JPS6177403A - ストリツプライン−導波管変換器 - Google Patents
ストリツプライン−導波管変換器Info
- Publication number
- JPS6177403A JPS6177403A JP19887584A JP19887584A JPS6177403A JP S6177403 A JPS6177403 A JP S6177403A JP 19887584 A JP19887584 A JP 19887584A JP 19887584 A JP19887584 A JP 19887584A JP S6177403 A JPS6177403 A JP S6177403A
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- Japan
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- waveguide
- stripline
- substrate
- impedance matching
- strip line
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- Pending
Links
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 claims abstract description 14
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims abstract description 11
- 230000005855 radiation Effects 0.000 claims abstract description 11
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 23
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 2
- 230000008878 coupling Effects 0.000 abstract description 7
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 abstract description 7
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 abstract description 7
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
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- 230000035515 penetration Effects 0.000 description 2
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 1
- 239000004809 Teflon Substances 0.000 description 1
- 229920006362 Teflon® Polymers 0.000 description 1
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01P—WAVEGUIDES; RESONATORS, LINES, OR OTHER DEVICES OF THE WAVEGUIDE TYPE
- H01P5/00—Coupling devices of the waveguide type
- H01P5/08—Coupling devices of the waveguide type for linking dissimilar lines or devices
- H01P5/10—Coupling devices of the waveguide type for linking dissimilar lines or devices for coupling balanced lines or devices with unbalanced lines or devices
- H01P5/107—Hollow-waveguide/strip-line transitions
Landscapes
- Waveguide Aerials (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明はマイクロ波における伝送線路の変換を行う装置
に係り、特（ニストリップラインと導波管との相互の変
換を行うス２ツブラインー導波管変換器に関するもので
ある。
に係り、特（ニストリップラインと導波管との相互の変
換を行うス２ツブラインー導波管変換器に関するもので
ある。
従来この種の変換器としては、リンジ導体を用いた変換
器やピックアップインダクタによる変換器が一般を二用
いられている。
器やピックアップインダクタによる変換器が一般を二用
いられている。
第５図はリッジ導体を用いたストリップライン−導波管
変換器の構成を示したものである。同図Ｃ：おいて（α
）は導波管横断面を示す図、（ｈ）は（α）図Ｃ二おけ
るＡ−Ａ断面図であって、１はストリップライン誘電体
基板、２はストリップラインの伝送線路、３はリッジ導
体、４は導波管を示している。
変換器の構成を示したものである。同図Ｃ：おいて（α
）は導波管横断面を示す図、（ｈ）は（α）図Ｃ二おけ
るＡ−Ａ断面図であって、１はストリップライン誘電体
基板、２はストリップラインの伝送線路、３はリッジ導
体、４は導波管を示している。
第５図に示されたストリップライン−導波管変換器は導
波管４の側のインピーダンスとストリップラインの側の
インピーダンスとの整合なリッジ導体３によってとるよ
うｆ二したものであるが、広帯域にインピーダンス整合
を行うためＣ二はリッジ導体３の長さを長くしなければ
ならず、従って導波管変換部の寸法が大きくなる。また
、この形式の変換器はその構造上組立が複雑であって、
均一な精度を有するものを量産することが困難である。
波管４の側のインピーダンスとストリップラインの側の
インピーダンスとの整合なリッジ導体３によってとるよ
うｆ二したものであるが、広帯域にインピーダンス整合
を行うためＣ二はリッジ導体３の長さを長くしなければ
ならず、従って導波管変換部の寸法が大きくなる。また
、この形式の変換器はその構造上組立が複雑であって、
均一な精度を有するものを量産することが困難である。
第６図はピックアップインダクタによるストリンプライ
ン−導波管変換器の構成を示したものであって、第５図
におけると同じ部分は同じ番号で示されており、５はピ
ンクアップインダクタ、６はショートブロック、７は導
波管４イニ設けられた貫通部である。
ン−導波管変換器の構成を示したものであって、第５図
におけると同じ部分は同じ番号で示されており、５はピ
ンクアップインダクタ、６はショートブロック、７は導
波管４イニ設けられた貫通部である。
第６図（二おいて、ピックアップインダクタ５は一端が
伝送線路２に接続され、曲端が貫通部７を経て導波管４
内に突出するように設けられていて、導波管４内の電磁
波と結合すること（二上って、伝送線路２と導波管４と
の相互の間でマイクロ波の授受を行う。
伝送線路２に接続され、曲端が貫通部７を経て導波管４
内に突出するように設けられていて、導波管４内の電磁
波と結合すること（二上って、伝送線路２と導波管４と
の相互の間でマイクロ波の授受を行う。
第６図Ｃ：示されたストリップライン−導波管変換器の
場合、導波管内にピックアップインダクタを挿入する関
係上、ピックアップインダクタの支持が複雑であって組
立てに手間がか＼るとともに、ストリップラインな導波
管の外（二取付ける必要があるため、構造的に大きくな
ることを避けられない。
場合、導波管内にピックアップインダクタを挿入する関
係上、ピックアップインダクタの支持が複雑であって組
立てに手間がか＼るとともに、ストリップラインな導波
管の外（二取付ける必要があるため、構造的に大きくな
ることを避けられない。
上述のようＣ二従来のストリップライン−導波管変換器
は、いずれも構造が複雑であって組立てに手間がか＼る
とともＣ：、寸法的に大きくなることを避けられないと
いう問題があった。
は、いずれも構造が複雑であって組立てに手間がか＼る
とともＣ：、寸法的に大きくなることを避けられないと
いう問題があった。
本発明のストリップライン−導波管変換器は、導波管横
断面上に設けられた誘電体シートからなる基板と、基板
上その中央部に設けられた導体パターンからなりその一
端をストリップラインの伝送線路に接続された結合放射
素子と、基板上において結合放射素子の両側Ｃ：設けら
れた導体パターンからなるインピーダンス整合素子と、
ストリップライン上結合放射素子から離れた位置１：設
けられた導電性部材からなるカットオフブロックとｔ具
えてなることによって、ストリップラインと導波管との
相互の間でマイクロ波の授受を行う〇〔作用〕 本発明のストリップライン−導波管変換器は上述のごと
き構成を具えたことによって、ストリップラインと導波
管とをインピーダンスの整合をとるとともＣニジアクタ
ンスを補償して相互の間でマイクロ波の授受を行うこと
ができる。
断面上に設けられた誘電体シートからなる基板と、基板
上その中央部に設けられた導体パターンからなりその一
端をストリップラインの伝送線路に接続された結合放射
素子と、基板上において結合放射素子の両側Ｃ：設けら
れた導体パターンからなるインピーダンス整合素子と、
ストリップライン上結合放射素子から離れた位置１：設
けられた導電性部材からなるカットオフブロックとｔ具
えてなることによって、ストリップラインと導波管との
相互の間でマイクロ波の授受を行う〇〔作用〕 本発明のストリップライン−導波管変換器は上述のごと
き構成を具えたことによって、ストリップラインと導波
管とをインピーダンスの整合をとるとともＣニジアクタ
ンスを補償して相互の間でマイクロ波の授受を行うこと
ができる。
第１図は本発明のストリップライン−導波管変換器の一
実施例の構成な示す斜視図である。同図（二おいて１１
は薄い誘電体シートからなる基板、１２ 、１３はそれ
ぞれ基板１１上（＝設けられた導体パターンからなる結
合放射素子Ｓよびインピーダンス整合素子、１４は誘電
体基板、１５は誘電体基板１４上（−設けられてストリ
ップラインの伝送線路、１６は誘電体基板１４上（二股
けられた導電性部材からなるカットオフブロック、１７
は導波管である。
実施例の構成な示す斜視図である。同図（二おいて１１
は薄い誘電体シートからなる基板、１２ 、１３はそれ
ぞれ基板１１上（＝設けられた導体パターンからなる結
合放射素子Ｓよびインピーダンス整合素子、１４は誘電
体基板、１５は誘電体基板１４上（−設けられてストリ
ップラインの伝送線路、１６は誘電体基板１４上（二股
けられた導電性部材からなるカットオフブロック、１７
は導波管である。
第１図（二おいて、基板１１は例えばセメンタプルテフ
ロンプリント基板シートあるいはポリイミドプリント基
板シートからなり、導波管１７の終端部（二股けらｎる
。結合放射素子１２は基板１１上（二股けられ、導波管
内の電磁波と結合するととも（２七の一端？ストリップ
ラインの伝送線路１４（二接続されていて、等波管とス
トリップラインとの相互の間でマイクロ波の授受２行う
。この際結合放射素子１２の形状と大きさを適当に選ぶ
ことによって、導波管とストリップラインとの間でイン
ピーダンスの整合ｔとることかでざる。インピーダンス
整合素子１３は基板１１上（二おいて結合放射素子１２
の両側に設けられ、導波管のストリップラインとの接合
部におけるリアクタンス補償を行つ。
ロンプリント基板シートあるいはポリイミドプリント基
板シートからなり、導波管１７の終端部（二股けらｎる
。結合放射素子１２は基板１１上（二股けられ、導波管
内の電磁波と結合するととも（２七の一端？ストリップ
ラインの伝送線路１４（二接続されていて、等波管とス
トリップラインとの相互の間でマイクロ波の授受２行う
。この際結合放射素子１２の形状と大きさを適当に選ぶ
ことによって、導波管とストリップラインとの間でイン
ピーダンスの整合ｔとることかでざる。インピーダンス
整合素子１３は基板１１上（二おいて結合放射素子１２
の両側に設けられ、導波管のストリップラインとの接合
部におけるリアクタンス補償を行つ。
カットオフブロック１６は導磁性部材からなり誘電体基
板１４上のストリップライン側の適当な位置（二設けら
れていて、導波管側からストリップライン側への放射結
合を防止するとともζ二、ストリップラインと導波管と
の間のインピーダンス整合に寄与する。
板１４上のストリップライン側の適当な位置（二設けら
れていて、導波管側からストリップライン側への放射結
合を防止するとともζ二、ストリップラインと導波管と
の間のインピーダンス整合に寄与する。
第２図は％１図に示された変換器を上からみた図であっ
て、第１図におけると同じ部分は同じ番号で示され℃い
る。カットオフブロック１６は導電性部材（例えば金属
）からなり、結合放射素子１２から例えばλ／４（λは
伝送線路１５上の使用波長ン離れた位置（二設けられて
いる。
て、第１図におけると同じ部分は同じ番号で示され℃い
る。カットオフブロック１６は導電性部材（例えば金属
）からなり、結合放射素子１２から例えばλ／４（λは
伝送線路１５上の使用波長ン離れた位置（二設けられて
いる。
第６図は第１図（二おける基板１１の詳細な構成の一例
を示し、第１図（二おけると同じ部分を同じ命号で示し
ている。基板１１上の導体パターンからなる結合放射素
子１２は基板１１上その中央位置（二設けられ、形状、
大きさを適当（二選ぶことによって、広い範囲でインピ
ーダンス整合を行うことができる。インピーダンス整合
素子１６は基板１１上結合放射素子１２の両側：二設け
られ、その形状。
を示し、第１図（二おけると同じ部分を同じ命号で示し
ている。基板１１上の導体パターンからなる結合放射素
子１２は基板１１上その中央位置（二設けられ、形状、
大きさを適当（二選ぶことによって、広い範囲でインピ
ーダンス整合を行うことができる。インピーダンス整合
素子１６は基板１１上結合放射素子１２の両側：二設け
られ、その形状。
大きさを適当に選ぶことによって、導波管接合部（二お
けるリアクタンスの補償を行うことができる。
けるリアクタンスの補償を行うことができる。
基板１１上の結合放射素子１２．インピーダンス整合素
子１６は、基板１１ Ｙ導体張りシートで構成してこれ
をエツチングすることによって形成してもよく、または
基板１１を誘電体シートで構成して。
子１６は、基板１１ Ｙ導体張りシートで構成してこれ
をエツチングすることによって形成してもよく、または
基板１１を誘電体シートで構成して。
その上に導体ノートで作成したパターンを張付けて形成
するようにしてもよ（、従っていずれにしても容易（二
製作精度を向上させることができ量産性が良好である。
するようにしてもよ（、従っていずれにしても容易（二
製作精度を向上させることができ量産性が良好である。
また基板１１はその取付（す位置音導波管１７のフラン
ジ面とすること（二よって、導波管の気密のための防水
窓と兼用させることができ、従って部品省略を行うこと
ができ経済的である。
ジ面とすること（二よって、導波管の気密のための防水
窓と兼用させることができ、従って部品省略を行うこと
ができ経済的である。
第４図はカットオフブロックの具体的構成例を示し、第
１図（二おけると同じ部分を同じ番号で示している。同
図にＳいて（α）はカットオフブロック１６Ａを１個の
金属プロツクによってａ或した場合を示し、この場合は
カットオフブロック１６Ａの下部（二伝送線路１５を通
丁ためのトンネル部１ｇが設けられている。ｆＡ）はカ
ットオフブロック１６ＢＹ２個の金属ブロック（二よっ
て構成した場合全示し、第１図および第２図（二おいて
説明したカットオフブロック１６（二対応している。こ
れらいずれの場合もカットオフブロック１６，４ 、１
６Ｂは例えば金属ダイキャスト（二よって製作すること
ができ、量産性が良好である。
１図（二おけると同じ部分を同じ番号で示している。同
図にＳいて（α）はカットオフブロック１６Ａを１個の
金属プロツクによってａ或した場合を示し、この場合は
カットオフブロック１６Ａの下部（二伝送線路１５を通
丁ためのトンネル部１ｇが設けられている。ｆＡ）はカ
ットオフブロック１６ＢＹ２個の金属ブロック（二よっ
て構成した場合全示し、第１図および第２図（二おいて
説明したカットオフブロック１６（二対応している。こ
れらいずれの場合もカットオフブロック１６，４ 、１
６Ｂは例えば金属ダイキャスト（二よって製作すること
ができ、量産性が良好である。
以上説明したよう（二本発明のストリップライン−導波
管変換器（二よれば、導波管横断面上（二取付けた誘電
体シート上（二設けた導体パターンからなる結付放射素
子とインピーダンス整合素子Ｓよびストリップライン上
（二設けた導電性部材からなるカットオフブロックと（
二よってインピーダンス整合とリアクタンス補償とを行
うので、構造が簡単で組立が容易であって量産性が良好
であると、とも（二、寸法的（；小形ζ二できる利点が
ある。
管変換器（二よれば、導波管横断面上（二取付けた誘電
体シート上（二設けた導体パターンからなる結付放射素
子とインピーダンス整合素子Ｓよびストリップライン上
（二設けた導電性部材からなるカットオフブロックと（
二よってインピーダンス整合とリアクタンス補償とを行
うので、構造が簡単で組立が容易であって量産性が良好
であると、とも（二、寸法的（；小形ζ二できる利点が
ある。
第１図は本発明のストリップライン−導波管変換器の一
実施例の構成を示す斜視図、第２図は第１図６二示され
た変換器を上からみた図、第５図は基板の詳細な構成の
一例を示す図、第４図はカットオフブロックの具体的構
成例を示す図、第５図および第６図はそれぞれ従来のス
トリップライン−導波管変換器の構成例を示す図である
。
実施例の構成を示す斜視図、第２図は第１図６二示され
た変換器を上からみた図、第５図は基板の詳細な構成の
一例を示す図、第４図はカットオフブロックの具体的構
成例を示す図、第５図および第６図はそれぞれ従来のス
トリップライン−導波管変換器の構成例を示す図である
。
Claims (4)
- （１）ストリップラインと導波管とを結合するストリッ
プライン−導波管変換器において、導波管横断面上に設
けられた誘電体シートからなる基板と、該基板上その中
央部に設けられた導体パターンからなりその一端をスト
リップラインの伝送線路に接続された結合放射素子と、
該基板上において該結合放射素子の両側に設けられた導
体パターンからなるインピーダンス整合素子と、ストリ
ップライン上前記結合放射素子から離れた位置に設けら
れた導電性部材からなるカットオフブロックとを具えて
なることを特徴とするストリップライン−導波管変換器
。 - （２）前記結合放射素子およびインピーダンス整合素子
が導体張り誘電体シートからなる基板をエッチングして
形成したことを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の
ストリップライン−導波管変換器。 - （３）前記結合放射素子およびインピーダンス整合素子
が誘電体シートからなる基板に導体パターンを張付けて
形成したことを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の
ストリップライン−導波管変換器。 - （４）前記基板が導波管フランジ面に設けられて導波管
の防水窓をなすことを特徴とする特許請求の範囲第１項
記載のストリップライン−導波管変換器。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19887584A JPS6177403A (ja) | 1984-09-22 | 1984-09-22 | ストリツプライン−導波管変換器 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19887584A JPS6177403A (ja) | 1984-09-22 | 1984-09-22 | ストリツプライン−導波管変換器 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6177403A true JPS6177403A (ja) | 1986-04-21 |
Family
ID=16398370
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP19887584A Pending JPS6177403A (ja) | 1984-09-22 | 1984-09-22 | ストリツプライン−導波管変換器 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6177403A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| FR2623020A1 (fr) * | 1987-11-05 | 1989-05-12 | Alcatel Espace | Dispositif d'excitation d'un guide d'onde en polarisation circulaire par une antenne plane |
| EP0350324A2 (en) * | 1988-07-08 | 1990-01-10 | Gec-Marconi Limited | Waveguide coupling arrangement |
| US5107231A (en) * | 1989-05-25 | 1992-04-21 | Epsilon Lambda Electronics Corp. | Dielectric waveguide to TEM transmission line signal launcher |
| US6486748B1 (en) * | 1999-02-24 | 2002-11-26 | Trw Inc. | Side entry E-plane probe waveguide to microstrip transition |
| KR20030086136A (ko) * | 2002-05-03 | 2003-11-07 | (주)텔레컴텍 | 표면 실장용 티_프로브형 유전체 내장 금속 도파관 여기구조 |
| US8690432B2 (en) | 2009-04-27 | 2014-04-08 | Messier-Dowty Limited | Bearing assembly |
-
1984
- 1984-09-22 JP JP19887584A patent/JPS6177403A/ja active Pending
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| FR2623020A1 (fr) * | 1987-11-05 | 1989-05-12 | Alcatel Espace | Dispositif d'excitation d'un guide d'onde en polarisation circulaire par une antenne plane |
| EP0350324A2 (en) * | 1988-07-08 | 1990-01-10 | Gec-Marconi Limited | Waveguide coupling arrangement |
| US5043683A (en) * | 1988-07-08 | 1991-08-27 | Gec-Marconi Limited | Waveguide to microstripline polarization converter having a coupling patch |
| US5107231A (en) * | 1989-05-25 | 1992-04-21 | Epsilon Lambda Electronics Corp. | Dielectric waveguide to TEM transmission line signal launcher |
| US6486748B1 (en) * | 1999-02-24 | 2002-11-26 | Trw Inc. | Side entry E-plane probe waveguide to microstrip transition |
| KR20030086136A (ko) * | 2002-05-03 | 2003-11-07 | (주)텔레컴텍 | 표면 실장용 티_프로브형 유전체 내장 금속 도파관 여기구조 |
| US8690432B2 (en) | 2009-04-27 | 2014-04-08 | Messier-Dowty Limited | Bearing assembly |
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