CN111277238A - 一种基于ltcc的c波段低通滤波器 - Google Patents
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Abstract
本发明公开了一种基于LTCC的C波段低通滤波器。所述滤波器由六个电感、六个与电感并联的电容、四个接地电容组成，利用六个电感与四个接地电容实现10阶滤波器，同时六个电感与六个并联电容实现五组并联谐振。10阶滤波器采用两个5阶巴特沃斯型滤波器串联实现，电感采用内埋置螺旋式，电容采用内埋置MIM式。使用低温共烧陶瓷(LTCC)工艺技术实现三维集成，具有工作频带宽、带内平坦度高、带外抑制度高、反射损耗低、集成度高、膨胀系数低可大批量生产等优势，可以广泛使用在音箱中分离低频信号、发射机抑制高次谐波等通信领域中。
Description
技术领域
本发明涉及属于滤波器技术领域，特别一种基于LTCC的C波段低通滤波器。
背景技术
传统的腔体波导低通滤波器一般有腔体、盖板和调试螺钉组成，体积较大重量较重不利于集成，因此低通滤波器在微波电路中的应用受到了诸多限制，而采用由平面传输线形式构成的滤波器能够解决这一缺陷。本发明采用的两个5阶低通滤波器串联，能够实现更宽的阻带，更高的抑制。低通滤波器主要性能指标包括：截止频率、工作带宽、带内波动、带外抑制、驻波比等，低通滤波器在现代微波通信系统中的应用十分广泛，如应用于收发前端滤除信号杂散或者高次谐波等。
LTCC(Low Temperature Co-fired Ceramic)工艺技术是低温共烧陶瓷技术的简称,是休斯公司于1982年开发的一种新型材料技术，该技术为共烧陶瓷多芯片组件(MCM-C)中的一种多层布线类型的基板技术。其是在800~950°的温度范围内，对含有导体图案和连接通孔的多层生瓷片进行精确对位叠压，然后共同烧结，并且基板表面可以通过挖孔或者表贴安装其它芯片元件，通过过孔与内部无源器件连接成一个整体，从而可以实现高布线密度、高集成度和高性能特点的微波毫米波多层器件、组件和系统。
发明内容
本发明的目的在于提供一种基于LTCC的C波段低通滤波器，通过低温共烧陶瓷（LTCC）三维集成技术实现，具有工作频带宽、带内波动小、带外抑制高、端口驻波小、集成度高、膨胀系数低、可大批量生产等优势。
实现本发明目的的技术方案是：一种基于LTCC的L波段新型宽带平面魔T，包括特征阻抗均为50欧姆的第一端口（P1）、第二端口（P2）、接地层（GND）、第一屏蔽层（SHIELD1）、第二屏蔽层（SHIELD2）、电感L1的第一短截线（L11）、电感L1的第二短截线（L12）、第一连接柱（H1）、第一连接线（CN1）、电感L2的第一短截线（L21）、电感L2的第二短截线（L22）、第二连接柱（H2）、第二连接线（CN2）、电感L3的第一短截线（L31）、电感L3的第二短截线（L32）、第三连接柱（H3）、第三连接线（CN3）、电感L4的第一短截线（L41）、电感L4的第二短截线（L42）、第四连接柱（H4）、第四连接线（CN4）、电感L5的第一短截线（L51）、电感L5的第二短截线（L52）、第五连接柱（H5）、第五连接线（CN5）、电感L6的第一短截线（L61）、电感L6的第二短截线（L62）、第六连接柱（H6）、第六连接线（CN6）、电容C1的第一层（C11）、电容C1的第二层（C12）、第七连接线（CN7）、第七连接柱（H7）、第八连接线（CN8）、电容C2的第一层（C21）、电容C2的第二层（C22）、第九连接线（CN9）、第九连接柱（H9）、第十连接柱（H10）、第十连接线（CN10）、电容C3的第一层（C31）、电容C3的第二层（C32）、第十一连接线（CN11）、电容C4的第一层（C41）、电容C4的第二层（C42）、第十二连接线（CN12）、第十二连接柱（H12）、第十三连接柱（H13）、第十三连接线（CN13）、电容C5的第一层（C51）、电容C5的第二层（C52）、第十四连接线（CN14）、第十五连接柱（H15）、第十五连接线（CN15）、电容C6的第一层（C61）、电容C6的第二层（C62）、第十六连接线（CN16）、第八连接柱（H8）、第一接地电容（C7）、第十一连接柱（H11）、第二接地电容（C8）、第十四连接柱（H14）、第三接地电容（C9）、第十六连接柱（H16）、第四接地电容（C10）。
整个低通滤波器从上到下依次为电感层、第一电容层、第二电容层、接地层，特征阻抗为50欧姆的第一端口（P1）与第二端口（P2）分别位于左右两端并且左右对称，第一屏蔽层（SHIELD1）与第二屏蔽层（SHIELD2）分别位于前后两端并且前后对称，模型标记（MARK）位于最上方。电感层共有6个电感，从左到右依次为电感L1、L2、L3、L4、L5、L6，第一电容地层共有6个电容，从左到右依次为电容C1、C2、C3、C4、C5、C6，第二电容层共有4个电容，从左到右依次为C7、C8、C9、C10。 电感L1由第一短截线（L11）通过第一连接柱（H1）与第二短截线（L12）连接构成，第一短截线（L11）与第一端口（P1）连接。 电感L1正下方是位于第一电容层的电容C1，电容C1的第一层（C11）通过第六连接线（CN6）与第一端口（P1）相连，电容C1的第一层（C11）下方是第二层（C12）， 电容C1的第一层（C12）通过第七连接线（CN7）与第七连接柱（H7）相连，第七连接柱（H7）下端与第八连接柱（H8）相连,第八连接柱（H8）下端连接位于第二电容层的接地电容C7；第七连接柱（H7）上端连接第一连接线（CN1），第一连接线（CN1）左端与电感L1的第二短截线（L12）相连，右端与电感L2的第一短截线（L21）相连，电感L2由第一短截线（L21）与第二短截线（L22）通过第二连接柱（H2）相连构成。电感L2正下方是位于第一电容层的电容C2，电容C2的第一层（C21）左端与第八连接线（CN8）相连，第八连接线（CN8）与第七连接柱（H7）下端相连，电容C2的第二层（C22）右端通过第九连接线（CN9）与第十连接柱（H10）相连；第十连接柱下端连接第十一连接柱（H11），第十一连接柱（H11）下端连接位于第二电容层的电容C8；第十连接柱（H10）上端连接第九连接柱（H9），第九连接柱上端连接第二连接线（CN2）,第二连接线（CN2）左端连接电感L2的第二短截线（L22）,右端连接电感L3的第一短截线（L31）, 电感L3由第一短截线（L31）与第二短截线（L32）通过第二连接柱（H3）相连构成，第二短截线（L32）与第三连接线（CN3）左端相连。电感L3正下方是位于第一电容层的电容C3，电容C3的第一层（C31）左端与第十连接线（CN10）连接，第十连接线（CN10）左端与第九连接柱（H9）下端相连，电容C3的第二层（C32）右端与第十一连接线（CN11）相连。第三连接线（CN3）右端与电感L4的第一短截线（L41）相连，电感L4由第一短截线（L41）与第二短截线（L42）通过第四连接柱（H4）相连构成，电感L4的正下方是位于第一电容层的电容C4，电容C4的第一层（C41）左端与第十一连接线（CN11）右端相连，第一层的上方是电容C4的第二层（C42），电容C4的第二层（C42）右端与第十二连接线（CN12）相连，第十二连接线（CN12）与第十二连接柱（H12）下端相连，第十二连接柱（H12）上端与第四连接线（CN4）相连，第十二连接柱（H12）下端与第十三连接柱（H13）相连，第十三连接柱（H13）下端与第十四连接柱（H14）相连，第十四连接柱（H14）下端连接位于第二电容层的电容C9。第十二连接柱（H12）上端连接第四连接线（CN4），第四连接线（CN4）左端连接电感L4的第二短截线（L42），右端连接电感L5的第一短截线（L51），电感L5由第一短截线（L51）与第二短截线（L52）通过第五连接柱（H5）相连构成，电感L5正下方是位于第一电容层的电容C5，电容C5的第一层（C51）左端与第十三连接线（CN13）相连，电容C5的第二层（C52）右端与十四连接线（CN14）相连，第十四连接线（CN14）与第十五连接柱（H15）下端相连，第十五连接柱下端连接第十六连接柱（H16），第十六连接柱下端连接位于第二电容层的电容C10；第十五连接柱（H15）上端连接第五连接线（CN5），第五连接线（CN5）左端电感L5的第二短截线（L52），右端连接电感L6的第一短截线（L61），电感L6由第一短截线（L61）与第二短截线（L62）通过第六连接柱相连构成，第二短截线（L62）右端直接与第二端口（P2）相连，电感L6正下方是位于第一电容层的电容C6，电容C6的第一层（C61）与第十五连接线（CN15）相连，第十五连接线（CN15）左端与第十五连接柱（H15）下端相连，电容C6的第二层（C62）右端与第十六连接线（CN16）相连，第十六连接线（CN16）右端直接与第二端口（P2）相连。
特征阻抗均为50欧姆的第一端口（P1）、第二端口（P2）、接地层（GND）、第一屏蔽层（SHIELD1）、第二屏蔽层（SHIELD2）、模型标记（MARK）、电感L1的第一短截线（L11）、电感L1的第二短截线（L12）、第一连接柱（H1）、第一连接线（CN1）、电感L2的第一短截线（L21）、电感L2的第二短截线（L22）、第二连接柱（H2）、第二连接线（CN2）、电感L3的第一短截线（L31）、电感L3的第二短截线（L32）、第三连接柱（H3）、第三连接线（CN3）、电感L4的第一短截线（L41）、电感L4的第二短截线（L42）、第四连接柱（H4）、第四连接线（CN4）、电感L5的第一短截线（L51）、电感L5的第二短截线（L52）、第五连接柱（H5）、第五连接线（CN5）、电感L6的第一短截线（L61）、电感L6的第二短截线（L62）、第六连接柱（H6）、第六连接线（CN6）、电容C1的第一层（C11）、电容C1的第二层（C12）、第七连接线（CN7）、第七连接柱（H7）、第八连接线（CN8）、电容C2的第一层（C21）、电容C2的第二层（C22）、第九连接线（CN9）、第九连接柱（H9）、第十连接柱（H10）、第十连接线（CN10）、电容C3的第一层（C31）、电容C3的第二层（C32）、第十一连接线（CN11）、电容C4的第一层（C41）、电容C4的第二层（C42）、第十二连接线（CN12）、第十二连接柱（H12）、第十三连接柱（H13）、第十三连接线（CN13）、电容C5的第一层（C51）、电容C5的第二层（C52）、第十四连接线（CN14）、第十五连接柱（H15）、第十五连接线（CN15）、电容C6的第一层（C61）、电容C6的第二层（C62）、第十六连接线（CN16）、第八连接柱（H8）、第一接地电容（C7）、第十一连接柱（H11）、第二接地电容（C8）、第十四连接柱（H14）、第三接地电容（C9）、第十六连接柱（H16）、第四接地电容（C10）均通过低温共烧陶瓷（LTCC）工艺技术实现。
电感L1的第一短截线（L11）、电感L1的第二短截线（L12）、电感L2的第一短截线（L21）、电感L2的第二短截线（L22）、电感L3的第一短截线（L31）、电感L3的第二短截线（L32）、电感L4的第一短截线（L41）、电感L4的第二短截线（L42）、电感L5的第一短截线（L51）、电感L5的第二短截线（L52）、电感L6的第一短截线（L61）、电感L6的第二短截线（L62）均为螺旋线结构。
电容C1、C2、C3、C4、C5、C6、C7、C8、C9、C10均为MIM结构。
同传统的工艺技术相比较，本发明采用低温共烧陶瓷(LTCC)工艺技术实现三维集成，具有一下优点：（1）两个低通滤波器级联实现更宽的带宽、更高的阻带抑制；（2）多层布线使结构紧凑、体积小，更高的集成度；（3）电性能良好、极低损耗；（4）高成品率以及膨胀系数低，可以实现大规模量产等优势，可以广泛使用在天线波束形成、发射机收发隔离等通信领域中。
附图说明
图1（a）是本发明一种基于LTCC的C波段低通滤波器的主要结构示意图。
图1（b）是本发明一种基于LTCC的C波段低通滤波器的左半部分结构示意图。
图1（c）是本发明一种基于LTCC的C波段低通滤波器的右半部分结构示意图。
图2是本发明一种基于LTCC的C波段低通滤波器的S21曲线。
图3是本发明一种基于LTCC的C波段低通滤波器的S11曲线。
图4是本发明一种基于LTCC的C波段低通滤波器的VSWR曲线。
具体实施方式
下面结合附图对本发明作进一步描述。
结合图1（a）、（b）、（c），一种基于LTCC的C波段低通滤波器，包括特征阻抗均为50欧姆的第一端口P1、第二端口P2、接地层GND、第一屏蔽层SHIELD1、第二屏蔽层SHIELD2、模型标记MARK、电感L1的第一短截线L11、电感L1的第二短截线L12、第一连接柱H1、第一连接线CN1、电感L2的第一短截线L21、电感L2的第二短截线L22、第二连接柱H2、第二连接线CN2、电感L3的第一短截线L31、电感L3的第二短截线L32、第三连接柱H3、第三连接线CN3、电感L4的第一短截线L41、电感L4的第二短截线L42、第四连接柱H4、第四连接线CN4、电感L5的第一短截线L51、电感L5的第二短截线L52、第五连接柱H5、第五连接线CN5、电感L6的第一短截线L61、电感L6的第二短截线L62、第六连接柱H6、第六连接线CN6、电容C1的第一层C11、电容C1的第二层C12、第七连接线CN7、第七连接柱H7、第八连接线CN8、电容C2的第一层C21、电容C2的第二层C22、第九连接线CN9、第九连接柱H9、第十连接柱H10、第十连接线CN10、电容C3的第一层C31、电容C3的第二层C32、第十一连接线CN11、电容C4的第一层C41、电容C4的第二层C42、第十二连接线CN12、第十二连接柱H12、第十三连接柱H13、第十三连接线CN13、电容C5的第一层C51、电容C5的第二层C52、第十四连接线CN14、第十五连接柱H15、第十五连接线CN15、电容C6的第一层C61、电容C6的第二层C62、第十六连接线CN16、第八连接柱H8、第一接地电容C7、第十一连接柱H11、第二接地电容C8、第十四连接柱H14、第三接地电容C9、第十六连接柱H16、第四接地电容C10。
结合图1a、b、c，整个低通滤波器从上到下依次为电感层、第一电容层、第二电容层、接地层，特征阻抗为50欧姆的第一端口P1与第二端口P2分别位于左右两端并且左右对称，第一屏蔽层SHIELD1与第二屏蔽层SHIELD2分别位于前后两端并且前后对称，模型标记MARK位于最上方。电感层共有6个电感，从左到右依次为电感L1、L2、L3、L4、L5、L6，第一电容地层共有6个电容，从左到右依次为电容C1、C2、C3、C4、C5、C6，第二电容层共有4个电容，从左到右依次为C7、C8、C9、C10。 电感L1由第一短截线L11通过第一连接柱H1与第二短截线L12连接构成，第一短截线L11与第一端口P1连接。 电感L1正下方是位于第一电容层的电容C1，电容C1的第一层C11通过第六连接线CN6与第一端口P1相连，电容C1的第一层C11下方是第二层C12， 电容C1的第一层C12通过第七连接线CN7与第七连接柱H7相连，第七连接柱H7下端与第八连接柱H8相连,第八连接柱H8下端连接位于第二电容层的接地电容C7；第七连接柱H7上端连接第一连接线CN1，第一连接线CN1左端与电感L1的第二短截线L12相连，右端与电感L2的第一短截线L21相连，电感L2由第一短截线L21与第二短截线L22通过第二连接柱H2相连构成。电感L2正下方是位于第一电容层的电容C2，电容C2的第一层C21左端与第八连接线CN8相连，第八连接线CN8与第七连接柱H7下端相连，电容C2的第二层C22右端通过第九连接线CN9与第十连接柱H10相连；第十连接柱下端连接第十一连接柱H11，第十一连接柱H11下端连接位于第二电容层的电容C8；第十连接柱H10上端连接第九连接柱H9，第九连接柱上端连接第二连接线CN2,第二连接线CN2左端连接电感L2的第二短截线L22,右端连接电感L3的第一短截线L31, 电感L3由第一短截线L31与第二短截线L32通过第二连接柱H3相连构成，第二短截线L32与第三连接线CN3左端相连。电感L3正下方是位于第一电容层的电容C3，电容C3的第一层C31左端与第十连接线CN10连接，第十连接线CN10左端与第九连接柱H9下端相连，电容C3的第二层C32右端与第十一连接线CN11相连。第三连接线CN3右端与电感L4的第一短截线L41相连，电感L4由第一短截线L41与第二短截线L42通过第四连接柱H4相连构成，电感L4的正下方是位于第一电容层的电容C4，电容C4的第一层C41左端与第十一连接线CN11右端相连，第一层的上方是电容C4的第二层C42，电容C4的第二层C42右端与第十二连接线CN12相连，第十二连接线CN12与第十二连接柱H12下端相连，第十二连接柱H12上端与第四连接线CN4相连，第十二连接柱H12下端与第十三连接柱H13相连，第十三连接柱H13下端与第十四连接柱H14相连，第十四连接柱H14下端连接位于第二电容层的电容C9。第十二连接柱H12上端连接第四连接线CN4，第四连接线CN4左端连接电感L4的第二短截线L42，右端连接电感L5的第一短截线L51，电感L5由第一短截线L51与第二短截线L52通过第五连接柱H5相连构成，电感L5正下方是位于第一电容层的电容C5，电容C5的第一层C51左端与第十三连接线CN13相连，电容C5的第二层C52右端与十四连接线CN14相连，第十四连接线CN14与第十五连接柱H15下端相连，第十五连接柱下端连接第十六连接柱H16，第十六连接柱下端连接位于第二电容层的电容C10；第十五连接柱H15上端连接第五连接线CN5，第五连接线CN5左端电感L5的第二短截线L52，右端连接电感L6的第一短截线L61，电感L6由第一短截线L61与第二短截线L62通过第六连接柱相连构成，第二短截线L62右端直接与第二端口P2相连，电感L6正下方是位于第一电容层的电容C6，电容C6的第一层C61与第十五连接线CN15相连，第十五连接线CN15左端与第十五连接柱H15下端相连，电容C6的第二层C62右端与第十六连接线CN16相连，第十六连接线CN16右端直接与第二端口P2相连。
所述包括特征阻抗均为50欧姆的第一端口P1、第二端口P2、接地层GND、第一屏蔽层SHIELD1、第二屏蔽层SHIELD2、模型标记MARK、电感L1的第一短截线L11、电感L1的第二短截线L12、第一连接柱H1、第一连接线CN1、电感L2的第一短截线L21、电感L2的第二短截线L22、第二连接柱H2、第二连接线CN2、电感L3的第一短截线L31、电感L3的第二短截线L32、第三连接柱H3、第三连接线CN3、电感L4的第一短截线L41、电感L4的第二短截线L42、第四连接柱H4、第四连接线CN4、电感L5的第一短截线L51、电感L5的第二短截线L52、第五连接柱H5、第五连接线CN5、电感L6的第一短截线L61、电感L6的第二短截线L62、第六连接柱H6、第六连接线CN6、电容C1的第一层C11、电容C1的第二层C12、第七连接线CN7、第七连接柱H7、第八连接线CN8、电容C2的第一层C21、电容C2的第二层C22、第九连接线CN9、第九连接柱H9、第十连接柱H10、第十连接线CN10、电容C3的第一层C31、电容C3的第二层C32、第十一连接线CN11、电容C4的第一层C41、电容C4的第二层C42、第十二连接线CN12、第十二连接柱H12、第十三连接柱H13、第十三连接线CN13、电容C5的第一层C51、电容C5的第二层C52、第十四连接线CN14、第十五连接柱H15、第十五连接线CN15、电容C6的第一层C61、电容C6的第二层C62、第十六连接线CN16、第八连接柱H8、第一接地电容C7、第十一连接柱H11、第二接地电容C8、第十四连接柱H14、第三接地电容C9、第十六连接柱H16、第四接地电容C10均通过低温共烧陶瓷LTCC工艺技术实现。
电感L1的第一短截线L11、电感L1的第二短截线L12、电感L2的第一短截线L21、电感L2的第二短截线L22、电感L3的第一短截线L31、电感L3的第二短截线L32、电感L4的第一短截线L41、电感L4的第二短截线L42、电感L5的第一短截线L51、电感L5的第二短截线L52、电感L6的第一短截线L61、电感L6的第二短截线L62均为螺旋线结构。电容C1、C2、C3、C4、C5、C6、C7、C8、C9、C10均为MIM结构。
一种基于LTCC的C波段低通滤波器，通过低温共烧陶瓷LTCC工艺技术实现立体三维集成，因此具有稳定性高、封装密度强、生产成品率高、生产成本低、抗恶劣环境能力强等优点。
本发明一种基于LTCC的C波段低通滤波器，滤波器的尺寸仅为6.4mm×3mm×1.65mm，由图2、图3、图4可以看出通带范围为0-4GHz，阻带范围为4.5GHz-7.5GHz，通带插损小于1dB，带内驻波大于20dB，驻波比优于1.2，带外抑制大于25dB。
Claims (6)
1.一种基于LTCC的C波段低通滤波器，其特征在于：包括特征阻抗为50欧姆的第一端口（P1）与第二端口（P2）对称位于元器件的两端；从上到下依次为电感层、第一电容层、第二电容层、接地层（GND）；第一屏蔽层（SHIELD1）与第二屏蔽层（SHIELD2）分别位于前后两端并且对称；电感层共有6个电感，依次为电感L1、L2、L3、L4、L5、L6，第一电容地层共有6个电容，依次为电容C1、C2、C3、C4、C5、C6，第二电容层共有4个电容，依次为C7、C8、C9、C10。
2.根据权利要求1所述的基于LTCC的C波段低通滤波器，其特征在于：电感L1正下方是电容C1，电感L1与电容C1的一端通过通过第一短截线（L11）、第六连接线（CN6）与第一端口（P1）相连，电感L1与电容C1的另一端通过第一连接线（CN1）、第七连接柱（H7）、第七连接线（CN7）连接；电感L2与电感L1通过第一连接线（CN1）连接，电感L2正下方是电容C2，电感L2与电容C2的一端通过第一连接线（CN1）、第七连接柱（H7）、第八连接线（CN8）相连，电感L2与电容C2的另一端通过第二连接线（CN2）、第九连接柱（H9）、第十连接柱（H10）、第九连接线（CN9）相连；电感L3通过第二连接线（CN2）与电感L2相连，电感L3正下方是电容C3，电感L3与电容C3的一端通过第二连接线（CN2）、第九连接柱（H9）、第十连接线（CN10）相连，电感L3的另一端通过第三连接线（CN3）与电感L4相连，电容C3的另一端通过第十一连接线（CN11）与电容C4相连，电感L4的正下方是电容C4，电感L4与电容C4的另一端通过第四连接线（CN4）、第十二连接柱（H12）、第十二连接线（CN12）连接；电感L5与电感L4通过第四连接线（CN4）相连，电感L5的正下方是电容C5，电感L5与电容C5的一端通过第四连接线（CN4）、第十二连接柱（H12）、第十三连接柱（H13）、第十三连接线（CN13）相连，电感L5与电容C5的另一端通过第五连接线（CN5）、第十五连接柱（H15）、第十四连接线（CN14）相连；电感L6通过第五连接线（CN5）与电感L5相连，电感L6的正下方是电容C6，电感L6与电容C6的一端通过第五连接线（CN5）、第十五连接柱（H15）、第十五连接线（CN15）相连，电感L6和电容C6通过第二短截线（L62）、第十六连接线（CN16）与第二端口（P2）连接；接地电容C7通过第八连接柱（H8）、第七连接柱（H7）与电感L1、L2和电容C1、C2相连；接地电容C8通过第九连接柱（H9）、第十连接柱（H10）、第十一连接柱（H11）与电感L2、L3和电容C2、C3相连；接地电容C9通过第十二连接柱（H12）、第十三连接柱（H13）、第十四连接柱（H14）与电感L4、L5和电容C4、C5相连；接地电容C10通过第十五连接柱（H15）、第十六连接柱（H16）与电感L5、L6和电容C5、C6相连。
3.根据权利要求1或2所述的基于LTCC的C波段低通滤波器，其特征在于：电感L1由第一短截线（L11）通过第一连接柱（H1）与第二短截线（L12）连接构成；电容C1的第一层（C11）通过第六连接线（CN6）与第一端口（P1）相连，电容C1的第二层（C12）通过第七连接线（CN7）与第七连接柱（H7）相连，第七连接柱（H7）下端与第八连接柱（H8）相连,第八连接柱（H8）下端连接位于第二电容层的接地电容C7；电感L2由第一短截线（L21）与第二短截线（L22）通过第二连接柱（H2）相连构成；电容C2的第一层（C21）左端与第八连接线（CN8）相连，电容C2的第二层（C22）右端通过第九连接线（CN9）与第十连接柱（H10）相连；第十连接柱下端连接第十一连接柱（H11），第十一连接柱（H11）下端连接位于第二电容层的接地电容C8；电感L3由第一短截线（L31）与第二短截线（L32）通过第二连接柱（H3）相连构成，第二短截线（L32）与第三连接线（CN3）左端相连；
电容C3的第一层（C31）左端与第十连接线（CN10）连接，第十连接线（CN10）左端与第九连接柱（H9）下端相连，电容C3的第二层（C32）右端与第十一连接线（CN11）相连；电感L4由第一短截线（L41）与第二短截线（L42）通过第四连接柱（H4）相连构成，电容C4的第一层（C41）左端与第十一连接线（CN11）右端相连，第一层的上方是电容C4的第二层（C42），电容C4的第二层（C42）右端与第十二连接线（CN12）相连，第十四连接柱（H14）下端连接位于第二电容层的电容C9；电感L5的第一短截线（L51），电感L5由第一短截线（L51）与第二短截线（L52）通过第五连接柱（H5）相连构成，电容C5的第一层（C51）左端与第十三连接线（CN13）相连，电容C5的第二层（C52）右端与十四连接线（CN14）相连，第十六连接柱下端连接位于第二电容层的电容C10；电感L6由第一短截线（L61）与第二短截线（L62）通过第六连接柱（H6）相连构成，电容C6的第一层（C61）与第十五连接线（CN15）相连，第十五连接线（CN15）左端与第十五连接柱（H15）下端相连，电容C6的第二层（C62）右端与第十六连接线（CN16）相连。
4.根据权利要求1所述的基于LTCC的C波段低通滤波器，其特征在于：包括特征阻抗均为50欧姆的第一端口（P1）、第二端口（P2）、接地层（GND）、第一屏蔽层（SHIELD1）、第二屏蔽层（SHIELD2）、模型标记（MARK）、电感L1的第一短截线（L11）、电感L1的第二短截线（L12）、第一连接柱（H1）、第一连接线CN1、电感L2的第一短截线（L21）、电感L2的第二短截线（L22）、第二连接柱（H2）、第二连接线CN2、电感L3的第一短截线（L31）、电感L3的第二短截线（L32）、第三连接柱（H3）、第三连接线（CN3）、电感L4的第一短截线（L41）、电感L4的第二短截线（L42）、第四连接柱（H4）、第四连接线（CN4）、电感L5的第一短截线（L51）、电感L5的第二短截线（L52）、第五连接柱（H5）、第五连接线（CN5）、电感L6的第一短截线（L61）、电感L6的第二短截线（L62）、第六连接柱（H6）、第六连接线（CN6）、电容C1的第一层（C11）、电容C1的第二层（C12）、第七连接线（CN7）、第七连接柱（H7）、第八连接线（CN8）、电容C2的第一层（C21）、电容C2的第二层（C22）、第九连接线（CN9）、第九连接柱（H9）、第十连接柱（H10）、第十连接线（CN10）、电容C3的第一层（C31）、电容C3的第二层（C32）、第十一连接线（CN11）、电容C4的第一层（C41）、电容C4的第二层（C42）、第十二连接线（CN12）、第十二连接柱（H12）、第十三连接柱（H13）、第十三连接线（CN13）、电容C5的第一层（C51）、电容C5的第二层（C52）、第十四连接线（CN14）、第十五连接柱（H15）、第十五连接线（CN15）、电容C6的第一层（C61）、电容C6的第二层（C62）、第十六连接线（CN16）、第八连接柱（H8）、第一接地电容（C7）、第十一连接柱（H11）、第二接地电容（C8）、第十四连接柱（H14）、第三接地电容（C9）、第十六连接柱（H16）、第四接地电容（C10）均通过低温共烧陶瓷（LTCC）工艺技术实现。
5.根据权利要求1所述的基于LTCC的C波段低通滤波器，其特征在于：电感L1的第一短截线（L11）、电感L1的第二短截线（L12）、电感L2的第一短截线（L21）、电感L2的第二短截线（L22）、电感L3的第一短截线（L31）、电感L3的第二短截线（L32）、电感L4的第一短截线（L41）、电感L4的第二短截线（L42）、电感L5的第一短截线（L51）、电感L5的第二短截线（L52）、电感L6的第一短截线（L61）、电感L6的第二短截线（L62）均为螺旋线结构。
6.根据权利要求1所述的基于LTCC的C波段低通滤波器，其特征在于：电容C1、C2、C3、C4、C5、C6、C7、C8、C9、C10均为MIM结构。
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| CN103944528A (zh) * | 2014-05-13 | 2014-07-23 | 苏州博海创业微系统有限公司 | 一种高抑制ltcc低通滤波器 |
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