JP3068575B2 - ミリメートル波ｌｔｃｃパッケージ - Google Patents

ミリメートル波ｌｔｃｃパッケージ

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Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、導波管内を走行す
る信号をマイクロストリップに結合する装置に関する。
詳しく述べると、本発明は、直接的に製造され、ハーメ
チックシールされたパッケージング構造としての導波管
からマイクロストリップへの移行部分（もしくは、わた
り部分）に関し、この構造はマイクロストリップをミリ
メートル波またはマイクロ波周波数で動作する集積回路
に接続することもできる。
【０００２】
【従来の技術】導波管及びマイクロストリップは共に、
点から点へ電磁波エネルギ（以下に、「信号」という）
を輸送するデバイスである。導波管は、一般的には内部
が電磁的に反射性の表面になっている導管として実現さ
れている。導波管の内部に導入された信号は、導波管の
壁の間を反射しながら導波管の内部に沿って伝播する。
導波管の断面は、信号の伝送損失を低くするように、一
般的に円形または矩形である。導波管は、そのジオメト
リに関係して、その中を通過する信号に対する臨界波長
を有している。臨界波長よりも長い波長を有する信号
は、導波管内を伝播することはできない。従って、導波
管の構造は、本質的に、望ましくない信号を濾波するの
に役立つ。例えば衛星応用においては、信号を集積回路
で処理する必要があることが屡々である。しかしなが
ら、集積回路に接続される導波管を製造する場合、導波
管構造が集積回路に比して大きいので構造が複雑にな
る。従って、従来は、導波管の製造には付加的なステッ
プを必要とし、付加的な費用がかかり、そしてマイクロ
ストリップを含む集積回路と共に使用する場合の信頼性
が低下していた。
【０００３】マイクロストリップは誘電性材料の上側に
配置された薄い導電性ストリップである。誘電性材料自
体は、導電性の板（典型的には、接地されている）によ
って支持されている。マイクロストリップは、基体の表
面上に薄い導電性ストリップを沈積させることによっ
て、集積回路プロセスにおいて直接的に製造することが
できる。マイクロストリップを含む集積回路エレクトロ
ニクスのセット全体が占める幾何学的体積が、対応する
導波管構造よりも遙かに小さいことが多い。マイクロス
トリップは広帯域幅、小型、費用有効な信号伝送ライン
として使用するのに適している。これらの有利さの故
に、マイクロストリップラインは多くの市販マイクロ波
及びミリメートル波応用に使用されている。例えば多く
の商用及び軍用衛星システムは、導波管に結合されたマ
イクロストリップを、システムの種々の部分に使用して
いる。例えば衛星アンテナは、導波管を通して、次いで
マイクロストリップに接続されたダウンコンバータま
で、アップリンクビームを案内して処理することができ
る。従って、商用及び軍用衛星システムの動作のキーと
なる要因は、マイクロストリップと導波管との間に低損
失信号結合を提供する導波管からマイクロストリップへ
の移行部分である。
【０００４】導波管とマイクロストリップとの間の信号
の結合に関する特許の１つは、EarlR. Murphyの米国特
許第 4,453,142号 "Microstrips to Waveguide Transit
ion"である。Murphyはミリメートル波周波数範囲におい
て使用するためのマイクロストリップから導波管への移
行部分を開示している。Murphyの導波管は、基体に取付
けられた頑丈な金属矩形導波管からなっている。マイク
ロストリップを担持する基体のタブが導波管内へ伸びて
いる。Murphyが使用した頑丈な金属導波管は、例えばボ
ルト留めによってベースにしっかりと接続される。導波
管の壁には孔があけられており、マイクロストリップの
ための開口になっている。ベース、導波管、及びマイク
ロストリップは、導波管からマイクロストリップへの移
行部分を与えるように組立てられる。マイクロストリッ
プが導波管の金属壁を通って伸びているので、マイクロ
ストリップと導波管との間の分路容量を最小にしようと
する場合にマイクロストリップが隘路になる。しかしな
がら、Murphyは、導波管からマイクロストリップへの移
行部分を単一の、製造するのが容易な集積回路パッケー
ジ内に形成することの困難さについては言及していな
い。
【０００５】他の従来技術の導波管からマイクロストリ
ップへの移行部分の設計は、マイクロストリップへの入
力／出力ポートを構成するために、マイクロストリッ
プ、ストリップライン、及び同軸インタフェースを使用
している。これらのインタフェースは、広い周波数範囲
にわたって内部信号を外部接続へ低損失で伝送するのに
役立つが、これらのインタフェースの性能を受容できる
ようにするためには、複雑で、時間のかかる回路調整が
必要であり、大量生産には不向きである。更に、モノリ
シックミリメートル波集積回路（ＭＭＩＣ）パッケージ
ング応用のために多層低温共焼成セラミック（ＬＴＣ
Ｃ）基体を使用する従来のアプローチは、入力／出力周
波数（マイクロ波）インタフェースによって制限されて
いた。普通のインタフェースは、マイクロストリップ及
びストリップライン構造を使用してマイクロ波を基体上
へ送出する。この普通のインタフェースのミリメートル
波における電気的性能は、寄生インダクタンス及び容
量、及び他の高周波効果のために貧弱なものであり、そ
のため 40 ＧＨｚ以下の周波数での有用性が制限されて
いる。
【０００６】上述した、及び今まで経験してきた欠陥を
解消する、多層基体上での導波管からマイクロストリッ
プへの改善された移行構造に対する要望が残されてい
る。
【０００７】
【発明の概要】従って、本発明の目的は、多層ＬＴＣＣ
基体パッケージと共に集積される導波管からマイクロス
トリップへの移行部分を提供することである。本発明の
別の目的は、容易に製造することができる集積回路パッ
ケージ内の導波管からマイクロストリップへの移行部分
を提供することである。本発明のさらなる目的は、安価
に製造することができる導波管からマイクロストリップ
への移行部分を提供することである。本発明の別の目的
は、動作または挿入応力が誤動作を生じさせることがな
いように、導波管からマイクロストリップへの移行部分
の中でマイクロストリップの完全な支持を提供すること
である。
【０００８】本発明の別の目的は、集積回路を組み込ん
であるミリメートル波パッケージ内に導波管からマイク
ロストリップへの移行部分を集積した時に、粒状物質が
集積回路と不利に相互作用しないように、ハーメチック
シールされた導波管からマイクロストリップへの移行部
分を提供することである。本発明の別の目的は、ミリメ
ートル波及びマイクロ波周波数において有効な導波管か
らマイクロストリップへの移行部分を提供することであ
る。本発明の導波管からマイクロストリップへの移行部
分は、多層基体を含む。多層基体は、第１の誘電性層、
第２の誘電性層、及び第１の誘電性層の下側と第２の誘
電性層の上側との間に配置された第１の導電性層を有し
ている。第１の導電性層は選択的にパターン化されてお
り、その導電性材料が第１の誘電性層上のマイクロスト
リップの下で除去されている。
【０００９】多層基体は、導波管を形成するように、第
２の誘電性層から材料が除去され、第１の導電性層が選
択的にパターン化されている。材料が除去された部分
は、導波管を限定する壁を形成する。このようにして形
成される導波管は、第３、第４、第５、または付加的な
誘電性層及び導電性層を設けることによって伸ばすこと
ができる。導波管の壁は電磁的に反射性の材料で被膜さ
れ、信号は反射しながら導波管を通って第１の誘電性層
に向かって伝播することができる。オプションとして、
反射性材料を省略し、導波管を、多層基体を通る一連の
めっきしたバイア( via ) 孔によって形成することがで
きる。導電性被膜は第１の誘電性層の上側に配置する
が、この導電性被膜が第１の誘電性層全体を覆っている
必要はない。そうではなく、導電性被膜は選択的にパタ
ーン化されていて、第１の誘電性層上の導波管の上に、
開口（導電性被膜がない部分）、及び導電性プローブが
形成されている。更に、導電性被膜をパターン化して、
集積回路信号処理デバイスを配置するための領域、及び
金属リングフレームに接続される導電性領域を設けて完
成したパッケージの側壁及び導波管空洞を形成させるこ
ともできる。
【００１０】金属でスルーめっきされたバイア（また
は、金属で完全に満たされたバイア）が、少なくとも第
１の誘電性層内に配置されている。これらのスルーめっ
きされたバイアは、第１の誘電性層上のランド領域の周
囲の外形を近似するように配列されている。これらのス
ルーめっきされたバイアが、第１の誘電性層を通して信
号を案内する導波管構造の一部を形成する。マイクロス
トリップは、第１の誘電性層の上側に配置されている。
マイクロストリップの金属材料は部分的にランド領域内
に伸び、従って導波管の上に、そしてバイアにより形成
された外形の内側に配置される。信号は導波管を通り、
（バイアによって案内されて）第１の誘電性層を通って
マイクロストリップまで走行する。
【００１１】本発明の導波管からマイクロストリップへ
の移行部分、及び関連する多層パッケージングは、極め
て低い挿入損で、マイクロ波及びミリメートル波（ほぼ
20−200 ＧＨｚ）において使用するのに適している。
多層パッケージングは、直流及びマイクロ波／ミリメー
トル波信号を、層を通してパッケージの内側へ導き、そ
れによってパッケージのサイズを最小にする。その結
果、多数の直流及び高周波制御信号を必要とする応用
（例えば、ミリメートル波で動作するフェーズドアレイ
アンテナ）に対して、本発明が提供する低価格、高性能
多層パッケージ、及び関連する導波管からマイクロスト
リップへの移行部分が容易に使用できるようになる。
【００１２】
【実施例】図１は、多層集積回路パッケージ１００を示
す図であって、パッケージ１００内の１つの誘電性層の
上側１０２を示している。上側１０２は、導電性被膜１
０４、例えば貴金属で被膜されている。導電性被膜１０
４は選択的にパターン化されていて、パッケージ１００
の上側層上にランド領域１０６を形成している。本明細
書において使用する「ランド領域」とは、導電性被膜が
存在しない領域のことである。第２のランド領域１０８
及び付加的なランド領域（図示してない）も、ミリメー
トル波モノリシック集積回路１１０（ＭＭＩＣ）、また
は他の信号処理回路を配置できる領域を設けるために、
選択的にパターン化することによって形成することがで
きる。例えば、ＭＭＩＣ １１０に、増幅器、減衰器、
スイッチ、またはフィルタの機能を与えることができ
る。
【００１３】マイクロストリップ１１２は誘電性層の上
側１０２上に形成されている。ボンディングワイヤまた
はリボン１１４を使用し、マイクロストリップをＭＭＩ
Ｃ１１０の入力／出力パッドに取付けることができる。
更に、マイクロストリップ１１２のインピーダンスを、
ボンディングワイヤ１１４を通してＭＭＩＣのインピー
ダンスに整合させるために、ＭＭＩＣ付近のマイクロス
トリップ１１２のジオメトリをインピーダンス整合用形
状１１６によって変更することができる。付加的なボン
ディングワイヤ１１８が、ＭＭＩＣ １１０の入力／出
力ポートを別のマイクロストリップ１２２上の第２のイ
ンピーダンス整合用形状１２０に接続して、別の処理回
路（図示してない）に接続することができる。直流バイ
アス（または、他の信号）を、ボンディングワイヤ１３
０によって、バイア１２８からＭＭＩＣ １１０に印加
することができる。パッケージ１００は、集積された導
波管からマイクロストリップへの移行部分１２４（以下
「移行部分１２４」という）を更に含む。詳細を後述す
るように、移行部分１２４の周囲に複数のバイア１２６
が配置され、導波管構造の延長を形成している。プロー
ブ１１３（Ｔ字形プローブ、または、一般的にはＥ面プ
ローブ）をマイクロストリップ１１２から移行部分１２
４内へ伸ばして、信号をマイクロストリップ１１２に結
合することができる。プローブ１１３は、移行部分１２
４の中に（その下にグラウンドプレーンが存在しない）
金属形状として形成することができる。
【００１４】パッケージ１００の一面を図２に示す。図
２は、図１に示した多層集積回路パッケージ１００のＡ
−Ａ’矢視断面図である。パッケージ１００は、金属ベ
ース２０２、金属カバー２０４、リングフレーム２０
６、及び多層集積回路２０８（以下「回路２９８」とい
う）を含んでいる。回路２０８は、誘電性層２２２−２
３０によって分離された導電性層２１０−２２０（例え
ば、導電性金属で満たすことができる）を含んでいる。
直流バイアス及び信号経路を設けるために、どの導電性
層も選択的にパターン化できることに注目されたい。好
ましい実施例では、回路２０８は低温共焼成セラミック
（ＬＴＣＣ）から作られた誘電性層から形成されてい
る。回路２０８の導電性層２１０−２２０間の信号経路
（ミリメートル波信号、直流電力、接地、及びデータを
含む）を設けるために、回路２０８内にバイア２３２が
導入されている。パッケージ１００は、図３（図１のＢ
−Ｂ’矢視の移行部分１２４の断面図である）を参照し
て詳細を以下に説明する導波管構造を更に含んでいる。
【００１５】図３に示す導波管構造２３４は、回路２０
８の製造プロセスの一部として直接的に製造することが
できる。それによって回路２０８はハーメチックシール
されたままとなり、製造が容易である。導波管構造２３
４は、例えば誘電性層２２２−２２６を打ち抜き、適切
な位置において導電性層２１０−２１６をスクリーンパ
ターンニングし、打ち抜いた領域の表面上に電磁的に反
射性の被膜２３６を沈積させて導波管構造２３４内に信
号反射を与えることによって作ることができる。導波管
構造２３４は、金属ベース２０２内の開口２３８を通し
て、例えばフィードホーン（図示してない）のような受
信または送信構造に結合される。代替実施例では、導波
管構造２３４の内側の反射性被膜２３６の他に、または
その置換として、めっきされた一連のバイアが導波管構
造２３４を取り囲む誘電性層２２２−２２６を通して伸
びている。
【００１６】誘電性層２２２−２３０の少なくとも１つ
の誘電性層が導波管の経路内に残されており、マイクロ
ストリップ１１２のための支持体になっている。信号は
導波管２３４に沿って走行し、例えば誘電性層２２８−
２３０を通過することができる。しかしながら、信号は
拘束を受けずに誘電性層２２８−２３０を通って走行す
るのではない。そうではなく、バイア１２６が、導波管
構造２３４の導波管延長を形成している。この目的のた
めに、バイア１２６は、それらを通して金属でめっきし
てあり（好ましい実施例では、バイア１２６は金属で完
全に満たしてある）、金属リング２０６に接触して接地
されている。その結果、信号は導波管２３４、誘電性層
２２８−２３０を通って移行部分１２４へ進む。本発明
の一実施例では、バイアの直径は 0.010" 乃至 0.018"
の範囲である。
【００１７】移行部分１２４は、信号をマイクロストリ
ップ１１２に結合する。導波管２３４及び誘電性層２２
８−２３０を通過した信号は、金属カバー２０４が被さ
れている金属リング２０６によって反射される。それに
よって、金属カバー２０４は導波管構造２３４のための
バックショートとして働く。その結果、信号は移行部分
１２４の中に閉じ込められ、マイクロストリップ１１２
に結合される。更に図３を参照する。マイクロストリッ
プ１１２は誘電性層２３０の上側１０２上に配置され、
誘電性層２３０によって完全に支持されているように示
されている。しかしながら、導電性層２１８は、導波管
構造２３４の上、マイクロストリップ１１２の下、及び
マイクロストリップ１２２の下の部分が除去されてい
る。導電性層２１６は、マイクロストリップ１１２及び
１２２のためのグラウンドプレーンを形成することがで
きる。従って、信号は誘電性層２２８及び２３０を通っ
て導波管構造２３４を上方へ走行し、移行部分１２４内
へ達することができる。誘電性層の数は、動作周波数に
依存して調整することができる。金属カバー２０４及び
金属リング２０６は、信号を移行部分１２４の内側に閉
じ込める。マイクロストリップ１１２が移行部分１２４
内に伸び、移行部分１２４内の信号に曝されるので、信
号はマイクロストリップ１１２へ結合され、ＭＭＩＣ
１１０によって処理することができる。
【００１８】ＭＭＩＣ １１０（及び、一般的に他の処
理回路）は、典型的に、動作中に熱を発生する。従っ
て、ＭＭＩＣ １１０を保護するために回路２０８内に
ヒートシンクを設けることができる。ヒートシンクは、
例えばＭＭＩＣ １１０から熱を引出し、それによりＭ
ＭＩＣ １１０を誤動作から防ぐために使用することが
できる。ヒートシンクを実現するために使用できる１つ
の構造は、ＭＭＩＣ １１０の下側に配置したバイア構
造３０４である。このバイア構造３０４は、スルーめっ
きされた、または金属を満たしたバイアを密にパックし
た領域を使用し、高濃度の金属を有する領域を形成して
いる。金属は、典型的に高い熱伝導経路を提供するの
で、バイア構造３０４はＭＭＩＣ １１０から回路２０
８の領域まで熱を引出し、その熱を例えば金属ベース２
０２において効果的に消散させるように働く。
【００１９】図４に示す金属ベース２０２、回路２０
８、及び金属リング２０６は、回路モジュール４０２の
部分を構成している。回路２０８は、金属ベース２０２
と金属リング２０６との間に配置される。金属カバー
（図示してない）は、例えばレーザ溶接によって金属リ
ング２０６の上側に接続され、導波管空洞のためのバッ
クショートを含む完成した回路モジュール４０２の一実
施例を形成している。回路モジュール４０２の一実施例
では、金属ベース２０２は銅・タングステンで形成さ
れ、金属リング２０６はＬＴＣＣ回路２０８と両立可能
な熱膨張係数を有するろう付けされた金属リングとして
形成されている。金属ベース２０２、回路２０８、金属
リング２０６、及び金属カバー２０４は、好ましくはハ
ーメチックシールされたパッケージを形成する。ＭＭＩ
Ｃ １１０への、及び、例えばパターン化された導電性
層２２０への直流バイアスは、金属ベース２０２内の孔
４０４、回路２０８内のバイア２３２を通して送ること
ができる。それによって、直流バイアス（または他の信
号）は、バイア１２８からボンディングワイヤ１３０に
よってＭＭＩＣ １１０へ接続することができる。代替
として、直流バイアスはパッケージ２０８の側から、パ
ターン化された導電性層２１０−２２０の何れかを通し
て外部源へ接続することができる。
【００２０】以上に本発明の特定の要素、実施例、及び
応用を説明したが、当分野に精通していればこの説明か
ら多くの変更を考案できるであろうから、この説明が本
発明を限定すものではない。本発明の思想及び範囲内に
入るこれらの変更及び特色の組み込みは、特許請求の範
囲によってカバーされることを意図している。
【図面の簡単な説明】
【図１】導波管からマイクロストリップへの移行部分を
有する多層集積回路パッケージの概要上面図である。
【図２】図１に示す多層集積回路パッケージのＡ−Ａ’
矢視断面図である。
【図３】図１に示す多層集積回路パッケージのＢ−Ｂ’
矢視断面図である。
【図４】導波管からマイクロストリップへの移行部分を
有する完全にハーメチックシールされたパッケージを形
成するために使用できる構成要素の分解図である。
【符号の説明】
１００ 多層集積回路パッケージ １０２ 誘電性層の上側 １０４ 導電性被膜 １０６、１０８ ランド領域 １１０ ミリメートル波モノリシック集積回路（ＭＭＩ
Ｃ） １１２、１２２ マイクロストリップ １１３ プローブ １１４、１１８、１３０ ボンディングワイヤ（リボ
ン） １１６、１２０ インピーダンス整合用形状 １２４ 導波管かマイクロストリップへの移行部分 １２６、１２８ バイア ２０２ 金属ベース ２０４ 金属カバー ２０６ リングフレーム ２０８ 多層集積回路 ２１０−２２０ 導電性層 ２２２−２３０ 誘電性層 ２３２ バイア ２３４ 導波管構造 ２３６ 反射性被膜 ２３８ 開口 ３０４ バイア構造（ヒートシンク） ４０２ 回路モジュール ４０４ 孔
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 ランディー ジェイ デュプイレイ アメリカ合衆国 カリフォルニア州 90266 マンハッタン ビーチ ナイン ス ストリート 1545 (72)発明者 ラケル ティー ヴィルエージス アメリカ合衆国 カリフォルニア州 90278 レドンド ビーチ ハンティン トン レーン 2506−４ (56)参考文献 特開 平６−204701（ＪＰ，Ａ) 特開 平８−310864（ＪＰ，Ａ) 特開 昭59−49003（ＪＰ，Ａ) 特開 平８−162810（ＪＰ，Ａ) 米国特許4716386（ＵＳ，Ａ) 米国特許4562416（ＵＳ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) H01P 5/107

Claims (35)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 導波管からマイクロストリップへの移行
    部分において、 上側及び下側を有する第１の誘電性層、上側及び下側を
    有する第２の誘電性層、及び上記第１の誘電性層の下側
    と上記第２の誘電性層の上側との間に配置されている第
    １の導電性層を含む多層基体であって、上記第２の誘電
    性層が導波管を形成する開口を有し、上記第１の導電性
    層が導波管を形成する開口であって上記第２の誘電性層
    の開口と整列する開口を有する、上記多層基体と、 上記第１の誘電性層の上記上側に被膜され、上記第２の
    誘電性層の開口と整列する開口を有する導電性被膜と、 少なくとも上記第１の誘電性層内に位置している導波管
    の延長と、 上記導電性被膜により定められる開口の内側において上
    記第１の誘電性層の上記上側に位置するマイクロストリ
    ップと、 を備えていることを特徴とする導波管からマイクロスト
    リップへの移行部分。
  2. 【請求項２】 上記導波管の延長は、複数のスルーめっ
    きされたバイアからなる請求項１に記載の導波管からマ
    イクロストリップへの移行部分。
  3. 【請求項３】 上記複数のスルーめっきされたバイア
    は、上記導波管の周囲の外形を近似している請求項２に
    記載の導波管からマイクロストリップへの移行部分。
  4. 【請求項４】 上記複数のスルーめっきされたバイア
    は、金属で満たされている請求項２に記載の導波管から
    マイクロストリップへの移行部分。
  5. 【請求項５】 上記複数のスルーめっきされたバイア
    は、接地参照に接続されている請求項２に記載の導波管
    からマイクロストリップへの移行部分。
  6. 【請求項６】 上記複数のスルーめっきされたバイア
    は、上記導波管の周囲の外形を近似している請求項５に
    記載の導波管からマイクロストリップへの移行部分。
  7. 【請求項７】 少なくとも１つの付加的な誘電性層と、
    少なくとも１つの付加的な導電性層とを更に備え、上記
    導波管は上記少なくとも１つの付加的な誘電性層及び上
    記少なくとも１つの付加的な導電性層を通して続いてい
    る請求項１に記載の導波管からマイクロストリップへの
    移行部分。
  8. 【請求項８】 上記第１の誘電性層及び上記第２の誘電
    性層は、低温共焼成セラミックからなる請求項２に記載
    の導波管からマイクロストリップへの移行部分。
  9. 【請求項９】 上記複数のスルーめっきされたバイア
    は、接地に接続されている請求項８に記載の導波管から
    マイクロストリップへの移行部分。
  10. 【請求項１０】 上記複数のスルーめっきされたバイア
    は、上記導波管の周囲の外形を近似している請求項５に
    記載の導波管からマイクロストリップへの移行部分。
  11. 【請求項１１】 上記導波管境界は、複数のスルーめっ
    きされたバイアからなる請求項１に記載の導波管からマ
    イクロストリップへの移行部分。
  12. 【請求項１２】 上記複数のスルーめっきされたバイア
    は、上記導波管を限定している上記壁の周囲の外形を近
    似している請求項５に記載の導波管からマイクロストリ
    ップへの移行部分。
  13. 【請求項１３】 上記導波管の延長は、複数のスルーめ
    っきされたバイアからなる請求項１１に記載の導波管か
    らマイクロストリップへの移行部分。
  14. 【請求項１４】 上記複数のスルーめっきされたバイア
    は、上記ランド領域の周囲の外形を近似している請求項
    １３に記載の導波管からマイクロストリップへの移行部
    分。
  15. 【請求項１５】 回路モジュールにおいて、 上側及び下側を有する第１の誘電性層、上側及び下側を
    有する第２の誘電性層、及び上記第１の誘電性層の下側
    と上記第２の誘電性層の上側との間に配置されている第
    １の導電性層を含む多層基体であって、上記第２の誘電
    性層が導波管を形成する開口を有し、上記第１の導電性
    層が導波管を形成する開口であって上記第２の誘電性層
    の開口と整列する開口を有する、上記多層基体と、 上記第１の誘電性層の上記上側に被膜され、上記第２の
    誘電性層の開口と整列する開口を有する導電性被膜と、 少なくとも上記第１の誘電性層内に位置している導波管
    の延長と、 上記導電性被膜により定められる開口の内側において上
    記第１の誘電性層の上記上側に位置するマイクロストリ
    ップと、 上記多層基体を支持するようになっており、上記第２の
    誘電性層の開口と整列する開口を有する金属ベースと、 上記多層基体によって支持され、上記第２の誘電性層の
    開口と整列する金属リングと、 上記金属リングの上側の金属カバーと、 を備えていることを特徴とする回路モジュール。
  16. 【請求項１６】 上記金属ベース、上記金属リング、上
    記金属カバー、及び上記多層基体は、ハーメチックシー
    ルされたパッケージを構成している請求項１５に記載の
    回路モジュール。
  17. 【請求項１７】 上記金属ベースは、銅・タングステン
    合金からなる請求項１５に記載の回路モジュール。
  18. 【請求項１８】 上記金属リングは、接地に接続されて
    いる請求項１５に記載の回路モジュール。
  19. 【請求項１９】 上記導波管の延長は、複数のスルーめ
    っきされたバイアからなる請求項１５に記載の回路モジ
    ュール。
  20. 【請求項２０】 上記複数のスルーめっきされたバイア
    は、上記導波管の周囲の外形を近似している請求項１９
    に記載の回路モジュール。
  21. 【請求項２１】 上記マイクロストリップに接続されて
    いる少なくとも１つの処理回路を更に備えている請求項
    ２０に記載の回路モジュール。
  22. 【請求項２２】 上記少なくとも１つの処理回路に近接
    して位置するヒートシンクを更に備えている請求項２１
    に記載の回路モジュール。
  23. 【請求項２３】 上記ヒートシンクは、上記処理回路の
    下に位置する複数のスルーめっきされたバイアからなる
    請求項２２に記載の回路モジュール。
  24. 【請求項２４】 上記少なくとも１つの処理回路は、Ｍ
    ＭＩＣからなる請求項２１に記載の回路モジュール。
  25. 【請求項２５】 上記導波管境界は、複数のスルーめっ
    きされたバイアからなる請求項１５に記載の回路モジュ
    ール。
  26. 【請求項２６】 上記複数のスルーめっきされたバイア
    は、上記導波管を限定している上記壁の周囲の外形を近
    似している請求項２５に記載の回路モジュール。
  27. 【請求項２７】 上記導波管の延長は、複数のスルーめ
    っきされたバイアからなる請求項１５に記載の回路モジ
    ュール。
  28. 【請求項２８】 上記複数のスルーめっきされたバイア
    は、上記導波管の周囲の外形を近似している請求項２７
    に記載の回路モジュール。
  29. 【請求項２９】 少なくとも１つの付加的な誘電性層
    と、少なくとも１つの付加的な導電性層とを更に備え、
    上記導波管は上記少なくとも１つの付加的な誘電性層及
    び上記少なくとも１つの付加的な導電性層を通して続い
    ている請求項１５に記載の回路モジュール。
  30. 【請求項３０】 導波管を形成する開口を有する導電性
    材料のベースと、 上記ベースの上側に配置された誘電体と導電体の交互層
    であって、上記誘電体と導電体の各層が、導波管を形成
    する前記ベースの開口と整列する開口を有する上記交互
    層と、 上記誘電体と導電体の交互層の上側に位置する少なくと
    も１つの誘電性シール層であって、上記誘電体と導電体
    の交互層の全開口にまたがって延びており且つ上記誘電
    体と導電体の交互層の開口を囲む導波管の延長を形成す
    る複数の金属化バイアを有する上記シール層と、 上記シール層の上側に位置し、上記誘電体と導電体の交
    互層の開口と整列するマイクロストリップと、 上記マイクロストリップを囲む導波管を形成する上記ベ
    ースの開口と整列する上記シール層の上側に位置する導
    電性材料のリングフレームと、 上記リングフレームの上側に位置する導電性材料の蓋
    と、 を備えていることを特徴とする導波管からマイクロスト
    リップへの移行部分。
  31. 【請求項３１】 上記誘電体と導電体の交互層により形
    成された導波管の表面上に、金属導電性被膜が配置され
    ている請求項３０に記載の導波管からマイクロストリッ
    プへの移行部分。
  32. 【請求項３２】 上記シール層が、上記誘電体と導電体
    の交互層の開口を囲む複数の金属化バイアの複数の列を
    含み、上記バイアの各金属化列は、上記開口からそれぞ
    れ異なる距離に位置する請求項３０に記載の導波管から
    マイクロストリップへの移行部分。
  33. 【請求項３３】 上記マイクロストリップに接続された
    少なくとも１つの処理回路と、上記少なくとも１つの処
    理回路に近接して位置するヒートシンクとを更に備えて
    いる請求項３０に記載の導波管からマイクロストリップ
    への移行部分。
  34. 【請求項３４】 上記ヒートシンクは、上記処理回路の
    下に位置する複数の金属化バイアからなる請求項３３に
    記載の導波管からマイクロストリップへの移行部分。
  35. 【請求項３５】 上記ヒートシンクは、複数の金属化バ
    イアにより上記処理回路に接続された上記導電性材料の
    ベースからなる請求項３３に記載の導波管からマイクロ
    ストリップへの移行部分。
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