KR100706024B1 - 밀리미터파 대역 광대역 마이크로스트립-도파관 변환 장치 - Google Patents

밀리미터파 대역 광대역 마이크로스트립-도파관 변환 장치 Download PDF

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waveguide
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microstrip line
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millimeter wave
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이홍열
전동석
김동영
이상석
김용원
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한국전자통신연구원
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    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01P—WAVEGUIDES; RESONATORS, LINES, OR OTHER DEVICES OF THE WAVEGUIDE TYPE
    • H01P5/00—Coupling devices of the waveguide type
    • H01P5/08—Coupling devices of the waveguide type for linking dissimilar lines or devices
    • H01P5/10—Coupling devices of the waveguide type for linking dissimilar lines or devices for coupling balanced with unbalanced lines or devices
    • H01P5/107—Hollow-waveguide/strip-line transitions
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01Q—ANTENNAS, i.e. RADIO AERIALS
    • H01Q13/00—Waveguide horns or mouths; Slot antennas; Leaky-waveguide antennas; Equivalent structures causing radiation along the transmission path of a guided wave

Abstract

본 발명은 밀리미터파 대역에서 동작하는 광대역 마이크로스트립-도파관 변환 장치에 관한 것이다. 본 발명의 밀리미터파 대역 광대역 마이크로스트립-도파관 변환 장치는, 마이크로스트립 선로로 진행하는 전자기파 신호를 결합시키기 위한 개구면과, 상기 개구면과 직사각형의 도파관 사이에 배치되며 상기 개구면으로부터 결합된 신호에 의한 공진이 일어나는 메인 패치와, 상기 메인 패치와 상기 도파관 사이에 배치되며 상기 메인 패치와 함께 공진이 일어나는 기생 패치와, 상기 마이크로스트립 선로의 접지면과 상기 도파관의 전기적인 도통을 위한 비아 홀을 포함하며, 상기 비아 홀은 원기둥 형상의 도체 재질로 이루어지고, 그 직경이 0.1㎜보다 작고 상기 비아 홀 사이의 간격이 0.3㎜보다 작으며, 상기 비아 홀들 중심간의 간격은 상기 비아 홀 직경의 3배인 것을 특징으로 한다.
본 발명에 의하면, 마이크로스트립 상태의 신호를 도파관 상태의 신호로 변환시키고 공진 대역 특성을 광대역으로 증가시킬 수 있다.
변환장치, 밀리미터파, 마이크로스트립, 도파관, 개구면, 광대역

Description

밀리미터파 대역 광대역 마이크로스트립-도파관 변환 장치{Wide bandwidth microstripe-waveguide transition structure at millimeter wave band}
도 1은 종래의 마이크로스트립-도파관 변환 장치를 나타내는 분해 사시도이다.
도 2는 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 밀리미터파 대역 광대역 마이크로스트립-도파관 변환 장치를 나타내는 분해 사시도이다.
도 3은 도 2의 마이크로스트립-도파관 변환 장치에 대한 횡단면도이다.
도 4a 내지 도 4d는 도 3에 도시된 마이크로스트립-도파관 변환 장치의 각각의 계층에 대한 평면도이다.
도 5는 도 2에 도시된 마이크로스트립-도파관 변환 장치에서 기생 패치가 없는 상태로 컴퓨터 모의실험을 한 결과를 보여주는 주파수 응답 특성이다.
도 6은 도 2에 도시된 마이크로스트립-도파관 변환 장치에서 기생 패치가 포함된 상태로 컴퓨터 모의실험을 한 결과를 보여주는 주파수 응답 특성이다.
* 도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명 *
110: 마이크로스트립 선로(microstrip line)
120: 개구면(slot)
130: 메인 패치(main patch)
131: 기생 패치(parasitic patch)
140, 141: 비아 홀(via hole)
150, 151, 152: 유전체 기판(dielectric substrate)
160, 161, 162: 접지면(ground)
170: 도파관(waveguide)
본 발명은 밀리미터파 대역에서 동작하며 광대역 특성을 갖는 광대역 마이크로스트립-도파관 변환 장치에 관한 것이다.
무선 통신 기술이 고속, 대용량화로 발전하고 있다. 따라서 무선 통신 기기 등에 사용되는 동작 주파수가 자연히 수십 ㎓ 이상의 밀리미터파 대역으로 올라가고 있다. 또한, 사용 환경이 주파수의 특성상 근거리 통신과 같이 아주 짧은 거리인 피코셀(pico cell) 개념으로 정의되고 있다. 이러한 환경을 고려했을 때 송수신 모듈의 최외곽에 사용되는 안테나는 대기 중의 흡수를 고려해서 안테나 이득이 평면형 안테나보다 상대적으로 높은 혼 안테나(horn antenna)를 주로 사용하게 된다. 따라서 마이크로스트립 라인과 같은 평면 형태로 신호가 전달되는 RF 단에서 도파관 형태의 혼 안테나로 신호를 여기시키기 위해서는 마이크로스트립-도파관 변환 장치가 필요하게 된다.
하지만, 현재까지 연구된 결과를 보면 60㎓ 대역의 주파수 이상에서 사용할 수 있는 변환 장치의 가용 주파수 대역은 협대역 특성을 갖는다.
도 1은 수십 ㎓ 이상의 영역에서 동작하는 종래의 마이크로스트립-도파관 변환 장치를 나타내는 분해 사시도이다. 도 1에 도시한 바와 같이, 종래 기술의 마이크로스트립-도파관 변환 장치(10)는 마이크로스트립 선로 조립체(12), 도파관(14) 및 이들 마이크로스트립 선로 조립체(12)와 도파관(14) 사이에 위치하며 개구(52)를 갖는 접지면 플레이트(50)로 구성된다. 마이크로스트립 선로 조립체(12)는 마이크로스트립 선로(16)와 패치 안테나(20)로 구성된다. 마이크로스트립 선로(16)는 슬롯(22)을 구비한 접지면 도체(18), 이 접지면 도체(18)와 적층되는 유전체 기판(32), 및 유전체 기판(32) 상에 위치하며 슬롯(22)의 장축과 직교하는 부분(40)을 갖는 스트립 도체(30)로 구성된다. 패치 안테나(20)는 유전체층(34)과 도체(38)로 구성된다.
전술한 구성에 의해, 종래의 마이크로스트립-도파관 변환 장치(10)는 마이크로스트립 선로(16)에 대한 그라운드 면(18)에 스트립 도체(30)의 중간 부분(40)과 장축 방향에서 직교하는 슬롯(22)을 형성하여 신호를 결합시키고, 결합된 신호를 유전체층(34)의 밑면에 인쇄된 도체(38)를 단일의 패치 안테나(20)로서 공진시켜서 전파를 사각 도파관(14)으로 진행하도록 만들어진다. 하지만, 이 종래 기술은 단일 패치 안테나를 사용하기 때문에 공진 대역이 좁은 협대역 특성을 갖고, 따라서 광대역 통신에는 적합하지 않다.
한편, 종래의 다른 기술은 개구면이 없는 상태로 마이크로스트립 선로를 종단시켜서 기판 아래에 있는 주 패치 안테나와 기생 패치 안테나로 신호를 결합시켜 서 전파를 도파관으로 진행시키는 방법이 있다. 하지만, 이 종래 기술은 주 패치 안테나와 기생 패치 안테나를 동일 평면상에 구성하기 때문에 공진 대역이 좁은 특성을 갖는다.
따라서 전술한 협대역 특성을 해결하여 광대역에서도 사용할 수 있도록 새로운 구조의 밀리미터파 대역 마이크로스트립-도파관 변환 장치가 요구되고 있다.
본 발명은 종래 기술에 대한 문제점을 해결하기 위하여 고안된 것으로, 본 발명의 목적은 밀리미터파 대역의 송수신 모듈의 RF 최종단으로 진행하는 신호를 혼 안테나와 같은 도파관 형태의 안테나로 신호를 결합시키면서 광대역 특성을 갖는 마이크로스트립-도파관 변환 장치를 제공하는 데 있다.
다시 말해서, 본 발명의 목적은 구성의 간단함에 비해 우수한 특성의 결과를 얻을 수 있는 밀리미터파 대역 광대역 마이크로스트립-도파관 변환 장치를 제공하는 데 있다.
상기 목적을 달성하기 위하여, 본 발명의 바람직한 측면에 의하면, 마이크로스트립 선로로 진행하는 전자기파 신호를 결합시키기 위한 개구면; 상기 개구면과 직사각형의 도파관 사이에 배치되며 상기 개구면으로부터 결합된 신호에 의한 공진이 일어나는 메인 패치; 상기 메인 패치와 상기 도파관 사이에 배치되며 상기 메인 패치와 함께 공진이 일어나는 기생 패치; 및 상기 마이크로스트립 선로의 접지면과 상기 도파관의 전기적인 도통을 위한 비아 홀을 포함하며, 상기 비아 홀은 원기둥 형상의 도체 재질로 이루어지고, 그 직경이 0.1㎜보다 작고 상기 비아 홀 사이의 간격이 0.3㎜보다 작으며, 상기 비아 홀들 중심간의 간격은 상기 비아 홀 직경의 3배인 것을 특징으로 하는 밀리미터파 대역 광대역 마이크로스트립-도파관 변환 장치가 제공된다.
바람직하게, 상기 밀리미터파 대역 광대역 마이크로스트립-도파관 변환 장치는 마이크로스트립 선로의 입력 임피던스 정합을 위한 개방형 스터브를 더 포함한다.
삭제
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명에 따른 바람직한 실시예를 상세하게 설명하기로 한다. 그러나 이하의 실시예는 당해 기술 분야에서 통상적인 지식을 가진 자에게 본 발명이 충분히 이해되도록 제공되는 것으로서 여러 가지 형태로 변형될 수 있으며, 본 발명의 범위가 다음에 기술되는 실시예에 한정되는 것은 아니다.
도 2는 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 밀리미터파 대역 광대역 마이크로스트립-도파관 변환 장치를 나타내는 분해 사시도이다.
도 2를 참조하면, 밀리미터파 대역 광대역 마이크로스트립-도파관 변환 장치는 3개의 계층으로 이루어진 제1, 제2 및 제3 유전체 기판(150, 151, 152)을 구비한다. 맨 상층의 제1 유전체 기판(150)의 일면 위에는 마이크로스트립 선로(110)가 인쇄된다.
중간의 제2 유전체 기판(151)의 일면 위에는 마이크로스트립 선로(110)에 대한 제1 접지면(160)이 위치한다. 제1 접지면(160)에는 마이크로스트립 선로(110)로 진행하는 신호를 결합시키기 위한 개구면(120)이 위치한다. 또한 제2 유전체 기판(151)에는 맨 아래층의 제3 유전체 기판(152)의 일면 위에 있는 제2 접지면(161)과 상기 제1 접지면(160)을 전기적으로 연결시키기 위한 제1 비아 홀(140)이 위치한다.
맨 아래층의 제3 유전체 기판(152)의 일면 위에는 제2 접지면(161)과 메인 패치(130)가 소정의 도체 비형성부를 사이에 두고 배치된다. 제3 유전체 기판(152)에는 상기 일면에 있는 제2 접지면(161)과 제3 유전체 기판(152)의 하부측 타면에 있는 제3 접지면(162)을 전기적으로 연결시키기 위한 제2 비아 홀(141)이 위치한다. 제3 유전체 기판(152)의 타면 위에는 제3 접지면(162)과 기생 패치(131)가 소정의 도체 비형성부를 사이에 두고 배치된다.
전술한 구성에 의하면, 마이크로스트립 선로(110)를 진행하는 신호는 개구면(120)에 의해 결합되고, 결합된 신호는 메인 패치(130)를 공진시키게 된다. 기생 패치(131)는 메인 패치(130)와 유사하게 개구면(120)을 통해 결합된 신호에 의해 공진한다. 메인 패치(130)와 기생 패치(131)에 의해 공진된 신호는 도파관(170)을 통해 진행하게 된다.
도 3은 도 2에 도시된 마이크로스트립-도파관 변환 장치에 대한 횡단면도이다.
도 3을 참조하면, 마이크로스트립-도파관 변환 장치는 밀리미터파 대역에서 동작하는 도파관(170) 위에 3개의 유전체 기판(150, 151, 152)이 적층된 형태를 갖는다. 이러한 구조에서 RF 신호는 마이크로스트립 선로(110)로 진행하고 개구면(120)을 통해 결합되어 메인 패치(130)와 기생 패치(131)를 공진시킴으로써 도파관(170)으로 진행한다. 한편, 그 반대의 경우로, 도파관(170)으로 들어온 RF 신호는 기생 패치(131)와 메인 패치(130)를 공진시키고, 공진된 신호는 개구면(120)을 통해 결합되어 마이크로스트립 선로(110)로 진행한다.
각 계층별로 존재하는 접지면(160, 161, 162)은 도파관(170)과의 전기적인 도통을 위해서 비아 홀(140, 141)로 연결되어 있다. 비아 홀(140, 141)은 접지면(160, 161, 162)과 도파관 사이의 전기적인 연결 작용뿐만 아니라 유전체 기판(150, 151, 152)으로 누설되는 신호를 억제시키는 작용을 한다. 유전체 기판(150, 151, 152)의 두께는 ts이며 마이크로스트립 선로(110)와 접지면(160, 161, 162) 그리고 메인 패치(130)와 기생 패치(131)를 위한 도체의 두께는 tc이다.
본 실시예에서는 제작의 편의를 위하여 3개의 유전체 기판(150, 151, 152)의 두께를 동일하게 하였다. 하지만, 본 발명은 그러한 구성으로 한정되는 것을 아니다. 다시 말해서, 본 발명은 유전체 기판에 대하여 동일하거나 서로 다른 소재의 유전체 재료를 사용하는 경우 및/또는 그 두께를 달리하는 경우 모두에 있어서, 접지면과 마이크로스트립 선로의 간격에 따라 유전체의 유효유전율(effective dielectric permittivity)이 변화하는 경우에도, 마이크로스트립 선로의 특성 임피던스를 선로의 폭을 바꾸어 조정함으로써 원하는 밀리미터파 대역 광대역 마이크로스트립-도파관 변환 장치를 용이하게 구현할 수 있다.
도 4a 내지 도 4d는 도 3에 도시된 마이크로스트립-도파관 변환 장치의 각각의 계층에 대한 평면도이다.
도 4a는 최상층의 제1 유전체 기판을 A-A'의 면에서 본 평면도이다. 도 4a에 도시한 바와 같이, 마이크로스트립-도파관 변환 장치에서 마이크로스트립 선로 (110)는 소정의 비유전율(εr)을 갖는 제1 유전체 기판(150) 위에 배치되고, 그 선로의 폭은 Wline이며, 아래의 제2 유전체 기판의 제1 접지면과 동일 평면상에 있는 개구면(120a)의 폭 방향 중간에서 선로(110)의 종단까지의 거리는 Lstub이다. 이 거리는 마이크로스트립 선로(110)의 입력 임피던스 정합을 위한 개방형 스터브(stub)에 해당한다.
마이크로스트립 선로(110)는 직사각형 구조를 갖는 사각 도파관(170)의 단축 방향으로 발생되는 전계(electric field)와 장축 방향으로 발생되는 자계(magnetic field)와의 효과적인 결합을 위하여 사각 도파관(170)의 단축 방향으로 교차한다.
도 4b는 중간의 제2 유전체 기판을 B-B'의 면에서 본 평면도이다. 도 4b에 도시한 바와 같이, 제2 유전체 기판(151)의 제1 접지면(160)에는 신호의 결합을 위한 개구면(120)이 배치된다. 개구면(120)의 길이와 넓이는 각각 Lslot과 Wslot이다. 또한, 제2 유전체 기판(151)에는 제1 접지면(160)과 제3 유전체 기판의 제2 접지면을 전기적으로 연결시키는 제1 비아 홀(140)이 배치된다. 제1 비아 홀(140)의 직경은 ø이며, 비아 홀(140)들의 중심간의 거리는 d이다.
도 4c는 최하층의 제3 유전체 기판을 C-C'의 면에서 본 평면도이다. 도 4c에 도시한 바와 같이, 제3 유전체 기판(152)에는 제2 접지면(161)과 메인 패치(130)가 배치된다. 또한, 제3 유전체 기판(152)에는 제2 접지면(161)과 제3 유전체 기판(152)의 하부측 표면상에 위치하는 제3 접지면을 전기적으로 연결시키는 제2 비아 홀(141)이 배치된다. 메인 패치(130)의 길이와 넓이는 각각 Lpl과 Wpl이다.
전술한 제1 및 제2 비아 홀(140, 141)은 전기적인 연결뿐 아니라 유전체 기판으로 누설되는 신호를 적절히 억제시키기 위하여 원기둥 형상의 도체 재질로 이루어지며, 그 직경 ø가 0.1㎜보다 작고, 인접한 비아 홀들 사이의 간격 ｄ가 0.3㎜보다 작은 것이 바람직하다. 또한 비아 홀들 중심간의 간격은 누설 신호의 억제를 위하여 비아 홀 직경의 3배인 것이 더욱 바람직하다.
도 4d는 제3 유전체 기판의 하부측 평면 D-D'에서 도파관을 본 평면도이다. 도 4d에 도시한 바와 같이, 제3 접지면(162)이 도파관(170)의 가장자리에 놓여있고, 기생 패치(131)가 도파관(170)의 중심부에 놓여있다. 도파관(170)은 알루미늄 등의 재료로 이루어지고 직사각형 구조를 구비하며, 도파관(170)의 장축 길이는 a이고 단축의 길이는 b이다. 기생 패치(131)의 길이와 넓이는 각각 Lp2와 Wp2이다.
도 5는 도 2에 도시된 마이크로스트립-도파관 변환 장치에서 기생 패치가 없는 상태로 컴퓨터 모의실험을 한 결과를 보여주는 주파수 응답 특성이다.
도 5에서 알 수 있듯이, 비교예에 따른 마이크로스트립-도파관 변환 장치에서 반사손실(S11)에 대한 주파수 응답 특성은 중심 주파수 60㎓에 대해서 10㏈ 반사손실은 5%의 대역폭을 갖고, 15㏈ 반사손실은 3%의 대역폭을 갖는다. 모의실험 결과, 임피던스 대역폭 특성이 협대역임을 알 수 있다.
모의실험에 적용된 마이크로스트립 선로의 넓이 Wline은 0.28㎜, 스터브의 길이 Lstub는 0.5㎜, 개구면의 길이 Lslot은 0.55㎜, 개구면의 넓이 Wsolt은 0.5㎜, 비아 홀의 직경 ø는 0.085㎜, 비아 홀 사이의 간격 d는 0.24㎜, 메인 패치의 길이 Lpl은 0.825㎜, 메인 패치의 폭 Wpl은 0.9㎜, 도파관의 장축 길이 a는 3.8㎜, 도파관의 단축 길이 b는 1.9㎜, 유전체 기판의 비유전율 εr은 5.8, 유전체 기판의 두께 ts는 0.2㎜ 그리고 도체의 두께 tc는 0.01㎜이다.
도 6은 도 2에 도시된 마이크로스트립-도파관 변환 장치에서 기생 패치가 포함된 상태로 컴퓨터 모의실험을 한 결과를 보여주는 주파수 응답 특성이다.
도 6에서 알 수 있듯이, 본 발명의 실시예에 따른 마이크로스트립-도파관 변환 장치에서 반사손실(S11)에 대한 주파수 응답 특성은 중심 주파수 60㎓에 대해서 10㏈ 반사손실은 25%의 대역폭을 갖고, 15㏈ 반사손실은 12%의 대역폭을 갖는다. 모의실험 결과, 임피던스 대역폭 특성이 단일 패치만을 사용했을 때보다 광대역임을 알 수 있다.
모의실험에 적용된 마이크로스트립 선로의 넓이 Wline은 0.28㎜, 스터브의 길이 Lstub는 0.54㎜, 개구면의 길이 Lslot은 0.815㎜, 개구면의 넓이 Wsolt은 0.2㎜, 비아 홀의 직경 ø는 0.085㎜, 비아 홀 사이의 간격 d는 0.24㎜, 메인 패치의 길이 Lp1은 0.58㎜, 메인 패치의 폭 Wpl은 0.9㎜, 기생 패치의 길이 Lp2는 0.54㎜, 기생 패치의 폭 Wp2는 0.9㎜, 도파관의 장축 길이 a는 3.8㎜, 도파관의 단축 길이 b는 1.9㎜, 유전체 기판의 비유전율 εr은 5.8, 유전체 기판의 두께 ts는 0.2㎜ 그리고 도체의 두께 tc는 0.01㎜이다.
본 발명은 밀리미터파 대역에서 사용하는 마이크로스트립-도파관 변환 장치의 대역폭 특성을 광대역으로 증가시킨 장점을 가진다.
한편, 전술한 밀리미터파 대역 광대역 마이크로스트립-도파관 변환 장치는 기존의 다양한 제작 방법으로 제작가능하므로 여기서는 특별히 제작 방법에 관하여 언급하지는 않는다. 다만, 전술한 변환 장치를 저온 동시 소성 세라믹(Low Temperature Co-fired Ceramic, LTCC) 제작 공정으로 제작하는 경우, 한 번의 공정으로 제작할 수 있다는 이점이 있다. 그리고 전술한 변환 장치의 도체로는 금이나 은 페이스트 등의 재료를 사용하는 것이 바람직하다.
상기한 설명에서 많은 사항이 구체적으로 기재되어 있으나, 그것들은 발명의 범위를 한정하는 것이라기보다 바람직한 실시예의 예시로서 해석되어야 한다. 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 본 발명의 기술적 사상에 의해 마이크로스트립 선로, 개구면, 유전체 기판, 메인 패치, 기생 패치 및 도파관의 길이, 폭, 두께, 형태를 다양하게 조합하여 형성할 수 있을 것이다. 따라서, 본 발명의 범위는 설명된 실시예에 의하여 정해지는 것이 아니고 특허청구범위에 기재된 기술적 사상에 의해 정해져야 한다.
본 발명에 의하면, 밀리미터파 대역에서 동작하는 마이크로스트립-도파관 변환 장치에 있어서 기존의 기술의 경우보다 대역폭 특성을 광대역으로 증가시킬 수 있다. 아울러, 구성의 간단함에 비해 우수한 특성의 결과를 얻을 수 있는 광대역 마이크로스트립-도파관 변환 장치를 제공할 수 있다.

Claims (9)

  1. 마이크로스트립 선로로 진행하는 전자기파 신호를 결합시키기 위한 개구면;
    상기 개구면과 직사각형의 도파관 사이에 배치되며 상기 개구면으로부터 결합된 신호에 의한 공진이 일어나는 메인 패치;
    상기 메인 패치와 상기 도파관 사이에 배치되며 상기 메인 패치와 함께 공진이 일어나는 기생 패치; 및
    상기 마이크로스트립 선로의 접지면과 상기 도파관의 전기적인 도통을 위한 비아 홀을 포함하며,
    상기 비아 홀은 원기둥 형상의 도체 재질로 이루어지고, 그 직경이 0.1㎜보다 작고 상기 비아 홀 사이의 간격이 0.3㎜보다 작으며, 상기 비아 홀들 중심간의 간격은 상기 비아 홀 직경의 3배인 것을 특징으로 하는 밀리미터파 대역 광대역 마이크로스트립-도파관 변환 장치.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 마이크로스트립 선로의 입력 임피던스 정합을 위한 개방형 스터브를 포함하는 밀리미터파 대역 광대역 마이크로스트립-도파관 변환 장치.
  3. 제 2 항에 있어서,
    상기 개방형 스터브는 상기 개구면의 폭 방향 중간에서 상기 마이크로스트립 선로의 말단까지의 길이를 갖는 밀리미터파 대역 광대역 마이크로스트립-도파관 변환 장치.
  4. 삭제
  5. 삭제
  6. 삭제
  7. 제 1 항에 있어서,
    상기 비아 홀은 상기 개구면과 상기 메인 패치와의 사이에 위치하는 유전체 기판 및 상기 메인 패치와 상기 기생 패치와의 사이에 위치하는 또 다른 유전체 기판에 배치되는 밀리미터파 대역 광대역 마이크로스트립-도파관 변환 장치.
  8. 제 1 항에 있어서,
    상기 마이크로스트립 선로와 상기 개구면과의 사이, 상기 개구면과 상기 메인 패치와의 사이, 및 상기 메인 패치와 상기 기생 패치와의 사이에 각각 위치하는 제1 내지 제3 유전체 기판을 더 포함하는 밀리미터파 대역 광대역 마이크로스트립-도파관 변환 장치.
  9. 제 1 항에 있어서,
    상기 마이크로스트립 선로는 상기 마이크로스트립 선로의 하측에 위치하는 상기 도파관에 대하여 단축 방향으로 교차하는 밀리미터파 대역 광대역 마이크로스트립-도파관 변환 장치.
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