JPH0341803A - 信号線相互間のクロストークノイズを低減した配線板およびその製造法 - Google Patents
信号線相互間のクロストークノイズを低減した配線板およびその製造法Info
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- JPH0341803A JPH0341803A JP1176838A JP17683889A JPH0341803A JP H0341803 A JPH0341803 A JP H0341803A JP 1176838 A JP1176838 A JP 1176838A JP 17683889 A JP17683889 A JP 17683889A JP H0341803 A JPH0341803 A JP H0341803A
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K1/00—Printed circuits
- H05K1/02—Details
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- H05K1/03—Use of materials for the substrate
- H05K1/0313—Organic insulating material
- H05K1/0353—Organic insulating material consisting of two or more materials, e.g. two or more polymers, polymer + filler, + reinforcement
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は、信号線相互間のクロストークノイズを低減し
た配線板およびその製造法に関する。
た配線板およびその製造法に関する。
（従来の技術）
半導体素子の高速動作化、高集積化及び電子装置の小型
化はますます進展する傾向にある。これに対して配線板
は、導体幅の縮小、多チヤンネル配線、基本格子の縮小
、スルホール穴径の縮小、高多層化などの技術によって
高配線密度化し、高密度実装の要求に対応してきた。し
かし、配線が高密度化して信号線間の距離が短くなると
、あるいは素子の動作が速くなり信号が高周波化すると
、信号線間に電磁誘導的に発生するクロストークノイズ
が問題となってきた。
化はますます進展する傾向にある。これに対して配線板
は、導体幅の縮小、多チヤンネル配線、基本格子の縮小
、スルホール穴径の縮小、高多層化などの技術によって
高配線密度化し、高密度実装の要求に対応してきた。し
かし、配線が高密度化して信号線間の距離が短くなると
、あるいは素子の動作が速くなり信号が高周波化すると
、信号線間に電磁誘導的に発生するクロストークノイズ
が問題となってきた。
このクロストークノイズの発生を抑制する方法として、
次のような方法が提案されている。
次のような方法が提案されている。
（１）電磁誘導の起り易い平行配線を避けるため設計上
平行線長制限を設けたり、特開昭５５−８６１９６号公
報に示されるように斜行配線を行う方法。
平行線長制限を設けたり、特開昭５５−８６１９６号公
報に示されるように斜行配線を行う方法。
（２）特開昭５５−６８０７号公報に示されているよう
に、隣接する信号線間の電磁誘導を完全に遮断するため
、同軸ケーブルを溝内に配設した基板を重ねて多層プリ
ント板とする方法。米国特許第４６４６４３６号に示さ
れているように、マルチワイヤ配線板を製造する場合に
同軸ワイヤを使用する方法。
に、隣接する信号線間の電磁誘導を完全に遮断するため
、同軸ケーブルを溝内に配設した基板を重ねて多層プリ
ント板とする方法。米国特許第４６４６４３６号に示さ
れているように、マルチワイヤ配線板を製造する場合に
同軸ワイヤを使用する方法。
（３）特開昭５５−１３９３６号公報、特開昭５９−８
７８９５号公報に示されるように半同軸配線を用いる方
法。
７８９５号公報に示されるように半同軸配線を用いる方
法。
（４）特開昭５５−５３４９２号公報に示されるように
発泡した低誘電率材料を使用してシールド層との距離を
小さくする方法。
発泡した低誘電率材料を使用してシールド層との距離を
小さくする方法。
一般にクロストークは、導体配線相互の結合容量の増大
が原因である。そこでこの結合容量を減少させる目的で
更に種々の方法が提案されている。
が原因である。そこでこの結合容量を減少させる目的で
更に種々の方法が提案されている。
（５）特開昭６１−１３１５８５号公報に示されるよう
に、共平面型配線において同一面上で２種の誘電体を配
設し誘電体を局在化する方法。
に、共平面型配線において同一面上で２種の誘電体を配
設し誘電体を局在化する方法。
（６）特開昭６１−１４５８４１号公報に示されるよう
に、共通導体と配線導体間の絶縁体中で、配線導体が形
成されていない部分の絶縁体を取り除くようにする方法
。
に、共通導体と配線導体間の絶縁体中で、配線導体が形
成されていない部分の絶縁体を取り除くようにする方法
。
（７）特開昭６１−１５２０４１号公報に示されるよう
に、絶縁層内に層重直方向に高誘電率体と低誘電率体を
局在させる方法。
に、絶縁層内に層重直方向に高誘電率体と低誘電率体を
局在させる方法。
（８）クロストーク低減を目的とするものではないが、
結果的に誘電率が局在化するものとして、特開昭５８−
６７０８９号公報に示されるように、主絶縁基板の一部
が主絶縁基板より大きな誘電率を有する他の絶縁基板で
置き換えられるようにする方法。
結果的に誘電率が局在化するものとして、特開昭５８−
６７０８９号公報に示されるように、主絶縁基板の一部
が主絶縁基板より大きな誘電率を有する他の絶縁基板で
置き換えられるようにする方法。
（発明が解決しようとする課題）
しかし、（１）の方法では配線に必要な領域（チやンネ
ル）を余分に使用する傾向にあるため高密度化の障害と
なり、またＣＡＤ設計の上でも阻害要因となることが多
い。
ル）を余分に使用する傾向にあるため高密度化の障害と
なり、またＣＡＤ設計の上でも阻害要因となることが多
い。
（２）の方法では、高い配線密度をクロストーク無しで
得ることができるが、同軸ケーブル、同軸ワイヤの端末
処理が難しい。
得ることができるが、同軸ケーブル、同軸ワイヤの端末
処理が難しい。
（３）の方法では、クロストークの抑制の点では効果が
あるが、素子の出力インピーダンスと整合をとり信号の
反射を防ぐには、配線が必要な特性インピーダンスにな
る必要がある。このため、凹凸形状のシールド層との距
離を大きくとる必要があり、高度化という点で問題があ
る。
あるが、素子の出力インピーダンスと整合をとり信号の
反射を防ぐには、配線が必要な特性インピーダンスにな
る必要がある。このため、凹凸形状のシールド層との距
離を大きくとる必要があり、高度化という点で問題があ
る。
（４）の方法のように発泡材料を使用して多層板を製造
することは非常に困難である。
することは非常に困難である。
（５）の方法では、構造として同一平面上にペア配線が
配設されており高密度化に適さない。さらに多層化する
場合、表面の平滑性をだす工程を必要とする。さらにス
ルホールが必要となる場合、誘電体界面において、スル
ホールのめつき接着性の点で問題が生じる。
配設されており高密度化に適さない。さらに多層化する
場合、表面の平滑性をだす工程を必要とする。さらにス
ルホールが必要となる場合、誘電体界面において、スル
ホールのめつき接着性の点で問題が生じる。
（６）の方法では、同一面上で空隙があるため内層回路
板として用いに＜＜、表面回路にしても保護層を配設で
きない。
板として用いに＜＜、表面回路にしても保護層を配設で
きない。
（７）の方法では、配線導体間の結合容量は低下するも
のの、配線導体に必要な特性インピーダンスが変化して
しまう。
のの、配線導体に必要な特性インピーダンスが変化して
しまう。
（８）の方法では、配線導体は、前記両絶縁基板上に配
設され、必要な特性インピーダンスを得るのに接地層の
距離が異なる構造となっている。このため、接地導体を
共通導体とする必要があり、高密度化の点で問題がある
。
設され、必要な特性インピーダンスを得るのに接地層の
距離が異なる構造となっている。このため、接地導体を
共通導体とする必要があり、高密度化の点で問題がある
。
本発明は、以上に述べた従来技術の問題点に対しクロス
トークが低減でき、特性インピーダンスも変化せず、高
密度に多層化でき、さらに比較的簡易な製造法で得られ
る信号線相互間のクロストークノイズを低減した配線板
およびその製造法を提供するものである。
トークが低減でき、特性インピーダンスも変化せず、高
密度に多層化でき、さらに比較的簡易な製造法で得られ
る信号線相互間のクロストークノイズを低減した配線板
およびその製造法を提供するものである。
（課題を解決するための手段）
本発明は、誘電体基板、誘電体基板の一面に形成された
接地用導体及び誘電体基板の他の一面に形成された信号
線導体とより威る配線板において、誘電体基板の他の一
面の信号線導体の間に誘電体基板の主体を構成する第一
の誘電体の比誘電率より低い比誘電率の第二の誘電体を
配設したことを特徴とするものである。
接地用導体及び誘電体基板の他の一面に形成された信号
線導体とより威る配線板において、誘電体基板の他の一
面の信号線導体の間に誘電体基板の主体を構成する第一
の誘電体の比誘電率より低い比誘電率の第二の誘電体を
配設したことを特徴とするものである。
本発明は、同軸配線、誘電率の違う誘電体を多種使用す
る配線板などの複雑な構造を一般性を失わずに精密にモ
デル化して、正確に三次限電磁界解析できる空間回路網
法に着目し、誘電体基板構造によるクロストーク特性を
検討、究明したことによりなされたものである。
る配線板などの複雑な構造を一般性を失わずに精密にモ
デル化して、正確に三次限電磁界解析できる空間回路網
法に着目し、誘電体基板構造によるクロストーク特性を
検討、究明したことによりなされたものである。
即ち、本発明は、誘電体基板面の信号線導体の間に誘電
体基板の主体を構成する第一の誘電体の比誘電率より低
い比誘電率の第二の誘電体を配設する構造とすることに
より、特性インピーダンスの上昇を制御しさらにバック
ワードクロストークを効果的に低減することができるこ
とを見いだしたことにもとずいてなされたものである。
体基板の主体を構成する第一の誘電体の比誘電率より低
い比誘電率の第二の誘電体を配設する構造とすることに
より、特性インピーダンスの上昇を制御しさらにバック
ワードクロストークを効果的に低減することができるこ
とを見いだしたことにもとずいてなされたものである。
第１図は本発明の配線板の断面図である。図中１は接地
層、２は信号線となる配線導体、３は第一の誘電体、４
は第一の誘電体の比誘電率より低い比誘電率の第二の誘
電体である。
層、２は信号線となる配線導体、３は第一の誘電体、４
は第一の誘電体の比誘電率より低い比誘電率の第二の誘
電体である。
空間回路網法により、クロストーク特性を解析した結果
、第二の誘電体の厚さをＨ１配配線体間の距離をＳとす
れば、Ｈ／Ｓの値が０．３以上、好ましくは０．５〜２
５、最も好ましくは１．０〜２．０のときに、特性イン
ピーダンスの上昇を制御しさらにバックワードクロスト
ークを効果的に低減することができることが見いだされ
た。また、第一、第二の誘電体の比誘電率の差は大きけ
れば大きい方が良い。
、第二の誘電体の厚さをＨ１配配線体間の距離をＳとす
れば、Ｈ／Ｓの値が０．３以上、好ましくは０．５〜２
５、最も好ましくは１．０〜２．０のときに、特性イン
ピーダンスの上昇を制御しさらにバックワードクロスト
ークを効果的に低減することができることが見いだされ
た。また、第一、第二の誘電体の比誘電率の差は大きけ
れば大きい方が良い。
本発明の配線板は、絶縁層を１種類とし配線導体を形成
した後、配線間の絶縁層の一部をレーザ、リアクティブ
イオンエッチなとで除去し、その空隙に絶縁層より低い
比誘電率の誘電体を埋設することによって製造すること
が出来る。
した後、配線間の絶縁層の一部をレーザ、リアクティブ
イオンエッチなとで除去し、その空隙に絶縁層より低い
比誘電率の誘電体を埋設することによって製造すること
が出来る。
第２図は製造法の一例を示すものである。第二の誘電体
４は離型フィルム５上に塗膜した。例えば感光性ポリイ
ミドをレジスト−露光−現象−エッチングした後得られ
る誘電体パターンである。その後、めっき触媒入り接着
剤６をライニングし、離型フィルム５を取り除く。その
後、無電解めっきにより接地及び配線導体の金属層を設
け、電解めっきにより配線導体を所望の厚さに形成する
ことにより、絶縁層内で低い誘電率の誘電体が局在化し
た配線構造が形成できる。
４は離型フィルム５上に塗膜した。例えば感光性ポリイ
ミドをレジスト−露光−現象−エッチングした後得られ
る誘電体パターンである。その後、めっき触媒入り接着
剤６をライニングし、離型フィルム５を取り除く。その
後、無電解めっきにより接地及び配線導体の金属層を設
け、電解めっきにより配線導体を所望の厚さに形成する
ことにより、絶縁層内で低い誘電率の誘電体が局在化し
た配線構造が形成できる。
第３図は他の製造法を示すものである。第二の誘導体７
は、ポリイミドフィルム８に銅をスパッタした膜９の上
に、たとえば感光性ポリイミドをレジスト−露光−現像
−エッチングした後得られる誘導体パターンである。こ
の誘導体を作る方法として、テフロンをライニングし、
リアクティブイオンエッチなとも可能でありこの場合は
第二の誘導体の厚さを調整できる。その後、ニッケル１
０を電解メッキした後、銅１１の電解メッキで導体配線
を所望の厚さに形成する。その後、電解銅箔なと金属層
１３に第二の誘導体７より高い比誘導率の誘導体１２を
積層したものにプレスなどで接着し、銅エツチングで、
ポリイミドフィルムに銅をスパッタした膜を離型するこ
とにより、絶縁層内で低い誘導率の誘導体が局在化した
配線構造が形成できる。
は、ポリイミドフィルム８に銅をスパッタした膜９の上
に、たとえば感光性ポリイミドをレジスト−露光−現像
−エッチングした後得られる誘導体パターンである。こ
の誘導体を作る方法として、テフロンをライニングし、
リアクティブイオンエッチなとも可能でありこの場合は
第二の誘導体の厚さを調整できる。その後、ニッケル１
０を電解メッキした後、銅１１の電解メッキで導体配線
を所望の厚さに形成する。その後、電解銅箔なと金属層
１３に第二の誘導体７より高い比誘導率の誘導体１２を
積層したものにプレスなどで接着し、銅エツチングで、
ポリイミドフィルムに銅をスパッタした膜を離型するこ
とにより、絶縁層内で低い誘導率の誘導体が局在化した
配線構造が形成できる。
第２図、第３図に示す方法によれば、接地用導体と配線
導体及び誘電体により構成される配線板において、誘電
体中で、第一の誘電体が有する比誘電率より低い比誘電
率の第二の誘電体を配線パターン間に配設することがで
き、それにより隣接する信号線との誘導的結合（クロス
トーク）を低減することができる。
導体及び誘電体により構成される配線板において、誘電
体中で、第一の誘電体が有する比誘電率より低い比誘電
率の第二の誘電体を配線パターン間に配設することがで
き、それにより隣接する信号線との誘導的結合（クロス
トーク）を低減することができる。
また本発明の配線板では、導体配線幅で、配線導体と接
地用導体間にある絶縁体は、誘電率が一定であるため、
特性インピーダンスの概算は容易である。多層化した場
合においてもスルーホールめっき工程が施せ、配線との
接続性も、層重直方向に誘電体を局在化する構造と比べ
、誘電体が同−熱膨張係数であるため信頼性はよい。さ
らに、許容できるクロストーク量の範囲内で、高密度化
ができる。
地用導体間にある絶縁体は、誘電率が一定であるため、
特性インピーダンスの概算は容易である。多層化した場
合においてもスルーホールめっき工程が施せ、配線との
接続性も、層重直方向に誘電体を局在化する構造と比べ
、誘電体が同−熱膨張係数であるため信頼性はよい。さ
らに、許容できるクロストーク量の範囲内で、高密度化
ができる。
（発明の効果）
本発明の配線板は、タロストークが低減でき、特性イン
ピーダンスも変化せず、高密度に多層化でき、さらに比
較的簡易に製造することが出来る。
ピーダンスも変化せず、高密度に多層化でき、さらに比
較的簡易に製造することが出来る。
第１図は本発明の配線板の断面図、第２図（ａ）（ｂ）
、第３図（ａ）（ｂ）（ｃ）は本発明の配線板の製造工
程を示す断面図である。 符号の説明 １、接地層 ２、配線導体 ３、第一の誘電体 ４、第二の誘電体
、第３図（ａ）（ｂ）（ｃ）は本発明の配線板の製造工
程を示す断面図である。 符号の説明 １、接地層 ２、配線導体 ３、第一の誘電体 ４、第二の誘電体
Claims (3)
- １．誘電体基板、誘電体基板の一面に形成された接地用
導体及び誘電体基板の他の一面に形成された信号線導体
とより成る配線板において、誘電体基板の他の一面の信
号線導体の間に誘電体基板の主体を構成する第一の誘電
体の比誘電率より低い比誘電率の第二の誘電体を配設し
たことを特徴とする信号線相互間のクロストークノイズ
を低減した配線板。 - ２．離型フィルム上に第二の誘電体のパターンを形成し
、めっき触媒入りの第一の誘電体をライニングし、離型
フィルムを取り除き、無電解めっきにより接地用及び信
号線導体の金属層を設ける工程を含む請求項１記載の信
号線相互間のクロストークノイズを低減した配線板の製
造法。 - ３．離型フィルムに金属を形成したものの上に、第二の
誘導体のパターンを形成し、電解メッキで信号線導体を
形成し得られた積層体を、金属層に第一の誘導体を積層
したものに接着し、離型フィルムを除去する工程を含む
請求項１記載の信号線相互間のクロストークノイズを低
減した配線板の製造法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1176838A JPH0341803A (ja) | 1989-07-07 | 1989-07-07 | 信号線相互間のクロストークノイズを低減した配線板およびその製造法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1176838A JPH0341803A (ja) | 1989-07-07 | 1989-07-07 | 信号線相互間のクロストークノイズを低減した配線板およびその製造法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0341803A true JPH0341803A (ja) | 1991-02-22 |
Family
ID=16020717
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1176838A Pending JPH0341803A (ja) | 1989-07-07 | 1989-07-07 | 信号線相互間のクロストークノイズを低減した配線板およびその製造法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0341803A (ja) |
Cited By (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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| JPH09116310A (ja) * | 1995-10-17 | 1997-05-02 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 多入力多出力スイッチ回路 |
| WO2000047026A1 (en) * | 1999-02-02 | 2000-08-10 | Telefonaktiebolaget Lm Ericsson (Publ) | An arrangement relating to conductor carriers and methods for the manufacture of such carriers |
| US6800929B1 (en) | 1998-07-14 | 2004-10-05 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Semiconductor device |
| JP2006190748A (ja) * | 2005-01-05 | 2006-07-20 | Kobe Steel Ltd | パターン電極を備えた多孔質誘電体基板の製造方法 |
| WO2006134874A1 (ja) * | 2005-06-14 | 2006-12-21 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | 伝送線路装置 |
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