JP2001144511A - 平面型導波路の接続用変換器 - Google Patents
平面型導波路の接続用変換器Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 平面型導波路同志を接続するために用いられ
る接続用変換器の製造工程の簡略化を行う。 【解決手段】 ストリップ導体パターンと誘電体基板と
グランドパターンとを有し、多層基板の異なる層にそれ
ぞれ形成された平面型導波路、平面型導波路のストリッ
プ導体パターン２と４を接続すると共に、多層基板を貫
通させて設けられた１個の第１のスルーホール、ストリ
ップ導体パターン２，４の形成面に、第１のスルーホー
ルを囲むと共にストリップ導体と接触しないように、設
けられた円弧状外部導体パターン５１、及び外部導体パ
ターン５１とグランドパターン３とを接続すると共に、
いずれも多層基板を貫通させて設けられた複数の第２の
スルーホールを備えているものである。
る接続用変換器の製造工程の簡略化を行う。 【解決手段】 ストリップ導体パターンと誘電体基板と
グランドパターンとを有し、多層基板の異なる層にそれ
ぞれ形成された平面型導波路、平面型導波路のストリッ
プ導体パターン２と４を接続すると共に、多層基板を貫
通させて設けられた１個の第１のスルーホール、ストリ
ップ導体パターン２，４の形成面に、第１のスルーホー
ルを囲むと共にストリップ導体と接触しないように、設
けられた円弧状外部導体パターン５１、及び外部導体パ
ターン５１とグランドパターン３とを接続すると共に、
いずれも多層基板を貫通させて設けられた複数の第２の
スルーホールを備えているものである。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明は、多層基板の異な
る層に形成された平面型導波路同志を接続するために用
いられる接続用変換器に関し、特に製造工程の簡略化が
可能な接続用変換器に関するものである。
る層に形成された平面型導波路同志を接続するために用
いられる接続用変換器に関し、特に製造工程の簡略化が
可能な接続用変換器に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】図５は例えば特開昭６０−２４２７０３
号公報に示された従来の接続用変換器を一部削除して示
した斜視図である。図において、１ａ，１ｂ，１ｃ及び
１ｄは変換器を構成する誘電体基板、２ａ，２ｂはトリ
プレート線路のストリップ導体パターン、３はグランド
パターン、５は変換器の外部導体パターン、６は変換器
の中心導体パターンである。外部導体パターン５は、中
心導体パターン６を囲って円弧状に形成されている。そ
して、ストリップ導体２ａ，誘電体基板１ａ，誘電体基
板１ｂ及びグランドパターン３によりトリプレート線路
が構成され、ストリップ導体２ｂ，誘電体基板１ｃ，誘
電体基板１ｄ及びグランドパターン３により他のトリプ
レート線路が構成されている。なお、これら二つのトリ
プレート線路は、多層基板の異なる層に形成されてい
る。また、図５に示された接続用変換器は、多層基板の
異なる層にそれぞれ形成された平面型導波路であるトリ
プレート線路同志が、後述するように等価的に同軸型伝
送線路に変換されて接続が行われている点、及び同軸型
伝送線路の部分は、平面型導波路の伝送方向に対して垂
直に伝送されている点より、垂直変換器と呼ばれる。
号公報に示された従来の接続用変換器を一部削除して示
した斜視図である。図において、１ａ，１ｂ，１ｃ及び
１ｄは変換器を構成する誘電体基板、２ａ，２ｂはトリ
プレート線路のストリップ導体パターン、３はグランド
パターン、５は変換器の外部導体パターン、６は変換器
の中心導体パターンである。外部導体パターン５は、中
心導体パターン６を囲って円弧状に形成されている。そ
して、ストリップ導体２ａ，誘電体基板１ａ，誘電体基
板１ｂ及びグランドパターン３によりトリプレート線路
が構成され、ストリップ導体２ｂ，誘電体基板１ｃ，誘
電体基板１ｄ及びグランドパターン３により他のトリプ
レート線路が構成されている。なお、これら二つのトリ
プレート線路は、多層基板の異なる層に形成されてい
る。また、図５に示された接続用変換器は、多層基板の
異なる層にそれぞれ形成された平面型導波路であるトリ
プレート線路同志が、後述するように等価的に同軸型伝
送線路に変換されて接続が行われている点、及び同軸型
伝送線路の部分は、平面型導波路の伝送方向に対して垂
直に伝送されている点より、垂直変換器と呼ばれる。
【０００３】上記垂直変換器を構成する誘電体基板１ａ
の一方の面には、図６（Ａ）に示すストリップ導体パタ
ーン２ａ，中心導体パターン６及び外部導体パターン５
が設けられている。また、誘電体基板１ａの他方の面に
は、図６（Ｂ）に示すようなグランドパターン３が設け
られている。同様に、誘電体基板１ｂには、図７（Ａ）
に示すストリップ導体パターン２ａ，中心導体パターン
６及び外部導体パターン５が、反対側には図７（Ｂ）に
示す垂直変換器の中心導体パターン６とグランドパター
ン３とが設けられている。そして、誘電体基板１ｃに
は、図８（Ａ）に示すストリップ導体パターン２ｂ，中
心導体パターン６及び外部導体パターン５が、反対側に
は図８（Ｂ）に示す垂直変換器の中心導体パターン６と
グランドパターン３とが設けられおり、誘電体基板１ｄ
には、図９（Ａ）に示す外部導体パターン５が、反対側
には図９（Ｂ）に示すグランドパターン３が設けられて
いる。
の一方の面には、図６（Ａ）に示すストリップ導体パタ
ーン２ａ，中心導体パターン６及び外部導体パターン５
が設けられている。また、誘電体基板１ａの他方の面に
は、図６（Ｂ）に示すようなグランドパターン３が設け
られている。同様に、誘電体基板１ｂには、図７（Ａ）
に示すストリップ導体パターン２ａ，中心導体パターン
６及び外部導体パターン５が、反対側には図７（Ｂ）に
示す垂直変換器の中心導体パターン６とグランドパター
ン３とが設けられている。そして、誘電体基板１ｃに
は、図８（Ａ）に示すストリップ導体パターン２ｂ，中
心導体パターン６及び外部導体パターン５が、反対側に
は図８（Ｂ）に示す垂直変換器の中心導体パターン６と
グランドパターン３とが設けられおり、誘電体基板１ｄ
には、図９（Ａ）に示す外部導体パターン５が、反対側
には図９（Ｂ）に示すグランドパターン３が設けられて
いる。
【０００４】なお、図６（Ａ）及び（Ｂ）に示すパター
ンが形成されている面を、それぞれ誘電体基板の表側及
び裏側とし、同様に図７，図８，図９の（Ａ）及び
（Ｂ）に示すパターンが形成されている面を、それぞれ
誘電体基板１ｂ，１ｃ，１ｄの表側及び裏側とする。そ
して、図６の（Ａ）と図７の（Ａ）、図７の（Ｂ）と図
８の（Ｂ）、図８の（Ａ）と図９の（Ａ）を重ね合わせ
ることにより，図５に示す多層基板が構成されている。
なお、図６（Ｂ）と図９（Ｂ）は最下面と最上面のグラ
ンドパターン３を示している。また、ストリップ導体パ
ターン２ａと２ｂとは、スルーホールで接続されてい
る。外部導体パターン５とグランドパターン３も、スル
ーホールで接続され、こちらのスルーホールは、複数個
形成されている。なお、各パターンを示す図において、
パターン中に書かれた白抜きの小円は、スルーホールを
示している。但し、各図は分かりやすく書いてあるの
で、各部の寸法は実際のものと比例の関係になっていな
い。例えば、中心導体パターン６とスルーホールの外形
は、図ではかなり違って見えるが、実際には殆ど同じ大
きさである。
ンが形成されている面を、それぞれ誘電体基板の表側及
び裏側とし、同様に図７，図８，図９の（Ａ）及び
（Ｂ）に示すパターンが形成されている面を、それぞれ
誘電体基板１ｂ，１ｃ，１ｄの表側及び裏側とする。そ
して、図６の（Ａ）と図７の（Ａ）、図７の（Ｂ）と図
８の（Ｂ）、図８の（Ａ）と図９の（Ａ）を重ね合わせ
ることにより，図５に示す多層基板が構成されている。
なお、図６（Ｂ）と図９（Ｂ）は最下面と最上面のグラ
ンドパターン３を示している。また、ストリップ導体パ
ターン２ａと２ｂとは、スルーホールで接続されてい
る。外部導体パターン５とグランドパターン３も、スル
ーホールで接続され、こちらのスルーホールは、複数個
形成されている。なお、各パターンを示す図において、
パターン中に書かれた白抜きの小円は、スルーホールを
示している。但し、各図は分かりやすく書いてあるの
で、各部の寸法は実際のものと比例の関係になっていな
い。例えば、中心導体パターン６とスルーホールの外形
は、図ではかなり違って見えるが、実際には殆ど同じ大
きさである。
【０００５】上記のように構成された垂直変換器は、等
価的に同軸モードとして考えることができる。つまり、
ストリップ導体パターン２ａとストリップ導体パターン
２ｂとを接続するスルーホールが同軸の中心導体に、円
弧状に形成された垂直変換器の外部導体パターン５とグ
ランドパターン３との間を接続する複数個のスルーホー
ルの導体部分により形成される電気的等価短絡面が同軸
の外部導体になると考えられる。次に、円弧状に形成さ
れた垂直変換器の外部導体パターン５およびグランドパ
ターン３間を接続する複数個のスルーホールの隣接間距
離（互いに隣り合うあうスルーホールの導体部分の間
隔、一例で示すと図７（Ｂ）に記したＬ）は、実効波長
に比べて充分に小さいものとする。従って、この同軸線
路のもつ特性インピーダンスは、垂直変換器の中心導体
パターン６に設けるスルーホールの外径と上記電気的等
価短絡面の寸法を変化させることで簡単に調整できる。
価的に同軸モードとして考えることができる。つまり、
ストリップ導体パターン２ａとストリップ導体パターン
２ｂとを接続するスルーホールが同軸の中心導体に、円
弧状に形成された垂直変換器の外部導体パターン５とグ
ランドパターン３との間を接続する複数個のスルーホー
ルの導体部分により形成される電気的等価短絡面が同軸
の外部導体になると考えられる。次に、円弧状に形成さ
れた垂直変換器の外部導体パターン５およびグランドパ
ターン３間を接続する複数個のスルーホールの隣接間距
離（互いに隣り合うあうスルーホールの導体部分の間
隔、一例で示すと図７（Ｂ）に記したＬ）は、実効波長
に比べて充分に小さいものとする。従って、この同軸線
路のもつ特性インピーダンスは、垂直変換器の中心導体
パターン６に設けるスルーホールの外径と上記電気的等
価短絡面の寸法を変化させることで簡単に調整できる。
【０００６】図１１は従来の接続用変換器の他の例を一
部削除して示した斜視図である。図１１に示す垂直変換
器は、ストリップ導体２ａ，誘電体基板１ａ，誘電体基
板１ｂ及びグランドパターン３により構成されるトリプ
レート線路と、ストリップ導体４，誘電体基板１ｃ及び
グランドパターン３により構成されるマイクロストリッ
プ線路とを接続するものでるが、この垂直変換器につい
ても、図５の従来例と同様の考えが当てはめられる。な
お、図１２は図１１の誘電体基板１ａに形成されるパタ
ーンを、図１３は図１１の誘電体基板１ｂに形成される
パターンを、図１４は図１１の誘電体基板１ｃに形成さ
れるパターンを示している。また、図１１〜図１４にお
いて、図５〜図９と同一符号の部分は同一又は相当部分
を示している。
部削除して示した斜視図である。図１１に示す垂直変換
器は、ストリップ導体２ａ，誘電体基板１ａ，誘電体基
板１ｂ及びグランドパターン３により構成されるトリプ
レート線路と、ストリップ導体４，誘電体基板１ｃ及び
グランドパターン３により構成されるマイクロストリッ
プ線路とを接続するものでるが、この垂直変換器につい
ても、図５の従来例と同様の考えが当てはめられる。な
お、図１２は図１１の誘電体基板１ａに形成されるパタ
ーンを、図１３は図１１の誘電体基板１ｂに形成される
パターンを、図１４は図１１の誘電体基板１ｃに形成さ
れるパターンを示している。また、図１１〜図１４にお
いて、図５〜図９と同一符号の部分は同一又は相当部分
を示している。
【０００７】上記のように構成された垂直変換器におい
て、図５に示すものであれば、電気的等価短絡面を形成
する複数のスルーホールの内、図６〜図９においてａ及
びｃで示すスルーホールはインナビアになり、中心導体
を形成するスルーホール、即ち図６〜図９においてｂで
示すスルーホールはブラインドビアになる。なお、その
他のスルーホールは貫通スルーホールである。図１１に
示すものについては、中心導体を形成するスルーホー
ル、即ち図１３，図１４においてｄで示すスルーホール
もインナビアになる。また、図１０は多層基板の概略断
面図で、１０はインナビア、１１はブラインドビア、１
２は貫通スルーホール、１３は導体層を示している。こ
こで、貫通スルーホールは、多層基板形成後穴あけ加工
をするのに対し、インナビアは、一部多層基板形成後穴
あけ加工をして、さらに最終的な多層基板を形成しなけ
ればならない。ブラインドビアは、穴あけ加工後、上下
面と貼り合わせをしなければなない。穴位置を合わせな
がら貼り合わせをするのは技術的に難しい。また、イン
ナビアも上面，下面必要で、さらに重なっている場合に
は実現不可能になる。
て、図５に示すものであれば、電気的等価短絡面を形成
する複数のスルーホールの内、図６〜図９においてａ及
びｃで示すスルーホールはインナビアになり、中心導体
を形成するスルーホール、即ち図６〜図９においてｂで
示すスルーホールはブラインドビアになる。なお、その
他のスルーホールは貫通スルーホールである。図１１に
示すものについては、中心導体を形成するスルーホー
ル、即ち図１３，図１４においてｄで示すスルーホール
もインナビアになる。また、図１０は多層基板の概略断
面図で、１０はインナビア、１１はブラインドビア、１
２は貫通スルーホール、１３は導体層を示している。こ
こで、貫通スルーホールは、多層基板形成後穴あけ加工
をするのに対し、インナビアは、一部多層基板形成後穴
あけ加工をして、さらに最終的な多層基板を形成しなけ
ればならない。ブラインドビアは、穴あけ加工後、上下
面と貼り合わせをしなければなない。穴位置を合わせな
がら貼り合わせをするのは技術的に難しい。また、イン
ナビアも上面，下面必要で、さらに重なっている場合に
は実現不可能になる。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】従来の平面型導波路の
接続用変換器は、以上のように構成され、スルーホール
の中にインナビアやブラインドが含まれているので、そ
れぞれの誘電体基板毎、または複数の誘電体基板毎に穴
あけとめっき作業が必要となり、製造工程が複雑で、コ
ストが増大したり、誘電体材料によっては製造が不可能
であるなどの問題があった。
接続用変換器は、以上のように構成され、スルーホール
の中にインナビアやブラインドが含まれているので、そ
れぞれの誘電体基板毎、または複数の誘電体基板毎に穴
あけとめっき作業が必要となり、製造工程が複雑で、コ
ストが増大したり、誘電体材料によっては製造が不可能
であるなどの問題があった。
【０００９】この発明は上記のような問題点を解決する
ためになされたもので、多層基板の異なる層に形成され
た平面型導波路のそれぞれのストリップ導体を接続する
と共に、多層基板を貫通させて設けられた１個の第１の
スルーホール、ストリップ導体の形成面に、第１のスル
ーホールを囲むと共にストリップ導体と接触しないよう
に、設けられた円弧状導体、この円弧状導体と接地導体
とを接続すると共に、いずれも多層基板を貫通させて設
けられた複数の第２のスルーホールを備えることによ
り、従来の性能を保持しながら、製造工程を簡略化し、
コストを低減することができる平面型導波路の接続用変
換器を得ることを目的とする。
ためになされたもので、多層基板の異なる層に形成され
た平面型導波路のそれぞれのストリップ導体を接続する
と共に、多層基板を貫通させて設けられた１個の第１の
スルーホール、ストリップ導体の形成面に、第１のスル
ーホールを囲むと共にストリップ導体と接触しないよう
に、設けられた円弧状導体、この円弧状導体と接地導体
とを接続すると共に、いずれも多層基板を貫通させて設
けられた複数の第２のスルーホールを備えることによ
り、従来の性能を保持しながら、製造工程を簡略化し、
コストを低減することができる平面型導波路の接続用変
換器を得ることを目的とする。
【００１０】
【課題を解決するための手段】この発明に係る平面型導
波路の接続用変換器は、誘電体基板と、この誘電体基板
の一面に形成されたストリップ導体と、誘電体基板の他
面に形成された接地導体とを有し、ストリップ導体の端
部には円形導体が一体に形成され、接地導体の形成面に
は接地導体から絶縁された円形導体が形成されている第
１の平面型導波路、互いに一面を当接させた２枚の誘電
体基板と、これらの誘電体基板の当接面に形成されたス
トリップ導体と、各誘電体基板の他面に形成された接地
導体とを有し、ストリップ導体の端部には円形導体が一
体に形成され、接地導体の形成面には接地導体から絶縁
された円形導体が形成されている第２の平面型導波路、
第１の平面型導波路及び第２の平面型導波路のいずれか
一方同士又は両方を円形導体の位置が全て一致するよう
に接地導体を互いに当接させて形成した多層基板、各円
形導体を含めて多層基板を貫通させた貫通孔と、この孔
に施されためっき層とで構成された第１のスルーホー
ル、第１及び第２の平面型導波路のストリップ導体の形
成面に、円形導体を囲むと共に上記ストリップ導体と接
触しないように、且つ互いに重なる位置に設けられた円
弧状導体、及び各円弧状導体及び各接地導体を含めて多
層基板を貫通させた複数の貫通孔と、各貫通孔に施され
ためっき層とで構成された第２のスルーホールを備えた
ものである。
波路の接続用変換器は、誘電体基板と、この誘電体基板
の一面に形成されたストリップ導体と、誘電体基板の他
面に形成された接地導体とを有し、ストリップ導体の端
部には円形導体が一体に形成され、接地導体の形成面に
は接地導体から絶縁された円形導体が形成されている第
１の平面型導波路、互いに一面を当接させた２枚の誘電
体基板と、これらの誘電体基板の当接面に形成されたス
トリップ導体と、各誘電体基板の他面に形成された接地
導体とを有し、ストリップ導体の端部には円形導体が一
体に形成され、接地導体の形成面には接地導体から絶縁
された円形導体が形成されている第２の平面型導波路、
第１の平面型導波路及び第２の平面型導波路のいずれか
一方同士又は両方を円形導体の位置が全て一致するよう
に接地導体を互いに当接させて形成した多層基板、各円
形導体を含めて多層基板を貫通させた貫通孔と、この孔
に施されためっき層とで構成された第１のスルーホー
ル、第１及び第２の平面型導波路のストリップ導体の形
成面に、円形導体を囲むと共に上記ストリップ導体と接
触しないように、且つ互いに重なる位置に設けられた円
弧状導体、及び各円弧状導体及び各接地導体を含めて多
層基板を貫通させた複数の貫通孔と、各貫通孔に施され
ためっき層とで構成された第２のスルーホールを備えた
ものである。
【００１１】また、円弧状導体が、自己と別の平面型導
波路のストリップ導体と重なる部分ができないように、
分割して設けられているものである。また、複数の第２
のスルーホールが、いずれも第１及び第２の平面型導波
路のストリップ導体と交わる位置を避けて設けられてい
るものである。また、第１の平面型導波路が、マイクロ
ストリップ線路で構成され、第２の平面型導波路が、ト
リプレート線路で構成されているものである。さらに、
第１及び第２の平面型導波路が、トリプレート線路で構
成されているものである。
波路のストリップ導体と重なる部分ができないように、
分割して設けられているものである。また、複数の第２
のスルーホールが、いずれも第１及び第２の平面型導波
路のストリップ導体と交わる位置を避けて設けられてい
るものである。また、第１の平面型導波路が、マイクロ
ストリップ線路で構成され、第２の平面型導波路が、ト
リプレート線路で構成されているものである。さらに、
第１及び第２の平面型導波路が、トリプレート線路で構
成されているものである。
【００１２】
【発明の実施の形態】実施の形態１．図１はこの発明の
実施の形態１を一部削除して示した斜視図である。図１
において、１ａ，１ｂ及び１ｃはこの垂直変換器を構成
する誘電体基板、２はトリプレート線路のストリップ導
体パターン、３はグランドパターン、４はマイクロスト
リップ線路のストリップ導体パターン、５１は垂直変換
器の外部導体パターン、６は垂直変換器の中心導体パタ
ーンである。外部導体パターン５１は、中心導体パター
ン６を囲って円弧状に形成されているが、実施の形態１
では、図２〜図４の（Ａ）に示すように、他層のストリ
ップ導体パターンと重なる部分ができないように、二つ
に分割して設けられている。
実施の形態１を一部削除して示した斜視図である。図１
において、１ａ，１ｂ及び１ｃはこの垂直変換器を構成
する誘電体基板、２はトリプレート線路のストリップ導
体パターン、３はグランドパターン、４はマイクロスト
リップ線路のストリップ導体パターン、５１は垂直変換
器の外部導体パターン、６は垂直変換器の中心導体パタ
ーンである。外部導体パターン５１は、中心導体パター
ン６を囲って円弧状に形成されているが、実施の形態１
では、図２〜図４の（Ａ）に示すように、他層のストリ
ップ導体パターンと重なる部分ができないように、二つ
に分割して設けられている。
【００１３】この垂直変換器を構成する誘電体基板１ａ
の一方の面には、図２（Ａ）に示すストリップ導体パタ
ーン２、中心導体パターン６及び外部導体パターン５１
が設けられている。また、誘電体基板１ａの他方の面に
は、図２（Ｂ）に示すようなグランドパターン３と中心
導体パターン６とが設けられている。同様に、誘電体基
板１ｂには、図３（Ａ）に示すストリップ導体パターン
２、中心導体パターン６及び外部導体パターン５１が、
反対側には図３（Ｂ）に示す垂直変換器の中心導体パタ
ーン６とグランドパターン３とが設けられている。そし
て、誘電体基板１ｃには、図４（Ａ）に示すストリップ
導体パターン４、中心導体パターン６及び外部導体パタ
ーン５１が、反対側には図４（Ｂ）に示す垂直変換器の
中心導体パターン６とグランドパターン３とが設けられ
ている。
の一方の面には、図２（Ａ）に示すストリップ導体パタ
ーン２、中心導体パターン６及び外部導体パターン５１
が設けられている。また、誘電体基板１ａの他方の面に
は、図２（Ｂ）に示すようなグランドパターン３と中心
導体パターン６とが設けられている。同様に、誘電体基
板１ｂには、図３（Ａ）に示すストリップ導体パターン
２、中心導体パターン６及び外部導体パターン５１が、
反対側には図３（Ｂ）に示す垂直変換器の中心導体パタ
ーン６とグランドパターン３とが設けられている。そし
て、誘電体基板１ｃには、図４（Ａ）に示すストリップ
導体パターン４、中心導体パターン６及び外部導体パタ
ーン５１が、反対側には図４（Ｂ）に示す垂直変換器の
中心導体パターン６とグランドパターン３とが設けられ
ている。
【００１４】図２（Ａ）及び（Ｂ）に示すパターンが形
成されている面を、それぞれ誘電体基板１ａの表側及び
裏側とし、同様に図３，図４の（Ａ）及び（Ｂ）に示す
パターンが形成されている面を、それぞれ誘電体基板１
ｂ，１ｃの表側及び裏側とする。そして、図２の（Ａ）
と図３の（Ａ）、図３の（Ｂ）と図４の（Ｂ）を重ね合
わせることにより図１の多層基板からなる垂直変換器が
構成されている。なお、図２（Ｂ）と図４（Ａ）は、最
下面のパターンと最上面のパターンを示している。
成されている面を、それぞれ誘電体基板１ａの表側及び
裏側とし、同様に図３，図４の（Ａ）及び（Ｂ）に示す
パターンが形成されている面を、それぞれ誘電体基板１
ｂ，１ｃの表側及び裏側とする。そして、図２の（Ａ）
と図３の（Ａ）、図３の（Ｂ）と図４の（Ｂ）を重ね合
わせることにより図１の多層基板からなる垂直変換器が
構成されている。なお、図２（Ｂ）と図４（Ａ）は、最
下面のパターンと最上面のパターンを示している。
【００１５】上記のように構成された垂直変換器は、図
５に示したものと同様に、等価的に同軸モードとして考
えることができる。つまり、マイクロストリップ線路の
ストリップ導体パターン４とトリプレート線路のストリ
ップ導体パターン２とを接続するスルーホールが同軸の
中心導体に、円弧状に形成された垂直変換器の外部導体
パターン５１とグランドパターン３とを接続する複数個
のスルーホールの導体部分により形成される電気的等価
短絡面が同軸の外部導体になると考えられる。
５に示したものと同様に、等価的に同軸モードとして考
えることができる。つまり、マイクロストリップ線路の
ストリップ導体パターン４とトリプレート線路のストリ
ップ導体パターン２とを接続するスルーホールが同軸の
中心導体に、円弧状に形成された垂直変換器の外部導体
パターン５１とグランドパターン３とを接続する複数個
のスルーホールの導体部分により形成される電気的等価
短絡面が同軸の外部導体になると考えられる。
【００１６】ここで、円弧状に形成された垂直変換器の
外部導体パターン５１とグランドパターン３を接続する
複数個のスルーホールの隣接間距離は、実効波長に比べ
て充分に小さいものとする。この点も図５に示したもの
と同様である。従って、この同軸線路のもつ特性インピ
ーダンスは、垂直変換器の中心導体パターン６に設ける
スルーホールの外径と上記電気的等価短絡面の寸法を変
化させることで簡単に調整できる。なお、図２のＣ，Ｄ
及びＥ，Ｆで示す位置にあるスルーホールの隣接間距離
も、実効波長に比べて充分に小さいものとする点は適用
される。
外部導体パターン５１とグランドパターン３を接続する
複数個のスルーホールの隣接間距離は、実効波長に比べ
て充分に小さいものとする。この点も図５に示したもの
と同様である。従って、この同軸線路のもつ特性インピ
ーダンスは、垂直変換器の中心導体パターン６に設ける
スルーホールの外径と上記電気的等価短絡面の寸法を変
化させることで簡単に調整できる。なお、図２のＣ，Ｄ
及びＥ，Ｆで示す位置にあるスルーホールの隣接間距離
も、実効波長に比べて充分に小さいものとする点は適用
される。
【００１７】さらに、図２〜図４の（Ａ）に示すよう
に、円弧状に形成された垂直変換器の外部導体パターン
５１は、図４の（Ａ）に示すマイクロストリップ線路の
ストリップ導体パターン４と干渉する部分（誘電体基板
１ｃ，１ｂを挟んで重なる部分）ができないように、ま
た、図２，図３の（Ａ）に示すトリプレート線路のスト
リップ導体パターン２と干渉する部分（誘電体基板１
ｃ，１ｂを挟んで重なる部分）ができないように、二つ
に分割して設けられている。この結果、円弧状に形成さ
れた垂直変換器の外部導体パターン５１とグランドパタ
ーン３を接続するスルーホールは、すべて多層基板を貫
通させることが出来るようになる。
に、円弧状に形成された垂直変換器の外部導体パターン
５１は、図４の（Ａ）に示すマイクロストリップ線路の
ストリップ導体パターン４と干渉する部分（誘電体基板
１ｃ，１ｂを挟んで重なる部分）ができないように、ま
た、図２，図３の（Ａ）に示すトリプレート線路のスト
リップ導体パターン２と干渉する部分（誘電体基板１
ｃ，１ｂを挟んで重なる部分）ができないように、二つ
に分割して設けられている。この結果、円弧状に形成さ
れた垂直変換器の外部導体パターン５１とグランドパタ
ーン３を接続するスルーホールは、すべて多層基板を貫
通させることが出来るようになる。
【００１８】さらに、この垂直変換器を構成する誘電体
基板１ａの一方の面に、図２（Ｂ）に示すようにグラン
ドパターン３と接触しないように、垂直変換器の中心導
体パターン６が設けられている。このことにより、垂直
変換器の中心導体を構成するスルーホールを、貫通スル
ーホールにすることができる。この場合、トリプレート
線路のストリップ導体パターン２から最下面のグランド
パターン３まで伸びたスルーホール部長さは、実効波長
に比べて十分に小さい場合には無視することができる。
基板１ａの一方の面に、図２（Ｂ）に示すようにグラン
ドパターン３と接触しないように、垂直変換器の中心導
体パターン６が設けられている。このことにより、垂直
変換器の中心導体を構成するスルーホールを、貫通スル
ーホールにすることができる。この場合、トリプレート
線路のストリップ導体パターン２から最下面のグランド
パターン３まで伸びたスルーホール部長さは、実効波長
に比べて十分に小さい場合には無視することができる。
【００１９】なお、ストリップ導体パターン２より最下
面のグランドパターン３に伸びているスルーホールの長
さが実効波長に比べて無視できないような場合には、オ
ープンスタブのように見えるが、最下面のグランドパタ
ーン３からトリプレート線路のストリップ導体パターン
２までの中心導体部のめっきを取り除くことにより対処
することができる。なお、取り除き方は、ドリルのよう
なもので反対側から削り取ることが一例としてあげられ
る。
面のグランドパターン３に伸びているスルーホールの長
さが実効波長に比べて無視できないような場合には、オ
ープンスタブのように見えるが、最下面のグランドパタ
ーン３からトリプレート線路のストリップ導体パターン
２までの中心導体部のめっきを取り除くことにより対処
することができる。なお、取り除き方は、ドリルのよう
なもので反対側から削り取ることが一例としてあげられ
る。
【００２０】上記の説明から分かるように、実施の形態
１によれば、スルーホールがすべて貫通スルーホールと
なるように構成されているので、従来の性能を保持しな
がら、製造工程を簡略化し、コストを低減すると共に、
いろいろな誘電体基板でも簡単に製造できる。
１によれば、スルーホールがすべて貫通スルーホールと
なるように構成されているので、従来の性能を保持しな
がら、製造工程を簡略化し、コストを低減すると共に、
いろいろな誘電体基板でも簡単に製造できる。
【００２１】実施の形態２．上記実施の形態１では、外
部導体パターン５１を二つに分割して、外部導体パター
ンとグランドパターンとを接続するスルーホールが、す
べて多層基板を貫通するようにしたが、外部導体パター
ンは、図５のように馬蹄形であっても、穴を開けるとス
トリップ導体２，４と交わってしまう位置を避けて、ス
ルーホールを設けることにより、すべてのスルーホール
を貫通スルーホールとすることができる。従って、同様
の効果が得られる。
部導体パターン５１を二つに分割して、外部導体パター
ンとグランドパターンとを接続するスルーホールが、す
べて多層基板を貫通するようにしたが、外部導体パター
ンは、図５のように馬蹄形であっても、穴を開けるとス
トリップ導体２，４と交わってしまう位置を避けて、ス
ルーホールを設けることにより、すべてのスルーホール
を貫通スルーホールとすることができる。従って、同様
の効果が得られる。
【００２２】なお、実施の形態１及び２は、マイクロス
トリップ線路とトリプレート線路とを接続する変換器で
あるが、トリプレート線路同志を接続する変換器に適用
しても、同様の効果が得られる。この場合、多層基板の
最上面になる誘電体基板１ｄの裏側のグランドパターン
は、図２（Ｂ）と同様に中心導体パターン６を設けたも
のになり、誘電体基板１ｄの表側は分割された外部導体
パターン５１を設けたものになる。また、マイクロスト
リップ線路同士を接続する場合は、グランドパターン同
士が当接するように多層基板を構成すれば適用できる。
この場合も同様の効果が得られる。
トリップ線路とトリプレート線路とを接続する変換器で
あるが、トリプレート線路同志を接続する変換器に適用
しても、同様の効果が得られる。この場合、多層基板の
最上面になる誘電体基板１ｄの裏側のグランドパターン
は、図２（Ｂ）と同様に中心導体パターン６を設けたも
のになり、誘電体基板１ｄの表側は分割された外部導体
パターン５１を設けたものになる。また、マイクロスト
リップ線路同士を接続する場合は、グランドパターン同
士が当接するように多層基板を構成すれば適用できる。
この場合も同様の効果が得られる。
【００２３】
【発明の効果】この発明は以上説明したとおり、ストリ
ップ導体と誘電体基板と接地導体とを有し、多層基板の
異なる層にそれぞれ形成された平面型導波路、平面型導
波路のそれぞれのストリップ導体を接続すると共に、多
層基板を貫通させて設けられた１個の第１のスルーホー
ル、ストリップ導体の形成面に、第１のスルーホールを
囲むと共にストリップ導体と接触しないように、設けら
れた円弧状導体、及び円弧状導体と接地導体とを接続す
ると共に、いずれも多層基板を貫通させて設けられた複
数の第２のスルーホールを備えているものであるから、
従来の性能を保持しながら、製造工程を簡略化し、コス
トを低減することができるという効果を有する。
ップ導体と誘電体基板と接地導体とを有し、多層基板の
異なる層にそれぞれ形成された平面型導波路、平面型導
波路のそれぞれのストリップ導体を接続すると共に、多
層基板を貫通させて設けられた１個の第１のスルーホー
ル、ストリップ導体の形成面に、第１のスルーホールを
囲むと共にストリップ導体と接触しないように、設けら
れた円弧状導体、及び円弧状導体と接地導体とを接続す
ると共に、いずれも多層基板を貫通させて設けられた複
数の第２のスルーホールを備えているものであるから、
従来の性能を保持しながら、製造工程を簡略化し、コス
トを低減することができるという効果を有する。
【図１】 この発明の実施の形態１を一部削除して示し
た斜視図である。
た斜視図である。
【図２】 図１の誘電体基板１ａに形成されるパターン
の拡大図である。
の拡大図である。
【図３】 図１の誘電体基板１ｂに形成されるパターン
の拡大図である。
の拡大図である。
【図４】 図１の誘電体基板１ｃに形成されるパターン
の拡大図である。
の拡大図である。
【図５】 従来の接続用変換器を一部削除して示した斜
視図である。
視図である。
【図６】 図５の誘電体基板１ａに形成されるパターン
の拡大図である。
の拡大図である。
【図７】 図５の誘電体基板１ｂに形成されるパターン
の拡大図である。
の拡大図である。
【図８】 図５の誘電体基板１ｃに形成されるパターン
の拡大図である。
の拡大図である。
【図９】 図５の誘電体基板１ｄに形成されるパターン
の拡大図である。
の拡大図である。
【図１０】 多層基板の概略断面図である。
【図１１】 従来の接続用変換器の他の例を一部削除し
て示した斜視図である。
て示した斜視図である。
【図１２】 図１１の誘電体基板１ａに形成されるパタ
ーンの拡大図である。
ーンの拡大図である。
【図１３】 図１１の誘電体基板１ｂに形成されるパタ
ーンの拡大図である。
ーンの拡大図である。
【図１４】 図１１の誘電体基板１ｃに形成されるパタ
ーンの拡大図である。
ーンの拡大図である。
１ａ，１ｂ，１ｃ 誘電体基板、２，４ ストリップ導
体パターン、３ グランドパターン、５１ 外部導体パ
ターン、６ 中心導体パターン、１０ インナビア、１
１ ブラインドビア、１２ 貫通スルーホール、１３
導体層。
体パターン、３ グランドパターン、５１ 外部導体パ
ターン、６ 中心導体パターン、１０ インナビア、１
１ ブラインドビア、１２ 貫通スルーホール、１３
導体層。
Claims (5)
- 【請求項１】 誘電体基板と、この誘電体基板の一面に
形成されたストリップ導体と、誘電体基板の他面に形成
された接地導体とを有し、上記ストリップ導体の端部に
は円形導体が一体に形成され、上記接地導体の形成面に
は接地導体から絶縁された円形導体が形成されている第
１の平面型導波路、 互いに一面を当接させた２枚の誘電体基板と、これらの
誘電体基板の当接面に形成されたストリップ導体と、上
記各誘電体基板の他面に形成された接地導体とを有し、
上記ストリップ導体の端部には円形導体が一体に形成さ
れ、上記接地導体の形成面には接地導体から絶縁された
円形導体が形成されている第２の平面型導波路、 上記第１の平面型導波路及び第２の平面型導波路のいず
れか一方同士又は両方を上記円形導体の位置が全て一致
するように接地導体を互いに当接させて形成した多層基
板、 上記各円形導体を含めて上記多層基板を貫通させた貫通
孔と、この孔に施されためっき層とで構成された第１の
スルーホール、 上記第１及び第２の平面型導波路のストリップ導体の形
成面に、上記円形導体を囲むと共に上記ストリップ導体
と接触しないように、且つ互いに重なる位置に設けられ
た円弧状導体、 及び各円弧状導体及び各接地導体を含めて上記多層基板
を貫通させた複数の貫通孔と、各貫通孔に施されためっ
き層とで構成された第２のスルーホールを備えたことを
特徴とする平面型導波路の接続用変換器。 - 【請求項２】 円弧状導体が、自己と別の平面型導波路
のストリップ導体と重なる部分ができないように、分割
して設けられていることを特徴とする請求項１記載の平
面型導波路の接続用変換器。 - 【請求項３】 複数の第２のスルーホールが、いずれも
第１及び第２の平面型導波路のストリップ導体と交わる
位置を避けて設けられていることを特徴とする請求項１
記載の平面型導波路の接続用変換器。 - 【請求項４】 第１の平面型導波路が、マイクロストリ
ップ線路で構成され、第２の平面型導波路が、トリプレ
ート線路で構成されていることを特徴とする請求項１〜
請求項３のいずれか一項記載の平面型導波路の接続用変
換器。 - 【請求項５】 第１及び第２の平面型導波路が、トリプ
レート線路で構成されていることを特徴とする請求項１
〜請求項３のいずれか一項記載の平面型導波路の接続用
変換器。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP32708599A JP2001144511A (ja) | 1999-11-17 | 1999-11-17 | 平面型導波路の接続用変換器 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP32708599A JP2001144511A (ja) | 1999-11-17 | 1999-11-17 | 平面型導波路の接続用変換器 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001144511A true JP2001144511A (ja) | 2001-05-25 |
Family
ID=18195132
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP32708599A Pending JP2001144511A (ja) | 1999-11-17 | 1999-11-17 | 平面型導波路の接続用変換器 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2001144511A (ja) |
Cited By (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006060240A (ja) * | 2004-08-23 | 2006-03-02 | Kyocera America Inc | 多層パッケージ、多層セラミックパッケージ、及び多層パッケージにおいて高周波マッチングを実現する方法 |
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-
1999
- 1999-11-17 JP JP32708599A patent/JP2001144511A/ja active Pending
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