JPH08310864A - 誘電体磁器の製造方法及び積層型誘電体部品の製造方法 - Google Patents
誘電体磁器の製造方法及び積層型誘電体部品の製造方法Info
- Publication number
- JPH08310864A JPH08310864A JP7115520A JP11552095A JPH08310864A JP H08310864 A JPH08310864 A JP H08310864A JP 7115520 A JP7115520 A JP 7115520A JP 11552095 A JP11552095 A JP 11552095A JP H08310864 A JPH08310864 A JP H08310864A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- dielectric
- react
- copper component
- component
- dielectric porcelain
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Inorganic Insulating Materials (AREA)
- Control Of Motors That Do Not Use Commutators (AREA)
- Compositions Of Oxide Ceramics (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 比誘電率と無負荷Ｑ値を共に高く保ちなが
ら、緻密に低温焼成可能なマイクロ波領域で使用される
誘電体磁器と積層型誘電体部品を提供することを目的と
する。 【構成】 ビスマス−カルシウム−ニオブとを主成分と
するセラミック粉末を予め反応させた後、副成分として
銅成分を添加してシート状誘電体を形成し、次に複数の
このシート状誘電体と複数の内部導体とを交互に積層し
て積層体を形成して焼成し、その後この積層体に入出力
電極を形成する。
ら、緻密に低温焼成可能なマイクロ波領域で使用される
誘電体磁器と積層型誘電体部品を提供することを目的と
する。 【構成】 ビスマス−カルシウム−ニオブとを主成分と
するセラミック粉末を予め反応させた後、副成分として
銅成分を添加してシート状誘電体を形成し、次に複数の
このシート状誘電体と複数の内部導体とを交互に積層し
て積層体を形成して焼成し、その後この積層体に入出力
電極を形成する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明はマイクロ波やミリ波等の
高周波領域で使用される誘電体磁器の製造方法及び積層
型誘電体部品の製造方法に関するものである。
高周波領域で使用される誘電体磁器の製造方法及び積層
型誘電体部品の製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】近年、自動車電話、携帯電話、衛星放送
等、マイクロ波領域の電磁波を利用する通信の増加に伴
い、機器や機器を構成する例えばフィルタ素子や共振器
等の誘電体部品の小型化が求められている。このような
誘電体部品を小型化するには、比誘電率が高く、マイク
ロ波領域で低損失であること、すなわち無負荷Ｑ値が高
いこと、及び共振周波数の温度変化が小さいこと、すな
わち誘電率の温度変化が小さいことが重要となる。
等、マイクロ波領域の電磁波を利用する通信の増加に伴
い、機器や機器を構成する例えばフィルタ素子や共振器
等の誘電体部品の小型化が求められている。このような
誘電体部品を小型化するには、比誘電率が高く、マイク
ロ波領域で低損失であること、すなわち無負荷Ｑ値が高
いこと、及び共振周波数の温度変化が小さいこと、すな
わち誘電率の温度変化が小さいことが重要となる。
【０００３】一方、導体と誘電体磁器組成物を積層構造
にすることによって、共振器等の部品を小型化、高機能
化しようとする試みが行われている。しかし、マイクロ
波のような高周波領域で使用する場合、高い導電率を持
つ導体が必要で、Ｃｕ、Ａｕ、Ａｇあるいはそれらの合
金を使用する必要がある。しかも、積層構造にする場合
には、誘電体材料と導体の金属とを同時に焼成する必要
があるため、導体金属が融解せず、かつ酸化しない焼成
条件、すなわち１０５０℃以下の低温で緻密に焼結する
誘電体磁器組成物が必要となる。
にすることによって、共振器等の部品を小型化、高機能
化しようとする試みが行われている。しかし、マイクロ
波のような高周波領域で使用する場合、高い導電率を持
つ導体が必要で、Ｃｕ、Ａｕ、Ａｇあるいはそれらの合
金を使用する必要がある。しかも、積層構造にする場合
には、誘電体材料と導体の金属とを同時に焼成する必要
があるため、導体金属が融解せず、かつ酸化しない焼成
条件、すなわち１０５０℃以下の低温で緻密に焼結する
誘電体磁器組成物が必要となる。
【０００４】このような条件を満足する誘電体材料とし
て、ＢｉＯ3/2−ＣａＯ−ＮｂＯ5/2系が特開平５−２２
５８２６号公報に開示されている。この誘電体材料は比
誘電率と無負荷Ｑ値が共に高く、共振周波数の温度係数
が小さく、その上低温焼結が可能な誘電体磁器組成物と
して提供されたものである。
て、ＢｉＯ3/2−ＣａＯ−ＮｂＯ5/2系が特開平５−２２
５８２６号公報に開示されている。この誘電体材料は比
誘電率と無負荷Ｑ値が共に高く、共振周波数の温度係数
が小さく、その上低温焼結が可能な誘電体磁器組成物と
して提供されたものである。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながらこの従来
の誘電体磁器組成物は、十分に低温焼結させるために酸
化銅を添加物として用いていたが、原料粉末を一度に混
合し焼成していたため、結晶粒内に銅成分が多く取り込
まれた問題点を有していた。
の誘電体磁器組成物は、十分に低温焼結させるために酸
化銅を添加物として用いていたが、原料粉末を一度に混
合し焼成していたため、結晶粒内に銅成分が多く取り込
まれた問題点を有していた。
【０００６】本発明はこのような問題点を解決するもの
で、比誘電率と無負荷Ｑ値とを共に高く維持しながら、
緻密に低温焼結させるための誘電体磁器を提供すること
を目的とするものである。
で、比誘電率と無負荷Ｑ値とを共に高く維持しながら、
緻密に低温焼結させるための誘電体磁器を提供すること
を目的とするものである。
【０００７】
【課題を解決するための手段】この目的を達成するため
に、本発明の誘電体磁器の製造方法は、ビスマスとカル
シウムとニオブとを主成分とするセラミック粉末を予め
反応させた後、副成分として銅成分を添加して反応させ
るものである。
に、本発明の誘電体磁器の製造方法は、ビスマスとカル
シウムとニオブとを主成分とするセラミック粉末を予め
反応させた後、副成分として銅成分を添加して反応させ
るものである。
【０００８】
【作用】このような構成によって、誘電体磁器の結晶粒
内に取り込まれる銅成分を少なくできるので、比誘電率
と無負荷Ｑ値とを共に低下させることなく低温焼結化が
実現できることとなる。さらに、この誘電体磁器の製造
方法を用いることにより、小型で高性能な積層型誘電体
部品が提供できることとなる。
内に取り込まれる銅成分を少なくできるので、比誘電率
と無負荷Ｑ値とを共に低下させることなく低温焼結化が
実現できることとなる。さらに、この誘電体磁器の製造
方法を用いることにより、小型で高性能な積層型誘電体
部品が提供できることとなる。
【０００９】
（実施例１）以下、本発明の第１の実施例について詳細
に説明する。
に説明する。
【００１０】出発原料として高純度のＢｉ2Ｏ3、ＣａＣ
Ｏ3及びＮｂ2Ｏ5を（表１）に示した組成になるように
秤量した。
Ｏ3及びＮｂ2Ｏ5を（表１）に示した組成になるように
秤量した。
【００１１】
【表１】
【００１２】次にこれらの粉末をポリエチレン製のボー
ルミルに入れ、安定化ジルコニア製の玉石及び純水を加
え５〜２０時間湿式混合した。得られた混合粉をアルミ
ナ製の容器に入れ７００〜９００℃で１〜３時間仮焼し
た。仮焼粉とＣｕＯを（表１）に示した組成になるよう
に秤量し、前記ボールミルに入れ安定化ジルコニア製の
玉石及び純水を加え、５〜２０時間湿式で粉砕し原料粉
体とした。
ルミルに入れ、安定化ジルコニア製の玉石及び純水を加
え５〜２０時間湿式混合した。得られた混合粉をアルミ
ナ製の容器に入れ７００〜９００℃で１〜３時間仮焼し
た。仮焼粉とＣｕＯを（表１）に示した組成になるよう
に秤量し、前記ボールミルに入れ安定化ジルコニア製の
玉石及び純水を加え、５〜２０時間湿式で粉砕し原料粉
体とした。
【００１３】この原料粉体にバインダとしてポリビニル
アルコールの５％水溶液を５〜１０ｗｔ％加えて造粒
し、３０メッシュのふるいを通して整粒した後、１００
ＭＰａで直径１３ｍｍ、厚み５〜７ｍｍの円柱状に成形
した。得られた成形体をマグネシア製の容器に入れ、６
００〜６５０℃で１〜３時間加熱してバインダを焼却し
た後、８５０〜１０５０℃で１〜４時間焼成して焼結体
を得た。
アルコールの５％水溶液を５〜１０ｗｔ％加えて造粒
し、３０メッシュのふるいを通して整粒した後、１００
ＭＰａで直径１３ｍｍ、厚み５〜７ｍｍの円柱状に成形
した。得られた成形体をマグネシア製の容器に入れ、６
００〜６５０℃で１〜３時間加熱してバインダを焼却し
た後、８５０〜１０５０℃で１〜４時間焼成して焼結体
を得た。
【００１４】得られた焼結体の密度はアルキメデス法に
よって測定した。そして、得られた焼結体のうち密度が
最高になる温度で焼成した焼結体について両面を研磨
し、マイクロ波での誘電特性を測定した。測定は誘電体
共振法によって行い、比誘電率（以下εrと記す）、無
負荷Ｑ値（以下Ｑ値と記す）、共振周波数の温度係数
（以下τfと記す）を算出した。εr及びＱ値の測定にお
いて、共振周波数は３〜５ＧＨｚであった。τfは−２
５〜８５℃の範囲で測定した。測定試料は各々１０個作
製して特性評価した。結果を（表１）に示す。
よって測定した。そして、得られた焼結体のうち密度が
最高になる温度で焼成した焼結体について両面を研磨
し、マイクロ波での誘電特性を測定した。測定は誘電体
共振法によって行い、比誘電率（以下εrと記す）、無
負荷Ｑ値（以下Ｑ値と記す）、共振周波数の温度係数
（以下τfと記す）を算出した。εr及びＱ値の測定にお
いて、共振周波数は３〜５ＧＨｚであった。τfは−２
５〜８５℃の範囲で測定した。測定試料は各々１０個作
製して特性評価した。結果を（表１）に示す。
【００１５】（表１）において、＊印を付したものは最
初の秤量時からＣｕＯを加える従来の方法によるもの及
びＣｕＯを添加しない基準となるもので、本発明の請求
の範囲外の比較例である。
初の秤量時からＣｕＯを加える従来の方法によるもの及
びＣｕＯを添加しない基準となるもので、本発明の請求
の範囲外の比較例である。
【００１６】この（表１）から明らかなように、同一組
成で比較したとき、本発明によれば、εrやＱ値はあま
り変化がなく安定した特性の誘電体磁器が得られてい
る。
成で比較したとき、本発明によれば、εrやＱ値はあま
り変化がなく安定した特性の誘電体磁器が得られてい
る。
【００１７】このように最初の秤量時にＣｕＯを添加し
ておいて反応させるよりも、ＣｕＯを除いた原料を予め
反応させた仮焼物にＣｕＯを添加して焼結させる方が、
εrやＱ値の劣化を防止できる。これは結晶粒内に取り
込まれる銅成分を減少させることにより、誘電体特性の
劣化を抑制できるものと思われる。
ておいて反応させるよりも、ＣｕＯを除いた原料を予め
反応させた仮焼物にＣｕＯを添加して焼結させる方が、
εrやＱ値の劣化を防止できる。これは結晶粒内に取り
込まれる銅成分を減少させることにより、誘電体特性の
劣化を抑制できるものと思われる。
【００１８】以上のことから明らかなように、本実施例
による誘電体磁器の製造方法によれば、予め銅成分を除
く成分のみを反応させ、その後前記反応物と酸化銅と反
応させることにより、誘電体磁器の結晶粒内に取り込ま
れる銅成分を少なくできるので、比誘電率と無負荷Ｑ値
とを共に低下させることなく低温焼結化が実現できるこ
ととなるものである。
による誘電体磁器の製造方法によれば、予め銅成分を除
く成分のみを反応させ、その後前記反応物と酸化銅と反
応させることにより、誘電体磁器の結晶粒内に取り込ま
れる銅成分を少なくできるので、比誘電率と無負荷Ｑ値
とを共に低下させることなく低温焼結化が実現できるこ
ととなるものである。
【００１９】（実施例２）以下、本発明の第２の実施例
について図面を参照しながら詳細に説明する。
について図面を参照しながら詳細に説明する。
【００２０】図１は本実施例の積層型誘電体共振器の正
面断面図、図２は本実施例の積層型誘電体共振器の側面
断面図、図３は本実施例の積層型誘電体共振器の斜視図
である。図中の１は誘電体層、２，３，４は内部導体
層、５は外部電極である。
面断面図、図２は本実施例の積層型誘電体共振器の側面
断面図、図３は本実施例の積層型誘電体共振器の斜視図
である。図中の１は誘電体層、２，３，４は内部導体
層、５は外部電極である。
【００２１】出発原料として高純度のＢｉ2Ｏ3、ＣａＣ
Ｏ3、Ｎｂ2Ｏ5及びＣｕＯを用い、（表１）中の試料番
号８及び１１に示した組成になるように秤量した。原料
粉体の作製は実施例１と同様の方法により行った。得ら
れた原料粉体に、有機バインダ、溶剤及び可塑剤を加え
て混合し、ドクターブレード法により誘電体グリーンシ
ートに成形した。導体電極としては、（表２）に示した
金属を選びビヒクルと混練してペースト化した。
Ｏ3、Ｎｂ2Ｏ5及びＣｕＯを用い、（表１）中の試料番
号８及び１１に示した組成になるように秤量した。原料
粉体の作製は実施例１と同様の方法により行った。得ら
れた原料粉体に、有機バインダ、溶剤及び可塑剤を加え
て混合し、ドクターブレード法により誘電体グリーンシ
ートに成形した。導体電極としては、（表２）に示した
金属を選びビヒクルと混練してペースト化した。
【００２２】
【表２】
【００２３】ただし、導体電極としてＣｕを用いる場合
はＣｕＯペーストを用いた。図４は本実施例における積
層型誘電体部品の分解平面図である。まず、成形した誘
電体グリーンシート複数枚からなる誘電体層１の上に、
内部導体層２をスクリーン印刷した。その上に誘電体層
１を設け、その上に内部導体層３をスクリーン印刷し
た。ストリップラインとなる内部導体層３の長さは１３
ｍｍとした。さらにその上に誘電体層１を設け、内部導
体層４をスクリーン印刷した。最後に、誘電体層１を設
け、プレスで圧着し空気中で熱処理してバインダを焼却
した。その後、ＣｕＯペーストを用いた場合は、水素中
で熱処理して導体電極をＣｕに還元した後、導体電極が
酸化しないように窒素中で、その他の導体電極の場合は
空気中で、それぞれ９２５℃で焼成した。最後に、外部
電極５としてＣｕ電極を窒素雰囲気中で焼き付けて積層
型誘電体共振器を得た。焼成後のストリップラインとな
る内部導体層３の長さは１１．４から１１．５ｍｍであ
った。測定試料は各々１０個作製して特性評価した。結
果を（表２）に示す。
はＣｕＯペーストを用いた。図４は本実施例における積
層型誘電体部品の分解平面図である。まず、成形した誘
電体グリーンシート複数枚からなる誘電体層１の上に、
内部導体層２をスクリーン印刷した。その上に誘電体層
１を設け、その上に内部導体層３をスクリーン印刷し
た。ストリップラインとなる内部導体層３の長さは１３
ｍｍとした。さらにその上に誘電体層１を設け、内部導
体層４をスクリーン印刷した。最後に、誘電体層１を設
け、プレスで圧着し空気中で熱処理してバインダを焼却
した。その後、ＣｕＯペーストを用いた場合は、水素中
で熱処理して導体電極をＣｕに還元した後、導体電極が
酸化しないように窒素中で、その他の導体電極の場合は
空気中で、それぞれ９２５℃で焼成した。最後に、外部
電極５としてＣｕ電極を窒素雰囲気中で焼き付けて積層
型誘電体共振器を得た。焼成後のストリップラインとな
る内部導体層３の長さは１１．４から１１．５ｍｍであ
った。測定試料は各々１０個作製して特性評価した。結
果を（表２）に示す。
【００２４】（表２）において、＊印を付したものは最
初の秤量時からＣｕＯを加える従来の方法によるもので
本発明の請求の範囲外の比較例である。
初の秤量時からＣｕＯを加える従来の方法によるもので
本発明の請求の範囲外の比較例である。
【００２５】この（表２）から明らかなように、本実施
例により、共振周波数がいずれも８５０ＭＨｚ前後、Ｑ
値は２００以上と高い優れた積層型誘電体共振器が得ら
れる。従来知られている低温焼成基板材料の比誘電率は
８程度であるため、本実施例の共振器と同一の構造で同
一の共振周波数を得るためには３１．５ｍｍのストリッ
プライン長が必要となる。しかし本発明の誘電体磁器組
成物の比誘電率は約６０と高いため、ストリップライン
長は１１．５ｍｍと短くすることができ、８５０ＭＨｚ
の誘電体共振器としては非常に小型で優れた特性のもの
が安定して得られる。
例により、共振周波数がいずれも８５０ＭＨｚ前後、Ｑ
値は２００以上と高い優れた積層型誘電体共振器が得ら
れる。従来知られている低温焼成基板材料の比誘電率は
８程度であるため、本実施例の共振器と同一の構造で同
一の共振周波数を得るためには３１．５ｍｍのストリッ
プライン長が必要となる。しかし本発明の誘電体磁器組
成物の比誘電率は約６０と高いため、ストリップライン
長は１１．５ｍｍと短くすることができ、８５０ＭＨｚ
の誘電体共振器としては非常に小型で優れた特性のもの
が安定して得られる。
【００２６】なお、ストリップラインを曲線状や、積層
状にすることでより小型の共振器を得ることも可能であ
る。また、これらとキャパシタとを組み合わせることに
よりバンドパスフィルタ等を構成することも可能であ
る。
状にすることでより小型の共振器を得ることも可能であ
る。また、これらとキャパシタとを組み合わせることに
よりバンドパスフィルタ等を構成することも可能であ
る。
【００２７】なお、実施例においては出発原料として、
Ｂｉ2Ｏ3、ＣａＣＯ3、Ｎｂ2Ｏ5、ＣｕＯを用いたがそ
れぞれ、酸化物、炭酸塩に限らず、水酸化物、硝酸塩等
を用いたとしても同様の効果がある。
Ｂｉ2Ｏ3、ＣａＣＯ3、Ｎｂ2Ｏ5、ＣｕＯを用いたがそ
れぞれ、酸化物、炭酸塩に限らず、水酸化物、硝酸塩等
を用いたとしても同様の効果がある。
【００２８】また、主成分ｘＢｉＯ3/2−ｙＣａＯ−ｚ
ＮｂＯ5/2は、（表１）にもあるように、ｘ＋ｙ＋ｚ＝
１でｘは０．４３〜０．５５、ｙは０．１７〜０．２
１、ｚは０．２８〜０．３７のモル比となるように混合
し、Ｃｕの添加量はＣｕ／（Ｂｉ＋Ｃａ＋Ｎｂ）のモル
比が０．０１〜０．０６となるようにした。
ＮｂＯ5/2は、（表１）にもあるように、ｘ＋ｙ＋ｚ＝
１でｘは０．４３〜０．５５、ｙは０．１７〜０．２
１、ｚは０．２８〜０．３７のモル比となるように混合
し、Ｃｕの添加量はＣｕ／（Ｂｉ＋Ｃａ＋Ｎｂ）のモル
比が０．０１〜０．０６となるようにした。
【００２９】
【発明の効果】以上のように本発明によれば、酸化ビス
マス、酸化カルシウム及び酸化ニオブを主成分として含
有しかつ、添加物として銅成分を含有する誘電体磁器の
製造において、予め銅成分を除く成分のみを反応させ、
その後前記反応物と酸化銅と反応させることにより、誘
電体磁器の結晶粒内に取り込まれる銅成分を少なくでき
るので、比誘電率と無負荷Ｑ値とを共に低下させること
なく低温焼結化が実現できることとなる。また、この誘
電体磁器の製造方法を用いることにより、高導電率の導
体を用いた高周波領域で使用できる小型で高性能な積層
型誘電体部品が安定に提供できることとなる。特に、小
型の共振器系を構成することができるので、自動車電
話、携帯電話等のマイクロ波領域の電磁波を利用する通
信機器の小型化に寄与することが大である。
マス、酸化カルシウム及び酸化ニオブを主成分として含
有しかつ、添加物として銅成分を含有する誘電体磁器の
製造において、予め銅成分を除く成分のみを反応させ、
その後前記反応物と酸化銅と反応させることにより、誘
電体磁器の結晶粒内に取り込まれる銅成分を少なくでき
るので、比誘電率と無負荷Ｑ値とを共に低下させること
なく低温焼結化が実現できることとなる。また、この誘
電体磁器の製造方法を用いることにより、高導電率の導
体を用いた高周波領域で使用できる小型で高性能な積層
型誘電体部品が安定に提供できることとなる。特に、小
型の共振器系を構成することができるので、自動車電
話、携帯電話等のマイクロ波領域の電磁波を利用する通
信機器の小型化に寄与することが大である。
【図１】本発明の一実施例における積層型誘電体共振器
の正面断面図
の正面断面図
【図２】本発明の一実施例における積層型誘電体共振器
の側面断面図
の側面断面図
【図３】本発明の一実施例における積層型誘電体共振器
の斜視図
の斜視図
【図４】本発明の一実施例における積層型誘電体共振器
の分解平面図
の分解平面図
１ 誘電体層 ２ 内部導体層 ３ 内部導体層 ４ 内部導体層 ５ 外部電極
Claims (2)
- 【請求項１】 ビスマス−カルシウム−ニオブを主成分
とするセラミック粉末を予め反応させた後、副成分とし
て銅成分を添加して反応させる誘電体磁器の製造方法。 - 【請求項２】 ビスマス−カルシウム−ニオブを主成分
とするセラミック粉末を予め反応させた後、副成分とし
て銅成分を添加してシート状誘電体を形成し、次に複数
のこのシート状誘電体と複数の内部導体とを交互に積層
して積層体を形成して焼成し、その後この積層体に入出
力電極を形成する積層型誘電体部品の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7115520A JPH08310864A (ja) | 1995-05-15 | 1995-05-15 | 誘電体磁器の製造方法及び積層型誘電体部品の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7115520A JPH08310864A (ja) | 1995-05-15 | 1995-05-15 | 誘電体磁器の製造方法及び積層型誘電体部品の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08310864A true JPH08310864A (ja) | 1996-11-26 |
Family
ID=14664565
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7115520A Pending JPH08310864A (ja) | 1995-05-15 | 1995-05-15 | 誘電体磁器の製造方法及び積層型誘電体部品の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH08310864A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH11243307A (ja) * | 1997-11-26 | 1999-09-07 | Trw Inc | ミリメートル波ｌｔｃｃパッケージ |
-
1995
- 1995-05-15 JP JP7115520A patent/JPH08310864A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH11243307A (ja) * | 1997-11-26 | 1999-09-07 | Trw Inc | ミリメートル波ｌｔｃｃパッケージ |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP3562454B2 (ja) | 高周波用磁器、誘電体アンテナ、支持台、誘電体共振器、誘電体フィルタ、誘電体デュプレクサおよび通信機装置 | |
| JP5582406B2 (ja) | 高周波用誘電体磁器組成物及びその製造方法、高周波用誘電体磁器並びにその製造方法およびそれを用いた高周波回路素子 | |
| JP2798105B2 (ja) | 誘電体磁器組成物及び積層型マイクロ波デバイス | |
| JP3744660B2 (ja) | 誘電体磁器組成物及びこれを用いた誘電体共振器 | |
| JP2005053761A (ja) | 誘電体セラミック組成物およびこれを用いたセラミック電子部品 | |
| JP4155132B2 (ja) | 高周波用誘電体磁器組成物、誘電体共振器、誘電体フィルタ、誘電体デュプレクサおよび通信機装置 | |
| JP3375450B2 (ja) | 誘電体磁器組成物 | |
| JPH08310864A (ja) | 誘電体磁器の製造方法及び積層型誘電体部品の製造方法 | |
| JP4513076B2 (ja) | 高周波用誘電体磁器組成物、誘電体共振器、誘電体フィルタ、誘電体デュプレクサおよび通信機装置 | |
| JP4494931B2 (ja) | 誘電体磁器組成物及びこれを用いた電子部品 | |
| JPH0757540A (ja) | 誘電体磁器組成物とそれを用いた積層型誘電体部品 | |
| JP3329014B2 (ja) | 誘電体磁器組成物 | |
| JP3321980B2 (ja) | 誘電体磁器組成物及びこの誘電体磁器組成物を用いた積層型誘電体部品 | |
| JPH08310863A (ja) | 誘電体磁器の製造方法及び積層型誘電体部品の製造方法 | |
| JPH07201224A (ja) | 誘電体磁器組成物及び積層型誘電体部品 | |
| JP2837016B2 (ja) | 積層型マイクロ波デバイス及びその製造方法 | |
| JP3597244B2 (ja) | 誘電体磁器組成物 | |
| JPH0757539A (ja) | 誘電体磁器組成物とそれを用いた積層型誘電体部品 | |
| JPH0757538A (ja) | 誘電体磁器組成物とそれを用いた積層型誘電体部品 | |
| JPH08161934A (ja) | 誘電体磁器組成物の製造方法及び積層型誘電体部品の製造方法 | |
| EP0454172B1 (en) | Dielectric ceramic composition | |
| JP3215012B2 (ja) | 誘電体磁器組成物 | |
| KR100346029B1 (ko) | 저손실 고주파 유전체 조성물 및 그 제조 방법 | |
| JPH1134231A (ja) | 複合積層誘電体磁器部品 | |
| JPH07169331A (ja) | 誘電体磁器組成物および積層型マイクロ波素子 |