JP3091020B2 - 高周波用配線基板 - Google Patents
高周波用配線基板Info
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- JP3091020B2 JP3091020B2 JP04173851A JP17385192A JP3091020B2 JP 3091020 B2 JP3091020 B2 JP 3091020B2 JP 04173851 A JP04173851 A JP 04173851A JP 17385192 A JP17385192 A JP 17385192A JP 3091020 B2 JP3091020 B2 JP 3091020B2
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- JP
- Japan
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- insulating substrate
- conductor line
- wiring board
- ground layer
- line portion
- Prior art date
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-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K1/00—Printed circuits
- H05K1/02—Details
- H05K1/0213—Electrical arrangements not otherwise provided for
Landscapes
- Production Of Multi-Layered Print Wiring Board (AREA)
- Waveguides (AREA)
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、高周波用配線基板、特
に絶縁基板に備えたビアと導体線路とを連ねてなる信号
線路に高周波信号を伝送損失少なく伝えることのできる
高周波用配線基板に関する。
に絶縁基板に備えたビアと導体線路とを連ねてなる信号
線路に高周波信号を伝送損失少なく伝えることのできる
高周波用配線基板に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来より、図３に示したような、高周波
用配線基板がある。
用配線基板がある。
【０００３】この配線基板は、その本体をセラミック等
からなる絶縁層を複数積層してなる絶縁基板１０から形
成している。絶縁基板１０の上下方向には、ホールにメ
タライズ等の導体を充填してなるビア２０を備えてい
る。ビア２０下端は絶縁基板１０下部の内側に達してい
て、そのビア２０下端からメタライズ等からなる細帯状
の導体線路３０を絶縁基板１０の絶縁層間にビア２０と
直角に延設している。
からなる絶縁層を複数積層してなる絶縁基板１０から形
成している。絶縁基板１０の上下方向には、ホールにメ
タライズ等の導体を充填してなるビア２０を備えてい
る。ビア２０下端は絶縁基板１０下部の内側に達してい
て、そのビア２０下端からメタライズ等からなる細帯状
の導体線路３０を絶縁基板１０の絶縁層間にビア２０と
直角に延設している。
【０００４】ビア２０周囲の絶縁基板１０の複数の絶縁
層間には、メタライズ等からなるグランド層４０をビア
２０と直角に所定ピッチで上下に複数並べて備えてい
る。そして、ビア２０を、擬似同軸線路構造として、そ
のビア２０の特性インピーダンスを一定値にマッチング
させている。
層間には、メタライズ等からなるグランド層４０をビア
２０と直角に所定ピッチで上下に複数並べて備えてい
る。そして、ビア２０を、擬似同軸線路構造として、そ
のビア２０の特性インピーダンスを一定値にマッチング
させている。
【０００５】絶縁基板１０上面には、雄側の同軸コネク
タ５０を起立させて備えている。同軸コネクタの芯線５
２下端は、絶縁基板１０上面に露出したビア２０上端に
接続している。同軸コネクタ周囲の金属筒体５４下端面
は、絶縁基板１０上面に備えたグランド層４２に接続し
ている。
タ５０を起立させて備えている。同軸コネクタの芯線５
２下端は、絶縁基板１０上面に露出したビア２０上端に
接続している。同軸コネクタ周囲の金属筒体５４下端面
は、絶縁基板１０上面に備えたグランド層４２に接続し
ている。
【０００６】ビア２０下端から絶縁基板１０の絶縁層間
に延設した導体線路３０は、その上方の絶縁基板１０の
絶縁層間に備えたビア２０を擬似同軸線路構造とするた
めのグランド層４０と絶縁基板１０下面に備えたグラン
ド層４６とにより、ストリップ線路構造として、その導
体線路３０の特性インピーダンスを一定値にマッチング
させている。
に延設した導体線路３０は、その上方の絶縁基板１０の
絶縁層間に備えたビア２０を擬似同軸線路構造とするた
めのグランド層４０と絶縁基板１０下面に備えたグラン
ド層４６とにより、ストリップ線路構造として、その導
体線路３０の特性インピーダンスを一定値にマッチング
させている。
【０００７】そして、上記ビア２０と導体線路３０とを
連ねてなる信号線路６０に高周波信号を伝送損失少なく
伝えることができるようにしている。
連ねてなる信号線路６０に高周波信号を伝送損失少なく
伝えることができるようにしている。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記信
号線路６０においては、そのビア２０に対向するグラン
ド層４０の内周縁よりも内側に位置する導体線路部分３
０ａをストリップ線路構造としておらず、その導体線路
部分３０ａの特性インピーダンスを一定値にマッチング
させていなかった。
号線路６０においては、そのビア２０に対向するグラン
ド層４０の内周縁よりも内側に位置する導体線路部分３
０ａをストリップ線路構造としておらず、その導体線路
部分３０ａの特性インピーダンスを一定値にマッチング
させていなかった。
【０００９】そのため、その導体線路部分３０ａを伝わ
る高周波信号の伝送損失が大きくなって、上記信号線路
６０に高周波信号を伝送損失少なく効率良く伝えること
ができなかった。
る高周波信号の伝送損失が大きくなって、上記信号線路
６０に高周波信号を伝送損失少なく効率良く伝えること
ができなかった。
【００１０】本発明は、上記導体線路部分の特性インピ
ーダンスを一定値にマッチングさせて、その導体線路部
分に高周波信号を伝送損失少なく伝えることができるよ
うにした高周波用配線基板（以下、配線基板という）を
提供しようとするものである。
ーダンスを一定値にマッチングさせて、その導体線路部
分に高周波信号を伝送損失少なく伝えることができるよ
うにした高周波用配線基板（以下、配線基板という）を
提供しようとするものである。
【００１１】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明の配線基板は、絶縁基板の上下方向にビアを
備えると共に、そのビア周囲の絶縁基板にビアと所定間
隔あけてビアと直角にグランド層を上下に複数並べて備
えて、前記ビアを擬似同軸線路構造とし、かつ、前記ビ
ア端部から導体線路を前記絶縁基板にビアと直角に延設
してなる高周波用配線基板において、前記ビアに対向す
る前記グランド層の内周縁よりも内側に位置する前記導
体線路部分の外方の絶縁基板に、その導体線路部分をマ
イクロストリップ線路構造とするための局部グランド層
を該導体線路部分と平行に並べて備えたことを特徴とし
ている。
に、本発明の配線基板は、絶縁基板の上下方向にビアを
備えると共に、そのビア周囲の絶縁基板にビアと所定間
隔あけてビアと直角にグランド層を上下に複数並べて備
えて、前記ビアを擬似同軸線路構造とし、かつ、前記ビ
ア端部から導体線路を前記絶縁基板にビアと直角に延設
してなる高周波用配線基板において、前記ビアに対向す
る前記グランド層の内周縁よりも内側に位置する前記導
体線路部分の外方の絶縁基板に、その導体線路部分をマ
イクロストリップ線路構造とするための局部グランド層
を該導体線路部分と平行に並べて備えたことを特徴とし
ている。
【００１２】
【作用】上記構成の配線基板においては、ビアに対向す
るグランド層の内周縁よりも内側に位置する導体線路部
分の外方の絶縁基板に、局部グランド層をその導体線路
部分と平行に並べて備えている。
るグランド層の内周縁よりも内側に位置する導体線路部
分の外方の絶縁基板に、局部グランド層をその導体線路
部分と平行に並べて備えている。
【００１３】そのため、その局部グランド層で上記導体
線路部分をマイクロストリップ線路構造として、その導
体線路部分の特性インピーダンスを一定値にマッチング
させることができる。そして、上記導体線路部分を伝わ
る高周波信号の伝送損失を少なく抑えることができる。
線路部分をマイクロストリップ線路構造として、その導
体線路部分の特性インピーダンスを一定値にマッチング
させることができる。そして、上記導体線路部分を伝わ
る高周波信号の伝送損失を少なく抑えることができる。
【００１４】
【実施例】次に、本発明の実施例を図面に従い説明す
る。図１は本発明の配線基板の好適な実施例を示し、詳
しくはその正面断面図を示している。以下に、この配線
基板を説明する。
る。図１は本発明の配線基板の好適な実施例を示し、詳
しくはその正面断面図を示している。以下に、この配線
基板を説明する。
【００１５】図において、１０は、セラミック等からな
る絶縁層を上下に複数一体に積層してなる絶縁基板であ
る。
る絶縁層を上下に複数一体に積層してなる絶縁基板であ
る。
【００１６】絶縁基板１０の上下方向には、ホールにメ
タライズ等の導体を充填してなるビア２０を備えてい
る。
タライズ等の導体を充填してなるビア２０を備えてい
る。
【００１７】ビア２０周囲の絶縁基板１０には、ビア２
０と所定間隔あけてビア２０と直角に、メタライズ等の
導体からなるグランド層４０を所定ピッチで上下に複数
並べて備えている。具体的には、ビア２０周囲の絶縁基
板１０の複数の絶縁層間に、グランド層４０をそれぞれ
上下に並べて備えている。ビア２０に対向するグランド
層４０の内周縁は、ビア２０周囲から所定距離離隔させ
ていて、円形状等をしている。そして、そのグランド層
４０でビア２０を擬似同軸線路構造として、ビア２０の
特性インピーダンスを一定値の５０Ω等にマッチングさ
せている。
０と所定間隔あけてビア２０と直角に、メタライズ等の
導体からなるグランド層４０を所定ピッチで上下に複数
並べて備えている。具体的には、ビア２０周囲の絶縁基
板１０の複数の絶縁層間に、グランド層４０をそれぞれ
上下に並べて備えている。ビア２０に対向するグランド
層４０の内周縁は、ビア２０周囲から所定距離離隔させ
ていて、円形状等をしている。そして、そのグランド層
４０でビア２０を擬似同軸線路構造として、ビア２０の
特性インピーダンスを一定値の５０Ω等にマッチングさ
せている。
【００１８】絶縁基板１０上面には、雄側の同軸コネク
タ５０を起立させて備えている。同軸コネクタの芯線５
２下端は、絶縁基板１０上面に露出したビア２０上端に
はんだ付けにより接続している。同軸コネクタ周囲の金
属筒体５４下面は、絶縁基板１０上面に広く備えたメタ
ライズ等の導体からなるグランド層４２にはんだ付けに
より接続している。
タ５０を起立させて備えている。同軸コネクタの芯線５
２下端は、絶縁基板１０上面に露出したビア２０上端に
はんだ付けにより接続している。同軸コネクタ周囲の金
属筒体５４下面は、絶縁基板１０上面に広く備えたメタ
ライズ等の導体からなるグランド層４２にはんだ付けに
より接続している。
【００１９】ビア２０下端は、絶縁基板１０下部の内側
まで達している。ビア２０下端には、メタライズ等から
なる細帯状の導体線路３０を、絶縁基板１０の絶縁層間
にビア２０と直角に延設している。
まで達している。ビア２０下端には、メタライズ等から
なる細帯状の導体線路３０を、絶縁基板１０の絶縁層間
にビア２０と直角に延設している。
【００２０】導体線路３０は、その上方の絶縁基板１０
の絶縁層間に備えたビア２０を擬似同軸線路構造とする
ためのグランド層４０と絶縁基板１０下面に備えたグラ
ンド層４６とにより、ストリップ線路構造として、その
導体線路３０の特性インピーダンスを一定値の５０Ω等
にマッチングさせている。
の絶縁層間に備えたビア２０を擬似同軸線路構造とする
ためのグランド層４０と絶縁基板１０下面に備えたグラ
ンド層４６とにより、ストリップ線路構造として、その
導体線路３０の特性インピーダンスを一定値の５０Ω等
にマッチングさせている。
【００２１】以上の構成は、従来の既述配線基板と同様
であるが、図の配線基板では、ビア２０に対向するグラ
ンド層４０の内周縁よりも内側に位置する導体線路部分
３０ａの外方の絶縁基板１０に、その導体線路部分３０
ａをマイクロストリップ線路構造とするための局部グラ
ンド層４８を導体線路部分３０ａと平行に並べて備えて
いる。具体的には、導体線路部分３０ａの下方の絶縁基
板１０の絶縁層間に、メタライズ等の導体からなる太帯
状の局部グランド層４８を導体線路部分３０ａと平行に
並べて備えている。局部グランド層４８は、それより下
方の絶縁基板１０下面に備えたグランド層４６に、それ
らの間の絶縁基板１０の絶縁層に上下に貫通して備えた
ホールに導体を充填してなる複数本のビア２２を介して
電位差なく接続している。そして、その局部グランド層
４８で上記導体線路部分３０ａの特性インピーダンスを
一定値の５０Ω等にマッチングさせている。
であるが、図の配線基板では、ビア２０に対向するグラ
ンド層４０の内周縁よりも内側に位置する導体線路部分
３０ａの外方の絶縁基板１０に、その導体線路部分３０
ａをマイクロストリップ線路構造とするための局部グラ
ンド層４８を導体線路部分３０ａと平行に並べて備えて
いる。具体的には、導体線路部分３０ａの下方の絶縁基
板１０の絶縁層間に、メタライズ等の導体からなる太帯
状の局部グランド層４８を導体線路部分３０ａと平行に
並べて備えている。局部グランド層４８は、それより下
方の絶縁基板１０下面に備えたグランド層４６に、それ
らの間の絶縁基板１０の絶縁層に上下に貫通して備えた
ホールに導体を充填してなる複数本のビア２２を介して
電位差なく接続している。そして、その局部グランド層
４８で上記導体線路部分３０ａの特性インピーダンスを
一定値の５０Ω等にマッチングさせている。
【００２２】図１に示した配線基板は、以上のように構
成していて、この配線基板では、そのビア２０に対向す
るグランド層４０の内周縁よりも内側に位置する導体線
路部分３０ａの特性インピーダンスを一定値にマッチン
グさせて、その導体線路部分３０ａに高周波信号を伝送
損失少なく伝えることができる。
成していて、この配線基板では、そのビア２０に対向す
るグランド層４０の内周縁よりも内側に位置する導体線
路部分３０ａの特性インピーダンスを一定値にマッチン
グさせて、その導体線路部分３０ａに高周波信号を伝送
損失少なく伝えることができる。
【００２３】図２は本発明の配線基板の他の好適な実施
例を示し、詳しくはその正面断面図を示している。以下
に、この配線基板を説明する。
例を示し、詳しくはその正面断面図を示している。以下
に、この配線基板を説明する。
【００２４】図の配線基板では、ビア２０上端が、絶縁
基板１０上面まで達せずに、絶縁基板１０上部の内側に
位置している。
基板１０上面まで達せずに、絶縁基板１０上部の内側に
位置している。
【００２５】ビア２０上端には、前述導体線路３０と同
様なメタライズ等からなる細帯状の導体線路７０を絶縁
基板１０の絶縁層間ビア２０と直角に延設している。
様なメタライズ等からなる細帯状の導体線路７０を絶縁
基板１０の絶縁層間ビア２０と直角に延設している。
【００２６】導体線路７０は、その下方の絶縁基板１０
の絶縁層間に備えたビア２０を擬似同軸線路構造とする
ためのグランド層４０と絶縁基板１０上面に備えたグラ
ンド層４６０とにより、ストリップ線路構造として、そ
の導体線路７０の特性インピーダンスを一定値の５０Ω
等にマッチングさせている。
の絶縁層間に備えたビア２０を擬似同軸線路構造とする
ためのグランド層４０と絶縁基板１０上面に備えたグラ
ンド層４６０とにより、ストリップ線路構造として、そ
の導体線路７０の特性インピーダンスを一定値の５０Ω
等にマッチングさせている。
【００２７】ビア２０に対向するグランド層４０の内周
縁よりも内側に位置する導体線路部分７０ａの外方の絶
縁基板１０には、その導体線路部分７０ａをマイクロス
トリップ線路構造とするための局部グランド層４８０を
導体線路部分７０ａと平行に並べて備えている。具体的
には、導体線路部分７０ａの上方の絶縁基板１０の絶縁
層間に、メタライズ等からなる太帯状の局部グランド層
４８０を導体線路部分７０ａと平行に並べて備えてい
る。局部グランド層４８０は、それより上方の絶縁基板
１０上面に備えたグランド層４６０又はそれより下方の
絶縁基板１０の絶縁層間に備えたグランド層４０（図で
は、絶縁基板１０上面に備えたグランド層４６０として
いる）に、それらの間の絶縁基板１０の絶縁層に上下に
貫通して備えた複数本のビア２２０を介して電位差なく
接続している。そして、その局部グランド層４８０で導
体線路部分７０ａの特性インピーダンスを一定値の５０
Ω等にマッチングさせている。
縁よりも内側に位置する導体線路部分７０ａの外方の絶
縁基板１０には、その導体線路部分７０ａをマイクロス
トリップ線路構造とするための局部グランド層４８０を
導体線路部分７０ａと平行に並べて備えている。具体的
には、導体線路部分７０ａの上方の絶縁基板１０の絶縁
層間に、メタライズ等からなる太帯状の局部グランド層
４８０を導体線路部分７０ａと平行に並べて備えてい
る。局部グランド層４８０は、それより上方の絶縁基板
１０上面に備えたグランド層４６０又はそれより下方の
絶縁基板１０の絶縁層間に備えたグランド層４０（図で
は、絶縁基板１０上面に備えたグランド層４６０として
いる）に、それらの間の絶縁基板１０の絶縁層に上下に
貫通して備えた複数本のビア２２０を介して電位差なく
接続している。そして、その局部グランド層４８０で導
体線路部分７０ａの特性インピーダンスを一定値の５０
Ω等にマッチングさせている。
【００２８】その他は、図１に示した前述配線基板と同
様に構成していて、この配線基板では、そのビア２０に
対向するグランド層４０の内周縁よりも内側に位置する
導体線路部分３０ａ、７０ａの特性インピーダンスを一
定値にマッチングさせて、その導体線路部分３０ａ、７
０ａに高周波信号を伝送損失少なく伝えることができ
る。
様に構成していて、この配線基板では、そのビア２０に
対向するグランド層４０の内周縁よりも内側に位置する
導体線路部分３０ａ、７０ａの特性インピーダンスを一
定値にマッチングさせて、その導体線路部分３０ａ、７
０ａに高周波信号を伝送損失少なく伝えることができ
る。
【００２９】
【発明の効果】以上説明したように、本発明の配線基板
によれば、ビアに対向するグランド層の内周縁よりも内
側に位置する導体線路部分の特性インピーダンスをその
導体線路部分に連なる導体線路やビアの持つ特性インピ
ーダンスにマッチングさせて、導体線路とビアとを連ね
てなる信号線路に高周波信号を伝送損失少なく伝えるこ
とができる。
によれば、ビアに対向するグランド層の内周縁よりも内
側に位置する導体線路部分の特性インピーダンスをその
導体線路部分に連なる導体線路やビアの持つ特性インピ
ーダンスにマッチングさせて、導体線路とビアとを連ね
てなる信号線路に高周波信号を伝送損失少なく伝えるこ
とができる。
【図１】本発明の配線基板の正面断面図である。
【図２】本発明の配線基板の正面断面図である。
【図３】従来の配線基板の正面断面図である。
１０ 絶縁基板 ２０、２２、２２０ ビア ３０ 導体線路 ４０ グランド層 ４２、４６、４６０ グランド層 ４８、４８０ 局部グランド層 ５０ 同軸コネクタ ６０ 信号線路 ７０ 導体線路
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) H01L 23/12 H05K 3/46
Claims (1)
- 【請求項１】 絶縁基板の上下方向にビアを備えると共
に、そのビア周囲の絶縁基板にビアと所定間隔あけてビ
アと直角にグランド層を上下に複数並べて備えて、前記
ビアを擬似同軸線路構造とし、かつ、前記ビア端部から
導体線路を前記絶縁基板にビアと直角に延設してなる高
周波用配線基板において、前記ビアに対向する前記グラ
ンド層の内周縁よりも内側に位置する前記導体線路部分
の外方の絶縁基板に、その導体線路部分をマイクロスト
リップ線路構造とするための局部グランド層を該導体線
路部分と平行に並べて備えたことを特徴とする高周波用
配線基板。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP04173851A JP3091020B2 (ja) | 1992-06-08 | 1992-06-08 | 高周波用配線基板 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP04173851A JP3091020B2 (ja) | 1992-06-08 | 1992-06-08 | 高周波用配線基板 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05343554A JPH05343554A (ja) | 1993-12-24 |
| JP3091020B2 true JP3091020B2 (ja) | 2000-09-25 |
Family
ID=15968336
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP04173851A Expired - Fee Related JP3091020B2 (ja) | 1992-06-08 | 1992-06-08 | 高周波用配線基板 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3091020B2 (ja) |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6181219B1 (en) * | 1998-12-02 | 2001-01-30 | Teradyne, Inc. | Printed circuit board and method for fabricating such board |
| JP2004303812A (ja) * | 2003-03-28 | 2004-10-28 | Toshiba Corp | 多層回路基板および同基板の電磁シールド方法 |
| US7999192B2 (en) | 2007-03-14 | 2011-08-16 | Amphenol Corporation | Adjacent plated through holes with staggered couplings for crosstalk reduction in high speed printed circuit boards |
| JP5261104B2 (ja) * | 2008-09-26 | 2013-08-14 | 京セラ株式会社 | 回路基板および電子装置 |
-
1992
- 1992-06-08 JP JP04173851A patent/JP3091020B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH05343554A (ja) | 1993-12-24 |
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