JPH04206694A

JPH04206694A - 多層基板の製造方法

Info

Publication number: JPH04206694A
Application number: JP33561490A
Authority: JP
Inventors: Hisashi Sawada; 沢田　寿
Original assignee: Toshiba Corp
Current assignee: Toshiba Corp
Priority date: 1990-11-30
Filing date: 1990-11-30
Publication date: 1992-07-28
Anticipated expiration: 2014-07-19
Also published as: JP2919953B2

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】［発明の目的］（産業上の利用分野）本発明は、多層構造マイクロ波回路等のスルーホールを
有する多層基板の製造方法に関する。

（従来の技術）マイクロ波を伝送する線路としては、中心導体を上下の
接地導体により遮蔽してなるトリプレートラインが知ら
れている。

多層構造マイクロ波回路は、こうしたトリプレートライ
ンを多層構造とし、トリプレートライン間をスルーホー
ルにて接続してなるものである。

多層構造マイクロ波回路では、各層に各種のマイクロ波
回路を実装できるため、マイクロ波回路の高密度実装化
か容易に実現される。

第８図はこのような多層構造マイクロ波回路における従
来の製造方法の工程を示す図である。

まず、第８図（ａ）に示すように、一方の面の中心導体
１２以外は導体が取り除かれた第２層部基板２□と、一
方の面に中心導体１．が形成され他方の面の全面（後述
するスルーホールが形成される部分の近傍は除く）に接
地導体１３が形成された第３〜４層部基板２３４とを接
着させる。

次に、第８図（ｂ）に示すように、第２層の中心導体１
２と第４層の中心導体１４と間て導通を取るスルーホー
ル３２４を形成するため、所定の位置に穴４□４を貫通
させる。そして、その穴４２４の内面に無電解メッキか
のり易くするように溶剤で表面を処理した後、その穴４
□４の中に無電解メッキ溶液を流し込み、穴４□４の内
面に薄いメッキ層を形成させる。さらに、穴４□４の内
側の薄いメッキ層に電解メッキをかけ厚いメッキ層５□
４を形成させる。

そして、第８図（ｃ）に示すように、第２層部基板２□
と第３〜４層部基板２３４の上下に、一方の面にのみ接
地導体１１．１５が形成された第１層部基板２１および
第５層部基板２．を接着させる。

さらに、第８図（ｄ）に示すように、スルーホール３□
、の周囲を囲むように、第１層部基板２１の接地導体１
１と第５層部基板２．の接地導体１、とを数個のスルー
ホール３１５．・・により接続する。なお、これらスル
ーホール３１６．・・は、上述したスルーホール３２４
と同様の方法で形成する。

これらスルーホール３，５．・・・により、スルーホー
ル３２４は同軸線路と見なせるようになる。

以上のような方法により多層構造マイクロ波回路は製造
される。

ところで、昨今マイクロ波回路をさらに高密度実装すべ
く要望が極めて強い。

このため、多層構造マイクロ波回路を上記の５層よりさ
らに多層とし各層に各種のマイクロ波回路を実装するこ
とで、高密度実装のさらなる向上が可能である。

しかしながら、多層構造マイクロ波回路を上記の５層よ
りさらに多層とする場合、上述した従来の製造方法では
製造することができないという問題かある。

このことを第９図に基づき説明する。同図は、多層構造
マイクロ波回路を７層にする場合を示している。

同図に示すように、中心導体６□以外は導体が取り除か
れた第２層部基板７□と一方の面に中心導体６４か形成
され他方の面の全面に接地導体７３か形成された第３〜
４層部基板７３４とを接着させ、第２層部基板７□の一
中心導体６２と第３〜４層部基板間７３４の中心導体６
４の導通を取るためのスルーホール８□４を形成させた
後、第３〜４層部基板７３４の中心導体６４と第６層部
基板７６の中心導体６６の導通を取るためのスルーホー
ルのための穴９を開けである第５層部基板７．と第６層
部基板７゜とを接着させる。

次に、第３〜４層部基板７３４の中心導体６４と第６層
部基板７６の中心導体６６の導通を取るためのスルーホ
ールの穴９の中に無電解メッキ溶液を流し込まなければ
ならないが、この穴９の両側か開いていないため無電解
メッキ溶液を流し込むことかできない。すなわち、従来
の製造方法では、第３〜４層部基板７，４の中心導体６
４と第６層部基板７６の中心導体６６の導通を取るため
のスルーホールを形成できないのである。

（発明か解決しようとする課題）このように多層構造マイクロ波回路の従来の製造方法で
は、多層構造マイクロ波回路を５層よりさらに多層とす
る場合には製造することかできないという問題があった
。

本発明は、このような事情に基つき成されたもので、多
層構造でかつスルーホールにより各層間を接続してなる
多層基板を製造することができる多層基板の製造方法を
提供することを目的としている。

［発明の構成コ（課題を解決するための手段）本発明は、各層をスルーホールにより接続してなる多層
基板を製造する方法において、前記各層の前記スルーホ
ールを形成する位置に穴を開ける第１の工程と、前記穴
の内面のうちメッキを必要としない穴の内面に除去の容
易な溶剤を塗布する第２の工程と、前記穴の内面に無電
解メッキ溶液を塗布する第３の工程と、前記穴の内面か
ら前記塗布された除去の容易な溶剤とともに、この溶削
土に塗布された前記無電解メッキを除去する第４の工程
と、前記穴の内面のうち前記無電解メッキの残存する面
に電解メッキを施す第５の工程とを具備する。

（作　用）本発明では、多層基板を５層以上に積層しても無電解メ
ッキ溶液を流し込む際にスルーホールの穴を基板で閉し
てしまうことがないので、多層構造でかつスルーホール
により各層間を接続してなる多層基板を製造することか
できる。

（実施例）以下、本発明の実施例の詳細を図面に基づき説明する。

ここでは、７層構造マイクロ波回路を製造する場合の一
実施例を説明する。

第１図（ａ）〜（ｇ）は各層の構成を示す図であり、こ
れらは基板をエツチングすることにより製造される。

第１図（ａ）に示すように、第１層部１１１は、誘電体
１２１の一方の面の全面に接地導体１３、を形成してな
る。第２層部１１２は、第１図（ｂ）に示すように、誘
電体１２２の一方の面に中心導体１３２を形成してなる
。第３〜４層部１１３゜］１４は、第１図（Ｃ）に示す
ように、それぞれ誘電体１２．４の一方の面の全面に接
地導体１３３を形成し、他方の面に中心導体１３４を形
成してなる。第５層部１１．は、第１図（ｄ）に示すよ
うに、誘電体１２．の一方の面の全面に接地導体１３、
を形成してなる。第６層部１１６は、第１図（ｅ）に示
すように、誘電体１２゜の一方の面に中心導体１３６を
形成してなる。第７層部１１７は、第１図（ｄ）に示す
ように、誘電体１２７の一方の面の全面に接地導体１３
□を形成してなる。そして、これら誘電体１２１　、’
１２２，１２３４．１２５，１２６．１２７を第１図（
ｇ）に示すように配置する。

次に、第２図に示すように、誘電体１２２上の中心導体
１３２と誘電体１２３４上の中心導体１３４とを、誘電
体１２３４上の中心導体１３４と誘電体１２６上の中心
導体１３６とをそれぞれ接続するスルーホールを形成す
るため、誘電体１２、。

１２２．１２３４，１２５．１２６．１２７の所定位置
に穴１４を開け、各人１４の内面に樹脂用表面処理剤を
注入して表面処理をし、無電解メッキがのり易くする。

次に、第３図に示すように、メッキを必要としない穴１
４の内面にエツチングレジスト膜形成剤１５を塗布する
。

次に、第４図に示すように、誘電体１２１，１２２．１
２３４，１２５．１２６．１２７を接着し積層する。

次に、第５図に示すように、穴１４に無電解メッキ溶液
を注入しその内面に無電解メッキを形成する。なお、エ
ツチングレジスト膜形成剤１５上に形成された無電解メ
ッキは、エツチングレジスト膜形成剤１５とはなじみに
くいので、すぐに剥かれやすい状態となっている。

次に、第６図に示すように、穴１４をＨＣＩ等の水溶液
にてエツチングレジスト膜形成剤１５をその表面に形成
された無電解メッキとともに分離するように除去する。

そして、無電解メッキ上に電解メッキをかけ厚いメッキ
層１６を形成させる。

これにより誘電体１２□上の中心導体１３２と誘電体１
２３４上の中心導体１３．とを、誘電体１２．４上の中
心導体１３４と誘電体１２゜上の中心導体１３６とをそ
れぞれ接続するスルーホール１７２４．１７４６か形成
される。

次に、第７図に示すように、スルーホール１７２４１　
１７４６の各周囲を囲むように、接地導体１３１＋　　
１３３，１３５．１３．を数個のスルーホール１８．・
・・により接続する。これらスルーホール１８、・・・
により、スルーホール１７□４．１７４うは同軸線路と
見なせるようになる。

よって本実施例によれば、多層構造マイクロ波回路にお
いて、５層以上積層する際でも無電解メッキ溶液を流し
込む際にスルーホールの穴を基板で閉じてしまうことか
ないので無電解メッキ溶液を流し込みスルーホールを形
成することかできる。

なお、上述した実施例は、多層基板として多層構造マイ
クロ波回路の場合について説明したか、本発明は他の多
層回路基板であっても同様に実施することかできる。

［発明の効果コ上記のような製造方法により、多層基板を５層以上に積
層しても無電解メッキ溶液を流し込む際にスルーホール
の穴を基板で閉じてしまうことがないので、多層構造で
かつスルーホールにより各層間を接続してなる多層基板
を製造することができる。この結果、本発明の製造方法
により高密度実装が可能となる。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明における各層の上面図と断面図、第２図
は本発明における各層にスルーホールのための穴を開け
た際の断面図、第３図は本発明における各層のスルーホ
ールのための穴にエツチングレジスト膜剤を塗布した際
の断面図、第４図は本発明における各層を接着し積層し
た際の断面図、第５図は本発明においてスルーホールの
ための穴に無電解メンキを形成した際の断面図、第６図
は本発明においてスルーホールのための穴のエツチング
レジスト膜形成剤を取り除いた際の断面図、第７図は本
発明において各層の中心導体を接続するスルーホールの
穴の周りに数個の地導体間の導通を取るためのアース用
スルーホールを形成した際の断面図と上面図、第８図は
従来の製造方法による５層構造マイクロ波回路の上面図
と断面図、第９図は従来の製造方法による７層構造マイ
クロ波回路の断面図である。１１１・・・第１層部、１１□・・・第２層部、１］３
・・・第３層部、１１４・・・第４層部、１１５・・第
５層部、１１６・・・第６層部、１１７・・・第７層部
、１２１．１２２．１２３４，１２５，１２６，１２７
・・・誘電体、１３０，１３３．１Ｂ９，１３フ・・・
接地導体、１３□、１３４，１３６・・中心導体、１４
・・・穴、１５・・・エツチングレジスト膜形成剤、１
６・・・メッキ層、１７２４．　１７４６．　１８・・
スルーホール。出願人　　　　　　株式会社　東芝代理人　　弁理士　須　山　佐　− ／／１２６（ｅ）第３図１９ム≠第４図（ａ）第８図第８図

Claims

【特許請求の範囲】　各層をスルーホールにより接続してなる多層基板を製
造する方法において、前記各層の前記スルーホールを形成する位置に穴を開け
る第１の工程と、前記穴の内面のうちメッキを必要としない穴の内面に除
去の容易な溶剤を塗布する第２の工程と、前記穴の内面
に無電解メッキ溶液を塗布する第３の工程と、前記穴の内面から前記塗布された除去の容易な溶剤とと
もに、この溶剤上に塗布された前記無電解メッキを除去
する第４の工程と、前記穴の内面のうち前記無電解メッキの残存する面に電
解メッキを施す第５の工程とを具備することを特徴とする多層基板の製造方法。