DE102019105487A1 - Mikrowellenantennenvorrichtung und Mikrowellenantennenbaugruppe - Google Patents

Mikrowellenantennenvorrichtung und Mikrowellenantennenbaugruppe Download PDF

Info

Publication number
DE102019105487A1
DE102019105487A1 DE102019105487.7A DE102019105487A DE102019105487A1 DE 102019105487 A1 DE102019105487 A1 DE 102019105487A1 DE 102019105487 A DE102019105487 A DE 102019105487A DE 102019105487 A1 DE102019105487 A1 DE 102019105487A1
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
antenna
module
layer
microwave
semiconductor
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
DE102019105487.7A
Other languages
English (en)
Inventor
Wasif Tanveer Khan
Mudassar Nauman
Arndt Thomas Ott
Ramona Hotopan
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Sony Corp
Original Assignee
Sony Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Sony Corp filed Critical Sony Corp
Publication of DE102019105487A1 publication Critical patent/DE102019105487A1/de
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/28—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection
    • H01L23/31—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the arrangement or shape
    • H01L23/3107—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the arrangement or shape the device being completely enclosed
    • H01L23/3121—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the arrangement or shape the device being completely enclosed a substrate forming part of the encapsulation
    • H01L23/3128—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the arrangement or shape the device being completely enclosed a substrate forming part of the encapsulation the substrate having spherical bumps for external connection
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/48—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
    • H01L23/488—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of soldered or bonded constructions
    • H01L23/498—Leads, i.e. metallisations or lead-frames on insulating substrates, e.g. chip carriers
    • H01L23/49827—Via connections through the substrates, e.g. pins going through the substrate, coaxial cables
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/48—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
    • H01L23/488—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of soldered or bonded constructions
    • H01L23/498—Leads, i.e. metallisations or lead-frames on insulating substrates, e.g. chip carriers
    • H01L23/49838—Geometry or layout
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/58—Structural electrical arrangements for semiconductor devices not otherwise provided for, e.g. in combination with batteries
    • H01L23/64—Impedance arrangements
    • H01L23/66—High-frequency adaptations
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/18—High density interconnect [HDI] connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/23—Structure, shape, material or disposition of the high density interconnect connectors after the connecting process
    • H01L24/24—Structure, shape, material or disposition of the high density interconnect connectors after the connecting process of an individual high density interconnect connector
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/18—High density interconnect [HDI] connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/23—Structure, shape, material or disposition of the high density interconnect connectors after the connecting process
    • H01L24/25—Structure, shape, material or disposition of the high density interconnect connectors after the connecting process of a plurality of high density interconnect connectors
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01Q—ANTENNAS, i.e. RADIO AERIALS
    • H01Q1/00—Details of, or arrangements associated with, antennas
    • H01Q1/12—Supports; Mounting means
    • H01Q1/22—Supports; Mounting means by structural association with other equipment or articles
    • H01Q1/2283—Supports; Mounting means by structural association with other equipment or articles mounted in or on the surface of a semiconductor substrate as a chip-type antenna or integrated with other components into an IC package
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01Q—ANTENNAS, i.e. RADIO AERIALS
    • H01Q1/00—Details of, or arrangements associated with, antennas
    • H01Q1/48—Earthing means; Earth screens; Counterpoises
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01Q—ANTENNAS, i.e. RADIO AERIALS
    • H01Q21/00—Antenna arrays or systems
    • H01Q21/0087—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing antenna arrays
    • H01Q21/0093—Monolithic arrays
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K1/00—Printed circuits
    • H05K1/02—Details
    • H05K1/0213—Electrical arrangements not otherwise provided for
    • H05K1/0237—High frequency adaptations
    • H05K1/0243—Printed circuits associated with mounted high frequency components
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2223/00—Details relating to semiconductor or other solid state devices covered by the group H01L23/00
    • H01L2223/58—Structural electrical arrangements for semiconductor devices not otherwise provided for
    • H01L2223/64—Impedance arrangements
    • H01L2223/66—High-frequency adaptations
    • H01L2223/6605—High-frequency electrical connections
    • H01L2223/6616—Vertical connections, e.g. vias
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2223/00—Details relating to semiconductor or other solid state devices covered by the group H01L23/00
    • H01L2223/58—Structural electrical arrangements for semiconductor devices not otherwise provided for
    • H01L2223/64—Impedance arrangements
    • H01L2223/66—High-frequency adaptations
    • H01L2223/6605—High-frequency electrical connections
    • H01L2223/6627—Waveguides, e.g. microstrip line, strip line, coplanar line
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2223/00—Details relating to semiconductor or other solid state devices covered by the group H01L23/00
    • H01L2223/58—Structural electrical arrangements for semiconductor devices not otherwise provided for
    • H01L2223/64—Impedance arrangements
    • H01L2223/66—High-frequency adaptations
    • H01L2223/6661—High-frequency adaptations for passive devices
    • H01L2223/6677—High-frequency adaptations for passive devices for antenna, e.g. antenna included within housing of semiconductor device
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2223/00—Details relating to semiconductor or other solid state devices covered by the group H01L23/00
    • H01L2223/58—Structural electrical arrangements for semiconductor devices not otherwise provided for
    • H01L2223/64—Impedance arrangements
    • H01L2223/66—High-frequency adaptations
    • H01L2223/6683—High-frequency adaptations for monolithic microwave integrated circuit [MMIC]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/02—Bonding areas; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/04—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process
    • H01L2224/04105—Bonding areas formed on an encapsulation of the semiconductor or solid-state body, e.g. bonding areas on chip-scale packages
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/12—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/12105—Bump connectors formed on an encapsulation of the semiconductor or solid-state body, e.g. bumps on chip-scale packages
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/15—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process
    • H01L2224/16—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process of an individual bump connector
    • H01L2224/161—Disposition
    • H01L2224/16151—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/16221—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/16225—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
    • H01L2224/16227—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation the bump connector connecting to a bond pad of the item
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/18—High density interconnect [HDI] connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/23—Structure, shape, material or disposition of the high density interconnect connectors after the connecting process
    • H01L2224/24—Structure, shape, material or disposition of the high density interconnect connectors after the connecting process of an individual high density interconnect connector
    • H01L2224/241—Disposition
    • H01L2224/24151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/24153—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being arranged next to each other, e.g. on a common substrate
    • H01L2224/24195—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being arranged next to each other, e.g. on a common substrate the item being a discrete passive component
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/18—High density interconnect [HDI] connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/23—Structure, shape, material or disposition of the high density interconnect connectors after the connecting process
    • H01L2224/24—Structure, shape, material or disposition of the high density interconnect connectors after the connecting process of an individual high density interconnect connector
    • H01L2224/241—Disposition
    • H01L2224/24151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/24221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/24225—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/18—High density interconnect [HDI] connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/23—Structure, shape, material or disposition of the high density interconnect connectors after the connecting process
    • H01L2224/24—Structure, shape, material or disposition of the high density interconnect connectors after the connecting process of an individual high density interconnect connector
    • H01L2224/241—Disposition
    • H01L2224/24151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/24221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/24265—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being a discrete passive component
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/18—High density interconnect [HDI] connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/23—Structure, shape, material or disposition of the high density interconnect connectors after the connecting process
    • H01L2224/25—Structure, shape, material or disposition of the high density interconnect connectors after the connecting process of a plurality of high density interconnect connectors
    • H01L2224/251—Disposition
    • H01L2224/2518—Disposition being disposed on at least two different sides of the body, e.g. dual array
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/48—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
    • H01L23/488—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of soldered or bonded constructions
    • H01L23/498—Leads, i.e. metallisations or lead-frames on insulating substrates, e.g. chip carriers
    • H01L23/49811—Additional leads joined to the metallisation on the insulating substrate, e.g. pins, bumps, wires, flat leads
    • H01L23/49816—Spherical bumps on the substrate for external connection, e.g. ball grid arrays [BGA]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/48—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
    • H01L23/488—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of soldered or bonded constructions
    • H01L23/498—Leads, i.e. metallisations or lead-frames on insulating substrates, e.g. chip carriers
    • H01L23/49822—Multilayer substrates
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/48—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
    • H01L23/488—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of soldered or bonded constructions
    • H01L23/498—Leads, i.e. metallisations or lead-frames on insulating substrates, e.g. chip carriers
    • H01L23/49833—Leads, i.e. metallisations or lead-frames on insulating substrates, e.g. chip carriers the chip support structure consisting of a plurality of insulating substrates
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/11—Device type
    • H01L2924/14—Integrated circuits
    • H01L2924/141—Analog devices
    • H01L2924/1423—Monolithic Microwave Integrated Circuit [MMIC]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/19—Details of hybrid assemblies other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/1901—Structure
    • H01L2924/1903—Structure including wave guides
    • H01L2924/19032—Structure including wave guides being a microstrip line type
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K1/00—Printed circuits
    • H05K1/18—Printed circuits structurally associated with non-printed electric components
    • H05K1/181—Printed circuits structurally associated with non-printed electric components associated with surface mounted components
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K2201/00—Indexing scheme relating to printed circuits covered by H05K1/00
    • H05K2201/10—Details of components or other objects attached to or integrated in a printed circuit board
    • H05K2201/10007—Types of components
    • H05K2201/10098—Components for radio transmission, e.g. radio frequency identification [RFID] tag, printed or non-printed antennas
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K2201/00—Indexing scheme relating to printed circuits covered by H05K1/00
    • H05K2201/10—Details of components or other objects attached to or integrated in a printed circuit board
    • H05K2201/10227—Other objects, e.g. metallic pieces
    • H05K2201/10378—Interposers
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K2201/00—Indexing scheme relating to printed circuits covered by H05K1/00
    • H05K2201/10—Details of components or other objects attached to or integrated in a printed circuit board
    • H05K2201/10613—Details of electrical connections of non-printed components, e.g. special leads
    • H05K2201/10621—Components characterised by their electrical contacts
    • H05K2201/10734—Ball grid array [BGA]; Bump grid array
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/30—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor
    • H05K3/32—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor electrically connecting electric components or wires to printed circuits
    • H05K3/34—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor electrically connecting electric components or wires to printed circuits by soldering
    • H05K3/341—Surface mounted components
    • H05K3/3431—Leadless components
    • H05K3/3436—Leadless components having an array of bottom contacts, e.g. pad grid array or ball grid array components

Abstract

Eine Mikrowellenantennenvorrichtung weist ein Halbleiterbaugruppenmodul, das eine Formschicht, ein Halbleiterelement, ein Kopplungselement und eine Umverdrahtungsschicht aufweist, und ein Antennenmodul, das auf dem Halbleiterbaugruppenmodul montiert ist, auf, wobei das Antennenmodul ein Antennensubstrat, ein oder mehrere Antennenelemente, eine Antennenspeiseschicht und eine Antennenmasseschicht aufweist. Die Installationsfläche des Antennenmoduls ist größer als die Installationsfläche des Halbleiterbaugruppenmoduls.

Description

  • HINTERGRUND
  • GEBIET DER OFFENBARUNG
  • Die vorliegende Offenbarung bezieht sich auf eine Mikrowellenantennenvorrichtung und auf eine Mikrowellenantennenbaugruppe.
  • BESCHREIBUNG DES VERWANDTEN GEBIETS
  • Die Ausgangsauffächerungsbaugruppen-Technologie auf der Waferebene wie etwa das eingebettete Ball-Grid-Array auf der Waferebene (eWLB) für Mikrowellen- und mm-Wellen-Radarsysteme und Mikrowellen- und mm-Wellen-Kommunikationssysteme ist in den letzten Jahren gereift. Diese Konfektionierungstechnologie ist die erste Wahl für die preiswerte Systemintegration von MMICs, passiven Einrichtungen und Antennen in einer einzigen Baugruppe vom Kunststofftyp. Es sind viele verschiedene Typen von Planarantennenstrukturen in Ausgangsauffächerungsbaugruppen auf der Waferebene veröffentlicht worden, z. B. M. Wojnowski u. a., „Embedded Wafer Level Ball Grid Array (eWLB) Technology for Millimeter-Wave Applications", Proc. IEEE 13th Electronics Packaging Technology Conference (EPTC2011), Singapur, S. 423-429, Dez. 2011. Sie alle haben gemeinsam, dass die Antennenelemente auf eine oder mehrere Umverdrahtungsschichten (RDLs) gedruckt sind. Der Nachteil der oben erwähnten Lösungen sind ihre schmale Betriebsbandbreite (1-5 %), verzerrte Strahlungsmuster wegen der dicken Formmasse in der Strahlungsrichtung und der hohe Betrag an parasitärer Strahlung in allen Richtungen. Ferner können diese Planarantennenstrukturen für die Radaranwendungen mit langer Reichweite und mittlerer Reichweite ohne zusätzliche Vorrichtungen nicht genügend Gewinn bereitstellen.
  • E. Seler u. a., „3D rectangular waveguide integrated in embedded Wafer Level Ball Grid Array (eWLB) package", Electronic Components and Technology Conference (ECTC) 2014, IEEE 64th, S. 956-962, 27.-30. Mai 2014, offenbart in dem Ausgangsauffächerungsbereich einer eWLB-Baugruppe einen rechteckigen 3D-Wellenleiter unter Verwendung von Mehrschichteinsätzen. Um die Wellenleiterseitenwände in der eWLB zu erhalten, ist in den Ausgangsauffächerungsbereich ein HF-Schichtstoff mit Mikrokontaktlöchern eingefügt. Um die obere und die untere Wand des Wellenleiters zu verwirklichen, sind die klassische Umverdrahtungsschicht (RDL) auf der einen Oberfläche und eine zusätzliche Rückseitenmetallisierung auf der anderen Oberfläche der Baugruppe verwendet. In dieser Abhandlung sind zwei verschiedene Übergangsentwürfe von der Umverdrahtungsschicht zu den Übertragungsleitungen vom SIW-Typ auf der Baugruppenebene untersucht. Allerdings ist der Antennenentwurf nicht hervorgehoben. Diese Übertragungsleitungen vom SIW-Typ sind unter Verwendung von HF-Schichtstoffen verwirklicht, die kostspielig sind.
  • Die hier gegebene Beschreibung des „Hintergrunds“ dient der allgemeinen Darstellung des Kontexts der Offenbarung. Arbeit des genannten Erfinders bzw. der genannten Erfinder in dem Umfang, in der sie in diesem Hintergrundabschnitt beschrieben ist, sowie Aspekte der Beschreibung, die nicht auf andere Weise als Stand der Technik zum Zeitpunkt der Einreichung berechtigen, sind weder explizit noch implizit als Stand der Technik gegenüber der vorliegenden Offenbarung anerkannt.
  • ZUSAMMENFASSUNG
  • Es ist eine Aufgabe, eine Mikrowellenantennenvorrichtung und eine Mikrowellenantennenbaugruppe bereitzustellen, die vorhandene Beschränkungen hinsichtlich der Flächen, der Steuerung der Antennenstrahlbreite, des Gewinns und des Typs von Antennen, die die Strahlungsmuster der Antennen beeinflussen, überwinden.
  • Gemäß einem Aspekt wird eine Mikrowellenantennenvorrichtung bereitgestellt, die Folgendes aufweist:
    • - ein Halbleiterbaugruppenmodul, das eine Formschicht, ein Halbleiterelement, ein Kopplungselement und eine Umverdrahtungsschicht aufweist, und
    • - ein Antennenmodul, das auf dem Halbleiterbaugruppenmodul montiert ist, wobei das Antennenmodul ein Antennensubstrat, ein oder mehrere Antennenelemente, eine Antennenspeiseschicht und eine Antennenmasseschicht aufweist,

    wobei die Installationsfläche des Antennenmoduls größer als die Installationsfläche des Halbleiterbaugruppenmoduls ist.
  • Gemäß einem weiteren Aspekt wird eine Mikrowellenantennenbaugruppe bereitgestellt, die Folgendes aufweist:
    • - eine PCB-Anordnung, die eine PCB-Schicht aufweist, und
    • - eine Mikrowellenantennenvorrichtung, wie sie in Anspruch 1 definiert ist, die mit der PCB-Anordnung gekoppelt ist, die eine Ausgangsauffächerungsbaugruppe auf der Waferebene bildet.
  • In den abhängigen Ansprüchen sind Ausführungsformen definiert. Selbstverständlich weist die offenbarte Mikrowellenantennenbaugruppe ähnliche und/oder gleiche weitere Ausführungsformen wie die beanspruchte Mikrowellenantennenvorrichtung und wie sie in den abhängigen Ansprüchen definiert und/oder hier offenbart ist, auf.
  • Einer der Aspekte der Offenbarung ist die Bereitstellung einer neuen heterogenen Integration eines Antennenmoduls, z. B. unterschiedlicher Mehrschichtantennenstrukturen, die auf einem Halbleiterbaugruppenmodul, z. B. auf einer eWLB-Baugruppe, angeordnet werden können, wobei in das Halbleiterbaugruppenmodul ein oder mehrere Kopplungselemente (Kopplungsblöcke) eingebettet sind. Das Antennenmodul weist eine größere Größe (d. h. Installationsfläche) als das Halbleiterbaugruppenmodul auf. Die Antennen können mittels eines Kontaktlochs durch die Baugruppe oder eines Kopplungsblocks gespeist werden. Der Kopplungsblock kann unterschiedliche Übertragungsleitungen oder Kontaktlöcher aufweisen, um die Signale durch magnetische oder elektromagnetische Kopplung zu koppeln. Diese Module und Blöcke können als ein Trennungs-PCB- oder Trennungs-Keramiksubstrat-Herstellungsprozess getrennt hergestellt werden und daraufhin unter Verwendung eines Bestückungsprozesses mit dem Halbleiterbaugruppenmodul integriert werden.
  • Das offenbarte Baugruppe-auf-Baugruppe-Antennenkonzept (PoP-Antennenkonzept) öffnet die Gelegenheit für die unterschiedlichen Typen von Antennen, die in den bekannten Lösungen wegen der eWLB-Baugruppengrößenbeschränkungen, unerwünschter Ergebnisse, die durch Epoxid und Reflektor in der PCB verursacht sind, usw. nicht möglich waren.
  • Die vorstehenden Absätze sind als allgemeine Einführung gegeben worden und sollen den Schutzumfang der folgenden Ansprüche nicht beschränken. Die beschriebenen Ausführungsformen werden zusammen mit weiteren Vorteilen am besten mit Bezug auf die folgende ausführliche Beschreibung zusammen mit den beigefügten Zeichnungen verständlich.
  • Figurenliste
  • Eine umfassendere Würdigung der Offenbarung und vieler ihrer zugehörigen Vorteile werden leicht erhalten, während diese anhand der folgenden ausführlichen Beschreibung besser verständlich wird, wenn sie zusammen mit den beigefügten Zeichnungen beschrieben wird; es zeigen:
    • 1 eine Mikrowellenantennenbaugruppe, die eine erste Ausführungsform einer Mikrowellenantennenvorrichtung gemäß der vorliegenden Offenbarung aufweist;
    • 2 eine Mikrowellenantennenbaugruppe, die eine zweite Ausführungsform einer Mikrowellenantennenvorrichtung gemäß der vorliegenden Offenbarung aufweist;
    • 3 eine Mikrowellenantennenbaugruppe, die eine dritte Ausführungsform einer Mikrowellenantennenvorrichtung gemäß der vorliegenden Offenbarung aufweist;
    • 4 eine Mikrowellenantennenbaugruppe, die eine vierte Ausführungsform einer Mikrowellenantennenvorrichtung gemäß der vorliegenden Offenbarung aufweist;
    • 5 eine Mikrowellenantennenbaugruppe, die eine fünfte Ausführungsform einer Mikrowellenantennenvorrichtung gemäß der vorliegenden Offenbarung aufweist; und
    • 6 eine Mikrowellenantennenbaugruppe, die eine sechste Ausführungsform einer Mikrowellenantennenvorrichtung gemäß der vorliegenden Offenbarung aufweist.
  • AUSFÜHRLICHE BESCHREIBUNG DER AUSFÜHRUNGSFORMEN
  • Alle Baugruppensubstrate und Formmassen in bekannten Mikrowellenantennenvorrichtungen und Mikrowellenantennenbaugruppen werden durch einen integrierten Prozess hergestellt, bei dem als eine Formmasse oder als ein Baugruppensubstrat dasselbe Material verwendet wird. Es gibt keine heterogene Integration von Kopplungsblöcken und Antennenmodulen. Darüber hinaus sind als Kopplungssignale vom Chip zur Antenne nur Kontaktlöcher durch die Baugruppe verwendet. Im Gegensatz dazu wird das Antennenmodul gemäß der vorliegenden Offenbarung auf irgendeinem Substrat (organisch oder Keramik) getrennt hergestellt und kann es durch einen Bestückungsautomaten angeordnet werden. Die Antennen werden mittels eines Kontaktlochs durch die Baugruppe oder eines Kopplungsblocks, der auf einem selben eines anderen Substrats (Keramik oder organisch) getrennt hergestellt wird, gespeist und unter Verwendung eines Bestückungsautomaten in eine Formmasse eingebettet. Der Kopplungsblock kann unterschiedliche Übertragungsleitungen oder Kontaktlöcher aufweisen, um die Signale durch magnetische oder elektromagnetische Kopplung zu koppeln.
  • Eine der Ideen ist, das HF-Signal von dem in eine eWLB-Formmasse eingebetteten Chip durch einen getrennt hergestellten und eingebetteten Kopplungsblock mit einer Antenne, die auf der eWLB-Baugruppe extern und getrennt angeordnet ist, zu koppeln. Das PoP-Antennenmodul kann aus irgendeinem Substratmaterial bestehen und weist eine größere Größe als die eWLB-Baugruppe auf. Dies ermöglicht, unterschiedliche Typen getrennt hergestellter und integrierter Antennen zu integrieren, um die Beschränkung eines integrierten Prozesses zu bewältigen. Die Wahl der Antennenmasse kann eine entscheidende Rolle dabei spielen, die vollständige Systemintegration komplex oder einfach zu machen.
  • Die vorliegende Offenbarung bietet eine vollständige Integration von Antennenkopplungsblöcken, Antennenmodulen und der Verdrahtung eines RFIC-Chips, der Antenne und der PCB-Massen. 1 zeigt eine Mikrowellenantennenbaugruppe 1, die eine erste Ausführungsform einer Mikrowellenantennenvorrichtung 10 gemäß der vorliegenden Offenbarung aufweist, die auf einer PCB- (Leiterplatten-) Anordnung 20 angeordnet ist. Die Mikrowellenantennenvorrichtung 10 weist ein Halbleiterbaugruppenmodul 100 und ein Antennenmodul 200 auf. Das Halbleiterbaugruppenmodul 100 weist eine Formschicht 101, ein Halbleiterelement 102, ein Kopplungselement 103 und eine Umverdrahtungsschicht (RDL) 104 auf. Das Antennenmodul 200 ist auf dem Halbleiterbaugruppenmodul 100 montiert. Es weist ein Antennensubstrat 201, ein oder mehrere Antennenelemente 202 (die z. B. eine Antennenanordnung bilden), eine Antennenspeiseschicht 203 und eine Antennenmasseschicht 204 (auch Antennengegengewicht genannt) auf. Gemäß der vorliegenden Offenbarung ist die Installationsfläche des Antennenmoduls 200, d. h. die Größe der Fläche des Antennenmoduls 200, größer als die Installationsfläche des Halbleiterbaugruppenmoduls 100.
  • Somit ist das HF-Signal in dieser Ausführungsform von dem Chip 102 über den Mikrostreifen durch das Kopplungselement 103 (auch Kopplungsblock genannt) mit den Antennenelementen 202 gekoppelt. Ein Mikrostreifen 105 in der RDL-Schicht 104 nutzt das Antennengegengewicht 204 gemeinsam, d. h., die Masseschicht 303 auf der Unterseite der PCB-Anordnung 20 unter dem Mikrostreifen 105 ist nicht als Gegengewicht für den Mikrostreifen 105, sondern für das Antennengegengewicht 204 über dem Mikrostreifen 105 verwendet. Zu diesem Zweck kann die Masseschicht 303 unter dem Mikrostreifen 105 einen Ausschnitt aufweisen. In einer anderen Ausführungsform kann der Mikrostreifen 105 als eine Übertragungsleitung vom Streifenleitungstyp ausgebildet sein, die zwischen zwei Gegengewichten liegt.
  • Die Chipmasse 106 ist durch in 1 gezeigte Kontaktlöcher 107, 108, 109 mit einer PCB-Schicht 300 der PCB-Anordnung 20 und mit den Antennenmassen 204 verbunden. Die durch Kontaktloch gespeiste Antenne erleichtert die Integration großer Anordnungen, die die Vergrößerung des PoP-Antennenmoduls 200, das über die eWLB-Baugruppe, d. h. das Halbleiterbaugruppenmodul 100, hinaus verläuft, erfordern können. Die Masse 110 auf Epoxid, d. h. die Masseschicht 110 auf der Formschicht 101, ermöglicht die leichte Verdrahtung mit der Chipmasse 106 unter Verwendung von Kontaktlöchern 107, 108, 109 durch das Epoxid (wie in 1 gezeigt) oder von Kontaktlöchern durch den Kopplungsblock (wie z. B. in 4 gezeigt ist).
  • Somit ist in dieser Ausführungsform eine Aperturkopplung angewendet, gemäß der das HF-Signal des Chips 102 von dem Mikrostreifen 105 durch das Kopplungselement 103 und eine Apertur (einen Zwischenraum) 111 in den Masseschichten 110 und 204 in die Antennenspeiseschicht 203 gekoppelt ist, von wo das HF-Signal durch Antennenspeisekontaktlöcher 205 für die Antennenelemente 202 bereitgestellt wird.
  • Die Masse 204 auf der untersten Schicht des Antennenmoduls 200 ermöglicht die Vergrößerung des Antennenmoduls 200 über die eWLB-Baugruppe 100 hinaus. Beide Massen 204, 110 können durch leitfähiges Epoxid miteinander verbunden sein. Das leitfähige Epoxid und die Kontaktlöcher 107, 108, 109 durch die Form sind Teil des Standardherstellungsprozesses. Das Antennenmodul 200 kann unter Verwendung eines Bestückungsautomaten, z. B. unter Verwendung einiger Einstellmarken, auf der eWLB-Baugruppe 100 angeordnet werden.
  • Die Mikrowellenantennenvorrichtung 10 ist auf der PCB-Anordnung 20 angeordnet, die eine PCB-Schicht 300 aufweist, um eine Ausgangsauffächerungsbaugruppe auf der Waferebene, insbesondere ein eingebettetes Ball-Grid-Array auf der Waferebene (eWLB), zu bilden. Dieser Prozess kann durch den Hersteller oder durch den Endnutzer ausgeführt werden. In diesem Prozess werden auf der Außenoberfläche der Metallisierungsschicht 112 unter den Löthöckern Lötkugeln 301 angeordnet. Danach wird die Mikrowellenantennenvorrichtung 10 auf die PCB-Anordnung 20 gelötet, die Streifenleitungen 302 auf der PCB-Schicht 300, die der Metallisierungsschicht (UBM) 112 unter den Löthöckern entsprechen, und die Lötkugeln 302 aufweist, so dass die fertige Mikrowellenantennenbaugruppe 1 erreicht wird. Ferner weist die PCB-Anordnung 20 eine Masseschicht 303 (ein Gegengewicht) und ein PCB-Kontaktloch 304 zum Verbinden der Masseschicht 303 über eine Streifenleitung 305 mit einer Streifenleitung 113, die mit der Chipmasse 106 verbunden ist, auf.
  • Eine andere Möglichkeit ist die Verwendung einer Proximity-gekoppelten Antenne, wie sie in 2 gezeigt ist. 2 zeigt eine Mikrowellenantennenbaugruppe 2, die eine zweite Ausführungsform einer Mikrowellenantennenvorrichtung 11 gemäß der vorliegenden Offenbarung aufweist. Die Antennenvorrichtung 11 weist ein geringfügig geändertes Antennenmodul 200a und ein Halbleiterbaugruppenmodul 100 auf. In dieser Ausführungsform ist die Kopplung des HF-Signals von dem Chip 102 mit dem Speisenetz 203 auf dem Antennenmodul 200a wieder durch Aperturkopplung ausgeführt. Das Antennenspeisenetz 203 ist dagegen nicht wie in dem Antennenmodul 200 durch Kontaktlöcher mit den Antennenelementen 202 verbunden, sondern zur Kopplung des HF-Signals in die Antennenelemente ist eine (drahtlose) Proximity-Kopplung verwendet.
  • 3 zeigt eine Mikrowellenantennenbaugruppe 3, die eine dritte Ausführungsform einer Mikrowellenantennenvorrichtung 12 gemäß der vorliegenden Offenbarung und eine geringfügig geänderte PCB-Anordnung 22 aufweist. Die Mikrowellenantennenvorrichtung 12 weist ein geändertes Antennenmodul 200b und ein geändertes Halbleiterbaugruppenmodul 100b auf.
  • In dieser Ausführungsform sind Einsatz-gespeiste Antennen verwendet, d. h. auf dem Antennensubstrat 201 ist zwischen den Antennenelementen 202 eine Einsatz-gespeiste Schicht 206 angeordnet, um sie zu speisen. Zur Übertragung der Energie von dem HF-Chip 102 zu dem Antennenspeisenetz, das durch die Einsatzspeiseschicht 206 repräsentiert ist, ist eine Aperturkopplung verwendet. In dieser Ausführungsform ist die Apertur 111a in der Masseschicht 110 auf der Formschicht 101 des Halbleiterbaugruppenmoduls 100b größer als die Apertur 111b in der Masseschicht 204 auf der Unterseite des Antennensubstrats 201, was in den beiden Masseschichten allgemein weniger Ausrichtung der Aperturen erfordert und somit die Verbindung erleichtert. Somit ist in dieser Ausführungsform unter Verwendung von Verbindungen in einem selektiven Abschnitt eine andere Art zum Verbinden der Masse 110 auf Epoxid und der untersten Schicht (d. h. des Gegengewichts 204) des Antennenmoduls 200b vorgesehen, um die Aperturkopplung zu erleichtern. In den in 1 und 2 gezeigten Ausführungsformen gibt es in der Masse Schlitze zum Koppeln, die ausgerichtet werden, wobei es aber schwierig sein kann, beide Schlitze in der Metallisierungsschicht 110 und in dem Gegengewicht 204, die die Apertur 111 bilden, auszurichten. In der in 3 gezeigten Ausführungsform können selektive Gegengewichtsverbindungen angewendet sein, während der Schlitz nur in dem Gegengewicht 204 vorgesehen ist, was die Ausrichtung von zwei Schlitzen in der Masse erleichtert. Eine ähnliche Änderung könnte in den in 1 und 2 gezeigten Ausführungsformen angewendet werden.
  • Ferner weist die Mikrostreifenleitung 105 (in der RDL-Schicht 104), die die HF-Signale aufnimmt, ein getrenntes Gegengewicht 114 in der RDL-Schicht 104 auf. Die Masseverbindungen, insbesondere die Kontaktlöcher 107, 108, 109 durch die Formschicht 101 bzw. durch die RDL-Schicht 104, sind in 3 ebenfalls gezeigt. Nochmals weiter ist auf dem Halbleiterelement 102 (allgemein als Teil des Halbleiterelements 102) eine zusätzliche Chipmasseschicht 115 vorgesehen, die durch ein Halbleiterkontaktloch 116 mit der Masseschicht 106 auf der Unterseite des Halbleiterelements 102 verbunden ist. Die in 1 und 2 gezeigte Konfiguration erfordert die vollständige Ausrichtung der Apertur in zwei Gegengewichten.
  • Apertur-gekoppelte Patch-Antennen und dielektrische Antennen können ebenfalls verwendet werden. Für größere Anordnungen und für die MIMO-Konfiguration kann das Antennengegengewicht des Antennenmoduls über das Halbleiterbaugruppenmodul hinaus vergrößert sein, um die Aperturspeisung aufzunehmen. Zu diesem Zweck kann das Antennengegengewicht in einer der mittleren Schichten des Antennenmoduls angeordnet sein. Dies ist möglich, kann aber ferner Masseverbindungen durch Kontaktlöcher erfordern.
  • 4 zeigt eine Mikrowellenantennenbaugruppe 4, die eine vierte Ausführungsform einer Mikrowellenantennenvorrichtung 13 gemäß der vorliegenden Offenbarung und eine geänderte PCB-Anordnung 23 aufweist. Die Mikrowellenantennenvorrichtung 13 weist ein geändertes Antennenmodul 200c und ein geändertes Halbleiterbaugruppenmodul 100c auf.
  • Diese Ausführungsform verwendet einen anderen Weg, um Verbindungen zwischen der Masse des Antennenmoduls 200c und der Masse des Halbleiterbaugruppenmodus 100c vorzusehen. Zu diesem Zweck ist auf der obersten Schicht des Halbleiterbaugruppenmoduls 100c eine zweite RDL-Schicht 117 vorgesehen. Somit sind in dieser Ausführungsform auf zwei Seiten des Halbleiterbaugruppenmoduls 100c getrennte RDL-Schichten 104, 117 angeordnet. Ferner kann bei der UBM-Schicht leitfähiges Epoxid (nicht gezeigt) für Masseverbindungen vorgesehen sein. Das leitfähige Epoxid stellt eine zuverlässige Verbindung zwischen Kopplungsleitungen 126 und 207 bereit. Diese Verbindung kann unter Verwendung von leitfähigem Epoxid oder alternativ Lötkugeln (wie in 6 gezeigt ist) hergestellt sein. Eine solche Verbindung ist zuverlässiger, als sie nur übereinander anzuordnen.
  • In dem Antennenmodul 200c ist die Antennenspeiseschicht 203 durch Kontaktlöcher 205 mit den Antennenelementen 202 und durch ein Kontaktloch 208 mit einer auf der Unterseite vorgesehenen Kopplungsleitung 207 verbunden. Zusätzlich können für die Verbindung zwischen dem Antennenmodul 200c und dem Halbleiterbaugruppenmodul 100c zum Koppeln des HF-Signals Lötkugeln und eine UBM-Schicht vorgesehen sein.
  • In dem Halbleiterbaugruppenmodul 100c ist das HF-Signal von dem Mikrostreifen 105 in der unteren RDL-Schicht 104 durch ein Kontaktloch 118 in der RDL-Schicht 104, Metallschichten 119, 120 auf der Unterseite und auf der Oberseite des Kopplungselements 103 und durch ein Kontaktloch 121 durch das Kopplungselement 102 mit der oberen RDL-Schicht 117 gekoppelt. In der oberen RDL-Schicht 117 ist eine Masseschicht 122 mit einer Apertur 123 vorgesehen, durch die ein Kontaktloch 124 zu dem Mikrostreifen 125 führt, der durch ein Kontaktloch 127 mit einer Kopplungsleitung 126 verbunden ist. Vorzugsweise ist die Kopplungsleitung 126 durch eine Lötkugel (nicht gezeigt) oder auf irgendeine andere geeignete Art mit der Kopplungsleitung 207 verbunden.
  • In dieser Ausführungsform kann die PCB-Anordnung auf dieselbe Weise wie in den in 1-3 gezeigten anderen Ausführungsformen ausgebildet sein, wobei sie aber alternativ wie in 4 gezeigt ausgebildet sein kann. In dieser Ausführungsform sind nur auf der obersten Schicht der PCB-Schicht 300 Streifenleitungen 302 und Masseleitungen 305 vorgesehen.
  • 5 zeigt eine Mikrowellenantennenbaugruppe 5, die eine fünfte Ausführungsform einer Mikrowellenantennenvorrichtung 14 gemäß der vorliegenden Offenbarung und eine geänderte PCB-Anordnung 23 aufweist. Die Mikrowellenantennenvorrichtung 14 weist ein geändertes Antennenmodul 200d und ein geändertes Halbleiterbaugruppenmodul 100d auf.
  • In dieser Ausführungsform weist der Chip 102 ein Oberseitengegengewicht 115 und ein Kontaktloch 116 durch den Chip 102 auf. Die Baugruppenformmasse, d. h. die Formschicht 101, ist verdünnt, um dieselbe Höhe wie der Chip 102 zu erzielen. Um eine Verbindung des Chips 102 und der Antennenmasse 204 zu erzielen, ist eine (ununterbrochene) obere Metallisierungsschicht 110 genutzt. Da die Kontaktlöcher 121 durch die Form und das mm-Wellen-Kopplungselement 103 innerhalb einer passiven Einlage 128 verwirklicht sind, wird eine erhebliche Kostensenkung erzielt. Die Baugruppe könnte eine oder mehrere dieser passiven Einlagen für die Verbindung unterschiedlicher Antennen aufweisen.
  • In dem Kopplungselement 103 ist eine Speiseleitung 129 vorgesehen, die durch ein Kontaktloch 130 mit dem Mikrostreifen 105 verbunden ist. Das HF-Signal ist von der Speiseleitung 129 durch die Apertur 111 in den Masseschichten 110 und 204 mit der Antennenspeiseschicht 203 gekoppelt. Die Antennenspeiseschicht 203 ist durch ein Verbindungsnetz 209, das Metallschichten und Kontaktlöcher in dem Antennensubstrat 201 aufweist, mit den Antennenelementen 202 verbunden. Bei dieser Ausführungsform sind die Gegengewichte ordnungsgemäß verbunden und ist der Herstellungsprozess vereinfacht.
  • 6 zeigt eine Mikrowellenantennenbaugruppe 6, die eine sechste Ausführungsform einer Mikrowellenantennenvorrichtung 15 gemäß der vorliegenden Offenbarung aufweist. Die Mikrowellenantennenvorrichtung 14 weist ein geändertes Antennenmodul 200e und das wie in 4 gezeigte Halbleiterbaugruppenmodul 100c auf. In dieser Ausführungsform sind zwischen den Kopplungsleitungen 126 und 207 Lötkugeln 210 vorgesehen, um eine zuverlässige Verbindung zwischen dem Antennensubstrat und der Formmasse-Masse herzustellen.
  • Ferner ist die Antennenspeiseschicht 203 in dem Antennenmodul 200e mit der Kopplungsleitung 207 direkt verbunden. Die Antennenmasseschicht 204 ist zwischen der Antennenspeiseschicht 203 und den Antennenelementen 202 vorgesehen und weist an Positionen direkt unter den Antennenelementen 202 Löcher 211 auf, um das Speisen der Antennenspeisesignale von der Antennenspeiseschicht 203 zu den Antennenelementen zu ermöglichen.
  • Gemäß der vorliegenden Offenbarung ist ein Antennenmodul auf der eWLB-Baugruppe angeordnet. Somit kann eine Lösung eines Systems in einer Baugruppe bereitgestellt werden, die Unterseiten-RDLs, einen passiven Kopplungsblock für die mm-Wellen-Signalübertragung, Kontaktlöcher durch die Form für die GND-Verbindung, eine GND-Ebene mit einem Schlitz für die mm-Wellen-Aperturkopplung und für die elektromagnetische Entkopplung von aktiven Einzelchips und Antennen und ein Antennenmodul auf der eWLB-Baugruppe aufweist.
  • Das Antennenmodul kann durch Anwenden eines getrennten Technologieprozesses hergestellt werden. Das Antennenmodul kann eine Patch-Antenne, dielektrische Resonatorantennen oder dielektrische Stielstrahler, Wendelantennen, Hohlraumresonatorantennen, Querstrahler oder Längsstrahler, Wellenleiterantennen, Ringantennen, in das Substrat integrierte Antennen usw. aufweisen.
  • Das auf der eWLB-Baugruppe angeordnete Antennenmodul kann eine Einzelantenne oder eine Anordnung von Antennen oder Antennen, die in MIMO-Konfigurationen angeordnet sind, sein. Die Installationsfläche des Antennenmoduls ist größer als die eWLB-Baugruppe, um für hohen Gewinn und mehr Richtwirkung und kleine Strahlbreite die Erhöhung der Antennenaperturgröße zu ermöglichen.
  • Das für das Antennenmodul verwendete Substrat kann FR4, ein organisches Substrat, ein Keramiksubstrat, ein starres oder ein halbstarres Substrat sein.
  • Die Antennen können durch einen Kopplungsblock oder/und Lötkugeln mit dem Signal gespeist werden.
  • Die Masseverbindungen zwischen Epoxid und Antennenmassen können unter Verwendung von leitfähigem Epoxid mit genauer Aperturausrichtung für die Signalkopplung hergestellt sein oder die Aperturkopplung nur durch das Antennengegengewicht und Verbindungen zwischen zwei Gegengewichten in selektiven Bereichen kann durch direkt leitfähiges Epoxid oder unter Verwendung der UBM-Schicht unter Nutzung der zweiten Metallschicht auf der Oberseite der eWLB-Baugruppe erfolgen.
  • Das PoP-Antennenmodul kann außerhalb der Epoxidform belassen sein oder kann ebenfalls in der Epoxidformmasse gekapselt sein.
  • Unter Verwendung der zweiseitigen RDL-eWLB-Baugruppentechnologie kann eine Integration heterogener PoP-HF- und PoP-mm-Wellen-Antennen (bei denen das Antennenmodul und die Kopplungsblöcke unabhängig hergestellt werden und durch einen Bestückungsprozess in die eWLB integriert und eingebettet werden) erzielt werden.
  • Mit den verschiedenen Ausführungsformen der offenbarten Mikrowellenantennenvorrichtung und der offenbarten Mikrowellenantennenbaugruppe können eine Anzahl von Vorteilen und Verbesserungen erzielt werden. Die Strahlbreite und der Gewinn können besser gesteuert werden, was es ermöglicht, die qualitätsmindernden Wirkungen eines potentialfreien Gegengewichts zu vermeiden. Wenn Antennen mit hoher Strahlungseffizienz integriert werden, könnte die durch den Reflektor und durch das Epoxid verursachte Welligkeit verringert werden. Es können unterschiedliche Typen von Antennen verwendet werden. Durch den mm-Wellen-Chip kann eine Abschirmung parasitärer Strahlung erzeugt werden (parasitäre Strahlung veranlasst eine unerwünschte Störung in den Empfangskanälen und mindert die Qualität der Sendeantennenstrahlungsmuster).
  • Baugruppen können innerhalb eines Herstellungsdurchlaufs mit unterschiedlichen Antennentopologien ausgestattet werden. Antennentopologien könnten in der Produktreihe geändert werden, um sie auf Anforderungen für neue Anwendungen auszurichten. Die die Leistungsfähigkeit mindernde Wirkung von Epoxid kann in gewissem Umfang gegenüber bereits vorhandenen Techniken gemildert werden. Ohne irgendeine Notwendigkeit externer Antennen kann eine vollständige mm-Wellen-Systemintegration auf der Baugruppenebene erzielt werden.
  • Durch vollständiges Vermeiden der Beschränkung eines Chip-zu-SMT-Komponenten-Flächenverhältnisses bietet die PoP erhöhte Flexibilität des Entwurfs von Antennen. Dieses PoP-Konzept ermöglicht den Entwurf von Antennen und die Steuerung der Strahlbreite und des Gewinns unter Verwendung von Antennen und Anordnungen mit hoher Richtwirkung, die wegen des beschränkten Platzes zuvor schwer in die eWLB zu integrieren waren.
  • Mit der eWLB-Baugruppe können nun eine breite Vielfalt von Antennen, die für unterschiedliche Anwendungen geeignet sind, in sehr kompakter Form integriert werden. Ferner ermöglicht die Offenbarung das Konzept der miniaturisierten 3D-HF-Konfektionierung. Es sind eine Anzahl von Antennen vorgeschlagen worden, die die Leistungsfähigkeit erhöhen und (mit einigen Beschränkungen) das Ziel des Entwurfs von Antennen mit der gewünschten Strahlbreite für künftige Radarsensoren mit 60 GHz und darüber hinaus erzielen. Schließlich können unter Verwendung von Kopplungsblöcken oder Kontaktlöchern durch die Form und eine zweite Metallschicht auf der Oberseite der eWLB-Schicht leicht Masseverbindungen erzielt werden.
  • Somit offenbart und beschreibt die vorstehende Diskussion lediglich beispielhafte Ausführungsformen der vorliegenden Offenbarung. Wie der Fachmann auf dem Gebiet versteht, kann die vorliegende Offenbarung in anderen spezifischen Formen verkörpert werden, ohne von ihrem Erfindungsgedanken oder von ihren wesentlichen Eigenschaften abzuweichen. Dementsprechend soll die Offenbarung der vorliegenden Offenbarung veranschaulichend sein, den Schutzumfang der Offenbarung sowie anderer Ansprüche aber nicht einschränken. Die Offenbarung, die irgendwelche leicht erkennbaren Varianten der vorliegenden Lehren aufweist, definiert teilweise den Schutzumfang der vorstehenden Anspruchstermini, so dass kein erfindungsgemäßer Gegenstand für die Öffentlichkeit bestimmt ist.
  • In den Ansprüchen schließt das Wort „aufweisend“ andere Elemente oder Schritte nicht aus und schließt der unbestimmte Artikel „ein“ oder „eine“ mehrere nicht aus. Ein einzelnes Element oder eine andere Einheit kann die Funktionen mehrerer in den Ansprüchen dargestellter Objekte erfüllen. Lediglich die Tatsache, dass bestimmte Maßnahmen in voneinander verschiedenen abhängigen Ansprüchen dargestellt sind, gibt nicht an, dass eine Kombination dieser Maßnahmen nicht vorteilhaft verwendet werden kann.
  • Insofern Ausführungsformen der Offenbarung in der Weise beschrieben worden sind, dass sie wenigstens teilweise durch eine softwaregesteuerte Datenverarbeitungsvorrichtung implementiert werden, wird gewürdigt werden, dass ein nichtflüchtiges maschinenlesbares Medium, das solche Software trägt, wie etwa eine optische Platte, eine Magnetplatte, ein Halbleiterspeicher oder dergleichen, ebenfalls als Repräsentanten einer Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung angesehen werden können. Ferner kann eine solche Software in anderen Formen wie etwa über das Internet oder über andere verdrahtete oder drahtlose Telekommunikationssysteme vertrieben werden.
  • ZITATE ENTHALTEN IN DER BESCHREIBUNG
  • Diese Liste der vom Anmelder aufgeführten Dokumente wurde automatisiert erzeugt und ist ausschließlich zur besseren Information des Lesers aufgenommen. Die Liste ist nicht Bestandteil der deutschen Patent- bzw. Gebrauchsmusteranmeldung. Das DPMA übernimmt keinerlei Haftung für etwaige Fehler oder Auslassungen.
  • Zitierte Nicht-Patentliteratur
    • Wojnowski u. a., „Embedded Wafer Level Ball Grid Array (eWLB) Technology for Millimeter-Wave Applications“, Proc. IEEE 13th Electronics Packaging Technology Conference (EPTC2011), Singapur, S. 423-429, Dez. 2011 [0002]
    • E. Seler u. a., „3D rectangular waveguide integrated in embedded Wafer Level Ball Grid Array (eWLB) package“, Electronic Components and Technology Conference (ECTC) 2014, IEEE 64th, S. 956-962, 27.-30. Mai 2014 [0003]

Claims (16)

  1. Mikrowellenantennenvorrichtung, die Folgendes aufweist: - ein Halbleiterbaugruppenmodul, das eine Formschicht, ein Halbleiterelement, ein Kopplungselement und eine Umverdrahtungsschicht aufweist, und - ein Antennenmodul, das auf dem Halbleiterbaugruppenmodul montiert ist, wobei das Antennenmodul ein Antennensubstrat, ein oder mehrere Antennenelemente, eine Antennenspeiseschicht und eine Antennenmasseschicht aufweist, wobei die Installationsfläche des Antennenmoduls größer als die Installationsfläche des Halbleiterbaugruppenmoduls ist.
  2. Mikrowellenantennenvorrichtung nach Anspruch 1, wobei das Halbleiterbaugruppenmodul eine einzelne Umverdrahtungsschicht aufweist, die auf einer dem Antennenmodul abgewandten unteren Oberfläche des Halbleiterbaugruppenmoduls angeordnet ist.
  3. Mikrowellenantennenvorrichtung nach einem vorhergehenden Anspruch, wobei das Halbleiterbaugruppenmodul zwei Umverdrahtungsschichten aufweist, wobei eine erste Umverdrahtungsschicht auf einer dem Antennenmodul abgewandten unteren Oberfläche des Halbleiterbaugruppenmoduls angeordnet ist und eine zweite Umverdrahtungsschicht auf einer dem Antennenmodul zugewandten oberen Oberfläche des Halbleiterbaugruppenmoduls angeordnet ist.
  4. Mikrowellenantennenvorrichtung nach einem vorhergehenden Anspruch, wobei die Umverdrahtungsschicht wenigstens eine Umverdrahtungssubstratschicht und eine oder mehrere Metallschichten, die in und/oder auf der mindestens einen Umverdrahtungssubstratschicht angeordnet sind, aufweist.
  5. Mikrowellenantennenvorrichtung nach einem vorhergehenden Anspruch, wobei das Halbleiterbaugruppenmodul eine Masseschicht aufweist, die auf einer dem Antennenmodul zugewandten oberen Oberfläche des Halbleiterbaugruppenmoduls angeordnet ist.
  6. Mikrowellenantennenvorrichtung nach Anspruch 5, wobei das Antennenmodul eine Masseschicht aufweist, die auf einer dem Halbleiterbaugruppenmodul zugewandten unteren Oberfläche des Antennenmoduls angeordnet ist.
  7. Mikrowellenantennenvorrichtung nach Anspruch 5 und 6, wobei die Masseschicht des Antennenmoduls und die auf dem Halbleiterbaugruppenmodul angeordnete Masseschicht jeweils einen Schlitz aufweisen, wobei diese miteinander übereinstimmen.
  8. Mikrowellenantennenvorrichtung nach Anspruch 5, 6 oder 7, wobei die Umverdrahtungsschicht eine Umverdrahtungsmasseschicht aufweist, die durch ein oder mehrere Kontaktlöcher, die innerhalb der Formschicht angeordnet sind, mit der auf der oberen Oberfläche des Halbleiterbaugruppenmoduls angeordneten Masseschicht verbunden ist.
  9. Mikrowellenantennenvorrichtung nach einem vorhergehenden Anspruch, wobei das Antennenmodul als ein oder mehrere Antennenelemente eine Patch-Antenne und/oder eine dielektrische Resonatorantenne und/oder einen dielektrischen Stielstrahler und/oder eine Wendelantenne und/oder eine Hohlraumresonatorantenne und/oder einen Querstrahler und/oder einen Längsstrahler und/oder eine Wellenleiterantenne und/oder eine Ringantenne und/oder eine in das Substrat integrierte Antenne aufweist.
  10. Mikrowellenantennenvorrichtung nach einem vorhergehenden Anspruch, wobei das Antennenmodul eine einzelne Antenne oder eine Anordnung von Antennen oder zwei oder mehr Antennen in einer MIMO-Konfiguration aufweist.
  11. Mikrowellenantennenvorrichtung nach einem vorhergehenden Anspruch, wobei die Antennensubstratschicht aus einem Mikrowellenmaterial oder aus einem Substratmaterial vom BT-, FR4- oder FR408-Typ oder aus einer Keramik oder aus einem Rogers-Substratmaterial, aus PTFE oder aus einem Material vom Formtyp oder aus einem starren Material oder aus einem halbstarren Material hergestellt ist.
  12. Mikrowellenantennenvorrichtung nach einem vorhergehenden Anspruch, wobei das Antennenmodul direkt auf dem Halbleiterbaugruppenmodul oder mit Lötkugeln dazwischen montiert ist.
  13. Mikrowellenantennenvorrichtung nach einem vorhergehenden Anspruch, wobei das eine oder die mehreren Antennenelemente und die Antennenspeiseschicht durch ein oder mehrere Kontaktlöcher, durch Proximity-Kopplung oder durch eine Einsatzspeiseleitung gekoppelt sind.
  14. Mikrowellenantennenvorrichtung nach Anspruch 3, wobei das Halbleiterbaugruppenmodul eine Speiseleitung durch ein Kontaktloch durch das Kopplungselement aufweist, um die erste Umverdrahtungsschicht und die zweite Umverdrahtungsschicht zu koppeln.
  15. Mikrowellenantennenvorrichtung nach einem vorhergehenden Anspruch, wobei das Halbleiterbaugruppenmodul in dem Kopplungsblock eine passive Einlage aufweist.
  16. Mikrowellenantennenbaugruppe, die Folgendes aufweist: - eine PCB-Anordnung, die eine PCB-Schicht aufweist, und - eine Mikrowellenantennenvorrichtung, wie sie in einem vorhergehenden Anspruch definiert ist, die mit der PCB-Anordnung gekoppelt ist, die eine Ausgangsauffächerungsbaugruppe auf der Waferebene bildet.
DE102019105487.7A 2018-03-08 2019-03-05 Mikrowellenantennenvorrichtung und Mikrowellenantennenbaugruppe Pending DE102019105487A1 (de)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
EP18160733 2018-03-08
EP18160733.4 2018-03-08

Publications (1)

Publication Number Publication Date
DE102019105487A1 true DE102019105487A1 (de) 2019-09-12

Family

ID=61616822

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE102019105487.7A Pending DE102019105487A1 (de) 2018-03-08 2019-03-05 Mikrowellenantennenvorrichtung und Mikrowellenantennenbaugruppe

Country Status (2)

Country Link
US (1) US11005155B2 (de)
DE (1) DE102019105487A1 (de)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN111048895A (zh) * 2019-12-24 2020-04-21 华南理工大学 一种封装基板分布式天线
DE102021207548B3 (de) 2021-07-15 2022-08-11 Berthold Technologies Gmbh & Co. Kg Bausatz für modulare Mikrowellen-Antennen und Mikrowellen-Messsystem

Families Citing this family (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR102209123B1 (ko) 2017-12-19 2021-01-28 삼성전자 주식회사 안테나와 rf 소자를 포함하는 모듈 및 이를 포함하는 기지국
US10840197B2 (en) * 2018-10-30 2020-11-17 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Package structure and manufacturing method thereof
US11646498B2 (en) * 2019-05-16 2023-05-09 Intel Corporation Package integrated cavity resonator antenna
DE102019115307A1 (de) * 2019-06-06 2020-12-10 Infineon Technologies Ag Halbleitervorrichtungen mit planaren wellenleiter-übertragungsleitungen
US20210013582A1 (en) * 2019-07-11 2021-01-14 Peraso Technologies Inc. Radio frequency modules with millimeter-wave air-gap phased-array antenna
CN110931939B (zh) * 2019-11-29 2021-10-26 维沃移动通信有限公司 一种毫米波天线单元及电子设备
EP3836207B1 (de) * 2019-12-12 2022-07-27 Technische Universität Dresden Halbleiterstruktur und verfahren zur herstellung einer halbleiterstruktur
KR20210131477A (ko) * 2020-04-23 2021-11-03 삼성전자주식회사 반도체 장치
KR20210157595A (ko) 2020-06-22 2021-12-29 삼성전자주식회사 반도체 패키지
KR20220007944A (ko) * 2020-07-13 2022-01-20 삼성전자주식회사 안테나 및 이를 포함하는 전자 장치
JP7134385B2 (ja) * 2020-07-31 2022-09-09 三菱電機株式会社 アクティブフェーズドアレーアンテナ
US11901270B2 (en) * 2020-09-02 2024-02-13 Advanced Semiconductor Engineering, Inc. Semiconductor device package
US20230140748A1 (en) * 2021-10-29 2023-05-04 STATS ChipPAC Pte. Ltd. Antenna-in-Package Devices and Methods of Making
US20230110957A1 (en) * 2021-10-13 2023-04-13 Mediatek Inc. Electronic device with stacked printed circuit boards

Family Cites Families (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7911388B2 (en) 2007-12-12 2011-03-22 Broadcom Corporation Method and system for configurable antenna in an integrated circuit package
JP4833192B2 (ja) * 2007-12-27 2011-12-07 新光電気工業株式会社 電子装置
US8278749B2 (en) 2009-01-30 2012-10-02 Infineon Technologies Ag Integrated antennas in wafer level package
DE102012203151A1 (de) 2012-02-29 2013-08-29 Robert Bosch Gmbh Halbleitermodul mit integrierten antennenstrukturen
TWI528468B (zh) * 2012-05-30 2016-04-01 國立中山大學 多輸入輸出天線、其天線單元及具有天線之系統封裝
US9548283B2 (en) 2012-07-05 2017-01-17 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Package redistribution layer structure and method of forming same
US9461355B2 (en) 2013-03-29 2016-10-04 Intel Corporation Method apparatus and material for radio frequency passives and antennas
US9806422B2 (en) * 2013-09-11 2017-10-31 International Business Machines Corporation Antenna-in-package structures with broadside and end-fire radiations
US9252077B2 (en) * 2013-09-25 2016-02-02 Intel Corporation Package vias for radio frequency antenna connections
US9059490B2 (en) * 2013-10-08 2015-06-16 Blackberry Limited 60 GHz integrated circuit to printed circuit board transitions
EP3080841A4 (de) * 2013-12-09 2017-08-23 Intel Corporation Antenne auf keramik für einen kompakten chip
US20150380343A1 (en) * 2014-06-27 2015-12-31 Raytheon Company Flip chip mmic having mounting stiffener
DE112015005575T5 (de) 2014-12-12 2017-09-28 Sony Corporation Mikrowellenantennenvorrichtung, einheit und herstellungsverfahren
US20190206833A1 (en) * 2015-12-23 2019-07-04 Intel IP Corporation Eplb/ewlb based pop for hbm or customized package stack
US9935065B1 (en) * 2016-12-21 2018-04-03 Infineon Technologies Ag Radio frequency device packages and methods of formation thereof

Non-Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
E. Seler u. a., „3D rectangular waveguide integrated in embedded Wafer Level Ball Grid Array (eWLB) package", Electronic Components and Technology Conference (ECTC) 2014, IEEE 64th, S. 956-962, 27.-30. Mai 2014
Wojnowski u. a., „Embedded Wafer Level Ball Grid Array (eWLB) Technology for Millimeter-Wave Applications", Proc. IEEE 13th Electronics Packaging Technology Conference (EPTC2011), Singapur, S. 423-429, Dez. 2011

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN111048895A (zh) * 2019-12-24 2020-04-21 华南理工大学 一种封装基板分布式天线
CN111048895B (zh) * 2019-12-24 2021-06-08 华南理工大学 一种封装基板分布式天线
DE102021207548B3 (de) 2021-07-15 2022-08-11 Berthold Technologies Gmbh & Co. Kg Bausatz für modulare Mikrowellen-Antennen und Mikrowellen-Messsystem

Also Published As

Publication number Publication date
US11005155B2 (en) 2021-05-11
US20190280368A1 (en) 2019-09-12

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE102019105487A1 (de) Mikrowellenantennenvorrichtung und Mikrowellenantennenbaugruppe
DE112017001710T5 (de) Mikrowellenantenneneinrichtung, Verpackungs- und Herstellungsverfahren
DE10051661B4 (de) Demultiplexer-Platte vom Typ mit integrierter Antenne
EP3346548B1 (de) Modulanordnung mit eingebetteten komponenten und einer integrierten antenne, vorrichtung mit modulanordnungen und verfahren zur herstellung
DE69823591T2 (de) Geschichtete Aperturantenne und mehrschichtige Leiterplatte damit
DE102006023123B4 (de) Abstandserfassungsradar für Fahrzeuge mit einem Halbleitermodul mit Komponenten für Höchstfrequenztechnik in Kunststoffgehäuse und Verfahren zur Herstellung eines Halbleitermoduls mit Komponenten für ein Abstandserfassungsradar für Fahrzeuge in einem Kunststoffgehäuse
DE69628253T2 (de) Ultrahochfrequenzfunkgerät
DE112015005575T5 (de) Mikrowellenantennenvorrichtung, einheit und herstellungsverfahren
DE10350346B4 (de) Hochfrequenzleitungs-Wellenleiter-Konverter und Hochfrequenzpaket
DE102017218497A1 (de) Packungen für drahtlose Signalübertragung mit integrierter Antennengruppe
DE102017223561A1 (de) Hochfrequenzbauelement-Packages und Verfahren zum Bilden derselben
DE112016007571T5 (de) Mikroelektronische bauelemente entworfen mit flexiblengehäusesubstraten mit verteilten gestapelten antennen fürhochfrequenz-kommunikationssysteme
DE112012000285T5 (de) Laminierte Antennenstrukturen für Package-Anwendungen
DE102010001407A1 (de) Integrierte Antennen auf Wafer-Ebene
EP2820674B1 (de) Halbleitermodul mit integrierten antennenstrukturen
DE102014115313B4 (de) Leiterplatte, Millimeterwellensystem und Verfahren zum Betreiben eines Millimeterwellensystems
DE69932899T2 (de) Übertragungsleitung und Übertragungsleitungsresonator
DE112009000784T5 (de) Hochfrequenzmodul und Verfahren zu seiner Herstellung und Sender, Empfänger, Sender-Empfänger und Radarvorrichtung, die das Hochfrequenzmodul umfassen
DE102013111569B4 (de) Halbleiterpackages mit integrierter Antenne und Verfahren zu deren Herstellung
DE102019102784A1 (de) Halbleitervorrichtungen mit Radar-Halbleiterchip und zugehörige Herstellungsverfahren
DE102018129885A1 (de) Zusammensetzungs- und Herstellungsfreundliche Wellenleiterankoppler
DE102019115307A1 (de) Halbleitervorrichtungen mit planaren wellenleiter-übertragungsleitungen
DE102017123360A1 (de) Verfahren zur bildung einer halbleiterbaugruppe und halbleiterbaugruppe
DE102019128779B4 (de) Hochfrequenz-Vorrichtung mit Hochfrequenz-Signalführungselement und zugehöriges Herstellungsverfahren
DE102020108280A1 (de) Mikrowellenantennenvorrichtung