JP5696198B2 - 試料の検査,測定方法、及び走査電子顕微鏡 - Google Patents
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Description
θ=(D/L)2 (1)
F=e(v×B)+e・E (2)
R2=(0.61×λ/α)2+((1/2)×(ΔE/E)×Cc×α)2+((1/4)×Cs×α3)2+(Rss×M)2 (3)
が可能である。
12 引出電極
13 一次電子線
14 第一コンデンサレンズ
15 絞り
16 第二コンデンサレンズ
17 二次電子検出器
18 アライメントコイル
19 偏向コイル
20 対物レンズ
21 ウェーハ
22 高さ検出用レーザー発光器
23 ポジションセンサ
24 二次電子
25 試料ステージ
26 試料室
31 高電圧制御装置
32 第一コンデンサレンズ制御部
33 第二コンデンサレンズ制御部
34 二次電子信号増幅器
35 アライメント制御部
36 偏向信号増幅器
37 対物レンズ制御部
38 試料ステージ位置検出部
39 リターディング制御部
40 偏向信号制御部
41 二次電子像表示装置
42 ユーザーインターフェース
43 全体制御部
44 電子光学系制御装置
45 ステージ制御装置
50 絶縁膜
51 基板
52 コンタクトホール
53 正の帯電
60 第一コンデンサレンズの磁場
61 絞り15を通過する電子線
62 ウェーハ上での一次電子の照射範囲
63 一次電子線の半値幅
70 対物レンズ20の磁場
71 光軸72上の磁場分布
72 光軸
73 ウェーハ直上の等電位線
74 電位暗点
P 第一コンデンサレンズによる収束位置
L 第一コンデンサレンズの収束位置と絞り15の距離
D 絞り15の開口直径
LH 水平方向の照射範囲
LV 垂直方向の照射範囲
m 水平方向の画素数
n 垂直方向の画素数
Claims (8)
- 試料に電子ビームを走査して、試料を帯電させ、当該帯電した試料に対する電子ビームの走査によって得られる電子に基づいて、試料の検査或いは測定を行う方法において、
前記試料を帯電させるときに、第1に、前記電子ビームの走査対象である試料に電子ビームを照射したときの二次電子発生効率δ1が1.0より大きな電子ビームを第1の大きさを持つ領域に走査し、第2に、二次電子発生効率δ2が、前記δ1より小さい電子ビームを、前記電子ビームの走査対象である試料の前記第1の大きさを持つ領域内の当該第1の大きさより狭い領域に走査し、その後、電子ビームを走査して、前記試料の検査或いは測定を行うことを特徴とする試料の検査,測定方法。 - 請求項1において、
前記二次電子発生効率δ2が1.0より大きく、前記δ1より小さいことを特徴とする試料の検査,測定方法。 - 請求項1において、
前記二次電子発生効率δ1の電子ビームによる走査中心と、前記二次電子発生効率δ2の電子ビームによる走査中心が一致していることを特徴とする試料の検査,測定方法。 - 請求項1において、
前記二次電子発生効率δ2は、前記二次電子発生効率δ1の電子ビームの走査に基づいて、試料上に形成される電位障壁によって、試料に入射する電子が、試料から放出される電子より多く、やがて安定するように設定されることを特徴とする試料の検査,測定方法。 - 電子源と、
当該電子源から放出された電子ビームを試料上で走査するための走査偏向器と、前記電子ビームの試料への到達エネルギーの調整と、前記走査偏向器の制御を行う制御装置を備えた走査電子顕微鏡において、
前記制御装置は、第1に、前記電子ビームの走査対象である試料に電子ビームを照射したときの二次電子発生効率δ1が1.0より大きな電子ビームを第1の大きさを持つ領域に走査し、第2に、二次電子発生効率δ2が、前記δ1より小さい電子ビームを、前記電子ビームの走査対象である試料の前記第1の大きさを持つ領域内の当該第1の大きさより狭い領域に走査し、その後、電子ビームを走査するように、前記電子ビームの到達エネルギーの調整と、前記走査偏向器の制御を行うことを特徴とする走査電子顕微鏡。 - 請求項5において、
前記二次電子発生効率δ2が1.0より大きく、前記δ1より小さいことを特徴とする走査電子顕微鏡。 - 請求項5において、
前記制御装置は、前記二次電子発生効率δ1の電子ビームによる走査中心と、前記二次電子発生効率δ2の電子ビームによる走査中心が一致させるように、前記走査偏向器を制御することを特徴とする走査電子顕微鏡。 - 請求項5において、
前記二次電子発生効率δ2は、前記二次電子発生効率δ1の電子ビームの走査に基づいて、試料上に形成される電位障壁によって、試料に入射する電子が、試料から放出される電子より多く、やがて安定するように設定されることを特徴とする走査電子顕微鏡。
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