Hochfrequenzsignal, das durch den Schlitz 20Aa hindurchtritt, wird durch elektromagnetische Kopplung zur Mikrostreifenleitung übertragen. Im Hochfrequenzmodul 10A sind der erste leitende Draht 41 und der Streifenleiter 23 rein elektrisch voneinander getrennt. Das heißt, im Hochfrequenzmodul 10 dient der Schlitz 20Aa als Vermittler für die Übertragung zwischen zwei Hochfrequenzschaltungen, weshalb die Induktivitätskomponente des ersten leitenden Drahts 41 von der Impedanz der Mikrostreifenleitung getrennt ist.
  • (Dritte Ausführungsform)
  • Ein Hochfrequenzmodul 10B gemäß einer dritten Ausführungsform, wie in 6 und 7 gezeigt, unterscheidet sich vom Hochfrequenzmodul 10 insofern, als eine Schlitzstruktur 20B vorgesehen ist. Es ist zu beachten, dass die folgende Beschreibung über diese Ausführungsform nur die Punkte des Unterschiedes vom Hochfrequenzmodul 10 der ersten Ausführungsform behandelt und folglich solche Bestandteile, die dem Hochfrequenzmodul 10B und dem Hochfrequenzmodul 10 gemeinsam sind, nicht erläutert werden.
  • In dieser Ausführungsform, wie in 6 und 7 gezeigt, wird ein Wellenleiter 24 als Schlitzstruktur 20B verwendet. In der Schlitzstruktur 20B ist ein Durchgangsloch 24a an der oberen Wellenleiterwand des Wellenleiters 24 ausgebildet. In dieser Ausführungsform fungiert das Durchgangsloch 24a des Wellenleiters 24 als Schlitz 20Ba. Ein Hochfrequenzsignal breitet sich durch den Schlitz 20Ba zum Wellenleiter 24 aus. In dieser Weise sind die Hochfrequenzschaltung und der Wellenleiter 24 über den Schlitz 20Ba elektromagnetisch miteinander gekoppelt. In dieser Ausführungsform ist die Impedanz des Schlitzes 20Aa an die Impedanz des zweiten Endes 41a des ersten leitenden Drahts 41 und der zweiten Enden 42a und 43a der zweiten leitenden Drähte 42 und 43 angepasst. Es ist zu beachten, dass im Hochfrequenzmodul 10B dieser Ausführungsform die obere Wellenleiterwand des Wellenleiters 24 als Leiter mit einer verbreiterten ebenen Oberfläche dient.
  • Obwohl der in dieser Ausführungsform dargestellte Wellenleiter 24 aus Wellenleiterwänden mit einem hohlen Inneren gebildet ist, kann er eine mit Dielektrikum gefüllte Struktur aufweisen. Das Durchgangsloch 24a des Wellenleiters 24 kann überdies in irgendeiner einer E-Ebene, einer H-Ebene und einer Endfläche davon ausgebildet sein. Die Kopplung wird ungeachtet dessen, welche Oberfläche das Durchgangsloch 24a trägt, möglich, solange die Orientierung des Schlitzes 20Ba korrekt ausgewählt ist.
  • Im Hochfrequenzmodul 10B dieser Ausführungsform ist die Hochfrequenzschaltung der Hochfrequenzkomponente 30 zur Übertragung eines Hochfrequenzsignals mit dem Schlitz 20Ba über den ersten leitenden Draht 41 und jeden der zweiten leitenden Drähte 42 und 43, die ein Paar bilden, elektromagnetisch gekoppelt. Ein Hochfrequenzsignal, das durch den Schlitz 20Ba hindurchtritt, breitet sich durch den Wellenleiter 24 aus. Folglich ist das Hochfrequenzmodul 10B zu einer effizienten Hochfrequenzsignalübertragung in der Lage.
  • (Vierte Ausführungsform)
  • Ein Hochfrequenzmodul 10C gemäß einer vierten Ausführungsform, wie in 8 und 9 gezeigt, unterscheidet sich von dem Hochfrequenzmodul 10 insofern, als eine zweite Schlitzstruktur 60 vorgesehen ist. Es ist zu beachten, dass die folgende Beschreibung über diese Ausführungsform nur die Punkte des Unterschiedes vom Hochfrequenzmodul 10 der ersten Ausführungsform behandelt und folglich solche Bestandteile, die dem Hochfrequenzmodul 10C und dem Hochfrequenzmodul 10 gemeinsam sind, nicht erläutert werden.
  • Die in 8 bis 12 gezeigte zweite Schlitzstruktur 60 umfasst einen laminierten Körper 61, einen Schlitzleiter 62, eine obere Leiterschicht 63, eine untere Leiterschicht 64, eine Zwischenleiterschicht 65, eine erste Durchgangsleitergruppe 66, eine zweite Durchgangsleitergruppe 67 und eine dritte Durchgangsleitergruppe 68. Unter ihnen fungieren die obere Leiterschicht 63, die untere Leiterschicht 64, die Zwischenleiterschicht 65, die erste Durchgangsleitergruppe 66 und die zweite Durchgangsleitergruppe 67 als mehrlagiger Wellenleiter 60a.
  • Der laminierte Körper 61 wird durch Laminieren von mehreren dielektrischen Schichten 611 aufeinander konstruiert. Der laminierte Körper 61 dieser Ausführungsform besteht aus fünf laminierten dielektrischen Schichten 611. Es ist zu beachten, dass die Darstellung des laminierten Körpers 61 in 12 weggelassen ist.
  • Der Schlitzleiter 62 ist auf der oberen Oberfläche des laminierten Körpers 61 ausgebildet. Der Schlitzleiter 62 weist ein Durchgangsloch 62a auf. Das Durchgangsloch 62a fungiert als Schlitz 60b, der mit dem leitenden Draht 40 elektromagnetisch gekoppelt ist. Der Schlitz 60b entspricht dem Schlitz 20a.
  • Die obere Leiterschicht 63 dient als obere Wellenleiterwand des mehrlagigen Wellenleiters 60a. In dieser Ausführungsform ist die obere Leiterschicht 63 auf einer dielektrischen Schicht 611 ausgebildet, die die zweite Schicht von oben ist. Die obere Leiterschicht 63 erstreckt sich in der Ausbreitungsrichtung eines Hochfrequenzsignals, das sich durch den mehrlagigen Wellenleiter 60a ausbreitet. Die obere Leiterschicht 63 ist gegenüber dem Durchgangsloch 62a des Schlitzleiters 62 angeordnet. Die obere Leiterschicht 63 weist ein Durchgangsloch 63a auf, das in dem Bereich davon gegenüber dem Durchgangsloch 62a ausgebildet ist. Das Durchgangsloch 63a fungiert als Schlitz 60c des mehrlagigen Wellenleiters 60a. Das heißt, der Schlitz 60b und der Schlitz 60c sind einander gegenüberliegend angeordnet.
  • Die untere Leiterschicht 64 dient als untere Wellenleiterwand des mehrlagigen Wellenleiters 60a. Die untere Leiterschicht 64 ist unter der oberen Leiterschicht 63 angeordnet.
  • Die untere Leiterschicht 64 ist gegenüber der oberen Leiterschicht 63 angeordnet. In dieser Ausführungsform ist die untere Leiterschicht 64 auf der untersten dielektrischen Schicht 611 ausgebildet. Die untere Leiterschicht 64 erstreckt sich in der Ausbreitungsrichtung eines Hochfrequenzsignals, das sich durch den mehrlagigen Wellenleiter 60a ausbreitet.
  • Die Zwischenleiterschicht 65 dient als Teil der Seitenwand des mehrlagigen Wellenleiters 60a. Die Zwischenleiterschicht 65 ist zwischen den dielektrischen Schichten 611 angeordnet, die zwischen der oberen Leiterschicht 63 und der unteren Leiterschicht 64 liegen. In dieser Ausführungsform sind zwei Zwischenleiterschichten 65 ausgebildet. Es ist zu beachten, dass die Zwischenleiterschicht 65 weggelassen werden kann.
  • Die erste Durchgangsleitergruppe 66 dient als Seitenwand des mehrlagigen Wellenleiters 60a. Jeder individuelle Durchgangleiter, der die erste Durchgangsleitergruppe 66 bildet, ist innerhalb eines Durchgangslochs 611a ausgebildet, das in der dielektrischen Schicht 611 ausgebildet ist. Die erste Durchgangsleitergruppe 66 ist mit der oberen Leiterschicht 63 und der unteren Leiterschicht 64 elektrisch verbunden. Überdies ist die erste Durchgangsleitergruppe 66 dieser Ausführungsform mit der Zwischenleiterschicht 65 elektrisch verbunden. Die Durchgangsleiter, die die erste Durchgangsleitergruppe 66 bilden, sind in einem Abstand, der geringer ist als eine Hälfte der Wellenlänge eines auszubreitenden Hochfrequenzsignals, auf jeder der gegenüberliegenden Seiten entlang der Ausbreitungsrichtung des Hochfrequenzsignals angeordnet. Das ”auszubreitende Hochfrequenzsignal” bezieht sich auf ein Hochfrequenzsignal, das sich durch den laminierten Körper 61 ausbreitet, der in dem Bereich ausgebildet ist, der von der oberen Leiterschicht 63, der unteren Leiterschicht 64, der Zwischenleiterschicht 65 und der ersten Durchgangsleitergruppe 66 umgeben ist.
  • In der zweiten Schlitzstruktur 60 dieser Ausführungsform dienen die obere Leiterschicht 63, die untere Leiterschicht 64, die Zwischenleiterschicht 65 und die erste Durchgangsleitergruppe 66 als Wellenleiterwände des mehrlagigen Wellenleiters 60a. In der zweiten Schlitzstruktur 60 dient der Bereich, der von der oberen Leiterschicht 63, der unteren Leiterschicht 64 und der ersten Durchgangsleitergruppe 66 umgeben ist, als Wellenleiterbereich für das Hochfrequenzsignal. Überdies ist der mehrlagige Wellenleiter 60a gegenüber dem Durchgangsloch 62a des Schlitzleiters 62 angeordnet.
  • Die zweite Durchgangsleitergruppe 67 dient als Abschlussleiterwand zum Abschließen einer Seite des mehrlagigen Wellenleiters 60a. Jeder individuelle Durchgangsleiter, der die erste Durchgangsleitergruppe 66 bildet, ist innerhalb des Durchgangslochs 611a ausgebildet, das in der dielektrischen Schicht 611 ausgebildet ist. Die erste Durchgangsleitergruppe 66 ist mit der oberen Leiterschicht 63 und der unteren Leiterschicht 64 elektrisch verbunden. Überdies ist die erste Durchgangsleitergruppe 66 dieser Ausführungsform mit der Zwischenleiterschicht 65 elektrisch verbunden. Die Durchgangsleiter, die die zweite Durchgangsleitergruppe 67 bilden, sind in einem Abstand, der geringer ist als eine halbe Wellenlänge des auszubreitenden Hochfrequenzsignals, entlang einer zur Ausbreitungsrichtung des Hochfrequenzsignals senkrechten Richtung angeordnet.
  • Die dritte Durchgangsleitergruppe 68 hat die Funktion der Kopplung des Schlitzes 60b mit dem Schlitz 60c. Die Durchgangsleiter, die die dritte Durchgangsleitergruppe 68 bilden, sind um das Durchgangsloch 62a des Schlitzleiters 62 angeordnet. Die Durchgangsleiter, die die dritte Durchgangsleitergruppe 68 bilden, sind auch um das Durchgangsloch 63a der oberen Leiterschicht 63 angeordnet. Die dritte Durchgangsleitergruppe 68 schafft eine elektrische Verbindung zwischen dem Schlitzleiter 62 und der oberen Leiterschicht 64. Da der Schlitzleiter 62 und die obere Leiterschicht 64 elektrisch miteinander verbunden sind, folgt in dieser Weise, dass die zweite Schlitzstruktur 60 zur Ausbreitung des Hochfrequenzsignals zwischen dem Schlitzleiter 62 und der oberen Leiterschicht 64 in der Lage ist.
  • (Fünfte Ausführungsform)
  • Ein Hochfrequenzmodul 10D gemäß einer fünften Ausführungsform, wie in 13 und 14 gezeigt, unterscheidet sich vom Hochfrequenzmodul 10C insofern, als eine zweite Schlitzstruktur 60D vorgesehen ist. Es ist zu beachten, dass die folgende Beschreibung über diese Ausführungsform nur die Punkte des Unterschiedes vom Hochfrequenzmodul 10C der ersten Ausführungsform behandelt und folglich werden solche Bestandteile, die dem Hochfrequenzmodul 10D und dem Hochfrequenzmodul 10C gemeinsam sind, nicht erläutert.
  • Die in 13 bis 18 gezeigte zweite Schlitzstruktur 60D umfasst einen laminierten Körper 61, eine obere Leiterschicht 63D, eine untere Leiterschicht 64D, eine Zwischenleiterschicht 65D, eine erste Durchgangsleitergruppe 66, eine zweite Durchgangsleitergruppe 67 und eine dritte Durchgangsleitergruppe 68D. Unter ihnen fungieren die obere Leiterschicht 63D, die untere Leiterschicht 64D, die Zwischenleiterschicht 65D, die erste Durchgangsleitergruppe 66, die zweite Durchgangsleitergruppe 67 und die dritte Durchgangsleitergruppe 68D als mehrlagiger Wellenleiter 60Da. Es ist zu beachten, dass die Darstellung des laminierten Körpers 61 in 18 weggelassen ist.
  • Die obere Leiterschicht 63D dient als obere Wellenleiterwand des mehrlagigen Wellenleiters 60Da. Die obere Leiterschicht 63D dieser Ausführungsform umfasst eine erste obere Leiterschicht 631 und eine zweite obere Leiterschicht 632.
  • Die erste obere Leiterschicht 631 ist auf der oberen Oberfläche des laminierten Körpers 61 ausgebildet. Die erste obere Leiterschicht 631 ist so ausgebildet, dass sie sich in der Ausbreitungsrichtung eines Hochfrequenzsignals erstreckt, das sich durch den mehrlagigen Wellenleiter 60Da ausbreitet. Die erste obere Leiterschicht 631 weist ein Durchgangsloch 631a auf. Das Durchgangsloch 631a fungiert als Schlitz 60Db, der mit dem leitenden Draht 40 elektromagnetisch gekoppelt ist. Das Durchgangsloch 631a fungiert als Schlitz 60Db des mehrlagigen Wellenleiters 60Da. Der Schlitz 60Db entspricht dem Schlitz 20a.
  • Die zweite obere Leiterschicht 632 ist unter der ersten oberen Leiterschicht 631 angeordnet. Die zweite obere Leiterschicht 632 ist so angeordnet, dass ein Teil davon der ersten oberen Leiterschicht 631 gegenüberliegt. In dieser Ausführungsform ist die zweite obere Leiterschicht 632 auf einer dielektrischen Schicht 611 ausgebildet, die die zweite Schicht von oben ist. Die zweite obere Leiterschicht 632 erstreckt sich in der Ausbreitungsrichtung eines Hochfrequenzsignals, das sich durch den mehrlagigen Wellenleiter 60Da ausbreitet.
  • Die untere Leiterschicht 64D dient als untere Wellenleiterwand des mehrlagigen Wellenleiters 60Da. Die untere Leiterschicht 64D ist unter der oberen Leiterschicht 63D angeordnet. Die untere Leiterschicht 64D dieser Ausführungsform umfasst eine erste untere Leiterschicht 641 und eine zweite untere Leiterschicht 642.
  • Die erste untere Leiterschicht 641 ist gegenüber der ersten oberen Leiterschicht 631 angeordnet. Die erste untere Leiterschicht 641 ist so angeordnet, dass ein Teil davon der zweiten oberen Leiterschicht 632 gegenüberliegt. In dieser Ausführungsform ist die erste untere Leiterschicht 642 auf einer dielektrischen Schicht 611 ausgebildet, die die zweite Schicht von unten ist. Die erste untere Leiterschicht 641 erstreckt sich in der Ausbreitungsrichtung eines Hochfrequenzsignals, das sich durch den mehrlagigen Wellenleiter 60Da ausbreitet.
  • Die zweite untere Leiterschicht 642 ist unter der ersten unteren Leiterschicht 641 angeordnet. Die zweite untere Leiterschicht 642 ist so angeordnet, dass ein Teil davon der ersten unteren Leiterschicht 641 gegenüberliegt. Die zweite untere Leiterschicht 642 ist gegenüber der zweiten oberen Leiterschicht 632 angeordnet. In dieser Ausführungsform ist die zweite untere Leiterschicht 642 auf der untersten dielektrischen Schicht 611 ausgebildet. Die zweite untere Leiterschicht 642 erstreckt sich in der Ausbreitungsrichtung eines Hochfrequenzsignals, das sich durch den mehrlagigen Wellenleiter 60Da ausbreitet.
  • Die Zwischenleiterschicht 65D dient als Teil der Seitenwand des mehrlagigen Wellenleiters 60Da. Die Zwischenleiterschicht 65D ist zwischen den dielektrischen Schichten 611 ausgebildet, die zwischen der oberen Leiterschicht 63D und der unteren Leiterschicht 64D liegen. In dieser Ausführungsform sind zwei Zwischenleiterschichten 65D in jedem des Bereichs zwischen der ersten oberen Leiterschicht 631 und der ersten unteren Leiterschicht 641 und des Bereichs zwischen der zweiten oberen Leiterschicht 632 und der zweiten unteren Leiterschicht 642 ausgebildet. Ein Teil der Zwischenleiterschicht 65D dieser Ausführungsform ist einteilig mit der zweiten oberen Leiterschicht 632 oder der ersten unteren Leiterschicht 641 ausgebildet. Es ist zu beachten, dass die Zwischenleiterschicht 65D weggelassen werden kann.
  • In dem mehrlagigen Wellenleiter 60Da dieser Ausführungsform sind ein erster Wellenleiter 60Da 1 und ein zweiter Wellenleiter 60Da 2 miteinander verbunden. Der erste Wellenleiter 60Da 1 weist die erste obere Leiterschicht 631, die erste untere Leiterschicht 641, die Zwischenleiterschicht 65D und die erste Durchgangsleitergruppe 66 auf, die als Wellenleiterwände dienen. Im ersten Wellenleiter 60Da 1 dient der von diesen Wellenleiterwänden umgebene Bereich als Wellenleiterbereich für Hochfrequenzsignale. Der zweite Wellenleiter 60Da 2 weist die zweite obere Leiterschicht 632, die zweite untere Leiterschicht 642, die Zwischenleiterschicht 65D und die erste Durchgangsleitergruppe 66 auf, die als Wellenleiterwände dienen. Im zweiten Wellenleiter 60Da 2 dient der von diesen Wellenleiterwänden umgebene Bereich als Wellenleiterbereich für Hochfrequenzsignale.
  • Die dritte Durchgangsleitergruppe 68D schafft eine elektrische Verbindung zwischen der ersten oberen Leiterschicht 631 und der zweiten oberen Leiterschicht 632 sowie zwischen der ersten unteren Leiterschicht 641 und der zweiten unteren Leiterschicht 642. Die dritte Durchgangsleitergruppe 68D ist in jedem des Bereichs zwischen den gegenüberliegenden Gebieten der ersten oberen Leiterschicht 631 und der zweiten oberen Leiterschicht 632 und des Bereichs zwischen den gegenüberliegenden Gebieten der ersten unteren Leiterschicht 641 und der zweiten unteren Leiterschicht 642 ausgebildet. Überdies weist die dritte Durchgangsleitergruppe 68D die Funktion der Verbindung des ersten Wellenleiters 60Da 1 mit dem zweiten Wellenleiter 60Da 2 auf.
  • (Modifiziertes Beispiel)
  • Selbstverständlich ist die Anwendung der Erfindung nicht auf die bisher beschriebenen Ausführungsformen begrenzt und verschiedene Änderungen und Modifikationen können darin vorgenommen werden, ohne vom Kern der Erfindung abzuweichen. Obwohl die folgende Beschreibung grundsätzlich modifizierte Beispiele der ersten Ausführungsform behandelt, sind, wenn anwendbar, die zweite bis fünfte Ausführungsform für Modifikationen empfänglich. Überdies können modifizierte Beispiele in Kombination verwendet werden.
  • In dieser Ausführungsform ist das Hochfrequenzmodul mit einer Begrenzung in der Form dargestellt, aber in der Realität besteht keine spezielle Begrenzung für die Formen des Hochfrequenzmoduls. Die Formen des Hochfrequenzmoduls umfassen ein Modul des Typs, der eine Kommunikation und Übertragung unter Verwendung von Hochfrequenzsignalen bewirkt. Wie hierin verwendet, wird der Begriff ”Kommunikation” so aufgefasst, dass er mindestens eine der Funktionen, einschließlich Signalübertragung, Signalempfang und Übertragen und Empfangen von Signalen, umfasst. Hochfrequenzmodule zum Bewirken einer Kommunikation unter Verwendung von Hochfrequenzsignalen umfassen natürlich eine Antenne.
  • Obwohl in dieser Ausführungsform der erste leitende Draht 41 und die zweiten leitenden Drähte 42 und 43 dazu konfiguriert sind, einen Kontakt mit der Schlitzstruktur 20 herzustellen, ist die Konfiguration nicht so begrenzt. Der Schlitz 20a und der erste leitende Draht 41 können beispielsweise nahe beieinander ohne Kontakt für eine gegenseitige elektrische Verbindung angeordnet sein. Wenn das Vorderende des ersten leitenden Drahts 41 außer Kontakt mit der Schlitzstruktur 20 gehalten wird oder wenn das Vorderende des ersten leitenden Drahts 41 und die Schlitzstruktur 20 um einen gerade noch genügenden Abstand zur Erkennung eines fehlenden Kontakts beabstandet sind, dann kann zu diesem Zeitpunkt das Vorderende als offenes Ende betrachtet werden. Folglich ist es bevorzugt, dass die Länge des ersten leitenden Drahts 41 auf etwa (2n – 1)/4 der Signalwellenlänge eingestellt wird. Der durch ”n” dargestellte Wert nimmt eine natürliche Zahl an. Im Fall der Anordnung des anderen Endes 41a des ersten leitenden Drahts 41 mitten in der Luft aufgehängt, beispielsweise nach dem Verbinden des ersten Endes des ersten leitenden Drahts 41 mit dem Signalanschluss 31, wird überdies eine Einstellung des Zustandes des Orts für die Verbindung des zweiten Endes 41a des ersten leitenden Drahts 41 sowie die Einstellung hinsichtlich eines Drahtbonders durchgeführt. In dieser Weise kann das andere Ende 41a des ersten leitenden Drahts 41 in einem Zustand außer Kontakt gehalten werden. Zu diesem Zeitpunkt kann das andere Ende 41a des ersten leitenden Drahts 41 mitten in der Luft unter der Elastizität des ersten leitenden Drahts 41 aufgehängt werden. Durch Befestigen des ersten leitenden Drahts 41 und nahe gelegener Bereiche mit Harz kann der erste leitende Draht 41 überdies mit Stabilität in Form gehalten werden.
  • Obwohl in dieser Ausführungsform der erste leitenden Draht 41 in überspannender Weise über dem Schlitz 20a zur Verbindung mit einem Mittelabschnitt des Schlitzes 20 angeordnet ist, kann der erste leitende Draht 41 zur Verbindung mit einem anderen Teil des Schlitzes 20 als dem Mittelabschnitt angeordnet sein.
  • Obwohl in dieser Ausführungsform zwei zweite leitenden Drähte 42 und 43 vorgesehen sind, kann eine beliebige Anzahl der zweiten leitenden Drähte verwendet werden, wie z. B. einer oder drei oder mehr.
  • Obwohl in dieser Ausführungsform der leitende Draht 40 in Form von separaten Leiterkomponenten konfiguriert ist, ist die Konfiguration nicht so begrenzt. Eine flexible Verdrahtungsplatine 45, wie z. B. in 19 gezeigt, kann als leitender Draht 40 verwendet werden. Die flexible Verdrahtungsplatine 44 wird durch Ausbilden eines ersten leitenden Drahts 46 und zweiter leitenden Drähte 47 und 48 auf einem Basiskörper 45 mit Flexibilität konstruiert.
  • Obwohl in dieser Ausführungsform der leitende Draht 40 in Form von separaten Leiterkomponenten konfiguriert ist, ist die Konfiguration nicht so begrenzt. Eine Hochfrequenzkomponente 30F mit integralen leitenden Drähten, wie z. B. in 20 gezeigt, kann beispielsweise verwendet werden. In der Hochfrequenzkomponente 30F ist ein Signalleiter einteilig mit einem ersten leitenden Draht 33 ausgebildet und ein Referenzsignalanschluss ist einteilig mit den zweiten leitenden Drähten 34 und 35 ausgebildet.
  • Es ist bevorzugt, dass das zweite Ende 41a des ersten leitenden Drahts 41 dieser Ausführungsform sich entlang der z-Richtung erstreckt. Durch Konfigurieren des ersten leitenden Drahts 41 in einer solchen Weise, dass sich das zweite Ende 41a entlang der z-Richtung erstreckt, ist es möglich, eine allmähliche Änderung der Polarisationsrichtung einer elektromagnetischen Welle, die mit dem Schlitz 20a gekoppelt ist, im Bereich zwischen dem Signalanschluss 31 und dem Schlitz 20a, zu bewirken. Die Ausbildung des ersten leitenden Drahts 41 mit dem zweiten Ende 41a, das sich entlang der z-Richtung erstreckt, kann unter der Bedingung erreicht werden, dass beispielsweise ein Bonddraht als erster leitender Draht 41 verwendet wird und das erste Bonden des Bonddrahts auf der Seite des Schlitzes 20a durchgeführt wird.
  • Der erste leitende Draht 41 und die zweiten leitenden Drähte 42 und 43 dieser Ausführungsform können mit Harzmaterial oder dergleichen bedeckt werden. Im Fall des Bedeckens des leitenden Drahts 40 mit einem Harzmaterial können der erste leitende Draht 41 und die zweiten leitenden Drähte 42 und 43 entweder in einer einheitlichen Weise oder auf einer individuellen Basis bedeckt werden. Im Fall der Bedeckung des leitenden Drahts 40 mit einem Harzmaterial können überdies der leitende Draht 40 und der Schlitz 20a in einer einheitlichen Weise bedeckt werden. Im Hochfrequenzmodul 10 kann, selbst wenn eine Variation der Impedanz in Abhängigkeit von der Dielektrizitätskonstante des Harzmaterials besteht, eine Impedanzeinstellung durch Ändern der Länge des Schlitzes 20a in der zweiten Richtung erreicht werden.
  • Obwohl in dieser Ausführungsform die Hochfrequenzkomponente 30 mit der eingebauten Hochfrequenzschaltung beispielhaft an der Schlitzstruktur 20 angeordnet ist, kann die Hochfrequenzkomponente 30 an einer anderen Montageplatine angeordnet sein, anstatt dass sie an der Schlitzstruktur 20 angeordnet ist. In diesem Fall, wie in 21 und 22 gezeigt, kann eine Konstruktion, die eine Montageplatine 70 verwendet, beispielhaft zitiert werden. Die dargestellte Montageplatine 70 ist aus zwei Substraten konstruiert, die aus einem ersten Substrat 71 und einem zweiten Substrat 72 bestehen. Des zweite Substrat 72 kann weggelassen werden oder kann einteilig mit dem ersten Substrat ausgebildet sein.
  • In der zweiten Ausführungsform ist überdies die Leiterplatte 21 so angeordnet, dass sie sich über die ganze obere Oberfläche des dielektrischen Körpers 22 erstreckt. Wie in 23 gezeigt, kann jedoch in einem Fall, in dem der dielektrische Körper 22 größer ist als eine Leiterplatte 21I, die Hochfrequenzkomponente 30 auf einer Fläche angeordnet werden, wo die Leiterplatte 21 nicht angeordnet ist.
  • Der Leiter mit einer verbreiterten ebenen Oberfläche, der in dieser Ausführungsform als Leiterplatte 21 beschrieben wurde, kann aus einem leitfähigen Material bestehen. Der Leiter kann beispielsweise aus einer Metallplatte, einem elektrisch leitfähigen Harz oder einem filmartigen Leiter, der auf einem dielektrischen Körper ausgebildet ist, bestehen. Im Fall der Verwendung eines filmartigen Leiters, der auf einem dielektrischen Körper ausgebildet ist, als Leiter mit einer verbreiterten ebenen Oberfläche ist es möglich, die Länge des Schlitzes 20a in Abhängigkeit von der Dielektrizitätskonstante des dielektrischen Körpers zu verringern.
  • Neben den in dieser Ausführungsform gezeigten Formen ist es auch möglich, dass der Schlitz 20a mit einer anderen Hochfrequenzleitung gekoppelt wird. Überdies ist es beispielsweise nicht erforderlich, dass der Schlitz auf der Oberfläche ausgebildet sein sollte, mit der der erste leitende Draht 41 verbunden ist. Alternativ wird beispielsweise ein dielektrischer Körper auf der Leiterplatte 21 angeordnet und ein Durchgangsleiter wird in der dielektrischen Schicht zur Verbindung mit dem leitenden Draht 41 ausgebildet. In einem Fall, in dem der dielektrische Körper eine kleine Dicke aufweist, kann ferner, selbst wenn der leitende Draht 41 mit der Leiterplatte 21 außer Kontakt gehalten wird, eine elektromagnetische Kopplung mit dem Schlitz erreicht werden.
  • Obwohl in der zweiten Ausführungsform die Streifenleitung 24 gegenüber dem Schlitz 20Aa angeordnet ist, wobei der dielektrische Körper 22 zwischen ihnen liegt, ist die Konfiguration nicht so begrenzt. Wie in 24 und 25 gezeigt, kann beispielsweise eine Fleckelektrode 25 gegenüber einem Schlitz 20Ja angeordnet sein. Durch Anordnen der Fleckelektrode 25 gegenüber dem Schlitz 20Ja, wobei der dielektrische Körper 22 zwischen ihnen liegt, ist es möglich, eine Antenne zu konstruieren. Die Fleckelektrode 25 kann aus verschiedenen elektrisch leitfähigen Materialien ausgebildet sein.
  • Obwohl in der zweiten Ausführungsform die Hochfrequenzschaltung und die Mikrostreifenleitung über einen einzelnen Schlitz 20Aa miteinander verbunden sind, ist die Konfiguration nicht so begrenzt. Ein durch Verbinden von zwei Schlitzen über eine Durchgangsleitergruppe ausgebildeter Schlitz, wie der Schlitz 60b und der Schlitz 60c können beispielsweise anstelle des Schlitzes 20Aa verwendet werden. Wenn zwei Hochfrequenzschaltungen über mehrere Schlitze miteinander verbunden werden, kann ein Impedanzabgleich zwischen den Hochfrequenzschaltungen erreicht werden.
  • Beispiele
  • (Beispiel 1)
  • Die elektrischen Charakteristiken des Hochfrequenzmoduls 10 gemäß der ersten Ausführungsform, die in 1, 2 und 3 gezeigt ist, unter einer Bedingung, unter der der Schlitz als Antenne dient, wurden durch Berechnung durch eine Simulation auf der Basis einer Analyse des elektromagnetischen Feldes bestimmt. In Beispiel 1 wurde eine Software zur numerischen Analyse eines elektrischen Feldes, die HFSS heißt (hergestellt von Ansoft Corporation in USA), verwendet, um die Simulation durchzuführen. Es ist zu beachten, dass die Beispiele 2 und 3 und Vergleichsbeispiele 1 und 2 auch einer Simulation in einer ähnlichen Weise unterzogen wurden.
  • Die folgenden Zahlenwerte wurden als Bedingungen für die Berechnung übernommen. Die Dicke der Hochfrequenzkomponente 30 wurde auf 385 [μm] gesetzt. Der Abstand zwischen dem Signalanschluss 31 und jedem der Referenzpotentialanschlüsse 32 wurde auf 100 [μm] gesetzt. Der Abstand zwischen der Mitte des Signalanschlusses 31 und der Mitte des Schlitzes 20a wurde auf 2,05 [mm] gesetzt. Die Abmessung des Schlitzes 20a wurde auf 2,6 [mm] × 0,2 [mm] gesetzt. Die Querschnittsabmessung des ersten leitenden Drahts 41 sowie der zweiten leitenden Drähte 42 und 43 war 25 [μm] im Durchmesser. Die Höhe des ersten leitenden Drahts 41 sowie der zweiten leitenden Drähte 42 und 43 in der z-Richtung, gemessen vom Signalanschluss 31 oder Referenzpotentialanschluss 32, wurde auf 80 [μm] gesetzt. Der Abstand von einem Teil des ersten leitenden Drahts 41, der mit der Leiterplatte 21 verbunden ist, zur Mitte des Schlitzes 20a wurde auf 0,21 [mm] gesetzt. Die Positionen der Verbindung der zweiten leitenden Drähte 42 und 43 mit der Leiterplatte 21 relativ zur Mitte des Schlitzes 20a waren (43 [μm], –140 [μm]) und (–43 [μm], –140 [μm]), dargestellt in Verschiebungsvektorform (x, y). Die Dicke der Leiterplatte 21 wurde auf 100 [μm] gesetzt. Und die Impedanz des Eingangsports, der aus dem Signalanschluss 31 und dem Referenzpotentialanschluss 32 besteht, wurde auf 50 [Ω] gesetzt. Unter diesen Bedingungen wurden als elektrische Charakteristiken Reflexionscharakteristiken durch Berechnung bestimmt. Der Parameter s11 der so genannten S-Matrix (Streumatrix), die eine Betriebsübertragungsmatrix ist, wurde für die Reflexionscharakteristiken übernommen. Die S-Matrix wurde aus dem folgenden Grund übernommen. Das heißt, der Schlitz 20a ist ein ringförmiger Leiter und dient folglich nicht dem Zweck des Definierens einer Potentialdifferenz. Folglich wurde die Auswertung hinsichtlich des Impedanzabgleichs durch Untersuchen von Reflexionscharakteristiken, die als Ergebnis des Impedanzabgleichs erhalten wurden, durchgeführt.
  • 26 ist ein Graph, der das Ergebnis der unter den obigen Bedingungen durchgeführten Simulation angibt. In dem Graphen stellt die Abszissenachse Frequenzen dar und die Ordinatenachse stellt die Mengen an Reflexion dar. Gemäß dem in 26 gezeigten Graphen werden Reflexionscharakteristiken auf dem Pegel von –15 [dB] und darunter bei Frequenzen in der Nähe von 77 [GHz] beobachtet und ein Band von Frequenzen, die den Reflexionsmengen von –10 [dB] und darunter entsprechen, weist eine Breitbandcharakteristik auf, die sich über etwa 8 [GHz] erstreckt. Folglich ist zu sehen, dass der Impedanzabgleich über einen breiten Frequenzbereich erreicht werden kann.
  • (Beispiel 2)
  • Die elektrischen Charakteristiken des Hochfrequenzmoduls 10A gemäß der zweiten Ausführungsform, die in 4 und 5 gezeigt ist, wurden durch Berechnung durch eine Simulation auf der Basis einer Analyse des elektromagnetischen Feldes bestimmt.
  • Die folgenden Zählenwerte wurden als Bedingungen für die Berechnung übernommen. Die Dicke der Hochfrequenzkomponente 30 wurde auf 385 [μm] gesetzt. Der Abstand zwischen dem Signalanschluss 31 und jedem der Referenzpotentialanschlüsse 32 wurde auf 100 [μm] gesetzt. Der Abstand zwischen der Mitte des Signalanschlusses 31 und der Mitte des Schlitzes 20Aa wurde auf 1,62 [mm] gesetzt. Die Abmessung des Schlitzes 20Aa wurde auf 1 [mm] × 0,16 [mm] gesetzt. Die Querschnitts-abmessung des ersten leitenden Drahts 41 sowie der zweiten leitenden Drähte 42 und 43 war 25 [μm] im Durchmesser. Die Höhe des ersten leitenden Drahts 41 sowie der zweiten leitenden Drähte 42 und 43 in der z-Richtung, gemessen vom Signalanschluss 31 oder Referenzpotentialanschluss 32, wurde auf 80 [μm] gesetzt. Der Abstand von einem Teil des ersten leitenden Drahts 41, der mit der Leiterplatte 21 verbunden ist, zur Mitte des Schlitzes 20a wurde auf 0,58 [mm] gesetzt. Die Positionen der Verbindung der zweiten leitenden Drähte 42 und 43 mit der Leiterplatte 21 relativ zur Mitte des Schlitzes 20a waren (55 [μm], –120 [μm]) und (–55 [μm], –120 [μm]), dargestellt in Verschiebungsvektorform (x, y). Die Dicke der Leiterplatte 21 wurde auf 18 [μm] gesetzt. Die spezifische Dielektrizitätskonstante des dielektrischen Körpers 22, der die Mikrostreifenleitung bildet, wurde auf 9,87 gesetzt. Die Dicke des dielektrischen Körpers 22 wurde auf 150 [μm] gesetzt. Die Breite des Streifenleiters 23 wurde auf 120 [μm] gesetzt. Die Länge von der Mitte des Schlitzes 20a zur Blindleitung des Streifenleiters 23 wurde auf 375 [μm] gesetzt. Und die Impedanz des Eingangsports, der aus dem Signalanschluss 31 und dem Referenzpotentialanschluss 32 besteht, wurde auf 50 [Ω] gesetzt. Unter Wirkung der Endfläche der Mikrostreifenleitung, die auf eine Impedanz von 50 [Ω] gesetzt war, als Port wurden Übertragungscharakteristiken und Reflexionscharakteristiken durch Berechnung bestimmt. Der Parameter s21 der S-Matrix wurde für die Übertragungscharakteristiken übernommen und die Parameter s11 und s22 der S-Matrix wurden für die Reflexionscharakteristiken übernommen.
  • 27 ist ein Graph, der das Ergebnis der unter den obigen Bedingungen durchgeführten Simulation angibt. In dem Graphen stellt die Abszissenachse Frequenzen dar und die Ordinatenachse stellt die Mengen an Reflexion dar. Gemäß dem in 27 gezeigten Graphen werden Reflexionscharakteristiken auf dem Pegel von etwa –15 [dB] bei Frequenzen in der Nähe von 75 [GHz] beobachtet und ein Band von Frequenzen, die den Reflexionsmengen von –10 [dB] und darunter entsprechen, weist eine Breitbandcharakteristik auf, die sich über etwa 9 [GHz] erstreckt. Aus dem Ergebnis ist verständlich, dass die Werte der Übertragungscharakteristiken auch auf einem angemessenen Niveau liegen und folglich ein Impedanzabgleich über einen breiten Frequenzbereich erreicht werden kann.
  • (Beispiel 3)
  • Die elektrischen Charakteristiken des Hochfrequenzmoduls 10B gemäß der dritten Ausführungsform, die in 6 und 7 gezeigt ist, wurden durch Berechnung durch eine Simulation auf der Basis einer Analyse des elektromagnetischen Feldes bestimmt.
  • Die folgenden Zahlenwerte wurden als Bedingungen für die Berechnung übernommen. Die Höhe der Hochfrequenzkomponente 30 in Bezug auf die Leiterplatte 21, gemessen von der oberen Oberfläche des Wellenleiters 24, wurde auf 385 [μm] gesetzt. Der Abstand zwischen dem Signalanschluss 31 und jedem der Referenzpotentialanschlüsse 32 wurde auf 100 [μm] gesetzt. Der Abstand zwischen der Mitte des Signalanschlusses 31 und der Mitte des Schlitzes 20Ba wurde auf 1,77 [mm] gesetzt. Die Abmessung des Schlitzes 20Ba wurde auf 1 [mm] × 0,16 [mm] gesetzt. Die Querschnittsabmessung des ersten leitenden Drahts 41 sowie der zweiten leitenden Drähte 42 und 43 wurde auf 25 [μm] im Durchmesser gesetzt. Die Höhe des ersten leitenden Drahts 41 sowie der zweiten leitenden Drähte 42 und 43 in der z-Richtung, gemessen vom Signalanschluss 31 oder Referenzpotentialanschluss 32, wurde auf 80 [μm] gesetzt. Der Abstand von einem Teil des ersten leitenden Drahts 41, der mit der Leiterplatte 21 verbunden ist, zur Mitte des Schlitzes 20Ba wurde auf 230 [μm] gesetzt. Die Positionen der Verbindung der zweiten leitenden Drähte 42 und 43 mit der Leiterplatte 21 relativ zur Mitte des Schlitzes 20Ba waren (50 [μm], –110 [μm]) und (–50 [μm], –100 [μm]), dargestellt in Verschiebungsvektorform (x, y). Die Dicke der Leiterplatte 21 wurde auf 10 [μm] gesetzt. Die Breite des Wellenleiters 24, der mit einem dielektrischen Körper gefüllt war, wurde auf 1,15 [mm] gesetzt. Die Dicke des Wellenleiters 24 wurde auf 0,45 [mm] gesetzt. Die spezifische Dielektrizitätskonstante des dielektrischen Körpers wurde auf 9,4 gesetzt. Der Abstand von der Mitte des Schlitzes 20a zum kurzgeschlossenen Ende des Wellenleiters 24 wurde auf 0,7 [mm] gesetzt. Und die Impedanz des Eingangsports 2, der aus dem Signalanschluss 31 und dem Referenzpotentialanschluss 32 besteht, wurde auf 50 [Ω] gesetzt. Unter Wirkung der Endfläche des Wellenleiters 24 als Port 1, wurden Übertragungscharakteristiken und Reflexionscharakteristiken durch Berechnung bestimmt. Der Parameter s21 der S-Matrix wurde für die Übertragungscharakteristiken übernommen und die Parameter s11 und s22 der S-Matrix wurden für die Reflexionscharakteristiken übernommen.
  • 28 ist ein Graph, der das Ergebnis der unter den obigen Bedingungen durchgeführten Simulation angibt. In dem Graphen stellt die Abszissenachse Frequenzen dar und die Ordinatenachse stellt die Mengen an Reflexion dar. Gemäß dem in 28 gezeigten Graphen werden Reflexionscharakteristiken auf dem Pegel von –20 [dB] und darunter bei Frequenzen in der Nähe von 77 [GHz] beobachtet und ein Band von Frequenzen, die den Reflexionsmengen von –10 [dB] und darunter entsprechen, weist eine Breitbandcharakteristik auf, die sich über etwa 10 [GHz] erstreckt. Aus dem Ergebnis ist verständlich, dass die Werte der Übertragungscharakteristiken auch auf einem angemessenen Niveau liegen und folglich ein Impedanzabgleich über einen breiten Frequenzbereich erreicht werden kann.
  • (Vergleichsbeispiel 1)
  • Als Vergleichsbeispiel 1 wurden die elektrischen Charakteristiken der in 6 und 7 gezeigten dritten Ausführungsform ohne die zweiten leitenden Drähte 42 und 43 durch Berechnung durch eine Simulation auf der Basis einer Analyse des elektromagnetischen Feldes bestimmt.
  • Die für das Vergleichsbeispiel 1 festgelegten Berechnungsbedingungen sind dieselben wie die für das Beispiel 3 festgelegten Bedingungen, abgesehen von der Abwesenheit der zweiten leitenden Drähte 43 und 44.
  • 29 ist ein Graph, der das Ergebnis der unter den obigen Bedingungen durchgeführten Simulation angibt. In dem Graphen stellt die Abszissenachse Frequenzen dar und die Ordinatenachse stellt die Mengen an Reflexion dar. Gemäß dem in 29 gezeigten Graphen liegen, obwohl Reflexionscharakteristiken auf dem Pegel von –10 [dB] und darunter bei Frequenzen in der Nähe von 79 [GHz] beobachtet werden, die Übertragungscharakteristiken auf dem Pegel von weniger als –4 [dB]. Dies deutet auf einen Streuverlust von elektromagnetischen Wellen bei Abwesenheit der zweiten leitenden Drähte 42 und 43 hin. Folglich hat das Simulationsergebnis die Wirksamkeit des Beispiels 3 mit den zweiten leitenden Drähten 42 und 43 bewiesen.
  • (Vergleichsbeispiel 2)
  • Als Vergleichsbeispiel 2 wurden die elektrischen Charakteristiken der in 6 und 7 gezeigten dritten Ausführungsform unter einer Bedingung, unter der die zweiten leitenden Drähte 42 und 43 in einer überspannenden Weise über dem Schlitz 20a angeordnet sind, durch Berechnung durch eine Simulation auf der Basis einer Analyse des elektromagnetischen Feldes bestimmt.
  • Die für das Vergleichsbeispiel 2 festgelegten Berechnungsbedingungen sind dieselben wie die für Beispiel 3 festgelegten Bedingungen, außer dass die zweiten leitenden Drähte 42 und 43 in überspannender Weise über dem Schlitz 20a angeordnet sind und zum ersten leitenden Draht 41 eine gleiche Länge aufweisen.
  • 30 ist ein Graph, der das Ergebnis einer unter den obigen Bedingungen durchgeführten Simulation angibt. In dem Graphen stellt die Abszissenachse Frequenzen dar und die Ordinatenachse stellt die Mengen an Reflexion dar. Gemäß dem in 30 gezeigten Graphen waren die Werte der Reflexionscharakteristiken, die durch S11 und S22 definiert sind, erhöht und es bestand eine Verschlechterung der Übertragungscharakteristiken. Dies deutet auf einen Ausfall der elektromagnetischen Kopplung aufgrund eines Zustandes, in dem ein elektrisches Feld zwischen dem ersten leitenden Draht 41 und dem zweiten leitenden Draht 42, 43 zur Richtung der Längsausdehnung des Schlitzes 20a parallel wird, hin. Folglich hat das Simulationsergebnis die Wirksamkeit der Konstruktion bewiesen, in der der zweite leitende Draht 42, 43 vor dem Schlitz 20a angeordnet ist und eine imaginäre Linie, die das andere Ende des zweiten leitenden Drahts 42, 43 mit dem anderen Ende des ersten leitenden Drahts 41 verbindet, den Schlitz 20a überkreuzt.
  • Bezugszeichenliste
    • 10
    Hochfrequenzmodul
    20
    Schlitzstruktur
    20a
    Schlitz
    21
    Leiterplatte
    21a
    Durchgangsloch
    22
    Dielektrischer Körper
    23
    Streifenleiter
    24
    Wellenleiter
    25
    Fleckelektrode
    30
    Hochfrequenzkomponente
    31
    Signalanschluss
    32
    Referenzpotentialanschluss
    33
    Signalleiterrahmen
    34
    Referenzpotentialleiterrahmen
    40
    leitender Draht
    41
    Erster leitender Draht
    41a
    Anderes Ende des ersten leitenden Drahts 41
    42, 43
    Zweiter leitender Draht
    42a, 43a
    Anderes Ende des zweiten leitenden Drahts
    45
    Basiskörper
    46
    Erster leitender Draht
    47, 48
    Zweiter leitender Draht
    50
    Schutzelement
    60
    Zweite Schlitzstruktur
    60a
    Schlitz
    61
    Laminierter Körper
    611
    Dielektrische Schicht
    62
    Schlitzleiter
    63
    Obere Leiterschicht
    63a
    Durchgangsloch
    631
    Erste obere Leiterschicht
    632
    Zweite obere Leiterschicht
    64
    Untere Leiterschicht
    641
    Erste untere Leiterschicht
    642
    Zweite untere Leiterschicht
    65
    Zwischenleiterschicht
    66
    Erste Durchgangsleitergruppe
    67
    Zweite Durchgangsleitergruppe
    68
    Dritte Durchgangsleitergruppe
    70
    Montageplatine
    71
    Erstes Substrat
    72
    Zweites Substrat

Claims (13)

  1. Hochfrequenzmodul, das umfasst: eine Hochfrequenzschaltung (30) mit einem Signalanschluss (31), der für die Verwendung für die Eingabe und/oder Ausgabe eines Hochfrequenzsignals gestaltet ist, und mindestens einem Referenzpotentialanschluss (32), der mit einem Referenzpotential verbunden ist; einen Leiter (21; 62) mit einem Schlitz (20a; 20Aa; 60b); einen ersten leitenden Draht (41), der mit dem Signalanschluss (31) verbunden ist, wobei der erste leitende Draht (41) den Schlitz (20a; 20Aa; 60b) kreuzt; und zumindest einen zweiten leitenden Draht (42, 43), der mit dem Referenzpotentialanschluss (32) verbunden ist und entlang des ersten leitenden Drahts (41) angeordnet ist, wobei der zweite leitende Draht (42, 43) den Schlitz (20a; 20Aa; 60b) nicht kreuzt, wobei der erste leitende Draht (41) und der zweite leitende Draht (42, 43) ein Paar bilden und mit dem Schlitz (20a; 20Aa; 60b) elektromagnetisch gekoppelt sind, dadurch gekennzeichnet, dass eine Länge des ersten leitenden Drahts (41) ein ganzzahliges Vielfaches einer Länge ist, die gleich der Hälfte der Signalwellenlänge ist.
  2. Hochfrequenzmodul nach Anspruch 1, wobei der erste leitende Draht (41) einen ersten Verbindungsabschnitt umfasst, der mit dem Leiter (21) elektrisch verbunden ist, und der mindestens eine zweite leitende Draht (42, 43) einen zweiten Verbindungabschnitt umfasst, der mit dem Leiter (21; 62) elektrisch verbunden ist.
  3. Hochfrequenzmodul nach Anspruch 1 oder 2, wobei in Draufsicht eine Linie, die den ersten Verbindungsabschnitt mit dem zweiten Verbindungsabschnitt verbindet, den Schlitz (20a; 20Aa; 60b) überkreuzt.
  4. Hochfrequenzmodul nach Anspruch 2 oder 3, wobei der zweite Verbindungsabschnitt in einem einwärtigen Bereich bezüglich eines Längsendes des Schlitzes (20a; 20Aa; 60b) im Leiter (21; 62) angeordnet ist.
  5. Hochfrequenzmodul nach einem der Ansprüche 2 bis 4, wobei eine Impedanz des Schlitzes (20a; 20Aa; 60b) an eine Impedanz des Paars des ersten Verbindungsabschnitts und des zweiten Verbindungsabschnitts angepasst ist.
  6. Hochfrequenzmodul nach einem der Ansprüche 1 bis 5, wobei der erste leitende Draht (41) und der zweite leitende Draht (42, 43) jeweils mit dem Leiter in Kontakt gehalten werden.
  7. Hochfrequenzmodul nach einem der Ansprüche 1 bis 6, wobei der erste leitende Draht (41) den Schlitz (20a; 20Aa; 60b) in einer Richtung des elektrischen Feldes im Schlitz (20a; 20Aa; 60b) überkreuzt.
  8. Hochfrequenzmodul nach einem der Ansprüche 1 bis 7, wobei der mindestens eine Referenzpotentialanschluss (32) neben dem Signalanschluss (31) ist, und wobei in Draufsicht der mindestens eine zweite leitende Draht (42, 43) sich entlang des ersten leitenden Drahts (41) erstreckt.
  9. Hochfrequenzmodul nach Anspruch 8, wobei der mindestens eine Referenzpotentialanschluss (32) zwei Referenzpotentialanschlüsse umfasst, die so angeordnet sind, dass der Signalanschluss (31) zwischen ihnen angeordnet ist, und der mindestens eine zweite leitende Draht (42, 43) zwei zweite leitenden Drähte umfasst, die jeweils mit den zwei Referenzpotentialanschlüssen verbunden sind.
  10. Hochfrequenzmodul nach Anspruch 9, wobei der Abstand zwischen den zwei zweiten leitenden Drähten (42, 43) mit zunehmender Nähe zum Schlitz (20a; 20Aa; 60b) abnimmt.
  11. Hochfrequenzmodul nach einem der Ansprüche 1 bis 10, das ferner umfasst: ein Schutzelement (50), gestaltet zum Überdecken zumindest des Signalanschlusses (31), des mindestens einen Referenzsignalanschlusses (32), des Schlitzes (20a; 20Aa; 60b), des ersten leitenden Drahts (41) und des mindestens einen zweiten leitenden Drahts (42, 43).
  12. Hochfrequenzmodul nach einem der Ansprüche 1 bis 11, wobei die Hochfrequenzschaltung (30) über den Schlitz (20Aa) mit einer Signalleitung (23), die zum Übertragen des Hochfrequenzsignals ausgefegt ist, verbunden ist.
  13. Hochfrequenzmodul nach einem der Ansprüche 1 bis 11, wobei die Hochfrequenzschaltung (30) mit einem Wellenleiter (60a) über den Schlitz (60b) elektromagnetisch gekoppelt ist.
DE112010000886.8T 2009-02-25 2010-02-25 Hochfrequenzmodul Expired - Fee Related DE112010000886B4 (de)

Applications Claiming Priority (5)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2009-042002 2009-02-25
JP2009042002 2009-02-25
JP2009218509 2009-09-24
JP2009-218509 2009-09-24
PCT/JP2010/052984 WO2010098393A1 (ja) 2009-02-25 2010-02-25 高周波モジュール

Publications (2)

Publication Number Publication Date
DE112010000886T5 DE112010000886T5 (de) 2012-05-10
DE112010000886B4 true DE112010000886B4 (de) 2017-06-01

Family

ID=42665597

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE112010000886.8T Expired - Fee Related DE112010000886B4 (de) 2009-02-25 2010-02-25 Hochfrequenzmodul

Country Status (5)

Country Link
US (1) US8854152B2 (de)
JP (1) JP5047362B2 (de)
CN (1) CN102308435B (de)
DE (1) DE112010000886B4 (de)
WO (1) WO2010098393A1 (de)

Families Citing this family (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5241591B2 (ja) * 2009-04-24 2013-07-17 京セラ株式会社 高周波回路と高周波線路との接続構造
JP5451339B2 (ja) * 2009-11-27 2014-03-26 京セラ株式会社 高周波回路と方形導波管型高周波線路との接続構造
JPWO2012046548A1 (ja) * 2010-10-08 2014-02-24 日本電気株式会社 サーフェイス通信装置
JP6104672B2 (ja) 2013-03-29 2017-03-29 モレックス エルエルシー 高周波伝送装置
WO2014196143A1 (ja) * 2013-06-04 2014-12-11 パナソニックＩｐマネジメント株式会社 無線モジュール
CN108063362A (zh) 2015-03-30 2018-05-22 青岛海信宽带多媒体技术有限公司 一种激光器
CN104836619B (zh) * 2015-03-30 2017-08-29 青岛海信宽带多媒体技术有限公司 一种光器件
JP2019047141A (ja) * 2016-03-29 2019-03-22 日本電産エレシス株式会社 マイクロ波ｉｃ導波路装置モジュール、レーダ装置およびレーダシステム
US20200106194A1 (en) * 2017-05-30 2020-04-02 Hitachi Metals, Ltd. Planar array antenna and wireless communication module
US11183751B2 (en) * 2017-09-20 2021-11-23 Aptiv Technologies Limited Antenna device with direct differential input useable on an automated vehicle
JP6907916B2 (ja) * 2017-12-14 2021-07-21 日本電信電話株式会社 高周波回路
WO2021193805A1 (ja) * 2020-03-27 2021-09-30 Ａｇｃ株式会社 フレキシブル基板付き導波管
US20230135728A1 (en) * 2020-05-14 2023-05-04 Sumitomo Electric Industries, Ltd. High-frequency circuit module

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE19903183A1 (de) * 1999-01-27 2000-08-10 Mikrowellen Technologie Und Se Hochfrequenz-Abstandsmeßeinrichtung
JP2001148457A (ja) 1999-11-22 2001-05-29 Matsushita Electronics Industry Corp 高周波用半導体装置
DE10350346A1 (de) * 2002-10-29 2004-10-07 Kyocera Corp. Hochfrequenzleitungs-Wellenleiter-Konverter und Hochfrequenzpaket
WO2006022836A1 (en) * 2004-08-06 2006-03-02 International Business Machines Corporation Apparatus and methods for constructing antennas using wire bonds as radiating elements
JP2007095838A (ja) 2005-09-27 2007-04-12 Tdk Corp 高周波モジュール

Family Cites Families (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6057600A (en) * 1997-11-27 2000-05-02 Kyocera Corporation Structure for mounting a high-frequency package
US6356173B1 (en) * 1998-05-29 2002-03-12 Kyocera Corporation High-frequency module coupled via aperture in a ground plane
JP3556474B2 (ja) 1998-06-30 2004-08-18 京セラ株式会社 高周波素子搭載基板の実装構造および高周波用モジュール構造
JP3448216B2 (ja) * 1998-07-02 2003-09-22 三菱電機株式会社 マイクロ波ｆｅｔ増幅器
US6483406B1 (en) * 1998-07-31 2002-11-19 Kyocera Corporation High-frequency module using slot coupling
JP4038285B2 (ja) * 1998-10-23 2008-01-23 株式会社東芝 高周波集積回路用パッケージ
JP3046287B1 (ja) 1998-12-18 2000-05-29 京セラ株式会社 接続端子構造
US6127901A (en) 1999-05-27 2000-10-03 Hrl Laboratories, Llc Method and apparatus for coupling a microstrip transmission line to a waveguide transmission line for microwave or millimeter-wave frequency range transmission
US7050765B2 (en) 2003-01-08 2006-05-23 Xytrans, Inc. Highly integrated microwave outdoor unit (ODU)

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE19903183A1 (de) * 1999-01-27 2000-08-10 Mikrowellen Technologie Und Se Hochfrequenz-Abstandsmeßeinrichtung
JP2001148457A (ja) 1999-11-22 2001-05-29 Matsushita Electronics Industry Corp 高周波用半導体装置
DE10350346A1 (de) * 2002-10-29 2004-10-07 Kyocera Corp. Hochfrequenzleitungs-Wellenleiter-Konverter und Hochfrequenzpaket
WO2006022836A1 (en) * 2004-08-06 2006-03-02 International Business Machines Corporation Apparatus and methods for constructing antennas using wire bonds as radiating elements
JP2007095838A (ja) 2005-09-27 2007-04-12 Tdk Corp 高周波モジュール

Also Published As

Publication number Publication date
US20110298568A1 (en) 2011-12-08
JPWO2010098393A1 (ja) 2012-09-06
US8854152B2 (en) 2014-10-07
DE112010000886T5 (de) 2012-05-10
WO2010098393A1 (ja) 2010-09-02
JP5047362B2 (ja) 2012-10-10
CN102308435A (zh) 2012-01-04
CN102308435B (zh) 2014-07-30

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE112010000886B4 (de) Hochfrequenzmodul
DE10350346B4 (de) Hochfrequenzleitungs-Wellenleiter-Konverter und Hochfrequenzpaket
DE69726523T2 (de) Antenne
DE69821884T2 (de) Multifrequenzstreifenleitungsantenne und Gerät mit einer derartigen Antenne
DE112016004868B4 (de) Millimeterwellenantenne und diese verwendender Millimeterwellensensor
DE69823591T2 (de) Geschichtete Aperturantenne und mehrschichtige Leiterplatte damit
DE60009962T2 (de) Hohlleiter-streifenleiter-übergang
DE60219896T2 (de) Wellenleiter-schlitzantenne und herstellungsverfahren dafür
DE10239796B4 (de) Hochfrequenz-Leitungswandler, -Komponente, -Modul und Kommunikationsvorrichtung
DE60133344T2 (de) Kurzgeschlossene Streifenleiterantenne und Zweiband-Übertragungsanordnung damit
DE69826223T2 (de) In Mikrostreifenleitungstechnik ausgeführte Antenne und diese enthaltende Vorrichtung
DE69827471T2 (de) Annähernd flaches, aperturgekoppeltes antennenelement
DE69936903T2 (de) Antenne für zwei Frequenzen für die Radiokommunikation in Form einer Mikrostreifenleiterantenne
WO2008155340A1 (de) Impedanzkontrolliertes koplanares wellenleitersystem zur dreidimensionalen verteilung von signalen hoher bandbreite
DE60217022T2 (de) Dielektrische Vorrichtung
DE112012000285T5 (de) Laminierte Antennenstrukturen für Package-Anwendungen
EP0766099A2 (de) Dopplerradarmodul
DE602004010047T2 (de) Flache Breitbandantenne
DE10051661A1 (de) Antenne als integrierte HF-Schaltung
DE69932899T2 (de) Übertragungsleitung und Übertragungsleitungsresonator
DE102009011869A1 (de) Hochfrequenzvorrichtung mit rechteckigem Hohlleiter
DE60128843T2 (de) Mikrostreifenleiter und damit versehene Mikrowellenvorrichtung
DE102014219579A1 (de) Richtkoppler
EP3244483B1 (de) Schirmgehäuse für hf-anwendungen
DE60035553T2 (de) Hochfrequenzschaltungsplatte und seine Verbindungsstruktur

Legal Events

Date Code Title Description
R012 Request for examination validly filed
R016 Response to examination communication
R016 Response to examination communication
R082 Change of representative

Representative=s name: VIERING, JENTSCHURA & PARTNER PATENT- UND RECH, DE

Representative=s name: VIERING, JENTSCHURA & PARTNER MBB PATENT- UND , DE

R082 Change of representative

Representative=s name: VIERING, JENTSCHURA & PARTNER PATENT- UND RECH, DE

Representative=s name: VIERING, JENTSCHURA & PARTNER MBB PATENT- UND , DE

R082 Change of representative

Representative=s name: VIERING, JENTSCHURA & PARTNER PATENT- UND RECH, DE

Representative=s name: VIERING, JENTSCHURA & PARTNER MBB PATENT- UND , DE

R016 Response to examination communication
R018 Grant decision by examination section/examining division
R020 Patent grant now final
R119 Application deemed withdrawn, or ip right lapsed, due to non-payment of renewal fee