JP5727118B2 - 薄膜トランジスタ基板、その製造方法、及びこれを有する表示パネル - Google Patents
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Description
<表示パネルの実施形態>
図1は、本発明の一実施形態による表示パネルを示す斜視図である。
<薄膜トランジスタ基板の製造方法の実施形態>
図7乃至図17は、本発明の一実施形態による薄膜トランジスタ基板の製造方法を説明するための断面図である。
52 メイン開口部、
54 スリット部、
100 第1基板、
110 透明基板、
120 ゲート絶縁膜、
130 第1表面処理膜、
140 半導体層、
150 金属層、
160 フォトレジストパターン、
170 第2表面処理膜、
180 保護膜、
200 第2基板、
300 液晶層、
400 表示パネル、
TFT 薄膜トランジスタ、
PE 画素電極。
Claims (19)
- ベース基板上にゲート電極を形成する段階と、
前記ゲート電極をカバーするように前記ベース基板上に、酸化シリコン(SiO 2 )からなるゲート絶縁膜を形成する段階と、
窒化ガスを利用して前記ゲート絶縁膜の表面を表面処理することにより、15Å〜25Åの範囲の厚みを有する第1表面処理膜を形成する段階と、
前記表面処理されたゲート絶縁膜上に、シリコンからなる活性層を形成する段階と、
前記活性層の上部に所定距離だけ離隔し、モリブデン(Mo)の第1金属層、アルミニウム(Al)の第2金属層及びモリブデン(Mo)の第3金属層からなるソース電極及びドレイン電極を形成する段階と、
を含むことを特徴とする薄膜トランジスタ基板の製造方法。 - 前記ソース電極及び前記ドレイン電極を形成する段階は、
前記活性層上に前記第1金属層、第2金属層及び第3金属層からなる金属層を形成する段階と、
前記金属層の一部を除去して前記ソース電極及び前記ドレイン電極を形成する段階と、
を含むことを特徴とする請求項1記載の薄膜トランジスタ基板の製造方法。 - 前記ソース電極及び前記ドレイン電極を利用して前記活性層の一部を除去する段階を更に含むことを特徴とする請求項1又は2記載の薄膜トランジスタ基板の製造方法。
- 前記ソース電極及び前記ドレイン電極の間と対応する活性層の上部面を、前記窒化ガスを利用して表面処理する段階を更に含むことを特徴とする請求項1〜3のいずれかに記載の薄膜トランジスタ基板の製造方法。
- 前記窒化ガスは、アンモニアガス(NH3)であることを特徴とする請求項1〜4のいずれかに記載の薄膜トランジスタ基板の製造方法。
- 前記窒化ガスは、窒素ガス(N2)であることを特徴とする請求項1〜4のいずれかに記載の薄膜トランジスタ基板の製造方法。
- 前記ドレイン電極の上部に一部が開口されるように基板全面に保護膜を形成する段階を更に含むことを特徴とする請求項1〜6のいずれかに記載の薄膜トランジスタ基板の製造方法。
- 前記保護膜の開口された所を通じて前記ドレイン電極と電気的に連結される画素電極を形成する段階を更に含むことを特徴とする請求項7に記載の薄膜トランジスタ基板の製造方法。
- ベース基板上にゲート電極を形成する段階と、
前記ゲート電極をカバーするように前記ベース基板上に、酸化シリコン(SiO 2 )または窒化シリコン(SiN x )からなるゲート絶縁膜を形成する段階と、
前記ゲート絶縁膜上に、シリコンからなる半導体層を形成する段階と、
前記半導体層上にモリブデン(Mo)の第1金属層、アルミニウム(Al)の第2金属層及びモリブデン(Mo)の第3金属層からなる金属層を形成する段階と、
前記金属層の一部を除去してモリブデン(Mo)の第1金属層、アルミニウム(Al)の第2金属層及びモリブデン(Mo)の第3金属層からなるソース電極及びドレイン電極を形成する段階と、
前記ソース電極及び前記ドレイン電極を利用して前記半導体層の一部を除去する段階と、
前記ソース電極及び前記ドレイン電極の間と対応される半導体層の上部面を窒化ガスを利用して表面処理することにより、15Å〜25Åの範囲の厚みを有する表面処理膜を形成する段階と、
を含むことを特徴とする薄膜トランジスタ基板の製造方法。 - 前記窒化ガスは、アンモニアガス(NH3)であることを特徴とする請求項9に記載の薄膜トランジスタ基板の製造方法。
- ベース基板と、
前記ベース基板上に形成されたゲート電極と、
前記ゲート電極をカバーするように前記ベース基板上に形成された、酸化シリコン(SiO 2 )からなるゲート絶縁膜と、
窒化ガスによって前記ゲート絶縁膜上に形成された15Å〜25Åの範囲の厚みを有する第1表面処理膜と、
前記ゲート電極をカバーするように前記第1表面処理膜上に形成された、シリコンからなる活性層と、
前記活性層の上部に所定距離だけ離隔して形成され、モリブデン(Mo)の第1金属層、アルミニウム(Al)の第2金属層及びモリブデン(Mo)の第3金属層からなるソース電極およびドレイン電極と、
を含むことを特徴とする薄膜トランジスタ基板。 - 窒化ガスによって形成され、前記ソース電極及び前記ドレイン電極の間に対応する活性層の上部面に形成された第2表面処理膜を更に含むことを特徴とする請求項11記載の薄膜トランジスタ基板。
- 前記第2表面処理膜は、15Å〜25Åの範囲の厚みを有することを特徴とする請求項12記載の薄膜トランジスタ基板。
- 前記ソース電極と前記活性層との間、及び前記ドレイン電極と前記活性層との間に形成されたオーミックコンタクト層を更に含むことを特徴とする請求項11〜13のいずれかに記載の薄膜トランジスタ基板。
- 前記活性層はアモルファスシリコン(a−Si)からなり、前記オーミックコンタクト層は高濃度ドーピングアモルファスシリコン(n + a−Si)からなることを特徴とする請求項14記載の薄膜トランジスタ基板。
- ベース基板と、
前記ベース基板上に形成されたゲート電極と、
前記ゲート電極をカバーするように前記ベース基板上に形成された、酸化シリコン(SiO 2 )または窒化シリコン(SiN x )からなるゲート絶縁膜と、
前記ゲート電極をカバーするように前記ゲート絶縁膜上に形成された、シリコンからなる活性層と、
前記活性層と対応するように前記活性層の上部に形成され、離隔溝が形成されるように所定距離だけ離隔し、モリブデン(Mo)の第1金属層、アルミニウム(Al)の第2金属層及びモリブデン(Mo)の第3金属層からなるソース電極およびドレイン電極と、
窒化ガスによって形成され、前記離隔溝と対応する前記活性層の上部面に形成された15Å〜25Åの範囲の厚みを有する表面処理膜と、
を含むことを特徴とする薄膜トランジスタ基板。 - 第1基板と、
前記第1基板と対向する第2基板と、
前記第1基板及び第2基板の間に介在された液晶層と、を含み、
前記第1基板は、
ベース基板と、
前記ベース基板上に形成されたゲート電極と、
前記ゲート電極をカバーするように前記ベース基板上に形成された、酸化シリコン(SiO 2 )からなるゲート絶縁膜と、
窒化ガスによって前記ゲート絶縁膜上に形成された15Å〜25Åの範囲の厚みを有する第1表面処理膜と、
前記ゲート電極をカバーするように前記第1表面処理膜上に形成された、シリコンからなる活性層と、
前記活性層の上部に所定距離だけ離隔して形成され、モリブデン(Mo)の第1金属層、アルミニウム(Al)の第2金属層及びモリブデン(Mo)の第3金属層からなるソース電極およびドレイン電極と、
を含むことを特徴とする表示パネル。 - 前記窒化ガスによって形成され、前記ソース電極及び前記ドレイン電極の間と対応する活性層の上部面に形成された第2表面処理膜を更に含むことを特徴とする請求項17記載の表示パネル。
- 第1基板と、
前記第1基板と対向する第2基板と、
前記第1基板及び第2基板の間に介在された液晶層と、を含み、
前記第1基板は、
ベース基板と、
前記ベース基板上に形成されたゲート電極と、
前記ゲート電極をカバーするように前記ベース基板上に形成された、酸化シリコン(SiO 2 )または窒化シリコン(SiN x )からなるゲート絶縁膜と、
前記ゲート電極をカバーするように前記ゲート絶縁膜上に形成された、シリコンからなる活性層と、
前記活性層と対応するように前記活性層の上部に形成され、離隔溝が形成されるように所定距離だけ離隔し、モリブデン(Mo)の第1金属層、アルミニウム(Al)の第2金属層及びモリブデン(Mo)の第3金属層からなるソース電極およびドレイン電極と、
窒化ガスによって形成され、前記離隔溝と対応する前記活性層の上部面に形成された15Å〜25Åの範囲の厚みを有する表面処理膜と、
を含むことを特徴とする表示パネル。
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