CN111276782A - 一种基于ltcc的宽带带通滤波器 - Google Patents

Abstract

本发明公开了一种基于LTCC的宽带带通滤波器。所述滤波器由一个高通滤波器和一个低通滤波器级联组成，其中高通滤波器由两个接地电感和一个串联电容组成π型结构实现高通滤波，低通滤波器利用三个电感与两个电容实现5阶巴特沃斯滤波器，再用三个电感并联三个电容实现五组并联谐振结构。电感采用内埋置螺旋式，电容采用内埋置MIM和VIC式。使用低温共烧陶瓷(LTCC)工艺技术实现三维集成，具有工作频带宽、带内平坦度高、带外抑制度高、反射损耗低、集成度高、膨胀系数低可大批量生产等优势，可以广泛使用在基站收发链路滤除杂散、音响设备频谱分析等多个通信领域中。

Description

一种基于LTCC的宽带带通滤波器

技术领域

本发明属于滤波器技术领域，特别是一种基于LTCC的宽带带通滤波器。

背景技术

传统的腔体波导带通滤波器一般有腔体、盖板和调试螺钉组成，体积较大重量较重不利于集成。并且本发明通过上下级联结构，减少的器件使用时的占用面积，解决了带通滤波器在微波电路中的应用缺陷，带通滤波器主要性能指标包括：截止频率、工作带宽、带内波动、带外抑制、驻波比等，带通滤波器在现代微波通信系统中的应用十分广泛，如应用于收发前端滤除信号杂散抑制高次谐波、音频信号的提取等。

LTCC(Low Temperature Co-fired Ceramic)工艺技术是低温共烧陶瓷技术的简称,是休斯公司于1982年开发的一种新型材料技术，该技术为共烧陶瓷多芯片组件(MCM-C)中的一种多层布线类型的基板技术。其是在800~950°的温度范围内，对含有导体图案和连接通孔的多层生瓷片进行精确对位叠压，然后共同烧结，并且基板表面可以通过挖孔或者表贴安装其它芯片元件，通过过孔与内部无源器件连接成一个整体，从而可以实现高布线密度、高集成度和高性能特点的微波毫米波多层器件、组件和系统。

发明内容

本发明的目的在于提供一种基于LTCC的宽带带通滤波器，通过低温共烧陶瓷（LTCC）三维集成技术实现，具有工作频带宽、带内波动小、带外抑制高、端口驻波小、集成度高、膨胀系数低、可大批量生产等优势。

实现本发明目的的技术方案是：一种基于LTCC的宽带带通滤波器，包括特征阻抗均为50欧姆的第一端口（P1）、第二端口（P2）、第三端口（P3）、第四端口（P4），第一屏蔽层（SD1）、第二屏蔽层（SD2）、第三屏蔽层（SD3）、第一连接线（CN1）、电感L1的第一短截线（L11）、第一连接柱（H1）、电感L1的第二短截线（L12）、第二连接柱（H2）、电感L1的第三短截线（L13）、第二连接线CN2、第三连接柱（H3）、第四连接柱（H4）、第三连接线CN3、电感L2的第一短截线（L21）、第五连接柱（H5）、电感L2的第二短截线（L22）、第六连接柱（H6）、电感L2的第三短截线（L23）、第四连接线（CN4）、第七连接柱（H7）、第五连接线（CN5）、 电容C1的第一层（C11）、电容C2的第二层（C12）、第八连接柱（H8），电容C1的第三层（C13）、第六连接线（CN6）、第九连接柱（H9）、第七连接线（CN7）、中间连接柱（HD）、 第八连接线（CN8）、第十连接柱（H10）、第九连接线（CN9）、电感L3的第一短截线（L31）、第十一连接柱（H11）、电感L3的第二短截线（L32）、第十连接线（CN10）、第十二连接柱（H12）、电感L4的第一短截线（L41）、第十三连接柱（H13）、电感L4的第二短截线（L42）、第十一连接线（CN11）、第十四连接柱（H14）、电感L5的第一短截线（L51）、第十五连接柱（H15）、电感L5的第二短截线（L52）、第十二连接线（CN12）、第十六连接柱（H16）、第十三连接线（CN13）、电容C3的第一层（C31）、电容C3的第二层（C32）、第十四连接线（CN14）、第十七连接柱（H17）、第十五连接线（CN15）、第十八连接柱（CN18）、电容C4的第一层（C41）、电容C4的第二层（C42）、第十六连接线（CN16）、第十九连接柱（H19）、电容C5的第一层（C51）、电容C5的第二层（C52）、第十七连接线（CN17）、接地电容（C6）、接地电容（C7）。

带通滤波器由一个三阶高通滤波器和一个五阶低通滤波器级联组成，从上到下依次为第一屏蔽层（SD1）、低通滤波器接地电容层、低通滤波器谐振电容层、低通滤波器电感层、低通滤波器接地电容层、第二屏蔽层（SD2）、高通滤波器电容层、高通滤波器电感层、第三屏蔽层（SD3），特征阻抗为50欧姆的第一端口（P1）与第三端口（P3）分别位于左右两端并且左右对称，特征阻抗为50欧姆的第二端口（P2）与第四端口（P4）分别位于前后两端并且前后对称。三阶高通滤波器由两个接地电感L1、L2和一个串联电容C1组成，电感L1的由第一短截线（L11）、第二短截线（L12）、第三短截线（L13）通过第一连接柱（H1）和第二连接柱（H2）连接组成，第一短截线（L11）通过第一连接线（CN1）与第一端口（P1）连接，第三短截线（L13）右端与第二连接线（CN2）相连，第二连接线（CN2）通过第三连接柱（H3）与第三屏蔽层（SD3）相连。电感L2位于电感L1右侧，第四连接柱（H4）下端连接第三屏蔽层（SD3），上端连接第三连接线（CN3）,第三连接线右端与电感L2的第一短截线（L21）相连，电感L2由第一短截线（L21）、第二短截线（L22）、第三短截线（L23）通过第五连接柱（H5）和第六连接柱（H6）连接组成，第三短截线（L23）右端与第四连接线（CN4）相连，第四连接线（CN4）与第七连接柱（H7）的下端相连，电容C1位于电感L1和L2的上方，电容C1由第一层（C11）、第二层（C12）、第三层（C13）构成，电容C1的第一层（C11）通过第五连接线（CN5）与第一端口（P1）连接，电容C1的第二层（C12）和电容C1 的第三层（C13）通过第八连接柱（H8）连接，电容C1的第二层（C12）位于第一层的上方，电容C1的第三层位于第一层的下方，电容C1的第三层（C13）右端与第六连接线（CN6）相连，第六连接线（CN6）右端与第七连接柱（H7）上端和第九连接柱（H9）下端相连，第九连接柱（H9）上端连接第七连接线（CN7）右端，第七连接线（CN7）左端与中间连接柱（HD）下端相连，中间连接柱（HD）上端与第八连接线（CN8）右端相连，第八连接线（CN8）左端连接第十连接柱（H10）的下端，第十连接柱（H10）上端连接第九连接线（CN9），第九连接线右端连接电感L3的第一短截线（L31），电感L3由第一短截线（L31）与第二短截线（L32）通过第十一连接柱（H11）连接组成，电感L3的第二短截线（L32）右端与第十连接线（CN10）相连，第十连接线（CN10）连接第十二连接柱（H12）下连接，电容C3位于电感L3的正上方，第九连接线（CN9）连接第十六连接柱（H16）下端，第十六连接柱（H16）上端与第十三连接线（CN13）相连，第十三连接线（CN13）右端与电容C3的第一层（C31）连接，电容C3的第二层（C32）右端与第十四连接线（CN14）相连，第十四连接线（CN14）与第十二连接柱（H12）的上端和第十七连接柱（H17）的下端相连，第十七连接柱（H17）的上端与第十五连接线（CN15）相连，第十八连接柱（H18）下端与第十五连接线（CN15）相连，第十八连接柱（H18）上端连接接地电容C6，第十五连接线（CN15）的右端与电容C4的第一层（C41）连接，电容C4的第二层（C42）右端与第十六连接线（CN16）的左端相连，电感L4位于电容C4的正下方，第十连接线（CN10）右端与电感L4的第一短截线（L41）相连，电感L4由第一短截线（L41）和第二短截线（L42）通过第十三连接柱（H13）相连组成，电感L4的第二短截线（L42）右端与第十一连接线（CN11）相连，第十一连接线（CN11）与第十四连接柱（H14）的上端和第十九连接柱（H19）的下端相连，第十四连接柱（H14）的下端连接接地电容C7，第十九连接柱（H19）的上端与第十六连接线（CN16）相连，第十六连接线（CN16）的右端与电容C5的第一层（C51）相连，电容C5的第二层（C52）与第十七连接线（CN17）相连，第十七连接线（CN17）右端与第三端口（P3）相连，电感L5位于电容C5的正下方，第十一连接线（CN11）的右端与电感L5的第一短截线（L51）相连，电感L5由第一短截线（L51）和第二短截线（L52）通过第十五连接柱（H15）相连组成，第二短截线（L52）右端与第十二连接线（CN12）左端相连，第十二连接线（CN12）右端与第三端口（P3）相连。

包括特征阻抗均为50欧姆的第一端口（P1）、第二端口（P2）、第三端口（P3）、第四端口（P4），第一屏蔽层（SD1）、第二屏蔽层（SD2）、第三屏蔽层（SD3）、第一连接线（CN1）、电感L1的第一短截线（L11）、第一连接柱（H1）、电感L1的第二短截线（L12）、第二连接柱（H2）、电感L1的第三短截线（L13）、第二连接线CN2、第三连接柱（H3）、第四连接柱（H4）、第三连接线CN3、电感L2的第一短截线（L21）、第五连接柱（H5）、电感L2的第二短截线（L22）、第六连接柱（H6）、电感L2的第三短截线（L23）、第四连接线（CN4）、第七连接柱（H7）、第五连接线（CN5）、电容C1的第一层（C11）、电容C2的第二层（C12）、第八连接柱（H8），电容C1的第三层（C13）、第六连接线（CN6）、第九连接柱（H9）、第七连接线（CN7）、中间连接柱（HD）、 第八连接线（CN8）、第十连接柱（H10）、第九连接线（CN9）、电感L3的第一短截线（L31）、第十一连接柱（H11）、电感L3的第二短截线（L32）、第十连接线（CN10）、第十二连接柱（H12）、电感L4的第一短截线（L41）、第十三连接柱（H13）、电感L4的第二短截线（L42）、第十一连接线（CN11）、第十四连接柱（H14）、电感L5的第一短截线（L51）、第十五连接柱（H15）、电感L5的第二短截线（L52）、第十二连接线（CN12）、第十六连接柱（H16）、第十三连接线（CN13）、电容C3的第一层（C31）、电容C3的第二层（C32）、第十四连接线（CN14）、第十七连接柱（H17）、第十五连接线（CN15）、第十八连接柱（CN18）、电容C4的第一层（C41）、电容C4的第二层（C42）、第十六连接线（CN16）、第十九连接柱（H19）、电容C5的第一层（C51）、电容C5的第二层（C52）、第十七连接线（CN17）、接地电容（C6）、接地电容（C7）均通过低温共烧陶瓷（LTCC）工艺技术实现。

电感L1的第一短截线（L11）、电感L1的第二短截线（L12）、电感L1的第三短截线（L13）、电感L2的第一短截线（L21）、电感L2的第二短截线（L22）、电感L3的第一短截线（L31）、电感L3的第二短截线（L32）、电感L4的第一短截线（L41）、电感L4的第二短截线（L42）、电感L5的第一短截线（L51）、电感L5的第二短截线（L52）均为螺旋线结构。

电容C1为VIC结构，电容C3、C4、C5、C6、C7为MIM结构。

同传统的工艺技术相比较，本发明采用低温共烧陶瓷(LTCC)工艺技术实现三维集成，具有一下优点：（1）拥有更宽的带宽、极低损耗、电性能良好；（2）多层布线使结构紧凑、体积小，更高的集成度；（3）上下结构级联，减小器件的投影面积利于集成；（4）高成品率以及膨胀系数低，可以实现大规模量产等优势，可以广泛使用在天线波束形成、发射机收发隔离等通信领域中。

附图说明

图1（a）是本发明一种基于LTCC的宽带带通滤波器的主要结构示意图。

图1（b）是本发明一种基于LTCC的宽带带通滤波器的下半部分结构示意图。

图1（c）是本发明一种基于LTCC的宽带带通滤波器的上半部分结构示意图。

图2是本发明一种基于LTCC的宽带带通滤波器的S21、S11曲线。

图3是本发明一种基于LTCC的宽带带通滤波器的VSWR曲线。

图4是本发明一种基于LTCC的宽带带通滤波器的群时延曲线。

具体实施方式

下面结合附图对本发明作进一步描述。

结合图1（a）、（b）、（c），一种基于LTCC的宽带带通滤波器，包括特征阻抗均为50欧姆的第一端口P1、第二端口P2、第三端口P3、第四端口P4，第一屏蔽层SD1、第二屏蔽层SD2、第三屏蔽层SD3、第一连接线CN1、电感L1的第一短截线L11、第一连接柱H1、电感L1的第二短截线L12、第二连接柱H2、电感L1的第三短截线L13、第二连接线CN2、第三连接柱H3、第四连接柱H4、第三连接线CN3、电感L2的第一短截线L21、第五连接柱H5、电感L2的第二短截线L22、第六连接柱H6、电感L2的第三短截线L23、第四连接线CN4、第七连接柱H7、第五连接线CN5、 电容C1的第一层C11、电容C2的第二层C12、第八连接柱H8，电容C1的第三层C13、第六连接线CN6、第九连接柱H9、第七连接线CN7、中间连接柱HD、 第八连接线CN8、第十连接柱H10、第九连接线CN9、电感L3的第一短截线L31、第十一连接柱H11、电感L3的第二短截线L32、第十连接线CN10、第十二连接柱H12、电感L4的第一短截线L41、第十三连接柱H13、电感L4的第二短截线L42、第十一连接线CN11、第十四连接柱H14、电感L5的第一短截线L51、第十五连接柱H15、电感L5的第二短截线L52、第十二连接线CN12、第十六连接柱H16、第十三连接线CN13、电容C3的第一层C31、电容C3的第二层C32、第十四连接线CN14、第十七连接柱H17、第十五连接线CN15、第十八连接柱CN18、电容C4的第一层C41、电容C4的第二层C42、第十六连接线CN16、第十九连接柱H19、电容C5的第一层C51、电容C5的第二层C52、第十七连接线CN17、接地电容C6、接地电容C7。

结合图1a、b、c，带通滤波器由一个三阶高通滤波器和一个五阶低通滤波器级联组成，从上到下依次为第一屏蔽层SD1、低通滤波器接地电容层、低通滤波器谐振电容层、低通滤波器电感层、低通滤波器接地电容层、第二屏蔽层SD2、高通滤波器电容层、高通滤波器电感层、第三屏蔽层SD3，特征阻抗为50欧姆的第一端口P1与第三端口P3分别位于左右两端并且左右对称，特征阻抗为50欧姆的第二端口P2与第四端口P4分别位于前后两端并且前后对称。三阶高通滤波器由两个接地电感L1、L2和一个串联电容C1组成，电感L1的由第一短截线L11、第二短截线L12、第三短截线L13通过第一连接柱H1和第二连接柱H2连接组成，第一短截线L11通过第一连接线CN1与第一端口P1连接，第三短截线L13右端与第二连接线CN2相连，第二连接线CN2通过第三连接柱H3与第三屏蔽层SD3相连。电感L2位于电感L1右侧，第四连接柱H4下端连接第三屏蔽层SD3，上端连接第三连接线CN3,第三连接线右端与电感L2的第一短截线L21相连，电感L2由第一短截线L21、第二短截线L22、第三短截线L23通过第五连接柱H5和第六连接柱H6连接组成，第三短截线L23右端与第四连接线CN4相连，第四连接线CN4与第七连接柱H7的下端相连，电容C1位于电感L1、L2的上方，电容C1由第一层C11、第二层C12、第三层C13构成，电容C1的第一层C11通过第五连接线CN5与第一端口P1连接，电容C1的第二层C12和电容C1 的第三层C13通过第八连接柱H8连接，电容C1的第二层C12位于第一层的上方，电容C1的第三层位于第一层的下方，电容C1的第三层C13右端与第六连接线CN6相连，第六连接线CN6右端与第七连接柱H7上端和第九连接柱H9下端相连，第九连接柱H9上端连接第七连接线CN7右端，第七连接线CN7左端与中间连接柱HD下端相连，中间连接柱HD上端与第八连接线CN8右端相连，第八连接线CN8左端连接第十连接柱H10的下端，第十连接柱H10上端连接第九连接线CN9，第九连接线CN9右端连接电感L3的第一短截线L31，电感L3由第一短截线L31与第二短截线L32通过第十一连接柱H11连接组成，电感L3的第二短截线L32右端与第十连接线CN10相连，第十连接线CN10连接第十二连接柱H12下连接，电容C3位于电感L3的正上方，第九连接线CN9连接第十六连接柱H16下端，第十六连接柱H16上端与第十三连接线CN13相连，第十三连接线CN13右端与电容C3的第一层C31连接，电容C3的第二层C32右端与第十四连接线CN14相连，第十四连接线CN14与第十二连接柱H12的上端和第十七连接柱H17的下端相连，第十七连接柱H17的上端与第十五连接线CN15相连，第十八连接柱H18下端与第十五连接线CN15相连，第十八连接柱H18上端连接接地电容C6，第十五连接线CN15的右端与电容C4的第一层C41连接，电容C4的第二层C42右端与第十六连接线CN16的左端相连，电感L4位于电容C4的正下方，第十连接线CN10右端与电感L4的第一短截线L41相连，电感L4由第一短截线L41和第二短截线L42通过第十三连接柱H13相连组成，电感L4的第二短截线L42右端与第十一连接线CN11相连，第十一连接线CN11与第十四连接柱H14的上端和第十九连接柱H19的下端相连，第十四连接柱H14的下端连接接地电容C7，第十九连接柱H19的上端与第十六连接线CN16相连，第十六连接线CN16的右端余电容C5的第一层C51相连，电容C5的第二层C52与第十七连接线CN17相连，第十七连接线CN17右端与第三端口P3相连，电感L5位于电容C5的正下方，第十一连接线CN11的右端与电感L5的第一短截线L51相连，电感L5由第一短截线L51和第二短截线L52通过第十五连接柱H15相连组成，第二短截线L52右端与第十二连接线CN12左端相连，第十二连接线CN12右端与第三端口P3相连。

所述包括特征阻抗均为50欧姆的第一端口P1、第二端口P2、第三端口P3、第四端口P4，第一屏蔽层SD1、第二屏蔽层SD2、第三屏蔽层SD3、第一连接线CN1、电感L1的第一短截线L11、第一连接柱H1、电感L1的第二短截线L12、第二连接柱H2、电感L1的第三短截线L13、第二连接线CN2、第三连接柱H3、第四连接柱H4、第三连接线CN3、电感L2的第一短截线L21、第五连接柱H5、电感L2的第二短截线L22、第六连接柱H6、电感L2的第三短截线L23、第四连接线CN4、第七连接柱H7、第五连接线CN5、 电容C1的第一层C11、电容C2的第二层C12、第八连接柱H8，电容C1的第三层C13、第六连接线CN6、第九连接柱H9、第七连接线CN7、中间连接柱HD、 第八连接线CN8、第十连接柱H10、第九连接线CN9、电感L3的第一短截线L31、第十一连接柱H11、电感L3的第二短截线L32、第十连接线CN10、第十二连接柱H12、电感L4的第一短截线L41、第十三连接柱H13、电感L4的第二短截线L42、第十一连接线CN11、第十四连接柱H14、电感L5的第一短截线L51、第十五连接柱H15、电感L5的第二短截线L52、第十二连接线CN12、第十六连接柱H16、第十三连接线CN13、电容C3的第一层C31、电容C3的第二层C32、第十四连接线CN14、第十七连接柱H17、第十五连接线CN15、第十八连接柱CN18、电容C4的第一层C41、电容C4的第二层C42、第十六连接线CN16、第十九连接柱H19、电容C5的第一层C51、电容C5的第二层C52、第十七连接线CN17、接地电容C6、接地电容C7均通过低温共烧陶瓷LTCC工艺技术实现。

电感L1的第一短截线L11、电感L1的第二短截线L12、电感L1的第三短截线L13、电感L2的第一短截线L21、电感L2的第二短截线L22、电感L3的第一短截线L31、电感L3的第二短截线L32、电感L4的第一短截线L41、电感L4的第二短截线L42、电感L5的第一短截线L51、电感L5的第二短截线L52均为螺旋线结构。电容C1为VIC结构，电容C3、C4、C5、C6、C7为MIM结构。

一种基于LTCC的宽带带通滤波器，通过低温共烧陶瓷LTCC工艺技术实现立体三维集成，因此具有稳定性高、封装密度强、生产成品率高、生产成本低、抗恶劣环境能力强等优点。

本发明一种基于LTCC的宽带带通滤波器，滤波器的尺寸仅为2mm×3.4mm×1.64mm，由图2、图3、图4可以看出通带范围为0.8-2.8GHz，阻带范围为0-0.3GHz和3.3GHz-10GHz，通带插损小于1dB，带内驻波大于20dB，驻波比优于1.5，带外抑制大于20dB,通带内群时延小于1ns。

Claims (6)

1.一种基于LTCC的宽带带通滤波器，其特征在于：包括特征阻抗为50欧姆的第一端口（P1）与第三端口（P3）分别位于左右两端并且对称，特征阻抗为50欧姆的第二端口（P2）与第四端口（P4）分别位于前后两端并且对称；

所述带通滤波器由一个三阶高通滤波器和一个五阶低通滤波器上下级联结构组成，从上到下依次为第一屏蔽层（SD1）、低通滤波器第一接地电容层、低通滤波器谐振电容层、低通滤波器电感层、低通滤波器第二接地电容层、第二屏蔽层（SD2）、高通滤波器电容层、高通滤波器电感层、第三屏蔽层（SD3）；

低通滤波器第一接地电容层有接地电容C6，低通滤波器谐振电容层依次为电容C4、C5、C6，低通滤波器电感层依次为电感L3、L4、L5，低通滤波器第二节地电容层有接地电容C7；高通滤波器电容层有电容C1，高通滤波器电感层有电感L1、L2。

2.根据权利要求1所述的基于LTCC的宽带带通滤波器，其特征在于：电感L1的一端通过第一连接线（CN1）与第一端口（P1）相连，另一端通过第二连接线（CN2）、第三连接柱（H3）与第三屏蔽层（SD3）相连；电感L2与电感L1对称，电感L2的一端通过第三连接线（CN3）、第四连接柱（H4）与第三屏蔽层（SD3）相连，另一端通过第四连接线（CN4）、第七连接柱（H7）、第六连接线（CN6）与电容C1的一端相连；电容C1的另一端通过第五连接线（CN5）与第一端口（P1）相连；

其中电容C1位于电感L1、L2的上方；

第九连接柱（H9）、第七连接线（CN7）、连接柱（HD）、第八连接线（CN8）、第十连接柱（H10）将上下两个滤波器串联起来；

电感L3正上方是电容C3，电感L3的一端通过第九连接线（CN9）、第十六连接柱（H16）、第十三连接线（CN13）与电容C3的一端相连，电感L3与电容C3的另一端通过第十连接线（CN10）、第十二连接柱（H12）、第十四连接线（CN14）连接；

电感L4通过第十连接线（CN10）与电感L3相连，并且电感L4一端通过第十连接线（CN10）、第十二连接柱（H12）、第十七连接柱（H17）、第十五连接线（CN15）与电容C4相连，电感L4正上方是电容C4，电感L4与电容C4的另一端通过第十一连接线（CN11）、第十九连接柱（H19）、第十六连接线（CN16）相连；

电感L5通过第十一连接线（CN11）与电感L4相连，并且电感L5一端通过第十一连接线（CN11）、第十九连接柱（H19）、第十六连接线（CN16）与电容C5的一端相连，电容C5位于电感L5的正上方，电感L5与电容C5的另一端通过第十二连接线（CN12）、第十七连接线（CN17）与第三端口（P3）相连；

电容C6通过第十八连接柱（H18）、第十七连接柱（H17）、第十二连接柱（H12）与电容C3、C4和电感L3、L4相连；电容C7通过第十四连接柱（H14）、第十九连接柱（H19）与电感L4、L5和电容C4、C5相连。

3.根据权利要求1所述的基于LTCC的宽带带通滤波器，其特征在于：三阶高通滤波器由两个接地电感L1、L2和一个串联电容C1组成，电感L1的由第一短截线（L11）、第二短截线（L12）、第三短截线（L13）通过第一连接柱（H1）和第二连接柱（H2）连接组成，第一短截线（L11）通过第一连接线（CN1）与第一端口（P1）连接，第三短截线（L13）右端与第二连接线（CN2）相连；

电感L2由第一短截线（L21）、第二短截线（L22）、第三短截线（L23）通过第五连接柱（H5）和第六连接柱（H6）连接组成，第三短截线（L23）右端与第四连接线（CN4）相连，第四连接线（CN4）与第七连接柱（H7）的下端相连；

电容C1由第一层（C11）、第二层（C12）、第三层（C13）构成，电容C1的第二层（C12）和电容C1 的第三层（C13）通过第八连接柱（H8）连接，电容C1的第二层（C12）位于第一层的上方，电容C1的第三层位于第一层的下方，电容C1的第三层（C13）右端与第六连接线（CN6）相连；

电感L3由第一短截线（L31）与第二短截线（L32）通过第十一连接柱（H11）连接组成，电感L3的第二短截线（L32）右端与第十连接线（CN10）相连，第十连接线（CN10）连接第十二连接柱（H12）下连接；

电容C3的第二层（C32）右端与第十四连接线（CN14）相连，第一层（C31）左端与第十三连接线（CN13）相连；

电容C4的第一层（C41）的左端与第十五连接线（CN15）连接，电容C4的第二层（C42）右端与第十六连接线（CN16）的左端相连；

电感L4位于电容C4的正下方，第十连接线（CN10）右端与电感L4的第一短截线（L41）相连，电感L4由第一短截线（L41）和第二短截线（L42）通过第十三连接柱（H13）相连组成；

电容C5的第一层（C51）的左端与第十六连接线（CN16）相连，电容C5的第二层（C52）与第十七连接线（CN17）相连；

电感L5由第一短截线（L51）和第二短截线（L52）通过第十五连接柱（H15）相连组成，第二短截线（L52）右端与第十二连接线（CN12）左端相连。

4.根据权利要求1所述的基于LTCC的宽带带通滤波器，其特征在于：包括特征阻抗均为50欧姆的第一端口（P1）、第二端口（P2）、第三端口（P3）、第四端口（P4），第一屏蔽层（SD1）、第二屏蔽层（SD2）、第三屏蔽层（SD3）、第一连接线（CN1）、电感L1的第一短截线（L11）、第一连接柱（H1）、电感L1的第二短截线（L12）、第二连接柱（H2）、电感L1的第三短截线（L13）、第二连接线CN2、第三连接柱（H3）、第四连接柱（H4）、第三连接线CN3、电感L2的第一短截线（L21）、第五连接柱（H5）、电感L2的第二短截线（L22）、第六连接柱（H6）、电感L2的第三短截线（L23）、第四连接线（CN4）、第七连接柱（H7）、第五连接线（CN5）、 电容C1的第一层（C11）、电容C2的第二层（C12）、第八连接柱（H8），电容C1的第三层（C13）、第六连接线（CN6）、第九连接柱（H9）、第七连接线（CN7）、中间连接柱（HD）、 第八连接线（CN8）、第十连接柱（H10）、第九连接线（CN9）、电感L3的第一短截线（L31）、第十一连接柱（H11）、电感L3的第二短截线（L32）、第十连接线（CN10）、第十二连接柱（H12）、电感L4的第一短截线（L41）、第十三连接柱（H13）、电感L4的第二短截线（L42）、第十一连接线（CN11）、第十四连接柱（H14）、电感L5的第一短截线（L51）、第十五连接柱（H15）、电感L5的第二短截线（L52）、第十二连接线（CN12）、第十六连接柱（H16）、第十三连接线（CN13）、电容C3的第一层（C31）、电容C3的第二层（C32）、第十四连接线（CN14）、第十七连接柱（H17）、第十五连接线（CN15）、第十八连接柱（CN18）、电容C4的第一层（C41）、电容C4的第二层（C42）、第十六连接线（CN16）、第十九连接柱（H19）、电容C5的第一层（C51）、电容C5的第二层（C52）、第十七连接线（CN17）、接地电容（C6）、接地电容（C7）均通过低温共烧陶瓷（LTCC）工艺技术实现。

5.根据权利要求1所述的基于LTCC的宽带带通滤波器，其特征在于：电感L1的第一短截线（L11）、电感L1的第二短截线（L12）、电感L1的第三短截线（L13）、电感L2的第一短截线（L21）、电感L2的第二短截线（L22）、电感L3的第一短截线（L31）、电感L3的第二短截线（L32）、电感L4的第一短截线（L41）、电感L4的第二短截线（L42）、电感L5的第一短截线（L51）、电感L5的第二短截线（L52）均为螺旋线结构。

6.根据权利要求1所述的基于LTCC的宽带带通滤波器，其特征在于：电容C1为VIC结构，电容C3、C4、C5 、C6、C7为MIM结构。

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