JPH04109702A - マイクロストリップライン・導波管結合装置 - Google Patents
マイクロストリップライン・導波管結合装置Info
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- JPH04109702A JPH04109702A JP22658490A JP22658490A JPH04109702A JP H04109702 A JPH04109702 A JP H04109702A JP 22658490 A JP22658490 A JP 22658490A JP 22658490 A JP22658490 A JP 22658490A JP H04109702 A JPH04109702 A JP H04109702A
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- coupling
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
[産業上の利用分野1
本発明は、マイクロストリップラインと導波管の結合装
置に関するものである。
置に関するものである。
[従来の技術1
マイクロ波の伝送線路として、マイクロストリップライ
ンと導波管は代表的な線路としてよ(知られており、こ
れら両者を結合する必要もしばしば生じる。この結合構
造として最も一般的に用いられているのは、第5図(A
)および第5図(B)に示すように、給電プローブを用
いる方式である。ここで、第5図(A)は給電プローブ
の断面構成(導波管の管軸に沿いE面に平行な面で切断
した縦断面図)を、第5図(B)はその底面構成(マイ
クロストリップラインの側から見た平面図)を模式的に
示している。
ンと導波管は代表的な線路としてよ(知られており、こ
れら両者を結合する必要もしばしば生じる。この結合構
造として最も一般的に用いられているのは、第5図(A
)および第5図(B)に示すように、給電プローブを用
いる方式である。ここで、第5図(A)は給電プローブ
の断面構成(導波管の管軸に沿いE面に平行な面で切断
した縦断面図)を、第5図(B)はその底面構成(マイ
クロストリップラインの側から見た平面図)を模式的に
示している。
第5図(A)および第5図(B)において、導電体の薄
い層状の地導体4と、所定厚さの板状の誘電体である誘
電体層3と、導電性の細い帯状をしたマイクロストリッ
プライン2とが、この順に密着して3層構造をなし、て
伝送線路を形成し、地導体4は矩形の導波管1のH面で
ある幅広面1−aに密着している。そしてこの幅広面1
−aと地導体4を貫いて円形の孔である挿入孔8が形成
され、この挿入孔8には誘電体7が満たされている。
い層状の地導体4と、所定厚さの板状の誘電体である誘
電体層3と、導電性の細い帯状をしたマイクロストリッ
プライン2とが、この順に密着して3層構造をなし、て
伝送線路を形成し、地導体4は矩形の導波管1のH面で
ある幅広面1−aに密着している。そしてこの幅広面1
−aと地導体4を貫いて円形の孔である挿入孔8が形成
され、この挿入孔8には誘電体7が満たされている。
さらに、挿入孔8の中心部に誘電体7.誘電体層3およ
びマイクロストリップライン2を貫いて、円柱状の導体
である給電プローブ6が一端はマイクロストリップライ
ン2に電気的に接し、他端は導波管1の中に突出するよ
うに設けられている。また導波管1の一端は短絡板5で
閉塞されている。
びマイクロストリップライン2を貫いて、円柱状の導体
である給電プローブ6が一端はマイクロストリップライ
ン2に電気的に接し、他端は導波管1の中に突出するよ
うに設けられている。また導波管1の一端は短絡板5で
閉塞されている。
かかる構造において、導波管1のサイズ(断面の縦、横
内側寸法)およびマイクロストリップライン2の特性イ
ンピーダンスに応じて給電プローブ6の幅広面1−aに
おける位置(つまり幅広面1−aの側端からの距離)、
給電プローブ6と短絡板5との距離、給電プローブ6の
導波管1内への突出長さ、給電プローブ6の太さおよび
挿入孔8の内径を選択(実際には、誘電体7の誘電率も
関係する)ことによって、導波管1とマイクロストリッ
プライン2とを電力反射なく結合できることが良く知ら
れている。
内側寸法)およびマイクロストリップライン2の特性イ
ンピーダンスに応じて給電プローブ6の幅広面1−aに
おける位置(つまり幅広面1−aの側端からの距離)、
給電プローブ6と短絡板5との距離、給電プローブ6の
導波管1内への突出長さ、給電プローブ6の太さおよび
挿入孔8の内径を選択(実際には、誘電体7の誘電率も
関係する)ことによって、導波管1とマイクロストリッ
プライン2とを電力反射なく結合できることが良く知ら
れている。
[発明が解決しようとする課題1
しかしながら、かかる従来の結合方式において、低電力
反射での結合を実現するためには、製作時に先の寸法条
件各々を精度良く守ることが必要である。特に、給電プ
ローブ6の導波管1内への突出長さを高い精度で製作す
ることが重要であるが、実際上は、給電プローブ6自身
の製作精度の問題や、幅広面1−aと地導体4との密着
の問題などのために、この精度の確保は難しい。
反射での結合を実現するためには、製作時に先の寸法条
件各々を精度良く守ることが必要である。特に、給電プ
ローブ6の導波管1内への突出長さを高い精度で製作す
ることが重要であるが、実際上は、給電プローブ6自身
の製作精度の問題や、幅広面1−aと地導体4との密着
の問題などのために、この精度の確保は難しい。
そこで、この現実の問題を改善するために、給電プロー
ブ6の導波管1に突出している部分の先端部分を他の部
分よりも太くしたり、あるいは、挿入孔8を設けた幅広
面1−aの反対側の幅広面に調整ねじを設けて寸法のば
らつきをこの調整ねじの突出量の調整で吸収するなどの
対策が採られているが、いずれにしてもコスト的にかな
り高いものとなる。
ブ6の導波管1に突出している部分の先端部分を他の部
分よりも太くしたり、あるいは、挿入孔8を設けた幅広
面1−aの反対側の幅広面に調整ねじを設けて寸法のば
らつきをこの調整ねじの突出量の調整で吸収するなどの
対策が採られているが、いずれにしてもコスト的にかな
り高いものとなる。
また、もともとこの構造は給電プローブ6、誘電体7な
どの部品が必要な上、挿入孔8の加工や、給電プローブ
6とマイクロストリップライン2との接合など、コスト
的には相当不利である。
どの部品が必要な上、挿入孔8の加工や、給電プローブ
6とマイクロストリップライン2との接合など、コスト
的には相当不利である。
よって本発明の目的は、従来の不都合な点を大幅に改善
し、導波管とマイクロストリップラインを安定かつ安価
に結合できるようにした結合装置を提供することにある
。
し、導波管とマイクロストリップラインを安定かつ安価
に結合できるようにした結合装置を提供することにある
。
[課題を解決するための手段1
本発明は、導波管の一方の幅広面(H面)に細長い結合
スロットを設け、この幅広面に沿って配置したマイクロ
ストリップラインが、前記結合スロットの上を交差する
ように位置せしめる。
スロットを設け、この幅広面に沿って配置したマイクロ
ストリップラインが、前記結合スロットの上を交差する
ように位置せしめる。
[作 用1
本発明によれば、上記構成をとることにより、前記導波
管と前記マイクロストリップラインとを電磁的に結合せ
しめることができる。
管と前記マイクロストリップラインとを電磁的に結合せ
しめることができる。
[実施例1
本発明の実施例を詳細に説明する。
第1図(A)および第1図CB)は、それぞれ本発明の
基本的な実施例を示す断面構成図(導波管の管軸に沿い
E面に平行な面で切断した縦断面図)および底面構成図
(マイクロストリップラインの側から見た平面図)であ
る。これら両図において、地導体4と誘電体層3とマイ
クロストリップライン2とがこの順に密着して3層構造
をなしてマイクロ波伝送線路を形成し、この地導体4は
矩形の導波管1の一方のH面である幅広面1−aに密着
している。また、幅広面1−aと地導体4を貫いて長方
形の孔である結合スロット9が、その長平方向が導波管
の管軸に直交する方向でかつ幅広面laの幅のほぼ中央
になるよう、形成されている。さらに、導波管1の一端
は導電体である短絡板5で閉塞されている。そして、マ
イクロストノツプライン2は結合スロット9と、誘電体
3の厚さを隔てながら直交(すなわち、結合スロット9
の長手方向とマイクロストリップライン2の長平方向と
が直交)するような位置関係にあり、マイクロストリッ
プライン2は、結合スロット9を越えて所定の長さで開
放端となってい る。
基本的な実施例を示す断面構成図(導波管の管軸に沿い
E面に平行な面で切断した縦断面図)および底面構成図
(マイクロストリップラインの側から見た平面図)であ
る。これら両図において、地導体4と誘電体層3とマイ
クロストリップライン2とがこの順に密着して3層構造
をなしてマイクロ波伝送線路を形成し、この地導体4は
矩形の導波管1の一方のH面である幅広面1−aに密着
している。また、幅広面1−aと地導体4を貫いて長方
形の孔である結合スロット9が、その長平方向が導波管
の管軸に直交する方向でかつ幅広面laの幅のほぼ中央
になるよう、形成されている。さらに、導波管1の一端
は導電体である短絡板5で閉塞されている。そして、マ
イクロストノツプライン2は結合スロット9と、誘電体
3の厚さを隔てながら直交(すなわち、結合スロット9
の長手方向とマイクロストリップライン2の長平方向と
が直交)するような位置関係にあり、マイクロストリッ
プライン2は、結合スロット9を越えて所定の長さで開
放端となってい る。
かかる構造において、導波管1のサイズおよびマイクロ
ストリップライン2の特性インピーダンスに応じて、結
合スロット9のサイズ(縦・横寸法)、結合スロット9
と短絡板5との距離およびマイクロストリップライン2
が結合スロット9を越えて開放端に至るまでの距離を適
切に設定することによって、導波管1とマイクロストリ
ップライン2とを完全に電磁的に結合させることができ
る。
ストリップライン2の特性インピーダンスに応じて、結
合スロット9のサイズ(縦・横寸法)、結合スロット9
と短絡板5との距離およびマイクロストリップライン2
が結合スロット9を越えて開放端に至るまでの距離を適
切に設定することによって、導波管1とマイクロストリ
ップライン2とを完全に電磁的に結合させることができ
る。
特に、結合スロット9のサイズに関しては、導波管lの
サイズと結合スロット9周辺の誘電体の状況によって決
まる、概ね共振特性を持つような縦・横寸法の組み合わ
せの周辺で良好な結合特性が得られる。
サイズと結合スロット9周辺の誘電体の状況によって決
まる、概ね共振特性を持つような縦・横寸法の組み合わ
せの周辺で良好な結合特性が得られる。
しかし、必ずしも結合スロット9は第1図(B)に示し
た破線のように正確な長方形である必要はなく、例えば
加工上、角部に丸みを持たせることも可能である。
た破線のように正確な長方形である必要はなく、例えば
加工上、角部に丸みを持たせることも可能である。
また、結合スロット9は、導波管1内の磁界と効率良く
結合できれば良い訳で、本実施例のように、その長手方
向が導波管1の管軸方向と直交するものから平行に位置
するものまで任意の角度が可能である。ただし、前記磁
界と強く結合するためには、先の角度によって結合スロ
ット9の幅広面1−aにおける位置を適切に選ぶべきで
ある。例えば、前記角度が平行の場合には、幅広面1−
aの端に位置させるべきである。
結合できれば良い訳で、本実施例のように、その長手方
向が導波管1の管軸方向と直交するものから平行に位置
するものまで任意の角度が可能である。ただし、前記磁
界と強く結合するためには、先の角度によって結合スロ
ット9の幅広面1−aにおける位置を適切に選ぶべきで
ある。例えば、前記角度が平行の場合には、幅広面1−
aの端に位置させるべきである。
結合スロット9の長手方向と、マイクロストリップライ
ン2の長手方向との交差角度は直角の場合に最も強く結
合する。
ン2の長手方向との交差角度は直角の場合に最も強く結
合する。
さらに、本実施例ではマイクロストリップライン2の一
端を開放(インピーダンスが無限大)としたが、当然短
絡(インピーダンスが零)とじてもほとんど同様の結合
性能が得られる(結合スロト9から、短絡端あるいは開
放端までの距離は略1/4波長ずれる)。すなわち、構
造的には開放端のほうが単純であるが、位置を確定する
など他の目的のために短絡端が有効な場合もある。
端を開放(インピーダンスが無限大)としたが、当然短
絡(インピーダンスが零)とじてもほとんど同様の結合
性能が得られる(結合スロト9から、短絡端あるいは開
放端までの距離は略1/4波長ずれる)。すなわち、構
造的には開放端のほうが単純であるが、位置を確定する
など他の目的のために短絡端が有効な場合もある。
以上は本発明の基本的な実施例であり、勿論これ自身満
足な性能で実施可能な構造であり、従来構造に較べて明
らかに単純化され、従って安価な製造を可能にするもの
であるが、さらに好ましい具体的な実施例について次に
述べる。
足な性能で実施可能な構造であり、従来構造に較べて明
らかに単純化され、従って安価な製造を可能にするもの
であるが、さらに好ましい具体的な実施例について次に
述べる。
第1図(A)および第1図(B)に示した実施例では、
結合スロット9は導波管lの幅広面1−aと地導体4の
双方に設けられ、この双方の結合スロット9を精度良(
位置合わせする必要があり、組み立て上やや面倒な面が
ある。この点を改善した実施例を、第2図(A)に示す
断面構成(導波管の管軸に添いE面に平行な面で切断し
た縦断面図)および第2図(B)に示す底面構成(マイ
クロストリップラインの側から見た平面図)によって説
明する。
結合スロット9は導波管lの幅広面1−aと地導体4の
双方に設けられ、この双方の結合スロット9を精度良(
位置合わせする必要があり、組み立て上やや面倒な面が
ある。この点を改善した実施例を、第2図(A)に示す
断面構成(導波管の管軸に添いE面に平行な面で切断し
た縦断面図)および第2図(B)に示す底面構成(マイ
クロストリップラインの側から見た平面図)によって説
明する。
第2図(A)および(B)に示した実施例は、第1図(
A)および第1図(B)に示した実施例における誘電体
層3の一部を取り去り、さらに結合スロット9の周辺の
地導体4を取り去った構造である。
A)および第1図(B)に示した実施例における誘電体
層3の一部を取り去り、さらに結合スロット9の周辺の
地導体4を取り去った構造である。
これは、地導体4の機能を幅広面1−aが肩代わりした
ものであって、本質的な構造は全く変わっていない。従
って勿論、幅広面1−aの全域に亘って地導体4を取り
去ることも可能である。
ものであって、本質的な構造は全く変わっていない。従
って勿論、幅広面1−aの全域に亘って地導体4を取り
去ることも可能である。
このようにすることによって、実際には結合スロット9
の厳密な位置合わせの必要がなくなり、マイクロストリ
ップライン2と結合スロット9との位置合わせの必要は
残るものの、許容の幅は広がり、組み立ては格段に容易
になる。
の厳密な位置合わせの必要がなくなり、マイクロストリ
ップライン2と結合スロット9との位置合わせの必要は
残るものの、許容の幅は広がり、組み立ては格段に容易
になる。
さて、これまでの構造で性能上やや問題となるのが放射
による損失である。これは第5図(A)および第5図(
Bl に示した従来の結合構造においても生じていた問
題であるが、原則的にはマイクロストリップライン2が
単純に空間に開放されているために生じる。
による損失である。これは第5図(A)および第5図(
Bl に示した従来の結合構造においても生じていた問
題であるが、原則的にはマイクロストリップライン2が
単純に空間に開放されているために生じる。
そこで第1図(A)および第1図(Blの構造において
、マイクロス]・す・・ノブライン2の上に新たに誘電
体の層を置き、さらに導体の層を配置して、この導体の
層と地1体4とでマイクロストリップライン2を挾む構
造(いわゆるトリブレー)・構造)とすることによって
、放射管1とマイクロストリップライン2との結合は依
然可能(勿論、諸条件は改めて設定)であり、しかも放
射損失を低減することができる。しかし、このトリプレ
ート構造の場合もマイクロストリップライン2の開放端
付近からの放射は起こり、前記導体の層と地導体4の間
を伝わって拡散し、損失となる。
、マイクロス]・す・・ノブライン2の上に新たに誘電
体の層を置き、さらに導体の層を配置して、この導体の
層と地1体4とでマイクロストリップライン2を挾む構
造(いわゆるトリブレー)・構造)とすることによって
、放射管1とマイクロストリップライン2との結合は依
然可能(勿論、諸条件は改めて設定)であり、しかも放
射損失を低減することができる。しかし、このトリプレ
ート構造の場合もマイクロストリップライン2の開放端
付近からの放射は起こり、前記導体の層と地導体4の間
を伝わって拡散し、損失となる。
平面アンテナ等では受信効率が極めて重要であり、損失
を極力抑える回路か要求されるが、このような場合には
第3図(Al 8よび第3図(Blに示した構造が可能
である。この第3図(A)は、導波管の管軸に沿い断面
に平行な面で切断した縦断面図である。第3図(B)は
、マイクロストリップラインを含む平面で断面した横断
面間である。
を極力抑える回路か要求されるが、このような場合には
第3図(Al 8よび第3図(Blに示した構造が可能
である。この第3図(A)は、導波管の管軸に沿い断面
に平行な面で切断した縦断面図である。第3図(B)は
、マイクロストリップラインを含む平面で断面した横断
面間である。
すなわち第3図(A)8よび第3図(B)においては、
一端が開放端となっている薄い帯状の導体のマイクロス
トリップライン2の両面を誘電体層3− aと3−bで
挾み、この周囲を導体壁11が囲んでいる。これらを導
波管1の一方の1(面である幅広面1−aの外面と導体
の板であるアース体10が挾み込み、それぞれ密着して
いる。一方、導波管lの一端は導体の短絡板5で閉塞さ
れ、また幅広面1−aには長方形の孔である結合スロッ
ト9が形成されている。この結合スロット9ば、誘電体
層3−aを隔ててマイクロストリップライン2と交差す
るように位雪する。
一端が開放端となっている薄い帯状の導体のマイクロス
トリップライン2の両面を誘電体層3− aと3−bで
挾み、この周囲を導体壁11が囲んでいる。これらを導
波管1の一方の1(面である幅広面1−aの外面と導体
の板であるアース体10が挾み込み、それぞれ密着して
いる。一方、導波管lの一端は導体の短絡板5で閉塞さ
れ、また幅広面1−aには長方形の孔である結合スロッ
ト9が形成されている。この結合スロット9ば、誘電体
層3−aを隔ててマイクロストリップライン2と交差す
るように位雪する。
この構造によって、導波管1とマイクロストリップライ
ン2とは、これまでの実施例同様電磁気的な結合をする
。この場合、導体壁11がマイクロストリップライン2
.誘電体層3−a、 3−bを囲む部分の寸法として、
マイクロストリップライン2を挾む部分の幅をC1結合
スロット9を囲む部分のうち、この結合スロット9の長
手方向に沿う長さをす、これと直交する方向の幅をaと
すると、Cをこの領域での波長の172以下、bを結合
スロット9の長手方向の長さ以」−1そしてaを好まし
2(は1/2波長以下の長さとすることによって、放射
損失を極めて小さなものにできる。
ン2とは、これまでの実施例同様電磁気的な結合をする
。この場合、導体壁11がマイクロストリップライン2
.誘電体層3−a、 3−bを囲む部分の寸法として、
マイクロストリップライン2を挾む部分の幅をC1結合
スロット9を囲む部分のうち、この結合スロット9の長
手方向に沿う長さをす、これと直交する方向の幅をaと
すると、Cをこの領域での波長の172以下、bを結合
スロット9の長手方向の長さ以」−1そしてaを好まし
2(は1/2波長以下の長さとすることによって、放射
損失を極めて小さなものにできる。
第4図(A)および第4図(B)は本発明を具体的に製
品化した一例を示す。本図に示し5た例は基本的には第
3図(A>および第3図(B)の通りであるが、第3図
(B)のストリップライン2の先端に対している導体壁
が本図に示すように空間になっており、その幅は第3図
(BlのCに等しい。
品化した一例を示す。本図に示し5た例は基本的には第
3図(A>および第3図(B)の通りであるが、第3図
(B)のストリップライン2の先端に対している導体壁
が本図に示すように空間になっており、その幅は第3図
(BlのCに等しい。
本図中の各部分の寸法は、図中および以下に示すとおり
である。
である。
導jj【上
高さ 5゜Omm
幅 15.5mm
結合スロットから短絡板までの距離 22.0 mm仁
含スユユ止 長さ 14.0 +n+。
含スユユ止 長さ 14.0 +n+。
幅 3.6mm
トリプレート
トリプレート部の高さ 3.0mm
ストリップラインの幅 3.7mm
スロット中心位置からストリップライン先端までの距離
2.2mm ストリップラインを挟む部分の@ (c) 10.0
mmストリップラインの先端付近の幅(b) 15.0
mm幅広になっている部分の長さ(al 10.
0 mm幅広部から導体壁までの長さ 25.0
mm・誘電体3−a、 3−b・・・発泡ポリエチレン
(ε、=1.02) ・ストリップライン2・・・銅 ・その他の導体 ・・・しんちゅう かかる構造の製品を試作してみたところ、12GHz周
辺で、反射損失が一20dB以下となる帯域として約I
G)lz、結合部の損失−0,15dB以下という好ま
しい性能が得られた。
2.2mm ストリップラインを挟む部分の@ (c) 10.0
mmストリップラインの先端付近の幅(b) 15.0
mm幅広になっている部分の長さ(al 10.
0 mm幅広部から導体壁までの長さ 25.0
mm・誘電体3−a、 3−b・・・発泡ポリエチレン
(ε、=1.02) ・ストリップライン2・・・銅 ・その他の導体 ・・・しんちゅう かかる構造の製品を試作してみたところ、12GHz周
辺で、反射損失が一20dB以下となる帯域として約I
G)lz、結合部の損失−0,15dB以下という好ま
しい性能が得られた。
[発明の効果J
以上説明したとおり本発明によれば、導波管とマイクロ
ストリップライン回路との結合をきわめて単純な構造で
実現することができ、従って安価なマイクロ波回路の実
現が可能となる。
ストリップライン回路との結合をきわめて単純な構造で
実現することができ、従って安価なマイクロ波回路の実
現が可能となる。
第1図(Alは本発明の一実施例を示す断面構成であっ
て導波管の管軸に沿いE面に平行な面で切断した縦断面
図、 第1図CB)は第1図(A)に示した構成を底面のマイ
クロストリップラインの側から見た平面図、 第2図fA)は本発明のその他の実施例を示す断面構成
であって導波管の管軸に沿いE面に平行な面で切断した
縦断面図、 第2図(B)は第2図(A)に示した構成を底面のマイ
クロストリップラインの側から見た平面図、 第3図(A)は本発明のさらにその他の実施例を示す断
面構成であって導波管の管軸に沿いE面に平行な面で切
断した縦断面図、 第3図(B)は第3図(A)に示したマイクロストリッ
プラインを含む平面で切断した横断面図、第4図(A)
は本発明のさらにその他の実施例を示す断面構成であっ
て導波管の管軸に沿いE面に平行な面で切断した縦断面
図、 第4図(B)は第4図(A)に示したマイクロストリッ
プラインを含む平面で切断した横断面図、第5図(A)
および第5図(B)は従来がら知られている給電プロー
ブを用いた結合の一例を示す図である。 1・・・導波管、 2・・・マイクロストリップライン、 3・・・誘電体層、 4・・・地導体、 5・・・短絡板、 6・・・給電プローブ、 7・・・誘電体、 8・・・挿入孔、 9・・・結合スロット、 lO・・・アース体、 11・・・導体壁。 第1図(B) 第2図(B) −0L 第3 図(B) 第4図(A) 第4 図(B )
て導波管の管軸に沿いE面に平行な面で切断した縦断面
図、 第1図CB)は第1図(A)に示した構成を底面のマイ
クロストリップラインの側から見た平面図、 第2図fA)は本発明のその他の実施例を示す断面構成
であって導波管の管軸に沿いE面に平行な面で切断した
縦断面図、 第2図(B)は第2図(A)に示した構成を底面のマイ
クロストリップラインの側から見た平面図、 第3図(A)は本発明のさらにその他の実施例を示す断
面構成であって導波管の管軸に沿いE面に平行な面で切
断した縦断面図、 第3図(B)は第3図(A)に示したマイクロストリッ
プラインを含む平面で切断した横断面図、第4図(A)
は本発明のさらにその他の実施例を示す断面構成であっ
て導波管の管軸に沿いE面に平行な面で切断した縦断面
図、 第4図(B)は第4図(A)に示したマイクロストリッ
プラインを含む平面で切断した横断面図、第5図(A)
および第5図(B)は従来がら知られている給電プロー
ブを用いた結合の一例を示す図である。 1・・・導波管、 2・・・マイクロストリップライン、 3・・・誘電体層、 4・・・地導体、 5・・・短絡板、 6・・・給電プローブ、 7・・・誘電体、 8・・・挿入孔、 9・・・結合スロット、 lO・・・アース体、 11・・・導体壁。 第1図(B) 第2図(B) −0L 第3 図(B) 第4図(A) 第4 図(B )
Claims (1)
- 1)導波管の幅広面に細長の結合スロットを設け、該幅
広面に沿って配置したマイクロストリップラインが、該
結合スロットの上を交差するように位置せしめて、前記
導波管と前記マイクロストリップラインとを電磁気的に
結合せしめたことを特徴とするマイクロストリップライ
ン・導波管結合装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP22658490A JPH04109702A (ja) | 1990-08-30 | 1990-08-30 | マイクロストリップライン・導波管結合装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP22658490A JPH04109702A (ja) | 1990-08-30 | 1990-08-30 | マイクロストリップライン・導波管結合装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH04109702A true JPH04109702A (ja) | 1992-04-10 |
Family
ID=16847469
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP22658490A Pending JPH04109702A (ja) | 1990-08-30 | 1990-08-30 | マイクロストリップライン・導波管結合装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH04109702A (ja) |
Cited By (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP0599316A1 (en) * | 1992-11-26 | 1994-06-01 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Waveguide-microstripline transformer |
US5539361A (en) * | 1995-05-31 | 1996-07-23 | The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Air Force | Electromagnetic wave transfer |
US5724049A (en) * | 1994-05-23 | 1998-03-03 | Hughes Electronics | End launched microstrip or stripline to waveguide transition with cavity backed slot fed by offset microstrip line usable in a missile |
EP0936692A2 (de) * | 1998-02-13 | 1999-08-18 | Alcatel | Übergang von einer mikrostripleitung zu einem Hohlleiter sowie Verwendung eines solchen Übergangs |
US6081241A (en) * | 1997-05-26 | 2000-06-27 | Telefonaktiebolaget Lm Ericsson | Microwave antenna transmission device having a stripline to waveguide transition via a slot coupling |
JP2003218627A (ja) * | 2002-01-28 | 2003-07-31 | Nef:Kk | 導波管アンテナ |
US7486156B2 (en) | 2005-10-19 | 2009-02-03 | Electronics And Telecommunications Research Institute | Millimeter-wave band broadband microstrip-waveguide transition apparatus having a main patch and a parasitic patch on different dielectric substrates |
US8704848B2 (en) | 2009-04-21 | 2014-04-22 | Young Lighting Technology Inc. | Calibration system and method thereof for calibrating display |
-
1990
- 1990-08-30 JP JP22658490A patent/JPH04109702A/ja active Pending
Cited By (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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EP0936692A3 (de) * | 1998-02-13 | 2001-05-16 | Alcatel | Übergang von einer Mikrostripleitung zu einem Hohlleiter sowie Verwendung eines solchen Übergangs |
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US8704848B2 (en) | 2009-04-21 | 2014-04-22 | Young Lighting Technology Inc. | Calibration system and method thereof for calibrating display |
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