JPS5949003A - Micと導波管回路との変換結合構成 - Google Patents

Micと導波管回路との変換結合構成

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JPS5949003A
JPS5949003A JP16010482A JP16010482A JPS5949003A JP S5949003 A JPS5949003 A JP S5949003A JP 16010482 A JP16010482 A JP 16010482A JP 16010482 A JP16010482 A JP 16010482A JP S5949003 A JPS5949003 A JP S5949003A
Authority
JP
Japan
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waveguide
antenna
mic
substrate
cover plate
Prior art date
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Pending
Application number
JP16010482A
Other languages
English (en)
Inventor
Masayuki Ishizaki
石崎 正之
Megumi Arai
新居 恵
Shinichi Moriyama
伸一 森山
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Fujitsu Ltd
Original Assignee
Fujitsu Ltd
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Filing date
Publication date
Application filed by Fujitsu Ltd filed Critical Fujitsu Ltd
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Publication of JPS5949003A publication Critical patent/JPS5949003A/ja
Pending legal-status Critical Current

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Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01PWAVEGUIDES; RESONATORS, LINES, OR OTHER DEVICES OF THE WAVEGUIDE TYPE
    • H01P5/00Coupling devices of the waveguide type
    • H01P5/08Coupling devices of the waveguide type for linking dissimilar lines or devices
    • H01P5/10Coupling devices of the waveguide type for linking dissimilar lines or devices for coupling balanced lines or devices with unbalanced lines or devices
    • H01P5/107Hollow-waveguide/strip-line transitions

Landscapes

  • Waveguide Aerials (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 (a1発明の技術分野 本発明はマイクロ波からミリ波に及ぶ範囲で利用されて
いるMIC(マイク「1波集積回路)と導波管回路との
変換結合構成の改良に関す。
lb)技術の背景 所謂マイクロ波集積回路、M I Gはマイクロ波領域
において広く実用化されているが、技術の進歩と共にミ
IJ波領域にまで使用せんとする研究開発が進められて
おり、その実用化のためにはMICとミリ波伝送に有利
な導波管回路との効果的な結合構成が必要となる。
(0)従来技術と問題点 この効果的な結合構成として、従来はMICの出力、あ
るいは入力部と接続するセラミック基板上に設りられた
マイクロストリップアンテナの先端を導波管中に挿入す
る構成がとられている。
第1図はその構成の要部を斜視図で示すもので、導波管
1の軸力向に垂直にセラミック基板2上に設りられたマ
イクロス1−リップアンテナ3の先端が突出している。
E、11は導波管中を伝送する電波の夫々電界、磁界方
向を示す。
勿論この結合構成からなる変換器を広帯域にわたってイ
ンピーダンス特性を均一にするためには、導波管1の寸
法a、bアンテナ基板2の幅(7、および突出長d、突
出位置e等の値を適当な値に選定しなければならない。
特に基板2の幅Cはあまり大きくすると導波管モードが
MIC側に洩れこみ、MIC自体の特性を劣化させる原
因となるために1ffl當c/a<Q、4の条件を満た
ずように選定される。
この趣旨に従って現在使用されている変換結合構成の要
部を第2図に、理解に便なるよう分解斜視図(イ)と一
体に結合した側断面図(ロ)で示す。
金属ブロックからなる基板4の中央大部5に収容固定さ
れたマイクロ波築積回路、MICは、導波管6との結合
部7の導波管8中に先端を突出させたス1−リップアン
テナ3と結合接続される。
基板4の上面を揃えるため結合部7上に導波管8のため
同様の入部9を備えるスペーサIOを挾んで、覆板11
、更にその上に導波管6が載置され周辺4個の取付は孔
を利用して一体に結合される。
結合部7の導波管8の下部ば、アンテナ3の先θ111
におりる電界強度を高めるためのショー1−プロンこの
変換結合構成では臣板11、スペーサ10、ショー1−
ブロック12、総て独立した別個のものが使用されてい
る。従−て組立工数も当然大きい。
fd)発明の目的 本発明は部品点数を減少させ、従って組立工数も少なく
経済的に有利なこの種変換結合構成を得ることをその目
的とする。
(e)発明の構成 本発明の上記目的は、導波管中にMIGからのマイクし
1ストリップアンテナを突出させるMICと導波僧回路
の変換を行う変換器におりるアンテナと導波管との結合
が、該アンテナを構成する基板の裏面側で行うようなす
本発明による結合構成によって達成される。
アンテナと導波管との結合がアンテナを構成する基板裏
面側で行われることにより、アンテナ部の電界を最大に
するために必要な導波管ショート機構は該基板の表面側
、即ち覆板の取イ」し」られる側で行われることとなり
、従って該ショート機構をして覆板の機能を持たしめ、
又従来必要とした上面を揃えるための特別なスペーサも
不必要とすることができる。
(f)発明の実施例 以下第3図に示す本発明の実施例により本発明の要旨を
具体的に説明する。企図を通じ同−符υは同一対象物を
示す。
第3図(イ)、(ロ)は夫々第2図(イ)、(ロ)に準
じて示す本発明の一実施例の変換結合構成の要部の分解
斜視図と結合した側断面図である。
マイクロ波4J(積回路MICを入部5に収容固定した
金属ブロック基板4の先端の導波管1結合部7゛は第2
図の場合と異なり、導波管8゛の長さが覆板の一部をか
ねるショートブロック14を結合させたときスI・リッ
プアンテナ3の先端における電界の強さが最大となるよ
うより長(選定されている。
導波管6は該結合部7′の下部、ストリップアンテナ3
を設けた基板2の裏面側で結合される。別の覆板11′
 がショートブロック14で蔽われない他の部分を蔽う
(g)発明の詳細 な説明のように本発明においてはス1−リップアンテナ
と導波管との結合を該アンテナを設りだ基板の裏面で行
う構成をなすことにより、fil1品点数全点数し、組
立工数を減少させるという著しい経ih的効果を示すも
のである。
【図面の簡単な説明】
第1図はMIGと導波管との結合構成の原理図を斜視図
で示し、第2図は実際の変換結合構成の要部を分解斜視
図(イ)と側I折面図(ロ)で、第図において、l、6
,8,8°は導波管、2はストリップアンテナ3を表面
に設けたセラミック基板、MICはマーイクロ波集積回
M&、4はMICをその入部5に収容する基板、7.7
″は導波管結合部、10はスペーサ、ii、il”は覆
板、12.14はショートフロックを示す。

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 (11導波管中にMICからのマイクロストリップライ
    ンアンテナを突出させるMICと導波管回路の変換を行
    う変換器において、該導波管との結合が該アンテナを構
    成する基板の裏面側で行われることを特徴とするMIC
    と導波管回路との変換結合構成。 (2)アンテナ部の電界を最大にするために設りられる
    導波管ショー1−機構が、同時にMIC導波管変換機部
    の覆板の機能をもつことを特徴とする特許請求の範囲第
    1項記載のMICと導波管との変換結合構成。
JP16010482A 1982-09-14 1982-09-14 Micと導波管回路との変換結合構成 Pending JPS5949003A (ja)

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