JP5636515B2 - 高純度マンガン及びその製造方法 - Google Patents
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Description
1)マンガンの純度が3N(99.9%)以上である高純度マンガンであって、0.5μm以上の非金属介在物である異物が1g中に50000個以下であることを特徴とする高純度マンガン。
2)0.5μm以上の非金属介在物である異物が1g中に10000個以下であることを特徴とする上記1)記載の高純度マンガン。
3)マンガン原料(一次原料)を、酸洗浄した原料(二次原料)を用いて精製を行い、純度が3N(99.9%)以上であり、0.5μm以上の非金属介在物である異物を1g中に50000個以下とすることを特徴とする高純度マンガンの製造方法。
4)前記マンガン原料(一次原料)を酸洗浄した後、液中に原料マンガンが1%以上残るようにして浸出し、その浸出液を用いて電解することにより、3N以上の純度のマンガンを得ることを特徴とする上記3)記載の高純度マンガンの製造方法。
5)液中に原料マンガンが1〜50%残るようにして浸出することを特徴とする上記4)記載の高純度マンガンの製造方法。
6)前記電解マンガンを、不活性雰囲気の弱減圧下で溶解することを特徴とする上記3)〜5)のいずれか一項に記載の高純度マンガンの製造方法。
(1)溶解度以上に析出した不純物を低減することにより、非金属介在物が少ない、すなわち0.5μm以上の異物が1g中に50000個以下である高純度金属マンガンを得ることができる。
(2)特別な装置を必要とせずに、汎用炉で製造可能であり、従来法である蒸留法と比較して低コストかつ高収率で高純度マンガンを得ることができる等の効果を挙げられることができる。
本願発明の高純度マンガンの製造方法は、2Nレベルの純度を持つ市販のマンガン原料には、非常に多くの不純物や異物が多数付着していることが判明し、その表面を酸洗浄することにより、不純物や非金属介在物の低減に有効であることが可能となった。原料マンガンの表面付着物及び酸化している表面層を除去する方法ならば、どのような方法でもよい。酸としては、硝酸、硫酸、塩酸 あるいはそれらの混酸でもよい。
このように液中に原料マンガンを残すと、その分生産性が悪くなるので、通常は行われない(気が付かない)発想である。しかしながら、このように液中に原料マンガンを残存させると、0.5μm以上の非金属介在物である異物を効果的に減少させる効果があることが分かった。
しかし、50%を超えるマンガン量を残存させることを否定するものではなく、必要に応じて、そのようにすることも可能である。マンガンの残存量が多ければ、それだけ精製効果が高くなる。
溶解時にMnよりも活性力の強い脱酸剤であるLa,Ca,Mg,等を添加するとさらに効果的である。
溶解時にMnよりも活性力の強い脱酸剤であるLa,Ca,Mg等を添加するとさらに効果的である。
この溶解により、スラグをインゴット上部に濃縮させ、不純物を除去する。
すなわち、不溶解性残渣粒子数(LPC)で、0.5μm以上の異物が1g中に50000個以下のマンガンを製造することができ、さらに不溶解性残渣粒子数(LPC)で、0.5μm以上の異物(非金属介在物)が1g中に10000個以下のマンガンを製造することができる。
この測定方法を具体的に説明すると、試料5gをサンプリングし、介在物が溶解しないようにゆっくりと200ccの酸で溶解し、さらにこれを500ccになるように超純水で希釈し、この10ccをとり、前記溶液中パーテイクルカウンターで測定するものである。例えば、介在物の個数が1000個/ccの場合には、10cc中には0.1gのサンプルが測定されることになるので、介在物は10000個/gとなる。
出発原料として、市販の純度2N(99%)のマンガンを用いた。
このマンガン原料を、硝酸溶液で洗浄した。さらに、塩酸でそのマンガンを浸出するが、原料マンガン(メタル)を1%液中に残して浸出した。この液をカソード側に入れて電解を行う。電解して得たマンガンをAr雰囲気500torr、1300℃で溶解したところ、正常部の歩留まりは73%であった。
そして、Mn5gを塩酸で溶解し、超純水で500ccまで希釈後10ccで抜き取り測定行った。その結果1g中には、非金属介在物(異物)が49800個であった。純度は3Nレベルであった。
出発原料として、純度2N(99%)のマンガン(一次原料)を用いた。
このマンガン原料を、硫酸溶液で洗浄した。さらに、塩酸でそのマンガンを浸出するが、原料マンガン(メタル)を50%液中に残して浸出した。
この液をカソード側に入れて電解を行う。次に、これをArガス雰囲気の1torr減圧下、1280℃で溶解した。この結果、インゴット上部にスラグが濃縮した。
これにより、正常部の歩留まりは82%であった。その結果1g中には、非金属介在物(異物)が9500個であった。純度は4Nレベルであった。
出発原料として、実施例1で得た3Nのマンガンを使用して、これをアノードとし、塩酸溶液で電解することにより、4Nレベルの電解Mnを製造した。
これは、本願発明の条件を達成していた。その結果1g中には、非金属介在物(異物)が5900個であった。
出発原料として、市販の純度2N(99%)のマンガン(一次原料)を用いた。このマンガン原料を、希硫酸溶液で洗浄した。
次に、これを約20%の原料マンガン(メタル)を液中に残すように酸浸出した。その後、アノードの液は硫酸溶液にし、カソードの液は前記酸浸出した液を用いて電解を行った。この電解マンガンをArガス雰囲気の20torr減圧下、1280℃で溶解した。その際、酸素を効率的に抜くためMgを添加した。この結果、インゴット上部にスラグが濃縮した。
これにより、正常部の歩留まりは82%であった。その結果1g中には、非金属介在物(異物)が5300個であった。純度は3Nレベルであった。
(比較例1)
原料は実施例1と同一であり、市販マンガンをそのまま弱減圧下数torr、1300℃で溶解した。その結果、スラグが多量に発生し、歩留まりは38%であった。製造したマンガンのLPCは、121000個であり、非常に高いものであった。純度は2Nレベルであった。
原料は実施例1と同一であり、酸洗浄せずに、液
中にマンガンを全量硫酸で浸出した。その液を電解して電解マンガンを得た。このマンガンをそのまま弱減圧下約10torr、1300℃で溶解した。その結果、スラグが多量に発生し、蒸発量も多く歩留まりは51%であった。製造したマンガンのLPCは、52100個であり、非常に高いものであった。純度は2N5レベルであった。
(1)原料の段階で、非金属介在物が少ない、すなわち0.5μm以上の異物が1g中に50000個以下(不溶解性残渣粒子数(LPC)で、0.5μm以上の異物が1g中に50000個以下)である高純度金属マンガンを得ることができる。
(2)特別な装置を必要とせずに、汎用炉で製造可能であり、従来法である蒸留法と比較して低コストかつ高収率で高純度マンガンを得ることができる。
上記(1)及び(2)の著しい効果を得ることができるので、配線材料、磁性材(磁気ヘッド)等の電子部品材料、半導体部品材料に使用する金属マンガン、同薄膜、特にマンガン含有薄膜を作製するためのスパッタリングターゲット材に用いる高純度マンガンとして有用である。
Claims (6)
- マンガンの純度が3N(99.9%)以上である高純度マンガンであって、0.5μm以上の非金属介在物である異物が1g中に50000個以下であることを特徴とする高純度マンガン。
- 0.5μm以上の非金属介在物である異物が1g中に10000個以下であることを特徴とする請求項1記載の高純度マンガン。
- マンガン原料(一次原料)を酸洗浄した原料(二次原料)を用いて精製を行い、純度が3N(99.9%)以上であり、0.5μm以上の非金属介在物である異物を1g中に50000個以下とすることを特徴とする高純度マンガンの製造方法。
- 前記マンガン原料(一次原料)を酸洗浄した後、液中に原料マンガンが1%以上残るようにして浸出し、その浸出液を用いて電解することにより、3N以上の純度のマンガンを得ることを特徴とする請求項3記載の高純度マンガンの製造方法。
- 液中に原料マンガンが1〜50%残るようにして浸出することを特徴とする請求項4記載の高純度マンガンの製造方法。
- 前記電解マンガンを、不活性雰囲気の弱減圧下で溶解することを特徴とする請求項3〜5のいずれか一項に記載の高純度マンガンの製造方法。
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JP7298893B2 (ja) * | 2019-12-04 | 2023-06-27 | 株式会社 大阪アサヒメタル工場 | 高純度マンガンの製造方法および高純度マンガン |
CN113862495A (zh) * | 2021-09-30 | 2021-12-31 | 宁波创致超纯新材料有限公司 | 一种高纯锰的制备方法 |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS52114512A (en) * | 1976-03-24 | 1977-09-26 | Sakae Tajima | High pure metallic manganese |
JP2002285373A (ja) * | 2001-03-26 | 2002-10-03 | Osaka Asahi Metal Mfg Co Ltd | 高純度マンガンの製造方法 |
JP3802245B2 (ja) * | 1998-10-30 | 2006-07-26 | 同和鉱業株式会社 | ガリウムの電解精製法および装置 |
JP2007119854A (ja) * | 2005-10-28 | 2007-05-17 | Mitsubishi Materials Corp | 金属マンガンの電解採取方法および高純度金属マンガン |
Family Cites Families (15)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS538309A (en) | 1976-07-13 | 1978-01-25 | Toyo Soda Mfg Co Ltd | Removing method for sulfer in metalic manganese |
JP3544293B2 (ja) | 1997-07-31 | 2004-07-21 | 株式会社日鉱マテリアルズ | 磁性材用Mn合金材料、Mn合金スパッタリングタ−ゲット及び磁性薄膜 |
JP4013999B2 (ja) | 1997-11-18 | 2007-11-28 | 日鉱金属株式会社 | 高純度Mn材料の製造方法 |
US6221232B1 (en) | 1998-10-30 | 2001-04-24 | Dowa Mining Co., Ltd. | Electrolytic refining method for gallium and apparatus for use in the method |
JP2002167630A (ja) | 2000-11-28 | 2002-06-11 | Hitachi Metals Ltd | 低酸素Mn材料の製造方法 |
JP3973857B2 (ja) | 2001-04-16 | 2007-09-12 | 日鉱金属株式会社 | マンガン合金スパッタリングターゲットの製造方法 |
JP4077647B2 (ja) | 2002-04-08 | 2008-04-16 | 日鉱金属株式会社 | 酸化マンガンの製造方法 |
AU2004320078B2 (en) | 2004-05-25 | 2010-03-11 | Ferroatlantica, S.L. | Method of obtaining electrolytic manganese from ferroalloy production waste |
JP4900350B2 (ja) * | 2008-09-16 | 2012-03-21 | Jx日鉱日石金属株式会社 | 高純度マンガンを得る製造方法 |
JP5495418B2 (ja) | 2009-03-09 | 2014-05-21 | Dowaメタルマイン株式会社 | マンガンの回収方法 |
JP5207308B2 (ja) | 2009-03-10 | 2013-06-12 | 有限会社 渕田ナノ技研 | ガスデポジション装置及びガスデポジション方法 |
JP5446735B2 (ja) | 2009-10-30 | 2014-03-19 | Jfeスチール株式会社 | 金属マンガンの製造方法 |
CN101845562B (zh) | 2010-06-22 | 2013-03-20 | 陈榜龙 | 改进型两矿法生产电解金属锰的装置及方法 |
JP5808094B2 (ja) | 2010-09-29 | 2015-11-10 | 株式会社東芝 | スパッタリングターゲットの製造方法 |
JP5406157B2 (ja) * | 2010-10-12 | 2014-02-05 | Jx日鉱日石金属株式会社 | 高純度クロムの製造方法、高純度クロムからなるスパッタリングターゲットの製造方法及び高純度クロムからなる薄膜の製造方法 |
-
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- 2012-07-18 KR KR1020167002662A patent/KR20160018850A/ko not_active Application Discontinuation
- 2012-07-24 TW TW101126598A patent/TWI542703B/zh active
Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS52114512A (en) * | 1976-03-24 | 1977-09-26 | Sakae Tajima | High pure metallic manganese |
JP3802245B2 (ja) * | 1998-10-30 | 2006-07-26 | 同和鉱業株式会社 | ガリウムの電解精製法および装置 |
JP2002285373A (ja) * | 2001-03-26 | 2002-10-03 | Osaka Asahi Metal Mfg Co Ltd | 高純度マンガンの製造方法 |
JP2007119854A (ja) * | 2005-10-28 | 2007-05-17 | Mitsubishi Materials Corp | 金属マンガンの電解採取方法および高純度金属マンガン |
Also Published As
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