CN111277238B - 一种基于ltcc的c波段低通滤波器 - Google Patents

一种基于ltcc的c波段低通滤波器 Download PDF

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Abstract

本发明公开了一种基于LTCC的C波段低通滤波器。所述滤波器由六个电感、六个与电感并联的电容、四个接地电容组成，利用六个电感与四个接地电容实现10阶滤波器，同时六个电感与六个并联电容实现五组并联谐振。10阶滤波器采用两个5阶巴特沃斯型滤波器串联实现，电感采用内埋置螺旋式，电容采用内埋置MIM式。使用低温共烧陶瓷(LTCC)工艺技术实现三维集成，具有工作频带宽、带内平坦度高、带外抑制度高、反射损耗低、集成度高、膨胀系数低可大批量生产等优势，可以广泛使用在音箱中分离低频信号、发射机抑制高次谐波等通信领域中。

Description

一种基于LTCC的C波段低通滤波器
技术领域
本发明涉及属于滤波器技术领域，特别一种基于LTCC的C波段低通滤波器。
背景技术
传统的腔体波导低通滤波器一般有腔体、盖板和调试螺钉组成，体积较大重量较重不利于集成，因此低通滤波器在微波电路中的应用受到了诸多限制，而采用由平面传输线形式构成的滤波器能够解决这一缺陷。本发明采用的两个5阶低通滤波器串联，能够实现更宽的阻带，更高的抑制。低通滤波器主要性能指标包括：截止频率、工作带宽、带内波动、带外抑制、驻波比等，低通滤波器在现代微波通信系统中的应用十分广泛，如应用于收发前端滤除信号杂散或者高次谐波等。
LTCC(Low Temperature Co-fired Ceramic)工艺技术是低温共烧陶瓷技术的简称, 是休斯公司于1982年开发的一种新型材料技术，该技术为共烧陶瓷多芯片组件 (MCM-C)中的一种多层布线类型的基板技术。其是在800～950°的温度范围内，对含有导体图案和连接通孔的多层生瓷片进行精确对位叠压，然后共同烧结，并且基板表面可以通过挖孔或者表贴安装其它芯片元件，通过过孔与内部无源器件连接成一个整体，从而可以实现高布线密度、高集成度和高性能特点的微波毫米波多层器件、组件和系统。
发明内容
本发明的目的在于提供一种基于LTCC的C波段低通滤波器，通过低温共烧陶瓷(LTCC)三维集成技术实现，具有工作频带宽、带内波动小、带外抑制高、端口驻波小、集成度高、膨胀系数低、可大批量生产等优势。
实现本发明目的的技术方案是：一种基于LTCC的L波段新型宽带平面魔T，包括特征阻抗均为50欧姆的第一端口(P1)、第二端口(P2)、接地层(GND)、第一屏蔽层(SHIELD1)、第二屏蔽层(SHIELD2)、电感L1的第一短截线(L11)、电感L1的第二短截线(L12)、第一连接柱(H1)、第一连接线(CN1)、电感L2 的第一短截线(L21)、电感L2的第二短截线(L22)、第二连接柱(H2)、第二连接线(CN2)、电感L3的第一短截线(L31)、电感L3的第二短截线(L32)、第三连接柱(H3)、第三连接线(CN3)、电感L4的第一短截线(L41)、电感L4 的第二短截线(L42)、第四连接柱(H4)、第四连接线(CN4)、电感L5的第一短截线(L51)、电感L5的第二短截线(L52)、第五连接柱(H5)、第五连接线(CN5)、电感L6的第一短截线(L61)、电感L6的第二短截线(L62)、第六连接柱(H6)、第六连接线(CN6)、电容C1的第一层(C11)、电容C1的第二层(C12)、第七连接线(CN7)、第七连接柱(H7)、第八连接线(CN8)、电容C2的第一层(C21)、电容C2的第二层(C22)、第九连接线(CN9)、第九连接柱(H9)、第十连接柱(H10)、第十连接线(CN10)、电容C3的第一层(C31)、电容C3的第二层(C32)、第十一连接线(CN11)、电容C4的第一层(C41)、电容C4的第二层(C42)、第十二连接线(CN12)、第十二连接柱(H12)、第十三连接柱(H13)、第十三连接线(CN13)、电容C5的第一层(C51)、电容 C5的第二层(C52)、第十四连接线(CN14)、第十五连接柱(H15)、第十五连接线(CN15)、电容C6的第一层(C61)、电容C6的第二层(C62)、第十六连接线(CN16)、第八连接柱(H8)、第一接地电容(C7)、第十一连接柱(H11)、第二接地电容(C8)、第十四连接柱(H14)、第三接地电容(C9)、第十六连接柱(H16)、第四接地电容(C10)。
整个低通滤波器从上到下依次为电感层、第一电容层、第二电容层、接地层，特征阻抗为50欧姆的第一端口(P1)与第二端口(P2)分别位于左右两端并且左右对称，第一屏蔽层(SHIELD1)与第二屏蔽层(SHIELD2)分别位于前后两端并且前后对称，模型标记(MARK)位于最上方。电感层共有6个电感，从左到右依次为电感L1、L2、L3、L4、L5、L6，第一电容地层共有6个电容，从左到右依次为电容C1、C2、C3、C4、C5、C6，第二电容层共有4个电容，从左到右依次为C7、 C8、C9、C10。电感L1由第一短截线(L11)通过第一连接柱(H1)与第二短截线(L12)连接构成，第一短截线(L11)与第一端口(P1)连接。电感L1正下方是位于第一电容层的电容C1，电容C1的第一层(C11)通过第六连接线(CN6) 与第一端口(P1)相连，电容C1的第一层(C11)下方是第二层(C12)，电容 C1的第一层(C12)通过第七连接线(CN7)与第七连接柱(H7)相连，第七连接柱(H7)下端与第八连接柱(H8)相连,第八连接柱(H8)下端连接位于第二电容层的接地电容C7；第七连接柱(H7)上端连接第一连接线(CN1)，第一连接线(CN1)左端与电感L1的第二短截线(L12)相连，右端与电感L2的第一短截线(L21)相连，电感L2由第一短截线(L21)与第二短截线(L22)通过第二连接柱(H2)相连构成。电感L2正下方是位于第一电容层的电容C2，电容C2的第一层(C21)左端与第八连接线(CN8)相连，第八连接线(CN8)与第七连接柱 (H7)下端相连，电容C2的第二层(C22)右端通过第九连接线(CN9)与第十连接柱(H10)相连；第十连接柱下端连接第十一连接柱(H11)，第十一连接柱(H11)下端连接位于第二电容层的电容C8；第十连接柱(H10)上端连接第九连接柱(H9)，第九连接柱上端连接第二连接线(CN2),第二连接线(CN2) 左端连接电感L2的第二短截线(L22),右端连接电感L3的第一短截线(L31),电感L3由第一短截线(L31)与第二短截线(L32)通过第二连接柱(H3)相连构成，第二短截线(L32)与第三连接线(CN3)左端相连。电感L3正下方是位于第一电容层的电容C3，电容C3的第一层(C31)左端与第十连接线(CN10)连接，第十连接线(CN10)左端与第九连接柱(H9)下端相连，电容C3的第二层(C32)右端与第十一连接线(CN11)相连。第三连接线(CN3)右端与电感L4的第一短截线(L41)相连，电感L4由第一短截线(L41)与第二短截线(L42)通过第四连接柱(H4)相连构成，电感L4的正下方是位于第一电容层的电容C4，电容C4的第一层(C41)左端与第十一连接线(CN11)右端相连，第一层的上方是电容C4 的第二层(C42)，电容C4的第二层(C42)右端与第十二连接线(CN12)相连，第十二连接线(CN12)与第十二连接柱(H12)下端相连，第十二连接柱(H12) 上端与第四连接线(CN4)相连，第十二连接柱(H12)下端与第十三连接柱(H13) 相连，第十三连接柱(H13)下端与第十四连接柱(H14)相连，第十四连接柱 (H14)下端连接位于第二电容层的电容C9。第十二连接柱(H12)上端连接第四连接线(CN4)，第四连接线(CN4)左端连接电感L4的第二短截线(L42)，右端连接电感L5的第一短截线(L51)，电感L5由第一短截线(L51)与第二短截线(L52)通过第五连接柱(H5)相连构成，电感L5正下方是位于第一电容层的电容C5，电容C5的第一层(C51)左端与第十三连接线(CN13)相连，电容C5的第二层(C52)右端与十四连接线(CN14)相连，第十四连接线(CN14)与第十五连接柱(H15)下端相连，第十五连接柱下端连接第十六连接柱(H16)，第十六连接柱下端连接位于第二电容层的电容C10；第十五连接柱(H15)上端连接第五连接线(CN5)，第五连接线(CN5)左端电感L5的第二短截线(L52)，右端连接电感L6的第一短截线(L61)，电感L6由第一短截线(L61)与第二短截线(L62)通过第六连接柱相连构成，第二短截线(L62)右端直接与第二端口(P2) 相连，电感L6正下方是位于第一电容层的电容C6，电容C6的第一层(C61)与第十五连接线(CN15)相连，第十五连接线(CN15)左端与第十五连接柱(H15) 下端相连，电容C6的第二层(C62)右端与第十六连接线(CN16)相连，第十六连接线(CN16)右端直接与第二端口(P2)相连。
特征阻抗均为50欧姆的第一端口(P1)、第二端口(P2)、接地层(GND)、第一屏蔽层(SHIELD1)、第二屏蔽层(SHIELD2)、模型标记(MARK)、电感 L1的第一短截线(L11)、电感L1的第二短截线(L12)、第一连接柱(H1)、第一连接线(CN1)、电感L2的第一短截线(L21)、电感L2的第二短截线(L22)、第二连接柱(H2)、第二连接线(CN2)、电感L3的第一短截线(L31)、电感L3 的第二短截线(L32)、第三连接柱(H3)、第三连接线(CN3)、电感L4的第一短截线(L41)、电感L4的第二短截线(L42)、第四连接柱(H4)、第四连接线(CN4)、电感L5的第一短截线(L51)、电感L5的第二短截线(L52)、第五连接柱(H5)、第五连接线(CN5)、电感L6的第一短截线(L61)、电感L6的第二短截线(L62)、第六连接柱(H6)、第六连接线(CN6)、电容C1的第一层 (C11)、电容C1的第二层(C12)、第七连接线(CN7)、第七连接柱(H7)、第八连接线(CN8)、电容C2的第一层(C21)、电容C2的第二层(C22)、第九连接线(CN9)、第九连接柱(H9)、第十连接柱(H10)、第十连接线(CN10)、电容C3的第一层(C31)、电容C3的第二层(C32)、第十一连接线(CN11)、电容C4的第一层(C41)、电容C4的第二层(C42)、第十二连接线(CN12)、第十二连接柱(H12)、第十三连接柱(H13)、第十三连接线(CN13)、电容 C5的第一层(C51)、电容C5的第二层(C52)、第十四连接线(CN14)、第十五连接柱(H15)、第十五连接线(CN15)、电容C6的第一层(C61)、电容C6 的第二层(C62)、第十六连接线(CN16)、第八连接柱(H8)、第一接地电容 (C7)、第十一连接柱(H11)、第二接地电容(C8)、第十四连接柱(H14)、第三接地电容(C9)、第十六连接柱(H16)、第四接地电容(C10)均通过低温共烧陶瓷(LTCC)工艺技术实现。
电感L1的第一短截线(L11)、电感L1的第二短截线(L12)、电感L2的第一短截线(L21)、电感L2的第二短截线(L22)、电感L3的第一短截线(L31)、电感L3的第二短截线(L32)、电感L4的第一短截线(L41)、电感L4的第二短截线(L42)、电感L5的第一短截线(L51)、电感L5的第二短截线(L52)、电感L6 的第一短截线(L61)、电感L6的第二短截线(L62)均为螺旋线结构。
电容C1、C2、C3、C4、C5、C6、C7、C8、C9、C10均为MIM结构。
同传统的工艺技术相比较，本发明采用低温共烧陶瓷(LTCC)工艺技术实现三维集成，具有一下优点：(1)两个低通滤波器级联实现更宽的带宽、更高的阻带抑制；(2)多层布线使结构紧凑、体积小，更高的集成度；(3)电性能良好、极低损耗；(4)高成品率以及膨胀系数低，可以实现大规模量产等优势，可以广泛使用在天线波束形成、发射机收发隔离等通信领域中。
附图说明
图1中 (a)是本发明一种基于LTCC的C波段低通滤波器的主要结构示意图。
图1中 (b)是本发明一种基于LTCC的C波段低通滤波器的左半部分结构示意图。
图1中 (c)是本发明一种基于LTCC的C波段低通滤波器的右半部分结构示意图。
图2是本发明一种基于LTCC的C波段低通滤波器的S21曲线。
图3是本发明一种基于LTCC的C波段低通滤波器的S11曲线。
图4是本发明一种基于LTCC的C波段低通滤波器的VSWR曲线。
具体实施方式
下面结合附图对本发明作进一步描述。
结合图1中(a)、图1中(b)、图1中(c)，一种基于LTCC的C波段低通滤波器，包括特征阻抗均为50欧姆的第一端口(P1)、第二端口(P2)、接地层(GND)、第一屏蔽层(SHIELD1)、第二屏蔽层(SHIELD2)、模型标记(MARK)、电感 L1的第一短截线(L11)、电感L1的第二短截线(L12)、第一连接柱(H1)、第一连接线(CN1)、电感L2的第一短截线(L21)、电感L2的第二短截线(L22)、第二连接柱(H2)、第二连接线(CN2)、电感L3的第一短截线(L31)、电感L3 的第二短截线(L32)、第三连接柱(H3)、第三连接线(CN3)、电感L4的第一短截线(L41)、电感L4的第二短截线(L42)、第四连接柱(H4)、第四连接线(CN4)、电感L5的第一短截线(L51)、电感L5的第二短截线(L52)、第五连接柱(H5)、第五连接线(CN5)、电感L6的第一短截线(L61)、电感L6的第二短截线(L62)、第六连接柱(H6)、第六连接线(CN6)、电容C1的第一层 (C11)、电容C1的第二层(C12)、第七连接线(CN7)、第七连接柱(H7)、第八连接线(CN8)、电容C2的第一层(C21)、电容C2的第二层(C22)、第九连接线(CN9)、第九连接柱(H9)、第十连接柱(H10)、第十连接线(CN10)、电容C3的第一层(C31)、电容C3的第二层(C32)、第十一连接线(CN11)、电容C4的第一层(C41)、电容C4的第二层(C42)、第十二连接线(CN12)、第十二连接柱(H12)、第十三连接柱(H13)、第十三连接线(CN13)、电容 C5的第一层(C51)、电容C5的第二层(C52)、第十四连接线(CN14)、第十五连接柱(H15)、第十五连接线(CN15)、电容C6的第一层(C61)、电容C6 的第二层(C62)、第十六连接线(CN16)、第八连接柱(H8)、第一接地电容(C7)、第十一连接柱(H11)、第二接地电容(C8)、第十四连接柱(H14)、第三接地电容(C9)、第十六连接柱(H16)、第四接地电容(C10)。
结合图1中(a)、图1中(b)、图1中(c)，整个低通滤波器从上到下依次为电感层、第一电容层、第二电容层、接地层，特征阻抗为50欧姆的第一端口(P1) 与第二端口(P2)分别位于左右两端并且左右对称，第一屏蔽层(SHIELD1)与第二屏蔽层(SHIELD2)分别位于前后两端并且前后对称，模型标记(MARK)位于最上方。电感层共有6个电感，从左到右依次为电感L1、L2、L3、L4、L5、L6，第一电容地层共有6个电容，从左到右依次为电容C1、C2、C3、C4、C5、C6，第二电容层共有4个电容，从左到右依次为C7、C8、C9、C10。电感L1由第一短截线(L11)通过第一连接柱(H1)与第二短截线(L12)连接构成，第一短截线(L11) 与第一端口(P1)连接。电感L1正下方是位于第一电容层的电容C1，电容C1的第一层(C11)通过第六连接线(CN6)与第一端口(P1)相连，电容C1的第一层(C11)下方是第二层(C12)，电容C1的第一层(C12)通过第七连接线(CN7) 与第七连接柱(H7)相连，第七连接柱(H7)下端与第八连接柱(H8)相连,第八连接柱(H8)下端连接位于第二电容层的接地电容C7；第七连接柱(H7)上端连接第一连接线(CN1)，第一连接线(CN1)左端与电感L1的第二短截线(L12) 相连，右端与电感L2的第一短截线(L21)相连，电感L2由第一短截线(L21)与第二短截线(L22)通过第二连接柱(H2)相连构成。电感L2正下方是位于第一电容层的电容C2，电容C2的第一层(C21)左端与第八连接线(CN8)相连，第八连接线(CN8)与第七连接柱(H7)下端相连，电容C2的第二层(C22)右端通过第九连接线(CN9)与第十连接柱(H10)相连；第十连接柱下端连接第十一连接柱(H11)，第十一连接柱(H11)下端连接位于第二电容层的电容C8；第十连接柱(H10)上端连接第九连接柱(H9)，第九连接柱上端连接第二连接线(CN2),第二连接线(CN2)左端连接电感L2的第二短截线(L22),右端连接电感L3的第一短截线(L31),电感L3由第一短截线(L31)与第二短截线(L32) 通过第二连接柱(H3)相连构成，第二短截线(L32)与第三连接线(CN3)左端相连。电感L3正下方是位于第一电容层的电容C3，电容C3的第一层(C31)左端与第十连接线(CN10)连接，第十连接线(CN10)左端与第九连接柱(H9) 下端相连，电容C3的第二层(C32)右端与第十一连接线(CN11)相连。第三连接线(CN3)右端与电感L4的第一短截线(L41)相连，电感L4由第一短截线(L41) 与第二短截线(L42)通过第四连接柱(H4)相连构成，电感L4的正下方是位于第一电容层的电容C4，电容C4的第一层(C41)左端与第十一连接线(CN11)右端相连，第一层的上方是电容C4的第二层(C42)，电容C4的第二层(C42)右端与第十二连接线(CN12)相连，第十二连接线(CN12)与第十二连接柱(H12) 下端相连，第十二连接柱(H12)上端与第四连接线(CN4)相连，第十二连接柱(H12)下端与第十三连接柱(H13)相连，第十三连接柱(H13)下端与第十四连接柱(H14)相连，第十四连接柱(H14)下端连接位于第二电容层的电容 C9。第十二连接柱(H12)上端连接第四连接线(CN4)，第四连接线(CN4)左端连接电感L4的第二短截线(L42)，右端连接电感L5的第一短截线(L51)，电感L5由第一短截线(L51)与第二短截线(L52)通过第五连接柱(H5)相连构成，电感L5正下方是位于第一电容层的电容C5，电容C5的第一层(C51)左端与第十三连接线(CN13)相连，电容C5的第二层(C52)右端与十四连接线(CN14)相连，第十四连接线(CN14)与第十五连接柱(H15)下端相连，第十五连接柱下端连接第十六连接柱(H16)，第十六连接柱下端连接位于第二电容层的电容C10；第十五连接柱(H15)上端连接第五连接线(CN5)，第五连接线(CN5)左端电感L5的第二短截线(L52)，右端连接电感L6的第一短截线(L61)，电感L6由第一短截线(L61)与第二短截线(L62)通过第六连接柱相连构成，第二短截线(L62) 右端直接与第二端口(P2)相连，电感L6正下方是位于第一电容层的电容C6，电容C6的第一层(C61)与第十五连接线(CN15)相连，第十五连接线(CN15)左端与第十五连接柱(H15)下端相连，电容C6的第二层(C62)右端与第十六连接线(CN16)相连，第十六连接线(CN16)右端直接与第二端口(P2)相连。
所述包括特征阻抗均为50欧姆的第一端口(P1)、第二端口(P2)、接地层(GND)、第一屏蔽层(SHIELD1)、第二屏蔽层(SHIELD2)、模型标记(MARK)、电感L1的第一短截线(L11)、电感L1的第二短截线(L12)、第一连接柱(H1)、第一连接线(CN1)、电感L2的第一短截线(L21)、电感L2的第二短截线(L22)、第二连接柱(H2)、第二连接线(CN2)、电感L3的第一短截线(L31)、电感L3 的第二短截线(L32)、第三连接柱(H3)、第三连接线(CN3)、电感L4的第一短截线(L41)、电感L4的第二短截线(L42)、第四连接柱(H4)、第四连接线(CN4)、电感L5的第一短截线(L51)、电感L5的第二短截线(L52)、第五连接柱(H5)、第五连接线(CN5)、电感L6的第一短截线(L61)、电感L6的第二短截线(L62)、第六连接柱(H6)、第六连接线(CN6)、电容C1的第一层 (C11)、电容C1的第二层(C12)、第七连接线(CN7)、第七连接柱(H7)、第八连接线(CN8)、电容C2的第一层(C21)、电容C2的第二层(C22)、第九连接线(CN9)、第九连接柱(H9)、第十连接柱(H10)、第十连接线(CN10)、电容C3的第一层(C31)、电容C3的第二层(C32)、第十一连接线(CN11)、电容C4的第一层(C41)、电容C4的第二层(C42)、第十二连接线(CN12)、第十二连接柱(H12)、第十三连接柱(H13)、第十三连接线(CN13)、电容 C5的第一层(C51)、电容C5的第二层(C52)、第十四连接线(CN14)、第十五连接柱(H15)、第十五连接线(CN15)、电容C6的第一层(C61)、电容C6 的第二层(C62)、第十六连接线(CN16)、第八连接柱(H8)、第一接地电容 (C7)、第十一连接柱(H11)、第二接地电容(C8)、第十四连接柱(H14)、第三接地电容(C9)、第十六连接柱(H16)、第四接地电容(C10)均通过低温共烧陶瓷(LTCC)工艺技术实现。
电感L1的第一短截线(L11)、电感L1的第二短截线(L12)、电感L2的第一短截线(L21)、电感L2的第二短截线(L22)、电感L3的第一短截线(L31)、电感L3的第二短截线(L32)、电感L4的第一短截线(L41)、电感L4的第二短截线(L42)、电感L5的第一短截线(L51)、电感L5的第二短截线(L52)、电感L6 的第一短截线(L61)、电感L6的第二短截线(L62)均为螺旋线结构。电容C1、 C2、C3、C4、C5、C6、C7、C8、C9、C10均为MIM结构。
一种基于LTCC的C波段低通滤波器，通过低温共烧陶瓷(LTCC)工艺技术实现立体三维集成，因此具有稳定性高、封装密度强、生产成品率高、生产成本低、抗恶劣环境能力强等优点。
本发明一种基于LTCC的C波段低通滤波器，滤波器的尺寸仅为6.4mm×3mm ×1.65mm，由图2、图3、图4可以看出通带范围为0-4GHz，阻带范围为 4.5GHz-7.5GHz，通带插损小于1dB，带内驻波大于20dB，驻波比优于1.2，带外抑制大于25dB。

Claims (5)

1.一种基于LTCC的C波段低通滤波器，其特征在于：包括特征阻抗为50欧姆的第一端口（P1）与第二端口（P2）对称位于元器件的两端；从上到下依次为电感层、第一电容层、第二电容层、接地层（GND）；第一屏蔽层（SHIELD1）与第二屏蔽层（SHIELD2）分别位于前后两端并且对称；电感层共有6个电感，依次为电感L1、L2、L3、L4、L5、L6，第一电容地层共有6个电容，依次为电容C1、C2、C3、C4、C5、C6，第二电容层共有4个电容，依次为C7、C8、C9、C10；电感L1正下方是电容C1，电感L1与电容C1的一端通过第一短截线（L11）、第六连接线（CN6）与第一端口（P1）相连，电感L1与电容C1的另一端通过第一连接线（CN1）、第七连接柱（H7）、第七连接线（CN7）连接；电感L2与电感L1通过第一连接线（CN1）连接，电感L2正下方是电容C2，电感L2与电容C2的一端通过第一连接线（CN1）、第七连接柱（H7）、第八连接线（CN8）相连，电感L2与电容C2的另一端通过第二连接线（CN2）、第九连接柱（H9）、第十连接柱（H10）、第九连接线（CN9）相连；电感L3通过第二连接线（CN2）与电感L2相连，电感L3正下方是电容C3，电感L3与电容C3的一端通过第二连接线（CN2）、第九连接柱（H9）、第十连接线（CN10）相连，电感L3的另一端通过第三连接线（CN3）与电感L4相连，电容C3的另一端通过第十一连接线（CN11）与电容C4相连，电感L4的正下方是电容C4，电感L4与电容C4的另一端通过第四连接线（CN4）、第十二连接柱（H12）、第十二连接线（CN12）连接；电感L5与电感L4通过第四连接线（CN4）相连，电感L5的正下方是电容C5，电感L5与电容C5的一端通过第四连接线（CN4）、第十二连接柱（H12）、第十三连接柱（H13）、第十三连接线（CN13）相连，电感L5与电容C5的另一端通过第五连接线（CN5）、第十五连接柱（H15）、第十四连接线（CN14）相连；电感L6通过第五连接线（CN5）与电感L5相连，电感L6的正下方是电容C6，电感L6与电容C6的一端通过第五连接线（CN5）、第十五连接柱（H15）、第十五连接线（CN15）相连，电感L6和电容C6通过第二短截线（L62）、第十六连接线（CN16）与第二端口（P2）连接；接地电容C7通过第八连接柱（H8）、第七连接柱（H7）与电感L1、L2和电容C1、C2相连；接地电容C8通过第九连接柱（H9）、第十连接柱（H10）、第十一连接柱（H11）与电感L2、L3和电容C2、C3相连；接地电容C9通过第十二连接柱（H12）、第十三连接柱（H13）、第十四连接柱（H14）与电感L4、L5和电容C4、C5相连；接地电容C10通过第十五连接柱（H15）、第十六连接柱（H16）与电感L5、L6和电容C5、C6相连。
2.根据权利要求1所述的基于LTCC的C波段低通滤波器，其特征在于：电感L1由第一短截线（L11）通过第一连接柱（H1）与第二短截线（L12）连接构成；电容C1的第一层（C11）通过第六连接线（CN6）与第一端口（P1）相连，电容C1的第二层（C12）通过第七连接线（CN7）与第七连接柱（H7）相连，第七连接柱（H7）下端与第八连接柱（H8）相连,第八连接柱（H8）下端连接位于第二电容层的接地电容C7；电感L2由第一短截线（L21）与第二短截线（L22）通过第二连接柱（H2）相连构成；电容C2的第一层（C21）左端与第八连接线（CN8）相连，电容C2的第二层（C22）右端通过第九连接线（CN9）与第十连接柱（H10）相连；第十连接柱下端连接第十一连接柱（H11），第十一连接柱（H11）下端连接位于第二电容层的接地电容C8；电感L3由第一短截线（L31）与第二短截线（L32）通过第二连接柱（H2）相连构成，第二短截线（L32）与第三连接线（CN3）左端相连；
电容C3的第一层（C31）左端与第十连接线（CN10）连接，第十连接线（CN10）左端与第九连接柱（H9）下端相连，电容C3的第二层（C32）右端与第十一连接线（CN11）相连；电感L4由第一短截线（L41）与第二短截线（L42）通过第四连接柱（H4）相连构成，电容C4的第一层（C41）左端与第十一连接线（CN11）右端相连，第一层的上方是电容C4的第二层（C42），电容C4的第二层（C42）右端与第十二连接线（CN12）相连，第十四连接柱（H14）下端连接位于第二电容层的电容C9；电感L5的第一短截线（L51），电感L5由第一短截线（L51）与第二短截线（L52）通过第五连接柱（H5）相连构成，电容C5的第一层（C51）左端与第十三连接线（CN13）相连，电容C5的第二层（C52）右端与第十四连接线（CN14）相连，第十六连接柱下端连接位于第二电容层的电容C10；电感L6由第一短截线（L61）与第二短截线（L62）通过第六连接柱（H6）相连构成，电容C6的第一层（C61）与第十五连接线（CN15）相连，第十五连接线（CN15）左端与第十五连接柱（H15）下端相连，电容C6的第二层（C62）右端与第十六连接线（CN16）相连。
3.根据权利要求1所述的基于LTCC的C波段低通滤波器，其特征在于：包括特征阻抗均为50欧姆的第一端口（P1）、第二端口（P2）、接地层（GND）、第一屏蔽层（SHIELD1）、第二屏蔽层（SHIELD2）、模型标记（MARK）、电感L1的第一短截线（L11）、电感L1的第二短截线（L12）、第一连接柱（H1）、第一连接线（CN1）、电感L2的第一短截线（L21）、电感L2的第二短截线（L22）、第二连接柱（H2）、第二连接线（CN2） 、电感L3的第一短截线（L31）、电感L3的第二短截线（L32）、第三连接柱（H3）、第三连接线（CN3）、电感L4的第一短截线（L41）、电感L4的第二短截线（L42）、第四连接柱（H4）、第四连接线（CN4）、电感L5的第一短截线（L51）、电感L5的第二短截线（L52）、第五连接柱（H5）、第五连接线（CN5）、电感L6的第一短截线（L61）、电感L6的第二短截线（L62）、第六连接柱（H6）、第六连接线（CN6）、电容C1的第一层（C11）、电容C1的第二层（C12）、第七连接线（CN7）、第七连接柱（H7）、第八连接线（CN8）、电容C2的第一层（C21）、电容C2的第二层（C22）、第九连接线（CN9）、第九连接柱（H9）、第十连接柱（H10）、第十连接线（CN10）、电容C3的第一层（C31）、电容C3的第二层（C32）、第十一连接线（CN11）、电容C4的第一层（C41）、电容C4的第二层（C42）、第十二连接线（CN12）、第十二连接柱（H12）、第十三连接柱（H13）、第十三连接线（CN13）、电容C5的第一层（C51）、电容C5的第二层（C52）、第十四连接线（CN14）、第十五连接柱（H15）、第十五连接线（CN15）、电容C6的第一层（C61）、电容C6的第二层（C62）、第十六连接线（CN16）、第八连接柱（H8）、接地电容C7、第十一连接柱（H11）、接地电容C8、第十四连接柱（H14）、接地电容C9、第十六连接柱（H16）、接地电容C10均通过低温共烧陶瓷（LTCC）工艺技术实现。
4.根据权利要求1所述的基于LTCC的C波段低通滤波器，其特征在于：电感L1的第一短截线（L11）、电感L1的第二短截线（L12）、电感L2的第一短截线（L21）、电感L2的第二短截线（L22）、电感L3的第一短截线（L31）、电感L3的第二短截线（L32）、电感L4的第一短截线（L41）、电感L4的第二短截线（L42）、电感L5的第一短截线（L51）、电感L5的第二短截线（L52）、电感L6的第一短截线（L61）、电感L6的第二短截线（L62）均为螺旋线结构。
5.根据权利要求1所述的基于LTCC的C波段低通滤波器，其特征在于：电容C1、C2、C3、C4、C5、C6、C7、C8、C9、C10均为MIM结构。
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