JP2001077608A

JP2001077608A - 伝送線路

Info

Publication number: JP2001077608A
Application number: JP25158699A
Authority: JP
Inventors: Kazushi Kuroda; 和士黒田
Original assignee: Toyota Motor Corp
Current assignee: Toyota Motor Corp
Priority date: 1999-09-06
Filing date: 1999-09-06
Publication date: 2001-03-23

Abstract

(57)【要約】【課題】製造バラツキが少なく、耐久性に優れた完全
シールド型の伝送線路を提供すること。【解決手段】誘電材料からなる誘電体基板２１と、こ
の誘電体基板２１の表面に形成された線路導体２２と、
この線路導体２２の両脇に沿って配列された誘電体基板
２１を貫通する複数の貫通導体２４と、誘電体基板２１
の下方に配設され誘電体基板２１を介して線路導体２２
と対向すると共に貫通導体２４と接続する第１の接地導
体３と、誘電体基板２１の上方に配設され貫通導体２４
と接続すると共に線路導体２２を非接触で覆う第２の接
地導体４、５とを備える。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、高周波を伝送する
伝送線路に関するものであり、特に、ミリ波帯以上の高
周波の伝送に適した伝送線路に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】ミリ波などの高周波を伝送する伝送線路
として、従来から導波管やマイクロストリップ線路など
が知られている。

【０００３】マイクロストリップ線路は、線路を平面化
したものであり、セラミックスなどからなる誘電体基板
の表面に帯状のストリップ導体が形成されると共に基板
裏面に接地導体が形成された構造を有している。

【０００４】このマイクロストリップ線路によれば、高
周波回路を平面状に形成することが可能である。また、
導波管に比べて安価であり大量生産が容易である。さら
に、伝送される高周波の増幅用素子などと一体的にＭＭ
ＩＣ（Monolithic MicrowaveIntegrated Circuit）を構
成することができるという利点がある。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、マイク
ロストリップ線路は、高周波の伝送路となるストリップ
導体が文字通り外部に露出しているため、線路の途中で
の高周波の不適切な入出射が生じることがある。たとえ
ば、ストリップ導体の屈曲部から伝播中の高周波が外部
に漏れ、その高周波が伝送線路の他の部分にノイズとし
て入射することがある。あるいは、導波管と接続してい
る場合には、導波管モードの電波が空間を介して線路中
に入射してしまうことがある。

【０００６】このような不具合を回避するために、図８
に示すように、マイクロストリップ線路のストリップ導
体１１２を導体１０２〜１０５で覆う伝送線路が考えら
れる。すなわち、セラミックス基板１１１上にストリッ
プ導体１１２を形成したものを、底部導体１０２の上面
に形成した溝１１３内に導電性接着材１１４を介して埋
め込み、固着する。

【０００７】そして、ストリップ導体１１２の長手方向
に沿って両側に側部導体１０３、１０４を設置してスト
リップ導体１１２の側方を覆い、さらに側部導体１０
３、１０４の上に板状の上部導体１０５を渡してストリ
ップ導体１１２の上方を覆う。この伝送線路によれば、
ストリップ導体１１２の上方、下方および側方がすべて
導体で覆われるので、線路に対する不必要な電波の出入
りを防ぐことができる。

【０００８】しかし、この伝送線路は、セラミックス基
板１１１を導電性接着剤１１４で底部導体１０２の溝１
１３内に固着するものであるため、溝１１３の底面を基
準とするストリップ導体１１２の高さ位置ｈに、接着状
態に起因するバラツキが生じる。

【０００９】このバラツキは、導波管や他の伝送線路と
接続する際に特性上の悪影響を与える。たとえば、導波
管との接続の際には、損失を少なくするために、ストリ
ップ導体１１２を導波管中にミクロンオーダーで正確に
位置決めして露出させる必要があるが、高さｈにバラツ
キがあると正確な位置決めが難しい。

【００１０】また、接着剤による固着は、接着状態によ
っては経年変化により剥がれるおそれがあり、耐久性の
点でも問題がある。

【００１１】さらに、底部導体１０２に対して溝加工が
必要であるだけでなく、セラミックス基板１１１をその
溝形状に合わせて正確に切り出す必要があり、製作工程
が非常に煩雑である。

【００１２】

【課題を解決するための手段】本発明の伝送線路は、こ
のような問題を解決するためになされたものであり、誘
電材料からなる誘電体基板と、この誘電体基板の表面に
形成された線路導体と、この線路導体の両脇に沿って配
列された誘電体基板を貫通する複数の貫通導体と、誘電
体基板の下方に配設され誘電体基板を介して線路導体と
対向すると共に貫通導体と接続する第１の接地導体と、
誘電体基板の上方に配設され貫通導体と接続すると共に
線路導体を非接触で覆う第２の接地導体とを有すること
を特徴とする。

【００１３】この伝送線路によれば、線路導体の下方は
第１の接地導体で覆われ、上方は第２の接地導体で覆わ
れ、側方は貫通導体列によって覆われている。したがっ
て、線路途中での電波の出入りは十分に抑制できる。

【００１４】しかも、この伝送線路によれば、誘電体基
板に貫通導体列が形成されているので、誘電体基板の側
面を導体で覆う必要がない。換言すると、誘電体基板の
側面を導体で覆うために誘電体基板を下部接地導体の溝
に埋め込む必要がない。したがって、導電性接着剤を用
いて誘電体基板を下部接地導体に固着する必要は全くな
く、たとえば、誘電体基板を第１の接地導体と第２の接
地導体とで挟み込むだけでよい。

【００１５】このように、この伝送線路によれば、導電
性接着剤を用いずに製作できるので、導電性接着剤の接
着状態に起因する線路導体の位置（高さ）のバラツキが
生じない。また、接着剤の経年変化に基づく剥がれも発
生しない。

【００１６】貫通導体の間隔は、伝送しようとする電波
の中心周波数波長λの１／８以下であることが望まし
い。この条件を満足させることにより、導電体壁と同等
のシールド効果を得ることができる。

【００１７】誘電体基板には、テフロン（登録商標）基
板のようなフッ素樹脂基板を用いることが望ましい。特
に、第１の接地導体が誘電体基板の裏面上に形成されて
おり、線路導体と誘電体基板と第１の接地導体とでマイ
クロストリップ線路が構成されている場合には、誘電体
基板にフッ素樹脂基板を用いることが好ましい。

【００１８】マイクロストリップ線路に用いる誘電体基
板は、伝送損失を低くするために、誘電正接ｔａｎδの
小さい材料で構成する必要があるが、フッ素樹脂基板
は、セラミックス基板と同様に誘電正接ｔａｎδが十分
に小さい。

【００１９】しかも、フッ素樹脂基板はセラミックス基
板に比べて可撓性が高く、大面積の基板を作製できる。
ちなみに、セラミックス基板は現状では一辺が１０cm程
度の四角形が上限の大きさであり、これを越えた面積に
なると割れ易く、マイクロストリップ線路用の基板とし
て用いることは難しい。

【００２０】また、フッ素樹脂基板は、貫通導体を作製
するための穴開け加工もセラミックス基板よりも容易で
あり、量産性に優れている。これも、フッ素樹脂基板の
可撓性の高さに起因する。

【００２１】

【発明の実施の形態】以下、添付図面に基づき、本発明
の種々の実施形態について説明する。尚、各図において
同一要素には同一の符号を付し、重複する説明を省略す
る。また、図面の寸法比率は、説明のものと必ずしも一
致していない。

【００２２】（第一実施形態）図１に本実施形態に係る
伝送線路の斜視図を示す。この図１では、説明の便宜
上、構成部材の一部を切り欠いた状態で示してある。

【００２３】この伝送線路１は、１ＧＨｚ以上の電磁波
を伝送するものであり、特に３０ＧＨｚ以上の電磁波
（ミリ波）の伝送に適したものである。

【００２４】線路基板２は、誘電材料からなる誘電体基
板２１と、その表面に形成された線路導体２２（ストリ
ップ導体）と、その裏面に形成されたグラウンドとなる
導体層２３とを備え、これらによって線路導体２２に沿
って高周波が伝送されるマイクロストリップ線路が構成
されている。

【００２５】誘電体基板２１にはフッ素樹脂による板体
を用いることが望ましく、例えば、テフロン製の板体が
用いられる。この場合、誘電体基板２１の誘電正接ｔａ
ｎδを小さくできるため、伝送損失の低減を図ることが
できる。本実施形態では、２００ミクロン程度の厚さの
フッ素樹脂基板が用いられている。

【００２６】また、フッ素樹脂はセラミックスに比べて
可撓性が高く、誘電体基板２１自体の加工が容易であ
る。したがって、後述する貫通導体２４のための穴開け
も容易であり、伝送線路１が量産性に優れたものとな
る。たとえばパンチ加工で容易に貫通孔を形成できる。

【００２７】更に、セラミックス基板と異なり大面積の
ものが製作可能であり、しかも、線路導体２２のパター
ニングをリソグラフィ等の公知の手法を用いて行うこと
ができる。そのため、大規模な高周波回路であっても１
枚の誘電体基板上に形成することができ、低コストでの
製造が可能である。

【００２８】この線路基板２には多数の貫通導体２４が
形成されている。

【００２９】図２は、線路基板２の表面を伝送線路１の
上方から見た図である。図２に示すように、貫通導体２
４は複数形成され、線路導体２２の延びる方向に沿って
両側に一定間隔ｄにて配設されている。

【００３０】貫通導体２４はいわゆるスルーホールであ
り、貫通孔の内周壁に形成された筒状の導体である。ま
た、貫通導体２４の下端は導電層２３に電気的に接続さ
れている。

【００３１】貫通導体２４、２４間の間隔ｄは、伝送す
る高周波の中心周波数波長λの８分の１の長さ以下に設
定される。例えば、伝送する高周波が７６ＧＨｚの周波
数のものである場合には、その波長λが約４ｍｍとなる
ため、間隔ｄは約０．５ｍｍ以下に設定される。このよ
うに間隔ｄを設定することにより、外部の高周波が線路
基板２の側方からマイクロストリップ線路内へ入射する
ことを防止することができる。また、マイクロストリッ
プ線路中を伝播する高周波が線路基板２の側方から外部
へ放射することも防止できる。

【００３２】線路基板２の下方には、底部導体３が設け
られている。底部導体３は線路基板２の下方を覆う導電
性部材であり、導体層２３と電気的に一体となって第１
の接地導体を構成する。また、底部導体３は線路基板２
を支える支持部材としても機能している。

【００３３】なお、底部導体３に代えて同一形状の非導
電性部材を用いてもよい。その場合には、第１の接地導
体が導体層２３のみよって構成されることになる。

【００３４】線路基板２の上方には、第二の接地導体を
構成する側部導体４、４及び上部導体５が設けられてい
る。

【００３５】側部導体４は線路導体２２の上方の側部を
覆う導電性部材であり、貫通導体２４の列の上に配置さ
れることにより、貫通導体２４と電気的に接続される。

【００３６】上部導体５は線路基板２の上方を覆う導電
性部材であり、左右の側部導体４、４上に渡されてい
る。この上部導体５と左右の側部導体４、４により、線
路導体２２の上部周囲に一定の中空の空間が形成され
る。この空間の大きさは、伝送する高周波の周波数など
に応じて適宜設定する。

【００３７】上部導体５、側部導体４、線路基板２およ
び底部導体３は、側部導体４および線路基板２を貫通す
る適当な位置で、上部導体５と底部導体３とをボルト締
めすることにより一体化され、伝送線路１となる。

【００３８】このように構成された伝送線路１は、マイ
クロストリップ線路を構成する線路導体２２の周囲を底
部導体３、貫通導体２４、側部導体４および上部導体５
で完全に覆われているので、線路導体２２に沿って伝搬
する高周波は外部に漏れることがなく、また、外部から
ノイズが侵入することもない。

【００３９】なお、貫通導体２２は、貫通孔の側壁周囲
に導体が形成されたスルーホールであるが、貫通孔を完
全に導電性部材で充填したビアホールとしてもよい。

【００４０】ここで、本実施形態に係る伝送線路の製造
方法を簡単に説明する。

【００４１】線路基板２の製造は、一般のプリント配線
基板の製造方法を用いて行うことができる。一例を挙げ
ると、フッ素樹脂基板２１の表裏の両面に金属層を積層
してなる両面プリント配線基板を用い、レジストにより
線路導体２２となる配線パターンを形成した後、エッチ
ング、レジスト除去、穴あけ、貫通導体２４となるスル
ーホール又はビアホールの形成、外形形成の各工程を順
次行って、線路基板２を製造する。なお、この製造方法
は一例であって、線路基板２の製造をこのような手法以
外の手法によって行う場合もある。

【００４２】このようにして製造された線路基板２を底
部導体３上に載置し、その線路基板２の貫通導体２４の
形成位置上に側部導体４、４をそれぞれ載置し、その側
部導体４、４上に上部導体５を載置する。

【００４３】その後、上部導体５、側部導体４、線路基
板２及び底部導体３を全て貫通するようにボルト（図示
なし）を装着し、そのボルトをナット止めすることによ
り、上部導体５、側部導体４、線路基板２及び底部導体
３をそれぞれ密着させ一体化させて、伝送線路１の製造
が完了する。

【００４４】この伝送線路１は、ミリ波帯の高周波伝送
に適するマイクロストリップ線路の一種であるが、ミリ
波の伝送には導波管もよく利用される。したがって、こ
の伝送線路１と導波管とを同一装置内で用いることが考
えられ、その場合、両伝送線路の接続部におけるモード
変換が必要となる。

【００４５】図３は、伝送線路１と導波管との接続構造
を示す断面図である。この図において、導波管７１は上
下方向に延びており上端は蓋で閉じられている。伝送線
路１は左右方向に延びており、端部が導波管７１の端部
側面に接続されている。

【００４６】この接続部は、伝送線路１の底部導体３、
側部導体４および上部導体５を導波管７１の側壁に当接
させ、線路基板２のみを短冊形状にして導波管７１内に
突出させた構造となっている。また、導波管７１内に突
出した部分における線路導体２２の形状は、モード変換
に適したものとなっている。

【００４７】この接続部では、下方から導波管７１を伝
送してくる電磁波７２が、線路基板２と導波管上端面と
の間での共振を利用して、導波管のモードからマイクロ
ストリップのモードにモード変換され、マイクロストリ
ップ線路に入射される。したがって、導波管上端面と線
路基板２との間隔ｄ１（千数百ミクロン程度）を正確に
位置決めすることが重要である。本実施形態によれば、
線路基板２が底部導体３に接着剤を用いることなく固定
されているので、底部導体３を導波管７１に対して正確
に位置決めすれば、間隔ｄ１の製造バラツキは生じな
い。

【００４８】また、底部導体３、上部導体５、側部導体
４が導波管７１の側壁に密着しているので、この接続部
から導波管モードが外部に漏れることがない。

【００４９】図４は、８チャネル平面アンテナを用いた
ミリ波レーダの高周波回路の一部を示したものである。
具体的には、不図示の平面アンテナの各素子アンテナに
接続される８つの導波管７１から入力される電磁波のう
ち一つを選択的に出力する回路である。

【００５０】図４に示すように、８つの導波管７１の出
力側にはそれぞれ本実施形態の伝送線路１が接続されて
おり、その伝送線路１のうち４つがスイッチ７３に接続
され、伝送線路１の他の４つが他のスイッチ７３に接続
されている。そして、各スイッチ７３の出力側は、それ
ぞれ伝送線路１を介してスイッチ７４に接続されてい
る。この装置によれば、導波管７１を伝送してくる電磁
波をスイッチ７３、７４の伝送路切換により所望の電磁
波の一つを選択的に出力することが可能となる。

【００５１】この場合、電磁波を伝送する線路は直線状
のもののみならず屈曲したものも必要となるが、本実施
形態の伝送線路を用いれば屈曲部から電磁波が漏れるこ
とがない。

【００５２】つぎに、本実施形態の伝送線路のＭＭＩＣ
（Monolithic Microwave Integrated Circuit）との接
続方法を説明する。ＭＭＩＣは、基本的にはマイクロス
トリップ線路を伝送線路とするものであるが、外部との
接続部付近ではコプレーナ線路となっている。

【００５３】図５は、本実施形態の伝送線路とＭＭＩＣ
との接続の様子を示す図である。図５において、伝送線
路１は、説明の便宜上、分解した状態で示してある。

【００５４】図５に示すように、伝送線路１と接続され
るＭＭＩＣ８０は、マイクロストリップを電磁波の伝送
手段として有するものであり、基板８１の上面に導体線
路８２を有し、基板８１の下面にグラウンドとなる金属
層８３を有している。また、金属層８３は、基板８１の
接続端面に沿って立ち上がり基板上面に至る２つの端子
部８４を有し、この部分がコプレーナ線路の形状となっ
ている。

【００５５】このようなＭＭＩＣ８０に対し本実施形態
の伝送線路１を接続するには、端部に貫通導体２４と接
続する端子導体８６を線路導体２２の両側にそれぞれ予
め設けておき、ワイヤボンディングまたはリボンボンデ
ィングで必要な接続を行えばよい。つまり、伝送線路１
の線路導体２２とＭＭＩＣ８０の線路導体８２とをワイ
ヤーボンディングまたはリボンボンディングにより接続
すると共に、伝送線路１の端子導体８６、８６とＭＭＩ
Ｃ８０の端子部８４、８４とを同じくワイヤーボンディ
ングまたはリボンボンディングにより接続すればよい。

【００５６】（第二実施形態）次に第二実施形態に係る
伝送線路について説明する。

【００５７】図６に本実施形態に係る伝送線路１ａを示
す。この図６では、説明の便宜上、構成部材の一部を切
り欠いた状態で示してある。

【００５８】図６に示すように、伝送線路１ａは、サス
ペンデッド線路として構成されるものであり、線路基板
２ａを備えている。線路基板２ａは、誘電体基板である
１０数ミクロン厚のポリイミドフィルムなどからなる膜
体２１ａを有し、その膜体２１ａの表面に線路導体２２
が形成されている。

【００５９】導体線路２２は、高周波の伝送方向に沿っ
て延びる導体線であり、帯状に形成されている。また、
導体線路２２の両脇部分の表面側及び裏面側には、それ
ぞれグラウンドとなる導体層２３が形成されている。

【００６０】線路基板２ａの下方には、第一の導体を構
成する底部導体３及び下方側部導体４ａ、４ａが設けら
れている。下方側部導体４ａは、線路基板２ａの下方の
側部を覆う導電性部材であり、線路基板２ａの側方部分
に配設されている。底部導体３は、線路基板２ａの下方
を覆う導電性部材であり、少なくとも線路基板２ａの下
部を覆える寸法で形成されている。

【００６１】この下部導体４ａと左右の下方側部導体４
ａ、４ａにより、線路基板２ａの裏面側に一定の中空の
空間が形成される。この空間の大きさは、伝送する高周
波の周波数などに応じて適宜設定される。

【００６２】線路基板２ａの上方には、第二の導体を構
成する上方側部導体４ｂ、４ｂ及び上部導体５が設けら
れている。上方側部導体４ｂは、線路基板２ａの上方の
側部を覆う導電性部材であり、線路基板２ａの導体線路
２２の側方部分に配設されている。この上方側部導体４
ｂと下方側部導体４ａにより、線路基板２ａの導体線路
２２の側方部分が挟み込まれる構造となっている。

【００６３】上部導体５は、線路基板２の上方を覆う導
電性部材であり、左右の側部導体４ｂ、４ｂ上に設置さ
れている。この上部導体５と左右の側部導体４ｂ、４ｂ
により、線路基板２ａの導体線路２２の周囲に一定の中
空の空間が形成される。この空間の大きさは、伝送する
高周波の周波数などに応じて適宜設定される。

【００６４】線路基板２ａには、膜体２１ａの表裏を貫
通する貫通導体２４が設けられている。貫通導体２４
は、線路導体２２の側方位置であって線路基板２ａが下
方側部導体４ａと上方側部導体４ｂにより挟み込まれる
位置に設けられており、上方側部導体４ｂと下方側部導
体４ａを導通させる。

【００６５】また、貫通導体２４は、複数形成され、導
体線路２２の延びる方向に沿って一定間隔にて配設され
ている。その貫通導体２４、２４間の間隔は、前述した
ように、伝送する高周波の波長λの８分の１の長さ以下
に設定される。これにより、膜体２１ａの側面から電波
が入・出射されることがない。

【００６６】以上のように、本実施形態に係る伝送線路
１ａによれば、第一実施形態に係る伝送線路１と同様
に、線路基板２ａに貫通導体２４を設けることにより、
線路基板２ａを導体で挟み込む構造としながら線路導体
２２の周囲を実質的に完全に導体部材で覆うことができ
る。このため、線路導体２２などに外部からの電磁波が
入射することを防止でき、高周波の伝送を低損失にて行
うことができる。

【００６７】つぎに、この伝送線路１ａとＭＭＩＣとの
接続について説明する。図７は伝送線路１ａとＭＭＩＣ
との接続状態を示す斜視図である。なお、図７におい
て、伝送線路１は、説明の便宜上、分解した状態で示し
てある。

【００６８】伝送線路１ａと接続するＭＭＩＣ８０は、
上述したようにマイクロストリップを電磁波の伝送手段
として有し、接続端部だけコプレーナ線路となってい
る。すなわち、基板８１の上面に導体線路８２を有し、
基板８１の下面にグラウンドとなる金属層８３を有し、
基板端部に金属層８３と連結する２つの端子部８４を有
している。

【００６９】このようなＭＭＩＣ８０に対し伝送線路１
ａを接続するには、伝送線路１ａの線路導体２２をＭＭ
ＩＣ８０の線路導体８２と熱圧着ボンディングにより接
続し、伝送線路１ａの上方側の導体層２３、２３をＭＭ
ＩＣ８０の端子部８４、８４と熱圧着ボンディングによ
り接続すればよい。

【００７０】なお、接続部の膜体２１ａはレーザーによ
りエッチング除去することができ、これにより、線路導
体２２および上方側導体層２３、２３を膜体２１ａから
突出させることができる。

【００７１】このようにＭＭＩＣとの接続も容易に行う
ことができる。

【００７２】

【発明の効果】以上説明したように本発明の伝送線路に
よれば、誘電体基板に貫通導体を設けることにより誘電
体基板側方の電磁シールドを行うので、従来のミリ波用
のマイクロストリップ線路ように、基板側方の電磁シー
ルドのために基板を下部接地導体の溝に導電性接着剤を
用いて埋め込む必要がない。すなわち、誘電体基板を第
１の接地導体と第２の接地導体とで挟み込むだけでよ
い。

【００７３】このように、この伝送線路によれば、導電
性接着剤を用いずに製作できるので、導電性接着剤の接
着状態に起因する線路導体の基準面に対する位置（高
さ）のバラツキが生じない。また、接着剤の経年変化に
基づく剥がれも発生しない。

【００７４】また、本発明の伝送線路をサスペンデッド
線路として用いる場合にも、貫通導体によって誘電体基
板の側方の電磁シールドが完全となり、伝送損失を抑え
ることができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】第一実施形態に係る伝送線路の斜視図である。

【図２】第一実施形態に係る伝送線路の平面図である。

【図３】図１に示す伝送線路と導波管との接続状態を示
す断面図である。

【図４】図１に示す伝送線路を用いた回路の一例を示す
回路図である。

【図５】図１に示す伝送線路とＭＭＩＣとの接続方法を
示す斜視図である。

【図６】第二実施形態に係る伝送線路の斜視図である。

【図７】図６に示す伝送線路とＭＭＩＣとの接続方法を
示す斜視図である。

【図８】本発明と対比される伝送線路を示す斜視図であ
る。

【符号の説明】

１…伝送線路、２…線路基板、２１…誘電体基板、２２
…線路導体、２３…導体層、２４…貫通導体、３…底部
導体、４…側部導体、５…上部導体。

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】誘電材料からなる誘電体基板と、前記誘電体基板の表面に形成された線路導体と、前記線路導体の両脇に沿って配列された前記誘電体基板
を貫通する複数の貫通導体と、前記誘電体基板の下方に配設され、前記誘電体基板を介
して前記線路導体と対向すると共に前記貫通導体と接続
する第１の接地導体と、前記誘電体基板の上方に配設され、前記貫通導体と接続
すると共に前記線路導体を非接触で覆う第２の接地導体
とを有することを特徴とする伝送線路。
【請求項２】前記貫通導体は、伝送しようとする電波
の中心周波数波長λの１／８以下の間隔で前記線路導体
に沿って配列されていることを特徴とする請求項１に記
載の伝送線路。
【請求項３】前記第１の接地導体が前記誘電体基板の
裏面上に形成されており、前記線路導体と前記誘電体基
板と前記第１の接地導体とでマイクロストリップ線路が
構成されていることを特徴とする請求項１または２のい
ずれか一項に記載の伝送線路。
【請求項４】前記前記誘電体基板がフッ素樹脂基板で
あることを特徴とする請求項３に記載の伝送線路。
【請求項５】前記第２の接地導体は、側部導体と上部
導体とで構成されており、前記側部導体は前記誘電体基
板上の前記線路導体の両側においてそれぞれ前記貫通導
体列の上に設けられ、前記上部導体は前記側部導体間の
上に渡されていることを特徴とする請求項４に記載の伝
送線路。