JP5692736B2 - 絶縁膜形成用塗布液、それを用いた絶縁膜 - Google Patents
絶縁膜形成用塗布液、それを用いた絶縁膜 Download PDFInfo
- Publication number
- JP5692736B2 JP5692736B2 JP2009231970A JP2009231970A JP5692736B2 JP 5692736 B2 JP5692736 B2 JP 5692736B2 JP 2009231970 A JP2009231970 A JP 2009231970A JP 2009231970 A JP2009231970 A JP 2009231970A JP 5692736 B2 JP5692736 B2 JP 5692736B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- insulating film
- inorganic polysilazane
- forming
- sih
- compound
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Images
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
- C08G—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED OTHERWISE THAN BY REACTIONS ONLY INVOLVING UNSATURATED CARBON-TO-CARBON BONDS
- C08G77/00—Macromolecular compounds obtained by reactions forming a linkage containing silicon with or without sulfur, nitrogen, oxygen or carbon in the main chain of the macromolecule
- C08G77/60—Macromolecular compounds obtained by reactions forming a linkage containing silicon with or without sulfur, nitrogen, oxygen or carbon in the main chain of the macromolecule in which all the silicon atoms are connected by linkages other than oxygen atoms
- C08G77/62—Nitrogen atoms
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C01—INORGANIC CHEMISTRY
- C01B—NON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
- C01B21/00—Nitrogen; Compounds thereof
- C01B21/06—Binary compounds of nitrogen with metals, with silicon, or with boron, or with carbon, i.e. nitrides; Compounds of nitrogen with more than one metal, silicon or boron
- C01B21/068—Binary compounds of nitrogen with metals, with silicon, or with boron, or with carbon, i.e. nitrides; Compounds of nitrogen with more than one metal, silicon or boron with silicon
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
- C08G—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED OTHERWISE THAN BY REACTIONS ONLY INVOLVING UNSATURATED CARBON-TO-CARBON BONDS
- C08G77/00—Macromolecular compounds obtained by reactions forming a linkage containing silicon with or without sulfur, nitrogen, oxygen or carbon in the main chain of the macromolecule
- C08G77/04—Polysiloxanes
- C08G77/12—Polysiloxanes containing silicon bound to hydrogen
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
- C08L—COMPOSITIONS OF MACROMOLECULAR COMPOUNDS
- C08L83/00—Compositions of macromolecular compounds obtained by reactions forming in the main chain of the macromolecule a linkage containing silicon with or without sulfur, nitrogen, oxygen or carbon only; Compositions of derivatives of such polymers
- C08L83/16—Compositions of macromolecular compounds obtained by reactions forming in the main chain of the macromolecule a linkage containing silicon with or without sulfur, nitrogen, oxygen or carbon only; Compositions of derivatives of such polymers in which all the silicon atoms are connected by linkages other than oxygen atoms
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09D—COATING COMPOSITIONS, e.g. PAINTS, VARNISHES OR LACQUERS; FILLING PASTES; CHEMICAL PAINT OR INK REMOVERS; INKS; CORRECTING FLUIDS; WOODSTAINS; PASTES OR SOLIDS FOR COLOURING OR PRINTING; USE OF MATERIALS THEREFOR
- C09D1/00—Coating compositions, e.g. paints, varnishes or lacquers, based on inorganic substances
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09D—COATING COMPOSITIONS, e.g. PAINTS, VARNISHES OR LACQUERS; FILLING PASTES; CHEMICAL PAINT OR INK REMOVERS; INKS; CORRECTING FLUIDS; WOODSTAINS; PASTES OR SOLIDS FOR COLOURING OR PRINTING; USE OF MATERIALS THEREFOR
- C09D183/00—Coating compositions based on macromolecular compounds obtained by reactions forming in the main chain of the macromolecule a linkage containing silicon, with or without sulfur, nitrogen, oxygen, or carbon only; Coating compositions based on derivatives of such polymers
- C09D183/16—Coating compositions based on macromolecular compounds obtained by reactions forming in the main chain of the macromolecule a linkage containing silicon, with or without sulfur, nitrogen, oxygen, or carbon only; Coating compositions based on derivatives of such polymers in which all the silicon atoms are connected by linkages other than oxygen atoms
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01B—CABLES; CONDUCTORS; INSULATORS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR CONDUCTIVE, INSULATING OR DIELECTRIC PROPERTIES
- H01B3/00—Insulators or insulating bodies characterised by the insulating materials; Selection of materials for their insulating or dielectric properties
- H01B3/02—Insulators or insulating bodies characterised by the insulating materials; Selection of materials for their insulating or dielectric properties mainly consisting of inorganic substances
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01B—CABLES; CONDUCTORS; INSULATORS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR CONDUCTIVE, INSULATING OR DIELECTRIC PROPERTIES
- H01B3/00—Insulators or insulating bodies characterised by the insulating materials; Selection of materials for their insulating or dielectric properties
- H01B3/18—Insulators or insulating bodies characterised by the insulating materials; Selection of materials for their insulating or dielectric properties mainly consisting of organic substances
- H01B3/30—Insulators or insulating bodies characterised by the insulating materials; Selection of materials for their insulating or dielectric properties mainly consisting of organic substances plastics; resins; waxes
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate
- H01L21/02109—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates
- H01L21/02112—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer
- H01L21/02123—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer the material containing silicon
- H01L21/02164—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer the material containing silicon the material being a silicon oxide, e.g. SiO2
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate
- H01L21/02109—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates
- H01L21/02205—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates the layer being characterised by the precursor material for deposition
- H01L21/02208—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates the layer being characterised by the precursor material for deposition the precursor containing a compound comprising Si
- H01L21/02219—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates the layer being characterised by the precursor material for deposition the precursor containing a compound comprising Si the compound comprising silicon and nitrogen
- H01L21/02222—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates the layer being characterised by the precursor material for deposition the precursor containing a compound comprising Si the compound comprising silicon and nitrogen the compound being a silazane
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate
- H01L21/02225—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer
- H01L21/0226—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process
- H01L21/02282—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process liquid deposition, e.g. spin-coating, sol-gel techniques, spray coating
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
- Y10T428/24—Structurally defined web or sheet [e.g., overall dimension, etc.]
- Y10T428/24008—Structurally defined web or sheet [e.g., overall dimension, etc.] including fastener for attaching to external surface
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Polymers & Plastics (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Medicinal Chemistry (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Wood Science & Technology (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Paints Or Removers (AREA)
- Formation Of Insulating Films (AREA)
- Silicon Polymers (AREA)
- Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
- Silicon Compounds (AREA)
- Compositions Of Macromolecular Compounds (AREA)
Description
前記アダクツの溶液または分散液にアンモニアを−50〜−1℃にて反応させることを特徴とするものである。
本発明の絶縁膜形成用塗布液は、1H−NMRスペクトルにおいて、SiH3基に由来する4.3〜4.5ppmのピーク面積に対する、SiH1基とSiH2基とに由来する4.5〜5.3ppmのピーク面積の比が、4.2〜50となる無機ポリシラザンと、有機溶媒とを含有することが肝要である。ここで、無機ポリシラザンとは、分子中に有機基を有しないポリシラザンを指し、また、上記有機基としては、炭化水素基、エーテル基、エステル基、アルコキシル基等を挙げることができる。
の重縮合反応による分岐構造の生成と、下記反応式(4)、
の環状シラザン化合物の開環反応によるSiH3基の生成が示唆されている。しかし、実際の無機ポリシラザンでは、反応式(4)から予想されるよりも多くのSiH3基があることから、本発明者らは、アダクツは、ハロシラン化合物と塩基とが結合したものであるが、その結合は強固なものではなく、溶媒中ではハロシラン化合物と塩基とが遊離した平衡状態にあり、遊離したハロシラン化合物がアンモニアとの反応中に不均一反応することが原因ではないかと考えた。例えば、ジクロロシランとピリジンとのアダクツでは下記反応式(5)、
の平衡状態にあり、遊離したジクロロシランは、アンモニアとの反応の他に、下記反応式(6)、
の不均化反応が起こり、モノクロロシランとトリクロロシランが生成し、モノハロシラン化合物からSiH3基、トリハロシラン化合物からSiH1基が、それぞれ生成するものと考えた。
攪拌機、温度計及び導入管を備えた5000mlのガラス製反応容器に、窒素雰囲気中、乾燥ピリジン4300g(54.4モル)を仕込み、撹拌しながら、ジクロロシラン545g(5.4モル)を反応温度−40〜−30℃で1時間かけて導入管からフィードし、ジクロロシランのピリジンアダクツを生成させた。アンモニア325g(19.1モル)を反応温度−40〜−30℃で1時間かけて導入管からフィードし、更に−20〜−15℃で2時間撹拌を行い、反応を完結させた。
実施例1において、アンモニアの反応温度を−40〜−30℃から−15〜−12℃に変更し、その後−15〜−12℃で2時間撹拌した以外は、実施例1と同様の操作を行い、無機ポリシラザン含量が19.1%である参考例の絶縁膜形成用塗布液を得た。
実施例1において、ジクロロシラン545g(5.4モル)の代わりにジクロロシラン444g(4.4モル)とトリクロロシラン13.6g(1.0モル)との混合物を使用し、アンモニアを325g(19.1モル)から340g(20.0モル)に増やした以外は、参考例と同様の操作を行い、無機ポリシラザン含量が19.2%である実施例2の絶縁膜形成用塗布液を得た。
アンモニアの反応温度を−40〜−30℃から0〜5℃に変更し、その後0〜5℃で2時間撹拌した以外は、実施例1と同様の操作を行い、比較例1の絶縁膜形成用塗布液を得た。
実施例1と同様の反応容器に、窒素雰囲気中、ジクロロシラン550g(5.4モル)と溶剤として純度99.51%のジブチルエーテル3200gを仕込み、反応温度が−20〜−15℃になるよう冷却しながらアンモニア324g(19.1モル)を1時間かけて導入管からフィードし、更に−20〜−15℃で2時間撹拌を行い、反応を完結させた。
比較例1において、ジクロロシランとピリジンとの反応温度を−40〜−30℃から0〜5℃に変更し、アンモニアの量を325g(19.1モル)から374g(22モル)に変更した以外は、実施例1と同様の操作を行い、比較例3の絶縁膜形成用塗布液を得た。
特開平1−138108号公報の実施例に準じ、攪拌機、温度計及び導入管を備えた5000mlのガラス製反応容器に、窒素雰囲気中、乾燥ピリジン2750g(約2800ml、34.8モル)を仕込み、これを氷冷した。次に、ジクロロシラン516g(5.1モル)を加えピリジンアダクツを生成させた後、撹拌しながら、0〜5℃でアンモニア300g(17.6モル)を1時間かけて導入管からフィードし、さらに、氷冷しながら2時間撹拌を行い、反応を完結させた。反応終了後、過剰のアンモニアを除去した後、反応混合物を遠心分離し、乾燥ピリジンを用いて洗浄することにより、無機シラザンを含有する濾液5200gを得た。無機シラザンを含有する濾液2000gを内容積5000mlの耐圧反応容器に入れ、150℃で3時間撹拌しながら反応を行なった。溶媒をピリジンからジブチルエーテルに常法により交換し、更にアルゴンガス雰囲気中、濾過径0.1μmのPTFE製カートリッジフィルターにて濾過しを行い、無機ポリシラザン含量が19.0%である比較例4の絶縁膜形成用塗布液を得た。なお、ジブチルエーテルは、実施例1と同様のものを使用した。
実施例1、2、参考例および比較例1〜4の絶縁膜形成用塗布液について、1H−NMR及びGPCを測定し、1H−NMRの結果から、SiH3比を、GPCの結果から、無機ポリシラザンの質量平均分子量および、質量平均分子量800以下の成分の含量をそれぞれ算出した。結果を表1に示す。なお、図3は、実施例1で用いた無機ポリシラザンの1H−NMRスペクトルであり、図4は、比較例1で用いた無機ポリシラザンの1H−NMRスペクトルである。
実施例1、2、参考例および比較例1〜4の絶縁膜形成用塗布液を、両面を研磨した4インチのシリコンウェハーに、乾燥後の無機シラザンの膜厚が580〜620nmとなるようにスピンコート法により塗布してから150℃で3分間乾燥して、無機シラザンの塗膜を有するシリコンウェハーを調製し、塗膜の膜厚、FT−IR測定及び塗膜の波長633nmにおける屈折率を測定した。なお、FT−IR測定では、両面を研磨したシリコンウェハーをリファレンスとした。また、膜厚及び屈折率は、Metricon社製、Model2010プリズムカプラを用いて測定した。波長633nmにおける屈折率、及びFT−IRの結果から算出したNH/SiH吸光度比を表1に示す。なお、図1は実施例1の無機ポリシラザンのFT−IRスペクトルである。
無機シラザンの塗膜の分析に用いたシリコンウェハーを用いて、1段目の焼成として相対湿度90%、温度300℃のオーブンに30分、2段目の焼成として相対湿度60%、温度700℃のオーブンで30分、焼成することによりシリカ絶縁膜を形成させ、絶縁膜の膜厚を測定した。乾燥後の無機シラザンの膜厚に対するシリカ絶縁膜の膜厚を硬化収縮率(%)とした。結果を表2に示す。
実施例1、2、参考例および比較例1〜4の絶縁膜形成用塗布液を、両面を研磨した4インチのシリコンウェハーに、乾燥後の無機シラザンの膜厚が900〜1000nmとなるようにスピンコート法により塗布してから150℃で3分間乾燥して、無機シラザンの塗膜を有するシリコンウェハーを調製し、1段目の焼成として相対湿度90%、温度300℃のオーブンで30分焼成した。続いて、2段目の焼成として相対湿度60%、温度500℃のオーブンで30分焼成後、すぐ25℃の恒温槽に移動することにより500℃から25℃に急冷した。急冷したシリカ絶縁膜について、目視又は光学顕微鏡(倍率100倍)を用いてクラックの有無を観察し、下記の基準にてクラック耐性を評価した。また、同様の膜厚で、2段目の焼成を相対湿度60%、温度700℃のオーブンで30分;相対湿度60%、温度900℃のオーブンで30分に変えたものについてもクラック耐性を同様に評価した。結果を表2に示す。
○:目視および光学顕微鏡観察でクラックが確認できなかった。
△:目視ではクラックが確認できなかったが、光学顕微鏡観察によりクラックが確認された。
×:目視でクラックが確認された。
Claims (10)
- 1H−NMRスペクトルにおいて、SiH3基に由来する4.3〜4.5ppmのピーク面積に対する、SiH1基とSiH2基とに由来する4.5〜5.3ppmのピーク面積の比が、9.4〜50である無機ポリシラザンと、有機溶媒とを含有することを特徴とする絶縁膜形成用塗布液。
- 前記無機ポリシラザンの質量平均分子量が2000〜20000である請求項1記載の絶縁膜形成用塗布液。
- 前記無機ポリシラザン中の質量平均分子量が800以下である成分の割合が20%以下である請求項1又は2記載の絶縁膜形成用塗布液。
- 150℃で3分間乾燥後の前記無機ポリシラザンが、赤外スペクトルにおいて、2050〜2400cm−1の範囲で最大の吸光度に対する3300〜3450cm−1の範囲で最大の吸光度の比が0.01〜0.15である請求項1〜3のうちいずれか1項記載の絶縁膜形成用塗布液。
- 150℃で3分間乾燥後の前記無機ポリシラザンの波長633nmにおける屈折率が1.550〜1.650である請求項1〜4のうちいずれか1項記載の絶縁膜形成用塗布液。
- 前記無機ポリシラザンが、ジハロシラン化合物、トリハロシラン化合物、又はこれらの混合物と塩基とを反応させてアダクツを形成した後、アンモニアを反応させて得られる無機ポリシラザンである請求項1〜5のうちいずれか1項記載の絶縁膜形成用塗布液。
- 前記有機溶媒中のアルコール化合物、アルデヒド化合物、ケトン化合物、カルボン酸化合物及びエステル化合物の含量の合計が、0.1質量%以下である請求項1〜6のうちいずれか1項記載の絶縁膜形成用塗布液。
- 前記無機ポリシラザンの含量が5〜40質量%である請求項1〜7のうちいずれか1項記載の絶縁膜形成用塗布液。
- 請求項1〜8のうちいずれか1項記載の絶縁膜形成用塗布液により得られることを特徴とする絶縁膜。
- 500℃以上の焼成工程を経て得られる請求項9記載の絶縁膜。
Priority Applications (6)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2009231970A JP5692736B2 (ja) | 2009-10-05 | 2009-10-05 | 絶縁膜形成用塗布液、それを用いた絶縁膜 |
CN2010800448291A CN102575013A (zh) | 2009-10-05 | 2010-10-01 | 绝缘膜形成用涂布液、使用该涂布液的绝缘膜及该涂布液中使用的化合物的制造方法 |
PCT/JP2010/067247 WO2011043264A1 (ja) | 2009-10-05 | 2010-10-01 | 絶縁膜形成用塗布液、それを用いた絶縁膜およびそれに用いる化合物の製造方法 |
KR1020127011687A KR101757686B1 (ko) | 2009-10-05 | 2010-10-01 | 절연막 형성용 도포액, 그것을 사용한 절연막 및 거기에 사용하는 화합물의 제조 방법 |
US13/500,095 US8940380B2 (en) | 2009-10-05 | 2010-10-01 | Coating liquid for forming insulation film, insulation film using the same, and method for producing compound used in the same |
TW099133868A TW201130928A (en) | 2009-10-05 | 2010-10-05 | Coating liquid for forming insulating film, insulating film using the same, and method for producing compound used for the same |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2009231970A JP5692736B2 (ja) | 2009-10-05 | 2009-10-05 | 絶縁膜形成用塗布液、それを用いた絶縁膜 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2011079917A JP2011079917A (ja) | 2011-04-21 |
JP5692736B2 true JP5692736B2 (ja) | 2015-04-01 |
Family
ID=43856722
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2009231970A Expired - Fee Related JP5692736B2 (ja) | 2009-10-05 | 2009-10-05 | 絶縁膜形成用塗布液、それを用いた絶縁膜 |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US8940380B2 (ja) |
JP (1) | JP5692736B2 (ja) |
KR (1) | KR101757686B1 (ja) |
CN (1) | CN102575013A (ja) |
TW (1) | TW201130928A (ja) |
WO (1) | WO2011043264A1 (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US10316216B2 (en) | 2016-08-31 | 2019-06-11 | Samsung Sdi Co., Ltd. | Composition for forming silica layer, and silica layer |
Families Citing this family (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP5692736B2 (ja) | 2009-10-05 | 2015-04-01 | 株式会社Adeka | 絶縁膜形成用塗布液、それを用いた絶縁膜 |
WO2011079020A1 (en) * | 2009-12-22 | 2011-06-30 | 3M Innovative Properties Company | Process for preparing shelf-stable curable polysilazanes, and polysilazanes prepared thereby |
JP5172867B2 (ja) * | 2010-01-07 | 2013-03-27 | AzエレクトロニックマテリアルズIp株式会社 | ポリシラザンを含むコーティング組成物 |
JP2013001721A (ja) * | 2011-06-13 | 2013-01-07 | Adeka Corp | 無機ポリシラザン、これを含有してなるシリカ膜形成用塗布液及びシリカ膜の形成方法 |
US9528028B2 (en) | 2013-04-30 | 2016-12-27 | Cheil Industries, Inc. | Method for preparing modified silica film and modified silica film prepared from the same |
JPWO2015119260A1 (ja) * | 2014-02-07 | 2017-03-30 | コニカミノルタ株式会社 | 変性ポリシラザン、当該変性ポリシラザンを含む塗布液および当該塗布液を用いて製造されるガスバリア性フィルム |
KR20160134290A (ko) | 2015-05-15 | 2016-11-23 | 삼성에스디아이 주식회사 | 실리카 막 형성용 조성물, 실리카 막의 제조방법 및 실리카 막 |
JP2019034993A (ja) * | 2017-08-10 | 2019-03-07 | メルク、パテント、ゲゼルシャフト、ミット、ベシュレンクテル、ハフツングMerck Patent GmbH | ポリカルボシランを含んでなるシリコンカーバイド質膜形成組成物、およびそれを用いたシリコンカーバイド質膜の製造方法 |
KR20240028546A (ko) * | 2017-09-11 | 2024-03-05 | 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 | 절연막의 성막 방법, 기판 처리 장치 및 기판 처리 시스템 |
KR102432933B1 (ko) | 2019-05-17 | 2022-08-12 | 삼성에스디아이 주식회사 | 실리카 막 형성용 조성물, 그로부터 형성된 실리카 막, 및 상기 실리카 막을 포함하는 전자 소자 |
Family Cites Families (22)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4397828A (en) * | 1981-11-16 | 1983-08-09 | Massachusetts Institute Of Technology | Stable liquid polymeric precursor to silicon nitride and process |
JPS59207812A (ja) * | 1983-05-10 | 1984-11-26 | Toa Nenryo Kogyo Kk | 窒化珪素の製造法 |
JPS60145903A (ja) | 1983-12-29 | 1985-08-01 | Toa Nenryo Kogyo Kk | 無機ポリシラザン及びその合成方法 |
JPS6316325A (ja) | 1986-07-08 | 1988-01-23 | Hitachi Ltd | メニユ−表示方法 |
US4933160A (en) | 1987-08-13 | 1990-06-12 | Petroleum Energy Center | Reformed, inorganic polysilazane |
JP2613787B2 (ja) * | 1987-08-13 | 1997-05-28 | 財団法人石油産業活性化センター | 無機シラザン高重合体、その製造方法及びその用途 |
US4861569A (en) | 1987-08-13 | 1989-08-29 | Petroleum Energy Center | Reformed, inorganic polysilazane and method of producing same |
JP2670501B2 (ja) * | 1988-02-08 | 1997-10-29 | 東燃株式会社 | コーティング用組成物及びコーティング方法 |
US5294425A (en) * | 1991-09-24 | 1994-03-15 | Southwest Research Institute | Polysilazane precursors for silicon nitride and resultant products |
JPH05311120A (ja) * | 1992-05-13 | 1993-11-22 | Denki Kagaku Kogyo Kk | 紫外線遮蔽ガラス保護膜形成用組成物および紫外線遮蔽ガラス |
JPH06136131A (ja) * | 1992-10-26 | 1994-05-17 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 皮膜強度に優れたポリシラザンの合成方法、及び該ポリシラザンを塗布焼付けた耐熱絶縁電線 |
JP3666915B2 (ja) | 1993-12-17 | 2005-06-29 | Azエレクトロニックマテリアルズ株式会社 | セラミックスの低温形成方法 |
JP3208040B2 (ja) * | 1995-04-04 | 2001-09-10 | 触媒化成工業株式会社 | シリカ系被膜形成用塗布液および被膜付基材 |
US5885654A (en) | 1996-08-14 | 1999-03-23 | Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd. | Polysilazane-based coating solution for interlayer insulation |
JP3912697B2 (ja) * | 1996-08-14 | 2007-05-09 | 東京応化工業株式会社 | 層間絶縁膜形成用塗布液及びそれを用いた絶縁膜の形成方法 |
JPH1062638A (ja) * | 1996-08-21 | 1998-03-06 | Hitachi Cable Ltd | 光導波路及びその製造方法 |
JP4053105B2 (ja) * | 1996-12-30 | 2008-02-27 | Azエレクトロニックマテリアルズ株式会社 | シリカ質セラミックス被膜の形成方法及び同方法で形成されたセラミックス被膜 |
JP3904691B2 (ja) * | 1997-10-17 | 2007-04-11 | Azエレクトロニックマテリアルズ株式会社 | ポリシラザン含有組成物及びシリカ質膜の形成方法 |
JP5020425B2 (ja) | 2000-04-25 | 2012-09-05 | Azエレクトロニックマテリアルズ株式会社 | 微細溝をシリカ質材料で埋封する方法 |
KR100914395B1 (ko) * | 2008-11-05 | 2009-08-28 | 금호석유화학 주식회사 | 폴리실라잔, 그 합성 방법, 반도체 소자 제조용 조성물 및 그 반도체 소자 제조용 조성물을 이용한 반도체 소자의 제조 방법 |
JP5692736B2 (ja) | 2009-10-05 | 2015-04-01 | 株式会社Adeka | 絶縁膜形成用塗布液、それを用いた絶縁膜 |
JP2013001721A (ja) * | 2011-06-13 | 2013-01-07 | Adeka Corp | 無機ポリシラザン、これを含有してなるシリカ膜形成用塗布液及びシリカ膜の形成方法 |
-
2009
- 2009-10-05 JP JP2009231970A patent/JP5692736B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2010
- 2010-10-01 KR KR1020127011687A patent/KR101757686B1/ko active IP Right Grant
- 2010-10-01 US US13/500,095 patent/US8940380B2/en active Active
- 2010-10-01 CN CN2010800448291A patent/CN102575013A/zh active Pending
- 2010-10-01 WO PCT/JP2010/067247 patent/WO2011043264A1/ja active Application Filing
- 2010-10-05 TW TW099133868A patent/TW201130928A/zh unknown
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US10316216B2 (en) | 2016-08-31 | 2019-06-11 | Samsung Sdi Co., Ltd. | Composition for forming silica layer, and silica layer |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
WO2011043264A1 (ja) | 2011-04-14 |
US8940380B2 (en) | 2015-01-27 |
KR101757686B1 (ko) | 2017-07-14 |
CN102575013A (zh) | 2012-07-11 |
TW201130928A (en) | 2011-09-16 |
US20120192761A1 (en) | 2012-08-02 |
KR20120083902A (ko) | 2012-07-26 |
JP2011079917A (ja) | 2011-04-21 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5692736B2 (ja) | 絶縁膜形成用塗布液、それを用いた絶縁膜 | |
WO2012172860A1 (ja) | 無機ポリシラザン、これを含有してなるシリカ膜形成用塗布液及びシリカ膜の形成方法 | |
EP3135711B1 (en) | Copolymerized polysilazane, manufacturing method therefor, composition comprising same, and method for forming siliceous film using same | |
JP2022088450A (ja) | コーティング組成物、および基板上へのSi含有膜の形成方法 | |
JP2013001721A5 (ja) | ||
KR20120099448A (ko) | 폴리실란-폴리실라잔 코폴리머 및 이들의 제조방법 및 용도 | |
TW201307372A (zh) | 矽氧烷單體的合成方法及其用途 | |
Liu et al. | An effective strategy for the preparation of intrinsic low-k and ultralow-loss dielectric polysiloxanes at high frequency by introducing trifluoromethyl groups into the polymers | |
TW201938651A (zh) | 全氫聚矽氮烷組成物和用於使用其形成氮化物膜之方法 | |
JP2014508709A (ja) | ポリシランシロキサンコポリマー、及び二酸化ケイ素に変換する方法 | |
TWI544008B (zh) | Method for producing polysiloxane | |
US7824784B2 (en) | Composition for low dielectric material, low dielectric material and method for production thereof | |
Legrand et al. | Design, preparation, and characterization of new high‐refractive index hybrid organic–inorganic polysiloxanes: Innovative coatings for optoelectronic applications | |
JP4163602B2 (ja) | 低誘電材料用組成物 | |
CN115916870A (zh) | 含氟醚化合物及其制造方法、化合物及其制造方法、含氟醚组合物、涂布液、以及物品及其制造方法 | |
JP3519871B2 (ja) | 硬化性組成物、及びその製造方法 | |
JP2011052170A (ja) | 硬化性塗布組成物および硬化被膜 | |
JP3227359B2 (ja) | 半導体装置 | |
JP4460884B2 (ja) | 低誘電材料 | |
JP4190368B2 (ja) | B,b’,b”−トリアルキル−n,n’,n”−トリアルキルボラジンの製造方法 | |
JPS6155164A (ja) | シリカ被膜の形成方法 | |
CN115703943A (zh) | 用于形成二氧化硅层的组合物、二氧化硅层以及电子装置 | |
JP2014224266A (ja) | 硬化性塗布組成物および硬化被膜 | |
JPH1160957A (ja) | 前駆体ポリマー組成物及び低誘電率絶縁材料 | |
JPS58204815A (ja) | ヒドロキシシラン及び/又はそのオリゴマ−の製造法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20120824 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20140507 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20140702 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20150127 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20150128 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5692736 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |